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JPH0982678A - Substrate treating system - Google Patents

Substrate treating system

Info

Publication number
JPH0982678A
JPH0982678A JP23498695A JP23498695A JPH0982678A JP H0982678 A JPH0982678 A JP H0982678A JP 23498695 A JP23498695 A JP 23498695A JP 23498695 A JP23498695 A JP 23498695A JP H0982678 A JPH0982678 A JP H0982678A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
processing
liquid
tank
opening
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP23498695A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Mitsuaki Yoshitani
光明 芳谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority to JP23498695A priority Critical patent/JPH0982678A/en
Publication of JPH0982678A publication Critical patent/JPH0982678A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Cleaning In General (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a substrate treating system which is lessened in initial cost and capable of transferring a substrate from an upper to a lower treating tank restraining treating liquid attached to the substrate from being completely dried up but keeping the substrate drained enough. SOLUTION: A substrate treating system 1 is equipped with an upper treating tank 2 and a lower treating tank 3 provided adjacent to each other, and a substrate B is consecutively introduced into the treating tanks 2 and 3, wherein upper treating liquid X is fed to the surface of the substrate B through the upper treating tank 2, and lower treating liquid Y is supplied to the substrate B in the lower treating tank 3. Moreover, the device 1 is equipped with a partitioning wall 13 provided between the treating tanks 2 and 3, an opening 13 provided in the partitioning wall 13 for letting the substrate B pass through, and a roller 14 which transfers the substrate B from the upper treating tank 2 to the lower treating tank 3 through the opening 13a keeping it in a horizontal position, wherein an air knife 40 which extends vertical to the direction in which the substrate B is transferred and is provided with an gas nozzle 43 which blows gas against the surface of the substrate B where treating liquid is fed is provided in the opening 13a.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、略水平方向に搬送
される基板に処理液を供給する複数の処理槽が連設され
てなる基板処理装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus in which a plurality of processing baths for supplying a processing liquid to a substrate transported in a substantially horizontal direction are connected in series.

【0002】[0002]

【従来の技術】液晶や半導体等の基板は、複数の処理槽
が連設された処理槽内に、コンベヤベルトやローラ等の
搬送手段によって略水平姿勢で順番に搬送され、各処理
槽内で各種の処理液が供給されることによって所定の処
理が施される。上記処理液は、例えば、現像液、洗浄
液、エッチング液、剥離液、純水など性状の異なる液が
用いられ、各処理槽では異なった処理液が供給される。
上記各処理槽間には基板を通す開口部を備えた仕切壁が
設けられ、上記開口部によって処理槽間の基板の搬送を
可能にしているとともに、仕切壁によって隣接した処理
槽の処理液が混ざり合わないようにしている。
2. Description of the Related Art Substrates such as liquid crystals and semiconductors are sequentially transported in a substantially horizontal posture by a transporting means such as a conveyor belt or rollers into a processing bath in which a plurality of processing baths are arranged in series. Predetermined processing is performed by supplying various processing liquids. As the processing liquid, for example, a developing liquid, a cleaning liquid, an etching liquid, a stripping liquid, pure water, or the like having different properties is used, and different processing liquids are supplied to the respective processing tanks.
A partition wall having an opening through which a substrate is passed is provided between the processing tanks, and the opening allows the substrates to be transferred between the processing tanks. I try not to mix them.

【0003】しかしながら、上手側処理槽において処理
液を供給された基板が開口部を通って下手側処理槽に搬
送されると、下手側処理槽に移行した基板には上手側の
処理液が付着しているため、下手側処理槽において基板
上で上手側の処理液と下手側の処理液とが相互に混ざり
合い、下手側の処理液の性状が変化して基板が処理不良
になるという不都合が生じる。
However, when the substrate to which the processing liquid is supplied in the upper processing tank is conveyed to the lower processing tank through the opening, the upper processing liquid adheres to the substrate transferred to the lower processing tank. Therefore, in the lower side processing tank, the upper side processing liquid and the lower side processing liquid are mixed with each other on the substrate, and the property of the lower side processing liquid is changed, resulting in defective processing of the substrate. Occurs.

【0004】このような不都合を回避する方策の採用さ
れた基板処理装置として、上手側処理槽の出口部分に基
板の表裏面に対向したエアーナイフを設けるとともに、
下手側処理槽の入口部分にも同様のエアーナイフを設
け、これらエアーナイフからの基板表裏面への気体の吐
出によって上手側の処理液が下手側処理槽に移行しない
ようにした液切り装置や、上手側および下手側の処理槽
の出口部分および入口部分に基板の表裏を横断するよう
に液切りローラを設け、この液切りローラによる液切り
によって上手側および下手側の処理液が混ざり合わない
ようにした液切り装置が知られている。さらにこれら以
外に、各処理槽での処理液供給が完了した時点で基板の
搬送を一旦停止し、基板を傾斜させて液切りを行うよう
にしたものが知られている。
As a substrate processing apparatus adopting a measure for avoiding such inconvenience, an air knife facing the front and back surfaces of the substrate is provided at the exit of the upper processing tank,
A similar air knife was also installed at the inlet of the lower processing tank, and a liquid draining device that prevented the processing liquid on the upper side from moving to the lower processing tank due to the discharge of gas from these air knives to the front and back surfaces of the substrate. , Liquid draining rollers are installed at the outlet and inlet of the processing tanks on the upper and lower sides so as to cross the front and back of the substrate, and the processing liquids on the upper and lower sides are not mixed by this liquid draining roller. Such a drainer is known. In addition to these, there is known one in which the transfer of the substrate is temporarily stopped when the supply of the processing liquid in each processing tank is completed, and the substrate is tilted to perform the liquid draining.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記上手側
処理槽および下手側処理槽の双方の内部にエアーナイフ
が設けられているものは、エアーナイフ間の距離が大き
くなり、かつ気体の供給量が過剰になり易く、基板が乾
燥して表裏に斑点状あるいは帯状のムラが生じる可能性
があり、このムラに付着したパーティクルが乾燥によっ
て基板の表面に固着し、除去が困難な状態になるという
問題点を有していた。そこで、基板を半乾き状態にすれ
ばよいが、この調節は非常に困難であった。また、上手
側および下手側の双方にエアーナイフが設けられている
ため、設備コストが嵩むという問題点を有していた。
By the way, in the case where the air knives are provided inside both the above-mentioned upper processing tank and the lower processing tank, the distance between the air knives becomes large and the gas supply amount is large. Is likely to become excessive, and the substrate may dry to cause spot-like or band-like unevenness on the front and back surfaces, and particles adhering to this unevenness adhere to the surface of the substrate due to drying, making removal difficult. I had a problem. Therefore, the substrate may be made semi-dry, but this adjustment is very difficult. Further, since the air knives are provided on both the upper side and the lower side, there is a problem that the equipment cost increases.

