JPH09205056A - Method for stripping and cleaning resist - Google Patents
Method for stripping and cleaning resistInfo
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- JPH09205056A JPH09205056A JP1060596A JP1060596A JPH09205056A JP H09205056 A JPH09205056 A JP H09205056A JP 1060596 A JP1060596 A JP 1060596A JP 1060596 A JP1060596 A JP 1060596A JP H09205056 A JPH09205056 A JP H09205056A
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- stripping
- tank
- water
- work
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明はレジスト剥離と水洗
方法に係り、たとえば液晶表示パネルの製造において用
いられるレジスト剥離と水洗方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a resist stripping method and a water washing method, and more particularly to a resist stripping method and a water washing method used in manufacturing a liquid crystal display panel.
【0002】[0002]
【従来の技術】たとえば液晶表示パネルは、液晶を介し
て互いに対向配置される一対の透明基板を外囲器とする
もので、一方の透明基板面において多数の画素がマトリ
ックス状に配置された表示部とするため、該各透明基板
の液晶側の面にはいわゆるフォトリソグラフィ技術によ
って微細形成された電子回路が備えられている。2. Description of the Related Art A liquid crystal display panel, for example, uses a pair of transparent substrates, which are arranged to face each other with a liquid crystal in between, as an envelope, and a display in which a large number of pixels are arranged in a matrix on one transparent substrate surface. The liquid crystal side surface of each transparent substrate is provided with an electronic circuit finely formed by a so-called photolithography technique.
【0003】このため、このような液晶表示パネルを製
造する場合には、各透明基板の液晶側の面において、フ
ォレジスト膜の形成および除去が数回にわたって繰り返
される。Therefore, when manufacturing such a liquid crystal display panel, formation and removal of the photoresist film are repeated several times on the liquid crystal side surface of each transparent substrate.
【0004】この場合のフォトレジスト膜は、透明基板
の液晶側の面の全域にわたって形成された金属層等を所
定のパターンに選択エッチングする際のマスクとして用
いられるものである。In this case, the photoresist film is used as a mask for selectively etching a metal layer or the like formed over the entire liquid crystal side surface of the transparent substrate into a predetermined pattern.
【0005】そして、このような液晶表示パネルの製造
において、選択エッチング後の透明基板上の不要となっ
たフォトレジスト(マスク)は、たとえばモノエタノー
ルアミン(MEA)のような溶解性の強い有機溶剤(以
下、剥離液と称す)で剥離され、その後、該透明基板は
充分に水洗されるようになっている。In the manufacture of such a liquid crystal display panel, the photoresist (mask) which is no longer needed on the transparent substrate after the selective etching is formed of a highly soluble organic solvent such as monoethanolamine (MEA). (Hereinafter, referred to as a peeling solution), the transparent substrate is sufficiently washed with water.
【0006】すなわち、図2に示すように、透明基板
(以後、ワークと称する場合がある)の搬送方向に沿っ
て、第1剥離漕1a、第2剥離液1b、第1水洗漕2
a、第2水洗漕2b、および第3水洗漕2cが順次配置
されている。ワークは、最初さらに次のというように各
剥離漕1に順次浸漬され、これによりフォトレジスト膜
の剥離が充分になされた段階で、最初さらに次のという
ように各水洗漕2に順次浸漬されて水洗がなされるよう
になっている。That is, as shown in FIG. 2, the first peeling tank 1a, the second peeling liquid 1b, and the first water washing tank 2 are arranged along the transport direction of the transparent substrate (hereinafter, also referred to as a work).
a, the second water washing tank 2b, and the third water washing tank 2c are sequentially arranged. The work is first dipped in each peeling tank 1 in the following order, and when the photoresist film is sufficiently peeled by this, the work is dipped in each washing tank 2 in the following order. It is designed to be washed with water.
