JPH08250858A

JPH08250858A - 回路基板

Info

Publication number: JPH08250858A
Application number: JP7077290A
Authority: JP
Inventors: Masao Kuroda; 正雄黒田; Sotaro Tsukamoto; 宗太郎塚本; Susumu Wakamatsu; 進若松
Original assignee: NGK Spark Plug Co Ltd
Current assignee: Niterra Co Ltd
Priority date: 1995-03-07
Filing date: 1995-03-07
Publication date: 1996-09-27

Abstract

(57)【要約】【目的】高周波において低損失で信号伝送速度の早い
回路基板を提供する。【構成】銅メッキ層２０の上に形成された磁性材料で
あるニッケルメッキ層２２の上に、更に、非磁性材料で
ある金メッキ層２４が形成されている。このため、回路
基板を高い周波数で用いた際に、ニッケルメッキ層２２
のインダクタンス分が増大するが、表皮効果により上部
に位置する金メッキ層２４と、下部に位置する銅メッキ
層２０とに電流が流れ、中間に位置する該磁性材料のニ
ッケルメッキ層２２には電流が流れないため、該ニッケ
ルメッキ層２２による伝送損失が発生しない。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、回路基板に関し、特
に、有機高分子材料で複数の絶縁層を形成し、その間に
信号配線を形成した、高周波用に用いられる回路基板に
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】衛星通信等に用いられるＧHz帯の高周波
で動作させるための発振回路やフィルタ等、あるいは高
速動作させるＣＰＵやメモリ等のデジタル回路等に、ポ
リイミド樹脂等の有機高分子材料で絶縁層を形成し、こ
の絶縁層間に銅の信号配線を施した回路基板が用いられ
ている。ポリイミド樹脂等は、比誘電率が３程度である
ため、比誘電率が９〜１０のアルミナよりも信号の伝送
速度を高め得る利点があるからである。ここで、図８を
参照してポリイミド樹脂を用いる回路基板の従来技術に
係る製造方法について説明する。

【０００３】まず、図８（Ａ）に示すように絶縁性基板
１１０の上に導体からなるグランド層１１２を形成し、
その上にポリイミド前駆体を塗布してから加熱・硬化さ
せてポリイミド絶縁層１１４ａを得る。そして、該ポリ
イミド絶縁層１１４ａの上にスパッタリングによりチタ
ン薄膜１１６を、更にその上にスパッタリングにより銅
薄膜１１８を形成し、信号配線を形成するための下地層
１１７とする。その後、該銅薄膜１１８の上に、フォト
レジストを塗布し、フォトリソグラフィ技術により所望
のパターンを形成した後、所望の厚みを有する銅メッキ
層１２０を形成する。更に、該銅メッキ層１２０上に後
述するエッチング処理において、銅を腐食から保護する
ためのバリヤの役割を果たすニッケルメッキ層１２２を
設け、フォトレジストを除去する。

【０００４】この後、金属エッチングを行い、図８
（Ｂ）に示すように銅メッキ層１２０の下方以外のチタ
ン薄膜１１６及び銅薄膜１１８を除去する。そして、図
８（Ｃ）に示すように、ポリイミド絶縁層１１４ａの上
にポリイミド絶縁層１１４ｂを乗せる。以上の処理を繰
り返すことにより回路基板を形成していた。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記構
成に係る回路基板は、高周波信号の伝送において伝送損
失が大きく信号の伝送速度が低いとの課題があった。本
発明者は、この原因を、金属エッチングの際のバリヤを
なすニッケルメッキ層１２２にあるのではないかとの知
見を得るに至った。即ち、ニッケルは、耐腐食性に優れ
エッチング時の銅の保護用として適当であり、廉価で、
銅との調和性もある反面、磁性体であるために比透磁率
が非常に高く、また抵抗値も銅と比べて高い。従って、
図８（Ｃ）に示す銅メッキ層１２０とニッケルメッキ層
１２２とから成る信号配線に高周波を印加すると、表皮
効果により電流は銅メッキ層１２０のうち、グランド層
１１２に近い下部付近と、ニッケルメッキ層１２２とに
主に流れるため、ニッケルメッキ層１２２の存在によっ
て、インダクタンスや抵抗が増加し、損失が発生してい
るのではないかと推測した。このため、本発明者は、金
属エッチングの際のバリヤとしての耐腐食性を有すると
共に非磁性体である金を用いることを検討したが、銅メ
ッキ層１２０の上に金メッキを施すと、該銅メッキ層１
２０と金メッキとの間で拡散が生じて抵抗分が逆に増大
するとの結論に至った。