【0006】また、上記液切りローラを設けるものにあ
っては、液切りローラ間の隙間調整が難しく、基板とロ
ーラとの間隔が狭すぎると、ローラに付着した空気中の
浮遊物が基板表面に転写され、逆に基板とローラとの間
隔が広すぎると、基板の液切りが不十分になるという問
題点を有していた。
Further, in the case where the liquid draining roller is provided, it is difficult to adjust the gap between the liquid draining rollers, and if the distance between the substrate and the roller is too small, the suspended matter in the air adhering to the roller will be the surface of the substrate. However, if the distance between the substrate and the roller is too wide, the liquid draining of the substrate becomes insufficient.

【0007】また、上記基板を傾斜させて液切りを行う
ようにしたものにあっては、処理槽内の搬送経路中に基
板を傾斜させるための機構が必要になり、装置が複雑に
なって設備コストが嵩むとともに、基板の傾斜と元の水
平姿勢への復元とに時間を要し、基板の処理効率が低下
するという問題点を有していた。
Further, in the case where the substrate is tilted to perform the liquid draining, a mechanism for tilting the substrate is required in the transfer path in the processing tank, and the apparatus becomes complicated. In addition to the increase in equipment cost, it takes time to tilt the substrate and restore it to its original horizontal position, which causes a problem that the processing efficiency of the substrate decreases.

【0008】本発明は、上記のような問題点を解決する
ためになされたものであり、簡易な構成でもって上手側
処理槽から下手側処理槽への基板の移行時に、処理液が
完全に乾燥してしまわない状態で必要かつ充分に液切り
を行うことが可能な基板処理装置を提供することを目的
としている。
The present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems, and the treatment liquid is completely removed when the substrate is transferred from the upper processing tank to the lower processing tank with a simple structure. It is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus capable of performing necessary and sufficient drainage without drying.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明は、
基板を搬送する搬送手段と、この搬送手段による基板の
搬送方向に沿って配設され、搬送される基板を通過させ
る開口部を有する仕切壁で仕切られた状態で互いに形成
され、搬送中の基板に対してそれぞれ異なる処理液を供
給する上手側処理槽および下手側処理槽と、供給された
処理液を液切りすべく基板に気体を吹き付ける気体供給
手段とを備えた基板処理装置において、上記気体供給手
段は、上記仕切壁に沿って少なくとも基板を横断する寸
法を有して配設され、その先端が上記開口部に臨み、か
つ通過基板の表面に略直交する方向から気体を吹き付け
る気体吹出し口を有していることを特徴とするものであ
る。
According to the first aspect of the present invention,
A substrate which is formed while being conveyed by a conveying means for conveying the substrate and a partition wall which is arranged along the conveying direction of the substrate by the conveying means and has a partition wall having an opening for passing the conveyed substrate In the substrate processing apparatus, which is provided with a superior processing bath and an inferior processing bath that respectively supply different processing liquids to each other, and a gas supply unit that blows gas onto the substrate to drain the supplied processing liquid, The supply means is arranged along the partition wall so as to have a dimension that at least traverses the substrate, and has a tip facing the opening and blowing gas from a direction substantially orthogonal to the surface of the passing substrate. It is characterized by having.

【0010】この発明によれば、搬送手段によって水平
姿勢で上手側処理槽に導入された基板には処理液が供給
され、この処理液によって所定の処理が施されたのち、
仕切壁に設けられた開口部を通って下手側処理槽に送り
込まれ、ここで上記処理液とは異なった種類の処理液が
供給され、この処理液で所定の処理が施される。そし
て、基板が開口部を通過するに際し、基板の処理液被供
給面に気体吹出し口からの気体が吹き付けられるため、
この気体の吹き付けによって基板の処理液被供給面に存
在する処理液が吹き飛ばされ、これによって上手側処理
槽の処理液と、下手側処理槽の処理液とが相互に混ざり
合わない境界域が形成される。この境界域の存在によっ
て、上手側処理槽から下手側処理槽に送り込まれる基板
に同伴して上手側処理槽の処理液が下手側処理槽内に混
入されることはなく、両処理液の混合による基板処理に
対する悪影響が回避される。
According to the present invention, the processing liquid is supplied to the substrate introduced into the upper processing tank in the horizontal posture by the transfer means, and the predetermined processing is performed by the processing liquid.
It is sent into the lower processing tank through an opening provided in the partition wall, where a processing liquid of a type different from the above processing liquid is supplied, and a predetermined processing is performed with this processing liquid. Then, when the substrate passes through the opening, the gas from the gas outlet is blown to the processing liquid supply surface of the substrate,
The blowing of this gas blows off the processing liquid present on the surface to which the processing liquid is supplied to the substrate, thereby forming a boundary area where the processing liquid in the upper processing tank and the processing liquid in the lower processing tank do not mix with each other. To be done. Due to the existence of this boundary area, the processing liquid in the upper processing tank is not mixed with the substrate fed from the upper processing tank to the lower processing tank and mixed in the lower processing tank. The adverse effect on the substrate processing due to is avoided.

【0011】また、上記気体吹出し口は、仕切壁に形成
された開口部に臨むように設けられているため、従来の
ように上手側処理槽および下手側処理槽に専用のエアー
ナイフ部材を設けこれらの気体吹出し口から上手側処理
槽側と下手側処理槽側とにそれぞれ別個に気体を吐出す
るものに比較して、基板の表面に形成される帯状の境界
域の幅寸法を狭くすることが可能であり、これによって
境界域での基板表面の完全な乾燥を抑制することがで
き、基板の表面が完全に乾燥することによるムラの発生
が確実に抑制されるとともに、完全な乾燥による浮遊ミ
ストの基板表面への固着が確実に抑制される。
Since the gas outlet is provided so as to face the opening formed in the partition wall, a dedicated air knife member is provided in the upper processing tank and the lower processing tank as in the conventional case. Narrow the width of the band-shaped boundary area formed on the surface of the substrate, as compared with the case where gas is separately discharged from the gas outlet to the upper processing tank side and the lower processing tank side. This makes it possible to suppress the complete drying of the substrate surface in the boundary area, to reliably suppress the occurrence of unevenness due to the complete drying of the substrate surface, and to prevent the floating due to complete drying. Adhesion of the mist to the substrate surface is surely suppressed.

