JPH0964462A - 面発光レーザ装置およびその製造方法 - Google Patents
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- JPH0964462A JPH0964462A JP7237833A JP23783395A JPH0964462A JP H0964462 A JPH0964462 A JP H0964462A JP 7237833 A JP7237833 A JP 7237833A JP 23783395 A JP23783395 A JP 23783395A JP H0964462 A JPH0964462 A JP H0964462A
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- H01S5/3404—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers having a strained layer structure in which the strain performs a special function, e.g. general strain effects, strain versus polarisation influencing the polarisation
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 活性層に大きな歪みを導入できるようにし
て、揃った偏光の光を出射しうるようにする。 【構成】 凸部１２ａを有するサブキャリア１２上にキ
ャリア電極１３を形成しその上に半田バンプ（１４）を
形成する。ｎ型ＧａＡｓ基板１上に、ｎ型多層反射膜
２、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層３、ＩｎＧａＡｓ活性
層４、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層５、ｐ型多層反射膜
６を順次成長させ、ｐ型多層反射膜を８μｍ□にエッチ
ングし、多層反射膜６を覆うｐ側電極７を形成して、複
数の面発光レーザ素子１０を有する面発光レーザ基板２
０を作製する。ｐ側電極７をマスクにプロトンを注入し
て素子分離用の高抵抗領域８を形成する。ｐ側電極７上
に金バンプ１１を形成した後、レーザ基板２０をサブキ
ャリア１２上に搭載し、リフローにより半田１４付けす
ると共にレーザ基板２０を凸部１２ａに当接させる。
て、揃った偏光の光を出射しうるようにする。 【構成】 凸部１２ａを有するサブキャリア１２上にキ
ャリア電極１３を形成しその上に半田バンプ（１４）を
形成する。ｎ型ＧａＡｓ基板１上に、ｎ型多層反射膜
２、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層３、ＩｎＧａＡｓ活性
層４、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層５、ｐ型多層反射膜
６を順次成長させ、ｐ型多層反射膜を８μｍ□にエッチ
ングし、多層反射膜６を覆うｐ側電極７を形成して、複
数の面発光レーザ素子１０を有する面発光レーザ基板２
０を作製する。ｐ側電極７をマスクにプロトンを注入し
て素子分離用の高抵抗領域８を形成する。ｐ側電極７上
に金バンプ１１を形成した後、レーザ基板２０をサブキ
ャリア１２上に搭載し、リフローにより半田１４付けす
ると共にレーザ基板２０を凸部１２ａに当接させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、面発光レーザ基板
を支持基板（サブキャリア）上に搭載してなる面発光レ
ーザ装置およびその製造方法に関し、特に偏光方向を揃
えることのできる面発光レーザ装置に関するものであ
る。
を支持基板（サブキャリア）上に搭載してなる面発光レ
ーザ装置およびその製造方法に関し、特に偏光方向を揃
えることのできる面発光レーザ装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】光コンピューティング、光スイッチング
に関する関心が高まるなかで、大量の処理が可能な、２
次元的な光処理・接続システムの構築に向けて研究・開
発が活発化している。この用途に適した発光デバイスと
して面発光レーザがある。端面出射型レーザでは集積化
が困難であるため、電気的な配線の関係で並列配置され
る素子数が制限を受ける可能性が高いが、面発光レーザ
では、集積化が容易であるため、多数の発光素子の２次
元配列を容易に構成できるからである。この場合に、発
光素子を、偏光スイッチ用やコヒーレント通信のような
偏光ビームを必要とする用途に用いるのであれば、面発
光レーザの偏光を制御することが必要となる。
に関する関心が高まるなかで、大量の処理が可能な、２
次元的な光処理・接続システムの構築に向けて研究・開
発が活発化している。この用途に適した発光デバイスと
