JPH08176224A - エチレン−α−オレフィン共重合体の製造方法 - Google Patents
エチレン−α−オレフィン共重合体の製造方法Info
- Publication number
- JPH08176224A JPH08176224A JP32448994A JP32448994A JPH08176224A JP H08176224 A JPH08176224 A JP H08176224A JP 32448994 A JP32448994 A JP 32448994A JP 32448994 A JP32448994 A JP 32448994A JP H08176224 A JPH08176224 A JP H08176224A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- bis
- ethylene
- compound
- titanium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Transition And Organic Metals Composition Catalysts For Addition Polymerization (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 分子量分布の広いエチレンーαーオレフィン
共重合体の製造方法を提供する。 【構成】 一般式Ｍ〔Ｎ（ＳｉＲ1 Ｒ2 Ｒ3 ）a （Ｓｉ
Ｒ4 Ｒ5 Ｒ6 ）b Ｒ7 c〕1 Ｒ8 m Ｘn （式中、Ｒ1 〜
Ｒ7 はアルキル基又はアリル基、Ｒ8 はアルキル基，ア
リル基，アルコキシ基，アリロキシ基，アミド基，アリ
ルアミド基，シリル基，ホスフィド基又はアリルホスフ
ィド基、Ｘはハロゲン原子又はハイドライドを表わし、
Ｍはチタニウム, ジルコニウム又はハフニウム原子を表
わす。）で表される遷移金属化合物、及び（Ｂ）有機ア
ルミニウム化合物を含有する触媒を使用するエチレンー
αーオレフィン共重合体の製造方法
共重合体の製造方法を提供する。 【構成】 一般式Ｍ〔Ｎ（ＳｉＲ1 Ｒ2 Ｒ3 ）a （Ｓｉ
Ｒ4 Ｒ5 Ｒ6 ）b Ｒ7 c〕1 Ｒ8 m Ｘn （式中、Ｒ1 〜
Ｒ7 はアルキル基又はアリル基、Ｒ8 はアルキル基，ア
リル基，アルコキシ基，アリロキシ基，アミド基，アリ
ルアミド基，シリル基，ホスフィド基又はアリルホスフ
ィド基、Ｘはハロゲン原子又はハイドライドを表わし、
Ｍはチタニウム, ジルコニウム又はハフニウム原子を表
わす。）で表される遷移金属化合物、及び（Ｂ）有機ア
ルミニウム化合物を含有する触媒を使用するエチレンー
αーオレフィン共重合体の製造方法
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、エチレンーαーオレフ
ィン共重合体の製造方法に関する。より詳しくは広分子
量分布を持ったエチレンーαーオレフィン共重合体の製
造方法に関するものである。
ィン共重合体の製造方法に関する。より詳しくは広分子
量分布を持ったエチレンーαーオレフィン共重合体の製
造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般にエチレンーαーオレフィン共重合
体を製造する方法としては，周期律表の第IV〜VI族の遷
移金属化合物と第Ｉ〜III 族の有機金属化合物とからな
る不均一系触媒である所謂チーグラーナッタ触媒を使用
する方法が広く知られている。一方、ジルコニウム化合
物およびハフニウム化合物とアルミニウム化合物からな
る均一触媒系を用いる方法として、ジルコニウムおよび
ハフニウムのメタロセン化合物とアルミノキサンからな
る触媒系を用いる方法が提案されている（特開昭５８−
１９３０９号公報）。これらの触媒系における共重合体
は分子量分布、組成ともに狭く透明性の点においては好
ましいが、加工性の点からは分子量分布が広いものが望
まれている。そこで第IV族遷移金属−窒素結合を持つ化
合物を用いてエチレン−α−オレフィン共重合体を製造
することが提案されている（特開平２−７７４１２号公
報）が、分子量分布の拡大については未だ不十分であ
る。更に、ＷＯ９２／１２１６２号ではメチルアルミノ
キサンを使用することが提案されているが、アルミノキ
サンは高価でありかつ多量に使用するため経済的及びポ
リマー中に残査として残ることにおいて好ましくなく、
アルミノキサンの使用量の削減が望まれている。
体を製造する方法としては，周期律表の第IV〜VI族の遷
移金属化合物と第Ｉ〜III 族の有機金属化合物とからな
る不均一系触媒である所謂チーグラーナッタ触媒を使用
する方法が広く知られている。一方、ジルコニウム化合
物およびハフニウム化合物とアルミニウム化合物からな
