JPH01105590A - 分布帰還型半導体発光素子 - Google Patents
分布帰還型半導体発光素子Info
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- JPH01105590A JPH01105590A JP62262368A JP26236887A JPH01105590A JP H01105590 A JPH01105590 A JP H01105590A JP 62262368 A JP62262368 A JP 62262368A JP 26236887 A JP26236887 A JP 26236887A JP H01105590 A JPH01105590 A JP H01105590A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
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-
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、回折格子を用いて光帰還を行う分布帰還型半
導体発光素子に係り、特に光出力を共振器軸方向に対し
て垂直に取出すことが可能な面発光型の分布帰還型半導
体発光素子に関する。
導体発光素子に係り、特に光出力を共振器軸方向に対し
て垂直に取出すことが可能な面発光型の分布帰還型半導
体発光素子に関する。
（従来の技術）
近年、光通信や光デイスク用の光源として各種の半導体
発光素子が盛んに使用されている。
発光素子が盛んに使用されている。
この半導体発光素子例えば、半導体レーザ装置としては
、へき開面を反射鏡として共振器を形成し、共振器内で
光波を往復させて、増幅された光をへき開面からの光出
力として取出す、へき開面反射構造のものがある。また
、光導波路の少なくとも一部に、２次以上のブラッグ回
折をする回折格子を設け、この回折格子に光結合（分布
帰還）して外部に光出力を取出す、放射モードを利用す
る構造のものがある。
、へき開面を反射鏡として共振器を形成し、共振器内で
光波を往復させて、増幅された光をへき開面からの光出
力として取出す、へき開面反射構造のものがある。また
、光導波路の少なくとも一部に、２次以上のブラッグ回
折をする回折格子を設け、この回折格子に光結合（分布
帰還）して外部に光出力を取出す、放射モードを利用す
る構造のものがある。
この放射モードを利用したｍ遺の半導体レーザは、ＧＣ
Ｌ （ｇｒａｔｉｎｇ ｃｏｕｐ！ｅｄ １ａｓｅｒ
）型と呼ばれ、周知の技術である（たとえばＲ，Ｄ、
８ｔｌｒｎａｈｌｅｔ、ａｌ、 ’ｓ＊ｎｏｔｅ−ｎｅ
ｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ
−Ｆｅｅｄｂａｃｋ ＧａＡｓ−Ｄｉｏｄｅ Ｌａ５ｅ
ｒｓ ” 、ＩＥＥＥ、ＱＥｌｌ。
Ｌ （ｇｒａｔｉｎｇ ｃｏｕｐ！ｅｄ １ａｓｅｒ
）型と呼ばれ、周知の技術である（たとえばＲ，Ｄ、
８ｔｌｒｎａｈｌｅｔ、ａｌ、 ’ｓ＊ｎｏｔｅ−ｎｅ
ｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ
−Ｆｅｅｄｂａｃｋ ＧａＡｓ−Ｄｉｏｄｅ Ｌａ５ｅ
ｒｓ ” 、ＩＥＥＥ、ＱＥｌｌ。
ｐ、４３９〜ａ４８．ｊ９７５） 。
この放射モードを利用した表面発光型の発光素子は、そ
の軸方向のビームの拡がりが非常に狭いため、集光しや
すいことが大きな特徴である。これに対し、面発光型の
ＬＥＤではその光が自然放出光であるため、そのビーム
拡がりは極めて大きく、半値全幅にして６０度以上もあ
る。
の軸方向のビームの拡がりが非常に狭いため、集光しや
すいことが大きな特徴である。これに対し、面発光型の
ＬＥＤではその光が自然放出光であるため、そのビーム
拡がりは極めて大きく、半値全幅にして６０度以上もあ
る。
近年の報告では、長波長（Ｇａ Ｉ ｎＡｓＰ／ＩｎＰ
）系分布帰還型レーザの開発成功を背景に、ＧａＡｓ系