して面発光レーザがある。端面出射型レーザでは集積化
が困難であるため、電気的な配線の関係で並列配置され
る素子数が制限を受ける可能性が高いが、面発光レーザ
では、集積化が容易であるため、多数の発光素子の２次
元配列を容易に構成できるからである。この場合に、発
光素子を、偏光スイッチ用やコヒーレント通信のような
偏光ビームを必要とする用途に用いるのであれば、面発
光レーザの偏光を制御することが必要となる。
【０００３】面発光レーザの偏光方向を制御する方法の
１例が、吉川他により１９９４年秋季応用物理学会学術
講演会予稿集 ２２ｐ−Ｓ−５に報告されている。その
断面図を図３に示す。この面発光レーザでは、ｎ型Ｇａ
Ａｓ基板１の上に、ｎ型多層反射膜２、ｎ型Ａｌ0.3 Ｇ
ａ0.7 Ａｓクラッド層３ａ、Ｉｎ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ活性
層４、ｐ型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓクラッド層５ａ、ｐ型
多層反射膜６からなる多層膜がエピタキシャル成長され
ており、ｐ型多層反射膜６は、長方形メサ１５に加工さ
れ、この長方形メサはｐ側電極７によって覆われてい
る。レーザ素子は各メサごとに形成されるが、各素子間
の分離は長方形メサ１５、ｐ側電極７をマスクとしたイ
オン注入で形成された高抵抗領域８により行われる。ま
た、ｎ側電極９は、ｎ型多層反射膜２に到達するように
エピタキシャル層に開設されたトレンチの底部に形成さ
れている。
１例が、吉川他により１９９４年秋季応用物理学会学術
講演会予稿集 ２２ｐ−Ｓ−５に報告されている。その
断面図を図３に示す。この面発光レーザでは、ｎ型Ｇａ
Ａｓ基板１の上に、ｎ型多層反射膜２、ｎ型Ａｌ0.3 Ｇ
ａ0.7 Ａｓクラッド層３ａ、Ｉｎ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ活性
層４、ｐ型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓクラッド層５ａ、ｐ型
多層反射膜６からなる多層膜がエピタキシャル成長され
ており、ｐ型多層反射膜６は、長方形メサ１５に加工さ
れ、この長方形メサはｐ側電極７によって覆われてい
る。レーザ素子は各メサごとに形成されるが、各素子間
の分離は長方形メサ１５、ｐ側電極７をマスクとしたイ
オン注入で形成された高抵抗領域８により行われる。ま
た、ｎ側電極９は、ｎ型多層反射膜２に到達するように
エピタキシャル層に開設されたトレンチの底部に形成さ
れている。
【０００４】このように形成された面発光レーザでは、
各長方形メサ１５において、短辺および長辺に平行な振
動面をもつ光が発振可能であるが振動方向が短辺に平行
な偏光の方が損失が大きいため、長辺に平行な振動面を
もつ偏光が出射されることになる。
各長方形メサ１５において、短辺および長辺に平行な振
動面をもつ光が発振可能であるが振動方向が短辺に平行
な偏光の方が損失が大きいため、長辺に平行な振動面を
もつ偏光が出射されることになる。
【０００５】また、このような横モードの異方性を用い
た方法とは別に、活性層に歪みを持たせることで偏光方
向の制御を行おうとする試みも行われており、その１例
が沼居他により１９９３年春季応用物理学関係連合講演
会予稿集 ２９ａ−Ｃ−３に報告されている。この方法
では、（１１１）方向に数度ＯＦＦした（１００）Ｇａ
Ａｓ基板上に結晶成長させることで活性層部分に歪みを
加え、偏光方向を制御することを意図している。
た方法とは別に、活性層に歪みを持たせることで偏光方
向の制御を行おうとする試みも行われており、その１例
が沼居他により１９９３年春季応用物理学関係連合講演
会予稿集 ２９ａ−Ｃ−３に報告されている。この方法
では、（１１１）方向に数度ＯＦＦした（１００）Ｇａ
Ａｓ基板上に結晶成長させることで活性層部分に歪みを
加え、偏光方向を制御することを意図している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述した面発光レーザ
の内、活性層部分に歪みを加える前者の方法では、歪み
の程度が小さく高い偏光比（出射光のうち所望の方向の
偏光成分の占める割合）の偏光を得ることが困難であっ
た。
の内、活性層部分に歪みを加える前者の方法では、歪み
の程度が小さく高い偏光比（出射光のうち所望の方向の
偏光成分の占める割合）の偏光を得ることが困難であっ
た。
【０００７】また、前者の長方形メサを用いる方法で
は、１００％近い偏光比を得ることも可能であるが、高
い偏光比を実現するにはメサの短辺を５μｍ以下としな
ければならないところ、長方形をこのような微細な形状
に加工した場合には、メサ部分とそれより下部の部分の
間の光伝搬ロスが増加し、結果として、発光効率が落ち
てしまうという問題があった。また、この従来例では微
細なメサ構造を必要とするという加工上の難点もあっ