【0012】請求項2記載の発明は、請求項1記載の基
板処理装置において、上記下手側処理槽は、上記開口部
の直ぐ下流位置で処理液が供給されるように構成されて
いることを特徴とするものである。
According to a second aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to the first aspect, the lower processing bath is configured so that the processing liquid is supplied immediately downstream of the opening. It is a feature.

【0013】この発明によれば、開口部を通過した直後
から下手側処理槽側の処理液が供給されても、気体吹出
し口からの気流によって上手側の処理液と下手側の処理
液とが混ざり合うことがないため、その分下手側処理槽
の搬送方向の長さ寸法を最小限に設定し得るようにな
る。
According to the present invention, even if the processing liquid on the lower processing tank side is supplied immediately after passing through the opening, the upper processing liquid and the lower processing liquid are separated by the air flow from the gas outlet. Since they do not mix, the length of the lower processing tank in the transport direction can be set to the minimum.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】図1は、本発明に係る基板処理装
置1の一実施形態を示す説明図である。基板処理装置1
は、複数の処理槽11が相互に隣接するように並設され
て形成されている。各処理槽11は、上部に基板Bを処
理する直方体形状の基板処理室12を有している。各基
板処理室12は仕切壁13を挟んで互いに形成され、こ
の仕切壁13には基板Bを通過させる開口部13aが形
成されている。基板Bは、これらの開口部13aを通っ
て図1の左方の処理槽11から右方の処理槽11に向か
って順次搬送されるようになっている。基板処理室12
の下部にはすり鉢形状の漏斗部12aが設けられ、これ
によって基板Bに供給された処理液が集液されるように
している。
1 is an explanatory view showing an embodiment of a substrate processing apparatus 1 according to the present invention. Substrate processing apparatus 1
Is formed by arranging a plurality of processing tanks 11 in parallel so as to be adjacent to each other. Each processing tank 11 has a rectangular parallelepiped substrate processing chamber 12 for processing the substrate B at the top. The substrate processing chambers 12 are formed so as to sandwich a partition wall 13, and the partition wall 13 has an opening 13a through which the substrate B passes. The substrate B is sequentially transported from the processing tank 11 on the left side in FIG. 1 toward the processing tank 11 on the right side in FIG. 1 through these openings 13a. Substrate processing chamber 12
A funnel portion 12a having a mortar shape is provided in the lower portion of the substrate so that the processing liquid supplied to the substrate B is collected.

【0015】各処理槽11内には、基板Bの搬送方向に
直交した軸心を有するローラ(搬送手段)14が設けら
れている。これらローラ14は、基板処理室12内で上
記開口部13aとほぼ同一の高さ位置に設定されて並設
されている。基板Bは、上記ローラ14上に載置された
状態でローラ14の駆動回転により開口部13aを通っ
て上手側の処理槽11から下手側の処理槽11に移動す
るようになっている。以下、図1においては、中央部分
の左側の処理槽11を上手側処理槽2、右側の処理槽1
1を下手側処理槽3と呼ぶ。
Inside each processing tank 11, there is provided a roller (conveying means) 14 having an axis perpendicular to the conveying direction of the substrate B. These rollers 14 are set in the substrate processing chamber 12 at substantially the same height as the opening 13a and arranged side by side. The substrate B, which is placed on the roller 14, is configured to move from the upper processing tank 11 to the lower processing tank 11 through the opening 13a by the driving rotation of the roller 14. In the following, in FIG. 1, the processing tank 11 on the left side of the central portion is a processing tank 2 on the upper side and the processing tank 1 on the right side
1 is called the lower processing tank 3.

【0016】上記上手側処理槽2は、基板処理室12内
のローラ14列の上方に配設された散液管21を有して
おり、この散液管21からローラ14上の基板Bの表面
に向けて上手側処理液Xが供給されるようにしている。
この上手側処理液Xの供給によって基板Bの表面に所定
の処理が施されるようになっている。基板Bの処理に使
用された上手側処理液Xは、基板Bの縁部から落下し、
漏斗部12aを介してその下部に設けられた液留タンク
22に回収されるようになっている。
The above-mentioned upper processing tank 2 has a sprinkling pipe 21 arranged above the row of rollers 14 in the substrate processing chamber 12, and from this sprinkling pipe 21 to the substrate B on the roller 14. The good processing liquid X is supplied toward the surface.
The surface of the substrate B is subjected to a predetermined process by the supply of the good side processing liquid X. The good-side processing liquid X used for processing the substrate B drops from the edge of the substrate B,
It is adapted to be collected in the liquid distilling tank 22 provided below the funnel portion 12a.

【0017】この液留タンク22と上記散液管21との
間には、液留タンク22内の上手側処理液Xを散液管2
1に供給する上手側処理液供給管路23が配設されてお
り、この上手側処理液供給管路23には、上流側から処
理液供給ポンプ23aおよびフィルタ23bが設けら
れ、上記処理液供給ポンプ23aの駆動によって液留タ
ンク22内の上手側処理液Xが循環使用されるようにな
っている。
Between the liquid distilling tank 22 and the sprinkling pipe 21, the upper side processing liquid X in the liquid distilling tank 22 is sprinkled in the liquid sprinkling pipe 2.
1 is provided with a processing liquid supply pipeline 23 for supplying the processing liquid, and the processing liquid supply pipe 23 for supplying the processing liquid is provided with a processing liquid supply pump 23a and a filter 23b from the upstream side. The upper processing liquid X in the liquid distilling tank 22 is circulated and used by driving the pump 23a.

【0018】上記下手側処理槽3は、基板処理室12内
のローラ14列の上方に配設された1本の散液管31を
有している。この散液管31は、下手側処理槽3内の最
上流側で仕切壁13に近接して設けられ、この散液管3
1からローラ14上の基板Bの表面に向けて下手側処理
液Yが供給されるようにしている。この下手側処理液Y
の供給によって基板Bの表面に所定の処理が施されるよ
うになっている。そして、基板Bの処理に使用された下
手側処理液Yは、基板Bの縁部から落下し、漏斗部12
aを介してその下部に設けられた液留タンク32に回収
されるようになっている。
The lower processing bath 3 has one sprinkling pipe 31 arranged above the row of rollers 14 in the substrate processing chamber 12. The sprinkling pipe 31 is provided on the uppermost stream side in the lower processing tank 3 and close to the partition wall 13.
The lower processing liquid Y is supplied from 1 toward the surface of the substrate B on the roller 14. This lower processing liquid Y
Is supplied, the surface of the substrate B is subjected to a predetermined treatment. Then, the lower processing liquid Y used for processing the substrate B drops from the edge portion of the substrate B, and the funnel portion 12
It is adapted to be collected via a through a liquid distilling tank 32 provided therebelow.