る均一触媒系を用いる方法として、ジルコニウムおよび
ハフニウムのメタロセン化合物とアルミノキサンからな
る触媒系を用いる方法が提案されている（特開昭５８−
１９３０９号公報）。これらの触媒系における共重合体
は分子量分布、組成ともに狭く透明性の点においては好
ましいが、加工性の点からは分子量分布が広いものが望
まれている。そこで第IV族遷移金属−窒素結合を持つ化
合物を用いてエチレン−α−オレフィン共重合体を製造
することが提案されている（特開平２−７７４１２号公
報）が、分子量分布の拡大については未だ不十分であ
る。更に、ＷＯ９２／１２１６２号ではメチルアルミノ
キサンを使用することが提案されているが、アルミノキ
サンは高価でありかつ多量に使用するため経済的及びポ
リマー中に残査として残ることにおいて好ましくなく、
アルミノキサンの使用量の削減が望まれている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の解決すべき課
題は、分子量分布の広いエチレンーαーオレフィン共重
合体の製造方法を提供することにある。更には、アルミ
ノキサンを使用する場合にも少量の使用により分子量分
布の広いエチレンーαーオレフィン共重合体の製造方法
を提供することにある。
題は、分子量分布の広いエチレンーαーオレフィン共重
合体の製造方法を提供することにある。更には、アルミ
ノキサンを使用する場合にも少量の使用により分子量分
布の広いエチレンーαーオレフィン共重合体の製造方法
を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、かかる現
状に艦み、珪素ー窒素ー金属結合を有する化合物と、有
機アルミニウム化合物からなる触媒系について鋭意検討
した結果、新規な触媒系を見いだし、さらに該触媒を用
いてエチレンーαーオレフィン共重合体を製造する方法
を見いだし、本発明を完成させるに至った。
状に艦み、珪素ー窒素ー金属結合を有する化合物と、有
機アルミニウム化合物からなる触媒系について鋭意検討
した結果、新規な触媒系を見いだし、さらに該触媒を用
いてエチレンーαーオレフィン共重合体を製造する方法
を見いだし、本発明を完成させるに至った。
【０００５】すなわち、本発明は、一般式Ｍ〔Ｎ（Ｓｉ
Ｒ1 Ｒ2 Ｒ3 ）a （ＳｉＲ4 Ｒ5 Ｒ 6 ）b Ｒ7 c 〕1 Ｒ
8 m Ｘn （式中、Ｒ1 〜Ｒ7 は同一でも異なっても良
く、各々アルキル基又はアリル基を表わし、Ｒ8 はアル
キル基，アリル基，アルコキシ基，アリロキシ基，アミ
ド基，アリルアミド基，シリル基，ホスフィド基又はア
リルホスフィド基を表わす。Ｘはハロゲン原子又は水素
原子を表わし、Ｍはチタニウム, ジルコニウム又はハフ
ニウム原子を表わす。ｌは１≦ｌ≦４，ｍは０≦ｍ≦
３，ｎは０≦ｎ≦３, ｌ＋ｍ＋ｎ＝４，ａ＋ｂ＋ｃ＝
２，ａは１または２、ｂは０または１，ｃは０または１
の整数を表わす。）で表される遷移金属化合物、及び
（Ｂ）有機アルミニウム化合物を含有する触媒を使用す
るエチレンーαーオレフィン共重合体の製造方法に係る
ものである。以下に本発明を詳細に説明する。
Ｒ1 Ｒ2 Ｒ3 ）a （ＳｉＲ4 Ｒ5 Ｒ 6 ）b Ｒ7 c 〕1 Ｒ
8 m Ｘn （式中、Ｒ1 〜Ｒ7 は同一でも異なっても良
く、各々アルキル基又はアリル基を表わし、Ｒ8 はアル
キル基，アリル基，アルコキシ基，アリロキシ基，アミ
ド基，アリルアミド基，シリル基，ホスフィド基又はア
リルホスフィド基を表わす。Ｘはハロゲン原子又は水素
原子を表わし、Ｍはチタニウム, ジルコニウム又はハフ
ニウム原子を表わす。ｌは１≦ｌ≦４，ｍは０≦ｍ≦
３，ｎは０≦ｎ≦３, ｌ＋ｍ＋ｎ＝４，ａ＋ｂ＋ｃ＝
２，ａは１または２、ｂは０または１，ｃは０または１
の整数を表わす。）で表される遷移金属化合物、及び
（Ｂ）有機アルミニウム化合物を含有する触媒を使用す
るエチレンーαーオレフィン共重合体の製造方法に係る
ものである。以下に本発明を詳細に説明する。
【０００６】本発明で使用する触媒成分（Ａ）は、一般
式Ｍ〔Ｎ（ＳｉＲ1 Ｒ2 Ｒ3)a (ＳｉＲ4 Ｒ5 Ｒ6)b Ｒ
7 c 〕l Ｒ8 m Ｘn（式中、Ｒ1 〜Ｒ7 は同一でも異な
っても良く、各々アルキル基又はアリル基を表わし、Ｒ
8 はアルキル基，アリル基，アルコキシ基，アリロキシ
基，アミド基，アリルアミド基，シリル基，ホスフィド
基又はアリルホスフィド基を表わす。Ｘはハロゲン原子
又は水素原子を表わし、Ｍはチタニウム, ジルコニウム
又はハフニウム原子を表わす。ｌは１≦ｌ≦４，ｍは０
≦ｍ≦３，ｎは０≦ｎ≦３, ｌ＋ｍ＋ｎ＝４，ａ＋ｂ＋
ｃ＝２，ａは１または２、ｂは０または１，ｃは０また
は１の整数を表わす。）で表される化合物である。ここ
にＲ1 〜Ｒ7 としては、メチル基，エチル基、フェニル
基等が例示できるが好ましくはメチル基であり、Ｘとし
