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JPH0865128A - Proximity switch - Google Patents

Proximity switch

Info

Publication number
JPH0865128A
JPH0865128A JP19641794A JP19641794A JPH0865128A JP H0865128 A JPH0865128 A JP H0865128A JP 19641794 A JP19641794 A JP 19641794A JP 19641794 A JP19641794 A JP 19641794A JP H0865128 A JPH0865128 A JP H0865128A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
voltage
transistor
constant current
resistor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP19641794A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Toshio Nodera
俊夫 野寺
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Electric Co Ltd filed Critical Fuji Electric Co Ltd
Priority to JP19641794A priority Critical patent/JPH0865128A/en
Publication of JPH0865128A publication Critical patent/JPH0865128A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE: To obtain the small sized proximity switch suitable for carrying by decreasing a power supply voltage of the proximity switch than a conventional switch and eliminating the need for an externally mounted capacitor in the case of circuit integration. CONSTITUTION: A constant current from a constant current circuit 7A is supplied to a bias circuit 3, and a forward voltage drop of diodes 3A, 3B is impressed to a base of an amplifier transistor(TR) 8A as a bias voltage. A constant current from a constant current circuit 7B is supplied to the bias circuit 4 and a forward voltage drop of the diode 4A is impressed to a base of an amplifier TR 8B as a bias current. A differential amplifier circuit consists of the TRs 8A, 8B, and a constant current circuit 7C and an output voltage of the TR 8B is converted into a current by a feedback TR 16 and fed back positively to a resonance circuit 1 via a resonance circuit 2, which is oscillated. Thus, a collector current of the TR 8B is reduced and a voltage on an oscillating output line is reduced more than that of a conventional switch.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は高周波発振形の近接スイ
ッチに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a high frequency oscillation type proximity switch.

【0002】[0002]

【従来の技術】図2は従来の近接スイッチの一例を示す
回路図である。図2において、被検出体の接近によって
そのインピーダンスが低下する検出コイル1Aとこの検
出コイル1Aに並列に接続されたコンデンサ1Bとから
なる共振回路1と、そのベースがダイオード3A,3B
からなるバイアス回路3を介しこの共振回路1の一方の
端子aに、そのコレクタが抵抗11を介し正側電源端子
Pに接続された増幅用トランジスタ8Aと、そのエミッ
タが正側電源端子Pに、そのベースが増幅用トランジス
タ8Aのコレクタに、そのコレクタが、検出コイル1A
と同様に被検出体の接近によってそのインピーダンスが
低下する検出コイル2Aと、この検出コイル2Aに直列
に接続されたコンデンサ2Bとからなる共振回路2を介
して共振回路1の一方の端子aに接続された帰還用トラ
ンジスタ12と、増幅用トランジスタ8Aのベースと正
側電源端子Pとの間に接続された定電流回路7Aと、帰
還用トランジスタ12のコレクタと負側電源端子Nとの
間に直列に接続された抵抗9A,9Bからなる分圧回路
9と、帰還用トランジスタ12のコレクタに接続された
発振振幅弁別回路13と、この発振振幅弁別回路13に
接続された出力トランジスタ14とからなり、増幅用ト
ランジスタ8Aのエミッタは分圧回路9の抵抗9Aと抵
抗9Bの接続点に接続され、共振回路1の他方の端子b
は負側電源端子Nに接続されている。
2. Description of the Related Art FIG. 2 is a circuit diagram showing an example of a conventional proximity switch. In FIG. 2, a resonance circuit 1 including a detection coil 1A whose impedance decreases as an object to be detected approaches and a capacitor 1B connected in parallel to the detection coil 1A, and a base thereof has diodes 3A and 3B.
Via the bias circuit 3 consisting of the amplifier circuit 8A, the collector of which is connected to the positive power supply terminal P through the resistor 11 and the emitter of which is connected to the positive power supply terminal P. The base is the collector of the amplification transistor 8A, and the collector is the detection coil 1A.
In the same manner as above, connected to one terminal a of the resonance circuit 1 through a resonance circuit 2 including a detection coil 2A whose impedance decreases as the detection object approaches and a capacitor 2B connected in series to the detection coil 2A. The feedback transistor 12 that has been turned on, the constant current circuit 7A connected between the base of the amplifying transistor 8A and the positive power supply terminal P, and the collector of the feedback transistor 12 and the negative power supply terminal N in series. A voltage dividing circuit 9 composed of resistors 9A and 9B connected to the oscillation amplitude discriminating circuit 13 connected to the collector of the feedback transistor 12 and an output transistor 14 connected to the oscillation amplitude discriminating circuit 13. The emitter of the amplifying transistor 8A is connected to the connection point between the resistors 9A and 9B of the voltage dividing circuit 9, and the other terminal b of the resonance circuit 1 is connected.
Is connected to the negative power supply terminal N.

