JPH0961826A - Production of liquid crystal display device - Google Patents
Production of liquid crystal display deviceInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置の製造
方法に関し、特にプレチルトを持つ液晶材料を有する液
晶表示装置の製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a liquid crystal display device, and more particularly to a method for manufacturing a liquid crystal display device having a liquid crystal material having a pretilt.
【0002】[0002]
【従来の技術】図9は、従来技術による液晶表示装置の
製造方法を説明するための、液晶表示装置の断面図であ
る。2. Description of the Related Art FIG. 9 is a cross-sectional view of a liquid crystal display device for explaining a conventional method of manufacturing a liquid crystal display device.
【0003】図9(A)は、空セルの作製工程を示す。
まず、ガラス基板51を用意し、ガラス基板51の上に
配向膜53を形成する。次に、配向膜53に対して、光
配向処理を行う。以上のようにして、2枚の基板1を作
製し、対向配置する。2枚の基板1は、配向処理方向を
お互いに90°ずらせば、90°ねじれたツイストネマ
チック液晶セルを作製することができる。2枚の基板1
の間に、ギャップコントロール剤(図示せず)を挟み、
基板間のギャップを所定値にする。FIG. 9A shows a process of manufacturing an empty cell.
First, the glass substrate 51 is prepared, and the alignment film 53 is formed on the glass substrate 51. Next, an optical alignment process is performed on the alignment film 53. As described above, the two substrates 1 are manufactured and arranged so as to face each other. By twisting the two substrates 1 by 90 ° from each other, a twisted nematic liquid crystal cell twisted by 90 ° can be manufactured. Two boards 1
Gap control agent (not shown) is sandwiched between
The gap between the substrates is set to a predetermined value.
【0004】図9(B)は、液晶注入工程を示す。空セ
ルを加熱し、アイソトロピック相(等方相)の液晶材料
57を基板51間に注入する。液晶注入する際、液晶材
料57をN−I(ネマチック−アイソトロピック)相転
移温度以上まで加熱することにより、アイソトロピック
相にする。FIG. 9B shows a liquid crystal injection process. The empty cell is heated, and the liquid crystal material 57 in the isotropic phase (isotropic phase) is injected between the substrates 51. At the time of injecting liquid crystal, the liquid crystal material 57 is heated to the NI (nematic-isotropic) phase transition temperature or higher to be in the isotropic phase.
【0005】図9(C)は、液晶セルの冷却工程を示
す。高温状態にある液晶セルを徐冷し、液晶材料57を
ネマチック相(液晶相)にする。液晶材料57は、N−
I相転移温度以下まで冷却することにより、ネマチック
相になる。基板51上の配向力が弱くても、アイソトロ
ピック相から徐冷するすることにより、均一な配向が得
られる。FIG. 9C shows a cooling process of the liquid crystal cell. The liquid crystal cell in a high temperature state is gradually cooled to bring the liquid crystal material 57 into a nematic phase (liquid crystal phase). The liquid crystal material 57 is N-
A nematic phase is obtained by cooling to a temperature below the I phase transition temperature. Even if the orientation force on the substrate 51 is weak, uniform orientation can be obtained by gradually cooling from the isotropic phase.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】図9(A)において、
ガラス基板51上の配向膜53に光配向処理を行うこと
を示した。光配向処理を行う方法として、以下に示す光
偏光記憶膜を用いる方法が発表されている。Problems to be Solved by the Invention In FIG. 9 (A),
It has been shown that the alignment film 53 on the glass substrate 51 is subjected to optical alignment processing. As a method of performing photo-alignment treatment, a method using the following optical polarization storage film has been announced.
【0007】ジアゾアミン染料をドープしたシリコン
ポリイミドを用いる方法(Wayne MGibbons 等, NATURE
Vol.351 (1991) P49 )。 アゾ染料をドープしたPVA(ポリビニルアルコー
ル)を用いる方法(飯村靖文等, 第18回液晶討論会−
日本化学会第64秋期年会−, p34,平成4年9月11日
発行, 社団法人日本化学会; Jpn J. Appl. Phys. Vol.
32 (1993) pp.L93-L96)。Method Using Silicon Polyimide Doped with Diazoamine Dye (Wayne MGibbons et al., NATURE
Vol.351 (1991) P49). Method using PVA (polyvinyl alcohol) doped with azo dye (Yasufumi Iimura et al., 18th Liquid Crystal Conference-
The 64th Annual Meeting of the Chemical Society of Japan, p34, published September 11, 1992, The Chemical Society of Japan; Jpn J. Appl. Phys. Vol.
32 (1993) pp.L93-L96).
【0008】光重合フォトポリマーを用いる方法(Ma
rtin Schadt 等, Jpn. J. Appl. Phys. Vol.31 (1992)
pp.2155-2164)。 ポリビニル4−メトキシシンナメート(PVC)膜に
偏光を照射することにより、偏光方向と直交する方向に
液晶を水平配向させる方法。A method using a photopolymerization photopolymer (Ma
Rtin Schadt et al., Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 31 (1992)
pp.2155-2164). A method of horizontally aligning a liquid crystal in a direction orthogonal to the polarization direction by irradiating a polyvinyl 4-methoxycinnamate (PVC) film with polarized light.
【0009】PVC膜に対し、基板の法線方向から偏
向光を照射し、さらに基板の法線に対し一定の角度でか
つ前記偏光方向と直交(方位角方向)する方向から偏向
光を照射することによりプレチルト角を有する配向を与
える方法。The PVC film is irradiated with the deflected light from the direction normal to the substrate, and further from the direction normal to the substrate at a constant angle and perpendicular to the polarization direction (azimuth direction). Thereby giving an orientation having a pretilt angle.
【0010】図9(C)において、液晶セルを冷却する
と、ネマチック相の液晶分子57は、配向処理方法に応
じてプレチルトを有する。上記〜の配向処理方法で
は、プレチルトはほとんど生じない。の方法では、わ
ずかにプレチルトが生じるものの、そのプレチルト角は
極めて小さい。In FIG. 9C, when the liquid crystal cell is cooled, the liquid crystal molecules 57 in the nematic phase have a pretilt depending on the alignment treatment method. Pretilt hardly occurs in the alignment treatment methods 1 to 3 above. In the above method, a slight pretilt occurs, but the pretilt angle is extremely small.
【0011】プレチルトとは、基板間に電圧を印加して
いない際、液晶分子の長軸方向の一端が基板面に対して
持ち上がった状態をいう。プレチルト角とは、基板間に
電圧を印加していない際、基板面と液晶分子の長軸との
間の角度をいう。The pretilt is a state in which one end of the liquid crystal molecule in the long axis direction is lifted with respect to the substrate surface when a voltage is not applied between the substrates. The pretilt angle means an angle between the substrate surface and the long axis of liquid crystal molecules when a voltage is not applied between the substrates.