の横方向接合ストライプ型レーザ（以下、ＴＪＳレーザ
）で面発光型の分布帰還型（ＤＦＢ）発光素子が試作さ
れている（光永他、電子情報通信学会０ＱＥ８６−１５
２ ） 。
）系分布帰還型レーザの開発成功を背景に、ＧａＡｓ系
の横方向接合ストライプ型レーザ（以下、ＴＪＳレーザ
）で面発光型の分布帰還型（ＤＦＢ）発光素子が試作さ
れている（光永他、電子情報通信学会０ＱＥ８６−１５
２ ） 。
第４図はこの面発光型の分布帰還型発光素子（以下、Ｄ
ＦＢ−ＴＪＳ発光素子）の構造を示す図である。
ＦＢ−ＴＪＳ発光素子）の構造を示す図である。
このようなりＦＢ−ＴＪＳ発光素子の製造は、まず、半
絶縁性のＧａＡｓ基板１上にＧａ、Ａｌ１−ｘ Ａ ｓ
（Ｘ ＝ ０．３５ ＞第１クラッド層２、ＧａＡｓ
活性眉３、Ｇａ Ａ、１２１−ｘＡｓ （ｘ＝０．１
５）光導波路層４を順次結晶成長させた後、光導波路層
４表面に２次の回折格子５のパターンを転写し、この回
折格子５上にＧａ ＡＪ？１−ｘＡｓ （ｘ＝０．３
５）第２クラツド眉６とＧａＡｓオーミックコンタクト
層７を成長させる。このようにエピタキシャル成長によ
りｎ形のみ多層形成した後、亜鉛を選択拡散して亜鉛拡
散領域８を形成しＴＪＳ構遺とする。
絶縁性のＧａＡｓ基板１上にＧａ、Ａｌ１−ｘ Ａ ｓ
（Ｘ ＝ ０．３５ ＞第１クラッド層２、ＧａＡｓ
活性眉３、Ｇａ Ａ、１２１−ｘＡｓ （ｘ＝０．１
５）光導波路層４を順次結晶成長させた後、光導波路層
４表面に２次の回折格子５のパターンを転写し、この回
折格子５上にＧａ ＡＪ？１−ｘＡｓ （ｘ＝０．３
５）第２クラツド眉６とＧａＡｓオーミックコンタクト
層７を成長させる。このようにエピタキシャル成長によ
りｎ形のみ多層形成した後、亜鉛を選択拡散して亜鉛拡
散領域８を形成しＴＪＳ構遺とする。
こうして亜鉛拡散領域８を形成した後、Ｐ電極９とｎｔ
電極１を設け、ＧａＡｓ層を選択的に取除いた光取出し
窓１１を設ける。
電極１を設け、ＧａＡｓ層を選択的に取除いた光取出し
窓１１を設ける。
この発光素子における２次の回折格子は、導波路モード
の光結合（分布帰還）を２次の散乱波で行い、１次の散
乱波は回折格子を通して放射モードとして共振器軸方向
にほぼ垂直に出射する。
の光結合（分布帰還）を２次の散乱波で行い、１次の散
乱波は回折格子を通して放射モードとして共振器軸方向
にほぼ垂直に出射する。
このような発光素子では、第５図に示したように前進波
Ｒと後進波Ｓの両方から出射され、若干の垂直方向のず
れは双峰性の遠視野像を生じるものの、共振軸方向に対
しては回折限界に近い鋭いビームが得られる。
Ｒと後進波Ｓの両方から出射され、若干の垂直方向のず
れは双峰性の遠視野像を生じるものの、共振軸方向に対
しては回折限界に近い鋭いビームが得られる。
このＤＦＢ−ＴＪＳレーザは、出射ビームの遠視野像が
共振器軸方向の半値全角θ２で約９度という狭いビーム
を得ることができること、素子分離にへき開を用いなく
ても良いため、素子分離する前のウェハ状態でのチエツ
クが可能であること、ＬＥＤと比較して応答速度が速い
こと等の利点がある。
共振器軸方向の半値全角θ２で約９度という狭いビーム
を得ることができること、素子分離にへき開を用いなく
ても良いため、素子分離する前のウェハ状態でのチエツ
クが可能であること、ＬＥＤと比較して応答速度が速い
こと等の利点がある。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、上述した従来の分布帰還型半導体発光素
子では、発光パターンが線状であるため、集光には特殊
なレンズ系が必要となり、また発光効率が共振器内部の
界分布が回折格子を介して放射モードに変換される１次
の結合効率で決定され、１本の共振器だけでは大きな光
出力は期待できなという問題があった。
子では、発光パターンが線状であるため、集光には特殊
なレンズ系が必要となり、また発光効率が共振器内部の
界分布が回折格子を介して放射モードに変換される１次
の結合効率で決定され、１本の共振器だけでは大きな光
出力は期待できなという問題があった。