【0007】この場合、第2剥離漕1bには外部から剥
離液が供給されるようになっており、その余剰の剥離液
が第1剥離漕1aへ注がれるようになっている。そし
て、第1剥離漕1aからの余剰の剥離液は減圧蒸留器3
を介して回収され、第2剥離漕1bへと再利用されるよ
うになっている。ここで、減圧蒸留器3によって分離さ
れたレジスト固形分と水は有機廃液処理漕4を介してた
とえば河川等に排出されるようになっている。In this case, the peeling liquid is supplied from the outside to the second peeling tank 1b, and the excess peeling liquid is poured into the first peeling tank 1a. Then, the excess stripping liquid from the first stripping tank 1a is a vacuum distiller 3
It is collected via the second peeling tank 1b and reused in the second peeling tank 1b. Here, the resist solids and water separated by the vacuum distiller 3 are discharged to a river or the like through the organic waste liquid treatment tank 4.
【0008】また、第3水洗漕2cには純水が供給され
るようになっており、その余剰の純水が第2水洗漕2b
へ、さらに第2水洗漕2bの余剰の純水が第3水洗漕2
cへ注がれるようになっている。そして、第1水洗漕2
aからの余剰の純水は前記有機廃液処理漕(生物処理
漕)4を介してたとえば河川等に排出されるようになっ
ている。Pure water is supplied to the third water washing tank 2c, and the surplus pure water is supplied to the second water washing tank 2b.
In addition, the surplus pure water in the second water washing tank 2b is removed by the third water washing tank 2b.
It is pouring into c. And the first flush tank 2
Excess pure water from a is discharged to a river or the like through the organic waste liquid treatment tank (biological treatment tank) 4.
【0009】[0009]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな方法におけるレジスト剥離および水洗は、一部の剥
離液がワークとともに第2剥離漕1bから水洗漕2側へ
と持ち込まれ、これによって各水洗漕2内の水の汚染が
免れなくなる。However, in the resist stripping and the water washing in such a method, a part of the stripping solution is brought from the second stripping tank 1b to the water washing tank 2 side together with the work, whereby each water washing tank is washed. The water in 2 becomes inevitable.
【0010】この汚染によるワークへの影響はより多く
の水洗漕を多段に備えることによって軽減させることは
できるが、ワークとともに持ち込まれた剥離液は全く回
収することができないものとなる。Although the influence of the contamination on the work can be reduced by providing a larger number of water washing tanks in multiple stages, the peeling liquid brought in with the work cannot be recovered at all.
【0011】また、水洗漕2の水は、有機廃液処理漕4
に導かれて有機廃液処理され、たとえば河川等に放流さ
れることになるが、該第1水洗漕2aの水に多量の有機
物量が含まれる場合には、該有機廃液処理漕4は必然的
に大きなものとならざるを得ないものとなる。このた
め、現状においては、該有機廃液処理漕4は、それによ
って構内の一角を占めざるを得ないものとなっている。The water in the water washing tank 2 is used as the organic waste liquid treatment tank 4
Will be discharged to a river or the like, and if the water in the first water washing tank 2a contains a large amount of organic substances, the organic waste liquid processing tank 4 is inevitable. It will be a big one. Therefore, at present, the organic waste liquid treatment tank 4 is obliged to occupy a corner of the premises.
【0012】本発明は、このような事情に基づいてなさ
れたものであり、その目的は、剥離液の回収をより多く
できるレジスト剥離と水洗方法を提供することにある。The present invention has been made under these circumstances, and an object thereof is to provide a resist stripping method and a water washing method in which the stripping solution can be more recovered.
【0013】また、本発明の他の目的は、水洗漕の水に
多量の有機物量が含まれていても、有機廃液処理漕を大
型化する必要のないレジスト剥離と水洗方法を提供する
ことにある。Another object of the present invention is to provide a resist stripping and rinsing method which does not require an increase in the size of the organic waste liquid treatment tank even when the water in the rinsing tank contains a large amount of organic substances. is there.
