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JPH08262487A - Liquid crystal display device and its production - Google Patents

Liquid crystal display device and its production

Info

Publication number
JPH08262487A
JPH08262487A JP6115695A JP6115695A JPH08262487A JP H08262487 A JPH08262487 A JP H08262487A JP 6115695 A JP6115695 A JP 6115695A JP 6115695 A JP6115695 A JP 6115695A JP H08262487 A JPH08262487 A JP H08262487A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
liquid crystal
electrode
crystal display
drive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP6115695A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hiromichi Watanabe
広道 渡▲辺▼
Toshiaki Suketa
俊明 助田
Tsutomu Ishida
勉 石田
Takayuki Katao
隆之 片尾
Hiroyuki Kawai
宏之 河井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP6115695A priority Critical patent/JPH08262487A/en
Publication of JPH08262487A publication Critical patent/JPH08262487A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

PURPOSE: To make it possible to embody COG package having low-resistance wirings by executing packaging of a driving IC not on the AM substrate side disposed with active elements but on another CM substrate side. CONSTITUTION: The driving IC chip 121 is packaged not on the AM substrate 101 disposed with the TFTs but on the CM substrate 102 facing this substrate. In such a case, the control signals and display signals from outside are inputted via input wirings (or input electrodes) 31 to the driving IC 121 and the output signals from the driving IC 121 are transmitted from the output wirings (or output electrodes) 32 via an ACF (anisotropic conductive film) 33 to a leading electrodes 107 on the opposite AM substrate 101. The leading electrodes 107 are directly connected to the gates or sources of the TFTs on the AM substrate 101 and, therefore, the control signals and display signals are transmitted to the TFTs and liquid crystals are eventually controlled. As a result, the low- resistance input wirings necessary for the driving IC are freely embodied.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、基板上に駆動ICの実
装を行ったアクティブマトリクス型液晶表示装置の構造
および製造方法の改良に係り、特に、液晶を制御する能
動素子を駆動するための駆動ICチップを、直接に基板
表面に実装するCOG(Chip On Glass )方式を適用し
た液晶表示装置の構造および製造方法の改良に関するも
のである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to improvements in the structure and manufacturing method of an active matrix type liquid crystal display device in which a driving IC is mounted on a substrate, and more particularly to driving an active element for controlling liquid crystal. The present invention relates to improvements in the structure and manufacturing method of a liquid crystal display device to which a COG (Chip On Glass) system in which a drive IC chip is directly mounted on a substrate surface is applied.

【0002】なお、アクティブマトリクス型液晶表示装
置とは、TFT(薄膜トランジスタ)、ダイオード、M
IM(メタル・インシュレータ・メタル)等の能動素子
を、液晶の状態を制御するための素子として内部に組み
込んだ構成を有する液晶表示装置を示すものである。
An active matrix type liquid crystal display device is a TFT (thin film transistor), a diode, an M
1 shows a liquid crystal display device having a structure in which an active element such as IM (metal insulator metal) is incorporated as an element for controlling the state of liquid crystal.

【0003】[0003]

【従来の技術】本発明の対象とするものは、アクティブ
マトリクス型液晶表示装置を構成する表示パネルの基板
上に、能動素子を制御するための駆動ICを実装する構
成である。この駆動ICとしては、パッケージに組み込
まれたIC(以後、パッケージICと称する)と、ベア
チップとしてのIC(以後、駆動ICチップと称する)
の両方を含むものであるが、基板上に実装する駆動IC
としては、後者の場合が多い。
2. Description of the Related Art The object of the present invention is a structure in which a drive IC for controlling active elements is mounted on a substrate of a display panel which constitutes an active matrix type liquid crystal display device. As the drive IC, an IC incorporated in a package (hereinafter referred to as a package IC) and an IC as a bare chip (hereinafter referred to as a drive IC chip)
Driver IC mounted on a substrate, including both
The latter is often the case.

【0004】そこで、従来技術として、TFTを用いた
アクティブマトリクス型液晶表示装置と、駆動ICチッ
プを実装するCOG実装技術について説明する。図9お
よび図10は、それぞれTFTを用いたカラー液晶表示
パネルの断面図および斜視図を示している。
Therefore, as a conventional technique, an active matrix type liquid crystal display device using a TFT and a COG mounting technique for mounting a driving IC chip will be described. 9 and 10 show a sectional view and a perspective view of a color liquid crystal display panel using TFTs, respectively.

【0005】図9の断面図において、一対の基板10
1,102が周辺の封止部103により封止され、その
内部に液晶104が封入されている。基板101の内部
表面には、画素毎に設けられたTFTおよび画素電極1
06と、TFTに制御電圧を印加するための引出し電極
107と、配向膜110が形成されている。一方、基板
102の内部表面には、赤(R)緑(G)青(B)のカ
ラーフィルタ108と、その全面を覆う透明なコモン電
極109および配向膜110が設けられている。そし
て、このカラーフィルタの各色の境界部には、表示のコ
ントラストや色の分離を良くするためのブラックマトリ
クスBMが配置され、このブラックマトリクスBMは通
常Crの薄膜で形成されている。このように構成された
二つの基板101,102の間のギャップは、スペーサ
105により保持されるという構成になっている。
In the sectional view of FIG. 9, a pair of substrates 10 is provided.
1, 102 are sealed by a peripheral sealing portion 103, and a liquid crystal 104 is sealed inside the sealing portion 103. On the inner surface of the substrate 101, the TFT provided for each pixel and the pixel electrode 1
06, an extraction electrode 107 for applying a control voltage to the TFT, and an alignment film 110 are formed. On the other hand, on the inner surface of the substrate 102, a red (R) green (G) blue (B) color filter 108, and a transparent common electrode 109 and an alignment film 110 that cover the entire surface thereof are provided. A black matrix BM for improving display contrast and color separation is arranged at the boundary of each color of the color filter, and the black matrix BM is usually formed of a thin film of Cr. The gap between the two substrates 101 and 102 thus configured is held by the spacer 105.

【0006】図10は、R,G,Bに対応する三つのセ
ル(液晶を制御する最小の単位をセルと称する)で一画
素(または、ピクセル)を構成し、三画素分に相当する
TFT−LCDパネルの斜視図を示すものである。各セ
ルに対応して、一方の基板102の側にR,G,Bのカ
ラーフィルタ108が形成され、他方の基板101の側
に透明な画素電極112と、その画素電極への印加電圧
を制御するTFT111とが形成されている。なお、カ
ラーフィルタ108の各色の境界部には、図9で説明し
たようにブラックマトリクスが形成されるが、ここでは
その図示を省略している(これは、次の図11で明示す
る)。そして各TFTのゲートとソースは、それぞれゲ
ートバス電極114とソースバス電極113に接続さ
れ、それらのバス電極はパネル周辺部で引出し電極(図
9の107)に接続されている。
In FIG. 10, three cells corresponding to R, G, and B (the smallest unit for controlling the liquid crystal is called a cell) constitute one pixel (or pixel), and a TFT corresponding to three pixels is formed. -Shows a perspective view of the LCD panel. The R, G, and B color filters 108 are formed on one substrate 102 side corresponding to each cell, and the transparent pixel electrode 112 on the other substrate 101 side and the voltage applied to the pixel electrode are controlled. TFT 111 that operates is formed. Although a black matrix is formed at the boundary of each color of the color filter 108 as described with reference to FIG. 9, the illustration thereof is omitted here (this is clearly shown in FIG. 11 below). The gate and source of each TFT are connected to the gate bus electrode 114 and the source bus electrode 113, respectively, and these bus electrodes are connected to the extraction electrode (107 in FIG. 9) in the peripheral portion of the panel.