た。したがって、本発明の解決すべき課題は、発光効率
を低下させることなく、高い偏光比の偏光を出射しうる
面発光レーザを提供しうるようにすることである。
は、１００％近い偏光比を得ることも可能であるが、高
い偏光比を実現するにはメサの短辺を５μｍ以下としな
ければならないところ、長方形をこのような微細な形状
に加工した場合には、メサ部分とそれより下部の部分の
間の光伝搬ロスが増加し、結果として、発光効率が落ち
てしまうという問題があった。また、この従来例では微
細なメサ構造を必要とするという加工上の難点もあっ
た。したがって、本発明の解決すべき課題は、発光効率
を低下させることなく、高い偏光比の偏光を出射しうる
面発光レーザを提供しうるようにすることである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めの本発明による面発光レーザ装置は、第１導電型半導
体基板（１）と、その上に形成された第１導電型クラッ
ド層（３）、活性層（４）および第２導電型クラッド層
（５）とを有し、前記第１導電型半導体基板側から光を
放出する面発光レーザ素子（１０）が少なくとも１個形
成されている面発光レーザ基板（２０）が、前記第１導
電型半導体基板側を上にして支持基板（１２）上に搭載
されているものであって、前記面発光レーザ基板上に形
成された第２導電型側の電極（７、１１）が支持基板上
に形成された基板電極（１３）に半田（１４）を介して
接続されており、かつ、前記支持基板上に形成された複
数の凸部（１２ａ）が前記面発光レーザ基板に当接して
いることを特徴としている。
めの本発明による面発光レーザ装置は、第１導電型半導
体基板（１）と、その上に形成された第１導電型クラッ
ド層（３）、活性層（４）および第２導電型クラッド層
（５）とを有し、前記第１導電型半導体基板側から光を
放出する面発光レーザ素子（１０）が少なくとも１個形
成されている面発光レーザ基板（２０）が、前記第１導
電型半導体基板側を上にして支持基板（１２）上に搭載
されているものであって、前記面発光レーザ基板上に形
成された第２導電型側の電極（７、１１）が支持基板上
に形成された基板電極（１３）に半田（１４）を介して
接続されており、かつ、前記支持基板上に形成された複
数の凸部（１２ａ）が前記面発光レーザ基板に当接して
いることを特徴としている。
【０００９】
【作用】本発明の面発光レーザ装置は、面発光レーザ基
板を支持基板（サブキャリア）上に半田リフローを用い
て搭載することによって形成される。この半田リフロー
時に溶融半田の表面張力により、サブキャリア上に設け
られた凸部に面発光レーザ基板が当接することにより面
発光レーザ基板に歪みが導入される。続く、半田冷却時
の半田収縮により面発光レーザ基板により大きな歪みが
導入され、これにより偏光が制御される。歪みの量は、
凸部の高さと半田の量／材質をコントロールすることに
より任意にかつ精度よく制御することができる。また、
本発明においては、メサを形成する必要がなく、メサを
形成する場合にも微細なメサを形成する必要がないの
で、不必要な伝搬ロスを招かないようにすることができ
る。
板を支持基板（サブキャリア）上に半田リフローを用い
て搭載することによって形成される。この半田リフロー
時に溶融半田の表面張力により、サブキャリア上に設け
られた凸部に面発光レーザ基板が当接することにより面
発光レーザ基板に歪みが導入される。続く、半田冷却時
の半田収縮により面発光レーザ基板により大きな歪みが
導入され、これにより偏光が制御される。歪みの量は、
凸部の高さと半田の量／材質をコントロールすることに
より任意にかつ精度よく制御することができる。また、
本発明においては、メサを形成する必要がなく、メサを
形成する場合にも微細なメサを形成する必要がないの
で、不必要な伝搬ロスを招かないようにすることができ
る。
【００１０】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。図１は、本発明の一
実施形態を示す断面図である。サブキャリア１２は、熱
伝導性のよいの窒化アルミニウム板（１ｍｍ厚）を用
い、サイズ８ｍｍ角に切り出し、その後、高さ８５μｍ
の凸部１２ａが残るように、表面を機械加工して形成し
たものである。さらに、各レーザ素子ごとに独立に給電
できるように配線（図示なし）およびキャリア電極１３
を形成しキャリア電極１３の上に高さ８０μｍの半田バ
ンプ（１４ａ）を形成する。
て図面を参照して詳細に説明する。図１は、本発明の一
実施形態を示す断面図である。サブキャリア１２は、熱
伝導性のよいの窒化アルミニウム板（１ｍｍ厚）を用
い、サイズ８ｍｍ角に切り出し、その後、高さ８５μｍ
の凸部１２ａが残るように、表面を機械加工して形成し
たものである。さらに、各レーザ素子ごとに独立に給電
できるように配線（図示なし）およびキャリア電極１３
を形成しキャリア電極１３の上に高さ８０μｍの半田バ
ンプ（１４ａ）を形成する。
【００１１】面発光レーザは、ｎ型ＧａＡｓ基板１の上
