JPH087880B2 - 相変化記録媒体 - Google Patents
相変化記録媒体Info
- Publication number
- JPH087880B2 JPH087880B2 JP62326238A JP32623887A JPH087880B2 JP H087880 B2 JPH087880 B2 JP H087880B2 JP 62326238 A JP62326238 A JP 62326238A JP 32623887 A JP32623887 A JP 32623887A JP H087880 B2 JPH087880 B2 JP H087880B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording medium
- phase change
- recording
- layer
- change recording
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は相変化記録媒体に関する。詳しくは記録層と
して相変化形の記録層を用いた光記録媒体に関する。
して相変化形の記録層を用いた光記録媒体に関する。
（従来の技術とその課題） 相変化記録媒体はレーザービームによる加熱により媒
体の結晶相が変化する（例えば、結晶→アモルファス）
効果を用いて情報を記録し、各結晶相の光反射率の違い
から情報を読み出すことができる。
体の結晶相が変化する（例えば、結晶→アモルファス）
効果を用いて情報を記録し、各結晶相の光反射率の違い
から情報を読み出すことができる。
相変化記録媒体には書き込み可能型（ライトワンス
型）と書き換え可能型（イレーサブル型）の両方があ
り、近年進歩の著しい記録媒体である。
型）と書き換え可能型（イレーサブル型）の両方があ
り、近年進歩の著しい記録媒体である。
相変化記録媒体のキャリアレベル（CL）は記録状態と
消去状態の光反射率のコントラストが違うほど大きくな
る。コントラストを上げる為に記録層を薄くし、その下
に反射層を設け光の干渉効果を利用する方式が提案され
ている（例えば昭和62年秋季応用物理学会18p−ZP−1
2）。
消去状態の光反射率のコントラストが違うほど大きくな
る。コントラストを上げる為に記録層を薄くし、その下
に反射層を設け光の干渉効果を利用する方式が提案され
ている（例えば昭和62年秋季応用物理学会18p−ZP−1
2）。
干渉効果を強く出すには反射層の光反射率を高くする
必要があるが、反射率の高い物質（例えば、Au,Ag,Cu,A
l等）を用いると、一般に熱伝導等が大きく感度の低下
をもたらす。
必要があるが、反射率の高い物質（例えば、Au,Ag,Cu,A
l等）を用いると、一般に熱伝導等が大きく感度の低下
をもたらす。
（課題を解決する為の手段） 本発明者等は上述の欠点を克服した高コントラスト、
高感度の相変化記録媒体を提供することを目的に鋭意検
討した結果、本発明に到達したものである。
高感度の相変化記録媒体を提供することを目的に鋭意検
討した結果、本発明に到達したものである。
すなわち本発明の要旨は、基板上に設けられた記録層
の結晶状態を熱的に変化させて光反射率を変えることに
より記録を行なう相変化記録媒体において、記録層上に
反射層を設けてなり、該反射層をAl1-xMx（ＭはTa,Ti,Z
r,V,Pt,Mo,Crから選ばれる少なくと１種の元素、ｘは0.
01〜0.15の数）によって形成したことを特徴とする相変
化記録媒体に存する。
の結晶状態を熱的に変化させて光反射率を変えることに
より記録を行なう相変化記録媒体において、記録層上に
反射層を設けてなり、該反射層をAl1-xMx（ＭはTa,Ti,Z
r,V,Pt,Mo,Crから選ばれる少なくと１種の元素、ｘは0.
