JPH09205251A - 半導体レーザーのプラスチックモールド装置 - Google Patents
半導体レーザーのプラスチックモールド装置Info
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- JPH09205251A JPH09205251A JP8007224A JP722496A JPH09205251A JP H09205251 A JPH09205251 A JP H09205251A JP 8007224 A JP8007224 A JP 8007224A JP 722496 A JP722496 A JP 722496A JP H09205251 A JPH09205251 A JP H09205251A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 低価格の半導体レーザー用のプラスチックモ
ールド装置を提供すること。 【解決手段】 取付板として機能する幅広端部を有する
第1のリードと、第1のリードの一方の側に位置する第
2のリードと、第1のリードの他方の側に位置する第3
のリードと、取付板の前方端部の上に配置されたサブマ
ウントであって、サブマウントの上に配置された、第2
のリードに電気的に接続された半導体レーザーチップ
と、半導体レーザーチップからの逆向きの光を受け取る
ためにサブマウントに密接して配置され、第3のリード
に電気的に接続されたモニタ検出器とを有するサブマウ
ントと、第1のリード、第2のリード、及び第3のリー
ドを固定するためのプラスチックモールドヘッダと、プ
ラスチックモールドヘッダに適合しており、プラスチッ
クモールドヘッダの上のレーザーチップ、モニタ検出
器、及び周辺部品を含む全ての構成部品をシールする透
明キャップとからなる半導体レーザー用プラスチックモ
ールド装置が開示される。
ールド装置を提供すること。 【解決手段】 取付板として機能する幅広端部を有する
第1のリードと、第1のリードの一方の側に位置する第
2のリードと、第1のリードの他方の側に位置する第3
のリードと、取付板の前方端部の上に配置されたサブマ
ウントであって、サブマウントの上に配置された、第2
のリードに電気的に接続された半導体レーザーチップ
と、半導体レーザーチップからの逆向きの光を受け取る
ためにサブマウントに密接して配置され、第3のリード
に電気的に接続されたモニタ検出器とを有するサブマウ
ントと、第1のリード、第2のリード、及び第3のリー
ドを固定するためのプラスチックモールドヘッダと、プ
ラスチックモールドヘッダに適合しており、プラスチッ
クモールドヘッダの上のレーザーチップ、モニタ検出
器、及び周辺部品を含む全ての構成部品をシールする透
明キャップとからなる半導体レーザー用プラスチックモ
ールド装置が開示される。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザー装
置に関し、特に、半導体レーザーのプラスチックモール
ド装置に関する。
置に関し、特に、半導体レーザーのプラスチックモール
ド装置に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体レーザーは、光ポインタ、
バーコードリーダ用の光源として、或いは、コンパクト
ディスクプレーヤ及びビデオディスクにおけるピックア
ップヘッドのような光情報処理装置において、或いは、
光通信装置用の光源として広く使用されている。慣用の
半導体レーザーの装置は、パッケージ材料及び構成部品
が高価であるので、LED或いは他の半導体素子に比べ
てコストを下げることが困難である。
バーコードリーダ用の光源として、或いは、コンパクト
ディスクプレーヤ及びビデオディスクにおけるピックア
ップヘッドのような光情報処理装置において、或いは、
光通信装置用の光源として広く使用されている。慣用の
半導体レーザーの装置は、パッケージ材料及び構成部品
が高価であるので、LED或いは他の半導体素子に比べ
てコストを下げることが困難である。
【0003】慣用の半導体レーザー装置は、図1に示さ
れるように、金属カン型であり、シリコンサブマウント
2及びレーザーチップ3が、約1μmの厚みの金メッキ
されたステム1の上に配置されており、その表面は、無
反射膜で被覆されたウィンドウガラス4を有するキャッ
プ5により更に覆われている。このキャップ5は、シー
ル処理中はN2 ガスで満たされる。
れるように、金属カン型であり、シリコンサブマウント
2及びレーザーチップ3が、約1μmの厚みの金メッキ
されたステム1の上に配置されており、その表面は、無
反射膜で被覆されたウィンドウガラス4を有するキャッ
プ5により更に覆われている。このキャップ5は、シー
ル処理中はN2 ガスで満たされる。
【0004】このような慣用の半導体レーザー装置にお
いては、レーザーチップの他に、ヘッダやキャップのよ
うな部品も高価であるので、所望の低価格の製品を得る
ことは困難である。更に半導体レーザー装置は、構造的
に広く広がった放射ビームを有するので、ビームを補正
するためのレンズ系が必要であり、光学系を構成するた
めの全体の光ピックアップ素子が高価になり過ぎる。
いては、レーザーチップの他に、ヘッダやキャップのよ
うな部品も高価であるので、所望の低価格の製品を得る
ことは困難である。更に半導体レーザー装置は、構造的
に広く広がった放射ビームを有するので、ビームを補正
するためのレンズ系が必要であり、光学系を構成するた
めの全体の光ピックアップ素子が高価になり過ぎる。
【0005】上記した先行技術の欠点を改善するため
に、製造価格がそれほど高価でない半導体レーザー装置
が、米国特許第5,068,666号に開示されてい
る。この半導体レーザーは、LED技術の通常のプラス
チックシール技法を使用して、半導体レーザー装置をシ
ールしている。図2を参照すると、レーザーチップ12
が、支持部材11の上部表面の前端の近傍で、シリコン
サブマウント13の上に直接配置されている。シリコン
サブマウント13は、支持部材11に嵌め合わされてい
る。レーザーチップ12、シリコンサブマウント13、
及び、光検出器チップ14は、透明プラスチック樹脂1
5内に一体的にシールされている。これに加えて、レン
ズを透明プラスチック樹脂15によりシールの上に直接
形成することができる。
に、製造価格がそれほど高価でない半導体レーザー装置