【0007】このようにして構成されたTFT−LCD
パネルの二つの基板の外部表面に偏光板(図示せず)
と、そのパネルの背面側に白色光源(図示せず)が配設
され、さらに引出し電極に駆動回路(図示せず)が接続
されて、TFT−LCDモジュールが構成されることに
なる。
TFT-LCD constructed in this way
Polarizing plates (not shown) on the outer surfaces of the two substrates of the panel
Then, a white light source (not shown) is arranged on the back side of the panel, and a driving circuit (not shown) is further connected to the extraction electrode to form a TFT-LCD module.

【0008】次に、図11を参照して、二つの基板に構
成された要素素子の形状と、位置関係を説明する。TF
Tが形成される基板(以下、AM基板と称する)上に
は、同図(b)に示すように、ソースS、ゲートG、ド
レインDを備えたTFT111と、ドレインDに接続さ
れた透明な画素電極112が配設されている。そして、
ソースSとゲートGは、それぞれソースバス電極113
とゲートバス電極114に接続されて制御される構成に
なっている。
Next, the shape and positional relationship of the element elements formed on the two substrates will be described with reference to FIG. TF
On a substrate on which T is formed (hereinafter referred to as AM substrate), as shown in FIG. 1B, a TFT 111 having a source S, a gate G, and a drain D, and a transparent TFT connected to the drain D. The pixel electrode 112 is provided. And
The source S and the gate G are respectively connected to the source bus electrode 113.
Is connected to the gate bus electrode 114 and controlled.

【0009】一方、カラーフィルタやコモン電極が形成
される基板(以下、CM基板と称する)上には、R,
G,Bのカラーフィルタ108と、各色の境界部にブラ
ックマトリクスBMが、図11(a)に示すように形成
さている。このブラックマトリクスBMは、表示のコン
トラストを上げたり、色分離を良くしたりするために必
須の構成要素となっている。そして、AM基板の画素電
極112とCM基板のカラーフィルタ108の形状は、
通常は同じものとなっている。
On the other hand, on the substrate (hereinafter referred to as CM substrate) on which the color filter and the common electrode are formed, R,
A black matrix BM is formed at the boundary between the G and B color filters 108 and the respective colors, as shown in FIG. The black matrix BM is an indispensable constituent element for increasing the display contrast and improving color separation. The shapes of the pixel electrode 112 on the AM substrate and the color filter 108 on the CM substrate are
Usually the same.

【0010】なお、図11(a),(b)の平面図は、
いずれも同一方向から(CM基板の上方から)見た平面
図を示している。次に、このTFT液晶表示パネルの基
板上に、TFTの動作を制御する駆動ICを実装する実
装構造について説明する。
The plan views of FIGS. 11A and 11B are
Both show plan views viewed from the same direction (from above the CM substrate). Next, a mounting structure in which a driving IC for controlling the operation of the TFT is mounted on the substrate of the TFT liquid crystal display panel will be described.

【0011】駆動ICの実装は、フレキシブルプリント
板に駆動ICチップを接続したTAB(Tape Automated
Bonding)テープをパネル端子部にACF(異方性導電フ
ィルム)を用いて接続するTAB実装と、駆動ICチッ
プをパネル上に直接接続するCOG実装がある。本発明
はCOG実装に関するものであるから、ここではCOG
実装に関する従来技術の説明を行う。
The driver IC is mounted by a TAB (Tape Automated) in which a driver IC chip is connected to a flexible printed board.
There are TAB mounting in which a Bonding tape is connected to a panel terminal portion using an ACF (anisotropic conductive film) and COG mounting in which a driving IC chip is directly connected to a panel. Since the present invention relates to COG mounting, here, COG
A conventional technique regarding mounting will be described.

【0012】図12(b)に示した液晶表示パネルの平
面図において、駆動ICチップ121はAM基板上に実
装され、駆動ICの出力は液晶表示パネルの引出し電極
107に接続され、駆動ICへの入力電極122は液晶
表示パネルの周辺部に個別に引出されている。これらの
入力電極122は、図12(a)の断面図(同図(b)
のAB部に対応する断面図)に記号126で追加して図
示したように、通常は、フレキシブルプリント板127
の電極128に接続されて、共通接続等の配線処理が施
されている。図12(a)において、記号123は、駆
動ICチップ121に形成されたバンプであり、記号1
24は、駆動ICチップ121をAM基板101に実装
し固定するための接続樹脂を示している。
In the plan view of the liquid crystal display panel shown in FIG. 12B, the drive IC chip 121 is mounted on the AM substrate, and the output of the drive IC is connected to the extraction electrode 107 of the liquid crystal display panel to the drive IC. The input electrodes 122 of are individually led to the peripheral portion of the liquid crystal display panel. These input electrodes 122 are cross-sectional views of FIG.
The flexible printed board 127 is normally used as shown in FIG.
Wiring processing such as common connection is performed. In FIG. 12A, reference numeral 123 is a bump formed on the drive IC chip 121, and reference numeral 1
Reference numeral 24 denotes a connection resin for mounting and fixing the drive IC chip 121 on the AM substrate 101.

【0013】このように、従来のCOG実装技術におい
ては、駆動ICチップ121はAM基板101の上に実
装され、その入力配線は液晶表示パネルのAM基板10
1に外部から接続されるフレキシブルプリント板127
で共通接続等の処理がなされている。
As described above, in the conventional COG mounting technique, the drive IC chip 121 is mounted on the AM substrate 101, and its input wiring is the AM substrate 10 of the liquid crystal display panel.
Flexible printed board 127 externally connected to 1
The processing such as common connection is performed in.

【0014】[0014]

【発明が解決しようとする課題】COG実装は基板上に
直接駆動ICチップを実装するため、この駆動IC用の
入出力配線を、その基板上で行うことが望まれている。
しかし、このようなCOG実装を、アクティブマトリク
ス型の液晶表示パネルに対して適用する場合には、次の
二つの問題が生ずる。
In COG mounting, a drive IC chip is directly mounted on a substrate, and therefore it is desired to provide input / output wiring for this drive IC on the substrate.
However, when such COG mounting is applied to an active matrix type liquid crystal display panel, the following two problems occur.

【0015】(1)まず、TAB実装等の液晶表示パネ
ルに比べてかなり複雑な配線を、能動素子が配設された
AM基板上で行わなければならないという問題がある。
この配線は、駆動ICに電源電圧を供給するための電源
配線と、各種の入力信号を供給するための信号伝達配線
である。(これらの配線を、以後「駆動IC用の入力配
線」と称する)TAB実装の場合は、この「駆動IC用
の入力配線」は、駆動ICが直接実装されたTAB基板
の上で行われているため、問題にはならないものであっ
たが、COG実装の場合にはAM基板上で行う必要があ
る所に問題がある。
(1) First, there is a problem that wiring that is considerably more complicated than that of a liquid crystal display panel such as TAB mounting must be performed on an AM substrate on which active elements are arranged.
This wiring is a power supply wiring for supplying a power supply voltage to the drive IC and a signal transmission wiring for supplying various input signals. In the case of TAB mounting (hereinafter, these wirings are referred to as “input wiring for driving IC”), this “input wiring for driving IC” is performed on the TAB substrate on which the driving IC is directly mounted. Therefore, it is not a problem, but in the case of COG mounting, there is a problem in that it needs to be performed on the AM substrate.