01〜0.15の数）によって形成したことを特徴とする相変
化記録媒体に存する。
（発明の構成） 以下、本発明を更に詳細に説明する。
本発明による相変化形光記録媒体は、真空蒸着やスパ
ッタリングなど通常の薄膜形成装置により作成される。
ッタリングなど通常の薄膜形成装置により作成される。
基板としては、通常、PMMAやPC（ポリカーボネート）
のような低熱伝導性材料が該基板への熱の散逸を防ぐ目
的からみて望ましいが、ガラス基板など熱伝導性の良い
ものを用いる場合は、基板上に感光性樹脂などの有機物
膜を形成する事により、熱の散逸を防ぐ事ができる。
のような低熱伝導性材料が該基板への熱の散逸を防ぐ目
的からみて望ましいが、ガラス基板など熱伝導性の良い
ものを用いる場合は、基板上に感光性樹脂などの有機物
膜を形成する事により、熱の散逸を防ぐ事ができる。
基板の厚みは１〜2mm程度が一般的であり、通常約1.2
mm程度である。
mm程度である。
本発明においては基板上に記録層、反射層を順次設け
る。記録層としてはGeTe系、InSb系、TeO2系等が用いら
れる。記録層の膜厚は記録前、記録後の屈折率、及び反
射層の屈折率から最もコントラストがとれるように最適
化されるが、通常200Å〜600Åである。本発明において
は反射層としてはTa,Ti,Zr,V,Pt,Mo,Crから選ばれる一
種以上の元素を含有するAl合金を用いる。添加金属の含
有量は１〜15at％（原子％）、さらに好ましくは２〜10
at％である。好ましい添加金属は上記のうち、Ta,Ti,Zr
である。反射層の膜厚は反射率が低下せず、しかも感度
が著しく低下しない範囲で選ばれるが、300Å〜500Å程
度が好ましい。干渉効果をさらに強める為記録層に接し
てその片面、または両面に高屈折率の誘電体を設けるこ
とも効果的である。誘電体としては例えば、ZnS,Ta2O5,
SiO2,SiO,ZrO2,Si3N4,AlN等が用いられる。
る。記録層としてはGeTe系、InSb系、TeO2系等が用いら
れる。記録層の膜厚は記録前、記録後の屈折率、及び反
射層の屈折率から最もコントラストがとれるように最適
化されるが、通常200Å〜600Åである。本発明において
は反射層としてはTa,Ti,Zr,V,Pt,Mo,Crから選ばれる一
種以上の元素を含有するAl合金を用いる。添加金属の含
有量は１〜15at％（原子％）、さらに好ましくは２〜10
at％である。好ましい添加金属は上記のうち、Ta,Ti,Zr
である。反射層の膜厚は反射率が低下せず、しかも感度
が著しく低下しない範囲で選ばれるが、300Å〜500Å程
度が好ましい。干渉効果をさらに強める為記録層に接し
てその片面、または両面に高屈折率の誘電体を設けるこ
とも効果的である。誘電体としては例えば、ZnS,Ta2O5,
SiO2,SiO,ZrO2,Si3N4,AlN等が用いられる。
尚、誘電体を記録層の片面または両面に設ける場合は
記録層の膜圧は誘電体を含めた全体の干渉効果によって
決定される。
記録層の膜圧は誘電体を含めた全体の干渉効果によって
決定される。
（実施例） 以下、実施例に基づいて本発明を具体的に説明するが
本発明はその要旨を越えない限り以下の実施例を限定さ
れない。
本発明はその要旨を越えない限り以下の実施例を限定さ
れない。
実施例１ 基板にはポリカーボネートのディスクを用いその上に
RFスパッタリング法により、SiO2層を1000Å成膜した。
その上に記録層としてGeターゲット上にTe,Biチップを
配値してスパッタリングにより形成した。成膜速度は10
Å/secとし、400Åの膜厚に成膜した。記録層の組成はG
e50Te50Bi3であった。次に反射層として、Alターゲット
上にTaチップを配して300ÅのAlとTaとの合金を成膜し
た。反射層中のTa量はTaチップ数によって調整した。ま
た比較的としてAlのみの反射層を持つ同様のディスクを
作成した。
RFスパッタリング法により、SiO2層を1000Å成膜した。
その上に記録層としてGeターゲット上にTe,Biチップを
配値してスパッタリングにより形成した。成膜速度は10
Å/secとし、400Åの膜厚に成膜した。記録層の組成はG
e50Te50Bi3であった。次に反射層として、Alターゲット
上にTaチップを配して300ÅのAlとTaとの合金を成膜し
た。反射層中のTa量はTaチップ数によって調整した。ま
た比較的としてAlのみの反射層を持つ同様のディスクを
作成した。
以上のように作成したディスクに1800rpm、0.5MHz du
ty50％の条件で記録を行なったところ、第１図のような
結果を得た。なお、最適記録パワーは２次歪C2とキャリ
アレベルＣの比C2/Cが最小になる記録パワーとした。
ty50％の条件で記録を行なったところ、第１図のような
結果を得た。なお、最適記録パワーは２次歪C2とキャリ
アレベルＣの比C2/Cが最小になる記録パワーとした。
第１図から明らかなようにAlにTaを少量添加すること
によりキャリアレベルを低下させずに感度を上げること
が可能である。