【0014】[0014]
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明は次のような手段から構成されている
ものである。In order to achieve such an object, the present invention comprises the following means.
【0015】手段1.ワークに形成されているレジスト
を剥離するために使用する剥離液による排液をその場で
蒸留再生するとともに、該ワークを多段で水洗するレジ
スト剥離と水洗方法において、最初の水洗段階による排
水の一部または全部を前記剥離液による排液とともに蒸
留再生することを特徴とするものである。 Means 1. In the resist stripping and rinsing method in which the drainage by the stripping solution used for stripping the resist formed on the work is distilled and regenerated on the spot, and the work is washed in multiple stages, one of the drainages from the first washing step is used. It is characterized in that part or all of it is regenerated by distillation together with the drainage of the stripping solution.
【0016】手段2.手段1の構成において、ワークを
多段で水洗するための水洗水は、その水洗順序と逆方向
に水洗水の一部が流入されるものであって、最初の水洗
段階に流入される洗浄水の一部が有機廃液処理されるこ
とを特徴とするものである。 Means 2. In the configuration of the means 1, the washing water for washing the work in multiple stages is a portion of the washing water that flows in the direction opposite to the washing order, and the washing water that flows into the first washing stage is the same. It is characterized in that a part of the organic waste liquid is treated.
【0017】手段1のように構成されたレジスト剥離と
水洗方法は、ワークとともに剥離漕から水洗漕に持ち込
まれる剥離液をも回収できるように構成されていること
から、剥離液の回収をより多くできるできるようにな
る。Since the resist stripping and rinsing method constructed as in the means 1 is constructed so that the stripping liquid brought into the rinsing bath from the stripping tank together with the work can be collected, the stripping liquid can be collected more frequently. I will be able to do it.
【0018】また、手段2のように構成されたレジスト
剥離と水洗方法は、剥離液を回収できる水洗漕に対して
その後段の水洗漕からの水を有機廃液処理漕へ導いてい
ることから、たとえ水洗漕の水に多量の有機物量が含ま
れていても、有機廃液処理漕の負担を軽くでき、大型化
する必要をなくすことができるようになる。Further, in the resist stripping and rinsing method constituted as the means 2, the water from the subsequent rinsing tank is guided to the organic waste liquid treating tank with respect to the rinsing tank capable of recovering the stripping solution. Even if the water in the washing tank contains a large amount of organic substances, the burden on the organic waste liquid treatment tank can be lightened, and the need for increasing the size can be eliminated.
【0019】[0019]
【発明の実施の形態】図1は、本発明よるレジスト剥離
と水洗方法の一実施例を示す概略構成図である。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 is a schematic diagram showing an embodiment of the resist stripping and washing method according to the present invention.
【0020】同図において、ワークの搬送経路に沿っ
て、第1剥離漕1a、第2剥離漕1b、第1水洗漕2
a、第2水洗漕2b、および第3水洗漕2cが配置され
ている。In the figure, a first peeling tank 1a, a second peeling tank 1b, and a first water washing tank 2 are arranged along a work transfer path.
a, the second water washing tank 2b, and the third water washing tank 2c are arranged.
【0021】この場合のワークとしては、たとえば液晶
表示パネルの一部を構成するガラス基板からなり、その
主表面においてその全域に形成されたたとえば金属膜等
の表面に所望のパターン形状からなるフォトレジスト膜
が形成されたものとなっている。The work in this case is, for example, a glass substrate forming a part of a liquid crystal display panel, and a photoresist having a desired pattern on the surface of a metal film or the like formed over the entire main surface of the glass substrate. A film has been formed.
【0022】搬送経路を移動するワークは、まず、第1
剥離漕1aの上方で停止され、その後図示しない機構に
よって下方に移動されて該第1剥離漕1a内の剥離液に
浸漬される。そして、一回目の浸漬が終了した後は、上
方に移動され、さらに第2剥離漕2bの上方まで移動さ
れる。その後、下方に移動されて該第2剥離漕2b内の
剥離液に浸漬される。First, the work moving on the transfer route is first.