本発明は上述した問題点を解決するためになされたもの
で、小さな出射点から等方的で鋭いビームを面発光とし
て出力し、かつ大きな光出力を取出すことが可能な分布
帰還型半導体発光素子を提供することを目的とする。
で、小さな出射点から等方的で鋭いビームを面発光とし
て出力し、かつ大きな光出力を取出すことが可能な分布
帰還型半導体発光素子を提供することを目的とする。
［発明の構成］
（問題点を解決するための手段）
本発明の分布帰還型半導体発光素子は、光帰還を行う回
折格子を先導波路上に沿って形成した分布帰還型半導体
発光素子において、共振器中央部に導波光に対してｎλ
／４近傍（ただし、λ＝導波光波長、ｎ＝整数）の位相
シフトを行う位相シフト領域または等偏屈折率の変化領
域を有する回折格子が形成され、前記回折格子上に低反
射率の端部を有するストライプ状の活性領域層が形成さ
′れ、表面中央部に前記活性領域層の中央部近傍領域か
ら基板垂直方向に出射される出射光を取出すための光取
出し窓部が形成されていることを特徴とするものである
。
折格子を先導波路上に沿って形成した分布帰還型半導体
発光素子において、共振器中央部に導波光に対してｎλ
／４近傍（ただし、λ＝導波光波長、ｎ＝整数）の位相
シフトを行う位相シフト領域または等偏屈折率の変化領
域を有する回折格子が形成され、前記回折格子上に低反
射率の端部を有するストライプ状の活性領域層が形成さ
′れ、表面中央部に前記活性領域層の中央部近傍領域か
ら基板垂直方向に出射される出射光を取出すための光取
出し窓部が形成されていることを特徴とするものである
。
また、効果を大きくするために、リング状回折格子を形
成し、複数個の上記発光素子を、その中央部が交差する
ように放射状に配置し、中央部表面に窓を設けたもので
ある。
成し、複数個の上記発光素子を、その中央部が交差する
ように放射状に配置し、中央部表面に窓を設けたもので
ある。
（作 用）
本発明は、λ／４シフト領域を有する分布帰還構造の中
央部への光の集中を利用し、さらに、それらを複数個放
射状に配置することにより、光出力の数段の向上と、鋭
い等方的出射ビームの実現を図ったものである。このと
き、回折格子は２次の回折格子であり、にＬの値は１．
２５より大きくなければいけない、また、放射状に配列
されたストライプ状の素子の夫々は、その端面を埋込み
等により、反射率を低く抑える構造とすることが効果的
である。
央部への光の集中を利用し、さらに、それらを複数個放
射状に配置することにより、光出力の数段の向上と、鋭
い等方的出射ビームの実現を図ったものである。このと
き、回折格子は２次の回折格子であり、にＬの値は１．
２５より大きくなければいけない、また、放射状に配列
されたストライプ状の素子の夫々は、その端面を埋込み
等により、反射率を低く抑える構造とすることが効果的
である。
（実施例）
以下、本発明の一実施例を図を参照して説明する。
第１図は、本発明を半導体発光素子として、Ｇａ Ｉ
ｎＡｓＰ／Ｉ ｎＰ系の材料を用いた分布帰還型半導体
レーザに適用した実施例の模式的な構成を示す平面およ
び断面図である。
ｎＡｓＰ／Ｉ ｎＰ系の材料を用いた分布帰還型半導体
レーザに適用した実施例の模式的な構成を示す平面およ
び断面図である。
本例の半導体レーザの製造は、まず、ｎ型ＩｎＰ基板２
１上に、放射状に動径方向で２次の回折を生じるような
周期のリング状回折格子２２を形成する。このとき、リ
ング状回折格子２２の中央部は、管内波長λの１／４の
整数倍の位相シフトを生じる位相不連続部２３が形成さ
れるように、リングのパターンを描画する。リング状回
折格子２２のパターンは、電子ビーム露光法を用いて周
期は４８００人に形成し、１゜５５μ階波長帯の発振動
作が可能なように構成した。
１上に、放射状に動径方向で２次の回折を生じるような
周期のリング状回折格子２２を形成する。このとき、リ
ング状回折格子２２の中央部は、管内波長λの１／４の
整数倍の位相シフトを生じる位相不連続部２３が形成さ
れるように、リングのパターンを描画する。リング状回
