JPH0953018A - フタロシアニン誘導体及び該誘導体を使用した光学記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】日光などの光に強く、溶媒に対する溶解性も高
く、塗布により記録層を形成しやすい新規なフタロシア
ニン誘導体の提供にあり、また、該フタロシアニン誘導
体を使用した記録感度の高い光学記録媒体を提供するこ
とにある。 【解決手段】下記の一般式［Ｉ］で示されるフタロシア
ニン誘導体、および基板と該フタロシアニン誘導体を使
用した記録層よりなる光学記録媒体。 【化１】 （式中、ｎ1 〜ｎ4 、ｍ1 〜ｍ4 は、それぞれ０〜３の
整数、Ａはハロゲン又は酸素原子が結合していてもよい
金属原子、Ｘ、Ｙはそれぞれ置換基を有していてもよい
炭素数４〜８の脂肪族炭化水素の環、Ｚは置換基を有し
ていてもよい炭素数０〜６の炭化水素鎖を表わす。）

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、新規なフタロシア
ニン誘導体及び該誘導体を使用した光学記録媒体に関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】レーザー、特に半導体レーザーを使用す
る光学記録媒体は、高密度の情報記録保存およびその再
生を可能とするため、近年、特に開発が望まれている技
術である。かかる光学記録の一例としては光ディスクを
挙げることが出来る。一般に光ディスクは、円形の基体
に設けられた薄い記録層に、１μｍ程度に収束したレー
ザー光を照射し、高密度の情報記録を行なうものであ
る。

【０００３】最近光ディスクの中でも注目を集めている
ものに、書き込み型コンパクトディスク（ＣＤ Ｗｒｉ
ｔｅ Ｏｎｃｅ ディスク）がある。このディスクはコ
ンパクトディスクと同じ形状のディスクである。ユーザ
ーは、記録装置を使用して音楽や情報を１回だけ記録す
ることが可能であり、記録した音楽や情報の再製は、既
存のＣＤプレーヤーやＣＤ ＲＯＭドライブを使用して
行なうことが可能である。

【０００４】このディスクは、通常、案内溝を有するプ
ラスチック基板上に色素を主成分とする記録層、金属反
射膜、保護膜を順次積層することにより構成される。情
報の記録は、レーザー光（通常は波長７８０ｎｍ）の照
射により、その箇所における記録層、反射層または基板
の分解、蒸発、融解などの熱的な変化により生成し、そ
して記録された情報の再生は、レーザー光により変化が
起きている部分と起きていない部分との反射率の差を読
み取ることにより行なう。

【０００５】したがって、記録体としては、記録に使用
するレーザー光に対する記録感度が高いこと、再生に使
用するレーザー光に対する反射率が記録部では低く、未
記録部では高いことが重要である。コンパクトディスク
プレーヤーで再生を行うためには、再生に使用するレー
ザー光（通常７８０ｎｍ）に対する未記録部の反射率は
６５％以上、記録部の反射率は４５％以下とすることが
必要である。

【０００６】この様なＣＤ Ｗｒｉｔｅ Ｏｎｃｅ デ
ィスクの記録層に使用する色素としては、従来シアニン
系色素を使用したものが提案されてきたが、シアニン系
色素を使用したものは日光やその他の光に弱いという欠
点を有していた。その他、有機色素を使用した光学記録
媒体としては、スクアリリウム系色素、ナフトキノン系
色素、フタロシアニン系色素、ナフタロシアニン系色素
などを使用したものが提案されている。

【０００７】上記のような色素のうち、フタロシアニン
系色素、ナフタロシアニン系色素は、一般に耐候性が優
れているので好ましいが、ベンゼン環、ナフタレン環に
置換基を有していないものは、溶媒に対する溶解度が極
めて低いため、塗布により記録層を形成することが出来
ないという問題点を有している。

【０００８】一方、特願平６−０８１７４２号におい
て、本発明者らはフタロシアニン系色素において、ベン
ゼン環にテトラヒドロフルフリルオキシ基などを導入す
ることを提案した。しかしながらこれらのフタロシアニ
ン誘導体は、ＣＤ ＷｒｉｔｅＯｎｃｅ ディスクの記
録層用色素として使用したときに記録感度が低いと言う
問題点を有している。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の実情
に鑑みなされたものであり、その目的は、日光などの光
に強く、溶媒に対する溶解性も高く、塗布により記録層
を形成しやすい新規なフタロシアニン誘導体の提供にあ
り、本発明の他の目的は、該フタロシアニン誘導体を使
用した記録感度の高い光学記録媒体を提供することにあ
る。