ては塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、水素原子等が例
示できるが好ましくは塩素原子である。またＲ8 はメチ
ル基、エチル基、メトキシ基、エトキシ基、ジメチルア
ミド基、ジエチルアミド基、トリメチルシリル基、ジメ
チルホスフィン等が例示できるが好ましくはジエチルア
ミド基である。Ｍはチタニウム、ジルコニウム又はハフ
ニウム原子の中から選ばれるが、好ましくはチタニウム
原子である。またｌは２、ｍは２、ａ＋ｂ＝２が好まし
い。以上例示したが触媒性能の観点からは特に制限はな
い。
式Ｍ〔Ｎ（ＳｉＲ1 Ｒ2 Ｒ3)a (ＳｉＲ4 Ｒ5 Ｒ6)b Ｒ
7 c 〕l Ｒ8 m Ｘn（式中、Ｒ1 〜Ｒ7 は同一でも異な
っても良く、各々アルキル基又はアリル基を表わし、Ｒ
8 はアルキル基，アリル基，アルコキシ基，アリロキシ
基，アミド基，アリルアミド基，シリル基，ホスフィド
基又はアリルホスフィド基を表わす。Ｘはハロゲン原子
又は水素原子を表わし、Ｍはチタニウム, ジルコニウム
又はハフニウム原子を表わす。ｌは１≦ｌ≦４，ｍは０
≦ｍ≦３，ｎは０≦ｎ≦３, ｌ＋ｍ＋ｎ＝４，ａ＋ｂ＋
ｃ＝２，ａは１または２、ｂは０または１，ｃは０また
は１の整数を表わす。）で表される化合物である。ここ
にＲ1 〜Ｒ7 としては、メチル基，エチル基、フェニル
基等が例示できるが好ましくはメチル基であり、Ｘとし
ては塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、水素原子等が例
示できるが好ましくは塩素原子である。またＲ8 はメチ
ル基、エチル基、メトキシ基、エトキシ基、ジメチルア
ミド基、ジエチルアミド基、トリメチルシリル基、ジメ
チルホスフィン等が例示できるが好ましくはジエチルア
ミド基である。Ｍはチタニウム、ジルコニウム又はハフ
ニウム原子の中から選ばれるが、好ましくはチタニウム
原子である。またｌは２、ｍは２、ａ＋ｂ＝２が好まし
い。以上例示したが触媒性能の観点からは特に制限はな
い。
【０００７】次に、かかる遷移金属化合物の具体例をあ
げる。チタニウム化合物としては、ヘキサメチルジシリ
ルアミドチタニウムトリクロライド、ビス（ヘキサメチ
ルジシリルアミド）チタニウムジクロライド、トリス
（ヘキサメチルジシリルアミド）チタニウムクロライ
ド、テトラキス（ヘキサメチルジシリルアミド）チタニ
ウム、ヘキサエチルシジリルアミドチタニウムトリクロ
ライド、ビス（ヘキサエチルジシリルアミド）チタニウ
ムジクロライド、トリス（ヘキサエチルジシリルアミ
ド）チタニウムクロライド、ビス（ジエチルアミド）ビ
ス（ヘキサメチルジシリルアミド）チタニウム、ビス
（ジノルマルオクチルアミド）ビス（ヘキサメチルジシ
リルアミド）チタニウム、ビス（ジエチルアミド）ビス
（ヘキサエチルジシリルアミド）チタニウム、（ジエチ
ルアミド）ビス（ヘキサメチルジシリルアミド）チタニ
ウムクロライド、（ジノルマルオクチルアミド）ビス
（ヘキサメチルジシリルアミド）チタニウムクロライ
ド、（ジエチルアミド）ビス（ヘキサエチルジシリルア
ミド）チタニウムクロライド、（ジノルマルオクチルア
ミド）ビス（ヘキサエチルジシリルアミド）チタニウム
クロライド、（メトキシ）トリス（ヘキサメチルジシリ
ルアミド）チタニウム、（エトキシ）トリス（ヘキサメ
チルジシリルアミド）チタニウム、（イソプロポキシ）
トリス（ヘキサメチルジシリルアミド）チタニウム等が
あげられる。
げる。チタニウム化合物としては、ヘキサメチルジシリ
ルアミドチタニウムトリクロライド、ビス（ヘキサメチ
ルジシリルアミド）チタニウムジクロライド、トリス
（ヘキサメチルジシリルアミド）チタニウムクロライ
ド、テトラキス（ヘキサメチルジシリルアミド）チタニ
ウム、ヘキサエチルシジリルアミドチタニウムトリクロ
ライド、ビス（ヘキサエチルジシリルアミド）チタニウ
ムジクロライド、トリス（ヘキサエチルジシリルアミ
ド）チタニウムクロライド、ビス（ジエチルアミド）ビ
ス（ヘキサメチルジシリルアミド）チタニウム、ビス
（ジノルマルオクチルアミド）ビス（ヘキサメチルジシ
リルアミド）チタニウム、ビス（ジエチルアミド）ビス
（ヘキサエチルジシリルアミド）チタニウム、（ジエチ
ルアミド）ビス（ヘキサメチルジシリルアミド）チタニ
ウムクロライド、（ジノルマルオクチルアミド）ビス
（ヘキサメチルジシリルアミド）チタニウムクロライ
ド、（ジエチルアミド）ビス（ヘキサエチルジシリルア
ミド）チタニウムクロライド、（ジノルマルオクチルア
ミド）ビス（ヘキサエチルジシリルアミド）チタニウム
クロライド、（メトキシ）トリス（ヘキサメチルジシリ
ルアミド）チタニウム、（エトキシ）トリス（ヘキサメ
チルジシリルアミド）チタニウム、（イソプロポキシ）