It is stopped above the stripping tank 1a, then moved downward by a mechanism (not shown) and immersed in the stripping solution in the first stripping tank 1a. Then, after the first immersion is completed, it is moved upward and further to the upper side of the second peeling tank 2b. Then, it is moved downward and immersed in the stripping solution in the second stripping tank 2b.
【0023】このようにして、ワークを第1剥離漕1a
および第2剥離漕1bを用いて二回からなる剥離処理を
行うのは、フォトレジストの剥離をその残渣なく行うか
らであり、このため、各剥離液の汚染度合は、第1剥離
漕1aおよび第2剥離漕1bの順番に小さくなることは
いうまでもない。In this way, the work is placed on the first peeling tank 1a.
The reason why the stripping process is performed twice by using the second stripping tank 1b is that the stripping of the photoresist is performed without the residue. Therefore, the degree of contamination of each stripping solution is the same as that of the first stripping tank 1a and It goes without saying that the size of the second peeling tank 1b becomes smaller in this order.
【0024】なお、各剥離漕1内の剥離液としては、た
とえばモノエタノールアミン(MEA)のような溶解性の
強い有機溶剤が用いられている。As the stripping solution in each stripping tank 1, an organic solvent having a strong solubility such as monoethanolamine (MEA) is used.
【0025】そして、第2剥離漕1bでの浸漬が終了し
たワークは、その後、上方に移動され、第1水洗漕2a
の上方まで移動される。その後、下方に移動されて該第
1水洗漕2a内の水に浸漬される。The work, which has been immersed in the second peeling tank 1b, is then moved upward to the first washing tank 2a.
Is moved to above. Then, it is moved downward and immersed in the water in the first water washing tank 2a.
【0026】この場合、ワークに付着している剥離液が
該ワークとともに第1水洗漕2bへと持ち込まれること
は上述したとおりである。In this case, the peeling liquid adhering to the work is brought into the first water washing tank 2b together with the work as described above.
【0027】このように一回目の浸漬が終了した後は、
その後上方に移動され、第2水洗漕2bの上方まで移動
される。その後、下方に移動されて該第2水洗漕2b内
の水に浸漬される。さらに同様にして第3水洗漕2c内
の水に浸漬される。After completion of the first immersion as described above,
After that, it is moved upward and is moved to the upper side of the second water washing tank 2b. Then, it is moved downward and immersed in the water in the second water washing tank 2b. Further, similarly, it is immersed in the water in the third water washing tank 2c.
【0028】この場合においても、ワークを第1水洗漕
2a、第2水洗漕2b、および第3水洗漕2cを用いて
三回からなる水洗処理を行うのは該水洗処理の信頼性の
向上を図るためであり、このため、各水の汚染度合は、
第1水洗漕2a、第2水洗漕2b、および第3水洗漕2
cの順番に大きくなることはいうまでもない。Also in this case, it is necessary to perform the water rinsing treatment three times by using the first water rinsing tank 2a, the second water rinsing tank 2b and the third water rinsing tank 2c in order to improve the reliability of the water rinsing processing. This is because the degree of pollution of each water is
First water washing tank 2a, second water washing tank 2b, and third water washing tank 2
It goes without saying that the size increases in the order of c.
【0029】また、第2剥離漕1bには、外部から剥離
液が供給されるようになっており、この第2剥離漕1b
における余剰の剥離液は第1剥離漕1a内に注がれるよ
うになっている。そして、第1剥離漕1aにおける余剰
の剥離液は減圧蒸留器3に供給されるようになってい
る。Further, the peeling liquid is supplied from the outside to the second peeling tank 1b.
The excess stripping solution in 1 is poured into the first stripping tank 1a. Then, the excess stripping liquid in the first stripping tank 1a is supplied to the vacuum distiller 3.