【００１０】

【課題を解決するための手段】すなわち、本発明の第１
の要旨は、下記の一般式［Ｉ］で示されるフタロシアニ
ン誘導体に存し、第２の要旨は、基板と記録層からな
り、該記録層が前記のフタロシアニン誘導体を使用した
光学記録媒体に存する。

【００１１】

【化２】

【００１２】（式中、ｎ1 〜ｎ4 、ｍ1 〜ｍ4 は、それ
ぞれ独立に０から３の整数を、Ａはハロゲン原子又は酸
素原子が結合していてもよい金属原子を表し、Ｘ、Ｙは
それぞれ置換基を有していてもよい炭素数４〜８の脂肪
族炭化水素の環を表し、Ｚは置換基を有していてもよい
炭素数０から６の炭化水素鎖を表す。）

【００１３】

【発明の実施の形態】本発明のフタロシアニン化合物に
おける置換基としては各種の化合物を使用することが出
来るが、ボルネオール、イソピノカンフェオールなどの
双環モノテルペノイド系アルコールから誘導されるもの
やアダマンタン誘導体がその代表的なものである。置換
基としては例えば下記のものが挙げられる。なお本発明
において、以下Ｍｅはメチル基を示す。

【００１４】

【化３】

【００１５】

【化４】

【００１６】かかる本発明のフタロシアニン誘導体は、
いずれも６００〜８００ｎｍ付近の近赤外領域に吸収を
有し、耐光性、耐熱性が良好で、後述する様に光学記録
媒体の光吸収物質として非常に有用である。なかでも下
記の一般式［ＩＩ］、一般式［ＩＩＩ］に示されるフタ
ロシアニン誘導体が特に好ましい。

【００１７】また、前記の一般式［Ｉ］で示されるフタ
ロシアニン誘導体をハロゲン化することにより一般式
［ＩＶ］に示すフタロシアニン誘導体を得ることができ
る。一般式［ＩＶ］に示す化合物に導入するハロゲン原
子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素など各種のも
のを用いることができるが安定性、反応性の点から臭素
が最も好ましく、導入するハロゲン原子の数は平均で３
〜４が好ましい。臭素化されて得られる本発明のフタロ
シアニン誘導体としては、下記一般式［Ｖ］又は［Ｖ
Ｉ］で示されるものが特に好ましい。

【００１８】

【化５】

【００１９】（式中、ＭはＰｄ又はＣｕを表し、Ｄ、Ｅ
のいずれか１つが水素原子を、他の１つが前記の［化
３］で表される置換基（ｆ）を表す。）

【００２０】

【化６】

【００２１】（式中、ＭはＰｄ又はＣｕを表し、Ｄ、Ｅ
のいずれか１つが水素原子を、他の１つが前記の［化
３］で表される置換基（ｅ）を表す。）

【００２２】

【化７】

【００２３】（式中、ｎ1 〜ｎ4 、ｍ1 〜ｍ4 は、それ
ぞれ独立に０から３の整数を、Ａはハロゲン原子又は酸
素原子が結合していてもよい金属原子を表し、Ｘ，Ｙは
それぞれ置換基を有していてもよい炭素数４〜８の脂肪
族炭化水素の環を表し、Ｚは置換基を有してもよい炭素
数０から６の炭化水素鎖を表し、Ｇはハロゲン原子をｌ
は１から６の整数を表す。）

【００２４】

【化８】

【００２５】（式中、ＭはＰｄ又はＣｕを表し、Ｄ、Ｅ
のいずれか１つが水素原子を、他の１つが前記の［化
３］で表される置換基（ｆ）を表し、ｌは１から５の整
数を表す。）

【００２６】

【化９】

【００２７】（式中、ＭはＰｄ又はＣｕを表し、Ｄ、Ｅ
のいずれか１つが水素原子を、他の１つが前記の［化
３］で表される置換基（ｅ）を表し、ｌは１から５の整
数を表す。）

【００２８】また、本発明の光学記録媒体は、光吸収物
質として本発明のフタロシアニン誘導体を使用すること
によって、前記した様な従来の光学記録媒体の有する課
題を解決してその機能を発展させたものである。

【００２９】本発明の前記の一般式［Ｉ］で示されるフ
タロシアニン誘導体の製造方法は、下記の一般式［ＶＩ
Ｉ］で示されるフタロニトリル誘導体と、金属もしくは
金属化合物をキノリン又はクロロナフタレン溶媒中で１
〜５時間程度、１５０〜２５０℃に加熱するか、又は、
ＤＢＵ（１，８−ジアザビシクロ〔５．４．０〕−７−
ウンデセン）の様な塩基性の触媒とともにｎ−ペンタノ
ール、ｎ−ヘキサノールの様な高沸点のアルコールと１
〜２０時間程度、７０〜１２０℃に加熱することによっ
て合成することが出来る。