が、米国特許第5,068,666号に開示されてい
る。この半導体レーザーは、LED技術の通常のプラス
チックシール技法を使用して、半導体レーザー装置をシ
ールしている。図2を参照すると、レーザーチップ12
が、支持部材11の上部表面の前端の近傍で、シリコン
サブマウント13の上に直接配置されている。シリコン
サブマウント13は、支持部材11に嵌め合わされてい
る。レーザーチップ12、シリコンサブマウント13、
及び、光検出器チップ14は、透明プラスチック樹脂1
5内に一体的にシールされている。これに加えて、レン
ズを透明プラスチック樹脂15によりシールの上に直接
形成することができる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上記した半導体レーザ
ー装置は、システム内に高価な材料や部品を必要としな
いので、確かに価格が下がる。しかしながら、この慣用
の半導体レーザー装置は、他の問題を生じる。たとえ
ば、半導体レーザー装置の全ての部品が、透明プラスチ
ック樹脂内に一体的にシールされて直接覆われているの
で、放熱特性が劣っている。このため、半導体レーザー
装置の動作寿命が短くなる。第2に、構造上の制限の結
果として、キャップの前方端部には片面レンズしか形成
することができず、レンズの焦点長さを調整することが
できず、半導体レーザー装置の集束特性が劣ることであ
る。第3に、反射率がシールプラスチック樹脂の屈折率
で決まることである。
ー装置は、システム内に高価な材料や部品を必要としな
いので、確かに価格が下がる。しかしながら、この慣用
の半導体レーザー装置は、他の問題を生じる。たとえ
ば、半導体レーザー装置の全ての部品が、透明プラスチ
ック樹脂内に一体的にシールされて直接覆われているの
で、放熱特性が劣っている。このため、半導体レーザー
装置の動作寿命が短くなる。第2に、構造上の制限の結
果として、キャップの前方端部には片面レンズしか形成
することができず、レンズの焦点長さを調整することが
できず、半導体レーザー装置の集束特性が劣ることであ
る。第3に、反射率がシールプラスチック樹脂の屈折率
で決まることである。
【0007】したがって、先行技術の半導体レーザー装
置の欠点を克服するために、本発明の目的は、金属カン
型の慣用の半導体レーザー装置の代わりに、リードフレ
ーム上にプラスチックモールドヘッダを形成して価格を
下げる半導体レーザー用のプラスチックモールド装置を
提供することである。更に、暗色のプラスチックヘッダ
が、レーザーチップからの逆方向の光を吸収して、レー
ザービームの回折及び逆方向の光を防止することができ
る。
置の欠点を克服するために、本発明の目的は、金属カン
型の慣用の半導体レーザー装置の代わりに、リードフレ
ーム上にプラスチックモールドヘッダを形成して価格を
下げる半導体レーザー用のプラスチックモールド装置を
提供することである。更に、暗色のプラスチックヘッダ
が、レーザーチップからの逆方向の光を吸収して、レー
ザービームの回折及び逆方向の光を防止することができ
る。
【0008】本発明の他の目的は、半導体レーザー装置
の外側に取付板から伸延する二つの放熱板が採用されて
熱を外側に導くことにより良好な放熱特性を有する半導
体レーザーのプラスチックモールド装置を提供すること
である。
の外側に取付板から伸延する二つの放熱板が採用されて
熱を外側に導くことにより良好な放熱特性を有する半導
体レーザーのプラスチックモールド装置を提供すること
である。
【0009】本発明の更に他の目的は、高い光結合効率
を有する半導体レーザー用プラスチックモールド装置を
提供することである。半導体レーザーと集束レンズとの
結合工程は、ヘッダ上の全ての部品をキャップ内にシー
ルする前に達成することができ、このようにして、高出
力の半導体レーザー装置を提供する。
を有する半導体レーザー用プラスチックモールド装置を
提供することである。半導体レーザーと集束レンズとの
結合工程は、ヘッダ上の全ての部品をキャップ内にシー
ルする前に達成することができ、このようにして、高出
力の半導体レーザー装置を提供する。
【0010】本発明の一つの観点は、価格を下げること
ができ、また、製造工程が大量生産に適するように、プ
ラスチックモールドキャップを使用して半導体レーザー
装置をシールすることである。
ができ、また、製造工程が大量生産に適するように、プ
ラスチックモールドキャップを使用して半導体レーザー
装置をシールすることである。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明においては、ヘッダがプラスチック材料から
なり、複数の3重リードを含むリードフレーム上に形成
される。各3重リードの中央リードは、取付板として機
能する幅広端部を有している。配列マウントが取付板上
に形成され、次いで、レーザーチップ及びモニタ検出器
が、リードフレームの前方端部において、配列マウント
上に配置される。
め、本発明においては、ヘッダがプラスチック材料から
なり、複数の3重リードを含むリードフレーム上に形成
される。各3重リードの中央リードは、取付板として機
能する幅広端部を有している。配列マウントが取付板上
に形成され、次いで、レーザーチップ及びモニタ検出器
が、リードフレームの前方端部において、配列マウント
上に配置される。
【0012】キャップは、PC或いはPMMAのような
透明アクリル樹脂を射出成形し、キャップの前方端部の
両側にAR(無反射)コーティングを施すことにより形
成することができる。更に、キャップの頂部(すなわ
ち、前方端部)の上に、コリメート及び集束用の、球面
レンズ、非球面レンズ、及び、フレネルレンズのよう
な、異なった種類のレンズを形成することができる。
透明アクリル樹脂を射出成形し、キャップの前方端部の
両側にAR(無反射)コーティングを施すことにより形
成することができる。更に、キャップの頂部(すなわ
ち、前方端部)の上に、コリメート及び集束用の、球面
レンズ、非球面レンズ、及び、フレネルレンズのよう
な、異なった種類のレンズを形成することができる。
【0013】更に、焦点調整に関しては、電圧がレーザ
ービームを励起するための金属リードに印加され、次い
で、その前方端部にレンズ系を備えたキャップの位置
が、焦点を調整するために前方及び後方に移動され、キ
ャップとヘッダの接合部は、焦点が良好に調整された後