【0003】この近接スイッチの動作は次の通りであ
る。バイアス回路3に定電流回路7からほぼ一定の電流
が流入され、ダイオード3A,3Bの順電圧降下は増幅
用トランジスタ8Aのベースにバイアス電圧として印加
される。共振回路1の電圧は増幅用トランジスタ8Aに
より増幅され、この増幅用トランジスタ8Aの出力電圧
は帰還用トランジスタ12によって電流に変換されて共
振回路2を介して共振回路1に正帰還され発振を起す。
このとき増幅用トランジスタ8Aのベースには、バイア
ス回路3により与えられるバイアス電圧を中心に発振交
流電圧が重畳された電圧が印加される。なお、バイアス
回路3のダイオードはダイオード3Aと3Bが2個直列
に接続されているが、バイアス電圧の大きさに応じて1
個あるいは3個以上直列に接続して用いる。検出コイル
1Aに被検出体が接近していないとき、検出コイル1A
のインピーダンスは高く共振回路1の電圧は高い。従っ
て、増幅用トランジスタ8Aのベースに印加される電圧
は高いのでその出力電圧は高く、帰還用トランジスタ1
2の出力電圧も高い。この出力電圧は発振振幅弁別回路
13で設定電圧より高いことが弁別され、このときは出
力トランジスタ14から検出信号は出力されない。検出
コイル1Aに被検出体が接近すると、検出コイル1Aの
インピーダンスは低下し共振回路1の電圧は低下する。
従って、増幅用トランジスタ8Aのベースに印加される
電圧は低いのでその出力電圧は低く、帰還用トランジス
タ12の出力電圧も低い。この出力電圧は発振振幅弁別
回路13で設定電圧より低いことが弁別され、出力トラ
ンジスタ14から被検出体の検出信号が出力される。
The operation of this proximity switch is as follows. An almost constant current flows into the bias circuit 3 from the constant current circuit 7, and the forward voltage drop of the diodes 3A and 3B is applied as a bias voltage to the base of the amplifying transistor 8A. The voltage of the resonance circuit 1 is amplified by the amplification transistor 8A, and the output voltage of the amplification transistor 8A is converted into a current by the feedback transistor 12 and positively fed back to the resonance circuit 1 via the resonance circuit 2 to cause oscillation.
At this time, to the base of the amplifying transistor 8A, a voltage in which the oscillation AC voltage is superimposed around the bias voltage provided by the bias circuit 3 is applied. The diode of the bias circuit 3 has two diodes 3A and 3B connected in series.
One or three or more are connected in series and used. When the object to be detected is not close to the detection coil 1A, the detection coil 1A
Has a high impedance and the voltage of the resonance circuit 1 is high. Therefore, since the voltage applied to the base of the amplifying transistor 8A is high, its output voltage is high, and the feedback transistor 1
The output voltage of 2 is also high. This output voltage is discriminated by the oscillation amplitude discrimination circuit 13 as being higher than the set voltage, and at this time, the detection signal is not output from the output transistor 14. When the object to be detected approaches the detection coil 1A, the impedance of the detection coil 1A decreases and the voltage of the resonance circuit 1 decreases.
Therefore, since the voltage applied to the base of the amplifying transistor 8A is low, its output voltage is low, and the output voltage of the feedback transistor 12 is also low. This output voltage is discriminated by the oscillation amplitude discrimination circuit 13 as being lower than the set voltage, and the output transistor 14 outputs the detection signal of the detected object.