へ順に、バッファ層（図示なし）、ｎ型多層反射膜２、
ｎ型Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓクラッド層３、Ｉｎ0.2 Ｇａ
0.8Ａｓ活性層４、ｐ型Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓクラッド
層５、ｐ型多層反射膜６、キャップ層（図示なし）、を
順次成長させたウェハを用いて形成する。エピタキシャ
ル成長層の具体的データは次の通りである。 ｎ型ＧａＡｓ基板１： ｎ ２×１０18 バッファ層： ＧａＡｓ ｎ ２×１０18 ４００ｎｍ ｎ型多層反射膜： ＡｌＡｓ ｎ ２×１０18 ８３ｎｍ ＧａＡｓ ｎ ２×１０18 ６９．５ｎｍ ＡｌＡｓ ｎ ２×１０18 ８３ｎｍ （、は１８回繰り返し） ｎ型クラッド層３：Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓ ｎ １×１０17 ２６３ｎｍ 活性層： Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓ アンドープ １４ｎｍ Ｉｎ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ アンドープ １０ｎｍ Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓ アンドープ ３ｎｍ （〜は３回繰り返し） ｐ型クラッド層５：Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓ ｐ ５×１０16 ５４４ｎｍ ｐ型多層反射膜： ＡｌＡｓ ｐ ３×１０18 ８３ｎｍ ＧａＡｓ ｐ ３×１０18 ６９．５ｎｍ ＡｌＡｓ ｐ ３×１０18 ８３ｎｍ （、は１５回繰り返し） キャップ層： ＧａＡｓ ｐ １×１０19 １００ｎｍ
へ順に、バッファ層（図示なし）、ｎ型多層反射膜２、
ｎ型Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓクラッド層３、Ｉｎ0.2 Ｇａ
0.8Ａｓ活性層４、ｐ型Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓクラッド
層５、ｐ型多層反射膜６、キャップ層（図示なし）、を
順次成長させたウェハを用いて形成する。エピタキシャ
ル成長層の具体的データは次の通りである。 ｎ型ＧａＡｓ基板１： ｎ ２×１０18 バッファ層： ＧａＡｓ ｎ ２×１０18 ４００ｎｍ ｎ型多層反射膜： ＡｌＡｓ ｎ ２×１０18 ８３ｎｍ ＧａＡｓ ｎ ２×１０18 ６９．５ｎｍ ＡｌＡｓ ｎ ２×１０18 ８３ｎｍ （、は１８回繰り返し） ｎ型クラッド層３：Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓ ｎ １×１０17 ２６３ｎｍ 活性層： Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓ アンドープ １４ｎｍ Ｉｎ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ アンドープ １０ｎｍ Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓ アンドープ ３ｎｍ （〜は３回繰り返し） ｐ型クラッド層５：Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓ ｐ ５×１０16 ５４４ｎｍ ｐ型多層反射膜： ＡｌＡｓ ｐ ３×１０18 ８３ｎｍ ＧａＡｓ ｐ ３×１０18 ６９．５ｎｍ ＡｌＡｓ ｐ ３×１０18 ８３ｎｍ （、は１５回繰り返し） キャップ層： ＧａＡｓ ｐ １×１０19 １００ｎｍ
【００１２】このウェハのｐ型多層反射膜を８μｍ□に
エッチングし、複数の面発光レーザ素子１０を有する面
発光レーザ基板２０を作製する。また、レーザ素子１０
を覆うようにｐ側電極７を形成し、それをマスクにＩｎ
0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ活性層４の深さに達するようにプロト
ンを注入して素子分離用の高抵抗領域８を形成する。さ
らに、ウェハの一部をエッチング除去して、ｎ型多層反
射膜２に到達するトレンチを形成し、その底部にｎ型電
極９を形成する。最後にｐ型電極７とｎ型電極９の上部
に厚さ１０μｍ、サイズ４０μｍ□の大きさの金バンプ
１１を形成する。
エッチングし、複数の面発光レーザ素子１０を有する面
発光レーザ基板２０を作製する。また、レーザ素子１０
を覆うようにｐ側電極７を形成し、それをマスクにＩｎ
0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ活性層４の深さに達するようにプロト
ンを注入して素子分離用の高抵抗領域８を形成する。さ