【００３０】

【化１０】

【００３１】（式中、ｎ、ｍは、それぞれ独立に０から
３の整数を、Ａはハロゲン原子又は酸素原子が結合して
いてもよい金属原子を表し、Ｘ、Ｙはそれぞれ置換基を
有していてもよい炭素数４〜８の脂肪族炭化水素の環を
表し、Ｚは置換基を有していてもよい炭素数０から６の
炭化水素鎖を表す。）

【００３２】本発明の製造方法で使用される金属、金属
化合物としては、ＩＢ族、ＩＩＡ族、ＩＩＢ族、ＩＩＩ
Ａ族、ＩＶＡ族、ＩＶＢ族、ＶＢ族、ＶＩＢ族、ＶＩＩ
Ｉ族の各種のものを使用することが出来るが、合成のし
やすさ、得られた化合物の性能からみて、銅、マグネシ
ウム、亜鉛、チタン、アルミニウム、インジウム、錫、
鉛、バナジウム、クロム、鉄、コバルト、ニッケル、ル
テニウム、パラジウム及びこれらの酸化物、ハロゲン化
物、酢酸塩などが好ましく、マグネシウム、亜鉛、銅の
ハロゲン化物が特に好ましい。

【００３３】また、本発明の前記の一般式［Ｉ］で示さ
れるフタロシアニン誘導体の他の製造方法は、下記の一
般式［ＶＩＩＩ］で示されるフタル酸誘導体と、金属も
しくは金属化合物とを、尿素の存在下、キノリン又はク
ロロナフタレン溶媒中で、１〜５時間程度、１５０〜２
５０℃に加熱することによって合成することが出来る。

【００３４】

【化１１】

【００３５】（式中、ｎ、ｍは、それぞれ独立に０から
３の整数を、Ａはハロゲン原子又は酸素原子が結合して
いてもよい金属原子を表し、Ｘ、Ｙはそれぞれ置換基を
有していてもよい炭素数４〜８の脂肪族炭化水素の環を
表し、Ｚは置換基を有していてもよい炭素数０から６の
炭化水素鎖を表す。）

【００３６】本発明の他の製造方法で使用される金属、
金属化合物としては、ＩＢ族、ＩＩＡ族、ＩＩＢ族、Ｉ
ＩＩＡ族、ＩＶＡ族、ＶＢ族、ＶＩＢ族、ＶＩＩＩ族な
どの各種のものを使用することが出来るが、マグネシウ
ム、亜鉛、バナジウム、ニッケル、コバルト及び銅の酸
化物またはハロゲン化物、酢酸塩が好ましい。更に、ニ
ッケル、コバルト及び銅のハロゲン化物を使用する場合
には、触媒として少量のモリブデン酸アンモニウムを加
えると収率が増大するので好ましい。

【００３７】一般式 一般式［ＩＶ］に示す化合物は、
一般式［Ｉ］に示す化合物をハロゲン化することにより
得られる。ハロゲン化の方法としては、有機溶媒等に一
般式［Ｉ］に示す化合物を溶解させ塩素化であれば塩素
ガス、塩化スルフリルなど塩素化試薬を加える。臭素化
であれば臭素、Ｎ−ブロモコハク酸イミド等の臭素化試
薬を加える。ヨウ素化であればヨウ素−過ヨウ素酸、次
亜ヨウ素酸などのヨウ素化試薬を用いるなど各種の公知
の手法を用いることができる。

【００３８】なかでも、トリクロロエタン、テトラクロ
ロエタン等の塩素系溶媒と臭素を用いる方法は、生成物
の分離が比較的容易な点で好ましい。ジメチルホルムア
ミド又はＮ−メチル−２−ピロリドンを溶媒として用
い、Ｎ−ブロモコハク酸イミドを臭素化試薬として用い
る方法は、取扱が容易な点で好ましい。

【００３９】本発明で使用される光学記録媒体は、基本
的には基板と記録層とから構成されているが、更に、必
要に応じて基板上に下引き層を、また記録層上に反射層
及び／又は保護層を設けることが出来る。

【００４０】本発明で使用される基板としては、使用す
るレーザー光に対して透明または不透明のいずれであっ
てもよい。基板の材質としては、ガラス、プラスチッ
ク、紙、板状または箔状の金属などの、一般にこの種の
記録媒体用の支持体が使用できるが、種々の点からみて
プラスチックが好ましい。プラスチックとしては、例え
ば、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、酢酸ビニル樹脂、
塩化ビニル樹脂、ニトロセルロース、ポリエチレン樹
脂、ポリプロピレン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリ
イミド樹脂、ポリサルホン樹脂などが挙げられる。