【０００６】本発明は、上述した課題を解決するために
なされたものであり、その目的とするところは、高周波
において低損失で信号伝送速度の早い信号配線構造を備
える回路基板を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、請求項１の回路基板では、有機高分子材料からなる
複数の絶縁層と、該複数の絶縁層間に形成された信号配
線であって、該絶縁層上に形成され銅を主成分とする銅
配線層と、該銅配線層上に形成され磁性材料を主成分と
し耐腐食性を有する磁性導体層と、該磁性導体層上に形
成され非磁性材料を主成分とし耐腐食性を有する非磁性
導体層と、からなる信号線と、を備えるたことを要旨と
する。

【０００８】また、請求項２の回路基板では、請求項１
において、前記非磁性導体層の厚さを、前記信号配線に
印加する信号の周波数により規定される表皮厚さ以上の
厚さにしたことを要旨とする。

【０００９】また、請求項３の回路基板では、請求項１
または２において、前記有機高分子材料が、ポリイミド
樹脂、ペンゾシクロブデン樹脂、およびエポキシ樹脂の
うちのいずれかから成ることを要旨とする。

【００１０】また、請求項４の回路基板では、請求項１
〜３において、前記磁性導体層が、ニッケル、クロムお
よびこれらの合金のうちのいずれかを主成分とすること
を要旨とする。

【００１１】更に、請求項４の回路基板では、請求項１
〜４において、前記非磁性導体層が、銀、金、白金、パ
ラジウム、ロジウムおよびこれらの合金のうちのいずれ
かを主成分とすることを要旨とする。

【００１２】

【作用】請求項１の回路基板では、銅を主成分とする銅
配線層の上に形成され磁性材料を主成分とする磁性導体
層の上に、更に、非磁性材料を主成分とする非磁性導体
層が形成されている。このため、この回路基板に高周波
信号を印加しても該磁性導体層による伝送損失が少なく
なる。表皮効果により信号配線の最上部に位置する非磁
性導体層と、最下部に位置する銅配線層とに主に電流が
流れ、中間に位置する該磁性導体層に流れる電流は少な
いからである。

【００１３】また、請求項２の回路基板では、非磁性導
体層の厚さを、信号配線に印加する信号の周波数により
規定される表皮厚さ以上の厚さにしてある。このため、
高周波数電流が表皮効果により信号配線の表皮部分（上
部及び下部）を流れる際に、大半の電流が該非磁性導体
層内及び、銅配線層内を通り、該非磁性導体層の下層の
磁性導体層には流れないため、高周波電流が該磁性導体
層内を流れることによる伝送損失を十分小さくすること
ができる。

【００１４】また、請求項３の回路基板では、有機高分
子材料が、ポリイミド樹脂、ベンゾシクロブデン（ＢＣ
Ｂ）樹脂、エポキシ樹脂のいずれかから成る。これら材
料は、誘電率が低いため、絶縁層を形成すると、信号の
伝達速度を高めることができる。

【００１５】更に、請求項４の回路基板では、磁性導体
層がニッケル、クロムのいずれか、又はこれらの合金の
うちいずれかを主成分とするため、回路基板の製造プロ
セスにおける金属エッチング時に、銅の信号配線を保護
することができる。

【００１６】また更に、請求項５の回路基板では、非磁
性導体層は、銀、金、白金、パラジウム、ロジウムのい
ずれか、又はこの合金のうちいずれを主成分とする。こ
れらの非磁性材料は、ニッケル及びクロムとの密着性が
高く、金属エッチング時の耐食性が高い。更に、例えば
ポリイミド前駆体を加熱、硬化する際にも、前駆体等と
反応せず、酸化等しないという特性を有する。

【００１７】

【実施例】以下、本発明を具体化した実施例について図
を参照して説明する。図１、図２、図３は、本発明の第
１実施例に係る回路基板の製造工程を示す図である。本
実施例の回路基板は、セラミック基板１０の上面に、ポ
リイミド樹脂を各信号配線間の絶縁層として形成された
ものである。セラミック基板１０は、例えば、アルミナ
を主材料として作成された複数のグリーンシートを積層
して、加湿雰囲気の水素炉中で高温焼成して得られた多
層基板である。以下に、セラミック基板１０上に配線基
板を形成する工程について説明する。

