JPH0818390A - 弾性表面波装置 - Google Patents
弾性表面波装置Info
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- JPH0818390A JPH0818390A JP6173225A JP17322594A JPH0818390A JP H0818390 A JPH0818390 A JP H0818390A JP 6173225 A JP6173225 A JP 6173225A JP 17322594 A JP17322594 A JP 17322594A JP H0818390 A JPH0818390 A JP H0818390A
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】弾性表面波装置の小型化，コスト低減化を図
る。 【構成】弾性表面波素子のＩＤＴ電極面の周縁部に、Ｉ
ＤＴ電極２の膜厚より厚い周囲金属膜４を設け、ＩＤＴ
２の端子電極３に対向する基板１２側に設けた端子導体
９及び周囲金属膜４に対向して設けた周囲接地導体１０
に面接合するように構成した。 【効果】パッケージが不要になるため小形化，薄型化が
実現されるとともに、素子の固定，電極の接続，気密封
止が一つの工程で同時に行えるので工数も節減される。
る。 【構成】弾性表面波素子のＩＤＴ電極面の周縁部に、Ｉ
ＤＴ電極２の膜厚より厚い周囲金属膜４を設け、ＩＤＴ
２の端子電極３に対向する基板１２側に設けた端子導体
９及び周囲金属膜４に対向して設けた周囲接地導体１０
に面接合するように構成した。 【効果】パッケージが不要になるため小形化，薄型化が
実現されるとともに、素子の固定，電極の接続，気密封
止が一つの工程で同時に行えるので工数も節減される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、通信機器の高周波機能
部品として用いられる弾性表面波装置に関するものであ
る。
部品として用いられる弾性表面波装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】弾性表面波を利用したデバイス、例え
ば、共振子，フィルタ等の弾性表面波素子（チップ）を
収容した弾性表面波装置は、素子の振動する電極面を中
空で、かつ、気密に保つため素子をセラミック等のパッ
ケージに収容して溶接により封止する構造を有してい
る。図４は従来の構造例を示す断面図である。図におい
て、１３は弾性表面波素子であり、上面にすだれ状の変
換器電極とその端子電極が設けられている。１７はパッ
ケージ、１４はパッケージ１７の内部の端子電極であ
り、ボンディングワイヤ１６によって素子１３の端子電
極に接続されている。１５は、キャップである。
ば、共振子，フィルタ等の弾性表面波素子（チップ）を
収容した弾性表面波装置は、素子の振動する電極面を中
空で、かつ、気密に保つため素子をセラミック等のパッ
ケージに収容して溶接により封止する構造を有してい
る。図４は従来の構造例を示す断面図である。図におい
て、１３は弾性表面波素子であり、上面にすだれ状の変
換器電極とその端子電極が設けられている。１７はパッ
ケージ、１４はパッケージ１７の内部の端子電極であ
り、ボンディングワイヤ１６によって素子１３の端子電
極に接続されている。１５は、キャップである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】一般に、従来の弾性表
面波装置は、セラミックパッケージ等が高価であり装置
のコストの大きな割合を占めているため、価格の低減に
限度がある。また、図４に示した従来の表面実装形のセ
ラミックパッケージの場合も、弾性表面波素子の１チッ
プを１パッケージに収容するため、小型化の限界はパッ
ケージ１７の大きさにより決定されている。また、装置
の高さについては、ボンディングワイヤ１６とキャップ
１５とが接触しないように空間部が必要なことと、パッ
ケージ１７自体の底面部の厚さのため、薄型化にも制約
がある。さらに、弾性表面波素子（チップ）１３を他の
ＩＣ回路等と共にパッケージに収容して封止する場
合、、チップが裸のままでは、封止樹脂が振動する電極
表面に接触するため、所望の電気特性が得られない場合
がある。一方、上記の素子実装の製造工程は、大きく分
けてダイボンディング，ワイヤボンディング，気密封止
の３つの工程からなり、製造コスト面でも、工数面で
も、工程がより少ない方が望ましい。
面波装置は、セラミックパッケージ等が高価であり装置
のコストの大きな割合を占めているため、価格の低減に
限度がある。また、図４に示した従来の表面実装形のセ
ラミックパッケージの場合も、弾性表面波素子の１チッ
プを１パッケージに収容するため、小型化の限界はパッ
ケージ１７の大きさにより決定されている。また、装置
