JPH08190883A - 電子線露光装置 - Google Patents
電子線露光装置Info
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- JPH08190883A JPH08190883A JP7003847A JP384795A JPH08190883A JP H08190883 A JPH08190883 A JP H08190883A JP 7003847 A JP7003847 A JP 7003847A JP 384795 A JP384795 A JP 384795A JP H08190883 A JPH08190883 A JP H08190883A
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- laser
- electron beam
- pattern
- photoelectrons
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 パターン形成時間を短くすることが可能な電
子線露光装置を提供する。 【構成】 対象材料５の所定の部分に電子銃からの電子
線６を選択的に照射する装置であって、電子銃が、レー
ザ８と、レーザ光７を照射して光電子を放出させるため
のカソード１とを備える。カソード１は、量子効率の低
い材料９上に所定のパターンを有する量子効率の高い材
料１０が設けられた構造を有する。カソード１にレーザ
光７を照射することによって、量子効率の高い部分のみ
から光電子６を放出させる。そして光電子が放出される
部分のパターンに応じた電子線露光を行なう。
子線露光装置を提供する。 【構成】 対象材料５の所定の部分に電子銃からの電子
線６を選択的に照射する装置であって、電子銃が、レー
ザ８と、レーザ光７を照射して光電子を放出させるため
のカソード１とを備える。カソード１は、量子効率の低
い材料９上に所定のパターンを有する量子効率の高い材
料１０が設けられた構造を有する。カソード１にレーザ
光７を照射することによって、量子効率の高い部分のみ
から光電子６を放出させる。そして光電子が放出される
部分のパターンに応じた電子線露光を行なう。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子線露光装置に関
し、特に、高集積半導体デバイス等の製造においてリソ
グラフィ工程に用いられる電子線露光装置に関する。
し、特に、高集積半導体デバイス等の製造においてリソ
グラフィ工程に用いられる電子線露光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子線リソグラフィに用いられる装置
は、電子線走査方式のものが一般的である。この方式で
は、電子銃から発射される電子ビームをレンズで収束
し、電子ビームを走査するかまたは試料台を移動させる
ことによって、試料上に微細なパターンの集合を描いて
いく。この電子ビーム描画技術では、通常の転写技術に
必要なマスクパターンを必要とせず、データからパター
ンを形成していく。
は、電子線走査方式のものが一般的である。この方式で
は、電子銃から発射される電子ビームをレンズで収束
し、電子ビームを走査するかまたは試料台を移動させる
ことによって、試料上に微細なパターンの集合を描いて
いく。この電子ビーム描画技術では、通常の転写技術に
必要なマスクパターンを必要とせず、データからパター
ンを形成していく。
【０００３】電子ビーム描画方式は、用いる収束ビーム
の形状によってガウス型ビーム式と成形ビーム式に分け
ることができる。ガウス型ビームは、通常の電子銃から
出た電子を電子収束系で集めた場合に得られるもので、
その電流密度分布はガウス分布をしている。一方、成形
ビームは、収束ビームの断面形状を所望の形状に加工し
たビームである。ガウス型ビーム方式は、さらにラスタ
走査方式とベクタ走査方式に分けられる。ラスタ走査方
式は、描画すべき画面をパターンの有無に関係なくすべ
て走査する方式であり、ベクタ走査方式は、描画すべき
ところのみを描画に適した方向に走査するものである。
の形状によってガウス型ビーム式と成形ビーム式に分け
ることができる。ガウス型ビームは、通常の電子銃から
出た電子を電子収束系で集めた場合に得られるもので、
その電流密度分布はガウス分布をしている。一方、成形
