JPH08330633A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
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- JPH08330633A JPH08330633A JP13056495A JP13056495A JPH08330633A JP H08330633 A JPH08330633 A JP H08330633A JP 13056495 A JP13056495 A JP 13056495A JP 13056495 A JP13056495 A JP 13056495A JP H08330633 A JPH08330633 A JP H08330633A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 半導体発光素子を被着回路基板に搭載する場
合の生産性の低下と高コスト化を解消すると共に、半導
体発光素子と回路基板の接触抵抗のバラツキを解消でき
る半導体発光装置を提供する。 【構成】 半導体基板上に異なる不純物を含む少くとも
２層の半導体層から成る島状半導体層を設け、この島状
半導体層に一対の電極を設けた半導体発光素子１を被着
回路基板２上に搭載した半導体発光装置である。前記電
極は半導体基板上の島状半導体層と同じ側に設けられ、
この電極６，７上に金バンプ１０を突出して設け、さら
にこの電極と被着基板２との間に柔軟性をもつ異方性導
電膜３を介在させて半導体素子を被着基板上に搭載し、
また島状半導体層と被着基板との間に透光性樹脂１４を
介在させる。
合の生産性の低下と高コスト化を解消すると共に、半導
体発光素子と回路基板の接触抵抗のバラツキを解消でき
る半導体発光装置を提供する。 【構成】 半導体基板上に異なる不純物を含む少くとも
２層の半導体層から成る島状半導体層を設け、この島状
半導体層に一対の電極を設けた半導体発光素子１を被着
回路基板２上に搭載した半導体発光装置である。前記電
極は半導体基板上の島状半導体層と同じ側に設けられ、
この電極６，７上に金バンプ１０を突出して設け、さら
にこの電極と被着基板２との間に柔軟性をもつ異方性導
電膜３を介在させて半導体素子を被着基板上に搭載し、
また島状半導体層と被着基板との間に透光性樹脂１４を
介在させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばページプリンタ
ー用感光ドラムの露光用光源として用いられるＬＥＤア
レイを備える半導体発光装置に関し、特に半導体発光素
子を被着回路基板に異方性導電膜を介して搭載すると共
に、半導体発光素子と被着回路基板間に透光性樹脂を介
在させて接続した半導体発光装置に関する。
ー用感光ドラムの露光用光源として用いられるＬＥＤア
レイを備える半導体発光装置に関し、特に半導体発光素
子を被着回路基板に異方性導電膜を介して搭載すると共
に、半導体発光素子と被着回路基板間に透光性樹脂を介
在させて接続した半導体発光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術及びその問題点】半導体発光装置として
は、図５に示すように、半導体基板１０１の一方の主面
１０１ａに複数の半導体層から成る発光素子１０２を形
成し、この発光素子１０２上から半導体基板１０１上に
かけて個別電極１０３を形成すると共に、半導体基板１
０１の他方の主面１０１ｂに共通電極１０４を形成した
ものが従来から知られている。この半導体発光素子１０
５を駆動回路が形成された被着回路基板に搭載する場
合、図６に示すように、その半導体発光素子１０５の共
通電極１０４を導電性ペースト１０７を介して被着回路
基板１０６上の共通配線１０８に接続し、発光素子１０
２ごとに設けられた個別電極１０３をボンディングワイ
ヤー１０９によって、被着回路基板１０６上の個別配線
１１０に一つづつ接続することが行われている。
は、図５に示すように、半導体基板１０１の一方の主面
１０１ａに複数の半導体層から成る発光素子１０２を形
成し、この発光素子１０２上から半導体基板１０１上に
かけて個別電極１０３を形成すると共に、半導体基板１
０１の他方の主面１０１ｂに共通電極１０４を形成した
ものが従来から知られている。この半導体発光素子１０
５を駆動回路が形成された被着回路基板に搭載する場
合、図６に示すように、その半導体発光素子１０５の共
通電極１０４を導電性ペースト１０７を介して被着回路
基板１０６上の共通配線１０８に接続し、発光素子１０
２ごとに設けられた個別電極１０３をボンディングワイ
ヤー１０９によって、被着回路基板１０６上の個別配線