【0016】一方、従来のCOG実装においては、図1
2(a)の記号126で示したように、この「駆動IC
用の入力配線」を形成したフレキシブルプリント板を、
外部からAM基板上に接続して処理しているものもある
が、これはTABと大差ない実装構造となり、COG実
装としての特徴を損なうものと言える。
On the other hand, in the conventional COG mounting, as shown in FIG.
As shown by the symbol 126 in 2 (a), this "driving IC
Flexible printed circuit board with "input wiring for
Some of them are connected to the AM board from the outside for processing, but this has a mounting structure that is not much different from that of TAB, and can be said to impair the characteristics of COG mounting.

【0017】従って、AM基板上でこの「駆動IC用の
入力配線」を行う場合は、複雑な構造を持つTFT等と
同一の基板上に、さらに配線群を追加することになり、
AM基板全体の製作歩留りを下げるという問題を生ず
る。
Therefore, when the "input wiring for the driving IC" is formed on the AM substrate, a wiring group is added on the same substrate as the TFT having a complicated structure.
This causes a problem of reducing the manufacturing yield of the entire AM substrate.

【0018】(2)次に、この「駆動IC用の入力配
線」は、電気的に低抵抗なものが要求される。そして、
この配線の低抵抗化のためには、めっき等の特有のプロ
セスが必要になるという問題がある。
(2) Next, the "input wiring for the driving IC" is required to have an electrically low resistance. And
There is a problem that a specific process such as plating is required to reduce the resistance of the wiring.

【0019】このようなプスセスは、TFT等のアクテ
ィブマトリクス素子を形成するプロセスとは全く異なる
ものである。従って、AM基板上の素子・配線の完成の
ためには、能動素子製作プロセス工程に加えてめっき等
のプロセス工程数を増やすことになり、複雑である能動
素子形成基板のプロセス工程がさらに複雑になる。その
結果、AM基板全体の製作歩留りを低下させるという問
題を生ずる。
Such a process is completely different from the process of forming an active matrix element such as a TFT. Therefore, in order to complete the elements / wirings on the AM substrate, the number of process steps such as plating is increased in addition to the active element manufacturing process steps, which further complicates the complicated active element forming substrate process steps. Become. As a result, there arises a problem that the manufacturing yield of the entire AM substrate is reduced.

【0020】本発明は、上記の問題に鑑み、TFT等の
能動素子を形成する基板上に、複雑な配線を追加するこ
となく、しかも、能動素子形成プロセスと異なるプロセ
スを追加することのないアクティブマトリクス型液晶表
示パネルの提供を目的とするものである。
In view of the above problems, the present invention does not add a complicated wiring on a substrate on which an active element such as a TFT is formed, and does not add a process different from the active element forming process. It is intended to provide a matrix type liquid crystal display panel.

【0021】[0021]

【課題を解決するための手段】本発明では、上記の問題
を解決するために、周辺部が封止された二つの基板の間
に液晶が封入され、該液晶を制御するための能動素子
が、一方の基板に配設され、該能動素子を制御するため
の駆動ICが、他方の基板のみに実装されてなることを
特徴とする液晶表示装置を提供するものである。
According to the present invention, in order to solve the above problems, a liquid crystal is sealed between two substrates whose peripheral portions are sealed, and an active element for controlling the liquid crystal is provided. The present invention provides a liquid crystal display device characterized in that a drive IC for controlling the active element is provided on one substrate and is mounted only on the other substrate.

【0022】なお、ここで言う「能動素子」とは、アク
ティブマトリクス型液晶表示パネルに用いられるTF
T、ダイオード、MIM等の素子を示すものである。ま
た、ここで言う「駆動IC」とは、パッケージICと駆
動ICチップの両方を含むものである。
The "active element" referred to here is a TF used in an active matrix type liquid crystal display panel.
The elements such as T, diode, and MIM are shown. Further, the “driving IC” mentioned here includes both the package IC and the driving IC chip.

【0023】[0023]

【作用】本発明によれば、駆動ICの実装を、能動素子
の配設された基板側(AM基板側)ではなく、他方の基
板側(CM基板側)に行うようにしているため、駆動I
C用の入力配線をCM基板側に配設することができる。
従って、構造の複雑なAM基板側に配線するという従来
の問題を解決することができる。
According to the present invention, the driving IC is mounted not on the substrate side (AM substrate side) on which the active elements are arranged, but on the other substrate side (CM substrate side). I
The input wiring for C can be arranged on the CM board side.
Therefore, it is possible to solve the conventional problem of wiring on the AM substrate side having a complicated structure.

【0024】また、駆動IC用の入力配線を、AM基板
に比べてプロセスが単純なCM基板側に形成しているた
め、めっき等を用いて厚膜化し、容易に低抵抗化するこ
とができる。従って、TFT形成等の複雑なプロセスを
用いるAM基板側で、それと異なるめっき等のプロセス
をさらに追加するという前記の問題を生ずることはな
い。
Further, since the input wiring for the drive IC is formed on the side of the CM substrate which has a simpler process than that of the AM substrate, the film thickness can be increased by using plating or the like to easily reduce the resistance. . Therefore, the above-mentioned problem of further adding another process such as plating on the AM substrate side which uses a complicated process such as TFT formation does not occur.

【0025】[0025]

【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。 〔第1実施例〕図1を参照して、請求項1の発明に対応
する実施例を説明する。同図は、本発明のCOG実装を
適用した液晶表示装置の断面図を示すものであり、駆動
ICチップ121は、TFTの配設されたAM基板10
1ではなく、それに対向するCM基板102に実装され
ている。
Embodiments of the present invention will be described below. [First Embodiment] An embodiment corresponding to the first aspect of the present invention will be described with reference to FIG. The figure shows a cross-sectional view of a liquid crystal display device to which the COG mounting of the present invention is applied. The driving IC chip 121 is an AM substrate 10 on which TFTs are arranged.
It is mounted on the CM board 102 opposed to the No. 1 board.

【0026】この駆動ICチップ121は、フェイスダ
ウンで実装されているが、フェイスアップにして実装す
るものでもよい。まず、TFTを駆動する信号の流れに
ついては、外部からの制御信号や表示信号が、入力配線
(または入力電極)31を介して駆動IC121に入力
され、駆動ICからの出力信号は出力配線(または出力
電極)32から、ACF(異方性導電フィルム)33を
介して対向するAM基板101上の引出し電極107に
伝達される。この引出し電極107は、AM基板101
上のTFTのゲートまたはソースに直接接続されている
ため、前記の制御信号や表示信号がTFTに伝達され
て、液晶が制御されることになる。この動作の内容その
ものは、図12に示した従来のCOG実装のものと同じ
ものである。
The drive IC chip 121 is mounted face down, but may be mounted face up. First, regarding a signal flow for driving the TFT, a control signal or a display signal from the outside is input to the drive IC 121 via the input wiring (or input electrode) 31, and an output signal from the drive IC is output wiring (or It is transmitted from the output electrode) 32 through the ACF (anisotropic conductive film) 33 to the extraction electrode 107 on the AM substrate 101 which faces the output electrode. The extraction electrode 107 is provided on the AM substrate 101.
Since it is directly connected to the gate or source of the upper TFT, the control signal and the display signal are transmitted to the TFT to control the liquid crystal. The content itself of this operation is the same as that of the conventional COG mounting shown in FIG.