ビームは、収束ビームの断面形状を所望の形状に加工し
たビームである。ガウス型ビーム方式は、さらにラスタ
走査方式とベクタ走査方式に分けられる。ラスタ走査方
式は、描画すべき画面をパターンの有無に関係なくすべ
て走査する方式であり、ベクタ走査方式は、描画すべき
ところのみを描画に適した方向に走査するものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】電子ビーム描画装置で
は、パターンの位置と形状を表わすデータを使い、収束
されたビームの位置、形状、電流などを電子計算機で制
御してパターンを描画する。収束したビームでパターン
を描画する基本的な方法は、２次元像を１次元像片の逐
次描写によって描き出すことである。このように電子線
走査方式では２次元情報を１次元情報で伝達するため、
パターンの数が多くなり、時間がかかっている。したが
って、半導体デバイスの生産においてスループット（処
理量）が稼げないという問題があった。
は、パターンの位置と形状を表わすデータを使い、収束
されたビームの位置、形状、電流などを電子計算機で制
御してパターンを描画する。収束したビームでパターン
を描画する基本的な方法は、２次元像を１次元像片の逐
次描写によって描き出すことである。このように電子線
走査方式では２次元情報を１次元情報で伝達するため、
パターンの数が多くなり、時間がかかっている。したが
って、半導体デバイスの生産においてスループット（処
理量）が稼げないという問題があった。
【０００５】本発明の目的は、これまでにない新しい電
子線露光装置を提供することにある。
子線露光装置を提供することにある。
【０００６】本発明のさらなる目的は、パターン形成時
間を短くすることが可能な電子線露光装置を提供するこ
とにある。
間を短くすることが可能な電子線露光装置を提供するこ
とにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】従来の装置では、電子銃
における電子放出過程として熱電子放出または電界放出
を用いていた。一方、本発明では、電子放出過程として
光電子放出を用いる。光電子放出とは、物質に外部から
光を照射したとき、その光のエネルギーが物質の仕事関
数より大きいときに光励起された物質内電子が表面から
外に放出される現象を言う。以下に説明するように、光
電子放出によれば、照射する電子ビームの断面形状を容
易に制御することができ、パターン形成時間を短くする
ことが可能となる。
における電子放出過程として熱電子放出または電界放出
を用いていた。一方、本発明では、電子放出過程として
光電子放出を用いる。光電子放出とは、物質に外部から
光を照射したとき、その光のエネルギーが物質の仕事関
数より大きいときに光励起された物質内電子が表面から
外に放出される現象を言う。以下に説明するように、光
電子放出によれば、照射する電子ビームの断面形状を容
易に制御することができ、パターン形成時間を短くする
ことが可能となる。
【０００８】本発明に従う第１の装置は、対象材料の所
定の部分に電子銃からの電子線を選択的に照射する装置
であって、電子銃が、レーザと、レーザ光を照射して光
電子を放出させるためのカソードとを備え、カソード
が、量子効率の異なる複数の材料からなり、カソードに
レーザ光を照射することによって、量子効率の高い部分
のみから光電子を放出させ、光電子が放出される部分の
パターンに応じた電子線露光を行なうことを特徴とす
る。
定の部分に電子銃からの電子線を選択的に照射する装置
であって、電子銃が、レーザと、レーザ光を照射して光
電子を放出させるためのカソードとを備え、カソード
が、量子効率の異なる複数の材料からなり、カソードに
レーザ光を照射することによって、量子効率の高い部分
のみから光電子を放出させ、光電子が放出される部分の
パターンに応じた電子線露光を行なうことを特徴とす
る。
【０００９】量子効率とは、量子収量とも言い、光電子
放出において入射光による励起によって物質から放出さ
れた光電子あるいは光子の数と、物質に吸収された入射
光の光子数または入射光子数との比を指す。この装置に
おいて、レーザには、ネオジウムＹＡＧレーザの２倍高
調波（波長０．５３μｍ）等を用いることができる。カ
ソードは、複数の材料から形成されるが、レーザ光に対
し量子効率が高く、光電子放出が可能な材料として、６
ホウ化ランタン（ＬａＢ6 ）等を用いることができる。