【００１８】先ず、図１（Ａ）に示すようにセラミック
基板１０の上に銅からなるグランド層１２ａを被着す
る。次に、グランド層１２ａの上に、図示しない回転式
塗布機（スピンコータ）により、一定粘度に調整された
ポリイミド前駆体を塗布してから加熱・硬化させて、厚
さ１６μｍのポリイミド絶縁層１４ａを形成する（図１
（Ｂ）参照）。

【００１９】その後、ポリイミド絶縁層１４ａの表面上
に、ポリイミドとの密着性に優れるチタンをスパッタリ
ングしてチタン薄膜１６（厚さ１０００Å）を形成す
る。更にこのチタン薄膜１６の表面上に、後述する銅メ
ッキ層２０との密着性を得るための銅をスパッタリング
して銅薄膜１８（厚さ５０００Å）を形成し（図１
（Ｃ）参照）、下地層１７とする。

【００２０】そして、図２（Ａ）に示すように下地層１
７上に、レジスト１９を塗布し、フォトリソグラフィー
技術により所望パターンを開口させた上で、下地層１７
の露出した開口部１９ａに銅配線層となる電解メッキに
より銅メッキ層２０（厚さ３μｍ）を形成する。本実施
例ではこの銅メッキ層２０は、幅２５μｍであって、図
中奥手方向（紙面に垂直な方向、以下Ｘ方向とする）に
向けて配置する。更に、上述した下地層１７（チタン薄
膜１６及び銅薄膜１８）を金属エッチングで除去する際
に銅メッキ層２０を保護するため、銅メッキ層２０の上
に磁性導体層となるニッケルメッキ層２２（厚さ１μ
ｍ）を形成する（図２（Ｂ）参照）。

【００２１】次いで、レジスト１９を溶解、除去した後
に金属エッチングを行い、銅メッキ層２０の下部以外に
形成された不要部分のチタン薄膜１６及び銅薄膜１８を
除去する（図２（Ｃ）参照）。このニッケルメッキ層２
２は、上述した金属エッチングの際に銅メッキ層２０を
保護する他、更に、ポリイミド絶縁層を形成する際に、
銅メッキ層２０がポリイミド前駆体と接触して化学反応
し、銅メッキ層の抵抗値が増大するのを防いでいる。ニ
ッケルメッキ層２２を形成するニッケルは、上述たよう
に耐腐食性に優れると共に廉価であるが、従来技術の課
題において前述したように磁性体であるため、高周波数
において信号配線のもつインダクタンスが増大する。ま
た銅よりも抵抗率が高く、信号配線の抵抗も増加する。

【００２２】このため、図３（Ａ）に示すように、該ニ
ッケルメッキ層２２の上に非磁性導体層として金をメッ
キして２μｍの金メッキ層２４を形成し、これにより、
銅メッキ層２０と、ニッケルメッキ層２２と、金メッキ
層２４との３層から成る信号配線２６Ｘを完成させる。
この後、前記と同様にポリイミド前駆体を塗布してから
加熱・硬化させて、厚さ１６μｍのポリイミド絶縁層１
４ｂを形成する（図３（Ｂ）参照）。

【００２３】図４に示すように、該ポリイミド絶縁層１
４ｂの上に上記工程を繰り返し、銅メッキ層２０と、ニ
ッケルメッキ層２２と、金メッキ層２４とを形成し、幅
２５μｍの信号配線２６Ｙを図中水平方向（以下Ｙ方向
とする）に完成する。信号配線２６Ｙの上に更に、ポリ
イミド絶縁層１４ｃ（厚さ１６μｍ）を形成した後、最
上部に銅によりグランド層１２ｂを形成する。この第１
実施例においては、ポリイミド絶縁層１４ａ、１４ｃを
介して信号配線２６Ｘ、２６Ｙの上下にグランド層１２
ａ、１２ｂを配置することによりデュアルストリップラ
イン型信号伝送構造を形成している。

