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JPH09135162A - Or logic circuit - Google Patents

Or logic circuit

Info

Publication number
JPH09135162A
JPH09135162A JP7288514A JP28851495A JPH09135162A JP H09135162 A JPH09135162 A JP H09135162A JP 7288514 A JP7288514 A JP 7288514A JP 28851495 A JP28851495 A JP 28851495A JP H09135162 A JPH09135162 A JP H09135162A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
channel mos
transistor
load
logic circuit
transistors
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP7288514A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masayasu Oikawa
真庸 及川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP7288514A priority Critical patent/JPH09135162A/en
Publication of JPH09135162A publication Critical patent/JPH09135162A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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  • Logic Circuits (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To make a delay time at switching of an input signal small and constant by connecting sources of plural 1st transistors(TRs) in common and connecting drains of plural 2nd TRs in common so as to eliminate the cascade connection. SOLUTION: An input signal at an input terminal 201 is fed to gates of N- channel MOS TRs Qa1 , Qb1 and an input signal at an input terminal 202 is fed to gates of N-channel MOS TRs Qa2 , Qb2 . Drains of the 1st TRs Qa1 , Qa2 are connected respectively to a 1st power supply Vcc and sources are connected in common to an output terminal 21. Sources of the 2nd TRs Qa2 , Qb2 are connected to ground (2nd power supply) and drains are connected to a gate of a 3rd N-channel MOS TR Qc and one terminal of a load 22. The other terminal of the load 22 connects to the power supply Vcc. The source of the TR Qc connects to ground and the drain connects to the output terminal 21.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はOR論理回路に関
し、MOSトランジスタを用いたOR論理回路に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an OR logic circuit, and more particularly to an OR logic circuit using MOS transistors.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、OR論理演算を行う場合はNOR
論理回路とインバータとを組み合わせている。図6に従
来の2入力OR論理回路を示す。同図中、端子11,1
2夫々に入力信号が供給される。端子11,12夫々の
入力信号はPチャネルMOSトランジスタQp1,Qp
2夫々のゲート及びNチャネルMOSトランジスタQn
1,Qn2夫々のゲートに供給される。PチャネルMO
SトランジスタQp1,Qp2は縦型接続され、Nチャ
ネルMOSトランジスタQn1,Qn2はドレインを共
通接続されており、トランジスタQp2のドレインとト
ランジスタQn1,Qn2のドレインとが接続されてN
OR論理回路13が構成されている。このNOR論理回
路13の出力はPチャネルMOSトランジスタQp3と
NチャネルMOSトランジスタとで構成されるインバー
タ14によって反転され端子15より出力される。
2. Description of the Related Art Conventionally, NOR is used when performing an OR logical operation.
It combines a logic circuit and an inverter. FIG. 6 shows a conventional 2-input OR logic circuit. In the figure, terminals 11 and 1
An input signal is supplied to each of the two. Input signals to the terminals 11 and 12 are P-channel MOS transistors Qp1 and Qp, respectively.
Two gates and N channel MOS transistors Qn
1 and Qn2 are supplied to the respective gates. P channel MO
The S transistors Qp1 and Qp2 are vertically connected, the drains of the N-channel MOS transistors Qn1 and Qn2 are commonly connected, and the drain of the transistor Qp2 is connected to the drains of the transistors Qn1 and Qn2.
The OR logic circuit 13 is configured. The output of the NOR logic circuit 13 is inverted by an inverter 14 composed of a P channel MOS transistor Qp3 and an N channel MOS transistor and output from a terminal 15.