【0004】検出コイル2Aとコンデンサ2Bとが直列
に接続された共振回路2は、共振回路1の検出コイル1
Aの温度補償用で必要に応じて設けられる。共振回路1
の検出コイル1Aと共振回路2の検出コイル2Aとは同
一の材質、例えば銅からなる導線が同一のボビンに巻回
され、温度によって同じインピーダンスの変化を生じる
ようになっている。そして、例えば温度上昇により検出
コイル1Aの抵抗値が増加し、共振回路1の発振電圧が
低下したとき、検出コイル2Aの抵抗値も同様増加し共
振回路2の発振電圧も低下するので、帰還用トランジス
タ12からの正帰還量は逆に増加して共振回路1の発振
電圧の低下が補償される。なお、この温度補償用の共振
回路2を設けないときは、帰還用トランジスタ12のコ
レクタを増幅用トランジスタ8Aのベースに直接に接続
する。
The resonance circuit 2 in which the detection coil 2A and the capacitor 2B are connected in series is the detection coil 1 of the resonance circuit 1.
It is for temperature compensation of A and is provided as necessary. Resonant circuit 1
The detection coil 1A and the detection coil 2A of the resonance circuit 2 are configured such that conductive wires made of the same material, for example, copper are wound around the same bobbin so that the same impedance changes depending on temperature. Then, for example, when the resistance value of the detection coil 1A increases due to a temperature rise and the oscillation voltage of the resonance circuit 1 decreases, the resistance value of the detection coil 2A also increases and the oscillation voltage of the resonance circuit 2 also decreases, so that the feedback On the contrary, the amount of positive feedback from the transistor 12 is increased to compensate for the decrease in the oscillation voltage of the resonance circuit 1. When the resonance circuit 2 for temperature compensation is not provided, the collector of the feedback transistor 12 is directly connected to the base of the amplification transistor 8A.

【0005】また、分圧回路9は発振出力を分圧し、直
列に接続された抵抗9A,9Bの抵抗値を変えることに
より、その分圧点すなわち抵抗9Aと抵抗9Bの接続点
にそのエミッタが接続された増幅用トランジスタ8Aの
ベース電流の大きさを制御することができる。これによ
り増幅用トランジスタ8Aのベース電流を制御して検出
距離の調整を行うことができる。
Further, the voltage dividing circuit 9 divides the oscillation output and changes the resistance values of the resistors 9A and 9B connected in series, so that the emitter is located at the voltage dividing point, that is, the connecting point between the resistors 9A and 9B. It is possible to control the magnitude of the base current of the connected amplification transistor 8A. As a result, the base current of the amplifying transistor 8A can be controlled to adjust the detection distance.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】前述の近接スイッチに
おいては、図2に示すように増幅用トランジスタ8Aは
そのベースにダイオード3A,3Bからなるバイアス回
路3によりバイアス電圧が印加されて共振回路1の電圧
を増幅し、この増幅用トランジスタ8Aの出力電圧は帰
還用トランジスタ12によって電流に変換されて共振回
路1に正帰還され発振を起こすようになっている。ここ
で発振が停止している状態を考えると、増幅用トランジ
スタ8Aのベースにはバイアス回路3のダイオード3
A,3Bの各順方向電圧VD の和の電圧2VD が印加さ
れ、分圧回路9の抵抗9Aと9Bの接続点の電圧は2V
D −VBE(但し、VBEは増幅用トランジスタ8Aのベー
ス・エミッタ間電圧)となる。従って、抵抗9Bを流れ
る電流i2 は式(1)のようになる。
In the proximity switch described above, a bias voltage is applied to the base of the amplifying transistor 8A by a bias circuit 3 composed of diodes 3A and 3B as shown in FIG. The voltage is amplified, and the output voltage of the amplifying transistor 8A is converted into a current by the feedback transistor 12 and is positively fed back to the resonance circuit 1 to cause oscillation. Considering that the oscillation is stopped, the diode 3 of the bias circuit 3 is provided at the base of the amplifying transistor 8A.
A voltage 2V D, which is the sum of the forward voltages V D of A and 3B, is applied, and the voltage at the connection point between the resistors 9A and 9B of the voltage dividing circuit 9 is 2V.
D- V BE (where V BE is the base-emitter voltage of the amplifying transistor 8A). Therefore, the current i 2 flowing through the resistor 9B is given by the equation (1).

【0007】[0007]

【数1】 i2 =VBE/R9B ・・・式(1) 但し:R9Bは抵抗9Bの抵抗値 VD ≒VBEとする。 また、増幅用トランジスタ8Aのコレクタ電流i1 は帰
還用トランジスタ12のベース・エミッタ間電圧VBE
抵抗11の抵抗値R11とから式(2)のようになる。
I 2 = V BE / R 9B (Equation 1) where: R 9B is the resistance value V D ≈V BE of the resistor 9B. The collector current i 1 of the amplifying transistor 8A is given by the equation (2) from the base-emitter voltage V BE of the feedback transistor 12 and the resistance value R 11 of the resistor 11 .