【0019】この液留タンク32と上記散液管31との
間には、液留タンク32内の下手側処理液Yを散液管3
1に供給する下手側処理液供給管路33が配設されてお
り、この下手側処理液供給管路33には、上流側から処
理液供給ポンプ33aおよびフィルタ33bが設けら
れ、上記処理液供給ポンプ33aの駆動によって液留タ
ンク32内の下手側処理液Yが循環使用されるようにな
っている。
Between the liquid distilling tank 32 and the sprinkling pipe 31, the lower side processing liquid Y in the liquid distilling tank 32 is sprinkled on the sprinkling pipe 3.
1 is provided with a lower processing liquid supply pipeline 33, and the lower processing liquid supply pipeline 33 is provided with a processing liquid supply pump 33a and a filter 33b from the upstream side. By driving the pump 33a, the lower processing liquid Y in the liquid distilling tank 32 is circulated and used.

【0020】上記各処理槽2,3の近傍には、開口部1
3aを通過する基板Bの表面に気体を吹き付けるための
気体供給手段4が設けられている。この気体供給手段4
は、上記開口部13aの上縁の仕切壁13に取り付けら
れたエアーナイフ部40と、このエアーナイフ部40に
気体供給管路45を通して気体を供給する気体源44と
を有している。
An opening 1 is provided near each of the processing tanks 2 and 3.
Gas supply means 4 for spraying gas onto the surface of the substrate B passing through 3a is provided. This gas supply means 4
Has an air knife part 40 attached to the partition wall 13 at the upper edge of the opening 13a, and a gas source 44 for supplying gas to the air knife part 40 through a gas supply conduit 45.

【0021】図2は、仕切壁13の開口部13aに設け
られたエアーナイフ部40の一実施形態を示す一部切欠
き斜視図である。この図に示すように、このエアーナイ
フ部40は、エアーナイフ本体41と、このエアーナイ
フ本体41内に穿孔されたエアー通路42と、このエア
ー通路42に連通した気体吹出し口43とを具備してい
る。
FIG. 2 is a partially cutaway perspective view showing an embodiment of the air knife portion 40 provided in the opening 13a of the partition wall 13. As shown in FIG. As shown in this figure, the air knife portion 40 includes an air knife body 41, an air passage 42 bored in the air knife body 41, and a gas outlet 43 communicating with the air passage 42. ing.

【0022】上記エアーナイフ本体41は、長さ寸法が
少なくとも搬送中の基板Bを横断するように設定された
所定厚みの直方体状の金属ブロックによって形成されて
いる。一方、上記開口部13aの上部に形成された仕切
壁13の下端縁部に下方が開放した二股状のブラケット
13bが設けられている。そして、エアーナイフ部40
は、エアーナイフ本体41の上部が、上記ブラケット1
3bに挟持され、ボルト止めされた状態で仕切壁13に
固定されている。
The air knife main body 41 is formed of a rectangular parallelepiped metal block having a predetermined thickness so as to cross at least the substrate B being conveyed. On the other hand, a bifurcated bracket 13b whose bottom is opened is provided at the lower end edge of the partition wall 13 formed above the opening 13a. And the air knife part 40
Is the bracket 1 above the air knife body 41.
It is clamped by 3b and fixed to the partition wall 13 in a bolted state.

【0023】上記エアー通路42は、エアーナイフ本体
41の縦方向中央部が長手方向の略全長に亘って穿孔さ
れて形成されている。このエアー通路42の下部に長手
方向の全長に亘った割れ目が形成され、この割れ目の下
端部が上記気体吹出し口43になっている。
The air passage 42 is formed by perforating the central portion of the air knife body 41 in the longitudinal direction over substantially the entire length in the longitudinal direction. A crack extending over the entire length in the longitudinal direction is formed in the lower portion of the air passage 42, and the lower end portion of the crack serves as the gas outlet 43.

【0024】そして、エアーナイフ部40がブラケット
13bに固定された状態で、上記気体吹出し口43とそ
の下部を通過する基板Bとの間に若干の隙間が形成され
るようにエアーナイフ本体41の取付位置が設定されて
おり、これによってエアーナイフ部40と、基板Bとが
相互に干渉し合わない状態になっている。
Then, with the air knife portion 40 fixed to the bracket 13b, a slight gap is formed between the air outlet 43 and the substrate B passing thereunder so that a slight gap is formed in the air knife body 41. The mounting position is set so that the air knife portion 40 and the substrate B do not interfere with each other.

【0025】一方、上記基板処理装置1の近傍にはエア
ーナイフ部40に気体を供給する気体源44が配設され
ており、この気体源44からの高圧気体が気体供給管路
45を通ってエアーナイフ本体41のエアー通路42に
供給されるようにしている。本実施形態では、気体源4
4は高圧窒素ボンベが適用され、気体吹出し口43から
は窒素ガスが供給されるようになっている。
On the other hand, a gas source 44 for supplying gas to the air knife section 40 is arranged near the substrate processing apparatus 1, and high-pressure gas from this gas source 44 passes through the gas supply line 45. The air is supplied to the air passage 42 of the air knife body 41. In this embodiment, the gas source 4
A high-pressure nitrogen cylinder 4 is applied, and nitrogen gas is supplied from the gas outlet 43.

【0026】上記散液管31は、エアーナイフ部40の
若干下流側の下手側処理槽3内にエアーナイフ部40に
平行に設けられている。この散液管31の底部には、複
数の散液ノズル31aが等ピッチで並設され、液留タン
ク32から下手側処理液供給管路33を通して供給され
た下手側処理液Yがこれら複数の散液ノズル31aから
基板B表面に供給されるようになっている。
The sprinkling pipe 31 is provided parallel to the air knife portion 40 in the lower processing tank 3 slightly downstream of the air knife portion 40. A plurality of sprinkling nozzles 31a are arranged in parallel at the bottom of the sprinkling pipe 31 at equal pitches, and the lower processing liquid Y supplied from the liquid distilling tank 32 through the lower processing liquid supply pipe line 33 is supplied to the lower processing liquid Y. It is adapted to be supplied to the surface of the substrate B from the spray nozzle 31a.