の高さについては、ボンディングワイヤ１６とキャップ
１５とが接触しないように空間部が必要なことと、パッ
ケージ１７自体の底面部の厚さのため、薄型化にも制約
がある。さらに、弾性表面波素子（チップ）１３を他の
ＩＣ回路等と共にパッケージに収容して封止する場
合、、チップが裸のままでは、封止樹脂が振動する電極
表面に接触するため、所望の電気特性が得られない場合
がある。一方、上記の素子実装の製造工程は、大きく分
けてダイボンディング，ワイヤボンディング，気密封止
の３つの工程からなり、製造コスト面でも、工数面で
も、工程がより少ない方が望ましい。
【０００４】本発明の目的は、従来技術の問題点の高価
なパッケージを排除し、弾性表面波素子等の振動する電
極面に振動可能な空間部が確保され、気密に保ちながら
小型化，薄型化でき、さらに、製造工程が少ない弾性表
面波装置を提供することにある。
なパッケージを排除し、弾性表面波素子等の振動する電
極面に振動可能な空間部が確保され、気密に保ちながら
小型化，薄型化でき、さらに、製造工程が少ない弾性表
面波装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の弾性表面波装置
は、振動するＩＤＴ電極の周囲のすべて、あるいは接続
端子を除いた周囲に、ＩＤＴ電極と同じかまたは他の金
属膜を設けることにより銀（Ａｇ）ペースト等の導電性
接着剤を用い素子の固定と電極部の接続および気密封止
を同時に行えるようにしたことを要旨とするものであ
る。
は、振動するＩＤＴ電極の周囲のすべて、あるいは接続
端子を除いた周囲に、ＩＤＴ電極と同じかまたは他の金
属膜を設けることにより銀（Ａｇ）ペースト等の導電性
接着剤を用い素子の固定と電極部の接続および気密封止
を同時に行えるようにしたことを要旨とするものであ
る。
【０００６】
【実施例】以下図面により本発明の詳細を説明する。代
表例として、素子が弾性表面波共振子の場合について述
べる。図１は本発明の第１の実施例を示す説明用斜視図
である。図において、１は圧電基板、２は圧電基板１の
上に形成されたすだれ状電極（Inter Digtal Transduce
r ，以下ＩＤＴと略す）、３は接続用端子電極、４はＩ
ＤＴ電極１，端子電極３と同じ材質の金属かあるいは他
の金属で周囲を囲むように設けた周囲金属膜である。一
方、９は端子導体、１０は周囲接地導体であり、絶縁性
の実装基板１２上に配設されている。１１は配線導体で
あり、多層構成の実装基板１２の内層に配設されて外部
回路との接続に用いられる。実装基板１２の端子導体
９，周囲接地導体１０に導電性接着剤をスクリーン印刷
法等により塗布し、弾性表面波素子を電極面を下にし、
端子電極３と端子導体９、及び周囲金属膜４と周囲接地
導体１０を対向させ精度よく位置を合わせて接着する。
その後、加熱硬化してチップと基板を密着させて実装す
る。以上の工程によって、チップの固定，電極の接続，
気密封止実装を同時に行うことができる。
表例として、素子が弾性表面波共振子の場合について述
べる。図１は本発明の第１の実施例を示す説明用斜視図
である。図において、１は圧電基板、２は圧電基板１の
上に形成されたすだれ状電極（Inter Digtal Transduce
r ，以下ＩＤＴと略す）、３は接続用端子電極、４はＩ
ＤＴ電極１，端子電極３と同じ材質の金属かあるいは他
の金属で周囲を囲むように設けた周囲金属膜である。一
方、９は端子導体、１０は周囲接地導体であり、絶縁性
の実装基板１２上に配設されている。１１は配線導体で
あり、多層構成の実装基板１２の内層に配設されて外部
回路との接続に用いられる。実装基板１２の端子導体
９，周囲接地導体１０に導電性接着剤をスクリーン印刷
法等により塗布し、弾性表面波素子を電極面を下にし、
端子電極３と端子導体９、及び周囲金属膜４と周囲接地
導体１０を対向させ精度よく位置を合わせて接着する。
その後、加熱硬化してチップと基板を密着させて実装す
る。以上の工程によって、チップの固定，電極の接続，
気密封止実装を同時に行うことができる。
【０００７】この時、ＩＤＴ２と基板１２との間に１０
００Å以上の空間部が確保される。すなわち、基板１２
のＩＤＴ２と対向する部分を、端子導体９と周囲接地導
体１０よりも掘り下げた構造、又はＩＤＴ２の厚さより
も、端子電極３と周囲金属膜４を厚くする構造、あるい
は、導電性接着剤の厚みにより、この空間部を確保す
る。
００Å以上の空間部が確保される。すなわち、基板１２
のＩＤＴ２と対向する部分を、端子導体９と周囲接地導
体１０よりも掘り下げた構造、又はＩＤＴ２の厚さより
も、端子電極３と周囲金属膜４を厚くする構造、あるい
は、導電性接着剤の厚みにより、この空間部を確保す
る。
【０００８】図２は本発明の第２の実施例を示す素子側
の平面図である。この実施例では、周期金属膜５は、圧
電基板１上に施されたＩＤＴ２の一方の端子電極３に対