で、キャップの底部とヘッダのフランジに接着剤で固定
される。これに加えて、焦点調整及び光パワー測定は、
シール工程の前に行うことができ、このようにして生産
性を改善する。
ービームを励起するための金属リードに印加され、次い
で、その前方端部にレンズ系を備えたキャップの位置
が、焦点を調整するために前方及び後方に移動され、キ
ャップとヘッダの接合部は、焦点が良好に調整された後
で、キャップの底部とヘッダのフランジに接着剤で固定
される。これに加えて、焦点調整及び光パワー測定は、
シール工程の前に行うことができ、このようにして生産
性を改善する。
【0014】
【発明の実施の形態】本発明をここに説明された実施例
のみに限定することを意図するものではなく、例として
与えられた以下の詳細の説明は、添付の図面を参照して
十分に理解されるであろう。
のみに限定することを意図するものではなく、例として
与えられた以下の詳細の説明は、添付の図面を参照して
十分に理解されるであろう。
【0015】図1は、慣用の半導体レーザー装置を概略
的に示す。図2は、他の慣用の半導体レーザー装置を概
略的に示す。図3(a)は、本発明の好適な実施例を示
す図である。図3(b)は、図3(a)に示される好適
な実施例を示す他の図である。図4(a)及び図4
(b)は、本発明の好適な実施例におけるキャップとヘ
ッダを結合する方法を概略的に示す。図5(a)から図
5(c)は、本発明による好適な実施例のキャップの異
なった種類のレンズを製造する方法を概略的に示す。図
6(a)から図6(e)は、本発明の一つの製造工程を
示す。全ての図面において、同じ参照番号は、本発明の
説明で使用された半導体レーザー装置の同一の或いは類
似の構成部分を表す。
的に示す。図2は、他の慣用の半導体レーザー装置を概
略的に示す。図3(a)は、本発明の好適な実施例を示
す図である。図3(b)は、図3(a)に示される好適
な実施例を示す他の図である。図4(a)及び図4
(b)は、本発明の好適な実施例におけるキャップとヘ
ッダを結合する方法を概略的に示す。図5(a)から図
5(c)は、本発明による好適な実施例のキャップの異
なった種類のレンズを製造する方法を概略的に示す。図
6(a)から図6(e)は、本発明の一つの製造工程を
示す。全ての図面において、同じ参照番号は、本発明の
説明で使用された半導体レーザー装置の同一の或いは類
似の構成部分を表す。
【0016】図3(a)を参照すると、本発明の半導体
レーザーのプラスチックモールド装置は、広い側の端部
に取付板21A' を有する第1のリード21Aと、第1
のリード21Aの一方の側に位置する第2のリード21
Bと、第1のリード21Aの他方の側に位置する第3の
リード21Cと、取付板21A' の前方端部に位置する
シリコンサブマウント25と、シリコンサブマウント2
5上に配置され、第2のリード21Bに電気的に接続さ
れる半導体レーザーチップ26と、シリコンサブマウン
ト25に近接して取付板21A' 上に配置され、第3の
リード21Cに電気的に接続され、半導体レーザーチッ
プ26からの逆向きの光を受け取るモニタ検出器27
と、三つのリード21A、21B、21Cを固定するプ
ラスチックモールドヘッダ22と、プラスチックモール
ドヘッダ22に適合してプラスチックモールドヘッダ2
2上の全ての構成部品をシールする透明キャップ23と
を含む。
レーザーのプラスチックモールド装置は、広い側の端部
に取付板21A' を有する第1のリード21Aと、第1
のリード21Aの一方の側に位置する第2のリード21
Bと、第1のリード21Aの他方の側に位置する第3の
リード21Cと、取付板21A' の前方端部に位置する
シリコンサブマウント25と、シリコンサブマウント2
5上に配置され、第2のリード21Bに電気的に接続さ
れる半導体レーザーチップ26と、シリコンサブマウン
ト25に近接して取付板21A' 上に配置され、第3の
リード21Cに電気的に接続され、半導体レーザーチッ
プ26からの逆向きの光を受け取るモニタ検出器27
と、三つのリード21A、21B、21Cを固定するプ
ラスチックモールドヘッダ22と、プラスチックモール
ドヘッダ22に適合してプラスチックモールドヘッダ2
2上の全ての構成部品をシールする透明キャップ23と
を含む。
【0017】図3(b)を参照すると、取付板21A'
は、更に、二つの放熱板21A''を含む。したがって、
半導体レーザーチップにより発生した熱を、取付板21
A'から伸延する放熱板21A''を通して外側に放射す
ることができる。二つの放熱板は、図3(a)に示され
るように湾曲させて、半導体レーザー装置のアセンブリ
に適合するようにすることができる。
は、更に、二つの放熱板21A''を含む。したがって、
半導体レーザーチップにより発生した熱を、取付板21
A'から伸延する放熱板21A''を通して外側に放射す
ることができる。二つの放熱板は、図3(a)に示され
るように湾曲させて、半導体レーザー装置のアセンブリ
に適合するようにすることができる。
【0018】図3(a)に示されるような装置をシール
する方法は、キャップ23の内周をプラスチックモール
ドヘッダ22のフランジに嵌め合わせることである。次
いで、エポキシ24が使用され、接触表面を固定し、キ
ャップ23とヘッダ22との間に形成された空洞をシー
ルする。一方、空洞はN2 ガスで満たされレーザーチッ
プの酸化を防止する。
する方法は、キャップ23の内周をプラスチックモール
ドヘッダ22のフランジに嵌め合わせることである。次
いで、エポキシ24が使用され、接触表面を固定し、キ
ャップ23とヘッダ22との間に形成された空洞をシー
ルする。一方、空洞はN2 ガスで満たされレーザーチッ
プの酸化を防止する。
【0019】キャップ23の前方端部に設けられるレン
ズ系がない半導体レーザー装置については、焦点調整ス
テップが不要であるので製造工程を簡単にすることがで
きる。図4(a)を参照すると、ほぞとほぞ穴による接
合を、キャップ23の内周23Aとヘッダの外周22A
に適用することができる。すなわち、キャップ23のほ
ぞは、シールの期間中、ヘッダ22のほぞ穴に直接嵌合
される。
ズ系がない半導体レーザー装置については、焦点調整ス
テップが不要であるので製造工程を簡単にすることがで
きる。図4(a)を参照すると、ほぞとほぞ穴による接
合を、キャップ23の内周23Aとヘッダの外周22A
に適用することができる。すなわち、キャップ23のほ