【0027】従って、ローラ14の駆動回転によって上
手側処理槽2から下手側処理槽3に搬送される基板B
は、仕切壁13の開口部13aを通過するに際し、その
上面部がエアーナイフ部40の気体吹出し口43からの
気体の噴射を受け、これによって基板Bの表面には気体
吹出し口43を境にした上流側および下流側に向かう帯
状の気流が形成される。そして、基板Bの表面に形成さ
れた上手側処理液層X1は、上記上流側に向かう気流に
よって基板Bの表面を上流側に押し遣られた状態になる
ため、開口部13aを通過する基板Bの表面には上手側
処理液層X1が取り除かれた状態になっている。
Therefore, the substrate B conveyed from the upper processing bath 2 to the lower processing bath 3 by the driving rotation of the rollers 14.
When passing through the opening 13a of the partition wall 13, the upper surface of the partition wall 13 receives the gas jet from the gas blow-out port 43 of the air knife unit 40, whereby the surface of the substrate B is bordered by the gas blow-out port 43. A band-shaped airflow is formed toward the upstream side and the downstream side. Then, the upper-side processing liquid layer X1 formed on the surface of the substrate B is pushed to the upstream side of the surface of the substrate B by the airflow toward the upstream side, and thus the substrate B passing through the opening 13a. The upper side processing liquid layer X1 is removed from the surface of the.

【0028】また、散液ノズル31aから基板Bの表面
に供給された下手側処理液Yによる下手側処理液層Y1
は、上記気体吹出し口43からの下流側に向かう気流に
よって押圧され、下手側処理液層Y1が上流側に向かう
ことが阻止される。従って、基板B上において上手側処
理液Xと下手側処理液Yとが相互に混合し合うことはな
い。
Further, the lower processing liquid layer Y1 is formed by the lower processing liquid Y supplied from the spray nozzle 31a to the surface of the substrate B.
Is pressed by the air flow from the gas outlet 43 toward the downstream side, and the lower processing liquid layer Y1 is prevented from moving toward the upstream side. Therefore, the upper processing liquid X and the lower processing liquid Y do not mix with each other on the substrate B.

【0029】図3は、本発明の作用を説明するために図
1の要部を拡大した部分拡大説明図であり、(イ)は、
基板Bが開口部13aに到達する直前の状態、(ロ)
は、基板Bの下流端(右方)が開口部13aに到達した
状態、(ハ)は、基板Bが開口部13aを通過しつつあ
る状態、(ニ)は、基板Bが開口部13aを通過し、そ
の上流端が散液ノズル31aの下流側に搬送された状態
をそれぞれ示している。
FIG. 3 is a partially enlarged explanatory view in which an essential part of FIG. 1 is enlarged in order to explain the operation of the present invention.
The state immediately before the substrate B reaches the opening 13a, (b)
Is a state in which the downstream end (right side) of the substrate B reaches the opening 13a, (c) is a state in which the substrate B is passing through the opening 13a, and (d) is a state in which the substrate B is opening in the opening 13a. It shows a state in which the liquid has passed and the upstream end thereof has been conveyed to the downstream side of the liquid spray nozzle 31a.

【0030】まず図3の(イ)に示すように、上手側処
理槽2にある基板Bが仕切壁13の開口部13aに到達
する直前においては、上手側処理槽2の散液管21から
の上手側処理液Xの供給によって基板Bの表面全面には
上手側処理液層X1が形成された状態になっている。ま
た、下手側処理槽3の散液管31から供給された下手側
処理液Yは、下部に基板Bがないためそのまま下手側処
理槽3の漏斗部12aに流下した状態になっている。さ
らに、エアーナイフ部40から供給された気体は、矢印
で示すように開口部13aの下部の仕切壁13縁部に向
けて吹き出され、ここで上手側処理槽2と下手側処理槽
3とに分流している。
First, as shown in FIG. 3A, immediately before the substrate B in the upper processing tank 2 reaches the opening 13a of the partition wall 13, the liquid is supplied from the sprinkling pipe 21 of the upper processing tank 2. By supplying the upper-side processing liquid X, the upper-side processing liquid layer X1 is formed on the entire surface of the substrate B. Further, since the lower processing liquid Y supplied from the sprinkling pipe 31 of the lower processing tank 3 does not have the substrate B in the lower portion, it is in a state of flowing down to the funnel portion 12a of the lower processing tank 3 as it is. Further, the gas supplied from the air knife section 40 is blown out toward the edge of the partition wall 13 below the opening 13a as shown by the arrow, and here the upper side processing tank 2 and the lower side processing tank 3 are discharged. It is split.

【0031】つぎに、図3の(ロ)に示す状態では、基
板Bの下流側の端部が開口部13aに到達し、一部が開
口部13aを通り越した状態になっている。この状態で
は、エアーナイフ部40から供給された気体は基板Bの
表面に衝突し、これによって左右に分流するとともに、
上手側に向かった気流は基板Bの表面に形成されている
上手側処理液層X1を上流側(左方)に押し遣るととも
に、下流側に分流した気流は基板Bの端部から外方に逃
れるため、基板Bの表面端部は上手側処理液層X1が取
り除かれた状態になる。
Next, in the state shown in FIG. 3B, the downstream end of the substrate B reaches the opening 13a, and a part of it passes over the opening 13a. In this state, the gas supplied from the air knife portion 40 collides with the surface of the substrate B, and thereby splits into the left and right,
The airflow directed to the upper side pushes the upper processing liquid layer X1 formed on the surface of the substrate B to the upstream side (left side), and the airflow branched to the downstream side flows outward from the end portion of the substrate B. Since it escapes, the upper surface side processing liquid layer X1 is removed from the surface end portion of the substrate B.