１１０に一つづつ接続することが行われている。
【０００３】なお、発光素子１０２は列状に多数設けら
れているが、図６における１１１は多数の発光素子１０
２を選択的に発光させる駆動用ＩＣである。
れているが、図６における１１１は多数の発光素子１０
２を選択的に発光させる駆動用ＩＣである。
【０００４】ところが、上記半導体発光装置のように、
個別電極１０３を被着回路基板１０６上の配線１１０に
一つづつ接続する場合、発光素子１０２がせいぜい３０
０〜４００ｄｐｉ程度の密度にしか対応できないという
問題があった。すなわち、それ以上の密度になると、発
光素子１０２の個別電極１０３と被着回路基板１０６の
個別配線１１０とはボンディングワイヤー１０９では接
続することができなくなる。
個別電極１０３を被着回路基板１０６上の配線１１０に
一つづつ接続する場合、発光素子１０２がせいぜい３０
０〜４００ｄｐｉ程度の密度にしか対応できないという
問題があった。すなわち、それ以上の密度になると、発
光素子１０２の個別電極１０３と被着回路基板１０６の
個別配線１１０とはボンディングワイヤー１０９では接
続することができなくなる。
【０００５】また、発光素子１０２の個別電極１０３と
被着回路基板１０６の個別配線１１０をボンディングワ
イヤー１０９で個々に接続する場合、発光素子１０２が
高密度になると、生産性が低下するとともに、ワイヤー
ボンディングの作業性が煩雑で高コストになるという問
題があった。
被着回路基板１０６の個別配線１１０をボンディングワ
イヤー１０９で個々に接続する場合、発光素子１０２が
高密度になると、生産性が低下するとともに、ワイヤー
ボンディングの作業性が煩雑で高コストになるという問
題があった。
【０００６】そこで、図７に示すように、各発光素子１
０２の個別電極１０３と共通電極１０４’を半導体基板
１０１の一方の主面１０１ａに設け、この個別電極１０
３と共通電極１０４’に金バンプ１１２をそれぞれ形成
して、半導体発光素子１０５を構成し、この半導体発光
素子１０５をマイクロバンプボンディング法によって被
着回路基板１０６の共通配線１０８と個別配線１１０に
フェノール系樹脂１１３などの収縮力によって押し付け
て接続することが提案されている。
０２の個別電極１０３と共通電極１０４’を半導体基板
１０１の一方の主面１０１ａに設け、この個別電極１０
３と共通電極１０４’に金バンプ１１２をそれぞれ形成
して、半導体発光素子１０５を構成し、この半導体発光
素子１０５をマイクロバンプボンディング法によって被
着回路基板１０６の共通配線１０８と個別配線１１０に
フェノール系樹脂１１３などの収縮力によって押し付け
て接続することが提案されている。
【０００７】ところが、この従来の半導体発光装置で
は、金バンプ１１２の高さが１５〜２０μｍ必要である
とともに、金バンプ１１２を被着回路基板１０６上の共
通配線１０８と個別配線１１０に接合させることなく、
当接させて接続することから、金バンプ１１２の高さの
違いによって接続状態が異なり、接続が不安定になって
接触抵抗のバラツキが生じ、発光素子１０２の発光特性
が不均一になると共に、金バンプ１１２の形成に長時間
を要するという問題があった。
は、金バンプ１１２の高さが１５〜２０μｍ必要である
とともに、金バンプ１１２を被着回路基板１０６上の共
通配線１０８と個別配線１１０に接合させることなく、
当接させて接続することから、金バンプ１１２の高さの
違いによって接続状態が異なり、接続が不安定になって
接触抵抗のバラツキが生じ、発光素子１０２の発光特性
が不均一になると共に、金バンプ１１２の形成に長時間
を要するという問題があった。
【０００８】
【発明の目的】本発明に係る半導体発光装置は、このよ
うな従来装置の問題点に鑑みて発明されたものであり、
半導体発光素子を被着回路基板に搭載する場合の生産性
の低下と高コスト化を解消すると共に、半導体発光素子
と被着回路基板の接触抵抗のバラツキを解消した半導体
発光装置を提供することを目的とする。
うな従来装置の問題点に鑑みて発明されたものであり、
半導体発光素子を被着回路基板に搭載する場合の生産性
の低下と高コスト化を解消すると共に、半導体発光素子
と被着回路基板の接触抵抗のバラツキを解消した半導体
発光装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る半導体発光装置では、半導体基板上
に、異なる半導体不純物を含有する少なくとも２層の半
導体層から成る島状半導体層を設け、この島状半導体層
に電流を流すための一対の電極を設けた半導体発光素子
を被着回路基板上に搭載した半導体発光装置において、
前記電極を前記半導体基板における前記半導体層と同じ