する他の端子電極と連接されている。この場合も、図１
の第１の実施例と同様に、基板１２側の上記素子側電極
に対向する部分に端子導体と周囲接地導体とを設けて接
合し、ＩＤＴ２と対向する基板１２との間に１０００Å
以上の空間部が設けられている。
の平面図である。この実施例では、周期金属膜５は、圧
電基板１上に施されたＩＤＴ２の一方の端子電極３に対
する他の端子電極と連接されている。この場合も、図１
の第１の実施例と同様に、基板１２側の上記素子側電極
に対向する部分に端子導体と周囲接地導体とを設けて接
合し、ＩＤＴ２と対向する基板１２との間に１０００Å
以上の空間部が設けられている。
【０００９】図３（ａ）は本発明の第３の実施例を示す
素子側の平面図である。この実施例は、圧電基板１上に
施されたＩＤＴ２の一方の端子電極６が周期金属膜７の
一部をなすような位置に設けられている。そして、その
端子電極６と周囲金属膜７との間に１００μｍ以下の間
隙８が設けられている。この実施例の場合、端子電極６
は周囲金属膜７の内側に囲まれていないため、対向する
基板１２は配線導体の接続が容易であるため、多層構成
でなくてよい。この場合も、図１，図２の実施例と同様
に、ＩＤＴ２と対向する基板１２との間に１０００Å以
上の空間部が設けられている。また、この場合は、導電
性接着剤を用いて基板１２に実装したとき、間隙８があ
るために完全な気密封止にはならないが、間隙８は１０
０μｍ以下であるので、他のＩＣ回路等と同時に樹脂封
止して実用に供することができる。
素子側の平面図である。この実施例は、圧電基板１上に
施されたＩＤＴ２の一方の端子電極６が周期金属膜７の
一部をなすような位置に設けられている。そして、その
端子電極６と周囲金属膜７との間に１００μｍ以下の間
隙８が設けられている。この実施例の場合、端子電極６
は周囲金属膜７の内側に囲まれていないため、対向する
基板１２は配線導体の接続が容易であるため、多層構成
でなくてよい。この場合も、図１，図２の実施例と同様
に、ＩＤＴ２と対向する基板１２との間に１０００Å以
上の空間部が設けられている。また、この場合は、導電
性接着剤を用いて基板１２に実装したとき、間隙８があ
るために完全な気密封止にはならないが、間隙８は１０
０μｍ以下であるので、他のＩＣ回路等と同時に樹脂封
止して実用に供することができる。
【００１０】図３（ｂ）は本発明の第４の実施例を示す
素子側の平面図であり、ＩＤＴ２の端子電極６の両方が
接地から絶縁されている場合である。従って、周囲金属
膜７’は端子電極６の部分で分断されている。
素子側の平面図であり、ＩＤＴ２の端子電極６の両方が
接地から絶縁されている場合である。従って、周囲金属
膜７’は端子電極６の部分で分断されている。
【００１１】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、従来のようなパッケージを必要としないため、コ
ストが低減され、外形寸法をより小型化，薄型化するこ
とができる。また、素子の固定，電極の接続，気密封止
が同時に行えるため、工程数も大幅に減り製造コストが
低減されるという利点がある。
れば、従来のようなパッケージを必要としないため、コ
ストが低減され、外形寸法をより小型化，薄型化するこ
とができる。また、素子の固定，電極の接続，気密封止
が同時に行えるため、工程数も大幅に減り製造コストが
低減されるという利点がある。
【図１】本発明の第１の実施例を説明する斜視図であ
る。
る。
【図２】本発明の第２の実施例を示す素子の平面図であ
る。
る。
【図３】本発明の第３及び第４の実施例を示す素子の平
面図である。
面図である。
【図４】従来構成の断面図である。
１ 圧電基板 ２ ＩＤＴ ３ 端子電極 ４ 周囲金属膜 ５ 周囲金属膜 ６ 端子電極 ７，７’ 周囲金属膜 ８ 間隙 ９ 端子導体 １０ 周囲接地導体 １１ 配線導体 １２ 基板 １３ 弾性表面波素子 １４ 端子電極 １５ キャップ １６ ボンディングワイヤ １７ パッケージ
Claims (8)
- 【請求項１】 圧電基板と、該圧電基板上に配設された
すだれ状電極と、該すだれ状電極に連接し該すだれ状電
極の厚さより厚い２つの端子電極と、該端子電極の厚さ
と等しい厚さで、前記すだれ状電極と前記２つの端子電
極の周囲を取り囲むように前記圧電基板の周縁部に配設
された周囲金属膜とからなる弾性表面波素子と、 該弾性表面波素子を実装するための絶縁性の実装基板と
を備え、 前記実装基板は、前記２つの端子電極と前記周囲金属膜
に対向する部分にそれぞれ端子導体と周囲接地導体とが
配設され、 前記弾性表面波素子の電極面と前記実装基板の導体面と
を対向させて導電性接着剤により面接合してなることを
特徴とする弾性表面波装置。 - 【請求項２】 前記２つの端子電極の一方の端子電極が
前記周囲金属膜に接続されたことを特徴とする請求項１