【００２４】次に、図４に示す回路基板について、信号
配線２６Ｘ、２６Ｙに信号を印加した場合の周波数に対
する信号配線の伝送ロスをシミュレートした結果につい
て図５及び図６を参照して説明する。図５は、縦軸に伝
送ロス（ｄＢ／ｃｍ）を、横軸に周波数（ＧＨｚ）を取
った両対数グラフである。図中で、○印は本実施例の回
路基板によるものを示しており、比較のために信号配線
２６Ｘ、２６Ｙを前述した従来技術に係る銅メッキ層と
ニッケルメッキ層とから構成した回路基板を●印で、金
のみで構成した回路基板をΔ印で、銅のみで構成した回
路基板を■印で示している。

【００２５】図６は、この信号配線を構成するスパッタ
層及びメッキ層の厚さを表にして示している。ここで
は、比較のため主たる導体を構成する銅又は金の厚さを
合計５μｍに統一してある。例えば、本実施例の回路基
板においては、信号配線が上述したように３μｍの銅メ
ッキ層２０と、１μｍのニッケルメッキ層２２と、２μ
ｍの金メッキ層２４の３層から成る。銅メッキ層とニッ
ケルメッキ層とからなる●印で示される従来技術の構成
においては、５μｍの銅メッキ層の上に１μｍのニッケ
ルメッキ層が被覆されている。なお、銅メッキ層又は金
メッキ層と絶縁層の間には、１０００Åのチタン薄膜１
６と、５０００Åの銅薄膜１８とが形成されているもの
としてシュミレーションが行われている。更に、この信
号配線２６Ｘ、２６Ｙを絶縁する図４を示す各ポリイミ
ド絶縁層１４ａ、１４ｂ、１４ｃはそれぞれ厚さ１６μ
ｍに形成し、信号配線の幅は２５μｍに形成し、ポリイ
ミドの比誘電率は３．２であるとして解析が成されてい
る。

【００２６】図５から分かるように、信号配線２６Ｘ、
２６Ｙを金のみで構成したΔ印、銅のみで構成した■印
及び、本実施例の銅メッキ層とニッケルメッキ層と金メ
ッキ層とからなる構成に係る○印は、０．５ＧＨｚの相
対的に低い周波数から１０ＧＨｚの相対的に高い周波数
においてほぼ等しい伝送ロス特性を示している。これに
対して、従来技術の銅メッキ層とニッケルメッキ層とか
らなる構成に係る●印は、高周波数になるに従い損失ロ
スが大きくなっている。例えば、１ＧＨｚにおいて、本
実施例の回路基板が０．３ｄＢ／cmであるのに対して、
従来技術の回路基板が０．６ｄＢ／cmで約２倍である。
また、１０ＧＨｚにおいて、本実施例が０．９ｄＢ／cm
であるのに対して、従来技術の回路基板が２．５ｄＢ／
cmで３倍近くになっている。

【００２７】このように従来技術の回路基板は高周波数
において伝送ロスが大きい。これは、図８（Ｃ）を参照
して前述したように銅メッキ層１２０とニッケルメッキ
層１２２とから成る信号配線に高周波信号を印加する
と、表皮効果により電流は銅メッキ層１２０の下部と、
ニッケルメッキ層１２２とに主に流れる。このため、銅
メッキ層等に比べてインダクタンスや抵抗の高いニッケ
ルメッキ層１２２において損失が発生していると推測さ
れる。

【００２８】これに対して本実施例の回路基板では、ニ
ッケルメッキ層２２の上に２μｍ厚の金メッキ層２４
（図４参照）を設けている。従って高周波信号を印加し
た際に表皮効果により、主として上部に位置する金メッ
キ層２４と、下部に位置する３μｍ厚の銅メッキ層２０
とに電流が流れ、中間に位置する該磁性材料のニッケル
メッキ層２２には電流がほとんど流れないため、該ニッ
ケルメッキ層２２による伝送損失が発生しないと考えら
れる。従って、図５中に示すように本実施例の回路基板
は、ニッケルメッキ層を有さない図５中にΔ印で示す金
のみで５μｍの信号配線を形成した場合や、■印で示す
銅のみで５μｍの信号配線を形成した場合と同様な伝送
ロス特性を得たものと考えられる。

【００２９】また、上述したように、高周波における伝
送ロスは、表皮効果に起因するものである。従って、上
記非磁性金属層( 金メッキ層２４) は、厚いほど良いの
であるが、大半の表皮電流がその中を流れ得るようにす
るため表皮厚さ（スキンディプス）よりも厚く形成する
のが望ましい。この表皮厚さδは、使用される非磁性金
属の透磁率をμ、電気伝導率をσ、角振動数をωとする
と次式で表される。