側に設けると共に、この電極上に金バンプを突出して設
け、この電極と前記被着基板との間に異方性導電膜を介
在させて前記半導体発光素子を前記被着基板上に搭載
し、前記島状半導体層と前記被着基板との間に透光性樹
脂を介在させた。
に、本発明に係る半導体発光装置では、半導体基板上
に、異なる半導体不純物を含有する少なくとも２層の半
導体層から成る島状半導体層を設け、この島状半導体層
に電流を流すための一対の電極を設けた半導体発光素子
を被着回路基板上に搭載した半導体発光装置において、
前記電極を前記半導体基板における前記半導体層と同じ
側に設けると共に、この電極上に金バンプを突出して設
け、この電極と前記被着基板との間に異方性導電膜を介
在させて前記半導体発光素子を前記被着基板上に搭載
し、前記島状半導体層と前記被着基板との間に透光性樹
脂を介在させた。
【００１０】
【作用】上記のように構成すると、半導体発光素子を被
着回路基板に搭載する場合、発光素子側の多数の電極と
被着回路基板上の多数の電極を一度に接続することがで
き、発光素子が高密度になっても、生産性を低下させる
ことがない。
着回路基板に搭載する場合、発光素子側の多数の電極と
被着回路基板上の多数の電極を一度に接続することがで
き、発光素子が高密度になっても、生産性を低下させる
ことがない。
【００１１】また、異方性導電膜は柔軟性を有すること
から、金バンプを低く形成でき、金バンプの高さに多少
のバラツキがあっても、全ての金バンプを異方性導電膜
に接続することができ、半導体発光素子と被着回路基板
の接触抵抗のバラツキを解消できる。
から、金バンプを低く形成でき、金バンプの高さに多少
のバラツキがあっても、全ての金バンプを異方性導電膜
に接続することができ、半導体発光素子と被着回路基板
の接触抵抗のバラツキを解消できる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例を添付図面に基づき詳
細に説明する。図１は、本発明に係る半導体発光装置の
一実施例を示す図であり、１は半導体発光素子、２は被
着回路基板、３は半導体発光素子１と被着回路基板２を
接続するための異方性導電膜である。
細に説明する。図１は、本発明に係る半導体発光装置の
一実施例を示す図であり、１は半導体発光素子、２は被
着回路基板、３は半導体発光素子１と被着回路基板２を
接続するための異方性導電膜である。
【００１３】図１に示す半導体発光素子１は、図２に示
すように、例えばシリコンなどから成る半導体基板４の
一方の主面４ａにおいて一列に並列する複数の発光素子
（ＬＥＤ）５によって主として構成され、その半導体基
板４の一方の主面４ａに各発光素子５毎に形成された個
別電極（アノード電極）６と、その基板４の一方の主面
４ａの各発光素子５の両側に形成された共通電極（カソ
ード電極）７とを備えている。
すように、例えばシリコンなどから成る半導体基板４の
一方の主面４ａにおいて一列に並列する複数の発光素子
（ＬＥＤ）５によって主として構成され、その半導体基
板４の一方の主面４ａに各発光素子５毎に形成された個
別電極（アノード電極）６と、その基板４の一方の主面
４ａの各発光素子５の両側に形成された共通電極（カソ
ード電極）７とを備えている。
【００１４】発光素子５は、半導体基板４の一方の主面
４ａに半導体結晶膜を有機金属気相エピタキシー（ＭＯ
ＣＶＤ）や分子線エピタキシー（ＭＢＥ）等により成長
させ、その成長層を発光素子５となる部分を残してエッ
チングすることで形成でき、例えば図３に示すように、
ガリウム砒素（ＧａＡｓ）、ガリウム砒素リン（ＧａＡ
ｓＰ）、ガリウムリン（ＧａＰ）等の成長層であるバッ
ファ層５ａと、アルミニウムガリウム砒素（Ａｌx Ｇａ
1-x Ａｓ）の成長層であるｎ形半導体層５ｂ、ｐ形半導
体層５ｃおよびｐ+ 形半導体層５ｄとで構成され、さら
に窒化珪素（ＳｉＮx ）や酸化珪素（ＳｉＯ2 ）などの
保護膜８をプラズマＣＶＤ等により形成することで構成
できる。
４ａに半導体結晶膜を有機金属気相エピタキシー（ＭＯ
ＣＶＤ）や分子線エピタキシー（ＭＢＥ）等により成長
させ、その成長層を発光素子５となる部分を残してエッ
チングすることで形成でき、例えば図３に示すように、
ガリウム砒素（ＧａＡｓ）、ガリウム砒素リン（ＧａＡ
ｓＰ）、ガリウムリン（ＧａＰ）等の成長層であるバッ
ファ層５ａと、アルミニウムガリウム砒素（Ａｌx Ｇａ
1-x Ａｓ）の成長層であるｎ形半導体層５ｂ、ｐ形半導
体層５ｃおよびｐ+ 形半導体層５ｄとで構成され、さら
に窒化珪素（ＳｉＮx ）や酸化珪素（ＳｉＯ2 ）などの
保護膜８をプラズマＣＶＤ等により形成することで構成
できる。