【0030】この減圧蒸留器3は、第1剥離漕1aから
の剥離液を蒸留することによってレジスト固形分と水を
分離させ、そのレジスト固形分と水を有機廃液処理漕
(生物処理漕)4へ導くととともに、該レジスト固形分
と水が分離された剥離液は回収されて第2剥離漕1bへ
供給されて再利用されるようになっている。This vacuum distiller 3 separates the resist solid content and water by distilling the stripping solution from the first stripping tank 1a, and the resist solid content and water are separated into an organic waste liquid treatment tank (biological treatment tank) 4 At the same time, the stripping liquid from which the resist solid content and water have been separated is recovered and supplied to the second stripping tank 1b for reuse.
【0031】一方、第3水洗漕2cには、外部から純水
が供給されるようになっており、この第3水洗漕2cに
おける余剰の純水は、第2水洗漕2b内に注がれるよう
になっている。On the other hand, pure water is supplied from the outside to the third water washing tank 2c, and the excess pure water in the third water washing tank 2c is poured into the second water washing tank 2b. It is like this.
【0032】そして、第2水洗漕2bにおける余剰の水
はその一部が第1水洗漕内2aに注がれるようになって
いるとともに、残りの一部が有機廃液処理漕4に供給さ
れるようになっている。A part of the surplus water in the second water washing tank 2b is poured into the first water washing tank 2a, and the remaining part is supplied to the organic waste liquid treatment tank 4. It is like this.
【0033】ここで、第2水洗漕2bから第1水洗漕2
aに注がれる純水の量は、第2剥離漕1bから第1水洗
漕2aへワークとともに持ち込まれる剥離液の量の3倍
程度とすることが望ましい。すなわち、第2剥離漕1b
からワークとともに持ち込まれる剥離液の量がたとえば
20l/hとした場合、第2水洗漕2bから第1水洗漕
2aに注がれる純水の量は60l/hに設定することが
望ましい。Here, from the second flush tank 2b to the first flush tank 2
The amount of pure water poured into a is preferably about three times the amount of the stripping liquid brought from the second stripping tank 1b into the first water washing bath 2a together with the work. That is, the second peeling tank 1b
When the amount of the stripping solution brought in together with the work is 20 l / h, for example, the amount of pure water poured from the second water washing tank 2b into the first water washing tank 2a is preferably set to 60 l / h.
【0034】そして、第1水洗漕2aにおける余剰の水
は前述した減圧蒸留器3に供給されるようになってい
る。このことから、ワークとともに第2剥離漕1bから
第1水洗漕2aに持ち込まれる剥離液をも回収できるよ
うに構成されていることから、剥離液の回収をより多く
できるできるようになる。The surplus water in the first water washing tank 2a is supplied to the vacuum distiller 3 described above. Therefore, since the stripping liquid brought into the first water washing bath 2a from the second stripping tank 1b together with the work can be collected, the stripping liquid can be collected more.
【0035】この場合、第1水洗漕2a内の剥離液は、
その濃度が約4倍に薄められることになり、第1水洗漕
2a内に約25%含まれることになる。In this case, the stripping solution in the first water washing tank 2a is
The concentration will be diluted to about 4 times, and about 25% will be contained in the first flush tank 2a.
【0036】第1水洗漕2aにおいて、ワークとともに
持ち込まれる液は100%の剥離液であり、これに対し
て、ワークとともに持ち出される液は25%の剥離液で
あることに着目すれば、前記減圧蒸留器3に送られる排
液は、ワークとともに持ち込まれる剥離液の75%にな
る。つまり、75%が第1水洗漕2aから回収されるこ
とになり、有機廃液処理漕4の負担が25%に軽減され
ることになる。In the first water washing tank 2a, the liquid brought in with the work is 100% stripping liquid, whereas the liquid brought out with the work is 25% stripping liquid. The waste liquid sent to the distiller 3 becomes 75% of the stripping liquid brought in together with the work. That is, 75% is recovered from the first water washing tank 2a, and the load on the organic waste liquid treatment tank 4 is reduced to 25%.