折格子２２のパターンは、電子ビーム露光法を用いて周
期は４８００人に形成し、１゜５５μ階波長帯の発振動
作が可能なように構成した。
次に液相成長法を用いて、Ｇａ Ｉ ｎＡｓＰから成る
光導波層および活性層の混成層２４を成長させ、さらに
、Ｐ型ＩｎＰ層２５を成長させた。
光導波層および活性層の混成層２４を成長させ、さらに
、Ｐ型ＩｎＰ層２５を成長させた。
そしてこのウェハを放射状の複数のストライプ２６が形
成されるようにメサ・エツチングを施し、各メサ・スト
ライプ部２６をｐ型１ｎＰとｎ型ＩｎＰの逆接合電流ブ
ロック層で埋込んだ、このとき、メサ・ストライプの端
部も上記各ＩｎＰ層で埋込んで各端面の反射が小さくな
るようにする。
成されるようにメサ・エツチングを施し、各メサ・スト
ライプ部２６をｐ型１ｎＰとｎ型ＩｎＰの逆接合電流ブ
ロック層で埋込んだ、このとき、メサ・ストライプの端
部も上記各ＩｎＰ層で埋込んで各端面の反射が小さくな
るようにする。
ところで、メサ・エツチングにより中心部の混成層２４
の幅が等価的に広くなるので、これによる等偏屈折率の
変化を考慮して、対角線上を進む光波がλ／４の位相不
連続部２３を感じるように設計した。
の幅が等価的に広くなるので、これによる等偏屈折率の
変化を考慮して、対角線上を進む光波がλ／４の位相不
連続部２３を感じるように設計した。
次に基板表面にｐｔ［！層２７、基板裏面にｎ電極層２
８を夫々形成した後、ｎ電極層２８の中央部を除去して
光取出し用の窓部２９を形成し、ｐ側を下側にしてマウ
ントした。
８を夫々形成した後、ｎ電極層２８の中央部を除去して
光取出し用の窓部２９を形成し、ｐ側を下側にしてマウ
ントした。
このようにしてＩ！！遺した分布帰還型半導体レーザで
は、リング状回折格子２２の中央部に管内波長λの１７
４の大きさに相当するλ／４位相シフト部すなわち位相
不連続部２３を形成し、かつ両端面の反射率が小さくな
るようにして構成したので、分布帰還型レーザの結合係
数にと共振器長しとの積にＬが１．２５以上のときにお
いては、その位相不連続部２３に電界が集中する。
は、リング状回折格子２２の中央部に管内波長λの１７
４の大きさに相当するλ／４位相シフト部すなわち位相
不連続部２３を形成し、かつ両端面の反射率が小さくな
るようにして構成したので、分布帰還型レーザの結合係
数にと共振器長しとの積にＬが１．２５以上のときにお
いては、その位相不連続部２３に電界が集中する。
この電界の集中は、位相シフトがλ／４の整数倍に近い
値を有しているほど、またにＬの大きさが大きいほど顕
著である。たとえば第２図に示したように、中央部にλ
／４シフト領域を有し、にＬが３．０の半導体発光素子
では、その中央部に端部の７倍以上のパワーが集中する
ことになる。この方式により、全共振器の光出力を共振
器中央部に集中することができる。
値を有しているほど、またにＬの大きさが大きいほど顕
著である。たとえば第２図に示したように、中央部にλ
／４シフト領域を有し、にＬが３．０の半導体発光素子
では、その中央部に端部の７倍以上のパワーが集中する
ことになる。この方式により、全共振器の光出力を共振
器中央部に集中することができる。
さらに、放射状の枚数のストライプ２６が形成されるよ
うにメサ・エツチングを施し、各メサ・ストライプ部２
６の両側面および端部をｐ型ＩｎＰとｎ型ＩｎＰの逆接
合電流ブロック層で埋込むことで、放射状樟複数設けた
レーザ素子が全て共振器中央部で交差するような構造と
なるため、複数個の分布帰還型素子の出力を共振器中央
部の一点に集中させることが可能となる。
うにメサ・エツチングを施し、各メサ・ストライプ部２
６の両側面および端部をｐ型ＩｎＰとｎ型ＩｎＰの逆接
合電流ブロック層で埋込むことで、放射状樟複数設けた
レーザ素子が全て共振器中央部で交差するような構造と
なるため、複数個の分布帰還型素子の出力を共振器中央
部の一点に集中させることが可能となる。
すなわち、第３図に示したように、各分布帰還型発光素
子の回折格子の周期を２次のブラッグ回折をするものに
固定し、中央部に光取出し窓２９を設けることにより、