【0008】[0008]

【数2】 i1 =VBE/R11 ・・・式(2) 従って、発振出力ラインCの電圧VC は式(3)に示す
ようになる。
[Number 2] i 1 = V BE / R 11 ··· formula (2) Therefore, the voltage V C of the oscillation output line C is as shown in equation (3).

【0009】[0009]

【数3】 VC =i2 ・R9B+(i2 −i1 )・R9A =VBE{1+R9A(1/R9B−1/R11) ・・・式(3) このことは、発振を継続するために、正側および負側電
源端子P,N間に加える電源電圧VS は、少なくとも式
(3)に示される発振出力ラインCの電圧VC以上の電
圧値に設定する必要があることを示している。
## EQU3 ## V C = i 2 · R 9B + (i 2 −i 1 ) · R 9A = V BE {1 + R 9A (1 / R 9B −1 / R 11 ) ... Formula (3) In order to continue the oscillation, the power supply voltage V S applied between the positive and negative power supply terminals P and N is set to a voltage value which is at least equal to or higher than the voltage V C of the oscillation output line C shown in Expression (3). Indicates that it is necessary.

【0010】この発振出力ラインCの電圧VC には抵抗
11と分圧回路9の抵抗9A,9Bの抵抗値が含まれて
いるが、このうち分圧回路9の抵抗9A,9Bの抵抗値
は発振出力を分圧して近接スイッチとしての動作距離を
設定し、かつ使用する検出コイルの特性に応じて定める
ことが必要であり、このために、発振出力ラインCの電
圧VC を低くするには限界があり、電源電圧VS を高く
設定する必要があった。
The voltage V C on the oscillation output line C includes the resistance value of the resistor 11 and the resistance values of the resistors 9A and 9B of the voltage dividing circuit 9. Of these, the resistance values of the resistors 9A and 9B of the voltage dividing circuit 9 are included. Is required to divide the oscillation output to set the operating distance as a proximity switch and to determine it according to the characteristics of the detection coil to be used. Therefore, in order to lower the voltage V C of the oscillation output line C, Has a limit, and it is necessary to set the power supply voltage V S high.

【0011】本発明の目的は前述の問題点を解決し、電
源電圧を低く設定できるようにした近接スイッチを提供
することにある。なお、この種の近接スイッチの回路
は、通常半導体ICとして形成されるので、前述の問題
点は半導体IC化した場合に外付けとなる大容量のコン
デンサを用いることなく解決することが必要とされる。
An object of the present invention is to solve the above problems and to provide a proximity switch capable of setting a low power supply voltage. Since this kind of proximity switch circuit is usually formed as a semiconductor IC, it is necessary to solve the above-mentioned problems without using a large-capacity capacitor that is externally attached when the semiconductor IC is formed. It

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】前述の目的を達成するた
めに、本発明の近接スイッチは被検出体の接近によって
そのインピーダンスが低下する検出コイルとこの検出コ
イルに並列に接続されたコンデンサとからなる共振回路
と、差動増幅回路に接続されて前記共振回路の電圧を増
幅するそのベースが第1のバイアス回路を介し前記共振
回路の一方の端子にそのコレクタが正側電源端子に接続
された第1の増幅用トランジスタおよびそのコレクタが
抵抗を介し正側電源端子に接続された第2の増幅用トラ
ンジスタと、そのコレクタが前記正側電源端子にそのベ
ースが前記第2の増幅用トランジスタのコレクタにその
エミッタが前記共振回路の一方の端子に接続され、前記
第2の増幅用トランジスタの出力電圧を電流に変換し前
記共振回路に正帰還する帰還用トランジスタと、前記共
振回路の他方の端子と負側電源端子とが接続され、この
接続点と前記帰還用トランジスタのエミッタとの間に直
列に接続された第1の抵抗および第2の抵抗からなり、
これら第1の抵抗と第2の抵抗の接続点に前記第2の増
幅用トランジスタのベースが第2のバイアス回路を介し
て接続された分圧回路と、前記第1および第2のバイア
ス回路に定電流を流入する第1および第2の定電流回路
と、前記帰還用トランジスタのコレクタに接続された発
振振幅弁別回路とからなるようにする。そして、この帰
還用トランジスタのコレクタ・エミッタに定電流を流入
する第3の定電流回路を設けると好便である。また、こ
の近接スイッチの回路を半導体ICとして形成すると好
適である。
In order to achieve the above-mentioned object, the proximity switch of the present invention comprises a detection coil whose impedance is lowered due to the approach of the object to be detected and a capacitor connected in parallel to this detection coil. And a base thereof connected to a differential amplifier circuit for amplifying the voltage of the resonance circuit, and a collector of which is connected to one terminal of the resonance circuit and a positive power supply terminal through a first bias circuit. A first amplification transistor and a second amplification transistor whose collector is connected to a positive power supply terminal through a resistor, a collector of which is the positive power supply terminal, and a base of which is the collector of the second amplification transistor. Has its emitter connected to one terminal of the resonance circuit, converts the output voltage of the second amplification transistor into a current, and returns to the resonance circuit. Of the feedback transistor, the other terminal of the resonant circuit and the negative power supply terminal are connected, and the first resistor and the second resistor connected in series between this connection point and the emitter of the feedback transistor. Consisting of resistance,
The voltage dividing circuit in which the base of the second amplifying transistor is connected to the connection point of the first resistor and the second resistor via the second bias circuit, and the first and second bias circuits The first and second constant current circuits for flowing a constant current and the oscillation amplitude discriminating circuit connected to the collector of the feedback transistor are used. Then, it is convenient to provide a third constant current circuit for supplying a constant current to the collector / emitter of the feedback transistor. Further, it is preferable to form the circuit of the proximity switch as a semiconductor IC.