ぞは、シールの期間中、ヘッダ22のほぞ穴に直接嵌合
される。
【0020】図4(b)を参照すると、キャップ23の
前方端部に設けられるレンズ系がない半導体レーザー装
置をシールする他の方法が、以下に説明される。フラン
ジ23Bがキャップ23の後方端部に形成され、フラン
ジ23Bはフランジ23Bをヘッダ22に熱加圧するこ
とによりヘッダ22に固定される。しかしながら、上記
二つの方法は、焦点調整が不要な半導体レーザー装置に
おいてのみ使用可能である。
前方端部に設けられるレンズ系がない半導体レーザー装
置をシールする他の方法が、以下に説明される。フラン
ジ23Bがキャップ23の後方端部に形成され、フラン
ジ23Bはフランジ23Bをヘッダ22に熱加圧するこ
とによりヘッダ22に固定される。しかしながら、上記
二つの方法は、焦点調整が不要な半導体レーザー装置に
おいてのみ使用可能である。
【0021】図5(a)から図5(c)を参照すると、
キャップの前方端部にレンズ系を備える半導体レーザー
装置については、所望のレンズ系をキャップの前方端部
に直接形成することは、より容易である。図5(a)に
示されるように、内側及び外側を球面或いは非球面凸レ
ンズ23Cで形成することができる。他の実施例が図5
(b)として示されており、キャップ23の前方端部の
内側に球面凸レンズ23C' を、外側にホログラフィッ
ク膜23C''を形成する。これに加えて、図5(c)に
示されるように、更に他の方法は、キャップ23の前方
端部の一方の側にフレネルレンズ23C''' を形成する
ことである。
キャップの前方端部にレンズ系を備える半導体レーザー
装置については、所望のレンズ系をキャップの前方端部
に直接形成することは、より容易である。図5(a)に
示されるように、内側及び外側を球面或いは非球面凸レ
ンズ23Cで形成することができる。他の実施例が図5
(b)として示されており、キャップ23の前方端部の
内側に球面凸レンズ23C' を、外側にホログラフィッ
ク膜23C''を形成する。これに加えて、図5(c)に
示されるように、更に他の方法は、キャップ23の前方
端部の一方の側にフレネルレンズ23C''' を形成する
ことである。
【0022】更に、レンズ系がキャップに形成されてい
るか否かにかかわらず、AR(無反射)コーティングを
キャップの前方端部の両側に形成して、レーザービーム
が反射するのを防止することができる。
るか否かにかかわらず、AR(無反射)コーティングを
キャップの前方端部の両側に形成して、レーザービーム
が反射するのを防止することができる。
【0023】次に、本発明についての実際的な製造工程
が説明される。図6(a)から図6(e)を参照する
と、この工程は、図6(a)に示されるようなリードフ
レーム30が、最初に射出成形装置(図示せず)に押し
込められ、射出成形装置の固定装置32に取り付けられ
るステップと、次いで、図6(b)において、複数のプ
ラスチックモールドヘッダを含む射出成形片31がリー
ドフレーム30上に形成されるステップと、その後、図
6(c)に示されるように、図6(b)に示されるよう
なリードフレーム30の金属接続部33が切り離され
て、金属リード間の電気的接続部を絶縁するステップ
と、その後、レーザーチップとモニタ検出器が各取付板
34上に配置される一方、レーザーチップとモニタ検出
器が金ワイヤにより異なったリードにそれぞれ結合され
るステップと、図6(e)を参照して、電圧が金属リー
ド36に印加されてレーザービームが励起され、次い
で、前方端部にレンズ系を備えたキャップ35の位置が
前後に移動されて焦点を調整するステップとを含んでい
る。焦点が良好に調整された後で、キャップ35とヘッ
ダの接合部は接着剤で固定されて、キャップとヘッダに
より形成される空洞をシールする。次いで、射出成形片
31の結合部を切り離した後に、図3(b)に示される
ように製品が完成する。
が説明される。図6(a)から図6(e)を参照する
と、この工程は、図6(a)に示されるようなリードフ
レーム30が、最初に射出成形装置(図示せず)に押し
込められ、射出成形装置の固定装置32に取り付けられ
るステップと、次いで、図6(b)において、複数のプ
ラスチックモールドヘッダを含む射出成形片31がリー
ドフレーム30上に形成されるステップと、その後、図
6(c)に示されるように、図6(b)に示されるよう
なリードフレーム30の金属接続部33が切り離され
て、金属リード間の電気的接続部を絶縁するステップ
と、その後、レーザーチップとモニタ検出器が各取付板
34上に配置される一方、レーザーチップとモニタ検出
器が金ワイヤにより異なったリードにそれぞれ結合され
るステップと、図6(e)を参照して、電圧が金属リー
ド36に印加されてレーザービームが励起され、次い
で、前方端部にレンズ系を備えたキャップ35の位置が
前後に移動されて焦点を調整するステップとを含んでい
る。焦点が良好に調整された後で、キャップ35とヘッ
ダの接合部は接着剤で固定されて、キャップとヘッダに
より形成される空洞をシールする。次いで、射出成形片
31の結合部を切り離した後に、図3(b)に示される
ように製品が完成する。
【0024】キャップ上に形成されたレンズ系を持たな
い半導体レーザー装置に関しては、リードとレーザーチ
ップとモニタ検出器との間のワイヤを接続した後で、キ
ャップをヘッダに直接係合させることができ、次いで、
金属接続部を切り離し、放熱板を湾曲させる。このよう
にして、図3(a)に示されるような製品が得られる。
い半導体レーザー装置に関しては、リードとレーザーチ
ップとモニタ検出器との間のワイヤを接続した後で、キ
ャップをヘッダに直接係合させることができ、次いで、
金属接続部を切り離し、放熱板を湾曲させる。このよう
にして、図3(a)に示されるような製品が得られる。
【図1】 慣用の半導体レーザー装置を示す斜視図であ
る。
る。
【図2】 他の慣用の半導体レーザー装置を示す斜視図
である。
である。
【図3】 本発明の好適な実施例を示す図である。
【図4】 本発明の好適な実施例におけるキャップとヘ
ッダを結合する方法を概略的に示す。
ッダを結合する方法を概略的に示す。
【図5】 本発明による好適な実施例のキャップの異な
った種類のレンズを製造する方法を概略的に示す。
った種類のレンズを製造する方法を概略的に示す。
【図6】 本発明の一つの製造工程を示す。