【数１】δ＝√（２／μσω）ここで、非磁性金属に金を用いて１０ＧＨｚ用の回路基
板を形成する際のスキンディプスδの値としては、数１
の式に金の透磁率と電気伝導率とを代入して約０．７８
４μｍが得られる。このため第１実施例の回路基板を１
０ＧＨｚで用いる際には、金メッキ層２４の厚さを０．
７８４μｍ以上に形成することが望ましい。なお、上述
した第１実施例では、３層のポリイミド絶縁層１４ａ、
１４ｂ、１４ｃにより回路基板を構成する例を挙げた
が、更に多層のポリイミド絶縁層を用いて回路基板を形
成することも可能である。

【００３０】次に、本発明の第２実施例に係る回路基板
の製造工程について、図７を参照して説明する。この第
２実施例においては、先ず、図７（Ａ）に示すようにセ
ラミック基板１０の上に銅からなるグランド層１２ａを
被着する。次に、グランド層１２ａの上に、厚さ１６μ
ｍのベンゾシクロブデン絶縁層５４ａを形成する。そし
て、該ベンゾシクロブデン絶縁層５４ａの表面上に、ベ
ンゾシクロブデンとの密着性に優れるチタンをスパッタ
リングしてチタン薄膜１６（厚さ１０００Å）を形成
し、更にこのチタン薄膜１６の表面上に、銅メッキ層２
０との密着性を得るための銅をスパッタリングして銅薄
膜１８（厚さ５０００Å）を形成し、下地層１７とす
る。

【００３１】そして、第１実施例の場合（図２Ａ、Ｂ参
照）と同様に、フォトリソグラフィー技術により所定パ
ターンのレジスト層を設けた上で、回路基板内の信号配
線を形成する位置に無電解メッキにより銅配線層となる
銅メッキ層２０（厚さ３μｍ）を形成する。この後、レ
ジストを除去し、更に上述したチタン薄膜１６及び銅薄
膜１８を金属エッチングで除去する際に、銅メッキ層２
０を保護するため、クロムを該銅メッキ層２０の上にス
パッタリングして磁性導電層となるクロムスパッタ層７
２（厚さ１μｍ）を形成する。この後、金属エッチング
を行い、該銅メッキ層２０以外に形成された不要部分の
チタン薄膜５６及び銅薄膜１８を除去する。クロムスパ
ッタ層７２を形成するクロムは、上述たように耐腐食性
に優れると共に廉価であるが、磁性体であるため高周波
数信号領域においてインダクタンスが増大する。

【００３２】このため、該クロムスパッタ層７２の上に
非磁性導電層となる白金をメッキして非磁性導体層とか
ら白金メッキ層７４（厚さ２μｍ）を形成し、これによ
り、銅メッキ層２０と、クロムスパッタ層７２と、白金
メッキ層７４との３層から成る信号配線２６Ｘを完成さ
せる。この後、更に、厚さ１６μｍのベンゾシクロブデ
ン絶縁層５４ｂを形成する（図７（Ｂ）参照）。以上の
処理を繰り返すことにより回路基板を完成させる。

【００３３】この第２実施例の回路基板においても、表
皮効果により主として上部に位置する２μｍの白金メッ
キ層７４と、下部に位置する３μｍの銅メッキ層２０と
に電流が流れ、中間に位置する該磁性材料のクロムスパ
ッタ層７２には電流が流れ難いため、該クロムスパッタ
層７２による伝送損失は発生しないものと推測される。

【００３４】なお、回路基板の絶縁層を形成する材料と
して、上述した第１実施例では耐熱性が高い特徴を有す
るポリイミドを、第２実施例では誘電率の低い特徴を有
するベンゾシクロブデンを用いる例を挙げたが、セラミ
ックと比較して誘電率が低く、回路基板を構成し得る有
機高分子材料であれば、例えば、安価であるエポキシ樹
脂、あるいはその他の材料を用いることも可能である。
また、銅メッキ層２０の金属エッチング時の保護層とな
る磁性導体層として、第１実施例ではニッケルを、第２
実施例ではクロムを用いたが、例えばＮｉ−Ｃｏ、Ｎｉ
−Ｐ、Ｎｉ−Ｂ、Ｃｒ−Ｐ等の銅メッキ層２０を保護
し、金などの非磁性導体層を下層の銅と反応を防止でき
るものあれば、ニッケル、クロムを主成分とする合金、
又は他の金属を用いることもできる。