【0013】[0013]

【作用】本発明の近接スイッチにおいては、発振出力ラ
インCの電圧VC は電源電圧V S ,帰還用トランジスタ
16のベース・エミッタ間電圧VBE,抵抗15の抵抗値
15およびこの抵抗15に流れる電流i3 によって定ま
り、発振回路の基本特性を定める共振回路1および発振
出力を分圧する分圧回路9の第1および第2の抵抗9A
および9Bの抵抗値に関係がないので、発振出力ライン
Cの電圧を従来品より低くすることができ、電源電圧V
S を低く設定することができる。
In the proximity switch of the present invention, the oscillation output line is
In C voltage VCIs the power supply voltage V S, Feedback transistor
16 base-emitter voltage VBE, Resistance value of resistor 15
R15And the current i flowing through this resistor 153Determined by
The resonance circuit 1 and the oscillation that determine the basic characteristics of the oscillation circuit
First and second resistors 9A of the voltage dividing circuit 9 for dividing the output
Since it has nothing to do with the resistance values of 9B and 9B, the oscillation output line
The voltage of C can be made lower than the conventional product, and the power supply voltage V
SCan be set low.

【0014】また、帰還用トランジスタのコレクタ・エ
ミッタに定電流を流入する第3の定電流回路を設けてこ
の帰還用トランジスタのベース・エミッタ間電圧VBE
ほぼ飽和する定電流を通電することにより、このベース
・エミッタ間電圧VBEが低い一定電圧値に保持されるの
で、電源電圧VS をより低く設定するのに好便である。
Further, a third constant current circuit for supplying a constant current to the collector / emitter of the feedback transistor is provided to supply a constant current at which the base-emitter voltage V BE of the feedback transistor is almost saturated. Since the base-emitter voltage V BE is held at a low constant voltage value, it is convenient to set the power supply voltage V S lower.

【0015】[0015]