らに、ウェハの一部をエッチング除去して、ｎ型多層反
射膜２に到達するトレンチを形成し、その底部にｎ型電
極９を形成する。最後にｐ型電極７とｎ型電極９の上部
に厚さ１０μｍ、サイズ４０μｍ□の大きさの金バンプ
１１を形成する。
【００１３】次に、図２を参照して、このようにして形
成された面発光レーザ基板２０のサブキャリア１２への
搭載方法について説明する。図２（ａ）に示すように、
凸部１２ａを有し、キャリア電極１３と半田バンプ１４
ａが形成されたサブキャリア１２上に、金バンプ１１を
有する面発光レーザ基板２０を搭載し、半田バンプ１４
ａ上に金バンプ１１が重なるように位置合わせする。
成された面発光レーザ基板２０のサブキャリア１２への
搭載方法について説明する。図２（ａ）に示すように、
凸部１２ａを有し、キャリア電極１３と半田バンプ１４
ａが形成されたサブキャリア１２上に、金バンプ１１を
有する面発光レーザ基板２０を搭載し、半田バンプ１４
ａ上に金バンプ１１が重なるように位置合わせする。
【００１４】続いて、半田バンプ１４ａが溶融するまで
昇温すると、図２（ｂ）に示すように、半田の表面張力
によりレーザ基板の位置が自動修正されるとともにレー
ザ基板２０は降下して凸部１２ａに当接する。これによ
り基板に歪みが導入される。その後、降温すると、図２
（ｃ）に示されるように、ボンディングが完了する。こ
のとき、熱膨張係数の大きい半田が収縮してレーザ基板
２０に、図１に示されるように、大きな歪みが導入され
る。これにより面発光レーザ素子１０より、偏光比がほ
ぼ１００％の紙面に垂直方向を振動面とする偏光を得る
ことができた。
昇温すると、図２（ｂ）に示すように、半田の表面張力
によりレーザ基板の位置が自動修正されるとともにレー
ザ基板２０は降下して凸部１２ａに当接する。これによ
り基板に歪みが導入される。その後、降温すると、図２
（ｃ）に示されるように、ボンディングが完了する。こ
のとき、熱膨張係数の大きい半田が収縮してレーザ基板
２０に、図１に示されるように、大きな歪みが導入され
る。これにより面発光レーザ素子１０より、偏光比がほ
ぼ１００％の紙面に垂直方向を振動面とする偏光を得る
ことができた。
【００１５】以上好ましい実施形態について説明した
が、本発明はこの実施形態に限定されるものではなく、
特許請求の範囲に記載された範囲内において各種の変更
が可能なものである。例えば、上記実施形態においてサ
ブキャリヤは窒化シリコン製としたが、他のセラミック
材料や絶縁被覆の金属基板等を用いることもでき、特に
材料は問わない。また、半田バンプ、金属バンプ、サブ
キャリヤの凸部の高さやサイズは上記の値に限定され
ず、必要とされる歪みの程度に応じて変更することがで
きるものである。さらに、メサは必ずしも形成する必要
はなくまた形成する場合にも高さやサイズは適宜の値に
選択することができる。また、サブキャリア上に形成さ
れる凸部は、エリアごとに異なる方向に向いたものとす
ることができる。このようにすれば、同一ペレットより
異なる偏光面をもつ偏光を得ることができる。
が、本発明はこの実施形態に限定されるものではなく、
特許請求の範囲に記載された範囲内において各種の変更
が可能なものである。例えば、上記実施形態においてサ
ブキャリヤは窒化シリコン製としたが、他のセラミック
材料や絶縁被覆の金属基板等を用いることもでき、特に
材料は問わない。また、半田バンプ、金属バンプ、サブ
キャリヤの凸部の高さやサイズは上記の値に限定され
ず、必要とされる歪みの程度に応じて変更することがで
きるものである。さらに、メサは必ずしも形成する必要
はなくまた形成する場合にも高さやサイズは適宜の値に
選択することができる。また、サブキャリア上に形成さ
れる凸部は、エリアごとに異なる方向に向いたものとす
ることができる。このようにすれば、同一ペレットより
異なる偏光面をもつ偏光を得ることができる。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
サブキャリヤの凸部の高さ、半田の量と材質を変えるこ
とにより任意の大きさの歪みを面発光レーザの活性層部
分に与えることができる。したがって、本発明によれ
ば、高い偏光比のレーザビームを得ることができる。ま
た、メサを形成する必要がなく、形成する場合であって
も微細な形状に形成する必要がないので、効率の低下を
抑制できるとともに製作も容易になる。また、本発明の
方法は、面発光レーザ自体の設計には関わらないので、
面発光レーザは発光効率など、独立にその特性改善を行
うことができる。
サブキャリヤの凸部の高さ、半田の量と材質を変えるこ
とにより任意の大きさの歪みを面発光レーザの活性層部
分に与えることができる。したがって、本発明によれ
ば、高い偏光比のレーザビームを得ることができる。ま
た、メサを形成する必要がなく、形成する場合であって
も微細な形状に形成する必要がないので、効率の低下を
抑制できるとともに製作も容易になる。また、本発明の
方法は、面発光レーザ自体の設計には関わらないので、