【0012】プレチルトを持つ液晶分子は、基板間に電
圧が印加されると、基板面に対して持ち上がっている一
端側より立ち上がる。全ての液晶分子が同じ向きのプレ
チルトを持っていれば、液晶分子は全て同じ方向に立ち
上がる。When a voltage is applied between the substrates, liquid crystal molecules having a pretilt rise from one end side which is raised with respect to the substrate surface. If all liquid crystal molecules have the same pretilt direction, all liquid crystal molecules rise in the same direction.
【0013】これに対し、プレチルトを持たない液晶分
子は、長軸方向のいずれの端部から立ち上がるかが定ま
らない。全ての液晶分子がプレチルトを持たない、また
は極めて小さなプレチルト角であるとき、長軸方向のあ
る一端から立ち上がる液晶分子の領域と他端から立ち上
がる液晶分子の領域が生じる。その領域の境界では、液
晶表示画面上において線欠陥(リバースチルトディスク
リネーションライン)が現れやすい。On the other hand, it is not determined from which end in the major axis direction the liquid crystal molecule having no pretilt rises. When all the liquid crystal molecules have no pretilt or have an extremely small pretilt angle, a region of liquid crystal molecules that rises from one end in the long axis direction and a region of liquid crystal molecules that rises from the other end occur. At the boundary of the area, a line defect (reverse tilt disclination line) is likely to appear on the liquid crystal display screen.
【0014】特に、印加電圧が液晶セルのしきい値付近
において、リバースチルトディスクリネーションライン
が発生し易い。また、印加電圧の変化や時間経過によ
り、リバースチルトディスクリネーションラインの位置
が変化するため、線欠陥の存在が肉眼で認識できる。さ
らに、光散乱の発生や、コントラストの低下も生じるた
め、液晶表示装置として著しく表示品質を低下させるこ
とになる。Particularly, when the applied voltage is near the threshold value of the liquid crystal cell, a reverse tilt disclination line is likely to occur. In addition, since the position of the reverse tilt disclination line changes due to a change in applied voltage or a lapse of time, the presence of a line defect can be visually recognized. Further, since light scattering occurs and the contrast is reduced, the display quality of the liquid crystal display device is significantly reduced.
【0015】本発明の目的は、大きなプレチルト角を持
つ液晶材料を有する液晶表示装置の製造方法を提供する
ことである。It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a liquid crystal display device having a liquid crystal material having a large pretilt angle.
【0016】[0016]
【課題を解決するための手段】本発明による液晶表示装
置の製造方法は、少なくともいずれか一方に配向処理を
施した一対の基板を用意する工程と、一対の基板を対向
配置して基板間に液晶材料を注入する工程と、基板間に
電界または磁界を印加した状態で、基板間の液晶材料を
等方相から液晶相に相転移させる工程とを含む。A method of manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention comprises a step of preparing a pair of substrates having at least one of them subjected to an alignment treatment, and a step of disposing the pair of substrates so as to face each other. The method includes a step of injecting a liquid crystal material and a step of causing a liquid crystal material between the substrates to undergo a phase transition from an isotropic phase to a liquid crystal phase while applying an electric field or a magnetic field between the substrates.
【0017】基板間に電界または磁界を印加した状態
で、基板間の液晶材料を等方相から液晶相に相転移させ
ることにより、大きなプレチルト角を持つ液晶表示装置
を製造することができる。A liquid crystal display device having a large pretilt angle can be manufactured by causing a liquid crystal material between the substrates to undergo a phase transition from an isotropic phase to a liquid crystal phase while applying an electric field or a magnetic field between the substrates.
【0018】[0018]
【発明の実施の形態】図1(A)から図6(E)までを
順に参照して、本発明の実施例による液晶表示装置の製
造方法を説明する。まず、液晶表示装置に用いる基板の
作製方法を説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A method of manufacturing a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 (A) to 6 (E) in order. First, a method for manufacturing a substrate used for a liquid crystal display device will be described.
【0019】図2は、基板の作製工程を説明するため
の、基板の断面図である。ガラス基板1を用意し、ガラ
ス基板1の上にインジウム錫酸化物(ITO)膜2を形
成する。ITO膜2は、透明導電膜である。さらに、I
TO膜2の上に、配向膜3を形成する。配向膜3は、例
えばPVC(ポリビニルシンナメート)膜である。FIG. 2 is a cross-sectional view of the substrate for explaining the manufacturing process of the substrate. A glass substrate 1 is prepared, and an indium tin oxide (ITO) film 2 is formed on the glass substrate 1. The ITO film 2 is a transparent conductive film. Furthermore, I
An alignment film 3 is formed on the TO film 2. The alignment film 3 is, for example, a PVC (polyvinyl cinnamate) film.
【0020】ITO膜2は、例えば、スパッタリングや
蒸着法により形成できる。配向膜3の形成方法を、以下
説明する。まず、PVCを、モノクロロベンゼンとジク
ロロメタンの混合溶剤に2wt%溶解する。このPVC
溶液を、スピナにてガラス基板1に塗布する。100℃
で1時間乾燥させ、膜厚約1000ÅのPVC膜3を形
成する。The ITO film 2 can be formed, for example, by sputtering or vapor deposition. The method of forming the alignment film 3 will be described below. First, 2 wt% of PVC is dissolved in a mixed solvent of monochlorobenzene and dichloromethane. This PVC
The solution is applied to the glass substrate 1 with a spinner. 100 ℃
And dried for 1 hour to form a PVC film 3 having a film thickness of about 1000Å.
【0021】PVC膜3は、光偏光記憶膜の一種であ
り、光配向処理を行うことにより、基板面に配向構造を
形成することができる。光配向処理は、後に、図4を参
照しながら説明する。The PVC film 3 is a kind of optical polarization storage film, and an alignment structure can be formed on the substrate surface by performing an optical alignment treatment. The photo-alignment process will be described later with reference to FIG.
【0022】図2では簡略化してITO膜2を示してあ
るが、実際上、ITO膜2は基板1上に形成される薄膜
トランジスタに接続される画素電極であり、画素毎に分
離して設けられている。なお、基板1上に複数のセグメ
ント電極やコモン電極を形成したり、基板1上の全面に
ITO膜2を形成してもよい。Although the ITO film 2 is shown in a simplified manner in FIG. 2, the ITO film 2 is actually a pixel electrode connected to a thin film transistor formed on the substrate 1, and is provided separately for each pixel. ing. Note that a plurality of segment electrodes or common electrodes may be formed on the substrate 1, or the ITO film 2 may be formed on the entire surface of the substrate 1.
