JPH0864846A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光通信等に用いる光送信機あるいは光受信機
を形成する半導体装置に関する。 【構成】 基板４の表面に形成された導体パターン５と
光デバイス１−１、１−２又は表面に電子回路３−１、
３ー２が形成された半導体ＩＣチップ２−１、２−２と
がバンプ９・・・を介して電気的に接続され、前記光デ
バイスの光透過窓部１−１Ａ、１−２Ｂを除く面、前記
半導体ＩＣチップの裏面及び前記基板の裏面には金属膜
６−１、６−２、６−３が施され、該金属膜は接地して
構成される。
を形成する半導体装置に関する。 【構成】 基板４の表面に形成された導体パターン５と
光デバイス１−１、１−２又は表面に電子回路３−１、
３ー２が形成された半導体ＩＣチップ２−１、２−２と
がバンプ９・・・を介して電気的に接続され、前記光デ
バイスの光透過窓部１−１Ａ、１−２Ｂを除く面、前記
半導体ＩＣチップの裏面及び前記基板の裏面には金属膜
６−１、６−２、６−３が施され、該金属膜は接地して
構成される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光通信等に用いる光送
信機あるいは光受信機を形成する半導体装置に関する。
信機あるいは光受信機を形成する半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の光送信機あるいは光受信機は電気
的、磁気的雑音から回避するためにそれらを金属ケース
に封入することによって確保していた。一方、電子機器
の大規模化、高速化と共に小型化が求められている。特
に、光受信機は微弱な光信号を電気信号に変換した後、
増幅する構成をとるためその要求は厳しく、種々のシー
ルド対策が開発されている。
的、磁気的雑音から回避するためにそれらを金属ケース
に封入することによって確保していた。一方、電子機器
の大規模化、高速化と共に小型化が求められている。特
に、光受信機は微弱な光信号を電気信号に変換した後、
増幅する構成をとるためその要求は厳しく、種々のシー
ルド対策が開発されている。
【０００３】例えば、図４はシールドパッケージされた
従来例の構成を示す斜視図であり、図示していない光フ
ァイバからの信号は入力端子１４からフォトダイオード
１６に入射され、これを増幅するための集積回路（Ｉ
Ｃ）１７、コンデンサ１８からなる光受光回路がケース
基台１１の中に搭載されている。このケース基台１１は
シール用樹脂膜１３を介して金属製のキャップ１２に固
着され、光受光回路はシールドパッケージされている
（特願平５−３０２２号）。
従来例の構成を示す斜視図であり、図示していない光フ
ァイバからの信号は入力端子１４からフォトダイオード
１６に入射され、これを増幅するための集積回路（Ｉ
Ｃ）１７、コンデンサ１８からなる光受光回路がケース
基台１１の中に搭載されている。このケース基台１１は
シール用樹脂膜１３を介して金属製のキャップ１２に固
着され、光受光回路はシールドパッケージされている
（特願平５−３０２２号）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このような方式を用い
た場合は、一枚の基板上に受光素子と複数の増幅回路を
形成する場合、あるいは受光素子と増幅回路及び発光素
子とその駆動回路を混載する場合には、個々の回路間を
シールドするための間隔が必要となり、さらに全体をシ
ールドパッケージを施すために装置の小型化には限界が
あった。そこで本発明は、かかるシールドパッケージを
施さなくても問題点を解決した半導体装置を提供するこ
とを目的とする。
た場合は、一枚の基板上に受光素子と複数の増幅回路を
形成する場合、あるいは受光素子と増幅回路及び発光素
子とその駆動回路を混載する場合には、個々の回路間を
シールドするための間隔が必要となり、さらに全体をシ
ールドパッケージを施すために装置の小型化には限界が
あった。そこで本発明は、かかるシールドパッケージを
施さなくても問題点を解決した半導体装置を提供するこ
とを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明に係わる半導体装
置は、基板の表面に形成された導体パターンと光デバイ
ス又は表面に電子回路が形成された半導体ＩＣチップと
がバンプを介して電気的に接続され、前記光デバイスの
光透過窓部を除く面、前記半導体ＩＣチップの裏面及び
前記基板の裏面には金属膜が施され、該金属膜は接地さ
れていることを特徴とする。
置は、基板の表面に形成された導体パターンと光デバイ
ス又は表面に電子回路が形成された半導体ＩＣチップと
がバンプを介して電気的に接続され、前記光デバイスの
光透過窓部を除く面、前記半導体ＩＣチップの裏面及び
前記基板の裏面には金属膜が施され、該金属膜は接地さ
れていることを特徴とする。
【０００６】前記光デバイスは発光ダイオード、レーザ
ダイオードあるいは受光ダイオードであること、また、
前記電子回路は発光ダイオード又はレーザダイオードの
駆動回路あるいは受光ダイオードの増幅回路であること
特徴とする。
ダイオードあるいは受光ダイオードであること、また、
前記電子回路は発光ダイオード又はレーザダイオードの
駆動回路あるいは受光ダイオードの増幅回路であること
特徴とする。
【０００７】
【作用】上記の構成によれば、本発明に係わる半導体装
置の電子回路（増幅回路、駆動回路、導体パターン）は
接地された金属膜と基板裏面に形成された接地用金属膜
との間に挟まれた構成をとっているので、周囲からのノ
イズの影響が受け難くなる。発光装置の場合は、周辺回
路への影響が軽減される。また、光透過窓部を除く光デ
バイス面についても金属膜を施し接地しているので、同
様のシールド効果が得られる。