トリス（ヘキサメチルジシリルアミド）チタニウム等が
あげられる。
【０００８】ジルコニウム化合物としては、ヘキサメチ
ルジシリルアミドジルコニウムトリクロライド、ヘキサ
エチルシジリルアミドジルコニウムトリクロライド、ビ
ス（ヘキサエチルジシリルアミド）ジルコニウムジクロ
ライド、トリス（ヘキサエチルジシリルアミド）ジルコ
ニウムクロライド、ビス（ジエチルアミド）ビス（ヘキ
サメチルジシリルアミド）ジルコニウム、ビス（ジノル
マルオクチルアミド）ビス（ヘキサメチルジシリルアミ
ド）ジルコニウム、ビス（ジエチルアミド）ビス（ヘキ
サエチルジシリルアミド）ジルコニウム、ビス（ジノル
マルオクチルアミド）ビス（ヘキサエチルジシリルアミ
ド）ジルコニウム、（ジエチルアミド）ビス（ヘキサメ
チルジシリルアミド）ジルコニウムクロライド、（ジノ
ルマルオクチルアミド）ビス（ヘキサメチルジシリルア
ミド）ジルコニウムクロライド、（ジエチルアミド）ビ
ス（ヘキサエチルジシリルアミド）ジルコニウムクロラ
イド、（メトキシ）トリス（ヘキサメチルジシリルアミ
ド）ジルコニウム、（エトキシ）トリス（ヘキサメチル
ジシリルアミド）ジルコニウム、（イソプロポキシ）ト
リス（ヘキサメチルジシリルアミド）ジルコニウム等が
あげられる。
ルジシリルアミドジルコニウムトリクロライド、ヘキサ
エチルシジリルアミドジルコニウムトリクロライド、ビ
ス（ヘキサエチルジシリルアミド）ジルコニウムジクロ
ライド、トリス（ヘキサエチルジシリルアミド）ジルコ
ニウムクロライド、ビス（ジエチルアミド）ビス（ヘキ
サメチルジシリルアミド）ジルコニウム、ビス（ジノル
マルオクチルアミド）ビス（ヘキサメチルジシリルアミ
ド）ジルコニウム、ビス（ジエチルアミド）ビス（ヘキ
サエチルジシリルアミド）ジルコニウム、ビス（ジノル
マルオクチルアミド）ビス（ヘキサエチルジシリルアミ
ド）ジルコニウム、（ジエチルアミド）ビス（ヘキサメ
チルジシリルアミド）ジルコニウムクロライド、（ジノ
ルマルオクチルアミド）ビス（ヘキサメチルジシリルア
ミド）ジルコニウムクロライド、（ジエチルアミド）ビ
ス（ヘキサエチルジシリルアミド）ジルコニウムクロラ
イド、（メトキシ）トリス（ヘキサメチルジシリルアミ
ド）ジルコニウム、（エトキシ）トリス（ヘキサメチル
ジシリルアミド）ジルコニウム、（イソプロポキシ）ト
リス（ヘキサメチルジシリルアミド）ジルコニウム等が
あげられる。
【０００９】ハフニウム化合物としては、ヘキサメチル
ジシリルアミドハフニウムトリクロライド、ビス（ヘキ
サメチルジシリルアミド）ハフニウムジクロライド、ト
リス（ヘキサメチルジシリルアミド）ハフニウムクロラ
イド、テトラキス（ヘキサメチルジシリルアミド）ハフ
ニウム、ヘキサエチルシジリルアミドハフニウムトリク
ロライド、ビス（ヘキサエチルジシリルアミド）ハフニ
ウムジクロライド、トリス（ヘキサエチルジシリルアミ
ド）ハフニウムクロライド、ビス（ジエチルアミド）ビ
ス（ヘキサメチルジシリルアミド）ハフニウム、ビス
（ジノルマルオクチルアミド）ビス（ヘキサメチルジシ
リルアミド）ハフニウム、ビス（ジエチルアミド）ビス
（ヘキサエチルジシリルアミド）ハフニウム、ビス（ジ
ノルマルオクチルアミド）ビス（ヘキサエチルジシリル
アミド）ハフニウム、（ジエチルアミド）ビス（ヘキサ
メチルジシリルアミド）ハフニウムクロライド、（ジノ
ルマルオクチルアミド）ビス（ヘキサメチルジシリルア
ミド）ハフニウムクロライド、（ジエチルアミド）ビス
（ヘキサエチルジシリルアミド）ハフニウムクロライ
ド、（ジノルマルオクチルアミド）ビス（ヘキサエチル
ジシリルアミド）チタニウムクロライド、（メトキシ）
トリス（ヘキサメチルジシリルアミド）ハフニウム、
（エトキシ）トリス（ヘキサメチルジシリルアミド）ハ
フニウム、（イソプロポキシ）トリス（ヘキサメチルジ
シリルアミド）ハフニウム等があげられる。
ジシリルアミドハフニウムトリクロライド、ビス（ヘキ
サメチルジシリルアミド）ハフニウムジクロライド、ト
リス（ヘキサメチルジシリルアミド）ハフニウムクロラ
イド、テトラキス（ヘキサメチルジシリルアミド）ハフ
ニウム、ヘキサエチルシジリルアミドハフニウムトリク
ロライド、ビス（ヘキサエチルジシリルアミド）ハフニ
ウムジクロライド、トリス（ヘキサエチルジシリルアミ
ド）ハフニウムクロライド、ビス（ジエチルアミド）ビ
ス（ヘキサメチルジシリルアミド）ハフニウム、ビス
（ジノルマルオクチルアミド）ビス（ヘキサメチルジシ
リルアミド）ハフニウム、ビス（ジエチルアミド）ビス
（ヘキサエチルジシリルアミド）ハフニウム、ビス（ジ
ノルマルオクチルアミド）ビス（ヘキサエチルジシリル
アミド）ハフニウム、（ジエチルアミド）ビス（ヘキサ
メチルジシリルアミド）ハフニウムクロライド、（ジノ
ルマルオクチルアミド）ビス（ヘキサメチルジシリルア