【0023】図3は、画素電極を有する基板1の構成例
を示す。ガラス基板1a上に配線または電極2a、画素
電極2b、薄膜トランジスタQが形成されている。電極
2aと画素電極2bは、図2のITO膜2に相当する。
配線2aはトランジスタQを介して画素電極2bに接続
される。たとえば、配線2aと画素電極2bはITO膜
で形成し、薄膜トランジスタの電極部はドープドポリシ
リコン、チャンネル部はポリシリコン、ゲート絶縁膜は
シリコン酸化膜で形成する。FIG. 3 shows a structural example of the substrate 1 having a pixel electrode. Wirings or electrodes 2a, pixel electrodes 2b, and thin film transistors Q are formed on the glass substrate 1a. The electrode 2a and the pixel electrode 2b correspond to the ITO film 2 in FIG.
The wiring 2a is connected to the pixel electrode 2b via the transistor Q. For example, the wiring 2a and the pixel electrode 2b are made of an ITO film, the electrode portion of the thin film transistor is made of doped polysilicon, the channel portion is made of polysilicon, and the gate insulating film is made of a silicon oxide film.
【0024】図4は、光配向処理工程を示す図である。
光配向処理は、基板1表面上のPVC膜3に、2回の光
照射(第1照射、第2照射)を行う。以下、詳細に説明
する。FIG. 4 is a diagram showing a photo-alignment treatment step.
In the photo-alignment treatment, the PVC film 3 on the surface of the substrate 1 is irradiated with light twice (first irradiation and second irradiation). The details will be described below.
【0025】図4(A)は、PVC膜3への第1照射方
法を示す図である。ガラス基板1は、その表面にPVC
膜3が形成されている。基板面を、x軸とy軸を含むx
y平面とし、基板法線方向をz軸とする。FIG. 4A is a diagram showing a first irradiation method for the PVC film 3. The glass substrate 1 has PVC on its surface.
The film 3 is formed. The substrate surface is x including the x axis and the y axis
The y-plane is used and the substrate normal direction is the z-axis.
【0026】PVC膜3に、第1照射光S1を50秒照
射する。例えば、高圧水銀灯を用いて光照射する。照射
エネルギは1.5J/cm2 であり、第1照射光S1の
波長は313nmである。The PVC film 3 is irradiated with the first irradiation light S1 for 50 seconds. For example, light irradiation is performed using a high pressure mercury lamp. The irradiation energy is 1.5 J / cm 2 , and the wavelength of the first irradiation light S1 is 313 nm.
【0027】第1照射光S1は、z軸方向の光であり、
偏光方向αの直線偏光光である。偏光方向αは、y軸方
向である。図4(B)は、PVC膜3への第2照射方法
を示す図である。PVC膜3に、第2照射光S2を5秒
照射する。第2照射光S2は、第1照射光S1に比べ、
照射方向と偏光方向のみが異なり、照射エネルギおよび
光波長は同じである。The first irradiation light S1 is light in the z-axis direction,
It is linearly polarized light with a polarization direction α. The polarization direction α is the y-axis direction. FIG. 4B is a diagram showing a second irradiation method for the PVC film 3. The PVC film 3 is irradiated with the second irradiation light S2 for 5 seconds. The second irradiation light S2 is
Only the irradiation direction and the polarization direction are different, and the irradiation energy and the light wavelength are the same.
【0028】第2照射光S2は、基板法線方向(z軸方
向)に対し入射角(極角)θ=45°を持つ、偏光方向
βの直線偏光光である。偏光方向βは、xz面内の方向
であり、第1照射光S1の偏光方向αと直交する方向で
ある。The second irradiation light S2 is linearly polarized light having a polarization direction β and having an incident angle (polar angle) θ = 45 ° with respect to the substrate normal direction (z-axis direction). The polarization direction β is a direction within the xz plane and is a direction orthogonal to the polarization direction α of the first irradiation light S1.
【0029】図4(C)は、第1照射および第2照射に
より生成される液晶分子の配向方向DRを示す図であ
る。配向膜3の上に液晶材料を満たした際、配向膜3と
液晶材料との界面における液晶分子は、長軸が矢印DR
の方向に配向する。FIG. 4C is a diagram showing the alignment direction DR of the liquid crystal molecules generated by the first irradiation and the second irradiation. When the alignment film 3 is filled with the liquid crystal material, the long axis of the liquid crystal molecule at the interface between the alignment film 3 and the liquid crystal material has an arrow DR.
Orient in the direction of.
【0030】配向方向DRは、第2照射光S1の偏光方
向αと直交する方向であり、xz面内の方向である。配
向方向DRの極角δは、第2照射光S2の入射光θに依
存する。入射角θが大きいほど、極角δが大きくなる。
言い換えると、入射角θが大きいほど、液晶分子のプレ
チルト角(90°−δ)が小さくなる。The orientation direction DR is a direction orthogonal to the polarization direction α of the second irradiation light S1 and is a direction in the xz plane. The polar angle δ of the alignment direction DR depends on the incident light θ of the second irradiation light S2. The larger the incident angle θ, the larger the polar angle δ.
In other words, the larger the incident angle θ, the smaller the pretilt angle (90 ° −δ) of the liquid crystal molecules.
【0031】次に、以上作製した基板を2枚用いて、液
晶表示装置を製造する方法を説明する。図1(A)は、
空セルの作製工程を示す図である。ガラス基板1の表面
には、ITO膜2と配向膜(PVC膜)3が形成されて
いる。この基板1を2枚用意し、ギャップコントロール
剤(図示せず)を挟んで、対向配置する。基板間のギャ
ップは、ギャップコントロール剤により5μmに固定さ
れる。Next, a method of manufacturing a liquid crystal display device using the two substrates thus manufactured will be described. Figure 1 (A)
It is a figure which shows the manufacturing process of an empty cell. An ITO film 2 and an alignment film (PVC film) 3 are formed on the surface of the glass substrate 1. Two substrates 1 are prepared, and they are arranged to face each other with a gap control agent (not shown) interposed therebetween. The gap between the substrates is fixed at 5 μm by the gap control agent.
【0032】なお、2枚の基板は、上述の光配向処理の
方向が異なる。一方の基板の配向処理方向は、他方に比
べて、基板面内において90°ずれている。これは、9
0°ねじれたツイストネマチック液晶層を作製するため
である。The two substrates are different in the direction of the above-mentioned photo-alignment treatment. The orientation treatment direction of one of the substrates is deviated by 90 ° in the plane of the substrate as compared with the other. This is 9
This is for producing a twisted nematic liquid crystal layer twisted by 0 °.