【0003】図7は従来のn入力OR論理回路を示す。
同図中、端子101 〜10n 夫々に入来するn系統の入
力端子夫々はPチャネルMOSトランジスタQp1〜Q
pn夫々のゲート及びNチャネルMOSトランジスタQ
n1〜Qnn夫々のゲートに供給される。PチャネルM
OSトランジスタQp1〜Qpnは縦型接続され、トラ
ンジスタQp1のドレインはNチャネルMOSトランジ
スタQn1〜Qnnの共通接続されたドレインと接続さ
れてn入力NOR論理回路16が構成されている。この
NOR論理回路16の出力信号はPチャネルMOSトラ
ンジスタQpn+1とNチャネルMOSトランジスタQ
nn+1で構成されるインバータ14で反転されて端子
15より出力される。
FIG. 7 shows a conventional n-input OR logic circuit.
In the figure, n-system input terminals coming into the terminals 10 1 to 10 n are P-channel MOS transistors Qp1 to Qn, respectively.
Each gate of pn and N channel MOS transistor Q
It is supplied to the respective gates of n1 to Qnn. P channel M
The OS transistors Qp1 to Qpn are vertically connected, and the drain of the transistor Qp1 is connected to the commonly connected drains of the N-channel MOS transistors Qn1 to Qnn to form an n-input NOR logic circuit 16. The output signal of the NOR logic circuit 16 is a P channel MOS transistor Qpn + 1 and an N channel MOS transistor Q.
It is inverted by the inverter 14 composed of nn + 1 and output from the terminal 15.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】従来回路では、全ての
入力信号がハイレベルからローレベルに変化したとき、
NOR論理回路内の縦型接続されたPチャネルMOSト
ランジスタが電源Vcc側から順にオンし、オンしたP
チャネルMOSトランジスタの導通抵抗が加算されるた
めに電流経路の負荷が増加するので、インバータ14に
供給される信号がハイレベルに変化するまでに遅延が生
じる。この遅延は図6の如く入力信号数が少ない場合は
さほど問題とはならないが、図7の如く入力信号数が多
い場合は、縦型接続されたPチャネルMOSトランジス
タ数が増加するで、遅延時間が大きくなるという問題が
あった。また、ハイレベルからローレベルに変化する入
力信号がどの端子に入来するかによって上記遅延時間が
異なってしまうという問題があった。
In the conventional circuit, when all the input signals change from the high level to the low level,
Vertically connected P-channel MOS transistors in the NOR logic circuit are turned on in order from the power supply Vcc side, and turned on.
Since the conduction resistance of the channel MOS transistor is added to increase the load on the current path, a delay occurs until the signal supplied to the inverter 14 changes to the high level. This delay is not a serious problem when the number of input signals is small as shown in FIG. 6, but when the number of input signals is large as shown in FIG. 7, the number of vertically connected P-channel MOS transistors increases and the delay time There was a problem that became large. There is also a problem that the delay time varies depending on which terminal the input signal changing from the high level to the low level comes in.

【0005】本発明は上記の点に鑑みなされたもので、
入力信号数の増加に拘らず入出力間の遅延時間が小さく
一定となるOR論理回路を提供することを目的とする。
[0005] The present invention has been made in view of the above points,
An object of the present invention is to provide an OR logic circuit in which the delay time between input and output is small and constant regardless of the increase in the number of input signals.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明
は、複数の入力信号のOR論理演算を行うOR論理回路
において、複数の入力信号夫々に対応して設けられ、夫
々のゲートに上記入力信号を供給され、かつ、ドレイン
を第1の電源に接続され、ソースを出力端子に共通接続
された複数の第1のNチャネルMOSトランジスタと、
上記複数の入力信号夫々に対応して設けられ、夫々のゲ
ートに上記入力信号を供給され、かつ、ソースを第2の
電源に接続され、ドレインを共通接続され負荷を介して
第1の電源に接続された複数の第2のNチャネルMOS
トランジスタと、上記第2のNチャネルMOSトランジ
スタの共通接続されたドレインにゲートを接続され、か
つ、ソースを第2の電源に接続され、ドレインを上記出
力端子に接続された第3のNチャネルMOSトランジス
タとを有する。
According to a first aspect of the present invention, in an OR logic circuit that performs an OR logic operation on a plurality of input signals, the OR logic circuit is provided corresponding to each of the plurality of input signals, and each gate has the above-mentioned structure. A plurality of first N-channel MOS transistors to which an input signal is supplied, a drain of which is connected to a first power supply and a source of which is commonly connected to an output terminal;
The input signal is provided to each of the plurality of input signals, the input signal is supplied to each gate, the source is connected to the second power supply, the drain is commonly connected, and the first power supply is connected via the load. A plurality of connected second N-channel MOSs
A third N-channel MOS transistor having a gate connected to a commonly connected drain of the transistor and the second N-channel MOS transistor, a source connected to a second power supply, and a drain connected to the output terminal. And a transistor.