一方、レーザ光に対して量子効率が低いかまたは光電子
放出が起きない材料として、アルミナ等の絶縁材料等を
用いることができる。この装置において、量子効率の高
い材料は、所望のパターンに加工され、カソードに設け
られる。カソードは、たとえば平板とすることができ、
所定のパターンに形成した光電材料と、レーザ光に対し
て光電子放出の起こらない材料とを組合せて形成するこ
とができる。たとえば、光電材料の周りに光電効果の起
こらない材料を配してカソードとするか、または光電効
果の起こらない材料上に、光電材料を所定のパターンで
堆積することによってカソードを形成することができ
る。このようなカソードの全面にレーザ光を照射すれ
ば、光電材料の部分から選択的に光電子を放出させるこ
とができ、放出された光電子のビームは、光電材料のパ
ターンに従った断面形状を有するようになる。この装置
において、電子ビームの収束には、通常の収束系を用い
ることができる。
放出において入射光による励起によって物質から放出さ
れた光電子あるいは光子の数と、物質に吸収された入射
光の光子数または入射光子数との比を指す。この装置に
おいて、レーザには、ネオジウムＹＡＧレーザの２倍高
調波（波長０．５３μｍ）等を用いることができる。カ
ソードは、複数の材料から形成されるが、レーザ光に対
し量子効率が高く、光電子放出が可能な材料として、６
ホウ化ランタン（ＬａＢ6 ）等を用いることができる。
一方、レーザ光に対して量子効率が低いかまたは光電子
放出が起きない材料として、アルミナ等の絶縁材料等を
用いることができる。この装置において、量子効率の高
い材料は、所望のパターンに加工され、カソードに設け
られる。カソードは、たとえば平板とすることができ、
所定のパターンに形成した光電材料と、レーザ光に対し
て光電子放出の起こらない材料とを組合せて形成するこ
とができる。たとえば、光電材料の周りに光電効果の起
こらない材料を配してカソードとするか、または光電効
果の起こらない材料上に、光電材料を所定のパターンで
堆積することによってカソードを形成することができ
る。このようなカソードの全面にレーザ光を照射すれ
ば、光電材料の部分から選択的に光電子を放出させるこ
とができ、放出された光電子のビームは、光電材料のパ
ターンに従った断面形状を有するようになる。この装置
において、電子ビームの収束には、通常の収束系を用い
ることができる。
【００１０】本発明に従う第２の装置は、対象材料の所
定の部分に電子銃からの電子線を選択的に照射する装置
であって、電子銃が、レーザと、レーザ光を照射して光
電子を放出させるためのカソードとを備え、レーザ光を
走査しながらカソードに照射することにより、カソード
の所定の部分から光電子を放出させ、走査パターンに応
じた電子線露光を行なうことを特徴とする。この装置に
おいて、レーザには、ネオジウムＹＡＧレーザの２倍高
調波（波長０．５３μｍ）等を用いることができる。こ
の装置では、カソード全体を、レーザ光に対して量子効
率の高い光電材料で構成することができる。カソードの
ための光電材料として、６ホウ化ランタン（ＬａＢ6 ）
等を挙げることができる。この装置において、電子ビー
ムの収束には、通常の収束系を用いることができる。
定の部分に電子銃からの電子線を選択的に照射する装置
であって、電子銃が、レーザと、レーザ光を照射して光
電子を放出させるためのカソードとを備え、レーザ光を
走査しながらカソードに照射することにより、カソード
の所定の部分から光電子を放出させ、走査パターンに応
じた電子線露光を行なうことを特徴とする。この装置に
おいて、レーザには、ネオジウムＹＡＧレーザの２倍高
調波（波長０．５３μｍ）等を用いることができる。こ
の装置では、カソード全体を、レーザ光に対して量子効
率の高い光電材料で構成することができる。カソードの
ための光電材料として、６ホウ化ランタン（ＬａＢ6 ）
等を挙げることができる。この装置において、電子ビー
ムの収束には、通常の収束系を用いることができる。
【００１１】本発明の第３の装置は、対象材料の所定の
部分に電子銃からの電子線を選択的に照射する装置であ
って、電子銃が、レーザと、レーザ光を照射することに
より光電子を放出させるためのカソードと、レーザとカ
ソードとの間に設けられるマスクとを備え、マスクを介
してレーザ光をカソードに照射することにより、マスク
のパターンに従ったカソードの部分から光電子を放出さ
せ、マスクのパターンに応じた電子線露光を行なうこと