ミド）ハフニウムクロライド、（ジエチルアミド）ビス
（ヘキサエチルジシリルアミド）ハフニウムクロライ
ド、（ジノルマルオクチルアミド）ビス（ヘキサエチル
ジシリルアミド）チタニウムクロライド、（メトキシ）
トリス（ヘキサメチルジシリルアミド）ハフニウム、
（エトキシ）トリス（ヘキサメチルジシリルアミド）ハ
フニウム、（イソプロポキシ）トリス（ヘキサメチルジ
シリルアミド）ハフニウム等があげられる。
【００１０】上記遷移金属化合物の合成法としては、例
えばＤ．Ｃ．Ｂｒａｄｌｅｙ Ｊ．Ｃ．Ｓ．Ｄａｌｔｏ
ｎ (１９８０) ２０１０−２０１５に記載の方法等を用
いることができる。本発明においてはこれらの方法に従
って遷移金属化合物を合成した。一例を示すと（１）Ｒ
Ｋ（ＲはＣ1 からＣ30の炭化水素化合物、ＫはＬi 等の
アルカリ金属を表す。）で表される有機アルカリ金属化
合物とアミン化合物とを反応させ、アミドのアルカリ金
属化合物を合成した。次いで該アルカリ金属化合物と、
（２）一般式ＭＸ4 （Ｍはチタン，ジルコニウムまたは
ハフニウム，Ｘは塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲンで好
ましくは、塩素である。）で表される四塩化金属または
第IV族遷移金属アミド錯体と反応させて合成した。
えばＤ．Ｃ．Ｂｒａｄｌｅｙ Ｊ．Ｃ．Ｓ．Ｄａｌｔｏ
ｎ (１９８０) ２０１０−２０１５に記載の方法等を用
いることができる。本発明においてはこれらの方法に従
って遷移金属化合物を合成した。一例を示すと（１）Ｒ
Ｋ（ＲはＣ1 からＣ30の炭化水素化合物、ＫはＬi 等の
アルカリ金属を表す。）で表される有機アルカリ金属化
合物とアミン化合物とを反応させ、アミドのアルカリ金
属化合物を合成した。次いで該アルカリ金属化合物と、
（２）一般式ＭＸ4 （Ｍはチタン，ジルコニウムまたは
ハフニウム，Ｘは塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲンで好
ましくは、塩素である。）で表される四塩化金属または
第IV族遷移金属アミド錯体と反応させて合成した。
【００１１】次に、本発明で使用する触媒成分（Ｂ）
は、有機アルミニウム化合物である。有機アルミニウム
化合物としては、一般式 Ｒ9 n ＡｌＸ3-n ( 式中、Ｒ
9 は、Ｃ1 からＣ20 の炭化水素基を、Ｘは，ハロゲン
原子、水素原子、アルコキシ基を表す。また、ｎは１〜
３の数を表す。）で表される有機アルミニウム化合物が
使用できる。Ｒ9 の具体例としては、メチル基、エチル
基、イソブチル基等のアルキル基が挙げられる。また、
Ｘの具体例としては、塩素原子、沃素原子等のハロゲン
原子、メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基、およ
び水素原子が挙げられる。かかる有機アルミニウム化合
物としては、アルキルアルミニウムクロライド、トリア
ルキルアルミニウムが好ましく、とくにトリアルキルア
ルミニウムが好適に用いられる。
は、有機アルミニウム化合物である。有機アルミニウム
化合物としては、一般式 Ｒ9 n ＡｌＸ3-n ( 式中、Ｒ
9 は、Ｃ1 からＣ20 の炭化水素基を、Ｘは，ハロゲン
原子、水素原子、アルコキシ基を表す。また、ｎは１〜
３の数を表す。）で表される有機アルミニウム化合物が
使用できる。Ｒ9 の具体例としては、メチル基、エチル
基、イソブチル基等のアルキル基が挙げられる。また、
Ｘの具体例としては、塩素原子、沃素原子等のハロゲン
原子、メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基、およ
び水素原子が挙げられる。かかる有機アルミニウム化合
物としては、アルキルアルミニウムクロライド、トリア
ルキルアルミニウムが好ましく、とくにトリアルキルア
ルミニウムが好適に用いられる。
【００１２】上記の有機アルミニウム化合物の具体例と
しては、トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニ
ウム、トリイソブチルアルミニウム等のトリアルキルア
ルミニウム、ジメチルアルミニウムクロライド、ジエチ
ルアルミニウムクロライド等のジアルキルアルミニウム
クロライド、メチルアルミニウムジクロライド、エチル
アルミニウムジクロライド等のアルキルアルミニウムジ
クロライド、ジメチルアルミニウムハイドライド、ジエ
チルアルミニウムハイドライド等のジアルキルアルミニ
ウムハイドライド、ジメチルメトキシアルミニウム、メ
チルジメトキシアルミニウム等のアルキルアルコキシア
ルミニウム等を例示することができる。これらの化合物
の中でも、トリメチルアルミニウムが好ましい。
しては、トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニ
ウム、トリイソブチルアルミニウム等のトリアルキルア
ルミニウム、ジメチルアルミニウムクロライド、ジエチ
ルアルミニウムクロライド等のジアルキルアルミニウム
クロライド、メチルアルミニウムジクロライド、エチル
アルミニウムジクロライド等のアルキルアルミニウムジ
クロライド、ジメチルアルミニウムハイドライド、ジエ
チルアルミニウムハイドライド等のジアルキルアルミニ
ウムハイドライド、ジメチルメトキシアルミニウム、メ
チルジメトキシアルミニウム等のアルキルアルコキシア
ルミニウム等を例示することができる。これらの化合物
の中でも、トリメチルアルミニウムが好ましい。
【００１３】また、有機アルミニウム化合物としてはア
ルキルアルミノキサンも使用できる。アルキルアルミノ
キサンとしては、メチルアルミノキサン、エチルアルミ
ノキサン、プロピルアルミノキサン、イソブチルアルモ
キサン等を例示することができる。これらの中でもメチ
ルアルミノキサンが好ましい。なお、一般にはアルキル
アルミノキサンを使用すると、分子量分布が狭くなるこ
とが知られているが、本願発明の特定の遷移金属化合物
（Ａ）との組合わせにおいては、その理由は不明である
が逆に分子量分布が広くなることは驚くべきことであ
る。
ルキルアルミノキサンも使用できる。アルキルアルミノ
キサンとしては、メチルアルミノキサン、エチルアルミ
ノキサン、プロピルアルミノキサン、イソブチルアルモ
キサン等を例示することができる。これらの中でもメチ
ルアルミノキサンが好ましい。なお、一般にはアルキル
アルミノキサンを使用すると、分子量分布が狭くなるこ
とが知られているが、本願発明の特定の遷移金属化合物
（Ａ）との組合わせにおいては、その理由は不明である
が逆に分子量分布が広くなることは驚くべきことであ
る。
【００１４】成分（Ｂ）は、成分（Ａ）中の金属原子１
モルに対して、１〜１０００モルのごとく広範囲に使用
できるが、好ましくは１〜５００モル、より好ましくは
２０〜１５０モルの範囲で使用される。
モルに対して、１〜１０００モルのごとく広範囲に使用
できるが、好ましくは１〜５００モル、より好ましくは
２０〜１５０モルの範囲で使用される。
【００１５】本発明において共重合体を構成するモノマ
ーは、エチレンと１種類以上のαーオレフィンである。
αーオレフィンの具体例としてはプロピレン、ブテンー
１、ペンテンー１、ヘキセンー１、４ーメチルペンテン
ー１、オクテンー１、デセンー１、オクタデセンー１、
エイコセンー１等が挙げられる。
ーは、エチレンと１種類以上のαーオレフィンである。
αーオレフィンの具体例としてはプロピレン、ブテンー
１、ペンテンー１、ヘキセンー１、４ーメチルペンテン
ー１、オクテンー１、デセンー１、オクタデセンー１、
エイコセンー１等が挙げられる。
【００１６】本発明において重合触媒を重合槽に供給す
る方法としては窒素、アルゴン等の不活性ガス中で水分
のない状態で供給すればよい。触媒成分（Ａ）及び
（Ｂ）は個別に供給しても良く、予め二者を接触させて
供給しても良い。本発明における重合温度は−３０〜３
００℃にわたって実施する事が出来るが、好ましくは２
０〜２００℃、特に好ましくは５０〜１８０℃である。
本発明における重合圧力には特に制限されるものではい
が、工業的かつ経済的であるという点で通常３〜１５０
０気圧程度である。重合方法は連続式でもバッチ式でも
いずれでも可能である。また、プロパン、ブタン、ペン
タン、ヘキサン、ヘプタン、トルエン等の不活性炭化水
素溶媒によるスラリー重合、無溶媒による液相重合また
は気相重合も可能である。また、本発明は共重合体の分
子量を調節するために水素等の連鎖移動剤を添加するこ
ともできる。
る方法としては窒素、アルゴン等の不活性ガス中で水分
のない状態で供給すればよい。触媒成分（Ａ）及び
（Ｂ）は個別に供給しても良く、予め二者を接触させて
供給しても良い。本発明における重合温度は−３０〜３
００℃にわたって実施する事が出来るが、好ましくは２
０〜２００℃、特に好ましくは５０〜１８０℃である。
本発明における重合圧力には特に制限されるものではい
が、工業的かつ経済的であるという点で通常３〜１５０
０気圧程度である。重合方法は連続式でもバッチ式でも
いずれでも可能である。また、プロパン、ブタン、ペン
タン、ヘキサン、ヘプタン、トルエン等の不活性炭化水
素溶媒によるスラリー重合、無溶媒による液相重合また
は気相重合も可能である。また、本発明は共重合体の分
子量を調節するために水素等の連鎖移動剤を添加するこ
ともできる。
【００１７】
【実施例】以下実施例および比較例によって本発明を更
に詳細に説明する。実施例における重合体の性質は下記
の方法によって測定した。 （１）短鎖分岐数（ＳＣＢ）は、赤外分光光度計（日本
分光工業社製 ＩＲー８１０）を用いて、エチレンとα