基板の垂直方向に対し、大きな光出力を鋭いビームとし
て取出すことが可能となる。
子の回折格子の周期を２次のブラッグ回折をするものに
固定し、中央部に光取出し窓２９を設けることにより、
基板の垂直方向に対し、大きな光出力を鋭いビームとし
て取出すことが可能となる。
上述実施例により製造した分布帰還型半導体レーザを駆
動したところ、１００１１Ｗ以上のパワーが集中した鋭
い等友釣ビームを、基板の垂直方向に取出すことができ
た。
動したところ、１００１１Ｗ以上のパワーが集中した鋭
い等友釣ビームを、基板の垂直方向に取出すことができ
た。
ところで、本発明は、上述実施例に用いた発光素子の構
造に限定されるものではなく、例えばＧａＡｓ系の材料
を用いた構造の分布帰還型半導体レーザにも適用が可能
である。但し、この場合、光の取出し窓はＧａＡｓ基板
が光を吸収することから、基板の一部を井戸状に形成す
ることが必要である。
造に限定されるものではなく、例えばＧａＡｓ系の材料
を用いた構造の分布帰還型半導体レーザにも適用が可能
である。但し、この場合、光の取出し窓はＧａＡｓ基板
が光を吸収することから、基板の一部を井戸状に形成す
ることが必要である。
［発明の効果］
以上説明したように本発明の分布帰還型半導体発光素子
は、端面から光を取出すレーザ発光素子や、自然放出光
を基板に垂直に取出す面発光ＬＥＤとも異なる全く新し
いタイプの発光素子である。
は、端面から光を取出すレーザ発光素子や、自然放出光
を基板に垂直に取出す面発光ＬＥＤとも異なる全く新し
いタイプの発光素子である。
すなわち、出射端面（共振器反射面）を必要とせず、分
布帰還型レーザ本来の特徴を活すことができ、また基板
の垂直方向に光を取出すことが可能であるため、ウェハ
状態でのチエツクも可能である。
布帰還型レーザ本来の特徴を活すことができ、また基板
の垂直方向に光を取出すことが可能であるため、ウェハ
状態でのチエツクも可能である。
また、従来の分布帰還型発光素子と興なり、端面の位相
による発振モードのあいまいさを心配する必要がなくな
り、さらには鋭い高出力ビームが基板に垂直に得られる
ことにより、ファイバとの結合等、各種光学素子への結
合時において大幅な結合効率の改善が可能となる。
による発振モードのあいまいさを心配する必要がなくな
り、さらには鋭い高出力ビームが基板に垂直に得られる
ことにより、ファイバとの結合等、各種光学素子への結
合時において大幅な結合効率の改善が可能となる。
そして、従来の発光素子と本発明の発光素子の決定的な
相異としては、電流を注入している領域と光が集中する
領域がほぼ分離した構造であることで、周辺部に大きな
電流を流しても光が集中している中央部での電流！度は
それほど大きくならなす、しかも活性層の一部を数十μ
ｌにわたって除去して、２次の回折格子のみを残して光
を取出すことが可能となり、熱的に安定した状態で大出
力動作が行える。また、発振状態での動作であることか
ら、自然放出光を用いる従来の面発光ＬＥＤよりも数段
速い高速応答が可能となる。
相異としては、電流を注入している領域と光が集中する
領域がほぼ分離した構造であることで、周辺部に大きな
電流を流しても光が集中している中央部での電流！度は
それほど大きくならなす、しかも活性層の一部を数十μ
ｌにわたって除去して、２次の回折格子のみを残して光
を取出すことが可能となり、熱的に安定した状態で大出
力動作が行える。また、発振状態での動作であることか
ら、自然放出光を用いる従来の面発光ＬＥＤよりも数段
速い高速応答が可能となる。
このように本発明は、半導体発光素子の性能向上に大幅
に貢献するものである。
に貢献するものである。
第１図は、本発明の一実施例の分布帰還型半導体発光素
子の＃Ｉ造を模式的に示す平面および断面図、第２図は
実施例において両端面無反射で共振器中央にλ７４位相
シフト領域が設けられ、かつにＬの値が３．０であると
きの軸方向の光強度分布を示す図、第３４図は実施例に
よる発光素子の放射ビームパターンを示す図、第４図は
従来の面発光型レーザ素子（ＤＦＢ−ＴＪＳ）を示す斜