【実施例】図1は本発明の近接スイッチの一実施例を示
す回路図である。図1において、被検出体の接近によっ
てそのインピーダンスが低下する検出コイル1Aとこの
検出コイル1Aに並列に接続されたコンデンサ1Bとか
らなる共振回路1と、そのベースが抵抗5およびダイオ
ード3A,3Bからなるバイアス回路3を介しこの共振
回路1の一方の端子aに、そのコレクタが正側電源端子
Pに、そのエミッタが定電流回路7Cを介し負側電源端
子Nにそれぞれ接続された増幅用トランジスタ8Aと、
そのコレクタが抵抗15を介し正側電源端子Pに、その
エミッタが増幅用トランジスタ8Aのエミッタに接続さ
れた増幅用トランジスタ8Bと、そのコレクタが正側電
源端子Pに、そのベースが増幅用トランジスタ8Bのコ
レクタに、そのエミッタが、検出コイル1Aと同様に被
検出体の接近によってそのインピーダンスが低下する検
出コイル2Aとこの検出コイル2Aに直列に接続された
コンデンサ2Bとからなる共振回路2に接続された帰還
用トランジスタ16と、帰還用トランジスタ16のコレ
クタと負側電源端子Nとの間に直列に接続された抵抗9
A,9Bからなる分圧回路9と、この分圧回路9の抵抗
9Aと抵抗9Bの接続点と増幅用トランジスタ8Bのベ
ースとの間に直列に接続されたダイオード4Aからなる
バイアス回路4および抵抗6と、抵抗5とバイアス回路
3の接続点と正側電源端子Pとの間に接続された定電流
回路7Aと、抵抗6とバイアス回路4の接続点と正側電
源端子Pとの間に接続された定電流回路7Bと、帰還用
トランジスタ16のエミッタと負側電源端子Nとの間に
接続された定電流回路7Dと、帰還用トランジスタ16
のエミッタに接続された発振振幅弁別回路13と、この
発振振幅弁別回路13に接続された出力トランジスタ1
4とからなり、共振回路1の他方の端子bは負側電源端
子Nに接続されている。
1 is a circuit diagram showing an embodiment of a proximity switch according to the present invention. In FIG. 1, a resonance circuit 1 including a detection coil 1A whose impedance decreases as an object to be detected approaches and a capacitor 1B connected in parallel to the detection coil 1A, and a base of which is a resistor 5 and diodes 3A and 3B. The amplifying transistor 8A is connected to the one terminal a of the resonance circuit 1 through the bias circuit 3, the collector of which is connected to the positive power supply terminal P, and the emitter of which is connected to the negative power supply terminal N through the constant current circuit 7C. When,
The amplification transistor 8B, whose collector is connected to the positive power supply terminal P via the resistor 15, its emitter is connected to the emitter of the amplification transistor 8A, its collector is the positive power supply terminal P, and its base is the amplification transistor 8B. The emitter of the detector is connected to the resonance circuit 2 including the detection coil 2A whose impedance is lowered by the approach of the object to be detected like the detection coil 1A and the capacitor 2B connected in series to the detection coil 2A. And a resistor 9 connected in series between the collector of the feedback transistor 16 and the negative power supply terminal N.
A bias circuit 4 and a resistor including a voltage dividing circuit 9 including A and 9B, a diode 4A connected in series between a connection point of the resistors 9A and 9B of the voltage dividing circuit 9 and the base of the amplifying transistor 8B. 6, a constant current circuit 7A connected between the connection point between the resistor 5 and the bias circuit 3 and the positive power supply terminal P, and between the connection point between the resistor 6 and the bias circuit 4 and the positive power supply terminal P. Connected constant current circuit 7B, constant current circuit 7D connected between the emitter of feedback transistor 16 and negative power supply terminal N, and feedback transistor 16
Oscillation amplitude discriminating circuit 13 connected to the emitter of the output transistor 1 and the output transistor 1 connected to the oscillation amplitude discriminating circuit 13
4 and the other terminal b of the resonance circuit 1 is connected to the negative power source terminal N.

【0016】この近接スイッチの動作は次の通りであ
る。バイアス回路3に定電流回路7Aからほぼ一定の電
流が流入され、ダイオード3A,3Bの順電圧降下は増
幅用トランジスタ8Aのベースにバイアス電圧として印
加される。また、バイアス回路4に定電流回路7Bから
なるほぼ一定の電流が流入され、ダイオード4Aの順電
圧降下は増幅用トランジスタ8Bのベースにバイアス電
流として印加される。なお、抵抗5および6はベース電
流制限用の抵抗である。増幅用トランジスタ8A,8B
および定電流回路7Cは差動増幅回路を構成し、共振回
路1の電圧はこの差動増幅回路に増幅され、この出力電
圧、すなわち増幅用トランジスタ8Bの出力電圧は帰還
用トランジスタ16によって電流に変換されて、共振回
路2を介して共振回路1に正帰還されて発振を起す。そ
の他の動作については図2に示す従来の近接スイッチと
同様である。
The operation of this proximity switch is as follows. A substantially constant current flows into the bias circuit 3 from the constant current circuit 7A, and the forward voltage drop of the diodes 3A and 3B is applied as a bias voltage to the base of the amplifying transistor 8A. Further, a substantially constant current made up of the constant current circuit 7B flows into the bias circuit 4, and the forward voltage drop of the diode 4A is applied as a bias current to the base of the amplifying transistor 8B. The resistors 5 and 6 are base current limiting resistors. Amplifying transistors 8A and 8B
The constant current circuit 7C constitutes a differential amplifier circuit, the voltage of the resonance circuit 1 is amplified by this differential amplifier circuit, and this output voltage, that is, the output voltage of the amplifying transistor 8B is converted into a current by the feedback transistor 16. Then, it is positively fed back to the resonance circuit 1 through the resonance circuit 2 to cause oscillation. Other operations are similar to those of the conventional proximity switch shown in FIG.