1 ステム 2 シリコンサブマウント 3 レーザーチップ 4 ウィンドウガラス 5 キャップ 12 レーザーチップ 13 シリコンサブマウント 14 光検出器チップ 15 透明プラスチック樹脂 21A 第1のリード 21A' 取付板 21A'' 放熱板 21B 第2のリード 21C 第3のリード 22 プラスチックモールドヘッダ 23 透明キャップ 23B フランジ 23C 凸レンズ 23C' 球面凸レンズ 23C'' ホログラフィック膜 23C''' フレネルレンズ 24 エポキシ 25 シリコンサブマウント 26 半導体レーザーチップ 27 モニタ検出器 30 リードフレーム 31 射出成形片 32 固定装置 33 金属接続部 34 取付板 35 キャップ 36 金属リード
Claims (15)
- 【請求項1】 取付板として機能する幅広端部を有する
第1のリードと、 第1のリードの一方の側に位置する第2のリードと、 第1のリードの他方の側に位置する第3のリードと、 取付板の前方端部の上に配置されたサブマウントであっ
て、サブマウントの上に配置された第2のリードに電気
的に接続された半導体レーザーチップと、半導体レーザ
ーチップからの逆向きの光を受け取るためにサブマウン
トに密接して配置され第3のリードに電気的に接続され
たモニタ検出器とを有するサブマウントと、 第1のリード、第2のリード、及び第3のリードを固定
するためのプラスチックモールドヘッダと、 プラスチックモールドヘッダに対応しており、プラスチ
ックモールドヘッダの上の全ての構成部品をシールする
透明キャップとからなる半導体レーザー用プラスチック
モールド装置。 - 【請求項2】 半導体レーザーチップにより発生した熱
をプラスチックモールド装置の外側に導くために半導体
レーザー装置の外側に取付板から伸延する、少なくとも
一つの放熱板を更に含む請求項1に記載の半導体レーザ
ー用プラスチックモールド装置。 - 【請求項3】 透明キャップの内側及び外側の双方が、
平坦である請求項1に記載の半導体レーザー用プラスチ
ックモールド装置。 - 【請求項4】 透明キャップの前方端部の内側及び外側
が、それぞれ片面レンズ及びホログラフィック膜で形成
された請求項1に記載の半導体レーザー用プラスチック
モールド装置。 - 【請求項5】 透明キャップの前方端部が、フレネルレ
ンズとして形成された請求項1に記載の半導体レーザー
用プラスチックモールド装置。 - 【請求項6】 透明キャップとプラスチックモールドヘ
ッダとの接触表面が、ほぞとほぞ穴による接合である請
求項1に記載の半導体レーザー用プラスチックモールド
装置。 - 【請求項7】 透明キャップがその底部の周りにフラン
ジを有しており、フランジを熱加圧することにより透明
キャップをシールできるようにした請求項1に記載の半
導体レーザー用プラスチックモールド装置。 - 【請求項8】 プラスチックモールドヘッダが光を吸収
する請求項1に記載の半導体レーザー用プラスチックモ
ールド装置。 - 【請求項9】 透明キャップの上に光集束構成素子が形
成されているときに、透明キャップとプラスチックモー
ルドヘッダを、焦点調整後に、エポキシ樹脂により固定
的に接着することができる請求項1に記載の半導体レー
ザー用プラスチックモールド装置。 - 【請求項10】 透明キャップの前方端部が、片面レン
ズとして形成された請求項1に記載の半導体レーザー用
プラスチックモールド装置。 - 【請求項11】 透明キャップの前方端部が、両面レン
ズとして形成された請求項1に記載の半導体レーザー用
プラスチックモールド装置。 - 【請求項12】 レンズを球面レンズとすることができ
る請求項10に記載の半導体レーザー用プラスチックモ
ールド装置。 - 【請求項13】 レンズを球レンズとすることができる
請求項10に記載の半導体レーザー用プラスチックモー
ルド装置。 - 【請求項14】 レンズを球面レンズとすることができ
る請求項11に記載の半導体レーザー用プラスチックモ
ールド装置。 - 【請求項15】 レンズを球レンズとすることができる
請求項11に記載の半導体レーザー用プラスチックモー
ルド装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/581,246 US5825054A (en) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | Plastic-molded apparatus of a semiconductor laser |
JP8007224A JPH09205251A (ja) | 1995-12-29 | 1996-01-19 | 半導体レーザーのプラスチックモールド装置 |
CN96211640U CN2255682Y (zh) | 1995-12-29 | 1996-05-05 | 半导体激光塑料成型封装装置 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/581,246 US5825054A (en) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | Plastic-molded apparatus of a semiconductor laser |
JP8007224A JPH09205251A (ja) | 1995-12-29 | 1996-01-19 | 半導体レーザーのプラスチックモールド装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09205251A true JPH09205251A (ja) | 1997-08-05 |
Family
ID=26341490
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8007224A Pending JPH09205251A (ja) | 1995-12-29 | 1996-01-19 | 半導体レーザーのプラスチックモールド装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5825054A (ja) |
JP (1) | JPH09205251A (ja) |