【0027】一方、第1実施例の図1と従来の図12
(a)とを比べて明らかなように、駆動ICの実装に関
する構成は、大きく異なっている。即ち、従来AM基板
側に実装されていた駆動ICは、本発明ではAM基板に
対向するCM基板側に実装されている。この第1実施例
は、従来例に比べて、液晶表示装置の性能、製作プロセ
ス、歩留り等を、次のように改善することができる。
On the other hand, FIG. 1 of the first embodiment and FIG. 12 of the prior art.
As is clear from comparison with (a), the configuration relating to the mounting of the drive IC is significantly different. That is, the drive IC conventionally mounted on the AM board side is mounted on the CM board side facing the AM board in the present invention. The first embodiment can improve the performance, manufacturing process, yield, etc. of the liquid crystal display device as follows, as compared with the conventional example.

【0028】図12のような従来の構成では、TFTプ
ロセスの負担を少なくするため、駆動IC用の入出力配
線を、TFT部分と同一の層構成にすることになる。そ
のため、配線の低抵抗化や配線の引回しに制約ができて
しまう。特に、入力配線は低抵抗化が必要であるが、こ
の実現は困難である。従って、同図の記号126で示し
たように、フレキシブルプリント板を用いて入力配線を
行うことになるが、これはCOG実装の特徴を損なうも
のであり好ましくない。
In the conventional structure as shown in FIG. 12, in order to reduce the load on the TFT process, the input / output wiring for the driving IC has the same layer structure as the TFT portion. Therefore, the resistance of the wiring can be reduced and the wiring can be restricted. In particular, it is necessary to reduce the resistance of the input wiring, but this is difficult to achieve. Therefore, as indicated by reference numeral 126 in the figure, the flexible printed board is used for the input wiring, but this is not preferable because it impairs the characteristics of COG mounting.

【0029】そこで、図1に示した本発明の構成を用い
れば、AM基板は単に引出し電極107を並列に並べた
構成でよく、TFTプロセスは従来のものと変わりな
く、しかも配線抵抗に対する問題も生じない。一方、C
M基板側の配線はTFTプロセスと無関係に形成できる
ため、駆動ICに必要な低抵抗な入力配線を自由に実現
することができる。
Therefore, if the structure of the present invention shown in FIG. 1 is used, the AM substrate may simply have a structure in which the extraction electrodes 107 are arranged in parallel, the TFT process is the same as the conventional one, and there is a problem with the wiring resistance. Does not happen. On the other hand, C
Since the wiring on the M substrate side can be formed independently of the TFT process, the low resistance input wiring required for the driving IC can be freely realized.

【0030】AM基板上の引出し電極107をCM基板
上の配線に接続するには、図1に示したようにACF
(異方性導電フィルム)33で熱圧着する。このACF
33により、両基板上の接続端子間がそれぞれ個別に接
続されることになる。このACF33は、図1において
は封止部103の外側に配設されているが、封止部10
3の内側に配設される構成にすることもできる。
To connect the extraction electrode 107 on the AM substrate to the wiring on the CM substrate, as shown in FIG.
Thermocompression bonding is performed using (anisotropic conductive film) 33. This ACF
By 33, the connection terminals on both substrates are individually connected. The ACF 33 is arranged outside the sealing portion 103 in FIG.
It is also possible to adopt a configuration in which it is arranged inside the unit 3.

【0031】このように、図1に示した第1実施例によ
れば、TFTプロセスに無関係に駆動ICの入出力配線
を形成できるため、動作に必要な低抵抗配線を容易に実
現でき、しかも、液晶表示装置の製作歩留りを低下させ
る心配がない。
As described above, according to the first embodiment shown in FIG. 1, since the input / output wiring of the driving IC can be formed irrespective of the TFT process, it is possible to easily realize the low resistance wiring necessary for the operation. Therefore, there is no fear of lowering the manufacturing yield of liquid crystal display devices.

【0032】〔第2実施例〕図2を参照して、駆動IC
用の入力配線を共通に接続し、配線構造を簡単化する実
施例を説明する。これは、請求項2の発明に対応するも
のである。
[Second Embodiment] Referring to FIG. 2, a drive IC
A description will be given of an embodiment in which the input wirings for wiring are commonly connected to simplify the wiring structure. This corresponds to the invention of claim 2.

【0033】図2は、駆動ICを実装するCM基板の、
実装部分周辺の平面図を示したものである。破線で示し
た記号121aは、駆動ICが実装される部分を示し、
具体的には記号37a,37bの接続端子の部分に駆動
ICのバンプが接続される。
FIG. 2 shows a CM board on which a drive IC is mounted.
It is a top view of the mounting portion periphery. A symbol 121a shown by a broken line indicates a portion where the drive IC is mounted,
Specifically, the bumps of the drive IC are connected to the connection terminal portions 37a and 37b.

【0034】ここで、記号31で示した駆動IC用の入
力配線(または入力電極)への入力信号は、通常、基板
上に実装されている複数の駆動ICに共通に供給される
ようになっている。従って、図2の記号340で示した
ような共通接続部を設け、記号34で示した共通接続配
線を用いることにより、入力端子数を大幅に削減するこ
とができる。図2の例では、この共通接続配線34を、
基板上に実装したコネクタ36に結合して、装置を簡便
化するように構成している。
Here, the input signal to the input wiring (or input electrode) for the drive IC shown by the symbol 31 is normally supplied commonly to a plurality of drive ICs mounted on the substrate. ing. Therefore, the number of input terminals can be significantly reduced by providing the common connection portion indicated by the symbol 340 in FIG. 2 and using the common connection wiring indicated by the symbol 34. In the example of FIG. 2, the common connection wiring 34 is
It is configured to be connected to the connector 36 mounted on the board to simplify the device.

【0035】なお、このような配線を自由に実現できる
のは、AM基板ではなく、CM基板上で配線できること
によるものである。AM基板側では、TFTのような能
動素子があるため、このような自由度がない。
The reason why such wiring can be realized freely is that wiring can be performed not on the AM substrate but on the CM substrate. Since there is an active element such as a TFT on the AM substrate side, there is no such degree of freedom.

【0036】ここで、性能上必須の条件として、特に共
通接続配線34は、低抵抗配線でなければならないとい
うことがある。この点については、次の第3実施例で説
明する。
Here, one of the essential conditions for performance is that the common connection wiring 34 must be a low resistance wiring. This point will be described in the next third embodiment.

【0037】なお、第2実施例とは直接関係しないが、
図2において記号32dで示した電極部、即ち記号Tに
対応する出力配線の部分は、対向するAM基板上の対応
する電極と接続するための接続端子を示すものである。
これは、第1実施例、第6実施例および第7実施例に関
係するため、説明を付け加えた。
Although not directly related to the second embodiment,
In FIG. 2, the electrode portion indicated by the symbol 32d, that is, the portion of the output wiring corresponding to the symbol T indicates a connection terminal for connecting to the corresponding electrode on the opposing AM substrate.
This is related to the first embodiment, the sixth embodiment, and the seventh embodiment, and therefore the description is added.

【0038】〔第3実施例〕図4を参照して、請求項3
に対応する実施例を説明する。これは、駆動IC用の入
出力配線およびその共通接続配線を多層膜とし、配線抵
抗の低減を可能にするものである。
[Third Embodiment] With reference to FIG.
An example corresponding to will be described. This makes it possible to reduce the wiring resistance by forming the input / output wiring for the driving IC and its common connection wiring as a multilayer film.