【0033】図1(B)は、空セルを高温通電する工程
を示す図である。上記工程により作製した空セルを、高
温槽6に入れる。高温槽6は、ヒータを有し、空セルを
N−I相転移点以上に加熱する。N−I相転移点は、後
の工程で基板間に注入する液晶材料の相転移点である。FIG. 1B is a diagram showing a step of energizing the empty cell at high temperature. The empty cell manufactured by the above process is put in the high temperature tank 6. The high temperature tank 6 has a heater and heats the empty cell to a temperature above the NI phase transition point. The NI phase transition point is a phase transition point of a liquid crystal material to be injected between the substrates in a later step.
【0034】交流電源5は、一対の基板1にそれぞれ形
成されるITO膜2の間に接続される。基板1に画素電
極2を形成する場合(図3)は、全画素に対応する薄膜
トランジスタをオンにし、全画素電極2に電圧を印加す
る。セグメント電極、コモン電極の場合も全電極に通電
する。The AC power source 5 is connected between the ITO films 2 formed on the pair of substrates 1, respectively. When the pixel electrodes 2 are formed on the substrate 1 (FIG. 3), the thin film transistors corresponding to all pixels are turned on and a voltage is applied to all pixel electrodes 2. All segment electrodes and common electrodes are energized.
【0035】空セルに交流電源5を接続し、20V、6
4Hzの方形波交流電圧を基板間に印加する。ここで、
液晶セルのしきい値は1.7Vである。印加電圧値は、
液晶セルのしきい値の10倍程度が好ましい。AC power source 5 is connected to the empty cell, and 20 V, 6
A square wave AC voltage of 4 Hz is applied between the substrates. here,
The threshold value of the liquid crystal cell is 1.7V. The applied voltage value is
It is preferably about 10 times the threshold of the liquid crystal cell.
【0036】図5(C)は、基板間に液晶材料を注入す
る工程を示す図である。空セルを高温槽6に入れたまま
の状態で、カイラル剤を含むフッ素型混合ネマティック
液晶材料(N−I相転移点98℃)7を加熱し、アイソ
トロピック状態で、対向配置した基板間に注入する。基
板間への液晶注入は、真空注入、毛細管注入等の方法に
よって行なえる。液晶注入した後、液晶注入口をシール
材等で封止する。FIG. 5C is a diagram showing a step of injecting a liquid crystal material between the substrates. With the empty cell still in the high temperature tank 6, a fluorine-type mixed nematic liquid crystal material (N-I phase transition point 98 ° C.) 7 containing a chiral agent is heated, and in an isotropic state, between the opposed substrates. inject. The liquid crystal can be injected between the substrates by a method such as vacuum injection or capillary injection. After the liquid crystal is injected, the liquid crystal injection port is sealed with a sealing material or the like.
【0037】図5(D)は、液晶セルを通電冷却する工
程を示す図である。高温状態にある液晶セルを高温槽6
から取り出し、交流電源5により基板間に電界を印加し
たままの状態で、相転移温度以下(例えば室温)まで徐
冷する。液晶材料7は、相転移温度以下まで冷却される
と、アイソトロピック相からネマチック相に相転移す
る。FIG. 5 (D) is a diagram showing a process of electrically cooling the liquid crystal cell. A liquid crystal cell in a high temperature state is placed in a high temperature tank 6
Then, it is gradually cooled to a temperature below the phase transition temperature (for example, room temperature) while the electric field is being applied between the substrates by the AC power supply 5. When the liquid crystal material 7 is cooled to the phase transition temperature or lower, it undergoes a phase transition from an isotropic phase to a nematic phase.
【0038】液晶分子7は、基板1の配向処理方法、か
つ交流電源9による電界に応じて、配向方向が決まる。
電界をかけない場合には、基板の配向処理方法のみによ
って配向方向が決まる。しかし、電界をかけない場合
は、液晶分子7のチルト角は極めて小さい。The alignment direction of the liquid crystal molecules 7 is determined according to the alignment treatment method of the substrate 1 and the electric field from the AC power supply 9.
When no electric field is applied, the orientation direction is determined only by the substrate orientation treatment method. However, when no electric field is applied, the tilt angle of the liquid crystal molecules 7 is extremely small.
【0039】交流電源9により電界をかけながら液晶セ
ルを徐冷すると、液晶分子7は立ち上がった状態で配向
する。この際の液晶分子7のチルト角は、大きいものと
なる。When the liquid crystal cell is gradually cooled while an electric field is applied by the AC power source 9, the liquid crystal molecules 7 are oriented in a standing state. At this time, the tilt angle of the liquid crystal molecules 7 becomes large.
【0040】図6(E)は、電界除去の工程を示す図で
ある。液晶材料7を十分に冷却した後、基板間に接続さ
れていた交流電源9(図5(D))を外し、電界をオフ
にする。電界がオフになると、液晶分子7のチルト角は
小さくなる。ただし、このチルト角は、従来技術(図9
(C))に示したように、電界をかけずに液晶分子を配
向させたときのものより大きい。基板間の液晶分子7
は、適度なプレチルト角を有する均一配向状態となる。FIG. 6E is a diagram showing a process of removing an electric field. After the liquid crystal material 7 is sufficiently cooled, the AC power source 9 (FIG. 5D) connected between the substrates is disconnected to turn off the electric field. When the electric field is turned off, the tilt angle of the liquid crystal molecules 7 becomes smaller. However, this tilt angle is
As shown in (C), it is larger than that when the liquid crystal molecules are aligned without applying an electric field. Liquid crystal molecules between substrates 7
Is in a uniform alignment state having an appropriate pretilt angle.
【0041】基板間の液晶分子7のプレチルト角は、交
流電源9による電界条件および基板1の配向処理方法に
より制御することができる。例えば、基板間に高電圧を
印加するほど、プレチルト角は大きくなる。The pretilt angle of the liquid crystal molecules 7 between the substrates can be controlled by the electric field condition by the AC power source 9 and the method of aligning the substrate 1. For example, the higher the voltage applied between the substrates, the larger the pretilt angle.
【0042】ただし、印加電圧が小さすぎると、プレチ
ルト角はあまり大きくならない。逆に、印加電圧が大き
すぎると、ツイストネマチック液晶層7のツイスト角が
所望のものからずれてしまう。印加電圧は、液晶セルの
しきい値電圧の10倍程度が好ましい。例えば、しきい
値の2〜20倍程度とする。周波数と波形は、種々のも
のを用いることができる。交流でなく、直流でもよい。However, if the applied voltage is too small, the pretilt angle does not become so large. On the contrary, if the applied voltage is too large, the twist angle of the twisted nematic liquid crystal layer 7 deviates from the desired one. The applied voltage is preferably about 10 times the threshold voltage of the liquid crystal cell. For example, it is about 2 to 20 times the threshold value. Various frequencies and waveforms can be used. DC may be used instead of AC.