CN (1) | CN2255682Y (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006173359A (ja) * | 2004-12-16 | 2006-06-29 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
KR100702106B1 (ko) * | 2004-03-30 | 2007-04-02 | 샤프 가부시키가이샤 | 광픽업장치, 그에 사용가능한 반도체 레이저장치와 하우징및 반도체 레이저장치의 제조방법 |
DE102008026764A1 (de) | 2007-06-05 | 2008-12-11 | Mitsubishi Electric Corp. | Deckelloses Gehäuse und Herstellungsverfahren desselben |
JP2010088552A (ja) * | 2008-10-06 | 2010-04-22 | Maxell Seiki Kk | 薄肉キャップの製造方法と薄肉キャップ、およびレンズキャップを備えた汚染防止カバー |
JP2011198857A (ja) * | 2010-03-17 | 2011-10-06 | Ricoh Co Ltd | 面発光レーザモジュール、光走査装置及び画像形成装置 |
JP2013207189A (ja) * | 2012-03-29 | 2013-10-07 | Konica Minolta Inc | 光通信用のレンズユニット及び半導体モジュール |
JP2014216532A (ja) * | 2013-04-26 | 2014-11-17 | 株式会社トクヤマ | 半導体発光素子パッケージ |
Families Citing this family (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6027952A (en) * | 1997-01-21 | 2000-02-22 | Liu; Ming-Hsun | Method of manufacturing a string of electrically connected light emitting diodes |
US6020632A (en) * | 1997-02-26 | 2000-02-01 | Motorola, Inc. | Electronic component including an adjustable cap |
JP3051376B2 (ja) * | 1998-08-24 | 2000-06-12 | 松下電子工業株式会社 | リードフレーム及びその製造方法並びにリードフレームを用いた半導体装置 |
US6464409B1 (en) * | 1999-10-08 | 2002-10-15 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Package for optical communications modules |
EP1096415A1 (en) * | 1999-10-26 | 2001-05-02 | Datalogic S.P.A. | Optical device, lens and optical element for focusing a laser beam and apparatus and method for assembling the optical device |
TW477466U (en) * | 2000-10-26 | 2002-02-21 | Mu-Jin You | Improved LED |
US6476549B2 (en) * | 2000-10-26 | 2002-11-05 | Mu-Chin Yu | Light emitting diode with improved heat dissipation |
US6700138B2 (en) * | 2002-02-25 | 2004-03-02 | Silicon Bandwidth, Inc. | Modular semiconductor die package and method of manufacturing thereof |
TW528240U (en) * | 2002-04-18 | 2003-04-11 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | A package of an optical component |
JP3947495B2 (ja) * | 2003-06-02 | 2007-07-18 | ローム株式会社 | モールド型半導体レーザ |
US6903382B2 (en) * | 2003-07-07 | 2005-06-07 | Lightop Technology Co., Ltd. | Light emitting diode mounting structure |
US6921927B2 (en) * | 2003-08-28 | 2005-07-26 | Agilent Technologies, Inc. | System and method for enhanced LED thermal conductivity |
EP1709692A1 (en) * | 2004-01-29 | 2006-10-11 | Acol Technologies S.A. | Light emitting diode with integral heat dissipation means |
EP1622205A3 (en) * | 2004-07-29 | 2006-02-08 | Schott AG | Electronic package incorporating electronic components generating and/or receiving light-based signals |
US7201495B2 (en) * | 2004-08-03 | 2007-04-10 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Semiconductor light emitting device package with cover with flexible portion |
US7847301B2 (en) * | 2004-12-08 | 2010-12-07 | Agilent Technologies, Inc. | Electronic microcircuit having internal light enhancement |