【００４１】本発明の光学記録媒体における情報記録層
である光吸収物質を含有する記録層の厚さは、１００Å
〜５μｍ、好ましくは５００Å〜３μｍである。かかる
記録層を基板面上に成膜する方法としては、塗布による
方法が好ましい。塗布による成膜方法としては、前記の
一般式［Ｉ］又は一般式［ＩＶ］で示されるフタロシア
ニン誘導体を、溶媒または溶媒とバインダーの混合物中
に溶解または分散させたものを、スピンコートする方
法、スプレー塗布する方法などが挙げられる。かかる場
合のバインダーとしては、ポリイミド樹脂、ポリアミド
樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル
樹脂、ポリカーボネート樹脂、セルロース樹脂などを挙
げることが出来る。

【００４２】その際、樹脂に対するフタロシアニン誘導
体の比率は、１０重量％以上が好ましい。また、かかる
場合の溶媒としては、ジメチルホルムアミド、メチルエ
チルケトン、メチルセロソルブ、エチルアルコール、テ
トラヒドロフラン、ジクロロメタン、クロロベンゼン等
の各種のものを使用することが出来る。

【００４３】なお、基板として、射出成形により製造さ
れたポリカーボネート樹脂基板やメタクリル樹脂基板を
使用する場合には、上記の溶媒としては、エチルセロソ
ルブ、エチルアルコール、オクタフルオロペンタノー
ル、ヘキサフルオロブタノール、エチルシクロヘキサ
ン、ｎ−ブチルシクロヘキサン、ｔ−ブチルシクロヘキ
サン等が好ましい。本発明の光学記録媒体の記録層は、
基板の両面に設けてもよいし、片面だけに設けてもよ
い。

【００４４】光学記録媒体への記録は、基板の両面また
は片面に設けられた記録層に１μｍ程度に収束したレー
ザー光、好ましくは半導体レーザー光を照射することに
より行う。レーザー光の照射された部分には、レーザー
エネルギーの吸収による、分解、蒸発、溶融などの記録
層の熱的変形が起きる。記録された情報の再生は、レー
ザー光により、熱的変形が起きている部分と起きていな
い部分の反射率の差を読み取ることにより行なう。

【００４５】光源としては、Ｈｅ−Ｎｅレーザー、アル
ゴンレーザー、半導体レーザー等の各種のレーザーを使
用することが出来るが、価格、大きさの点で、半導体レ
ーザーが特に好ましい。半導体レーザーとしては、中心
波長８３０ｎｍ、中心波長７８０ｎｍ、そして７８０ｎ
ｍより短波長のレーザーを使用することが出来る。

【００４６】また、本発明の新規なフタロシアニン誘導
体は、プラスチックや紙など各種の素材の着色、各種の
繊維の染色、光学フィルターの着色など光学記録媒体以
外の用途にも使用できる極めて有用な化合物である。

【００４７】

【実施例】以下、本発明を実施例により更に詳細に説明
するが、本発明は、その要旨を超えない限り以下の実施
例に制限されるものではない。なお、「％」は特に断ら
ない限り「重量％」である。

【００４８】実施例１ エンド−２−（２，３−ジシアノフェノキシ）−
１，７，７−トリメチルビシクロ［２，２，１］ヘプタ
ンの合成 モレキュラーシーブにより予め脱水したテトラヒドロフ
ラン２０ｍｌ中に、水素化ナトリウム１．１２ｇを分散
させ、撹拌しながらｄ−ボルネオール４．３２ｇをテト
ラヒドロフラン１０ｍｌに溶解させた溶液を１５分で滴
下した。この後１時間撹拌した後、３−ニトロフタロニ
トリル３．４６ｇをテトラヒドロフラン４０ｍｌに溶解
させた溶液を１時間かけて滴下した。

【００４９】このものをさらに５０時間撹拌した。この
間温度は５〜１０℃の範囲に保って行った。一晩放置
後、氷水５００ｇ中に加えた。生成した沈殿を濾別し、
水洗、乾燥し、淡黄色の結晶７．１ｇを得た。マススペ
クトルによる分子イオンピークで、エンド−２−（２，
３−ジシアノフェノキシ）−１，７，７−トリメチルビ
シクロ［２，２，１］ヘプタンであることを確認した。