を特徴とする。この装置において、レーザには、ネオジ
ウムＹＡＧレーザの２倍高調波（波長０．５３μｍ）等
を用いることができる。この装置では、カソード全体を
レーザ光に対して量子効率の高い光電材料で構成するこ
とができる。カソードのための光電材料として、６ホウ
化ランタン（ＬａＢ6 ）等を挙げることができる。この
装置において、電子ビームの収束のため通常の収束系を
用いることができる。装置において、レーザとカソード
の間には、レーザ光の断面を所定の形状にするためのマ
スクが設けられる。マスクは、電子露光を行ないたい部
分の形状に合わせたパターンとされる。
部分に電子銃からの電子線を選択的に照射する装置であ
って、電子銃が、レーザと、レーザ光を照射することに
より光電子を放出させるためのカソードと、レーザとカ
ソードとの間に設けられるマスクとを備え、マスクを介
してレーザ光をカソードに照射することにより、マスク
のパターンに従ったカソードの部分から光電子を放出さ
せ、マスクのパターンに応じた電子線露光を行なうこと
を特徴とする。この装置において、レーザには、ネオジ
ウムＹＡＧレーザの２倍高調波（波長０．５３μｍ）等
を用いることができる。この装置では、カソード全体を
レーザ光に対して量子効率の高い光電材料で構成するこ
とができる。カソードのための光電材料として、６ホウ
化ランタン（ＬａＢ6 ）等を挙げることができる。この
装置において、電子ビームの収束のため通常の収束系を
用いることができる。装置において、レーザとカソード
の間には、レーザ光の断面を所定の形状にするためのマ
スクが設けられる。マスクは、電子露光を行ないたい部
分の形状に合わせたパターンとされる。
【００１２】
【作用】以下、本発明の装置を図を参照しながらより具
体的に説明する。
体的に説明する。
【００１３】図１（ａ）および（ｂ）は、本発明に従う
第１の装置の一具体例を示す模式図である。この装置に
おいて、レーザ装置８から出力されたレーザ光７は、カ
ソード１に照射される。カソード１から放出された光電
子６は、カソード１とアノード２の間に印加された加速
電圧によって加速され、電子レンズ４で収束され試料５
（たとえば基板上に塗布されたレジスト）に照射され
る。加速電圧は、電源３によって発生する。この機構に
おいて、レーザ装置８、カソード１、アノード２および
電源３は電子銃を構成する。ここで、カソード１として
図１（ｂ）に示すように、量子効率の極めて小さな基板
９上に量子効率の大きな物質１０を所望のパターンで配
置しておく。そして基板９全体にレーザ光を照射する
と、量子効率の大きな物質１０のところのみから電子が
放出され、それ以外のところからは放出されない。した
がって、光電子ビーム６の断面は、物質１０のパターン
と相似形状になり、試料５には物質１０と相似のパター
ンを形成することができる。この装置では、所望のパタ
ーン形成を一度の電子線露光によって行なうことがで
き、電子線によるパターン形成の時間が短縮される。
第１の装置の一具体例を示す模式図である。この装置に
おいて、レーザ装置８から出力されたレーザ光７は、カ
ソード１に照射される。カソード１から放出された光電
子６は、カソード１とアノード２の間に印加された加速
電圧によって加速され、電子レンズ４で収束され試料５
（たとえば基板上に塗布されたレジスト）に照射され
る。加速電圧は、電源３によって発生する。この機構に
おいて、レーザ装置８、カソード１、アノード２および
電源３は電子銃を構成する。ここで、カソード１として
図１（ｂ）に示すように、量子効率の極めて小さな基板
９上に量子効率の大きな物質１０を所望のパターンで配
置しておく。そして基板９全体にレーザ光を照射する
と、量子効率の大きな物質１０のところのみから電子が
放出され、それ以外のところからは放出されない。した
がって、光電子ビーム６の断面は、物質１０のパターン
と相似形状になり、試料５には物質１０と相似のパター
ンを形成することができる。この装置では、所望のパタ
ーン形成を一度の電子線露光によって行なうことがで
き、電子線によるパターン形成の時間が短縮される。
【００１４】図２は、本発明に従う第２の装置の一具体
例を示す模式図である。この装置において、レーザ装置
８から出力されたレーザ光７が、カソード１に照射され
る。カソード１から放出された光電子６は、カソード１
とアノード２との間に印加された加速電圧によって加速