【0037】なお、減圧蒸留器3の処理能力を考慮した
場合、従来において、持ち出される液量の5倍程度を循
環使用するとすると、100l/hの処理能力が必要で
あるのに対して、本実施例の場合はさらに60l/h分
が追加されることになる。Considering the processing capacity of the vacuum distiller 3, in the conventional case, if about 5 times the amount of liquid to be carried out is circulated and used, a processing capacity of 100 l / h is required, whereas In the case of the embodiment, an additional 60 l / h is added.
【0038】しかし、この程度の処理能力の増加は特に
問題となることはなく、設備価格の増加あるいはランニ
ングコストの増加にほとんど影響しないものである。However, such an increase in processing capacity does not cause any particular problem and has almost no effect on an increase in equipment price or an increase in running cost.
【0039】以上の実施例から明らかとなるように、ワ
ークとともに剥離漕から水洗漕に持ち込まれる剥離液を
も回収できるように構成されていることから、剥離液の
回収をより多くできるできるようになる。As is clear from the above embodiments, since the stripping solution brought into the washing bath from the stripping tank together with the work can be collected, the stripping solution can be collected more. Become.
【0040】また、剥離液を回収できる水洗漕に対して
その後段の水洗漕からの水を有機廃液処理漕へ導いてい
ることから、たとえ水洗漕の水に多量の有機物量が含ま
れていても、有機廃液処理漕の負担を軽くでき、大型化
する必要をなくすことができるようになる。Further, since the water from the subsequent water washing tank is guided to the organic waste liquid treatment tank with respect to the water washing tank capable of collecting the stripping solution, even if the water in the water washing tank contains a large amount of organic substances. However, the burden on the organic waste liquid treatment tank can be lightened, and the need for increasing the size can be eliminated.
【0041】上述した実施例は、剥離漕1として2段
に、水洗漕2として3段に、それぞれ構成したものであ
るが、それぞれの段数は制限されることはないことはい
うまでもないことは明らかである。In the above-mentioned embodiment, the stripping tank 1 has two stages and the flushing tank 2 has three stages, but it goes without saying that the number of each stage is not limited. Is clear.
【0042】上述した実施例は、液晶表示パネルの製造
におけるレジスト剥離と水洗方法を説明したものである
が、液晶表示パネルの製造において限定されることはな
く、たとえば半導体装置等他の電子部品の製造において
も適用できることはいうまでもない。Although the above-described embodiments describe the method of removing the resist and washing with water in the manufacture of the liquid crystal display panel, the method is not limited to the manufacture of the liquid crystal display panel and may be used for other electronic parts such as semiconductor devices. It goes without saying that it can also be applied to manufacturing.
【0043】また、上述した実施例は、レジスト剥離液
についてのものであるが、他の各種の電子部品洗浄用の
有機溶剤洗浄液についても適用できることは言うまでも
ない。また、ワークをスピン回転しながら水洗水をたら
して水洗する場合にも、本発明は適用できるのであっ
て、水洗の初期の排水を回収し、有機溶剤廃液と一緒に
蒸留再生すれば良い。Further, although the above-mentioned embodiment is for the resist stripping solution, it goes without saying that it can be applied to other various organic solvent cleaning solutions for cleaning electronic parts. Further, the present invention can be applied to the case where the work is spin-spun and flushed with washing water, and the drainage at the initial stage of washing may be recovered and regenerated by distillation together with the organic solvent waste liquid.
【0044】[0044]
【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
本発明によるレジスト剥離と水洗方法によれば、剥離液
の回収をより多くできるようになる。As is apparent from the above description,
According to the resist stripping and water washing method of the present invention, the stripping solution can be collected more.