【００５０】 フタロシアニン誘導体の合成 上記の様にして得られたエンド−２−（２，３−ジシア
ノフェノキシ）−１，７，７−トリメチルビシクロ
［２，２，１］ヘプタン２．８０ｇを無水塩化第一銅
０．３７ｇ、モリブデン酸アンモニウム０．２ｇととも
にα−クロロナフタレン１０ｍｌ中に加え、１８０〜２
００℃で４時間撹拌した。放冷後、ｎ−ヘキサン３０ｍ
ｌを加えて得られた結晶を濾別することにより緑色の物
質１．４ｇを得た。

【００５１】このものをクロロホルム３０ｍｌに溶解さ
せ、シリカゲルカラム（充填剤：ワコーゲルＣ−２０
０、和光純薬製、展開溶剤：クロロホルム、メチルアル
コール混合系）によりクロマト精製して、緑色の化合物
０．６９ｇを得た。得られた化合物（結晶）は、異性体
を含むと考えられるが、その代表的な構造は、下記の式
［ＩＸ］で示されるものであった。この物質のクロロホ
ルム溶液中でのλmax は７０８ｎｍ、分子吸光係数は１
８．５×１０⁴ であった。

【００５２】

【化１２】

【００５３】実施例２ 実施例１のにおいて、無水塩化第１銅のかわりに三塩
化バナジウムを使用した以外は、実施例１のと同様な
方法で反応を行った。得られた青緑色の物質をシリカゲ
ルカラムによりクロマト精製し青緑色化合物を得た。得
られた化合物（結晶）は異性体を含むと考えられるが、
その代表的な構造は、下記の式［Ｘ］で示されるもので
あった。この物質のクロロホルム溶液中でのλmax は７
３６ｎｍ、分子吸光係数は１９．１×１０⁴ であった。

【００５４】

【化１３】

【００５５】実施例３ エンド−２−（２，３−ジシアノフェノキシ）−１，
７，７−トリメチルビシクロ［２，２，１］ヘプタン
２．８０ｇ、無水塩化マグネシウム０．２９ｇ、ＤＢＵ
（１，８−ジアザビシクロ〔４．３．０〕−７−ウンデ
セン）１．５２ｇをｎ−アミルアルコール１０ｍｌ中に
加え窒素気流下で、９０〜１００℃で４時間撹拌した。
ｎ−アミルアルコールを減圧下で留去し緑色物０．５２
ｇを得た。

【００５６】このものをクロロホルム２０ｍｌに溶解さ
せ、シリカゲルカラム（充填剤：ワコーゲルＣ−２０
０、和光純薬製、展開溶剤：クロロホルム−メタノール
混合系）によりクロトマ精製して、緑色の化合物０．１
５ｇを得た。得られた化合物（結晶）は、異性体を含む
と考えられるが、その代表的な構造は、下記の式［Ｘ
Ｉ］で示されるものであった。この物質のクロロホルム
溶液中でのλmax は７０６ｎｍ、分子吸光係数は２０．
０×１０⁴ であった。

【００５７】

【化１４】

【００５８】実施例４ 実施例３において、無水塩化マグネシウムのかわりに塩
化ニッケルを使用した以外は、実施例３と同様な方法で
反応を行い、青色の物質を得た。得られた青色の物質を
シリカゲルカラムによりクロマト精製し青色の化合物を
得た。得られた化合物（結晶）は、異性体を含むと考え
られるが、その代表的な構造は、下記の式［ＸＩＩ］で
示されるものであった。この物質のクロロホルム溶液中
でのλmax は７００ｎｍ、分子吸光係数は１６．８×１
０⁴ であった。

【００５９】

【化１５】

【００６０】実施例５ ｄ−ボルネオールのかわりに１−ヒドロキシメチルアダ
マンタンを使用した以外は、実施例１と同様な方法で合
成した１−［（２，３−ジシアノフェノキシ）メチル］
−アダマンタンを使用し、三塩化バナジウムのかわりに
塩化亜鉛を使用した以外は、実施例２と同様の方法で反
応を行い、青緑色の物質を得た。

【００６１】これをシリカゲルカラムによりクロマト精
製して、青緑色の化合物を得た。得られた化合物（結
晶）は、異性体を含むと考えられるが、その代表的な構
造は、下記の式［ＸＩＩＩ］で示されるものであった。
この物質のクロロホルム溶液中でのλmax は７０４ｎ
ｍ、分子吸光係数は２４．９×１０⁴ であった。