【0043】なお、図5(C)において、基板間に液晶
材料7を注入する際、液晶材料7はアイソトロピック状
態でなく、ネマチック状態でもよい。その場合、ネマチ
ック状態で基板間に液晶を注入した後、液晶セルを十分
N−I相転移温度よりも高い温度に加熱し、基板間に電
界を加えた状態で、徐冷すればよい。N−I点よりも十
分高い温度に加熱すれば、基板表面に吸着した液晶分子
も自由運動が可能となり、メモリ効果を消滅できる。In FIG. 5C, when the liquid crystal material 7 is injected between the substrates, the liquid crystal material 7 may be in the nematic state instead of the isotropic state. In that case, after injecting liquid crystal between the substrates in a nematic state, the liquid crystal cell may be heated to a temperature sufficiently higher than the NI phase transition temperature, and gradually cooled while an electric field is applied between the substrates. When heated to a temperature sufficiently higher than the NI point, the liquid crystal molecules adsorbed on the substrate surface can also move freely and the memory effect can be eliminated.
【0044】また、基板間に注入する液晶材料に、必ず
しもカイラル剤を添加する必要はない。さらに、ツイス
トネマチック液晶層のツイスト角は、90°より大きく
ても小さくてもよい。スーパーツイストネマチック液晶
層を形成するようにしてもよい。Further, it is not always necessary to add a chiral agent to the liquid crystal material injected between the substrates. Furthermore, the twist angle of the twisted nematic liquid crystal layer may be larger or smaller than 90 °. You may make it form a super twist nematic liquid crystal layer.
【0045】図7は、図1(B)の電界印加を行う代わ
りに、磁界印加を行う工程を示す。一対の基板1間に、
磁界Hをかける。磁界は、例えばコイルに電流を流すこ
とにより発生させることができる。基板間に磁界をかけ
た状態で、空セルを高温槽6の中に配置する。その後、
前述と同様に、液晶材料を基板間に注入し、冷却し、そ
の後磁界を0にすれば、プレチルト角の大きな液晶分子
が基板間で配向する。FIG. 7 shows a step of applying a magnetic field instead of applying the electric field of FIG. Between the pair of substrates 1,
Apply a magnetic field H. The magnetic field can be generated, for example, by passing a current through the coil. An empty cell is placed in the high temperature bath 6 in a state where a magnetic field is applied between the substrates. afterwards,
Similarly to the above, if a liquid crystal material is injected between the substrates, cooled, and then the magnetic field is set to 0, liquid crystal molecules having a large pretilt angle are aligned between the substrates.
【0046】磁界についても、電界と同様に、種々のパ
ラメータを用いることができる。磁界を用いた場合に
は、さらに、磁界を印加する角度を任意に制御すること
ができるので、磁界の印加角度によりプレチルト角を調
整することができる。磁界の大きさは液晶セルのしきい
値磁界の10倍程度、磁界の方向は基板法線方向に対し
て0°〜45°の範囲が好ましい。As with the electric field, various parameters can be used for the magnetic field. When a magnetic field is used, the angle at which the magnetic field is applied can be further controlled arbitrarily, so that the pretilt angle can be adjusted by the application angle of the magnetic field. The magnitude of the magnetic field is preferably about 10 times the threshold magnetic field of the liquid crystal cell, and the direction of the magnetic field is preferably in the range of 0 ° to 45 ° with respect to the substrate normal direction.
【0047】以上は、配向膜3としてPVC膜を用い、
光配向処理を行う場合について述べたが、その他の配向
膜を用いて、それに応じた配向処理を行ってもよい。例
えば、ラビングポリイミド膜、斜方蒸着膜、ラングミュ
ア・ブロジェット(LB)膜、SiO2 膜、延伸高分子
膜等を用いて配向構造を作製してもよい。In the above, a PVC film is used as the alignment film 3,
Although the case of performing the photo-alignment treatment has been described, other alignment films may be used to perform the alignment treatment in accordance therewith. For example, a rubbing polyimide film, an oblique deposition film, a Langmuir-Blodgett (LB) film, a SiO 2 film, a stretched polymer film, or the like may be used to form the alignment structure.
【0048】配向処理は、必ずしも一対の基板の両方に
行う必要はない。片方の基板のみに、配向処理を行った
場合でも、液晶分子を均一配向状態にすることができ
る。また、液晶分子を均一配向する場合について述べた
が、液晶分子を分割配向することもできる。The alignment treatment does not necessarily have to be performed on both the pair of substrates. Even when only one of the substrates is subjected to the alignment treatment, the liquid crystal molecules can be uniformly aligned. Further, although the case where the liquid crystal molecules are uniformly aligned has been described, the liquid crystal molecules can be divided and aligned.
【0049】図8は、分割配向の基板を作製する方法を
示す。代表例として、図8(C)に示すような2分割配
向の場合を例にとって説明する。液晶表示装置LCDは
行列状に配置された多数の画素PXを含む。各画素PX
は、たとえば正方形等の矩形であり、配向方向が逆の2
つのサブ画素領域PXa、PXbからなる。FIG. 8 shows a method for producing a substrate having a divided orientation. As a typical example, a case of a two-divided orientation as shown in FIG. 8C will be described as an example. The liquid crystal display device LCD includes a large number of pixels PX arranged in a matrix. Each pixel PX
Is, for example, a rectangle such as a square.
It consists of one sub-pixel area PXa, PXb.
【0050】図8(A)と図8(B)は、基板を作製す
る工程を示す。まず、前述と同様に、ガラス基板1の上
にITO膜2および配向膜3を形成する。ただし、配向
膜3は、例えばポリイミド膜である。以下、配向処理と
して、ラビング処理を例にとって説明するが、その他の
配向処理を採用することもできる。FIG. 8A and FIG. 8B show a process of manufacturing a substrate. First, similarly to the above, the ITO film 2 and the alignment film 3 are formed on the glass substrate 1. However, the alignment film 3 is, for example, a polyimide film. Hereinafter, as the alignment treatment, a rubbing treatment will be described as an example, but other alignment treatments can also be adopted.
【0051】次に、配向膜3の上に一方のサブ画素領域
PXaを覆い、他方のサブ画素領域PXbを露出するフ
ォトレジストパターンMK1を形成する。フォトレジス
トパターンMK1は、一般的なフォトレジスト、たとえ
ば東京応化製OFPR800をスピンコートやロールコ
ートで基板上に塗布し、露光、現像により不要領域を除
去して形成する。Next, a photoresist pattern MK1 is formed on the alignment film 3 so as to cover one sub-pixel region PXa and expose the other sub-pixel region PXb. The photoresist pattern MK1 is formed by applying a general photoresist, for example, OFPR800 manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd., onto the substrate by spin coating or roll coating, and removing unnecessary regions by exposure and development.