【0032】つぎに、図3の(ハ)に示す状態では、基
板Bはその下流側が下手側処理槽3に相当長さ進入し、
下手側処理槽3の散液管31からの下手側処理液Yが基
板Bの表面に供給される状態になっている。この状態で
は、エアーナイフ部40から噴出した気体は、基板Bの
表面で左右に分流され、上流側に別れた気流によって上
手側処理液層X1の下流側への進行が阻まれるととも
に、下手側処理液Yの上流側への進入が阻止された状態
になっているため、エアーナイフ部40の直下には上手
側処理液Xと下手側処理液Yとが相互に混ざり合わない
帯状の境界域Aが形成された状態になっており、この状
態で基板Bの散液管31より下流側に下手側処理液層Y
1が順次形成されていく。
Next, in the state shown in FIG. 3C, the downstream side of the substrate B enters the lower processing tank 3 by a considerable length,
The lower processing liquid Y is supplied to the surface of the substrate B from the sprinkling pipe 31 of the lower processing tank 3. In this state, the gas ejected from the air knife portion 40 is divided into left and right on the surface of the substrate B, and the air stream separated on the upstream side prevents the upper processing liquid layer X1 from proceeding to the downstream side and the lower side. Since the processing liquid Y is prevented from entering the upstream side, a strip-shaped boundary region where the upper processing liquid X and the lower processing liquid Y do not mix with each other immediately below the air knife portion 40. A is formed, and in this state, the lower side processing liquid layer Y is provided on the downstream side of the sprinkling pipe 31 of the substrate B.
1 is sequentially formed.

【0033】そして、図3の(ニ)に示す状態では、基
板Bの上流端は下手側処理槽3の散液管31からの下手
側処理液Yの吐出位置を通過し、これによって基板Bの
表面全面に下手側処理液層Y1が形成された状態になっ
ている。
Then, in the state shown in FIG. 3D, the upstream end of the substrate B passes through the discharge position of the lower processing liquid Y from the sprinkling pipe 31 of the lower processing bath 3, whereby the substrate B is discharged. The lower processing liquid layer Y1 is formed on the entire surface of the.

【0034】本実施形態の基板処理装置1は、以上詳述
したように、上手側処理槽2と下手側処理槽3とを仕切
る仕切壁13に穿設された開口部13aの上縁部にエア
ーナイフ部40が設けられ、このエアーナイフ部40の
気体吹出し口43(図2)から、搬送されてきた基板B
を横断するように帯状の気流を噴出するようにしたもの
であるため、基板Bが開口部13aを通過するに際し、
上記エアーナイフ部40からの気流が基板B表面で上流
側と下流側とに分流し、この分流によってエアーナイフ
部40の直下の基板B上には上手側処理液Xと下手側処
理液Yとが相互に混ざり合わない境界域Aが形成され
る。
As described in detail above, the substrate processing apparatus 1 of the present embodiment has the upper edge portion of the opening 13a formed in the partition wall 13 that separates the upper processing tank 2 and the lower processing tank 3 from each other. The air knife section 40 is provided, and the substrate B transferred from the gas outlet 43 (FIG. 2) of the air knife section 40.
Since a strip-shaped air flow is jetted so as to traverse the substrate, when the substrate B passes through the opening 13a,
The airflow from the air knife section 40 is divided into an upstream side and a downstream side on the surface of the substrate B, and by this branching, the upper processing liquid X and the lower processing liquid Y are placed on the substrate B immediately below the air knife portion 40. A boundary region A is formed in which the two do not mix with each other.

【0035】従って、仕切壁13の開口部13aを通過
するに際し、基板Bの表面で上手側処理液Xと下手側処
理液Yとが相互に混ざり合うことが確実に防止されるた
め、基板Bの表面で上手側処理液Xと下手側処理液Yと
が混合することによる悪影響が確実に防止され、下手側
処理液Yによる基板Bの処理を適正に行う上で有効であ
る。
Therefore, when passing through the opening 13a of the partition wall 13, it is surely prevented that the upper processing liquid X and the lower processing liquid Y are mixed with each other on the surface of the substrate B. The adverse effect due to the mixing of the upper-side processing liquid X and the lower-side processing liquid Y on the surface of is surely prevented, which is effective in properly performing the processing of the substrate B by the lower-side processing liquid Y.

【0036】そして、本発明においては、上手側処理槽
2と下手側処理槽3との境界部分である仕切壁13の開
口部13aにエアーナイフ部40が設けられているた
め、従来のように上手側処理槽2および下手側処理槽3
に専用のエアーナイフを設けた場合に比較して、基板B
の表面に形成される帯状の境界域Aの幅寸法を狭くする
ことが可能であり、これによって境界域Aでの基板B表
面の完全な乾燥を抑制することができるようになる。従
って、基板Bの表面が完全に乾燥することによるムラの
発生が確実に抑制されるとともに、完全な乾燥による浮
遊ミストの基板B表面への固着が確実に抑制される。
In the present invention, since the air knife portion 40 is provided in the opening 13a of the partition wall 13 which is the boundary between the upper processing tank 2 and the lower processing tank 3, as in the conventional case. Upper processing tank 2 and lower processing tank 3
Compared to the case where a dedicated air knife is installed in the
It is possible to narrow the width dimension of the band-shaped boundary region A formed on the surface of the substrate B, whereby the complete drying of the surface of the substrate B in the boundary region A can be suppressed. Therefore, the occurrence of unevenness due to the complete drying of the surface of the substrate B is reliably suppressed, and the adhesion of the floating mist to the surface of the substrate B due to the complete drying is reliably suppressed.

【0037】本発明は、上記の実施形態のほか以下の実
施形態を採用し得るものである。
The present invention can employ the following embodiments in addition to the above embodiments.

【0038】(1)上記実施形態では、エアーナイフ部
40は、仕切壁13に穿設された開口部13aの上縁部
にのみ設けられているが、開口部13aの下縁部にも設
けるようにし、下縁部に設けたエアーナイフによって基
板Bの裏面にも気体を噴射するようにしてもよい。こう
することによって、基板Bの裏面に上手側処理液Xが付
着していても、下手側処理液Yへの上手側処理液Xの混
入が確実に抑制される。
(1) In the above embodiment, the air knife portion 40 is provided only on the upper edge portion of the opening 13a formed in the partition wall 13, but is also provided on the lower edge portion of the opening 13a. In this way, the gas may be jetted also to the back surface of the substrate B by the air knife provided at the lower edge portion. By doing so, even if the upper processing liquid X is attached to the back surface of the substrate B, the mixing of the upper processing liquid X into the lower processing liquid Y is reliably suppressed.

【0039】(2)上記実施形態では、エアーナイフ部
40から吹き出される気体に窒素が適用されているが、
本発明は、エアーナイフ部40から噴出される気体が窒
素であることに限定されるものではなく、基板Bを処理
する処理液の種類によっては空気を用いてもよいし、ア
ルゴン等の不活性ガスを用いてもよい。また、場合によ
っては水素等の還元性ガスを用いてもよい。
(2) In the above embodiment, nitrogen is applied to the gas blown from the air knife section 40.
The present invention is not limited to the case where the gas ejected from the air knife section 40 is nitrogen, and air may be used depending on the type of the processing liquid for processing the substrate B, or an inert gas such as argon. Gas may be used. Further, a reducing gas such as hydrogen may be used depending on the case.