【００３５】更に、磁性導体層の上の非磁性導体層とし
て金属として、第１実施例では金メッキ層２４を、第２
実施例では白金メッキ層７４を形成したが、磁性導体層
との密着性が高く、絶縁層１４、５４を塗布、硬化した
ときに有機高分子材料又はその前駆体と反応しない金属
であれば、金、白金の他、例えば、銀、パラジウム、ロ
ジウム等の貴金属或いは、Ａｇ−Ｐｄ等、金、白金、
銀、パラジウム、ロジウムを主成分とする合金等を用い
ることも可能である。更に、第１、第２実施例において
は、銅配線層、磁性導体層、非磁性導体層を電解メッ
キ、無電解メッキ、スパータリングにより設けたが、他
の手段例えば蒸着、イオンプレーティング等の手法を用
いて形成しても良い。また、上述した第１、第２実施例
では、銅配線層と磁性導体層を設けた際、レジストを除
去し下地層をエッチング除去してから金などの非磁性導
体層を設けたが、レジスト除去前に非磁性導体層を設け
てから下地層をエッチング除去しても良い。

【００３６】第１、第２実施例の回路基板は、衛星通信
等でＧHz帯の高周波で動作させるための発振回路やフィ
ルタ等の他、非常に高い周波数のクロック信号により駆
動させる集積回路用の基板等にも用いることができる。

【００３７】

【効果】以上記述したように本発明の回路基板では、銅
配線層の保護に磁性材料の導体膜を用いた場合に、高い
周波数で用いた際に磁性導体層のインダクタンス分が増
大しても、表皮効果により上部に位置する非磁性導体層
と、下部に位置する銅配線層とに電流が流れ、中間に位
置する該磁性導体層には電流が流れ難いため、該磁性導
体層による伝送損失の増大及び伝送速度の低下を防ぐこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例に係る回路基板の製造工程
を示す説明である。

【図２】本発明の第１実施例に係る回路基板の製造工程
を示す説明である。

【図３】本発明の第１実施例に係る回路基板の製造工程
を示す説明である。

【図４】第１実施例に係る回路基板の構成を示す断面図
である。

【図５】第１実施例に係る回路基板と従来技術の回路基
板との周波数と伝送ロスとの関係を示すグラフである。

【図６】第１実施例に係る回路基板と従来技術の回路基
板とのスパッタ層とメッキ層の厚さを示す図表である。

【図７】本発明の第２実施例に係る回路基板の製造工程
を示す説明である。

【図８】従来技術の回路基板の構成を示す断面図であ
る。

【符号の説明】１４ａポリイミド絶縁層２０銅メッキ層２２ニッケルメッキ層２４金メッキ層５４ａベンゾシクロブデン絶縁層７２クロムスパッタ層７４白金メッキ層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】有機高分子材料からなる複数の絶縁層
と、該複数の絶縁層間に形成された信号配線であって、該絶縁層上に形成され銅を主成分とする銅配線層と、該銅配線層上に形成され磁性材料を主成分とし耐腐食性
を有する磁性導体層と、該磁性導体層上に形成され非磁性材料を主成分とし耐腐
食性を有する非磁性導体層と、からなる信号線と、を備える回路基板。
【請求項２】前記非磁性導体層の厚さを、前記信号配線に印加する信号の周波数により規定される
表皮厚さ以上の厚さにしたことを特徴とする請求項１に
記載の回路基板。
【請求項３】前記有機高分子材料が、ポリイミド樹
脂、ペンゾシクロブデン樹脂、およびエポキシ樹脂のう
ちのいずれかからなることを特徴とする請求項１または
２に記載の回路基板。
【請求項４】前記磁性導体層が、ニッケル、クロムお
よびこれらの合金のうちのいずれかを主成分とすること
を特徴とする請求項１〜３に記載の回路基板。
【請求項５】前記非磁性導体層が、銀、金、白金、パ
ラジウム、ロジウムおよびこれらの合金のうちのいずれ
かを主成分とすることを特徴とする請求項１〜４に記載
の回路基板。