【００１５】各個別電極９は、各発光素子５を覆う保護
膜８の一部をエッチングで除去することで露出するｐ+
形半導体層５ｄに接続され、図２に示すように、各発光
素子５の並列方向（図２における左右方向）に直角な方
向（図２において上下方向）に引き出され、一方の側方
側に引き出されるものと他の側方側に引き出されるもの
とが交互に並列し、その引き出し端の上に金バンプ（導
電性部材）１０が形成されている。
膜８の一部をエッチングで除去することで露出するｐ+
形半導体層５ｄに接続され、図２に示すように、各発光
素子５の並列方向（図２における左右方向）に直角な方
向（図２において上下方向）に引き出され、一方の側方
側に引き出されるものと他の側方側に引き出されるもの
とが交互に並列し、その引き出し端の上に金バンプ（導
電性部材）１０が形成されている。
【００１６】各共通電極７は、保護膜８の一部をエッチ
ングで除去することで露出する半導体基板４の一方の主
面４ａに接続され、発光素子５の配列に沿う帯状とさ
れ、その上に間隔をおいて複数の金バンプ（導電性部
材）１０が形成されている。
ングで除去することで露出する半導体基板４の一方の主
面４ａに接続され、発光素子５の配列に沿う帯状とさ
れ、その上に間隔をおいて複数の金バンプ（導電性部
材）１０が形成されている。
【００１７】各金バンプ１０は、例えば各電極６、７上
の直径数十μｍ程度のバンプ形成部分を除いてレジスト
によって被覆し、しかる後に電気メッキによって金を厚
さ３〜４μｍ程度に成膜することで形成できる。メッキ
液の組成としては、例えばシアン化金カリウムを４〜８
重量％、クエン酸カリウムを３０〜４０重量％、第一り
ん酸カリウムを３０〜４０重量％、クエン酸を２０〜３
０重量％、エチレンジアミン二酢酸ニッケルを２〜３重
量％それぞれ混合した液を用いることができる。その電
気メッキは、複数の発光素子５をシリコンウェハー上に
作り込んだ状態で、各電極６、７を全て互いに接続する
短絡配線を設け、その短絡配線を介し各電極６、７をメ
ッキ電極に接続することで行い、そのウェハを分断して
発光素子５を互いに分離する際に短絡配線を各電極６、
７相互間で切断するようにしてもよい。
の直径数十μｍ程度のバンプ形成部分を除いてレジスト
によって被覆し、しかる後に電気メッキによって金を厚
さ３〜４μｍ程度に成膜することで形成できる。メッキ
液の組成としては、例えばシアン化金カリウムを４〜８
重量％、クエン酸カリウムを３０〜４０重量％、第一り
ん酸カリウムを３０〜４０重量％、クエン酸を２０〜３
０重量％、エチレンジアミン二酢酸ニッケルを２〜３重
量％それぞれ混合した液を用いることができる。その電
気メッキは、複数の発光素子５をシリコンウェハー上に
作り込んだ状態で、各電極６、７を全て互いに接続する
短絡配線を設け、その短絡配線を介し各電極６、７をメ
ッキ電極に接続することで行い、そのウェハを分断して
発光素子５を互いに分離する際に短絡配線を各電極６、
７相互間で切断するようにしてもよい。
【００１８】また、図４に示すように、電極７をアルミ
ニウム薄膜により形成し、この電極７と金バンプ１０と
の間に、クロム（Ｃｒ）１１ａ、ニッケル（Ｎｉ）１１
ｂおよび金（Ａｕ）１１ｃを蒸着やスッパタリングによ
って順次成長させた三層金属膜１１を介在させてもよ
い。
ニウム薄膜により形成し、この電極７と金バンプ１０と
の間に、クロム（Ｃｒ）１１ａ、ニッケル（Ｎｉ）１１
ｂおよび金（Ａｕ）１１ｃを蒸着やスッパタリングによ
って順次成長させた三層金属膜１１を介在させてもよ
い。
【００１９】上記半導体発光装置１は、図１に示すよう
に、金バンプ１０と被着回路基板２の配線との間に異方
性導電膜３を介在させて半導体発光素子１と被着回路基
板２を接続する。
に、金バンプ１０と被着回路基板２の配線との間に異方
性導電膜３を介在させて半導体発光素子１と被着回路基
板２を接続する。
【００２０】異方性導電膜３は、樹脂のフィルム中に、
ニッケルやカーボン等で金属コーティングした微細粒子
が分散しているもので、フィルムの片面にはテープが付
いている。このテープを剥がし半導体発光素子１の金バ
ンプ１０が形成された電極６、７と被着回路基板２の配
線１２、１３がちょうど繋がるように位置合わせし、被
着回路基板２の配線６、７上に異方性導電膜３を置いて
圧着する。
ニッケルやカーボン等で金属コーティングした微細粒子
が分散しているもので、フィルムの片面にはテープが付
いている。このテープを剥がし半導体発光素子１の金バ
ンプ１０が形成された電極６、７と被着回路基板２の配
線１２、１３がちょうど繋がるように位置合わせし、被
着回路基板２の配線６、７上に異方性導電膜３を置いて
圧着する。