【0039】特に低抵抗化の必要な配線は共通接続配線
であるが、駆動IC用の入出力配線も同一基板上に同じ
工程で形成できるため、ここでは、入出力配線部分も全
く同様に低抵抗配線とする形で図示し、この図を用いて
説明を行う。
Particularly, the wiring that needs to have a low resistance is a common connection wiring, but since the input / output wiring for the drive IC can be formed on the same substrate in the same step, the input / output wiring portion is also completely low. It is shown in the form of resistance wiring, and description will be given using this figure.

【0040】CM基板上には、スパッタ等で形成された
Crの薄膜31a,32aが、入出力配線の形状でパタ
ーンニングされ、その上にAu(または、Cu)の厚膜
31b,32bがめっきされ、次いでCr膜51aがめ
っきされる。ここで、Au(または、Cu)の厚膜31
b,32bを用いることにより、配線抵抗の大幅な低減
が可能となっている。そしてこの厚膜の形成は、すでに
述べたように、AM基板ではなくCM基板上の配線であ
るために、可能となったものである。
On the CM substrate, Cr thin films 31a and 32a formed by sputtering or the like are patterned in the shape of input / output wiring, and Au (or Cu) thick films 31b and 32b are plated thereon. Then, the Cr film 51a is plated. Here, the thick film 31 of Au (or Cu)
By using b and 32b, the wiring resistance can be significantly reduced. The thick film can be formed because the wiring is on the CM substrate, not the AM substrate, as described above.

【0041】ここで、入出力配線の接続端子の部分は、
Au(または、Cu)の厚膜31b,32bを露出する
ために、上のCr膜を除去した構成としている。また記
号51bの膜は、窒化シリコン等で形成された保護膜で
ある。
Here, the connection terminal portion of the input / output wiring is
In order to expose the thick films 31b and 32b of Au (or Cu), the upper Cr film is removed. The film denoted by reference numeral 51b is a protective film made of silicon nitride or the like.

【0042】〔第3実施例の変形例〕図5は、駆動IC
用の入出力配線において、駆動ICのバンプと接続され
る端子部の改良に関するもので、第3実施例の変形例で
ある。
[Modification of Third Embodiment] FIG. 5 shows a driving IC.
This is a modification of the third embodiment regarding the improvement of the terminal portion connected to the bump of the drive IC in the input / output wiring for use.

【0043】図4の第3実施例においては、駆動ICの
バンプと接続される端子部は、Au(または、Cu)の
厚膜で不透明なものとなっているが、図5の変形例にお
いては、ITO(Indium Tin Oxide)膜等の透明電極52
で形成されている。このように、COG実装における接
続端子部を透明なものとすることにより、COG実装に
おける接続状態の確認や位置合わせが行い易くなり、実
装精度の向上と工程の簡便化を図ることができる。
In the third embodiment of FIG. 4, the terminal portion connected to the bump of the driving IC is made of Au (or Cu) thick film and is opaque, but in the modification of FIG. Is a transparent electrode 52 such as an ITO (Indium Tin Oxide) film.
It is formed with. As described above, by making the connection terminal portion in the COG mounting transparent, it is easy to confirm the connection state and align the COG mounting, and it is possible to improve the mounting accuracy and simplify the process.

【0044】〔第4実施例〕図6を参照して、請求項4
に対応する実施例を説明する。駆動ICが実装されるC
M基板上には、通常、カラーフィルタも形成されている
ため、多層膜で構成される駆動IC用の配線の少なくと
も一層を、カラーフィルタのブラックマトリクスと同一
の材料を用いて形成することにより、工程の簡略化を図
ることができる。
[Fourth Embodiment] With reference to FIG.
An example corresponding to will be described. C on which the drive IC is mounted
Since a color filter is also usually formed on the M substrate, by forming at least one layer of the wiring for the driving IC composed of a multilayer film by using the same material as the black matrix of the color filter, The process can be simplified.

【0045】なお、投写型の液晶表示装置においては、
ブラックマトリクスは形成されているが、カラーフィル
タは備えていない場合がある。この場合においても、多
層膜で構成される配線の少なくとも一層を、ブラックマ
トリクスと同一の材料を用いて形成することは、上記と
同様である。
In the projection type liquid crystal display device,
The black matrix is formed, but the color filter may not be provided. Also in this case, at least one layer of the wiring formed of the multilayer film is formed using the same material as the black matrix, as in the above case.

【0046】図6は、カラーフィルタが形成され、駆動
IC用の配線が形成され、そして駆動ICが実装された
CM基板の断面図を示すものである。(この図は、図2
の平面図に対応する断面図である)図6に示したよう
に、駆動IC用の配線の最下層の膜31a,32a,3
4aは、カラーフィルタのブラックマトリクスBMと同
じ材料のCrで形成されている。
FIG. 6 is a cross-sectional view of a CM substrate on which color filters are formed, wirings for driving ICs are formed, and the driving ICs are mounted. (This figure is
6 is a cross-sectional view corresponding to the plan view of FIG. 6). As shown in FIG. 6, the lowermost films 31a, 32a, 3 of the wirings for the drive IC are shown.
4a is formed of Cr, which is the same material as the black matrix BM of the color filter.

【0047】ここで、この構成のCM基板を製作する工
程においては、まず、ブラックマトリクスと駆動IC用
の多層配線とを形成し、その形成が完了してから、記号
108、109で示したカラーフィルタ部分を形成する
という順序にすることが肝要である。これは、特に駆動
IC用の多層配線に用いるめっき工程が、カラーフィル
タ108用の樹脂やコモン電極109を変質させたり、
表面を劣化させたりする危険性があるためである。
Here, in the process of manufacturing the CM substrate having this structure, first, the black matrix and the multi-layer wiring for the driving IC are formed, and after the formation is completed, the colors shown by symbols 108 and 109 are formed. It is important to make the order of forming the filter portion. This is because the resin used for the color filter 108 and the common electrode 109 are deteriorated in the plating process particularly used for the multi-layer wiring for the drive IC,
This is because there is a risk of degrading the surface.

【0048】〔第5実施例〕図2、図3および図6を参
照して、請求項5に対応する実施例を説明する。本実施
例は、コモン電極の引出し電極構造の改良に関するもの
である。
[Fifth Embodiment] An embodiment corresponding to claim 5 will be described with reference to FIGS. 2, 3 and 6. This example relates to an improvement of the extraction electrode structure of the common electrode.

【0049】図6において、カラーフィルタの上に形成
されたコモン電極109は、その外周部で引出し電極3
5aに接続されている。そしてこの引出し電極35a
は、すでに述べたように多層膜構成をした低抵抗電極で
ある。
In FIG. 6, the common electrode 109 formed on the color filter has the extraction electrode 3 at the outer peripheral portion thereof.
5a. And this extraction electrode 35a
Is a low resistance electrode having a multilayer film structure as described above.

【0050】この引出し電極35aは、図2の平面図に
示すように、コモン電極(図示せず)の周辺部の四辺全
体にわたって形成され、そのコモン電極接に続されてい
る。この様子を、基板全体にわたって模式的に示したも
のが図3であるため、この図を用いて改善内容の説明を
行う。
As shown in the plan view of FIG. 2, the extraction electrode 35a is formed over the entire four sides of the peripheral portion of the common electrode (not shown) and is connected to the common electrode contact. FIG. 3 schematically shows this state over the entire substrate, and therefore the improvement content will be described with reference to this figure.