TWI285013B (en) * | 2006-01-03 | 2007-08-01 | Quarton Inc | Laser module and method of manufacturing the same |
TWM303564U (en) * | 2006-04-21 | 2006-12-21 | Arima Optoelectronics Corp | Optic unit for laser module |
KR100883075B1 (ko) * | 2007-03-02 | 2009-02-10 | 엘지전자 주식회사 | 전계발광소자 |
JP2009141157A (ja) * | 2007-12-07 | 2009-06-25 | Panasonic Corp | 半導体装置、半導体装置の製造方法および光ピックアップ装置ならびに光ディスクドライブ装置 |
DE102009005547A1 (de) * | 2009-01-20 | 2010-07-29 | R. Stahl Schaltgeräte GmbH | Gekapselte Leuchtdiodenanordnung |
US8034644B2 (en) * | 2009-01-23 | 2011-10-11 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Light emitting device |
DE102010046088A1 (de) | 2010-09-20 | 2012-03-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Gehäuse und Verfahren zum Herstellen eines Gehäuses |
DE102010046090A1 (de) | 2010-09-20 | 2012-03-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Gehäuse für ein optoelektronisches Halbleiterbauelement und Halbleiterbauelement |
DE102011081417A1 (de) * | 2011-08-23 | 2012-09-20 | Siemens Ag | Optoelektronisches Bauelement |
DE102013205594A1 (de) * | 2013-03-28 | 2014-10-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Laserbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung |
DE102015109788A1 (de) | 2015-06-18 | 2016-12-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Anordnung |
DE102016116439A1 (de) | 2016-09-02 | 2018-03-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Anordnung mit einem Gehäuse mit einem strahlungsemittierenden optoelektronischen Bauelement |
JP7398877B2 (ja) * | 2019-04-18 | 2023-12-15 | 新光電気工業株式会社 | 半導体装置用ステム及び半導体装置 |
WO2021146914A1 (zh) * | 2020-01-21 | 2021-07-29 | 齐鲁工业大学 | 一种同轴激光器to-can |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6333877A (ja) * | 1986-07-29 | 1988-02-13 | Omron Tateisi Electronics Co | 光半導体装置 |
JPS6338272A (ja) * | 1986-08-04 | 1988-02-18 | Omron Tateisi Electronics Co | 光半導体装置 |
JPS6362257A (ja) * | 1986-09-02 | 1988-03-18 | Mitsubishi Electric Corp | 光学部品付発光素子の製造方法 |
JPH01140791A (ja) * | 1987-11-27 | 1989-06-01 | Canon Inc | 半導体レーザー装置 |
JPH01226189A (ja) * | 1988-03-07 | 1989-09-08 | Canon Inc | 半導体レーザー素子パッケージ用キャップ |
JPH02125687A (ja) * | 1988-11-04 | 1990-05-14 | Sony Corp | 半導体レーザ装置 |
JPH02168220A (ja) * | 1988-12-22 | 1990-06-28 | Omron Tateisi Electron Co | 光学素子及び半導体レーザ光源 |
JPH02266584A (ja) * | 1989-04-06 | 1990-10-31 | Nec Kagoshima Ltd | 光半導体装置 |
JPH0344992A (ja) * | 1989-07-12 | 1991-02-26 | Sharp Corp | 半導体レーザ用キャップ |
JPH04137580A (ja) * | 1990-09-27 | 1992-05-12 | Sharp Corp | 半導体レーザ用ステム |
JPH04305989A (ja) * | 1991-03-14 | 1992-10-28 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