【００２１】圧着は、まず約６０℃〜７０℃の熱を加え
て仮圧着し、つぎに１７０℃の熱を加えて本圧着すると
いう二段方式にする。この際、半導体発光素子１の金バ
ンプ１０と被着回路基板２の配線１２、１３が丁度繋が
る場所にある金属コーティングしたプラスチックのボー
ルが潰れ、異方性導電膜３は接着材の役割をすると同時
に、半導体発光素子１の金バンプ１０と被着回路基板２
の配線１２、１３間に電気を通す役割をもつ。
て仮圧着し、つぎに１７０℃の熱を加えて本圧着すると
いう二段方式にする。この際、半導体発光素子１の金バ
ンプ１０と被着回路基板２の配線１２、１３が丁度繋が
る場所にある金属コーティングしたプラスチックのボー
ルが潰れ、異方性導電膜３は接着材の役割をすると同時
に、半導体発光素子１の金バンプ１０と被着回路基板２
の配線１２、１３間に電気を通す役割をもつ。
【００２２】なお、金バンプ１０が設けられた領域以外
の領域では、異方性導電膜３中の金属コーティングした
プラスティックボールが潰れることはなく、絶縁性が保
たれる。
の領域では、異方性導電膜３中の金属コーティングした
プラスティックボールが潰れることはなく、絶縁性が保
たれる。
【００２３】マイクロバンプボンディング法では、金層
の厚みを１５〜２０μｍ程度にしなければならないが、
異方性導電膜３を用いる方法では、３〜４μｍ程度です
む。
の厚みを１５〜２０μｍ程度にしなければならないが、
異方性導電膜３を用いる方法では、３〜４μｍ程度です
む。
【００２４】発光素子１と被着回路基板２との間には隙
間ができるが、発光素子１の光を被着回路基板２に導い
て被着回路基板２の裏面側から効率よく放射するために
は、この隙間部分にシリコン樹脂等の透光性樹脂１４を
充填するとよい。このように発光素子１と被着回路基板
２の隙間にシリコン樹脂１４を充填すると、シリコン樹
脂１４がないときのような空気層中での光の乱反射が防
止でき、発光素子１の光を効率よく被着回路基板２に放
射させることができる。
間ができるが、発光素子１の光を被着回路基板２に導い
て被着回路基板２の裏面側から効率よく放射するために
は、この隙間部分にシリコン樹脂等の透光性樹脂１４を
充填するとよい。このように発光素子１と被着回路基板
２の隙間にシリコン樹脂１４を充填すると、シリコン樹
脂１４がないときのような空気層中での光の乱反射が防
止でき、発光素子１の光を効率よく被着回路基板２に放
射させることができる。
【００２５】この場合、発光素子５と被着回路基板５間
の隙間部分のみならず、半導体発光素子１を保護するた
めに、この半導体発光素子１の周辺部全体を透光性樹脂
で被覆してもよい。
の隙間部分のみならず、半導体発光素子１を保護するた
めに、この半導体発光素子１の周辺部全体を透光性樹脂
で被覆してもよい。
【００２６】
【発明の効果】以上のように、本発明に係る半導体発光
装置によれば、半導体発光素子と被着回路基板を異方性
導電膜を介して接続することから、発光素子が高密度に
なっても、多数の発光素子の電極と被着回路基板の配線
を一度に接続することができ、生産性を著しく向上させ
ることができるとともに、接続の信頼性が向上する。
装置によれば、半導体発光素子と被着回路基板を異方性
導電膜を介して接続することから、発光素子が高密度に
なっても、多数の発光素子の電極と被着回路基板の配線
を一度に接続することができ、生産性を著しく向上させ
ることができるとともに、接続の信頼性が向上する。
【００２７】また、発光素子と被着回路基板の隙間部分
に透光性樹脂を充填することから、発光素子の光を効率
よく被着回路基板の裏面側から放射することができる。
に透光性樹脂を充填することから、発光素子の光を効率
よく被着回路基板の裏面側から放射することができる。
【図１】本発明に係る半導体発光装置の一実施例を示す
断面図である。
断面図である。
【図２】本発明に係る半導体発光装置に用いられる半導
体発光素子の平面図である。
体発光素子の平面図である。
【図３】本発明に係る半導体発光装置に用いられる半導
体発光素子の断面図である。
体発光素子の断面図である。
【図４】本発明に係る半導体発光装置における半導体発
光素子と被着回路基板の接続部を拡大して示す図であ
る。
光素子と被着回路基板の接続部を拡大して示す図であ
る。
【図５】従来の半導体発光素子を示す断面図である。
【図６】従来の半導体発光装置を示す断面図である。
【図７】従来の他の半導体発光装置を示す断面図であ
る。
る。
１・・・半導体発光素子、２・・・被着回路基板、３・
・・異方性導電膜
・・異方性導電膜
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板上に、異なる半導体不純物を