ーオレフィンの特性吸収より求めた。 （２）分子量分布はゲルパーミッションクロマトグラフ
ィー（ウオーターズ社製 １５０，Ｃ）を用いて以下の
条件により求めた。 カラム ：ＴＳＫ ｇｅｌ ＧＭＨ−ＨＴ 測定温度：１４５℃設定 測定濃度：１０ｍｇ／１０ｍｌ−ＯＤＣＢ （３）錯体の構造は 1Ｈ−ＮＭＲ測定により確認した。
に詳細に説明する。実施例における重合体の性質は下記
の方法によって測定した。 （１）短鎖分岐数（ＳＣＢ）は、赤外分光光度計（日本
分光工業社製 ＩＲー８１０）を用いて、エチレンとα
ーオレフィンの特性吸収より求めた。 （２）分子量分布はゲルパーミッションクロマトグラフ
ィー（ウオーターズ社製 １５０，Ｃ）を用いて以下の
条件により求めた。 カラム ：ＴＳＫ ｇｅｌ ＧＭＨ−ＨＴ 測定温度：１４５℃設定 測定濃度：１０ｍｇ／１０ｍｌ−ＯＤＣＢ （３）錯体の構造は 1Ｈ−ＮＭＲ測定により確認した。
【００１８】実施例 １ （１）チタニウムアミド錯体化合物の合成 撹拌機、滴下ロート、温度計を備えた５００ｍｌの４つ
口フラスコをアルゴンまたは窒素で置換した後、ジエチ
ルアミン１０ｍｌ（１００ｍｍｏｌ）とヘキサン２００
ｍｌを仕込んだ。次に、ヘキサンで希釈したｎ−ブチル
リチウム（１．６ｍｏｌ／ｌ）６２．５ｍｌ（１００ｍ
ｍｏｌ）を滴下ロートからフラスコ中の溶液の温度を５
℃以下に保ちながら滴下した。滴下終了後、５℃以下で
２時間撹拌を行った。次に、四塩化チタニウム１４ｍｌ
（５０ｍｍｏｌ）を前記反応で得た混合液中に５℃以下
を保つ様に加えた。投入後、５℃以下で２時間撹拌を行
った。反応液中の塩化リチウム等の固体及び溶媒を除去
した後、蒸留する事で組成式Ｔｉ（ＮＣ4 Ｈ10）2 Ｃｌ
2 で表されるチタニウムアミド錯体化合物（Ａ）が得ら
れた。撹拌機、滴下ロート、温度計を備えた５００ｍｌ
４つ口フラスコをアルゴンで置換した後、ヘキサメチル
ジシリルアミン１１ｇ（３４ｍｍｏｌ）とヘキサン１５
０ｍｌを仕込んだ。次に、ヘキサンで希釈したｎ−ブチ
ルリチウム（１．６ｍｏｌ／ｌ）２１．３ｍｌ（３４ｍ
ｍｏｌ）を滴下ロートからフラスコ中の溶液の温度を５
℃以下に保ちながら滴下した。滴下終了後、５℃以下で
２時間撹拌を行った。上記チタニウムアミド錯体化合物
（Ａ）をヘキサン５０ｍｌで希釈したものを５℃以下を
保つ様に加えた。反応液中の塩化リチウム等の固体を除
去した後、−２０℃で冷却する事で組成式Ｔｉ（ＮＣ4
Ｈ10）2 〔Ｎ（ＳｉＣ3Ｈ9 ）2 〕2 で表される黄色固
体のチタニウムアミド錯体が１５．３ｇ得られた。
口フラスコをアルゴンまたは窒素で置換した後、ジエチ
ルアミン１０ｍｌ（１００ｍｍｏｌ）とヘキサン２００
ｍｌを仕込んだ。次に、ヘキサンで希釈したｎ−ブチル
リチウム（１．６ｍｏｌ／ｌ）６２．５ｍｌ（１００ｍ
ｍｏｌ）を滴下ロートからフラスコ中の溶液の温度を５
℃以下に保ちながら滴下した。滴下終了後、５℃以下で
２時間撹拌を行った。次に、四塩化チタニウム１４ｍｌ
（５０ｍｍｏｌ）を前記反応で得た混合液中に５℃以下
を保つ様に加えた。投入後、５℃以下で２時間撹拌を行
った。反応液中の塩化リチウム等の固体及び溶媒を除去
した後、蒸留する事で組成式Ｔｉ（ＮＣ4 Ｈ10）2 Ｃｌ
2 で表されるチタニウムアミド錯体化合物（Ａ）が得ら
れた。撹拌機、滴下ロート、温度計を備えた５００ｍｌ
４つ口フラスコをアルゴンで置換した後、ヘキサメチル
ジシリルアミン１１ｇ（３４ｍｍｏｌ）とヘキサン１５
０ｍｌを仕込んだ。次に、ヘキサンで希釈したｎ−ブチ
ルリチウム（１．６ｍｏｌ／ｌ）２１．３ｍｌ（３４ｍ
ｍｏｌ）を滴下ロートからフラスコ中の溶液の温度を５
℃以下に保ちながら滴下した。滴下終了後、５℃以下で
２時間撹拌を行った。上記チタニウムアミド錯体化合物
（Ａ）をヘキサン５０ｍｌで希釈したものを５℃以下を
保つ様に加えた。反応液中の塩化リチウム等の固体を除
去した後、−２０℃で冷却する事で組成式Ｔｉ（ＮＣ4
Ｈ10）2 〔Ｎ（ＳｉＣ3Ｈ9 ）2 〕2 で表される黄色固
体のチタニウムアミド錯体が１５．３ｇ得られた。
【００１９】実施例２ エチレン−α−オレフィンの共重合 内容積４００ｍｌの撹拌機付きオートクレーブを真空乾
燥してアルゴンで置換後溶媒としてブタン８０ｇ、αー
オレフィンとしてブテン２０ｇを仕込み反応機を７０℃
まで昇温した。昇温後エチレン圧を６ｋｇ／ｃｍ2 に調
整しながらフィードし、系内が安定した後、アルミノキ
サン化合物としてメチルアルミノキサン１１ｍｍｏｌを
投入し、続いて上記（１）で合成した錯体（Ｂ）０．１
ｍｍｏｌを投入した。７０℃に温度を調節しながら６０
分間重合を行った。重合の結果、コモノマー含有量を表
すＳＣＢ＝６３、遷移金属１ｍｏｌあたり７１，０００
ｇの共重合体量（７１，０００ｇ−ｃｏｐｏｌｙ／ｍｏ
ｌ Ｔｉ），Ｍｗ＝１７３，４００ Ｍｗ／Ｍｎ＝１