【００６２】

【化１６】

【００６３】実施例６ 実施例１において、無水塩化銅のかわりに四塩化チタン
を反応させた以外は、実施例１と同様の反応を行い、緑
色の物質を得た。得られた緑色の物質をシリカゲルカラ
ムによりクロマト精製して、緑色の化合物を得た。得ら
れた化合物（結晶）は、異性体を含むと考えられるが、
その代表的な構造は、下記の式［ＸＩＶ］で示されるも
のであった。この物質のクロロホルム溶液中でのλmax
は７３１ｎｍ、分子吸光係数は１９．１×１０⁴ であっ
た。

【００６４】

【化１７】

【００６５】実施例７ ｄ−ボルネオールのかわりに（１Ｒ，２Ｓ，３Ｓ，５
Ｒ）−（＋）−イソピノカンフェオールを使用した以外
は、実施例１と同様の方法で合成した（１Ｒ，２Ｓ，３
Ｓ，５Ｒ）−３−（２，３−ジシアノフェノキシ）−ピ
ナンを使用し、実施例２において三塩化バナジウムのか
わりに塩化コバルトを使用した以外は、実施例２と同様
の方法で反応を行い、青色の物質を得た。

【００６６】得られた青色の物質をシリカゲルカラムに
よりクロマト精製し青色の化合物を得た。得られた化合
物（結晶）は、異性体を含むと考えられるが、その代表
的な構造は、下記の式［ＸＶ］で示されるものであっ
た。この物質のクロロホルム溶液中でのλmax は６９５
ｎｍ、分子吸光係数は１６．９×１０⁴ であった。

【００６７】

【化１８】

【００６８】実施例８ ｄ−ボルネオールのかわりに、（１Ｒ，２Ｓ，３Ｓ，５
Ｒ）−（＋）−イソピノカンフェオールを用いた以外
は、実施例１と同様の方法で合成した（１Ｒ，２Ｓ，３
Ｓ，５Ｒ）−３−（２，３−ジシアノフェノキシ）−ピ
ナンを用い、無水塩化マグネシウムのかわりに塩化パラ
ジウムを反応させた以外は実施例３と同様にして青色の
物質を得た。

【００６９】得られた青色の物質をシリカゲルカラムよ
りクロマト精製して、青色の化合物を得た。得られた化
合物(結晶）は異性体を含むと考えられるが、その代表
的な構造は下記式［ＸＶＩ］で示される。この物質のク
ロロホルム溶液中でのλmaxは６９６ｎｍ、分子吸光係
数は１８．５×１０⁴ であった。

【００７０】

【化１９】

【００７１】実施例９ ｄ−ボルネオールのかわりに、（１Ｒ）−エンド−
（＋）フェンチルアルコールを用いた以外は実施例１と
同様の実験を行い、緑色の物質を得た。得られた緑色の
物質をシリカゲルカラムよりクロマト精製して、緑色の
化合物を得た。得られた化合物(結晶）は異性体を含む
と考えられるが、その代表的な構造は下記式［ＸＶＩ
Ｉ］で示される。この物質のクロロホルム溶液中でのλ
max は７１５ｎｍ、分子吸光係数は１９．７×１０⁴ で
あった。

【００７２】

【化２０】

【００７３】実施例１０ ｄ−ボルネオールのかわりに、（１Ｒ）−エンド−
（＋）フェンチルアルコールを用いた以外は実施例１の
と同様の方法で合成した、エンド−２−（２，３−ジ
シアノフェノキシ）−１，３，３−トリメチルビシクロ
［２，２，１］へプタンを用い、無水塩化マグネシウム
のかわりに塩化パラジウムを反応させた以外は実施例３
と同様にして青色の物質を得た。

【００７４】得られた青色の物質をシリカゲルカラムよ
りクロマト精製して、青色の化合物を得た。得られた化
合物(結晶）は異性体を含むと考えられるが、その代表
的な構造は下記式［ＸＩＩＩ］で示される。この物質の
クロロホルム溶液中でのλmax は６９５ｎｍ、分子吸光
係数は２３．９×１０⁴ であった。

【００７５】

【化２１】

【００７６】実施例１１〜１３ 一般式［ＸＩＸ］（式中のＡおよびＲは下記表１に示
す）で示される本発明のフタロシアニン３例を実施例１
に準じて合成した。得られた各物質のクロロホルム溶液
中でのλmax 、分子吸光係数を下記表１に示す。