され、電子レンズ４で収束され試料５に照射される。こ
の装置では、カソードとして図１（ｂ）に示すようなも
のは使用せず、全面が量子効率の大きな物質からなるも
のを用いる。この装置では、レーザ光７をレーザ光スキ
ャン装置１１に入力し、レーザ光７を絞ったうえでスキ
ャンさせる。カソード１では、レーザ光が照射されたと
ころのみから電子が放出されるので、レーザ光を所望の
パターンでスキャンさせれば、試料５にパターンどおり
の描画を行なうことができる。この装置では、レーザ光
のスキャンが従来の装置に比べて容易であり、パターン
形成の高速化を図ることができる。
例を示す模式図である。この装置において、レーザ装置
８から出力されたレーザ光７が、カソード１に照射され
る。カソード１から放出された光電子６は、カソード１
とアノード２との間に印加された加速電圧によって加速
され、電子レンズ４で収束され試料５に照射される。こ
の装置では、カソードとして図１（ｂ）に示すようなも
のは使用せず、全面が量子効率の大きな物質からなるも
のを用いる。この装置では、レーザ光７をレーザ光スキ
ャン装置１１に入力し、レーザ光７を絞ったうえでスキ
ャンさせる。カソード１では、レーザ光が照射されたと
ころのみから電子が放出されるので、レーザ光を所望の
パターンでスキャンさせれば、試料５にパターンどおり
の描画を行なうことができる。この装置では、レーザ光
のスキャンが従来の装置に比べて容易であり、パターン
形成の高速化を図ることができる。
【００１５】図３は、本発明に従う第３の装置の一具体
例を示す模式図である。この装置において、レーザ装置
８から出力されたレーザ光７は、電子銃のカソード１に
照射される。カソード１において放出された光電子６
は、カソード１とアノード２との間に印加された加速電
圧によって加速され、電子レンズ４で収束されて試料５
に照射される。カソードとして図１（ｂ）のようなもの
は使用せず、全面量子効率の大きな物質からなるものを
用いる。この装置では、レーザ装置８とカソード１との
間に、光マスク１２を設け、マスク１２の所望のパター
ンに従ってレーザ光７を透過させる。これにより、レー
ザ光７はマスクのパターンに成形され、カソード１に照
射される。カソード１では、レーザ光７が照射された部
分のみから光電子が放出されるので、試料５には、マス
クのパターンに従った形状で電子ビームが照射される。
この装置において、所望のパターンを一度の電子線露光
によって形成することができ、パターン形成の高速化を
図ることができる。
例を示す模式図である。この装置において、レーザ装置
８から出力されたレーザ光７は、電子銃のカソード１に
照射される。カソード１において放出された光電子６
は、カソード１とアノード２との間に印加された加速電
圧によって加速され、電子レンズ４で収束されて試料５
に照射される。カソードとして図１（ｂ）のようなもの
は使用せず、全面量子効率の大きな物質からなるものを
用いる。この装置では、レーザ装置８とカソード１との
間に、光マスク１２を設け、マスク１２の所望のパター
ンに従ってレーザ光７を透過させる。これにより、レー
ザ光７はマスクのパターンに成形され、カソード１に照
射される。カソード１では、レーザ光７が照射された部
分のみから光電子が放出されるので、試料５には、マス
クのパターンに従った形状で電子ビームが照射される。
この装置において、所望のパターンを一度の電子線露光
によって形成することができ、パターン形成の高速化を
図ることができる。
【００１６】
実施例１ 図１に模式的に示す装置において、レーザとしてネオジ
ウムＹＡＧレーザの２倍高調波レーザ（波長０．５３μ
ｍ）を用いる。量子効率の極めて小さい基板として、ア
ルミナを用いる。その上に、蒸着により、６ホウ化ラン
タンからなるパターンを形成する。このような基板に、
ピークパワー１ＭＷの照射エネルギーでレーザ光を照射
する。カソードとアノードとの間に印加される高調波加
速電圧は１ＭＶである。これにより、ＰＭＭＡ（ポリメ
チルメタクリート）レジストの露光を行なうことができ
る。
ウムＹＡＧレーザの２倍高調波レーザ（波長０．５３μ
ｍ）を用いる。量子効率の極めて小さい基板として、ア
ルミナを用いる。その上に、蒸着により、６ホウ化ラン
タンからなるパターンを形成する。このような基板に、
ピークパワー１ＭＷの照射エネルギーでレーザ光を照射
する。カソードとアノードとの間に印加される高調波加
速電圧は１ＭＶである。これにより、ＰＭＭＡ（ポリメ