JPH05121841A (ja) * | 1991-10-25 | 1993-05-18 | Nec Corp | 半導体レーザモジユール |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3267341A (en) * | 1962-02-09 | 1966-08-16 | Hughes Aircraft Co | Double container arrangement for transistors |
JPS62131587A (ja) * | 1985-12-04 | 1987-06-13 | Hitachi Ltd | 光電子装置 |
JPS63187673A (ja) * | 1987-01-30 | 1988-08-03 | Hitachi Ltd | 光半導体装置 |
JPH02139984A (ja) * | 1988-11-18 | 1990-05-29 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
JPH03142886A (ja) * | 1989-10-27 | 1991-06-18 | Omron Corp | 半導体発光装置 |
US5500768A (en) * | 1993-04-16 | 1996-03-19 | Bruce McCaul | Laser diode/lens assembly |
-
1995
- 1995-12-29 US US08/581,246 patent/US5825054A/en not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-01-19 JP JP8007224A patent/JPH09205251A/ja active Pending
- 1996-05-05 CN CN96211640U patent/CN2255682Y/zh not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6333877A (ja) * | 1986-07-29 | 1988-02-13 | Omron Tateisi Electronics Co | 光半導体装置 |
JPS6338272A (ja) * | 1986-08-04 | 1988-02-18 | Omron Tateisi Electronics Co | 光半導体装置 |
JPS6362257A (ja) * | 1986-09-02 | 1988-03-18 | Mitsubishi Electric Corp | 光学部品付発光素子の製造方法 |
JPH01140791A (ja) * | 1987-11-27 | 1989-06-01 | Canon Inc | 半導体レーザー装置 |
JPH01226189A (ja) * | 1988-03-07 | 1989-09-08 | Canon Inc | 半導体レーザー素子パッケージ用キャップ |
JPH02125687A (ja) * | 1988-11-04 | 1990-05-14 | Sony Corp | 半導体レーザ装置 |
JPH02168220A (ja) * | 1988-12-22 | 1990-06-28 | Omron Tateisi Electron Co | 光学素子及び半導体レーザ光源 |
JPH02266584A (ja) * | 1989-04-06 | 1990-10-31 | Nec Kagoshima Ltd | 光半導体装置 |
JPH0344992A (ja) * | 1989-07-12 | 1991-02-26 | Sharp Corp | 半導体レーザ用キャップ |
JPH04137580A (ja) * | 1990-09-27 | 1992-05-12 | Sharp Corp | 半導体レーザ用ステム |
JPH04305989A (ja) * | 1991-03-14 | 1992-10-28 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
JPH05121841A (ja) * | 1991-10-25 | 1993-05-18 | Nec Corp | 半導体レーザモジユール |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100702106B1 (ko) * | 2004-03-30 | 2007-04-02 | 샤프 가부시키가이샤 | 광픽업장치, 그에 사용가능한 반도체 레이저장치와 하우징및 반도체 레이저장치의 제조방법 |
KR100749881B1 (ko) * | 2004-03-30 | 2007-08-21 | 샤프 가부시키가이샤 | 광픽업장치, 그에 사용가능한 반도체 레이저장치와 하우징및 반도체 레이저장치의 제조방법 |
JP2006173359A (ja) * | 2004-12-16 | 2006-06-29 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
DE102008026764A1 (de) | 2007-06-05 | 2008-12-11 | Mitsubishi Electric Corp. | Deckelloses Gehäuse und Herstellungsverfahren desselben |
JP2010088552A (ja) * | 2008-10-06 | 2010-04-22 | Maxell Seiki Kk | 薄肉キャップの製造方法と薄肉キャップ、およびレンズキャップを備えた汚染防止カバー |
JP2011198857A (ja) * | 2010-03-17 | 2011-10-06 | Ricoh Co Ltd | 面発光レーザモジュール、光走査装置及び画像形成装置 |
JP2013207189A (ja) * | 2012-03-29 | 2013-10-07 | Konica Minolta Inc | 光通信用のレンズユニット及び半導体モジュール |
JP2014216532A (ja) * | 2013-04-26 | 2014-11-17 | 株式会社トクヤマ | 半導体発光素子パッケージ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5825054A (en) | 1998-10-20 |
CN2255682Y (zh) | 1997-06-04 |
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