【0017】この近接スイッチにおいては、増幅用トラ
ンジスタ8Aのベース電圧が上昇して、この増幅用トラ
ンジスタ8Aのコレクタ電流が増加すると、差動増幅回
路を構成する増幅用トランジスタ8Aのコレクタ電流と
増幅用トランジスタ8Bのコレクタ電流の和は定電流回
路7Cの定電流値i0 であるので、増幅用トランジスタ
8Bのコレクタ電流は減少する。ここで発振出力ライン
Cの電圧VC は、増幅用トランジスタ8Bのコレクタ電
流をi3 とすると式(4)の通りになる。
In this proximity switch, when the base voltage of the amplifying transistor 8A rises and the collector current of the amplifying transistor 8A increases, the collector current of the amplifying transistor 8A constituting the differential amplifying circuit and the amplifying transistor 8A. Since the sum of the collector currents of the transistor 8B is the constant current value i 0 of the constant current circuit 7C, the collector current of the amplifying transistor 8B decreases. Here, the voltage V C of the oscillation output line C is given by the equation (4) when the collector current of the amplifying transistor 8B is i 3 .

【0018】[0018]

【数4】 VC =VS −VBE−R15・i3 ・・・式(4) 但し、VS :電源電圧 VBE:帰還用トランジスタ16のベース・エミッタ間電
圧 R15:抵抗15の抵抗値 なお、定電流回路7Dは帰還用トランジスタ16のこの
ベース・エミッタ間電圧がほぼ飽和する定電流を通電
し、このベース・エミッタ間電圧を低い一定電圧値に保
持するためのものである。
[Equation 4] V C = V S −V BE −R 15 · i 3 (4) where V S : power supply voltage V BE : base-emitter voltage of the feedback transistor 16 R 15 : resistor 15 The resistance value of the constant current circuit 7D is for supplying a constant current at which the base-emitter voltage of the feedback transistor 16 is almost saturated and for maintaining the base-emitter voltage at a low constant voltage value. .

【0019】この近接スイッチにおいては、式(4)に
示すように発振出力ラインCの電圧VC は電源電圧
S ,帰還用トランジスタ16のベース・エミッタ間電
圧VBE,抵抗15の抵抗値R15およびこの抵抗15に流
れる電流i3 によって定まり、発振回路の基本特性を定
める共振回路1および発振出力を分圧する分圧回路9の
第1および第2の抵抗9Aおよび9Bの抵抗値に関係が
ないので、発振出力ラインCの電圧を従来品より低くす
ることができ、電源電圧VS を低く設定することができ
る。また、この帰還用トランジスタ16のベース・エミ
ッタ間電圧VBEがほぼ飽和する定電流を通電することに
より、このベース・エミッタ間電圧VBEが低い一定電圧
値に保持されるので、電源電圧VS をより低く設定する
のに好便である。
In this proximity switch, the voltage V C of the oscillation output line C is the power supply voltage V S , the base-emitter voltage V BE of the feedback transistor 16 and the resistance value R of the resistor 15 as shown in equation (4). 15 and the resistance i of the first and second resistors 9A and 9B of the voltage dividing circuit 9 that divides the oscillation output, which is determined by the current i 3 flowing through the resistor 15 and determines the basic characteristics of the oscillation circuit. Therefore, the voltage of the oscillation output line C can be made lower than that of the conventional product, and the power supply voltage V S can be set low. Further, by conducting a constant current base-emitter voltage V BE of the feedback transistor 16 is nearly saturated, since the base-emitter voltage V BE is held at a low constant voltage value, the power supply voltage V S It is convenient to set lower.

【0020】更にまた、この近接スイッチは回路をIC
化したとき、共振回路のコンデンサを除いて外付けとな
る比較的容量の大きい、例えば数十ピコファラッド程度
以上のコンデンサを用いていないので半導体ICに適し
た構造となっている。
Furthermore, this proximity switch has a circuit IC.
When it is made into a semiconductor device, the structure is suitable for a semiconductor IC because a capacitor having a relatively large capacity, for example, several tens of picofarads or more, which is externally attached, is not used except the capacitor of the resonance circuit.

【0021】[0021]

【発明の効果】本発明の近接スイッチは電源電圧を従来
品より低くすることが、かつ半導体IC化したとき外付
けとなるコンデンサがなく小形化できるので、携帯用を
はじめ各用途に好適である。
The proximity switch of the present invention is suitable for various applications including portable use because it can lower the power supply voltage than conventional products and can be miniaturized without an externally attached capacitor when made into a semiconductor IC. .