チルメタクリート）レジストの露光を行なうことができ
る。
【００１７】実施例２ 図２に模式的に示す装置において、レーザとしてネオジ
ウムＹＡＧレーザの２倍高調波レーザ（波長０．５３μ
ｍ）を用いる。カソードは、６ホウ化ランタンから構成
される。カソードに、レーザ光スキャン装置によってレ
ーザ光を走査しながらピークパワー１ＭＷの照射エネル
ギーでレーザ光を照射する。高調波加速電圧は１ＭＶで
ある。これにより、ＰＭＭＡレジストの露光を行なうこ
とができる。
ウムＹＡＧレーザの２倍高調波レーザ（波長０．５３μ
ｍ）を用いる。カソードは、６ホウ化ランタンから構成
される。カソードに、レーザ光スキャン装置によってレ
ーザ光を走査しながらピークパワー１ＭＷの照射エネル
ギーでレーザ光を照射する。高調波加速電圧は１ＭＶで
ある。これにより、ＰＭＭＡレジストの露光を行なうこ
とができる。
【００１８】実施例３ 図３に模式的に示す装置において、レーザとしてネオジ
ウムＹＡＧレーザの２倍高調波レーザ（波長０．５３μ
ｍ）を用いる。カソードは、６ホウ化ランタンから構成
する。光マスクとして、所望のパターンに形成された光
学窓を有するステンレス鋼から構成されたマスクを用い
る。レーザ光をマスクを介してカソードにピークパワー
１ＭＷのエネルギーで照射する。高調波加速電圧は１Ｍ
Ｖである。これにより、ＰＭＭＡレジストの露光を行な
うことができる。
ウムＹＡＧレーザの２倍高調波レーザ（波長０．５３μ
ｍ）を用いる。カソードは、６ホウ化ランタンから構成
する。光マスクとして、所望のパターンに形成された光
学窓を有するステンレス鋼から構成されたマスクを用い
る。レーザ光をマスクを介してカソードにピークパワー
１ＭＷのエネルギーで照射する。高調波加速電圧は１Ｍ
Ｖである。これにより、ＰＭＭＡレジストの露光を行な
うことができる。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
試料台を移動させずに電子線の露光を行なうことができ
る。また本発明によれば、照射する電子ビームの断面形
状を容易に加工することができ、所望のパターンの電子
線露光を一度に行なうこともできる。本発明によれば、
電子線露光の高速化を図ることができる。したがって、
本発明を半導体デバイスの生産に利用すれば、スループ
ットを稼ぐことができ、経済的である。
試料台を移動させずに電子線の露光を行なうことができ
る。また本発明によれば、照射する電子ビームの断面形
状を容易に加工することができ、所望のパターンの電子
線露光を一度に行なうこともできる。本発明によれば、
電子線露光の高速化を図ることができる。したがって、
本発明を半導体デバイスの生産に利用すれば、スループ
ットを稼ぐことができ、経済的である。
【図１】本発明の一具体例を説明するための模式図であ
る。
る。
【図２】本発明のもう１つの具体例を示す模式図であ
る。
る。
【図３】本発明の他の具体例を示す模式図である。
１ カソード ２ アノード ３ 電源 ４ 電子レンズ ５ 試料 ６ 光電子ビーム ７ レーザ光 ８ レーザ装置 ９ 基板 １０ 量子効率の大きな物質 １１ レーザ光スキャン装置 １２ 光マスク
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０３Ｆ 7/20 ５２１ Ｇ２１Ｋ 5/04 Ｍ Ｈ０１Ｊ 37/305 Ｂ 9508−2Ｇ Ｈ０１Ｌ 21/027
Claims (3)
- 【請求項１】 対象材料の所定の部分に電子銃からの電
子線を選択的に照射する装置であって、 前記電子銃が、レーザと、レーザ光を照射して光電子を
放出させるためのカソードとを備え、 前記カソードが、量子効率の異なる複数の材料からな
り、 前記カソードにレーザ光を照射することによって、量子
効率の高い部分からのみ光電子を放出させ、前記光電子
が放出される部分のパターンに応じた電子線露光を行な
うことを特徴とする、電子線露光装置。 - 【請求項２】 対象材料の所定の部分に電子銃からの電
子線を選択的に照射する装置であって、 前記電子銃が、レーザと、レーザ光を照射して光電子を
放出させるためのカソードとを備え、 前記レーザ光を走査しながら前記カソードに照射するこ
とにより、前記カソードの所定の部分から光電子を放出
させ、前記走査パターンに応じた電子線露光を行なうこ
とを特徴とする、電子線露光装置。 - 【請求項３】 対象材料の所定の部分に電子銃からの電