【0040】(3)上記実施形態では、エアーナイフ部
40の気体吹出し口43は、基板Bの搬送方向に直交し
た方向(長手方向)に延びるスリット状の開口によって
形成されているが、気体吹出し口43をスリット状にす
る代わりに、スポット状に形成した気体吹出し口を長手
方向に多数並設し、各スポット状の気体吹出し口の基板
Bでの吐出域が相互に重複するように各気体吹出し口間
の間隔設定を行うようにしてもよい。
(3) In the above embodiment, the gas outlet 43 of the air knife portion 40 is formed by a slit-shaped opening extending in the direction (longitudinal direction) orthogonal to the transfer direction of the substrate B. Instead of forming the openings 43 into slits, a large number of gas outlets formed in spots are arranged side by side in the longitudinal direction, and the respective gas outlets of the spots are arranged so that the discharge areas on the substrate B overlap with each other. The interval between the outlets may be set.

【0041】(4)上記実施形態では、基板Bを搬送す
る搬送手段として駆動回転するローラ14が用いられて
いるが、本発明は、搬送手段がローラ14に限定される
ものではなく、コンベヤベルトを用いてもよい。この場
合、エアーナイフ40は、基板の上流側のみに設けられ
る。
(4) In the above embodiment, the roller 14 that is driven and rotated is used as the transporting means for transporting the substrate B, but the transporting means is not limited to the roller 14 in the present invention, and a conveyor belt is used. May be used. In this case, the air knife 40 is provided only on the upstream side of the substrate.

【0042】(5)上記実施形態では、基板Bに供給さ
れる処理液X,Yは、循環使用されるようにしている
が、本発明は、処理液X,Yが循環使用されることに限
定されるものではなく、基板Bに供給されたのち系外に
排出するようにしてもよい。
(5) In the above embodiment, the processing liquids X and Y supplied to the substrate B are circulated and used, but in the present invention, the processing liquids X and Y are circulated and used. It is not limited to this, and it may be discharged to the outside of the system after being supplied to the substrate B.

【0043】(6)上記実施形態では、エアーナイフ部
40は、仕切壁13の開口部13a上縁部から垂下さ
れ、これによって気体吹出し口43からの気流を基板B
の表面に直角に吹き付けるようにしているが、こうする
代わりに、エアーナイフ本体41を上手側処理槽2の方
に若干傾斜させ、これにより気体吹出し口43からの気
流を上手側処理槽2内にある基板Bの方に若干傾斜させ
た状態で吹き出すようにしてもよい。これによって、基
板B表面の上手側処理液層X1の液切りをより確実に行
うことが可能になる。
(6) In the above embodiment, the air knife portion 40 is hung from the upper edge of the opening 13a of the partition wall 13, whereby the air flow from the gas outlet 43 is transferred to the substrate B.
However, instead of doing this, the air knife body 41 is slightly inclined toward the upper treatment tank 2 so that the air flow from the gas outlet 43 is increased in the upper treatment tank 2. Alternatively, the air may be blown out toward the substrate B at a position slightly inclined. This makes it possible to more reliably perform drainage of the upper processing liquid layer X1 on the surface of the substrate B.

【0044】[0044]

【発明の効果】上記請求項1記載の発明は、基板を搬送
する搬送手段と、この搬送手段により仕切壁の開口部を
通って順次搬送された基板に異なった種類の処理液を供
給する上手側処理槽および下手側処理槽と、供給された
処理液を液切りすべく基板に気体を吹き付ける気体供給
手段とを備えた基板処理装置において、上記気体供給手
段は、上記仕切壁に沿って少なくとも基板を横断する寸
法を有して配設され、その先端が上記開口部に臨み、か
つ通過基板の表面に略直交する方向から気体を吹き付け
る気体吹出し口を有してなるものであるため、搬送手段
によって略水平姿勢で上手側処理槽に導入された基板に
は処理液が供給され、この処理液によって所定の処理が
施されたのち、仕切壁に設けられた開口部を通って下手
側処理槽に送り込まれ、ここで上記処理液とは異なった
種類の処理液が供給され、この処理液で所定の処理が施
される。そして、基板が開口部を通過するに際し、基板
の処理液被供給面に気体吹出し口からの気体が吹き付け
られるため、この気体の吹き付けによって基板の処理液
被供給面に存在する処理液が吹き飛ばされ、これによっ
て上手側処理槽の処理液と、下手側処理槽の処理液とが
相互に混ざり合わない境界域が形成される。この境界域
の存在によって、上手側処理槽から下手側処理槽に送り
込まれる基板に同伴して上手側処理槽の処理液が下手側
処理槽内に混入されることはなく、両処理液が互いに混
ざり合うことによる基板処理に対する悪影響を確実に回
避する上で好都合である。
According to the invention described in claim 1, the transfer means for transferring the substrate, and the transfer means are good at supplying different kinds of processing liquids to the substrates sequentially transferred through the opening of the partition wall. In a substrate processing apparatus comprising a side processing tank and a lower processing tank, and a gas supply means for blowing a gas onto a substrate to drain the supplied processing liquid, the gas supply means is at least along the partition wall. Since it is provided with a dimension that traverses the substrate, its tip faces the opening, and has a gas outlet for blowing gas from a direction substantially orthogonal to the surface of the passing substrate, The processing liquid is supplied to the substrate introduced into the upper processing tank in a substantially horizontal posture by the means, and after the predetermined processing is performed by this processing liquid, the lower processing is performed through the opening provided in the partition wall. Send to tank Is, where the type of processing solution that is different from the above-described treatment liquid is supplied, is subjected to predetermined processing in the processing solution. Then, when the substrate passes through the opening, the gas from the gas outlet is blown onto the treatment liquid supply surface of the substrate, so that the treatment liquid present on the treatment liquid supply surface of the substrate is blown off by the blowing of the gas. As a result, a boundary region is formed in which the processing liquid in the upper processing tank and the processing liquid in the lower processing tank do not mix with each other. Due to the existence of this boundary area, the processing liquid in the upper processing tank is not mixed with the substrate sent from the upper processing tank to the lower processing tank and mixed in the lower processing tank. It is convenient for surely avoiding adverse effects on the substrate processing due to the mixture.