【００７７】

【化２２】

【００７８】

【表１】

【００７９】実施例１４ 実施例１に基づいて合成された構造式［ＩＸ］で示され
る本発明のフタロシアニン誘導体０．６６ｇを１，１，
２−トリクロロエタン５ｍｌに溶解させ、４５〜５５℃
で臭素０．１６ｇの１，１，２−トリクロロエタン４ｍ
ｌ溶液をゆっくり滴下した。２．５時間攪拌した後、放
冷し、１５％ＮａＨＳＯ₃ 溶液を加え、有機層を分離
し、溶媒を減圧下除去した。乾燥後、緑色結晶０．７ｇ
が得られた。得られた化合物(結晶）は異性体を含むと
考えられるが、その代表的な構造は下記式［ＸＸ］で示
される。この物質のクロロホルム溶液中でのλmax は７
１７ｎｍであった。

【００８０】

【化２３】 （式中、ｌは１〜５の整数を表す。）

【００８１】実施例１５ 実施例９に基づいて合成された構造式［ＸＶＩＩ］で示
される本発明のフタロシアニン誘導体０．５０ｇを１，
１，２−トリクロロエタン５ｍｌに溶解させ、４５〜５
５℃で臭素０．１４ｇの１，１，２−トリクロロエタン
１２ｍｌ溶液をゆっくり滴下した。９時間攪拌した後、
放冷し、１５％ＮａＨＳＯ₃ 溶液を加え、有機層を分離
し、溶媒を減圧下除去した。乾燥後、緑色結晶０．６１
ｇが得られた。得られた化合物(結晶）は異性体を含む
と考えられるが、その代表的な構造は下記式［ＸＸＩ］
で示される。この物質のクロロホルム溶液中でのλmax
は７２２ｎｍであった。

【００８２】

【化２４】 （式中、ｌは１〜５の整数を表す。）

【００８３】実施例１６ 実施例１に基づいて合成された式［ＩＸ］で示される本
発明のフタロシアニン誘導体の１．５％ヘキサフルオロ
ブタノール溶液を調整し、スピンコーティング法（回転
数５００ｒｐｍ）により、直径１２０ｍｍ、板厚１．２
ｍｍのポリカーボネート基板上に塗布した。この色素薄
膜の上に金を蒸着して反射層を形成し、その上に紫外線
硬化樹脂による保護層を設けて光学記録媒体を作製し
た。得られた光学記録媒体の未記録部の７７５ｎｍでの
反射率は７１％であった。

【００８４】作製した光学記録媒体を線速度１．２ｍ／
ｓで回転させながら、中心波長７７５ｎｍの半導体レー
ザー光を出力９．４ｍＷで照射し、ＥＦＭ信号を記録し
た。次に、この記録部を中心波長７８０ｎｍの半導体レ
ーザーを有するＣＤプレーヤーで再生したところ、良好
な再生信号を得た。また、耐光性（キセノンフェードメ
ーター加速テスト；６０時間）及び保存安定性（７０
℃、８５％ＲＨ；１００時間）試験を行なった結果、初
期と比べて感度および再生信号の劣化はみられず、光学
記録媒体として極めて優れたものであった。

【００８５】実施例１７ 実施例５で合成された式［ＸＩＩＩ］で示される本発明
のフタロシアニン誘導体の１．７％オクタフルオロペン
タノール溶液を調整し、実施例１６と同様に光学記録媒
体を作製した。得られた光学記録媒体の未記録部の７７
５ｎｍでの反射率は７３％であった。

【００８６】作製した光学記録媒体を線速度１．２ｍ／
ｓで回転させながら、中心波長７７５ｎｍの半導体レー
ザー光を出力９．６ｍＷで照射し、ＥＦＭ信号を記録し
た。次に、この記録部を中心波長７８０ｎｍの半導体レ
ーザーを有するＣＤプレーヤーで再生したところ、良好
な再生信号を得た。また、耐光性（キセノンフェードメ
ーター加速テスト；６０時間）及び保存安定性（７０
℃、８５％ＲＨ；１００時間）試験を行なった結果、初
期と比べて感度及び再生信号の劣化はみられず、光学記
録媒体として極めて優れたものであった。

【００８７】実施例１８ 実施例９で合成された式［ＸＶＩＩ］で示される本発明
のフタロシアニン誘導体の２．５％ｔ−ブチルシクロヘ
キサン溶液を調整し、実施例１６と同様の条件で光学記
録媒体を作製した。得られた光学記録媒体の未記録部の
７７５ｎｍでの反射率は６０％であった。

【００８８】作製した光学記録媒体を線速度１．２ｍ／
ｓで回転させながら、中心波長７７５ｎｍの半導体レー
ザー光を出力７．８ｍＷで照射し、ＥＦＭ信号を記録し
た。次に、この記録部を中心波長７８０ｎｍの半導体レ
ーザーを有するＣＤプレーヤーで再生したところ、良好
な再生信号を得た。また、耐光性（キセノンフェードメ
ーター加速テスト；６０時間）及び保存安定性（７０
℃、８５％ＲＨ；１００時間）試験を行なった結果、初
期と比べて感度及び再生信号の劣化はみられず、光学記
録媒体として極めて優れたものであった。