【0051】図3において、記号41は、駆動IC用入
出力配線の形成領域を示し、記号42は、カラーフィル
タの形成領域を示している。そして、記号35aが、前
述したコモン電極の引出し電極であり、四辺全体に形成
されている。この引出し電極35aは、多層化された低
抵抗電極であるため、コモン電極全体を均一に低抵抗化
することができる。
In FIG. 3, symbol 41 indicates a formation region of the drive IC input / output wiring, and symbol 42 indicates a formation region of the color filter. The symbol 35a is the extraction electrode of the common electrode described above, and is formed on all four sides. Since the extraction electrode 35a is a multi-layered low resistance electrode, it is possible to uniformly reduce the resistance of the entire common electrode.

【0052】一方、従来のコモン電極は、通常四隅の点
P1〜P4においてのみ、引出し電極に接続され、対向
するAM基板に結合されて、その四点にのみ電圧を印加
される構造となっていたため、コモン電極全体では抵抗
や電圧分布が不均一になる場合があり、改善が望まれて
いた。この原因は、コモン電極の面抵抗が大きいこと
と、四隅にしか電圧を印加できない構造になっていたこ
とにある。前者の原因は除くことはできないが、後者の
原因は次のように対策してこの問題を解決ることができ
る。
On the other hand, the conventional common electrode is usually connected to the extraction electrodes only at points P1 to P4 at the four corners, is coupled to the opposing AM substrate, and the voltage is applied only to the four points. Therefore, the resistance and voltage distribution may become non-uniform in the entire common electrode, and improvement has been desired. This is due to the large surface resistance of the common electrode and the structure in which the voltage can be applied only to the four corners. The former cause cannot be excluded, but the latter cause can be solved by the following measures.

【0053】本実施例では、コモン電極の周辺の四辺全
体を取り巻く形で引出し電極35aを配設し、しかもそ
の引出し電極に多層膜を用いて抵抗の低いものとしてい
るため、上記の問題を解決することができる。
In the present embodiment, since the extraction electrode 35a is arranged so as to surround all four sides around the common electrode, and a multilayer film is used for the extraction electrode to have a low resistance, the above problem is solved. can do.

【0054】なお、図2および図6の実施例において
は、コモン電極引出し電極がブラックマトリクスBMと
接続された構成となっているが、これらは、切り離され
た構成になっていてもよい。
In the embodiments of FIGS. 2 and 6, the common electrode lead electrode is connected to the black matrix BM, but they may be separated.

【0055】〔第6実施例〕図1、および図7を参照し
て、請求項6に対応する実施例を説明する。本実施例
は、AM基板とCM基板上の対応する複数の電極端子間
を接続する構成に関するものである。
[Sixth Embodiment] An embodiment corresponding to claim 6 will be described with reference to FIGS. 1 and 7. The present embodiment relates to a configuration for connecting a plurality of corresponding electrode terminals on an AM board and a CM board.

【0056】二つの基板上の対応する複数の電極間の接
続は、基本的には、対応する電極の位置を合わせて向か
い合うように配置し、その間を個別に電気接続できる構
成にすることである。
The connection between the corresponding electrodes on the two substrates is basically arranged such that the corresponding electrodes are aligned so as to face each other, and the individual electrodes can be electrically connected. .

【0057】一つの構成例としては、既に図1を用いて
第1実施例で説明したように、ACF33を用いて接続
することができる。このACF33は、封止部103の
内部にあっても外部にあってもよい。しかも、この接続
は、封止部103を形成する封止工程中に同時に行うこ
とができる。
As one configuration example, the connection can be made by using the ACF 33 as already described in the first embodiment with reference to FIG. The ACF 33 may be inside or outside the sealing portion 103. Moreover, this connection can be performed at the same time during the sealing step of forming the sealing portion 103.

【0058】請求項6に対応する第6実施例では、図7
に示すように、導電性の粒子(この粒子は、フィラー等
も含む)を混入した封止材をもちいて封止部300を形
成することにより、上下基板上の対応する電極間の接続
を行うことができる。この構成によれば、図1の例のよ
うにACF専用の接続領域を必要としないためスペース
ファクタを改善できると共に、工程を短縮することがで
きる。
In the sixth embodiment corresponding to claim 6, FIG.
As shown in FIG. 3, a sealing material containing conductive particles (the particles also include fillers) is used to form the sealing portion 300, thereby connecting the corresponding electrodes on the upper and lower substrates. be able to. According to this configuration, unlike the example of FIG. 1, a connection region dedicated to the ACF is not required, so that the space factor can be improved and the process can be shortened.

【0059】〔第7実施例〕図8を参照して、請求項7
に対応する実施例を説明する。本実施例は、本発明の液
晶表示装置において、製作工程中の静電気対策に関連す
る製造方法の改良を行うものである。
[Seventh Embodiment] The seventh embodiment will be described with reference to FIG.
An example corresponding to will be described. In this embodiment, in the liquid crystal display device of the present invention, the manufacturing method relating to measures against static electricity during the manufacturing process is improved.

【0060】アクティブマトリクス型液晶表示装置を構
成するTFT等の能動素子は、製造工程中の静電気によ
り局部的な絶縁破壊等のダメージを受けやすいという問
題があるため、種々の静電気対策がなされている。その
中の重要な対策の一つに、周辺接続電極を用いるものが
ある。
Since active elements such as TFTs constituting an active matrix type liquid crystal display device are susceptible to damage such as local dielectric breakdown due to static electricity during the manufacturing process, various static electricity countermeasures have been taken. . One of the important measures among them is to use a peripheral connection electrode.

【0061】図8の右側のAM基板101において、T
FT形成領域63からの引出し電極107は、基板間接
続端子107tx,107tyおよび周辺接続用結合電
極61bを介して、周辺接続電極61aに接続されてい
る。この周辺接続電極61aは、液晶表示装置を完成す
る直前まで全て同電位に結合された状態で各工程を流れ
ていく。従って、TFT素子やその接続電極に静電気を
発生しない構成となっている。通常、この周辺接続電極
61aは、液晶を注入する前までの全ての製造工程が完
了してから、スクライブラインSC11,SC12に沿
って基板と共に切断される。
On the AM substrate 101 on the right side of FIG.
The extraction electrode 107 from the FT formation region 63 is connected to the peripheral connection electrode 61a via the inter-substrate connection terminals 107tx and 107ty and the peripheral connection coupling electrode 61b. The peripheral connection electrode 61a flows through each process in a state in which all are connected to the same potential until just before the liquid crystal display device is completed. Therefore, the structure is such that static electricity is not generated in the TFT element and its connecting electrode. Normally, the peripheral connection electrode 61a is cut along with the substrate along the scribe lines SC11 and SC12 after all the manufacturing steps before injecting the liquid crystal are completed.

【0062】従来の液晶表示装置においては、この周辺
接続電極61aはAM基板101側にのみ配設されてい
たが、本発明の液晶表示装置においては、それに対向す
るCM基板側にも記号62aで示す形で配設される必要
がある。これは、周辺接続電極61aが切り落とされた
後、液晶注入からCOG実装にわたる工程を通ることに
なるが、その間に発生する静電気からTFTを守るため
には、CM基板102側の周辺接続電極62aが必要に
なるためである。
In the conventional liquid crystal display device, this peripheral connection electrode 61a is provided only on the AM substrate 101 side, but in the liquid crystal display device of the present invention, the symbol 62a is also provided on the CM substrate side facing it. It must be arranged as shown. This means that after the peripheral connection electrode 61a is cut off, a process from liquid crystal injection to COG mounting is performed, but in order to protect the TFT from static electricity generated during that period, the peripheral connection electrode 62a on the CM substrate 102 side is This is because it becomes necessary.