【0007】このように複数の第1のトランジスタのソ
ースを共通接続し、複数の第2のトランジスタのドレイ
ンを共通接続して使用し、縦型接続を無くしているた
め、入力信号数が増加しても入力信号の切換わり時の遅
延時間が小さく一定となる。また第1,第2,第3のト
ランジスタをNチャネルMOSトランジスタとすること
により高速動作が可能となり、アイソレーションが不要
となる。
As described above, the sources of the plurality of first transistors are commonly connected and the drains of the plurality of second transistors are commonly connected to be used. Since the vertical connection is eliminated, the number of input signals increases. However, the delay time when switching the input signal is small and constant. Also, by using N-channel MOS transistors for the first, second, and third transistors, high-speed operation is possible and isolation is unnecessary.

【0008】請求項2に記載の発明は、請求項1記載の
OR論理回路において、前記負荷をNチャネルMOSト
ランジスタで構成する。これにより、全てのトランジス
タをNチャネルMOSトランジスタとすることができ、
アイソレーションの必要がなくなる。
According to a second aspect of the present invention, in the OR logic circuit according to the first aspect, the load is composed of an N channel MOS transistor. This allows all transistors to be N-channel MOS transistors,
Eliminates the need for isolation.

【0009】請求項3に記載の発明は、請求項1記載の
OR論理回路において、前記負荷を抵抗で構成する。こ
れにより、請求項1の発明を実現できる。請求項4に記
載の発明は、請求項1記載のOR論理回路において、前
記負荷をPチャネルMOSトランジスタで構成する。こ
れにより、請求項1の発明を実現できる。
According to a third aspect of the present invention, in the OR logic circuit according to the first aspect, the load is composed of a resistor. As a result, the invention of claim 1 can be realized. According to a fourth aspect of the present invention, in the OR logic circuit according to the first aspect, the load is composed of a P-channel MOS transistor. As a result, the invention of claim 1 can be realized.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】図1は本発明の一実施例の回路図
を示す。この回路は半導体集積回路である。同図中、入
力端子201 ,202 夫々に入力信号が入来する。入力
端子201 の入力信号はNチャネルMOSトランジスタ
Qa1 ,Qb1 夫々のゲートに供給され、入力端子20
2 の入力信号はNチャネルMOSトランジスタQa2
Qb2夫々のゲートに供給される。
FIG. 1 is a circuit diagram of an embodiment of the present invention. This circuit is a semiconductor integrated circuit. In the figure, an input signal is input to each of the input terminals 20 1 and 20 2 . The input signal of the input terminal 20 1 is supplied to the gates of the N-channel MOS transistors Qa 1 and Qb 1 respectively ,
The input signal of 2 is an N-channel MOS transistor Qa 2 ,
Qb 2 is supplied to each gate.

【0011】第1のトランジスタQa1 ,Qa2 夫々の
ドレインは第1の電源Vccに接続され、夫々のソース
は出力端子21に共通に接続されている。第2のトラン
ジスタQb1 ,Qb2 夫々のソースは接地(第2の電
源)され、夫々のドレインは第3のNチャネルMOSト
ランジスタQcのゲート及び負荷22の一端に接続され
ている。負荷22の他端は電源Vccに接続されてい
る。トランジスタQcのソースは接地され、ドレインは
出力端子21に接続されている。
The drains of the first transistors Qa 1 and Qa 2 are connected to the first power supply Vcc, and the sources thereof are commonly connected to the output terminal 21. The sources of the second transistors Qb 1 and Qb 2 are grounded (second power supply), and the drains thereof are connected to the gate of the third N-channel MOS transistor Qc and one end of the load 22. The other end of the load 22 is connected to the power supply Vcc. The source of the transistor Qc is grounded, and the drain is connected to the output terminal 21.