【0052】まず、図8(A)で示すように、ラビング
ローラRRを矢印R1の方向(時計回り方向)に回転し
ながらフォトレジスト膜MK1が形成された基板1上を
擦り、ラビングローラRRと基板1を相対的に矢印T1
の方向に移動させ、配向膜3にラビング処理を行なう。
このラビング工程により、フォトレジスト膜MK1で覆
われず、配向膜3の露出した領域のみが図の右から左に
向かう方向を配向方向としてラビングされる。First, as shown in FIG. 8A, the rubbing roller RR is rubbed on the substrate 1 on which the photoresist film MK1 is formed while rotating the rubbing roller RR in the direction of arrow R1 (clockwise direction). Substrate 1 relative to arrow T1
Then, the alignment film 3 is rubbed.
By this rubbing process, only the exposed region of the alignment film 3 which is not covered with the photoresist film MK1 is rubbed with the direction from right to left in the drawing as the alignment direction.
【0053】次に、図8(A)のフォトレジスト膜MK
1を除去して、新たなフォトレジスト膜を塗布する。図
8(B)に示すようにすでにラビングを行ったサブ画素
領域PXbを覆い、他のサブ画素領域PXaを露出する
ようにフォトレジスト膜をパターニングしてフォトレジ
ストパターンMK2を形成する。Next, the photoresist film MK of FIG.
1 is removed and a new photoresist film is applied. As shown in FIG. 8B, the photoresist film is patterned so as to cover the already rubbed sub-pixel region PXb and expose the other sub-pixel regions PXa to form a photoresist pattern MK2.
【0054】今度はラビングローラRRを矢印R2で示
す逆方向(反時計回り方向)に回転しながら基板1上を
擦り、基板1とラビングローラRRとを矢印T2で示す
方向に相対的に移動させ、配向膜3を擦って行く。図8
(B)のラビング工程では、フォトレジストパターンM
K2に覆われず、配向膜3の露出した領域のみが図の左
から右に向かう方向を配向方向としてラビングされる。This time, the rubbing roller RR is rubbed on the substrate 1 while rotating in the opposite direction (counterclockwise direction) indicated by the arrow R2, and the substrate 1 and the rubbing roller RR are relatively moved in the direction indicated by the arrow T2. Then, the alignment film 3 is rubbed. FIG.
In the rubbing step (B), the photoresist pattern M
Only the exposed region of the alignment film 3 which is not covered with K2 is rubbed with the direction from left to right in the drawing as the alignment direction.
【0055】配向膜3上のフォトレジストパターンMK
2を除去すると、基板1上には図8(C)に示すような
配向方向が互いに逆向きの2分割サブ画素領域PXa,
PXbに対応する配向処理した配向膜3ができる。これ
で分割配向のための基板が完成する。Photoresist pattern MK on alignment film 3
When 2 is removed, the two-divided sub-pixel regions PXa whose orientation directions are opposite to each other on the substrate 1 as shown in FIG.
An alignment film 3 having an alignment treatment corresponding to PXb is formed. This completes the substrate for split orientation.
【0056】なお、配向方向が互いに異なる2つのサブ
画素領域が配向処理の不要な領域で仕切られて互いに離
れて配置されるパターンの場合には、配向処理の不要な
領域をフォトレジストパターンで覆い、サブ画素領域毎
にラビングローラRRの回転方向を制御するだけで配向
方向を変化することも可能である。この場合は、フォト
レジストパターンの形成は1回で済む。In the case of a pattern in which two sub-pixel regions having different alignment directions are separated from each other by a region that does not require alignment treatment and are spaced apart from each other, the region that does not require alignment treatment is covered with a photoresist pattern. It is also possible to change the orientation direction only by controlling the rotation direction of the rubbing roller RR for each sub-pixel area. In this case, the photoresist pattern need only be formed once.
【0057】また、ラビングローラRRによるラビング
領域の位置制御精度がかなり高ければ、フォトレジスト
パターンを用いずに、ラビングローラRRの位置制御に
よって、直接分割配向処理を行なうことも可能である。
もちろん、ラビングローラRR以外の手段で配向膜3を
擦ってラビング処理をしてもかまわない。Further, if the position control accuracy of the rubbing area by the rubbing roller RR is considerably high, it is possible to directly perform the split orientation process by controlling the position of the rubbing roller RR without using the photoresist pattern.
Of course, the rubbing treatment may be performed by rubbing the alignment film 3 by means other than the rubbing roller RR.
【0058】図8(D)に示すような4分割配向等、2
分割配向に限らず、それ以上の多分割配向を行なった
り、ラビング以外の配向処理方法を用いて基板の配向構
造を作製してもよい。A 4-divisional orientation such as shown in FIG.
It is not limited to the divisional alignment, and more multi-divided alignment may be performed, or the alignment structure of the substrate may be produced by using an alignment treatment method other than rubbing.
【0059】[0059]
【実施例】図1(A)から図6(E)に示した工程に従
い、光偏光記憶膜で配向構造を作成し、カイラル剤を含
むフッ素型混合液晶材料を用いた液晶表示装置を作製し
た。分割配向処理は行っていない。作製した液晶セルの
表面を、偏光顕微鏡にて観察した。基板間の液晶分子
は、均一な配向状態として観察された。液晶セルをオン
状態にし、偏光顕微鏡で液晶セルを観察した結果、リバ
ースチルトディスクリネーションラインは発見されず、
きれいな表示画面が得られた。これは、同時に、大きな
プレチルト角が得られたことをも示す。EXAMPLE An alignment structure was formed with a light polarization memory film according to the steps shown in FIGS. 1A to 6E, and a liquid crystal display device using a fluorine-type mixed liquid crystal material containing a chiral agent was manufactured. . No divisional alignment treatment was performed. The surface of the produced liquid crystal cell was observed with a polarization microscope. The liquid crystal molecules between the substrates were observed as a uniform alignment state. As a result of observing the liquid crystal cell with a polarization microscope after turning on the liquid crystal cell, no reverse tilt disclination line was found,
A beautiful display screen was obtained. This also indicates that a large pretilt angle was obtained at the same time.