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の近接スイッチの一実施例を示す回路図FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of a proximity switch of the present invention.

【図2】従来の近接スイッチの一例を示す回路図FIG. 2 is a circuit diagram showing an example of a conventional proximity switch.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1A 検出コイル 1B コンデンサ 1 共振回路 3 第1のバイアス回路 4 第2のバイアス回路 7A 第1の定電流回路 7B 第2の定電流回路 7D 第3の定電流回路 8A 第1の増幅用トランジスタ 8B 第2の増幅用トランジスタ 9A 第1の抵抗 9B 第2の抵抗 9 分圧回路 13 発振振幅弁別回路 15 抵抗 16 帰還用トランジスタ 1A Detection coil 1B Capacitor 1 Resonance circuit 3 1st bias circuit 4 2nd bias circuit 7A 1st constant current circuit 7B 2nd constant current circuit 7D 3rd constant current circuit 8A 1st amplification transistor 8B 1st 2 amplification transistor 9A 1st resistance 9B 2nd resistance 9 Voltage dividing circuit 13 Oscillation amplitude discrimination circuit 15 Resistance 16 Feedback transistor

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】被検出体の接近によってそのインピーダン
スが低下する検出コイルとこの検出コイルに並列に接続
されたコンデンサとからなる共振回路と、差動増幅回路
に接続されて前記共振回路の電圧を増幅するそのベース
が第1のバイアス回路を介し前記共振回路の一方の端子
にそのコレクタが正側電源端子に接続された第1の増幅
用トランジスタおよびそのコレクタが抵抗を介し正側電
源端子に接続された第2の増幅用トランジスタと、その
コレクタが前記正側電源端子にそのベースが前記第2の
増幅用トランジスタのコレクタにそのエミッタが前記共
振回路の一方の端子に接続され、前記第2の増幅用トラ
ンジスタの出力電圧を電流に変換し前記共振回路に正帰
還する帰還用トランジスタと、前記共振回路の他方の端
子と負側電源端子とが接続され、この接続点と前記帰還
用トランジスタのエミッタとの間に直列に接続された第
1の抵抗および第2の抵抗からなり、これら第1の抵抗
と第2の抵抗の接続点に前記第2の増幅用トランジスタ
のベースが第2のバイアス回路を介して接続された分圧
回路と、前記第1および第2のバイアス回路に定電流を
流入する第1および第2の定電流回路と、前記帰還用ト
ランジスタのコレクタに接続された発振振幅弁別回路と
からなることを特徴とする近接スイッチ。
Claim: What is claimed is: 1. A resonance circuit comprising a detection coil, the impedance of which decreases when an object to be detected approaches, and a capacitor connected in parallel with the detection coil; A first amplifying transistor whose base to be amplified is connected to one terminal of the resonance circuit via a first bias circuit, and its collector is connected to a positive power supply terminal, and its collector is connected to a positive power supply terminal via a resistor. And a collector of the second amplifying transistor connected to the positive power supply terminal, a base of the second amplifying transistor to the collector of the second amplifying transistor, and an emitter of the second amplifying transistor to one terminal of the resonant circuit. A feedback transistor that converts the output voltage of the amplification transistor into a current and feeds back positively to the resonance circuit; the other terminal of the resonance circuit and the negative power supply terminal Of a first resistor and a second resistor connected in series between this connection point and the emitter of the feedback transistor. The first resistor and the second resistor are connected at the connection point of the first resistor and the second resistor. A voltage dividing circuit in which the base of the second amplifying transistor is connected via a second bias circuit, and first and second constant current circuits for flowing a constant current into the first and second bias circuits. A proximity switch comprising an oscillation amplitude discrimination circuit connected to the collector of the feedback transistor.
【請求項2】請求項1に記載の近接スイッチにおいて、
帰還用トランジスタのコレクタ・エミッタに定電流を流
入する第3の定電流回路を設けたことを特徴とする近接
スイッチ。
2. The proximity switch according to claim 1, wherein
A proximity switch characterized in that a third constant current circuit for supplying a constant current to the collector / emitter of the feedback transistor is provided.
【請求項3】その回路が半導体ICとして形成されるこ
とを特徴とする請求項1あるいは2のいずれかに記載の
近接スイッチ。
3. The proximity switch according to claim 1, wherein the circuit is formed as a semiconductor IC.
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