【0012】ここで、入力端子201 ,202 がローレ
ベルのときはトランジスタQa1 ,Qa2 ,Qb1 ,Q
2 が全てオフとなり、電源Vccが負荷22を通して
トランジスタQcのゲートに印加されてトランジスタQ
cがオンとなる。このため、出力端子21はローレベル
となる。
When the input terminals 20 1 and 20 2 are at low level, the transistors Qa 1 , Qa 2 , Qb 1 and Q are
b 2 is all turned off, the power source Vcc is applied to the gate of the transistor Qc through the load 22, and the transistor Qc
c is turned on. Therefore, the output terminal 21 becomes low level.

【0013】次に入力端子201 ,202 のいずれかが
ハイレベルとなると、トランジスタQa1 ,Qb1 又は
トランジスタQa2 ,Qb2 がオンとなり、トランジス
タQcのベースが接地されてトランジスタQcがオフと
なり、トランジスタQa1 又はQa2 のオンにより出力
端子21はハイレベルとなる。これによってオア論理演
算が行われる。
Next, when either of the input terminals 20 1 and 20 2 becomes high level, the transistors Qa 1 and Qb 1 or the transistors Qa 2 and Qb 2 are turned on, the base of the transistor Qc is grounded, and the transistor Qc is turned off. And the output terminal 21 becomes high level when the transistor Qa 1 or Qa 2 is turned on. By this, the OR logical operation is performed.

【0014】図2は本発明の他の実施例の回路図を示
す。この回路は半導体集積回路である。同図中、入力端
子201 〜20n 夫々に入力信号が入来する。入力端子
201の入力信号はNチャネルMOSトランジスタQa
1 ,Qb1 夫々のゲートに供給され、入力端子202
20n の入力信号はNチャネルMOSトランジスタQa
2 〜Qan 夫々及びQb2 〜Qbn 夫々のゲートに供給
される。
FIG. 2 shows a circuit diagram of another embodiment of the present invention.
You. This circuit is a semiconductor integrated circuit. Input terminal in the figure
Child 201~ 20nAn input signal comes in to each. Input terminal
201Input signal is an N-channel MOS transistor Qa
1, Qb1Input terminal 20 supplied to each gateTwo~
20nInput signal is an N-channel MOS transistor Qa
Two~ QanEach and QbTwo~ QbnSupply to each gate
Is done.

【0015】第1のトランジスタQa1 〜Qan 夫々の
ドレインは第1の電源Vccに接続され、夫々のソース
は出力端子21に共通に接続されている。第2のトラン
ジスタQb1 〜Qbn 夫々のソースは接地され、夫々の
ドレインは第3のNチャネルMOSトランジスタQcの
ゲート及び負荷22の一端に接続されている。負荷22
の他端は電源Vccに接続されている。トランジスタQ
cのソースは接地され、ドレインは出力端子21に接続
されている。
The drains of the first transistors Qa 1 to Qa n are connected to the first power supply Vcc, and the sources thereof are commonly connected to the output terminal 21. The source of the s second transistor Qb 1 ~Qb n each is grounded, the drain of each is connected to one end of the gate and the load 22 of the third N-channel MOS transistor Qc. Load 22
The other end of is connected to the power supply Vcc. Transistor Q
The source of c is grounded, and the drain is connected to the output terminal 21.

【0016】ここで、入力端子201 〜20n が全てロ
ーレベルのときはトランジスタQa 1 〜Qan ,Qb1
〜Qbn が全てオフとなり、電源Vccが負荷22を通
してトランジスタQcのゲートに印加されてトランジス
タQcがオンとなる。このため、出力端子21はローレ
ベルとなる。
Here, the input terminal 201~ 20nIs all
Transistor Qa when the level is high 1~ Qan, Qb1
~ QbnAre all turned off, and the power supply Vcc passes through the load 22.
Applied to the gate of transistor Qc
Qc is turned on. Therefore, the output terminal 21
Be a bell.