面発光レーザは発光効率など、独立にその特性改善を行
うことができる。
【図１】本発明の一実施形態の面発光レーザ装置を示す
断面図。
断面図。
【図２】本発明の一実施形態の面発光レーザ装置の製造
方法を説明するための断面図。
方法を説明するための断面図。
【図３】従来例の、一部断面を示す斜視図。
１ ｎ型ＧａＡｓ基板 ２ ｎ型多層反射膜 ３ ｎ型Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓクラッド層 ３ａ ｎ型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓクラッド層 ４ Ｉｎ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ活性層 ５ ｐ型Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓクラッド層 ５ａ ｐ型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓクラッド層 ６ ｐ型多層反射膜 ７ ｐ側電極 ８ 高抵抗領域 ９ ｎ側電極 １０ 面発光レーザ素子 １１ 金バンプ １２ サブキャリア １２ａ 凸部 １３ キャリア電極 １４ 半田 １４ａ 半田バンプ １５ 長方形メサ ２０ 面発光レーザ基板
Claims (6)
- 【請求項１】 第１導電型半導体基板と、その上に形成
された第１導電型クラッド層、活性層および第２導電型
クラッド層とを有し、前記第１導電型半導体基板側から
光を放出する面発光レーザ素子が少なくとも１個形成さ
れている面発光レーザ基板が、前記第１導電型半導体基
板側を上にして支持基板上に搭載されている面発光レー
ザ装置において、前記面発光レーザ基板上に形成された
第２導電型側の電極が支持基板上に形成された基板電極
に半田を介して接続されており、前記支持基板上に形成
された複数の凸部が前記面発光レーザ基板に当接してい
ることを特徴とする面発光レーザ装置。 - 【請求項２】 第１導電型半導体基板と第１導電型クラ
ッド層との間に第１導電型多層反射膜が形成され、第２
導電型クラッド層と第２導電型側電極との間に第２導電
型多層反射膜が形成されていることを特徴とする請求項
１記載の面発光レーザ装置。 - 【請求項３】 前記第２導電型多層反射膜がメサ状に加
工されており、そのメサ部の周囲の前記活性層を含む半
導体層には素子分離領域が形成されていることを特徴と
する請求項２記載の面発光レーザ装置。 - 【請求項４】 第１導電型側の電極が、前記第２導電型
クラッド層および前記活性層を貫通する開口内に形成さ
れており、該電極が前記支持基板上に形成された基板電
極と半田を介して接続されていることを特徴とする請求
項１記載の面発光レーザ装置。 - 【請求項５】 前記支持基板上に１ないし複数の群の凸
部が、同一の群内では平行にかつ異なる群間では異なる
方向を向くように形成されており、それぞれの凸部が前
記面発光レーザ基板に当接していることを特徴とする請
求項１記載の面発光レーザ装置。 - 【請求項６】 凸部および基板電極が形成されている支
持基板上に、 第１導電型半導体基板上に第１導電型クラッド層、活性
層および第２導電型クラッド層が形成され、該第２導電
型クラッド層上に第２導電型側電極が形成され、前記第
１導電型半導体基板側から光を放出する面発光レーザ素
子を少なくとも１個備える面発光レーザ基板を、 前記基板電極上に何れかの電極上に形成された半田バン
プを介して前記第２導電型側電極が重なる態様にて、搭
載し、 半田リフローにより、両電極間を接続するとともに前記
支持基板上の凸部を前記面発光レーザ基板に当接させる
ことを特徴とする面発光レーザ装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7237833A JPH0964462A (ja) | 1995-08-24 | 1995-08-24 | 面発光レーザ装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7237833A JPH0964462A (ja) | 1995-08-24 | 1995-08-24 | 面発光レーザ装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0964462A true JPH0964462A (ja) | 1997-03-07 |
Family
ID=17021090
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7237833A Pending JPH0964462A (ja) | 1995-08-24 | 1995-08-24 | 面発光レーザ装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0964462A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999007043A1 (fr) * | 1997-07-29 | 1999-02-11 | Seiko Epson Corporation | Laser a semiconducteur a emission en surface |