置の電子回路（増幅回路、駆動回路、導体パターン）は
接地された金属膜と基板裏面に形成された接地用金属膜
との間に挟まれた構成をとっているので、周囲からのノ
イズの影響が受け難くなる。発光装置の場合は、周辺回
路への影響が軽減される。また、光透過窓部を除く光デ
バイス面についても金属膜を施し接地しているので、同
様のシールド効果が得られる。
【０００８】
【実施例】以下、添付図面を参照して本発明の実施例を
説明する。図１は本発明の半導体装置に係わる一実施例
の構成を示す断面図である。図において、信号光を受光
して電流に変換する受光素子１−１、この電流を増幅す
る回路を有する半導体ＩＣチップ２−１及び信号光を発
光する発光ダイオード又はレーザダイオード等の発光素
子１−２、この発光素子１−２を駆動するための回路を
有する半導体ＩＣチップ２−２とは表面に導電パターン
５を形成した基板４とバンプ９・・・を介して電気的に
接続された装置である。
説明する。図１は本発明の半導体装置に係わる一実施例
の構成を示す断面図である。図において、信号光を受光
して電流に変換する受光素子１−１、この電流を増幅す
る回路を有する半導体ＩＣチップ２−１及び信号光を発
光する発光ダイオード又はレーザダイオード等の発光素
子１−２、この発光素子１−２を駆動するための回路を
有する半導体ＩＣチップ２−２とは表面に導電パターン
５を形成した基板４とバンプ９・・・を介して電気的に
接続された装置である。
【０００９】半導体ＩＣチップ２−１、半導体ＩＣチッ
プ２−２の表面には夫々増幅回路３−１、駆動回路３−
２が形成され、それらの裏面にはＡｕ等からなる薄膜６
−１が蒸着されている。一方、アルミナを主成分とする
基板４の表面にはＡｇＰｄ等の導体からなるパターン５
が形成され、パターン５と前記電子回路３−１、３−２
あるいはこれらの回路と光素子１−１、１−２とはＳｎ
Ｐｄ等からなる球状のバンプ９を介して接続される。こ
れにより従来使われていたＡｕワイヤ等による接続に比
べてインダクタンスが小さくなり、高周波信号の損失が
小さくなると共に、空中への電磁波の放出あるいは外界
からの電磁界の影響を受け難くなる。基板４の裏面には
全面に接地用金属膜６−３が形成されている。接地はＡ
ｕ等の金属リボン８、スルーホール７の経路を通して行
なわれる。接地をより確実にするために、Ａｕリボンは
インダクタンスを下げられるように複数本接続してい
る。また、スルーホールも基板強度に影響しない程度に
多数設けている。
プ２−２の表面には夫々増幅回路３−１、駆動回路３−
２が形成され、それらの裏面にはＡｕ等からなる薄膜６
−１が蒸着されている。一方、アルミナを主成分とする
基板４の表面にはＡｇＰｄ等の導体からなるパターン５
が形成され、パターン５と前記電子回路３−１、３−２
あるいはこれらの回路と光素子１−１、１−２とはＳｎ
Ｐｄ等からなる球状のバンプ９を介して接続される。こ
れにより従来使われていたＡｕワイヤ等による接続に比
べてインダクタンスが小さくなり、高周波信号の損失が
小さくなると共に、空中への電磁波の放出あるいは外界
からの電磁界の影響を受け難くなる。基板４の裏面には
全面に接地用金属膜６−３が形成されている。接地はＡ
ｕ等の金属リボン８、スルーホール７の経路を通して行
なわれる。接地をより確実にするために、Ａｕリボンは
インダクタンスを下げられるように複数本接続してい
る。また、スルーホールも基板強度に影響しない程度に
多数設けている。
【００１０】導体パターン５は前記電子回路３−１、３
−２に電源を供給し、あるいは信号電流を取出し、又は
それらの部材の間を接続するためにパターンが形成され
る。従って、増幅回路３−１、駆動回路３−２及び導体
パターン５は接地された金属膜６−１と基板裏面に形成
された接地用金属膜６−３との間に挟まれた構成をとっ
ているので、周囲からのノイズの影響は受け難くなり、
あるいは周辺回路への影響が軽減される。光素子１−
１、１−２の場合は光が透過する窓部１−１Ａ、１−２
Ｂを除く面には金属膜６−２を施して接地されているの
で、前記と同様の遮蔽効果を持っている。
−２に電源を供給し、あるいは信号電流を取出し、又は
それらの部材の間を接続するためにパターンが形成され
る。従って、増幅回路３−１、駆動回路３−２及び導体
パターン５は接地された金属膜６−１と基板裏面に形成
された接地用金属膜６−３との間に挟まれた構成をとっ
ているので、周囲からのノイズの影響は受け難くなり、
あるいは周辺回路への影響が軽減される。光素子１−
１、１−２の場合は光が透過する窓部１−１Ａ、１−２
Ｂを除く面には金属膜６−２を施して接地されているの
で、前記と同様の遮蔽効果を持っている。
【００１１】図２は、図１に示した実施例に適用される
発光ダイオード１−２と駆動回路３−２のブロック図で
あり、図３は受光ダイオード１−１と増幅器３−１のブ
ロック図である。接地端子Ｇｎｄは図１における金属膜
６と接続され、データ入出力端子ＤＡＴＡ等、信号検出
出力端子ＳＩＧＮＡＬ ＤＥＴＥＣＴ等及び電源供給端
子Ｖｃｃは導体パターン５と接続される。
発光ダイオード１−２と駆動回路３−２のブロック図で
あり、図３は受光ダイオード１−１と増幅器３−１のブ
ロック図である。接地端子Ｇｎｄは図１における金属膜
６と接続され、データ入出力端子ＤＡＴＡ等、信号検出
出力端子ＳＩＧＮＡＬ ＤＥＴＥＣＴ等及び電源供給端
子Ｖｃｃは導体パターン５と接続される。
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係わる半
導体装置の電子回路は、接地された金属膜と基板裏面に
形成された接地用金属膜との間に挟まれた構成をとって
いるので、周囲からのノイズの影響が受け難くなる。発
光装置の場合は、周辺回路への影響が軽減される。ま
た、光透過窓部を除く光デバイス面についても金属膜を