含有する少なくとも２層の半導体層から成る島状半導体
層を設け、この島状半導体層に電流を流すための一対の
電極を設けた半導体発光素子を被着回路基板上に搭載し
た半導体発光装置において、前記電極を前記半導体基板
における前記半導体層と同じ側に設けると共に、この電
極上に金バンプを突出して設け、この電極と前記被着基
板との間に異方性導電膜を介在させて前記半導体発光素
子を前記被着基板上に搭載し、前記島状半導体層と前記
被着基板との間に透光性樹脂を介在させたことを特徴と
する半導体発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13056495A JPH08330633A (ja) | 1995-05-29 | 1995-05-29 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13056495A JPH08330633A (ja) | 1995-05-29 | 1995-05-29 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08330633A true JPH08330633A (ja) | 1996-12-13 |
Family
ID=15037277
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13056495A Pending JPH08330633A (ja) | 1995-05-29 | 1995-05-29 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08330633A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7176623B2 (en) | 2001-04-09 | 2007-02-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light emitting device |
| JP2012178400A (ja) * | 2011-02-25 | 2012-09-13 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ｌｅｄランプ |
| JP2015065255A (ja) * | 2013-09-25 | 2015-04-09 | 沖電気工業株式会社 | 光電融合モジュール |
| JP2015076613A (ja) * | 2013-10-07 | 2015-04-20 | 廣▲ジャー▼光電股▲ふん▼有限公司 | 発光ダイオードモジュール及びその製造方法 |
| JP2019096854A (ja) * | 2017-11-24 | 2019-06-20 | ルーメンス カンパニー リミテッド | 高効率マイクロｌｅｄモジュールの製造方法 |
-
1995
- 1995-05-29 JP JP13056495A patent/JPH08330633A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7176623B2 (en) | 2001-04-09 | 2007-02-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light emitting device |
| US7569989B2 (en) | 2001-04-09 | 2009-08-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light emitting device |
| JP2012178400A (ja) * | 2011-02-25 | 2012-09-13 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ｌｅｄランプ |
| JP2015065255A (ja) * | 2013-09-25 | 2015-04-09 | 沖電気工業株式会社 | 光電融合モジュール |
| JP2015076613A (ja) * | 2013-10-07 | 2015-04-20 | 廣▲ジャー▼光電股▲ふん▼有限公司 | 発光ダイオードモジュール及びその製造方法 |
| JP2019096854A (ja) * | 2017-11-24 | 2019-06-20 | ルーメンス カンパニー リミテッド | 高効率マイクロｌｅｄモジュールの製造方法 |
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