視図、第５図は放射モードが導波モードの進行に応じて
ほぼ垂直に出射される様子を示す模式的な断面図である
。 ２１・・・・・・・・・ｎ型１ｎＰ基板２２・・・・・
・・・・リング状回折格子２３・・・・・・・・・位相
不連続部 ２４・・・・・・・・・ｎ型ＧａＩｎＡｓＰ光導波路層
と活性層の混成層 ２５・・・・・・・・・ｐ型ＩｎＰクラッド層２６・・
・・・・・・・活性ストライプ部２７・・・・・・・・
・ｐ電極 ２８・・・・・・・・・ｎ電極 ２９・・・・・・・・・出力光取出し窓用願人
株式会社 東芝 代理人 弁理士 須 山 佐 − 第１図 丹散話軸 第２図 第３図 第４図 第５図
子の＃Ｉ造を模式的に示す平面および断面図、第２図は
実施例において両端面無反射で共振器中央にλ７４位相
シフト領域が設けられ、かつにＬの値が３．０であると
きの軸方向の光強度分布を示す図、第３４図は実施例に
よる発光素子の放射ビームパターンを示す図、第４図は
従来の面発光型レーザ素子（ＤＦＢ−ＴＪＳ）を示す斜
視図、第５図は放射モードが導波モードの進行に応じて
ほぼ垂直に出射される様子を示す模式的な断面図である
。 ２１・・・・・・・・・ｎ型１ｎＰ基板２２・・・・・
・・・・リング状回折格子２３・・・・・・・・・位相
不連続部 ２４・・・・・・・・・ｎ型ＧａＩｎＡｓＰ光導波路層
と活性層の混成層 ２５・・・・・・・・・ｐ型ＩｎＰクラッド層２６・・
・・・・・・・活性ストライプ部２７・・・・・・・・
・ｐ電極 ２８・・・・・・・・・ｎ電極 ２９・・・・・・・・・出力光取出し窓用願人
株式会社 東芝 代理人 弁理士 須 山 佐 − 第１図 丹散話軸 第２図 第３図 第４図 第５図
Claims (5)
- （１）光帰還を行う回折格子を光導波路上に沿つて形成
した分布帰還型半導体発光素子において、共振器中央部
に導波光に対してｎλ／４近傍（ただし、λ＝導波光波
長、ｎ＝整数）の位相シフトを行う位相シフト領域また
は等価屈折率の変化領域を有する回折格子が形成され、
前記回折格子上に低反射率の端部を有するストライプ状
の活性領域層が形成され、表面中央部に前記活性領域層
の中央部近傍領域から基板垂直方向に出射される出射光
を取出すための光取出し窓部が形成されていることを特
徴とする分布帰還型半導体発光素子。 - （２）上記分布帰還型半導体発光素子は、基板上に径方
向に所定の間隔を有し、かつ中央部に径方向の導波光に
対してｎλ／４近傍（ただし、λ＝導波光波長、ｎ＝整
数）の位相シフトを行う位相シフト領域または等価屈折
率の変化領域を有するリング状回折格子が形成され、前
記リング状回折格子上に低反射率の端部を有する複数の
ストライプ状の活性領域層が夫々中央部で交差するよう
に放射状に形成され、表面中央部に前記各活性領域層の
交差部近傍領域から基板垂直方向に出射される出射光を
取出すための光取出し窓部が形成されていることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の分布帰還型半導体発
光素子。 - （３）活性領域層が、その径方向における共振器長とブ
ラッグ回折による前進波と後進波の結合を表す結合係数
との積が１．５より大きく、かつ各端部での反射率が５
％以下に形成されていることを特徴とする特許請求の範
囲第１項または第２項記載の分布帰還型半導体発光素子
。 - （４）位相シフト領域および等価屈折率の変化領域が径
方向の導波光に対し ｎλ／４±λ／８ の位相シフトをするように形成されていることを特徴と
する特許請求の範囲第１項または第２項記載の分布帰還
型半導体発光素子。 - （５）回折格子が、２次のブラッグ回折をする周期を有
することを特徴とする特許請求の範囲第１項または第２