【００８９】実施例１９ 実施例１３で合成された本発明のフタロシアニン誘導体
の２．５％ｔ−ブチルシクロヘキサン溶液を調整し、実
施例１６と同様の条件で光学記録媒体を作製した。得ら
れた光学記録媒体の未記録部の７７５ｎｍでの反射率は
５８％であった。

【００９０】作製した光学記録媒体を線速度１．２ｍ／
ｓで回転させながら、中心波長７７５ｎｍの半導体レー
ザー光を出力７．８ｍＷで照射し、ＥＦＭ信号を記録し
た。次に、この記録部を中心波長７８０ｎｍの半導体レ
ーザーを有するＣＤプレーヤーで再生したところ、良好
な再生信号を得た。また、耐光性（キセノンフェードメ
ーター加速テスト；６０時間）及び保存安定性（７０
℃、８５％ＲＨ；１００時間）試験を行なった結果、初
期と比べて感度及び再生信号の劣化はみられず、光学記
録媒体として極めて優れたものであった。

【００９１】比較例１ 特願平６−０８１７４２号の実施例１に従って合成した
下記の式［ＸＸＩＩ］で示される化合物を使用して実施
例１６とほぼ同様の条件で光学記録媒体を作製した。

【００９２】

【化２５】

【００９３】得られた光学記録媒体の未記録部の７７５
ｎｍでの反射率は７１％であった。作製した光学記録媒
体を線速度１．２ｍ／ｓで回転させながら、中心波長７
７５ｎｍの半導体レーザー光を出力１０．０ｍＷで照射
し、ＥＦＭ信号を記録した。次に、この記録部を中心波
長７８０ｎｍの半導体レーザーを有するＣＤプレーヤー
で再生したところ、良好な再生信号を得た。次に、この
光学記録媒体を線速度１．２ｍ／ｓで回転させながら、
中心波長７７５ｎｍの半導体レーザー光を出力９．４ｍ
Ｗで照射し、ＥＦＭ信号の記録を試みた。

【００９４】この記録部を中心波長７８０ｎｍの半導体
レーザーを有するＣＤプレーヤーで再生したところ、得
られた再生信号は、ノイズの多いものであった。更に、
この光学記録媒体を線速度１．２ｍ／ｓで回転させなが
ら、中心波長７７５ｎｍの半導体レーザー光を出力９．
６ｍＷで照射し、ＥＦＭ信号の記録を試みた。この記録
部を中心波長７８０ｎｍの半導体レーザーを有するＣＤ
プレーヤーで再生したところ、得られた再生信号は、同
様にノイズの多いものであった。

【００９５】

【発明の効果】本発明の新規なフタロシアニン誘導体
は、６００〜８００ｎｍ付近の可視〜近赤外領域に強い
吸収を有し、耐光性、耐熱性が良好で、しかも加熱によ
る吸収波長の変化が生起しにくく、かつ、プラスチック
基板への塗布も容易であという工業的価値のある顕著な
効果を奏するものである。また、かかる新規なフタロシ
アニン誘導体を使用した本発明の光学記録媒体は、耐光
性、耐熱性に優れ、記録感度および記録再生特性も良好
であるという顕著な効果を奏するものである。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 塚原 貴子 神奈川県横浜市青葉区鴨志田町1000番地 三菱化学株式会社横浜総合研究所内 (72)発明者 岡本 祐子 神奈川県横浜市青葉区鴨志田町1000番地 三菱化学株式会社横浜総合研究所内 (72)発明者 市野澤 晶子 神奈川県横浜市青葉区鴨志田町1000番地 三菱化学株式会社横浜総合研究所内

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下記の一般式［Ｉ］で示されるフタロシ
   アニン誘導体。 【化１】 （式中 ｎ1 〜ｎ4 、ｍ1 〜ｍ4 は、それぞれ独立に０
   から３の整数を、Ａはハロゲン原子又は酸素原子が結合
   していてもよい金属原子を表し、Ｘ、Ｙはそれぞれ置換
   基を有していてもよい炭素数４〜８の脂肪族炭化水素の
   環を表し、Ｚは置換基を有していてもよい炭素数０から
   ６の炭化水素鎖を表す。）
2. 【請求項２】 基板上に記録層を有し、該記録層が請求
   項１に記載のフタロシアニン誘導体を使用することを特
   徴とする光学記録媒体。