【0063】ここで、図8全体の説明を行う。中心線C
Lの右側には、既に説明したAM基板101の部分平面
図を示し、左側には、CM基板102の部分平面図を示
している。CM基板102の中で、ブラックマトリクス
BMのある領域にカラーフィルタが形成され、その周辺
部にコモン電極の引出し電極35aがある。駆動ICの
実装部121aの部分には、入力配線31と出力配線3
2があり、さらに、駆動IC用接続端子32iと基板間
接続端子32tx,32tyがある。そして、これら二
つの基板は、中心線CLで線対称に折り返す形で組み合
わされる。二つの基板間の接続端子は、CM基板102
上の記号32tx,32tyの端子が、それぞれAM基
板101上の記号107tx,107tyに対応するよ
うに組み合わされる。
Here, the entire FIG. 8 will be described. Center line C
The right side of L shows a partial plan view of the AM board 101 already described, and the left side shows a partial plan view of the CM board 102. In the CM substrate 102, a color filter is formed in a certain area of the black matrix BM, and the extraction electrode 35a of the common electrode is provided around the color filter. The input wiring 31 and the output wiring 3 are provided on the mounting portion 121a of the drive IC.
2 and further has drive IC connection terminals 32i and inter-substrate connection terminals 32tx, 32ty. Then, these two substrates are combined in a line-symmetrical manner with respect to the center line CL. The connection terminal between the two boards is the CM board 102.
The terminals with the symbols 32tx and 32ty above are combined so as to correspond to the symbols 107tx and 107ty on the AM board 101, respectively.

【0064】ここで、本実施例に係わる、周辺接続電極
62a,62bの切断に関する工程の説明を行う。図8
に示すような二つの基板が完成した後、これらを組み立
てて封止し、併せて、基板間接続端子の間の接続を行
う。次に、AM基板のスクライブラインSC11,SC
12に沿って、周辺接続電極61aを基板と共に切り落
とす。
Here, the process for cutting the peripheral connection electrodes 62a and 62b according to this embodiment will be described. FIG.
After the two substrates as shown in (4) are completed, they are assembled and sealed, and at the same time, the connection between the inter-board connection terminals is performed. Next, scribe lines SC11 and SC on the AM substrate
Along the line 12, the peripheral connection electrode 61a is cut off together with the substrate.

【0065】次に、液晶を注入し、注入完了後その注入
口(図示せず)を封止する。次に、中間的な検査工程等
幾つかの工程を経た後、CM基板102上の周辺接続電
極62aを電気的に切断状態にする。この場合、CM基
板102は切り落とさない。これを実現するためには、
周辺接続電極溶断線ML21,ML22に沿って、レー
ザで溶断すればよい。そして次に、駆動ICをCOG実
装する。
Next, liquid crystal is injected, and after the injection is completed, the injection port (not shown) is sealed. Next, after passing through some steps such as an intermediate inspection step, the peripheral connection electrodes 62a on the CM substrate 102 are electrically cut off. In this case, the CM board 102 is not cut off. To achieve this,
The peripheral connection electrodes may be melted by laser along the melting lines ML21 and ML22. Then, the drive IC is COG mounted.

【0066】ここでは、AM電極上の周辺接続電極61
aと、CM電極上の周辺接続電極62aの切断の順序
を、上述のようにすることが静電気対策として重要であ
る。なお、駆動ICを実装する前にCM基板上の周辺接
続電極の溶断処理を行うのは、溶断処理に起因したCO
G実装部への悪影響を避けるためのものである。
Here, the peripheral connection electrode 61 on the AM electrode is used.
It is important as a countermeasure against static electricity that the order of cutting a and the peripheral connection electrode 62a on the CM electrode is set as described above. It should be noted that performing the fusing treatment of the peripheral connection electrodes on the CM substrate before mounting the drive IC is due to the CO
This is for avoiding an adverse effect on the G mounting part.

【0067】また、装置構成上の条件として、前者は基
板と共に周辺接続電極を切断し、後者は基板上の周辺接
続電極のみを溶断するという違いがある。
Further, as a condition of the apparatus configuration, there is a difference that the former cuts the peripheral connection electrodes together with the substrate and the latter cuts only the peripheral connection electrodes on the substrate.

【0068】[0068]

【発明の効果】以上述べたように、請求項1ないし4の
発明によれば、能動素子の配設された基板側(AM基板
側)の構造とプロセスに影響を与えることなく、かつA
M基板側に新しい構造とプロセスを追加することもな
く、低抵抗配線を備えたCOG実装を実現することがで
きる。その結果、AM基板側の製造歩留りを落とすこと
もなく、また、カラーフィルタと膜構成を共用すること
等により、他方の基板側(CM基板側)の工程の簡単化
を図ることができる。
As described above, according to the first to fourth aspects of the present invention, the structure and process on the substrate side (AM substrate side) on which the active elements are arranged are not affected, and A
COG mounting with low resistance wiring can be realized without adding a new structure and process to the M substrate side. As a result, the manufacturing yield on the AM substrate side is not reduced, and by sharing the film configuration with the color filter, the process on the other substrate side (CM substrate side) can be simplified.

【0069】請求項5の発明によれば、コモン電極全体
の低抵抗化や均一性の向上を実現することができる。ま
た、請求項6の発明によれば、スペースファクタの改善
やプロセスの短縮を行うことができる。
According to the invention of claim 5, it is possible to realize a reduction in resistance and an improvement in uniformity of the entire common electrode. According to the invention of claim 6, the space factor can be improved and the process can be shortened.

【0070】さらに、請求項7の発明によれば、製造工
程中の静電気対策を十分に行うことができる。
Further, according to the invention of claim 7, it is possible to sufficiently take measures against static electricity during the manufacturing process.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 第1実施例を示す図FIG. 1 is a diagram showing a first embodiment.

【図2】 第2実施例を示す図FIG. 2 is a diagram showing a second embodiment.

【図3】 第5実施例を示す図FIG. 3 is a diagram showing a fifth embodiment.

【図4】 第3実施例を示す図FIG. 4 is a diagram showing a third embodiment.

【図5】 第3実施例の変形例を示す図FIG. 5 is a diagram showing a modification of the third embodiment.

【図6】 第4実施例を示す図FIG. 6 is a diagram showing a fourth embodiment.

【図7】 第6実施例を示す図FIG. 7 is a diagram showing a sixth embodiment.

【図8】 第7実施例を示す図FIG. 8 is a diagram showing a seventh embodiment.

【図9】 カラー表示液晶パネルの断面図FIG. 9 is a sectional view of a color display liquid crystal panel.

【図10】 カラー表示液晶パネルの斜視図FIG. 10 is a perspective view of a color display liquid crystal panel.

【図11】 TFT基板およびCF基板の部分平面図FIG. 11 is a partial plan view of a TFT substrate and a CF substrate.