記載の弾性表面波装置。 - 【請求項３】 前記２つの端子電極の一方の端子電極が
前記周囲金属膜に接続され、他方の端子電極は前記周囲
金属膜の一部をなすような位置に間隙をおいて設けられ
たことを特徴とする請求項１記載の弾性表面波装置。 - 【請求項４】 前記２つの端子電極が前記周囲金属膜の
一部をなすような位置にそれぞれ間隙をおいて設けられ
たことを特徴とする請求項１記載の弾性表面波装置。 - 【請求項５】 圧電基板と、該圧電基板上に配設された
すだれ状電極と、該すだれ状電極に連接した２つの端子
電極と、前記すだれ状電極と前記２つの端子電極の周囲
を取り囲むように前記圧電基板の周縁部に配設された周
囲金属膜とからなる弾性表面波素子と、 該弾性表面波素子を実装するための絶縁性の実装基板と
を備え、 前記実装基板は、前記２つの端子電極と前記周囲金属膜
に対向する部分にそれぞれ端子導体と周囲接地導体とが
配設されるとともに、前記すだれ状電極に対向する部分
が掘り下げられて弾性表面波振動を妨げないための空間
部が設けられ、 前記弾性表面波素子の電極面と前記実装基板の導体面と
を対向させて導電性接着剤により面接合してなることを
特徴とする弾性表面波装置。 - 【請求項６】 前記２つの端子電極の一方の端子電極が
前記周囲金属膜に接続されたことを特徴とする請求項５
記載の弾性表面波装置。 - 【請求項７】 前記２つの端子電極の一方の端子電極が
前記周囲金属膜に接続され、他方の端子電極は前記周囲
金属膜の一部をなすような位置に間隙をおいて設けられ
たことを特徴とする請求項５記載の弾性表面波装置。 - 【請求項８】 前記２つの端子電極が前記周囲金属膜の
一部をなすような位置にそれぞれ間隙をおいて設けられ
たことを特徴とする請求項５記載の弾性表面波装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6173225A JPH0818390A (ja) | 1994-07-01 | 1994-07-01 | 弾性表面波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6173225A JPH0818390A (ja) | 1994-07-01 | 1994-07-01 | 弾性表面波装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0818390A true JPH0818390A (ja) | 1996-01-19 |
Family
ID=15956466
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6173225A Pending JPH0818390A (ja) | 1994-07-01 | 1994-07-01 | 弾性表面波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0818390A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6621379B1 (en) * | 2001-11-29 | 2003-09-16 | Clarisay, Incorporated | Hermetic package for surface acoustic wave device and method of manufacturing the same |
| DE10146655B4 (de) * | 2001-03-30 | 2004-08-12 | Fujitsu Media Devices Ltd., Suzaka | Oberflächenakustikwellenvorrichtung |
| EP1471635A2 (en) | 2003-03-31 | 2004-10-27 | Fujitsu Media Devices Limited | Surface acoustic wave device and method of fabricating the same |
| JP2006108993A (ja) * | 2004-10-04 | 2006-04-20 | Hitachi Media Electoronics Co Ltd | 表面弾性波デバイスおよびその製造方法 |
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| US7863529B2 (en) | 2007-11-05 | 2011-01-04 | Seiko Epson Corporation | Electronic component |
-
1994
- 1994-07-01 JP JP6173225A patent/JPH0818390A/ja active Pending
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