【0017】次に入力端子201 〜20n のいずれか
(例えば端子202 )がハイレベルとなると、トランジ
スタQa2 ,Qb2 がオンとなり、トランジスタQcの
ベースが接地されてトランジスタQcがオフとなり、ト
ランジスタQa1 又はQa2 のオンにより出力端子21
はハイレベルとなる。これは他の入力端子がハイレベル
となった場合も同様である。これによってオア論理演算
が行われる。
Next, when any of the input terminals 20 1 to 20 n (for example, the terminal 20 2 ) becomes high level, the transistors Qa 2 and Qb 2 are turned on, the base of the transistor Qc is grounded, and the transistor Qc is turned off. , The output terminal 21 by turning on the transistor Qa 1 or Qa 2.
Becomes high level. This is the same when the other input terminals become high level. By this, the OR logical operation is performed.

【0018】つまり、トランジスタQa1 〜Qan は入
力信号がハイレベルとなったとき出力端子21をハイレ
ベルとするためのものである。トランジスタQb1 〜Q
nは入力信号がハイレベルとなったときトランジスタ
Qcをオフさせるものであり、トランジスタQcは入力
信号が全てローレベルのときオンして出力端子21をロ
ーレベルとしている。
That is, the transistors Qa 1 to Qa n are for making the output terminal 21 high level when the input signal becomes high level. Transistor Qb 1 ~Q
b n is for turning off the transistor Qc when the input signal becomes high level, and the transistor Qc is turned on when the input signal is all at low level to set the output terminal 21 to low level.

【0019】このように、トランジスタQa1 〜Qan
及びQb1 〜Qbn は全てNチャネルMOSトランジス
タを使用し、トランジスタQa1 〜Qan はQb1 〜Q
nと同様にドレインを共通接続されており、縦型接続
が存在しない。NチャネルMOSトランジスタは多数キ
ャリヤの移動速度が高いためPチャネルMOSトランジ
スタより高速に動作する。また縦型接続がないため入力
信号数が増加しても遅延時間が大きくなることはなく、
一定である。
As described above, the transistors Qa 1 to Qa n are
And Qb 1 ~Qb n uses all N-channel MOS transistor, the transistor Qa 1 ~Qa n is Qb 1 to Q
Similar to b n , the drains are commonly connected and there is no vertical connection. The N-channel MOS transistor operates faster than the P-channel MOS transistor because the majority carriers move faster. Also, since there is no vertical connection, the delay time does not increase even if the number of input signals increases,
It is constant.

【0020】更に、全トランジスタがNチャネルMOS
トランジスタであるため、従来のようにNチャネルMO
SトランジスタとPチャネルMOSトランジスタとが混
在している場合に必要であったアイソレーションの必要
がなくなり、構造が簡単となる。
Further, all transistors are N-channel MOS
Since it is a transistor, N-channel MO
The isolation, which was necessary when the S transistor and the P channel MOS transistor were mixed, was eliminated, and the structure was simplified.

【0021】図3乃至図5は負荷22の構成例を示すた
めの回路図を示す。図3〜図5夫々において図2と同一
部分には同一符号を付し、その説明を省略する。図3に
おいては、負荷22として抵抗Rを使用する。抵抗Rは
例えば拡散抵抗やポリシリコン抵抗で構成する。抵抗R
は一端をトランジスタQcのゲートに接続され、他端を
電源Vccに接続されている。
3 to 5 are circuit diagrams showing an example of the configuration of the load 22. 3 to 5, the same parts as those in FIG. 2 are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted. In FIG. 3, a resistor R is used as the load 22. The resistor R is composed of, for example, a diffusion resistor or a polysilicon resistor. Resistance R
Has one end connected to the gate of the transistor Qc and the other end connected to the power supply Vcc.

【0022】図4においては、負荷22としてNチャネ
ルMOSトランジスタQdを使用する。トランジスタQ
dはドレイン及びゲートを電源Vccに接続され、ソー
スをトランジスタQcのゲートに接続されており、その
導通抵抗が負荷となる。この場合はトランジスタQdが
他のトランジスタQa1 〜Qan ,Qb1 〜Qbn ,Q
cと同一極性であるため、アイソレーションの必要がな
い。
In FIG. 4, N-channel MOS transistor Qd is used as load 22. Transistor Q
In d, the drain and gate are connected to the power supply Vcc, the source is connected to the gate of the transistor Qc, and the conduction resistance thereof serves as a load. In this case, the transistor Qd is another transistor Qa 1 ~Qa n, Qb 1 ~Qb n, Q
Since it has the same polarity as c, there is no need for isolation.