【図12】 COG実装の構造を示す図FIG. 12 is a diagram showing a structure of COG mounting.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

31 駆動IC用の入力配線、入力電極 31i,37a 駆動IC用接続端子(入力配線側) 32 駆動IC用の出力配線、出力電極 32d 基板間接続端子 32i,37b 駆動IC用接続端子(出力配線側) 32tx,32ty CM基板上の基板間接続端子 33 ACF 34 共通接続配線 35a コモン電極の引出し電極 35b 35aの取出し電極 36 コネクタ 41 駆動IC用入出力配線の形成領域 42 カラーフィルタの形成領域 52 透明電極 53 保護膜 61a AM基板上の周辺接続電極 61b 周辺接続電極用結合電極 62a CM基板上の周辺接続電極 62b 周辺接続電極用結合電極 101 基板、AM基板 102 基板、CM基板 103 封止部 104 液晶 105 スペーサ 106 TFTおよび画素電極 107 引出し電極 107tx,107ty AM基板上の基板間接続端子 108 カラーフィルタ 109 コモン電極 110 配向膜 111 TFT 112 画素電極 113 ソースバス電極 114 ゲートバス電極 121 駆動IC、駆動ICチップ 122 駆動ICへの入力電極 123 バンプ 124 接続樹脂 126 共通接続用FPC 127 フレキシブルプリント板、FPC基板 128 フレキシブルプリント板上の電極、FPC
電極 300 導電粒子を混入した封止部 340 共通接続配線を行う部分 R 赤色のカラーフィルタ G 緑色のカラーフィルタ B 青色のカラーフィルタ BM ブラックマトリクス P1〜P4 コモン電極の引出し電極接続点 SC11,SC12 AM基板のスクライブライン ML21,ML22 CM基板の周辺接続電極溶断線
31 input wiring for drive IC, input electrodes 31i, 37a connection terminal for drive IC (input wiring side) 32 output wiring for drive IC, output electrode 32d board-to-board connection terminal 32i, 37b drive IC connection terminal (output wiring side) ) 32tx, 32ty CM board-to-board connection terminal 33 ACF 34 common connection wiring 35a common electrode extraction electrode 35b 35a extraction electrode 36 connector 41 drive IC input / output wiring formation area 42 color filter formation area 52 transparent electrode 53 Protective Film 61a Peripheral Connection Electrode on AM Substrate 61b Coupling Electrode for Peripheral Connection Electrode 62a Peripheral Connection Electrode on CM Substrate 62b Peripheral Connection Electrode Coupling Electrode 101 Substrate, AM Substrate 102 Substrate, CM Substrate 103 Sealing Part 104 Liquid Crystal 105 Spacer 106 TFT and pixel electrode 107 Extraction electrode 107tx, 107ty Inter-substrate connection terminal on AM substrate 108 Color filter 109 Common electrode 110 Alignment film 111 TFT 112 Pixel electrode 113 Source bus electrode 114 Gate bus electrode 121 Drive IC, drive IC chip 122 Input electrode to drive IC 123 Bump 124 Connection resin 126 Common connection FPC 127 Flexible printed board, FPC board 128 Electrode on flexible printed board, FPC
Electrode 300 Sealing part 340 mixed with conductive particles 340 Common connection wiring part R Red color filter G Green color filter B Blue color filter BM Black matrix P1 to P4 Common electrode extraction electrode connection point SC11, SC12 AM substrate Scribe line ML21, ML22 CM substrate peripheral connection electrode fusing line

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石田 勉 鳥取県米子市石州府字大塚ノ弐650番地 株式会社米子富士通内 (72)発明者 片尾 隆之 鳥取県米子市石州府字大塚ノ弐650番地 株式会社米子富士通内 (72)発明者 河井 宏之 鳥取県米子市石州府字大塚ノ弐650番地 株式会社米子富士通内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Tsutomu Ishida 650 Otsuka Noji, Yonago City, Yonago City, Tottori Prefecture Yonago Fujitsu Limited (72) Inventor Takayuki Katao 650 Otsuka Noji, Yonago City, Tottori Prefecture Yonago Fujitsu (72) Inventor Hiroyuki Kawai, Yonago Fujitsu Limited

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 周辺部が封止された間隙に液晶が封入さ
れた二つの基板と、 該液晶を制御し、該基板の一方に配設された能動素子
と、 該能動素子を制御し、該基板の他方のみに実装された駆
動ICとを有することを特徴とする液晶表示装置。
1. A pair of substrates in which liquid crystal is sealed in a gap whose peripheral portion is sealed, an active element disposed on one of the substrates for controlling the liquid crystal, and an active element for controlling the active element, A liquid crystal display device comprising: a drive IC mounted only on the other side of the substrate.
【請求項2】 前記基板上に実装される複数の前記駆動
ICの入力配線として、前記基板上で共通に接続されて
なる配線を備えた請求項1記載の液晶表示装置。
2. The liquid crystal display device according to claim 1, further comprising wirings commonly connected on the substrate as input wirings of the plurality of drive ICs mounted on the substrate.
【請求項3】 前記配線は、少なくとも一部位が二層以
上の膜で構成される多層膜であり、 該多層膜の少なくとも一層が、めっきで形成される膜で
ある請求項2記載の液晶表示装置。
3. The liquid crystal display according to claim 2, wherein the wiring is a multi-layered film including at least a part of two or more layers, and at least one layer of the multi-layered film is a film formed by plating. apparatus.
【請求項4】 前記多層膜は、少なくとも一層が、同一
の基板上に形成されるブラックマトリクスと同一の材料
で形成されている請求項3記載の液晶表示装置。
4. The liquid crystal display device according to claim 3, wherein at least one layer of the multilayer film is formed of the same material as a black matrix formed on the same substrate.
【請求項5】 前記他方の基板は、中央部の領域に、液
晶に共通に電圧を印加するコモン電極と、周辺部に、前
記多層膜からなる引出し電極とを有し、 該コモン電極は、外周部が該引出し電極に接続されてい
る請求項1または3記載の液晶表示装置。
5. The other substrate has a common electrode for commonly applying a voltage to liquid crystal in a central region and a lead electrode made of the multilayer film in a peripheral region, the common electrode comprising: The liquid crystal display device according to claim 1, wherein an outer peripheral portion is connected to the extraction electrode.
【請求項6】 前記一方の基板に、前記能動素子からの
引出し電極を備え、前記他方の基板に、前記駆動ICか
らの出力電極を備えてなり、 二つの基板の該電極は、二つの基板が封止される封止部
に混入される導電粒子によって接続されている請求項1
記載の液晶表示装置。
6. The one substrate is provided with an extraction electrode from the active element, and the other substrate is provided with an output electrode from the drive IC. The electrodes of the two substrates are two substrates. Are connected by conductive particles mixed in a sealing portion to be sealed.
The described liquid crystal display device.
【請求項7】 能動素子を設けた一方の基板に、該能動
素子の引出し電極を共通に接続する周辺接続電極を形成
し、 駆動ICを実装する他方の基板に、該駆動ICの出力電
極を共通に接続する周辺接続電極を形成し、 二つの基板を組立てて封止した後に、該一方の基板の該
周辺接続電極を、基板と共に切り落とし、 該駆動ICを実装する前に、該他方の基板の該周辺接続
電極を、電気的切断状態に切り離すことを特徴とする液
晶表示装置の製造方法。
7. A peripheral connection electrode for commonly connecting lead electrodes of the active element is formed on one substrate on which the active element is provided, and an output electrode of the drive IC is provided on the other substrate on which the drive IC is mounted. After forming the peripheral connection electrodes commonly connected and assembling and sealing the two substrates, the peripheral connection electrodes of the one substrate are cut off together with the substrates, and the other substrate is mounted before mounting the drive IC. 2. The method for manufacturing a liquid crystal display device, wherein the peripheral connection electrode is cut off in an electrically disconnected state.
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