【0045】また、水洗漕の水に多量の有機物量が含ま
れていても、有機廃液処理漕を大型化する必要をなくす
ことができる。Further, even if the water in the washing bath contains a large amount of organic substances, it is possible to eliminate the need to upsize the organic waste liquid treatment bath.
【図1】本発明によるレジスト剥離と水洗方法の一実施
例を示す構成図である。FIG. 1 is a configuration diagram showing an embodiment of a resist stripping and washing method according to the present invention.
【図2】従来のレジスト剥離と水洗方法の一例を示す構
成図である。FIG. 2 is a configuration diagram showing an example of a conventional resist stripping and washing method.
1……剥離漕、2……水洗漕、3……減圧蒸留器、4…
…有機廃液処理漕。1 ... Peeling tank, 2 ... Washing tank, 3 ... Vacuum distiller, 4 ...
… Organic waste treatment tank.
Claims (3)
り、あるいは、レジストを剥離するために使用する有機
溶剤の排液をその場で蒸留再生するとともに、該ワーク
を多段で水洗するレジスト剥離と水洗方法において、 最初の水洗段階による排水の一部または全部を前記有機
溶剤の排液と一緒にして蒸留再生することを特徴とする
レジスト剥離と水洗方法。1. A resist stripping method for removing stains on a work or for distilling and regenerating the drainage of an organic solvent used for stripping a resist on the spot and washing the work in multiple stages. And a water washing method, wherein a part or all of the drainage water from the first water washing step is combined with the drainage of the organic solvent and regenerated by distillation, and the resist stripping and water washing method.
は、その水洗順序と逆方向に水洗水の一部が流入される
ものであって、最初の水洗段階に流入される洗浄水の一
部が有機廃液処理されることを特徴とする請求項1記載
のレジスト剥離と水洗方法。2. The rinsing water for rinsing a work in multiple stages is one in which a part of the rinsing water is introduced in a direction opposite to the order of rinsing, and is one of the rinsing water that is introduced into the first rinsing step. The method according to claim 1, wherein the part is treated with an organic waste liquid.
り、あるいは、レジストを剥離するために使用する有機
溶剤の排液をその場で蒸留再生するとともに、該ワーク
を多段で水洗するレジスト剥離と水洗方法において、 最初の水洗段階による排水の一部または全部を前記有機
溶剤の排液と一緒にして蒸留再生することを特徴とする
液晶表示パネルの製造方法。3. A resist stripping method in which the drainage of an organic solvent used for removing stains on a work or stripping a resist is distilled and regenerated on the spot, and the work is washed in multiple stages. And a method of washing with water, wherein a part or all of the drainage water from the first washing step is combined with the drainage of the organic solvent for distillation regeneration.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1060596A JPH09205056A (en) | 1996-01-25 | 1996-01-25 | Method for stripping and cleaning resist |
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---|---|---|---|
JP1060596A JPH09205056A (en) | 1996-01-25 | 1996-01-25 | Method for stripping and cleaning resist |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JPH09205056A true JPH09205056A (en) | 1997-08-05 |
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Family Applications (1)
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JP1060596A Pending JPH09205056A (en) | 1996-01-25 | 1996-01-25 | Method for stripping and cleaning resist |
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Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH09205056A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014077936A (en) * | 2012-10-11 | 2014-05-01 | Panasonic Corp | Regeneration method and regeneration apparatus for resist stripping solution |
JP2016189001A (en) * | 2015-03-27 | 2016-11-04 | ティーイーエル エフエスアイ,インコーポレイティド | Method for wet stripping silicon-containing organic layers |
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1996
- 1996-01-25 JP JP1060596A patent/JPH09205056A/en active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014077936A (en) * | 2012-10-11 | 2014-05-01 | Panasonic Corp | Regeneration method and regeneration apparatus for resist stripping solution |
JP2016189001A (en) * | 2015-03-27 | 2016-11-04 | ティーイーエル エフエスアイ,インコーポレイティド | Method for wet stripping silicon-containing organic layers |
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