によりキャリアレベルを低下させずに感度を上げること
が可能である。
同様な効果はAlとTa以外にAlとTi,Zr,V,Pt,Mo,Cr等の
合金を用いた場合においても認められた。
合金を用いた場合においても認められた。
（発明の効果） 本発明による相変化記録媒体はC/N比、感度共に良好
な特性を示す。
な特性を示す。
第１図は反射膜中のTa含有量と最適記録パワー及び、キ
ャリアレベルの相関を示したものである。
ャリアレベルの相関を示したものである。
Claims (1)
- 【請求項１】基板上に設けられた記録層の結晶状態を熱
的に変化させて光反射率を変えることにより記録を行な
う相変化記録媒体において、記録層上に反射層を設けて
なり、該反射層をAl1-xMx（ＭはTa,Ti,Zr,V,Pt,Mo,Crか
ら選ばれる少なくとも１種の元素、ｘは0.01〜0.15の
数）によって形成したことを特徴とする相変化記録媒
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62326238A JPH087880B2 (ja) | 1987-12-23 | 1987-12-23 | 相変化記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62326238A JPH087880B2 (ja) | 1987-12-23 | 1987-12-23 | 相変化記録媒体 |
Related Child Applications (4)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10300612A Division JP3137093B2 (ja) | 1998-10-22 | 1998-10-22 | 相変化記録媒体 |
| JP10300613A Division JPH11316977A (ja) | 1998-10-22 | 1998-10-22 | 相変化記録媒体 |
| JP10300614A Division JPH11316978A (ja) | 1998-10-22 | 1998-10-22 | 相変化記録媒体 |
| JP10300611A Division JPH11316975A (ja) | 1998-10-22 | 1998-10-22 | 相変化記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01169751A JPH01169751A (ja) | 1989-07-05 |
| JPH087880B2 true JPH087880B2 (ja) | 1996-01-29 |
Family
ID=18185534
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62326238A Expired - Lifetime JPH087880B2 (ja) | 1987-12-23 | 1987-12-23 | 相変化記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH087880B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2532600B2 (ja) * | 1988-08-19 | 1996-09-11 | 松下電器産業株式会社 | 情報担体ディスク |
| JP2670846B2 (ja) * | 1989-04-07 | 1997-10-29 | 富士写真フイルム株式会社 | 光記録媒体 |
| JP2507132B2 (ja) * | 1990-05-07 | 1996-06-12 | 三菱化学株式会社 | 再生専用型光ディスク |
| JP2928330B2 (ja) * | 1990-05-11 | 1999-08-03 | 株式会社神戸製鋼所 | 光メディア用スパッタリングターゲット溶製材 |
| US5500301A (en) | 1991-03-07 | 1996-03-19 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | A1 alloy films and melting A1 alloy sputtering targets for depositing A1 alloy films |
| JPH10142625A (ja) * | 1996-11-07 | 1998-05-29 | Vacuum Metallurgical Co Ltd | 液晶ディスプレイの導電部製作方法及びその製作に用いるスパッタリングターゲット |
-
1987
- 1987-12-23 JP JP62326238A patent/JPH087880B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01169751A (ja) | 1989-07-05 |
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