【0060】次に、カイラル剤を含まないフッ素型混合
液晶材料を用いて、5μmのアンチパラレル液晶表示装
置を作製した。この液晶セルについて、プレチルト角を
クリスタルローテーション法により測定した。その結
果、0.6〜1.6°の大きなプレチルト角が測定され
た。Next, an anti-parallel liquid crystal display device of 5 μm was prepared by using a fluorine-type mixed liquid crystal material containing no chiral agent. The pretilt angle of this liquid crystal cell was measured by the crystal rotation method. As a result, a large pretilt angle of 0.6 to 1.6 ° was measured.
【0061】これに対し、電界を与えずに液晶材料を注
入し相転移させた場合には、プレチルト角が0.1〜
0.3°程度しか得られなかった。さらに、この液晶セ
ルをオンにして観察すると、液晶セルをオンにした直後
は、多数のリバースチルトディスクリネーションライン
が発生してしまった。On the other hand, when the liquid crystal material is injected and the phase transition is performed without applying an electric field, the pretilt angle is 0.1 to 0.1.
Only about 0.3 ° was obtained. Further, when this liquid crystal cell was turned on and observed, many reverse tilt disclination lines were generated immediately after the liquid crystal cell was turned on.
【0062】最適なプレチルト角は、ツイストネマチッ
ク液晶層の場合約1〜3°であり、スーパーツイストネ
マチック液晶層の場合約4〜10°である。本測定で用
いたクリスタルローテーション法とは、直交ニコルの偏
向子間に45°方位で液晶セルを配置し、基板面内に軸
を置き液晶セルを回転させたときの透過光強度の変化に
より、プレチルト角を測定する方法である。The optimum pretilt angle is about 1 to 3 ° for the twisted nematic liquid crystal layer and about 4 to 10 ° for the super twisted nematic liquid crystal layer. The crystal rotation method used in this measurement is that the liquid crystal cell is arranged at a 45 ° azimuth between the deflectors of the orthogonal Nicols, and the transmitted light intensity changes when the liquid crystal cell is rotated by placing the axis in the substrate plane. This is a method of measuring the pretilt angle.
【0063】以上のように、基板間に液晶材料を注入す
る際、基板間に電界または磁界を加え、液晶材料をアイ
ソトロピック相からネマチック相に相転移させることに
より、プレチルト角を増大させることができる。具体的
には、印加電圧、印加磁界強度、および磁界の印加角度
によりプレチルト角が決まる。As described above, when the liquid crystal material is injected between the substrates, an electric field or magnetic field is applied between the substrates to cause the liquid crystal material to undergo a phase transition from the isotropic phase to the nematic phase, thereby increasing the pretilt angle. it can. Specifically, the pretilt angle is determined by the applied voltage, the applied magnetic field strength, and the applied angle of the magnetic field.
【0064】また、光配向処理のように、ラビング配向
処理に比べ大きなプレチルト角を得にくい配向処理であ
っても、電界または磁界を制御することにより、大きな
プレチルト角を得ることができる。ラビング配向処理を
行う場合に適用すれば、より大きなプレチルト角を付与
することができる。Further, even in an alignment process such as a photo-alignment process in which it is difficult to obtain a large pretilt angle as compared with the rubbing alignment process, a large pretilt angle can be obtained by controlling the electric field or magnetic field. A larger pretilt angle can be imparted by applying it when performing rubbing alignment treatment.
【0065】本実施例によれば、大きなプレチルト角を
持つ液晶セルを作製することができるので、液晶分子の
立ち上がり方向が一意的に決まり、均一な表示を行うこ
とができる。大きなプレチルト角を付与することによ
り、液晶セルへの印加電圧が急激に変化しても、リバー
スチルトディスクリネーションラインが発生しないの
で、表示品位が向上する。According to this embodiment, since a liquid crystal cell having a large pretilt angle can be manufactured, the rising direction of liquid crystal molecules is uniquely determined, and uniform display can be performed. By providing a large pretilt angle, the reverse tilt disclination line does not occur even when the voltage applied to the liquid crystal cell changes abruptly, so that the display quality is improved.
【0066】光配向処理等を用いれば、ラビング配向処
理を行う必要がないので、TFT(薄膜トランジスタ)
やMIM(metal insulator metal diode )等のアクテ
ィブ素子に、ラビングによる静電ダメージを与えずに、
LCDを作製することができる。静電気による特性劣化
や絶縁破壊を防止し、LCDの表示品位の低下を防止す
ることができる。If photo-alignment treatment or the like is used, it is not necessary to perform rubbing alignment treatment, so that TFT (thin film transistor)
And active elements such as MIM (metal insulator metal diode) without electrostatic damage due to rubbing.
LCDs can be made. It is possible to prevent characteristic deterioration and dielectric breakdown due to static electricity, and prevent deterioration of the display quality of the LCD.
【0067】多分割配向のLCDは、優れた視覚特性を
有し、高品位な表示を行うことができる。特に、4分割
以上の分割配向LCDは、いずれの方向から見ても、視
覚特性が同じである。The LCD of multi-divided orientation has excellent visual characteristics and can perform high-quality display. In particular, a split-orientation LCD with four or more splits has the same visual characteristics when viewed from any direction.
【0068】以上説明した実施例の構成、材料等はあく
までも例示であって、本発明はこれに限るものではな
く、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能であること
は当業者にとって自明であろう。It is obvious to those skilled in the art that the configurations, materials and the like of the embodiments described above are merely examples, and the present invention is not limited to these and various modifications, improvements and combinations can be made. Let's do it.
【0069】[0069]
【発明の効果】本発明によれば、基板間に電界または磁
界を印加した状態で、基板間の液晶材料を等方相から液
晶相に相転移させることにより、大きなプレチルト角を
持つ液晶表示装置を製造することができる。プレチルト
角を大きくすることにより、表示画面上においてリバー
スチルトディスクリネーションラインの発生を抑えるこ
とができ、表示品位を向上させることができる。According to the present invention, a liquid crystal display device having a large pretilt angle is obtained by causing a liquid crystal material between substrates to undergo a phase transition from an isotropic phase to a liquid crystal phase in a state where an electric field or a magnetic field is applied between the substrates. Can be manufactured. By increasing the pretilt angle, the occurrence of reverse tilt disclination lines on the display screen can be suppressed, and the display quality can be improved.
【図1】図1(A)は空セルの作製工程を示す空セルの
断面図であり、図1(B)は空セルを高温通電する工程
を示す空セルの断面図である。FIG. 1A is a cross-sectional view of an empty cell showing a manufacturing process of the empty cell, and FIG. 1B is a sectional view of the empty cell showing a process of energizing the empty cell at a high temperature.
【図2】基板の作製工程を説明するための基板断面図で
ある。FIG. 2 is a cross-sectional view of a substrate for explaining a manufacturing process of the substrate.