子線を選択的に照射する装置であって、 前記電子銃が、レーザと、レーザ光を照射することによ
り光電子を放出させるためのカソードと、前記レーザと
前記カソードとの間に設けられるマスクとを備え、 前記マスクを介してレーザ光を前記カソードに照射する
ことにより、前記マスクのパターンに従った前記カソー
ドの部分から光電子を放出させ、前記マスクのパターン
に応じた電子線露光を行なうことを特徴とする、電子線
露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7003847A JPH08190883A (ja) | 1995-01-13 | 1995-01-13 | 電子線露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7003847A JPH08190883A (ja) | 1995-01-13 | 1995-01-13 | 電子線露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08190883A true JPH08190883A (ja) | 1996-07-23 |
Family
ID=11568585
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7003847A Withdrawn JPH08190883A (ja) | 1995-01-13 | 1995-01-13 | 電子線露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08190883A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007500924A (ja) * | 2003-07-31 | 2007-01-18 | アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド | イオンビームガイド内の光電子を使用してイオンビームを閉じ込めるための装置および方法 |
| JP2008052909A (ja) * | 2006-08-22 | 2008-03-06 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | イオンビーム源装置 |
| KR101104484B1 (ko) * | 2009-07-06 | 2012-01-12 | 포항공과대학교 산학협력단 | 펨토초 전자빔 발생장치 |
| JP2015204404A (ja) * | 2014-04-15 | 2015-11-16 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチビーム描画方法およびマルチビーム描画装置 |
-
1995
- 1995-01-13 JP JP7003847A patent/JPH08190883A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007500924A (ja) * | 2003-07-31 | 2007-01-18 | アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド | イオンビームガイド内の光電子を使用してイオンビームを閉じ込めるための装置および方法 |
| JP2008052909A (ja) * | 2006-08-22 | 2008-03-06 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | イオンビーム源装置 |
| KR101104484B1 (ko) * | 2009-07-06 | 2012-01-12 | 포항공과대학교 산학협력단 | 펨토초 전자빔 발생장치 |
| JP2015204404A (ja) * | 2014-04-15 | 2015-11-16 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチビーム描画方法およびマルチビーム描画装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
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