施し接地しているので、同様のシールド効果が得られ
る。
導体装置の電子回路は、接地された金属膜と基板裏面に
形成された接地用金属膜との間に挟まれた構成をとって
いるので、周囲からのノイズの影響が受け難くなる。発
光装置の場合は、周辺回路への影響が軽減される。ま
た、光透過窓部を除く光デバイス面についても金属膜を
施し接地しているので、同様のシールド効果が得られ
る。
【図１】本発明の半導体装置に係わる一実施例の構成を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図２】本実施例に適用される発光ダイオードと駆動回
路のブロック図である。
路のブロック図である。
【図３】本実施例に適用される受光ダイオードと増幅器
のブロック図である。
のブロック図である。
【図４】シールドパッケージされた従来例の構成を示す
斜視図である。
斜視図である。
１：光デバイス １−１：受光素子 １−２：発光素子 ２：半導体ＩＣチップ ３：電子回路 ３−１：増幅回路 ３−２：駆動回路 ４：基板 ５：導体パターン ６：金属膜 ７：スルーホール ８：金属リボン ９：バンプ １０：ピン １１：ケース基台 １２：キャップ １３：樹脂膜 １４：入力端子 １６：ＰＤ １７：ＩＣ １８：コンデンサ １９：ガラス板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｓ 3/18
Claims (3)
- 【請求項１】 基板の表面に形成された導体パターンと
光デバイス又は表面に電子回路が形成された半導体ＩＣ
チップとがバンプを介して電気的に接続され、前記光デ
バイスの光透過窓部を除く面、前記半導体ＩＣチップの
裏面及び前記基板の裏面には金属膜が施され、該金属膜
は接地されていることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 光デバイスが発光ダイオード、レーザダ
イオードあるいは受光ダイオードであることを特徴とす
る請求項１の半導体装置。 - 【請求項３】 電子回路が発光ダイオード又はレーザダ
イオードの駆動回路あるいは受光ダイオードの増幅回路
であることを特徴とする請求項１の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6198360A JPH0864846A (ja) | 1994-08-23 | 1994-08-23 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6198360A JPH0864846A (ja) | 1994-08-23 | 1994-08-23 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0864846A true JPH0864846A (ja) | 1996-03-08 |
Family
ID=16389819
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6198360A Pending JPH0864846A (ja) | 1994-08-23 | 1994-08-23 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0864846A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998034285A1 (en) * | 1997-01-31 | 1998-08-06 | Matsushita Electronics Corporation | Light emitting element, semiconductor light emitting device, and method for manufacturing them |
| JP2002544673A (ja) * | 1999-05-12 | 2002-12-24 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | Ｌｅｄ−装置 |
| JP2006041234A (ja) * | 2004-07-28 | 2006-02-09 | Mitsubishi Electric Corp | 光送信モジュールおよび光受信モジュール |
| JP2014165224A (ja) * | 2013-02-21 | 2014-09-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光半導体装置および光半導体装置の製造方法 |
-
1994
- 1994-08-23 JP JP6198360A patent/JPH0864846A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998034285A1 (en) * | 1997-01-31 | 1998-08-06 | Matsushita Electronics Corporation | Light emitting element, semiconductor light emitting device, and method for manufacturing them |
| US6333522B1 (en) | 1997-01-31 | 2001-12-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Light-emitting element, semiconductor light-emitting device, and manufacturing methods therefor |
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