【0045】また、上記気体吹出し口は、仕切壁に形成
された開口部に臨むように設けられているため、従来の
ように上手側処理槽および下手側処理槽に専用のエアー
ナイフ部材を設けこれらの気体吹出し口から上手側処理
槽側と下手側処理槽側とにそれぞれ別個に気体を吐出す
るものに比較して、基板の表面に形成される帯状の境界
域の幅寸法を狭くすることが可能であり、これによって
境界域での基板表面の完全な乾燥を抑制することがで
き、基板の表面が完全に乾燥することによるムラの発生
を確実に抑制するとともに、完全な乾燥による浮遊ミス
トの基板表面への固着を確実に防止する上で極めて好都
合である。
Since the gas outlet is provided so as to face the opening formed in the partition wall, a dedicated air knife member is provided in the upper processing tank and the lower processing tank as in the conventional case. Narrow the width of the band-shaped boundary area formed on the surface of the substrate, as compared with the case where gas is separately discharged from the gas outlet to the upper processing tank side and the lower processing tank side. This makes it possible to suppress the complete drying of the substrate surface in the boundary area, reliably suppress the occurrence of unevenness due to the complete drying of the substrate surface, and to prevent the floating mist due to complete drying. It is extremely convenient for surely preventing the adherence of the to the substrate surface.

【0046】上記請求項2記載の発明によれば、下手側
処理槽は、開口部の直ぐ下流位置で処理液が供給される
ように構成されているため、開口部を通過した直後から
下手側処理槽側の処理液が供給されても、気体吹出し口
からの気流によって上手側の処理液と下手側の処理液と
が混ざり合うことがないため、その分下手側処理槽の搬
送方向の長さ寸法を最小限に設定し得るようになり、設
備コストの低減を図る上で有効である。
According to the second aspect of the present invention, since the processing liquid is supplied to the lower processing tank at a position immediately downstream of the opening, the processing liquid is supplied to the lower processing side immediately after passing through the opening. Even if the processing liquid from the processing tank is supplied, the upper processing liquid and the lower processing liquid do not mix with each other due to the air flow from the gas outlet, so the length of the lower processing tank in the transport direction is increased accordingly. The size can be set to the minimum, which is effective in reducing the equipment cost.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明に係る基板処理装置の一実施形態を示す
説明図である。
FIG. 1 is an explanatory diagram showing an embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention.

【図2】仕切壁の開口部に設けられたエアーナイフの一
実施形態を示す一部切欠き斜視図である。
FIG. 2 is a partially cutaway perspective view showing an embodiment of an air knife provided in an opening of a partition wall.

【図3】本発明の作用を説明するために図1の要部を拡
大した部分拡大説明図であり、(イ)は、基板が開口部
に到達する直前の状態、(ロ)は、基板の下流端(右
方)が開口部に到達した状態、(ハ)は、基板が開口部
を通過しつつある状態、(ニ)は、基板が開口部を通過
し、その上流端が散液ノズルの下流側に搬送された状態
をそれぞれ示している。
3A and 3B are partially enlarged explanatory views in which a main portion of FIG. 1 is enlarged to explain the operation of the present invention, in which (A) is a state immediately before the substrate reaches the opening, and (B) is a substrate. The downstream end (right side) of the substrate has reached the opening, (c) the substrate is passing through the opening, and (d) the substrate has passed through the opening and its upstream end is sprinkled. The respective states are shown when they are transported to the downstream side of the nozzle.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板処理装置 11 処理槽 12 基板処理室 13 仕切壁 13a 開口部 13b ブラケット 14 ローラ(搬送手段) 2 上手側処理槽 21 散液管 22 液留タンク 23 上手側処理液供給管路 23a 処理液供給ポンプ 23b フィルタ 3 上手側処理槽 31 散液管 32 液留タンク 33 下手側処理液供給管路 33a 処理液供給ポンプ 33b フィルタ 40 エアーナイフ部 41 エアーナイフ本体 42 エアー通路 43 気体吹出し口 44 気体源 45 気体供給管路 A 境界域 X 上手側処理液 X1 上手側処理液層 Y 下手側処理液 Y1 下手側処理液層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate processing apparatus 11 Processing tank 12 Substrate processing chamber 13 Partition wall 13a Opening 13b Bracket 14 Roller (conveying means) 2 Upper processing tank 21 Dispersion pipe 22 Liquid retention tank 23 Upper processing liquid supply line 23a Processing liquid supply Pump 23b Filter 3 Upper treatment tank 31 Dispersion pipe 32 Liquid retention tank 33 Lower treatment liquid supply pipe 33a Treatment liquid supply pump 33b Filter 40 Air knife part 41 Air knife body 42 Air passage 43 Gas outlet 44 Gas source 45 Gas supply line A Boundary area X Superior processing liquid X1 Superior processing liquid layer Y Lower processing liquid Y1 Lower processing liquid layer

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板を搬送する搬送手段と、この搬送手
段による基板の搬送方向に沿って配設され、搬送される
基板を通過させる開口部を有する仕切壁で仕切られた状
態で互いに形成され、搬送中の基板に対してそれぞれ異
なる処理液を供給する上手側処理槽および下手側処理槽
と、供給された処理液を液切りすべく基板に気体を吹き
付ける気体供給手段とを備えた基板処理装置において、 上記気体供給手段は、上記仕切壁に沿って少なくとも基
板を横断する寸法を有して配設され、その先端が上記開
口部に臨み、かつ通過基板の表面に略直交する方向から
気体を吹き付ける気体吹出し口を有していることを特徴
とする基板処理装置。
1. A transport means for transporting a substrate and a partition wall which is arranged along the transport direction of the substrate by the transport means and is partitioned by a partition wall having an opening for allowing the transported substrate to pass therethrough. A substrate processing including a superior processing bath and a downstream processing bath that supply different processing liquids to the substrate being transported, and a gas supply unit that blows gas onto the substrate to drain the supplied processing liquid In the apparatus, the gas supply means is arranged along the partition wall so as to have a dimension that traverses at least the substrate, and the tip thereof faces the opening, and the gas is supplied from a direction substantially orthogonal to the surface of the passage substrate. A substrate processing apparatus having a gas outlet for blowing a gas.
【請求項2】 上記下手側処理槽は、上記開口部の直ぐ
下流位置で処理液が供給されるように構成されているこ
とを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。
2. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the lower processing tank is configured so that the processing liquid is supplied immediately downstream of the opening.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010118644A (en) * 2008-10-15 2010-05-27 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Wafer processing apparatus

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JP2010118644A (en) * 2008-10-15 2010-05-27 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Wafer processing apparatus

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