項記載の分布帰還型半導体発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62262368A JPH01105590A (ja) | 1987-10-16 | 1987-10-16 | 分布帰還型半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62262368A JPH01105590A (ja) | 1987-10-16 | 1987-10-16 | 分布帰還型半導体発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01105590A true JPH01105590A (ja) | 1989-04-24 |
Family
ID=17374771
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62262368A Pending JPH01105590A (ja) | 1987-10-16 | 1987-10-16 | 分布帰還型半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01105590A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03257888A (ja) * | 1990-03-07 | 1991-11-18 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | 面発光半導体レーザ |
| FR2688637A1 (fr) * | 1991-03-13 | 1993-09-17 | France Telecom | Laser de puissance a emission par la surface et procede de fabrication de ce laser. |
| WO2003067724A1 (fr) * | 2002-02-08 | 2003-08-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dispositif semi-conducteur electroluminescent et procede de fabrication de celui-ci |
-
1987
- 1987-10-16 JP JP62262368A patent/JPH01105590A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03257888A (ja) * | 1990-03-07 | 1991-11-18 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | 面発光半導体レーザ |
| FR2688637A1 (fr) * | 1991-03-13 | 1993-09-17 | France Telecom | Laser de puissance a emission par la surface et procede de fabrication de ce laser. |
| US5548610A (en) * | 1991-03-13 | 1996-08-20 | France Telecon | Surface-emitting power laser and process for fabricating this laser |
| WO2003067724A1 (fr) * | 2002-02-08 | 2003-08-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dispositif semi-conducteur electroluminescent et procede de fabrication de celui-ci |
| US7009216B2 (en) | 2002-02-08 | 2006-03-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and method of fabricating the same |
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