| EP0924820A2 (en) * | 1997-12-18 | 1999-06-23 | Hewlett-Packard Company | Polarisation-controlled VCSELS using externally applied unitaxial stress |
| JP2001156394A (ja) * | 1999-11-30 | 2001-06-08 | Seiko Epson Corp | 面発光型半導体レーザおよび面発光型半導体レーザの製造方法 |
| JP2003332685A (ja) * | 2003-05-30 | 2003-11-21 | Seiko Epson Corp | 面発光型半導体レーザおよび面発光型半導体レーザアレイ |
| JP2006060239A (ja) * | 2004-08-23 | 2006-03-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | 半導体構成素子及び半導体構成素子の製造方法 |
| US20220344909A1 (en) * | 2021-04-26 | 2022-10-27 | Lumentum Operations Llc | Matrix addressable vertical cavity surface emitting laser array |
-
1995
- 1995-08-24 JP JP7237833A patent/JPH0964462A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999007043A1 (fr) * | 1997-07-29 | 1999-02-11 | Seiko Epson Corporation | Laser a semiconducteur a emission en surface |
| US6134251A (en) * | 1997-07-29 | 2000-10-17 | Seiko Epson Corporation | Surface emission semiconductor laser |
| US6603783B1 (en) | 1997-07-29 | 2003-08-05 | Seiko Epson Corporation | Surface emitting type semiconductor laser |
| EP0924820A2 (en) * | 1997-12-18 | 1999-06-23 | Hewlett-Packard Company | Polarisation-controlled VCSELS using externally applied unitaxial stress |
| EP0924820A3 (en) * | 1997-12-18 | 1999-07-14 | Hewlett-Packard Company | Polarisation-controlled VCSELS using externally applied unitaxial stress |
| US6188711B1 (en) | 1997-12-18 | 2001-02-13 | Agilent Technologies, Inc. | Polarization-controlled VCSELs using externally applied uniaxial stress |
| JP2001156394A (ja) * | 1999-11-30 | 2001-06-08 | Seiko Epson Corp | 面発光型半導体レーザおよび面発光型半導体レーザの製造方法 |
| JP2003332685A (ja) * | 2003-05-30 | 2003-11-21 | Seiko Epson Corp | 面発光型半導体レーザおよび面発光型半導体レーザアレイ |
| JP2006060239A (ja) * | 2004-08-23 | 2006-03-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | 半導体構成素子及び半導体構成素子の製造方法 |
| US20220344909A1 (en) * | 2021-04-26 | 2022-10-27 | Lumentum Operations Llc | Matrix addressable vertical cavity surface emitting laser array |
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