【0023】図5においては、負荷22としてPチャネ
ルMOSトランジスタQeを使用する。トランジスタQ
eはゲートを接地されソースを電源Vccに接続され、
ドレインをトランジスタQcのゲートに接続されてお
り、その導通抵抗が負荷となる。この場合はトランジス
タQeが他のトランジスタQa1 〜Qan ,Qb1 〜Q
n ,Qcと逆極性であるため、アイソレーションの必
要がある。
In FIG. 5, P-channel MOS transistor Qe is used as load 22. Transistor Q
e has a gate grounded and a source connected to the power supply Vcc,
The drain is connected to the gate of the transistor Qc, and its conduction resistance serves as a load. The transistor Qe is other when the transistor Qa 1 ~Qa n, Qb 1 ~Q
Since the polarity is opposite to that of b n and Qc, isolation is required.

【0024】[0024]

【発明の効果】上述の如く、 請求項1に記載の発明
は、複数の入力信号のOR論理演算を行うOR論理回路
において、複数の入力信号夫々に対応して設けられ、夫
々のゲートに上記入力信号を供給され、かつ、ドレイン
を第1の電源に接続され、ソースを出力端子に共通接続
された複数の第1のNチャネルMOSトランジスタと、
上記複数の入力信号夫々に対応して設けられ、夫々のゲ
ートに上記入力信号を供給され、かつ、ソースを第2の
電源に接続され、ドレインを共通接続され負荷を介して
第1の電源に接続された複数の第2のNチャネルMOS
トランジスタと、上記第2のNチャネルMOSトランジ
スタの共通接続されたドレインにゲートを接続され、か
つ、ソースを第2の電源に接続され、ドレインを上記出
力端子に接続された第3のNチャネルMOSトランジス
タとを有する。
As described above, according to the first aspect of the present invention, in an OR logic circuit that performs an OR logic operation on a plurality of input signals, the OR logic circuit is provided corresponding to each of the plurality of input signals, and each gate has the above-mentioned structure. A plurality of first N-channel MOS transistors to which an input signal is supplied, a drain of which is connected to a first power supply and a source of which is commonly connected to an output terminal;
The input signal is provided to each of the plurality of input signals, the input signal is supplied to each gate, the source is connected to the second power supply, the drain is commonly connected, and the first power supply is connected via the load. A plurality of connected second N-channel MOSs
A third N-channel MOS transistor having a gate connected to a commonly connected drain of the transistor and the second N-channel MOS transistor, a source connected to a second power supply, and a drain connected to the output terminal. And a transistor.

【0025】このように複数の第1のトランジスタのソ
ースを共通接続し、複数の第2のトランジスタのドレイ
ンを共通接続して使用し、縦型接続を無くしているた
め、入力信号数が増加しても入力信号の切換わり時の遅
延時間が小さく一定となる。また第1,第2,第3のト
ランジスタをNチャネルMOSトランジスタとすること
により高速動作が可能となり、アイソレーションが不要
となる。
Since the sources of the plurality of first transistors are commonly connected and the drains of the plurality of second transistors are commonly used in this way, and the vertical connection is eliminated, the number of input signals increases. However, the delay time when switching the input signal is small and constant. Also, by using N-channel MOS transistors for the first, second, and third transistors, high-speed operation is possible and isolation is unnecessary.

【0026】また、請求項2に記載の発明は、請求項1
記載のOR論理回路において、前記負荷をNチャネルM
OSトランジスタで構成する。これにより、全てのトラ
ンジスタをNチャネルMOSトランジスタとすることが
でき、アイソレーションの必要がなくなる。
The invention described in claim 2 is the first invention.
In the OR logic circuit described, the load is an N channel M
It is composed of an OS transistor. As a result, all the transistors can be N-channel MOS transistors, and isolation is unnecessary.