【図3】画素電極を有する基板の構成例を示す基板断面
図である。FIG. 3 is a substrate cross-sectional view showing a configuration example of a substrate having a pixel electrode.
【図4】光配向処理工程を示す。図4(A)は第1光照
射工程、図4(B)は第2光照射工程、図4(C)は液
晶分子の配向方向を説明するための図である。FIG. 4 shows a photo-alignment treatment process. FIG. 4 (A) is a first light irradiation step, FIG. 4 (B) is a second light irradiation step, and FIG. 4 (C) is a diagram for explaining the alignment direction of liquid crystal molecules.
【図5】図5(C)は基板間に液晶材料を注入する工程
を示す断面図であり、図5(D)は液晶セルを通電冷却
する工程を示す断面図である。5 (C) is a sectional view showing a step of injecting a liquid crystal material between the substrates, and FIG. 5 (D) is a sectional view showing a step of electrically cooling the liquid crystal cell.
【図6】図6(E)は電界除去の工程を示す断面図であ
る。FIG. 6E is a cross-sectional view showing a step of removing an electric field.
【図7】本発明の他の実施例による液晶表示装置の製造
方法を説明する断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating a method of manufacturing a liquid crystal display device according to another embodiment of the present invention.
【図8】本発明の実施例による2分割配向の基板を製作
する工程を説明するための断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view illustrating a process of manufacturing a substrate having a two-divided orientation according to an embodiment of the present invention.
【図9】従来技術による液晶表示装置の製造工程を示
す。図9(A)は空セルの作製工程、図9(B)は液晶
注入工程、図9(C)は冷却工程を説明するための断面
図である。FIG. 9 shows a manufacturing process of a conventional liquid crystal display device. 9A is a cross-sectional view for explaining the empty cell manufacturing process, FIG. 9B is a liquid crystal injection process, and FIG. 9C is a cooling process.
1,51 基板 2 ITO膜 3,53 配向膜 5 交流電源 6 高温槽 7,57 液晶材料 RR ラビングローラ MK フォトレジスト 1,51 Substrate 2 ITO film 3,53 Alignment film 5 AC power supply 6 High temperature tank 7,57 Liquid crystal material RR Rubbing roller MK Photoresist
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 安藤 潔 神奈川県横浜市青葉区荏田西1−3−1 スタンレー電気株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Kiyoshi Ando 1-3-1 Eda Nishi, Aoba-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Stanley Electric Co., Ltd.
Claims (8)
した一対の基板を用意する工程と、 前記一対の基板を対向配置して基板間に液晶材料を注入
する工程と、 前記基板間に電界を印加した状態で、基板間の液晶材料
を等方相から液晶相に相転移させる工程とを含む液晶表
示装置の製造方法。1. A step of preparing a pair of substrates, at least one of which has been subjected to an alignment treatment, a step of disposing the pair of substrates so as to face each other and injecting a liquid crystal material between the substrates, and an electric field between the substrates. A step of causing a liquid crystal material between the substrates to undergo a phase transition from an isotropic phase to a liquid crystal phase in the applied state.
した一対の基板を用意する工程と、 前記一対の基板を対向配置して基板間に液晶材料を注入
する工程と、 前記基板間に磁界を印加した状態で、基板間の液晶材料
を等方相から液晶相に相転移させる工程とを含む液晶表
示装置の製造方法。2. A step of preparing a pair of substrates, at least one of which has been subjected to an alignment treatment, a step of disposing the pair of substrates so as to face each other and injecting a liquid crystal material between the substrates, and applying a magnetic field between the substrates. A step of causing a liquid crystal material between the substrates to undergo a phase transition from an isotropic phase to a liquid crystal phase in the applied state.
対の基板のうちいずれか一方の基板表面に光偏光記憶膜
を形成し、該光偏光記憶膜に対して配向処理を施す工程
を含む請求項1または2記載の液晶表示装置の製造方
法。3. The step of preparing the pair of substrates comprises a step of forming an optical polarization storage film on the surface of one of the pair of substrates and subjecting the optical polarization storage film to an alignment treatment. The method for manufacturing a liquid crystal display device according to claim 1 or 2, further comprising:
形成された光偏光記憶膜に照射方向を変えて2回以上偏
光を照射する工程である請求項3記載の液晶表示装置の
製造方法。4. The method of manufacturing a liquid crystal display device according to claim 3, wherein the step of performing the alignment treatment is a step of irradiating the optical polarization storage film formed on the substrate surface with polarized light twice or more by changing the irradiation direction. .
工程において、該光偏光記憶膜は、ポリビニルシンナメ
ート膜である請求項3または4記載の液晶表示装置の製
造方法。5. The method for manufacturing a liquid crystal display device according to claim 3, wherein in the step of forming a light polarization storage film on the surface of the substrate, the light polarization storage film is a polyvinyl cinnamate film.
おいて、該液晶材料はカイラル剤を含む請求項1〜5の
いずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。6. The method for manufacturing a liquid crystal display device according to claim 1, wherein in the step of injecting a liquid crystal material between the substrates, the liquid crystal material contains a chiral agent.
の異なる配向方向の領域を形成する工程である請求項1
〜6のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。7. The step of subjecting the substrate to an alignment treatment is a step of forming a plurality of regions having different alignment directions.
7. The method for manufacturing a liquid crystal display device according to any one of 6 to 6.
ス基板上に透明導電膜および配向膜を形成する工程を含
む請求項1、3〜7のいずれかに記載の液晶表示装置の
製造方法。8. The method of manufacturing a liquid crystal display device according to claim 1, wherein the step of preparing the pair of substrates includes a step of forming a transparent conductive film and an alignment film on a glass substrate. .
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21361095A JPH0961826A (en) | 1995-08-22 | 1995-08-22 | Production of liquid crystal display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21361095A JPH0961826A (en) | 1995-08-22 | 1995-08-22 | Production of liquid crystal display device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0961826A true JPH0961826A (en) | 1997-03-07 |
Family
ID=16642038
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21361095A Withdrawn JPH0961826A (en) | 1995-08-22 | 1995-08-22 | Production of liquid crystal display device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0961826A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6417714A (en) * | 1987-07-01 | 1989-01-20 | Coors Co Adolph | Vessel conveyor |
JPH09197407A (en) * | 1996-01-12 | 1997-07-31 | Nec Corp | Liquid crystal display device and its production |
-
1995
- 1995-08-22 JP JP21361095A patent/JPH0961826A/en not_active Withdrawn
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS6417714A (en) * | 1987-07-01 | 1989-01-20 | Coors Co Adolph | Vessel conveyor |
JPH09197407A (en) * | 1996-01-12 | 1997-07-31 | Nec Corp | Liquid crystal display device and its production |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20021105 |