【0027】また、請求項3に記載の発明は、請求項1
記載のOR論理回路において、前記負荷を抵抗で構成す
る。これにより、請求項1の発明を実現できる。また、
請求項4に記載の発明は、請求項1記載のOR論理回路
において、前記負荷をPチャネルMOSトランジスタで
構成する。これにより、請求項1の発明を実現できる。
[0027] The invention described in claim 3 is the same as in claim 1.
In the described OR logic circuit, the load is composed of a resistor. As a result, the invention of claim 1 can be realized. Also,
According to a fourth aspect of the present invention, in the OR logic circuit according to the first aspect, the load is composed of a P-channel MOS transistor. As a result, the invention of claim 1 can be realized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram of the present invention.

【図2】本発明の回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram of the present invention.

【図3】本発明の回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram of the present invention.

【図4】本発明の回路図である。FIG. 4 is a circuit diagram of the present invention.

【図5】本発明の回路図である。FIG. 5 is a circuit diagram of the present invention.

【図6】従来回路の回路図である。FIG. 6 is a circuit diagram of a conventional circuit.

【図7】従来回路の回路図である。FIG. 7 is a circuit diagram of a conventional circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

201 〜20n 入力端子 21 出力端子 22 負荷 Qa1 〜Qan ,Qb1 〜Qbn ,Qc,Qd Nチャ
ネルMOSトランジスタ Qe PチャネルMOSトランジスタ R 抵抗
20 1 to 20 n input terminals 21 output terminal 22 load Qa 1 ~Qa n, Qb 1 ~Qb n, Qc, Qd N -channel MOS transistor Qe P-channel MOS transistor R resistor

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 複数の入力信号のOR論理演算を行うO
R論理回路において、 複数の入力信号夫々に対応して設けられ、夫々のゲート
に上記入力信号を供給され、かつ、ドレインを第1の電
源に接続され、ソースを出力端子に共通接続された複数
の第1のNチャネルMOSトランジスタと、 上記複数の入力信号夫々に対応して設けられ、夫々のゲ
ートに上記入力信号を供給され、かつ、ソースを第2の
電源に接続され、ドレインを共通接続され負荷を介して
第1の電源に接続された複数の第2のNチャネルMOS
トランジスタと、 上記第2のNチャネルMOSトランジスタの共通接続さ
れたドレインにゲートを接続され、かつ、ソースを第2
の電源に接続され、ドレインを上記出力端子に接続され
た第3のNチャネルMOSトランジスタとを有すること
を特徴とするOR論理回路。
1. An O that performs an OR logical operation on a plurality of input signals.
In the R logic circuit, a plurality of R logic circuits are provided corresponding to each of the plurality of input signals, each of the gates is supplied with the input signal, the drain is connected to the first power supply, and the sources are commonly connected to the output terminal. Of the first N-channel MOS transistor and the plurality of input signals, the respective gates are supplied with the input signal, the source is connected to the second power supply, and the drains are commonly connected. A plurality of second N-channel MOSs connected to the first power source through the load
A transistor, a gate connected to a commonly connected drain of the second N-channel MOS transistor and a source connected to the second
And a third N-channel MOS transistor having a drain connected to the output terminal of the OR logic circuit.
【請求項2】 請求項1記載のOR論理回路において、 前記負荷をNチャネルMOSトランジスタで構成したこ
とを特徴とするOR論理回路。
2. The OR logic circuit according to claim 1, wherein the load is composed of an N-channel MOS transistor.
【請求項3】 請求項1記載のOR論理回路において、 前記負荷を抵抗で構成したことを特徴とするOR回路。3. The OR circuit according to claim 1, wherein the load is composed of a resistor. 【請求項4】 請求項1記載のOR論理回路において、 前記負荷をPチャネルMOSトランジスタで構成したこ
とを特徴とするOR論理回路。
4. The OR logic circuit according to claim 1, wherein the load is a P-channel MOS transistor.
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