６．３の共重合体が得られた。
燥してアルゴンで置換後溶媒としてブタン８０ｇ、αー
オレフィンとしてブテン２０ｇを仕込み反応機を７０℃
まで昇温した。昇温後エチレン圧を６ｋｇ／ｃｍ2 に調
整しながらフィードし、系内が安定した後、アルミノキ
サン化合物としてメチルアルミノキサン１１ｍｍｏｌを
投入し、続いて上記（１）で合成した錯体（Ｂ）０．１
ｍｍｏｌを投入した。７０℃に温度を調節しながら６０
分間重合を行った。重合の結果、コモノマー含有量を表
すＳＣＢ＝６３、遷移金属１ｍｏｌあたり７１，０００
ｇの共重合体量（７１，０００ｇ−ｃｏｐｏｌｙ／ｍｏ
ｌ Ｔｉ），Ｍｗ＝１７３，４００ Ｍｗ／Ｍｎ＝１
６．３の共重合体が得られた。
【００２０】実施例３ エチレン−α−オレフィンの共重合 内容積４００ｍｌの撹拌機付きオートクレーブを真空乾
燥してアルゴンで置換後溶媒としてトルエン１００ｍ
ｌ，αーオレフィンとしてヘキセン１００ｍｌを仕込み
反応機を１８０℃まで昇温した。昇温後エチレン圧を２
５ｋｇ／ｃｍ2 に調整しながらフィードし、系内が安定
した後、有機アルミニウム化合物としてトリメチルアル
ミニウム４ｍｍｏｌを投入し、続いて上記（１）で合成
した錯体（Ｂ）０．１ｍｍｏｌを投入した。１８０℃に
温度を調節しながら４分間重合を行った。重合の結果、
ＳＣＢ＝１５、遷移金属１ｍｏｌあたり７，０００ｇの
共重合体量（７，０００ｇ−ｃｏｐｏｌｙ／ｍｏｌ Ｔ
ｉ）、Ｍｗ＝１３，１００、Ｍｗ／Ｍｎ＝５．８の共重
合体が得られた。
燥してアルゴンで置換後溶媒としてトルエン１００ｍ
ｌ，αーオレフィンとしてヘキセン１００ｍｌを仕込み
反応機を１８０℃まで昇温した。昇温後エチレン圧を２
５ｋｇ／ｃｍ2 に調整しながらフィードし、系内が安定
した後、有機アルミニウム化合物としてトリメチルアル
ミニウム４ｍｍｏｌを投入し、続いて上記（１）で合成
した錯体（Ｂ）０．１ｍｍｏｌを投入した。１８０℃に
温度を調節しながら４分間重合を行った。重合の結果、
ＳＣＢ＝１５、遷移金属１ｍｏｌあたり７，０００ｇの
共重合体量（７，０００ｇ−ｃｏｐｏｌｙ／ｍｏｌ Ｔ
ｉ）、Ｍｗ＝１３，１００、Ｍｗ／Ｍｎ＝５．８の共重
合体が得られた。
【００２１】比較例１ 内容積４００ｍｌの撹拌機付きオートクレーブを真空乾
燥してアルゴンで置換後溶媒としてトルエン１７０ｍ
ｌ，αーオレフィンとしてヘキセン３０ｍｌを仕込み反
応機を６０℃まで昇温した。昇温後エチレン圧を６ｋｇ
／ｃｍ2 に調整しながらフィードし、系内が安定した
後、アルミノキサン化合物としてメチルアルミノキサン
１．０ｍｍｏｌを投入し、続いてジルコノセンジクロラ
イド１μｍｏｌを投入した。７０℃に温度を調節しなが
ら１時間重合を行った。重合の結果、ＳＣＢ＝１０、遷
移金属１ｍｏｌあたり３, ９００，０００ｇの共重合体
量（３, ９００，０００ｇ−ｃｏｐｏｌｙ／ｍｏｌ Ｔ
ｉ），Ｍｗ＝２５０，０００ Ｍｗ／Ｍｎ＝２．３の共
重合体が得られた。
燥してアルゴンで置換後溶媒としてトルエン１７０ｍ
ｌ，αーオレフィンとしてヘキセン３０ｍｌを仕込み反
応機を６０℃まで昇温した。昇温後エチレン圧を６ｋｇ
／ｃｍ2 に調整しながらフィードし、系内が安定した
後、アルミノキサン化合物としてメチルアルミノキサン
１．０ｍｍｏｌを投入し、続いてジルコノセンジクロラ
イド１μｍｏｌを投入した。７０℃に温度を調節しなが
ら１時間重合を行った。重合の結果、ＳＣＢ＝１０、遷
移金属１ｍｏｌあたり３, ９００，０００ｇの共重合体
量（３, ９００，０００ｇ−ｃｏｐｏｌｙ／ｍｏｌ Ｔ
ｉ），Ｍｗ＝２５０，０００ Ｍｗ／Ｍｎ＝２．３の共
重合体が得られた。
【００２２】
【発明の効果】以上、詳述したように本発明によれば、
珪素ー窒素ー金属結合を有する錯体と有機アルミニウム
化合物からなる新規な重合触媒系を用いることにより、
広分子量分布のエチレンーαーオレフィン共重合体を効
率良く製造することができる。
珪素ー窒素ー金属結合を有する錯体と有機アルミニウム
化合物からなる新規な重合触媒系を用いることにより、
広分子量分布のエチレンーαーオレフィン共重合体を効
率良く製造することができる。
【図１】図１は、本発明を助けるためのフローチャート
図である。本フローチャート図は、本発明の実施態様の
代表例であり、本発明は、何らこれに限定されるもので
はない。
図である。本フローチャート図は、本発明の実施態様の
代表例であり、本発明は、何らこれに限定されるもので
はない。
Claims (1)
- 【請求項１】（Ａ）一般式Ｍ〔Ｎ（ＳｉＲ1 Ｒ2 Ｒ3)a
(ＳｉＲ4 Ｒ5 Ｒ6)b Ｒ7 c 〕l Ｒ8 m Ｘn （式中、Ｒ1
〜Ｒ7 は同一でも異なっても良く、各々アルキル基又
はアリル基を表わし、Ｒ8 はアルキル基，アリル基，ア
ルコキシ基，アリロキシ基，アミド基，アリルアミド
基，シリル基，ホスフィド基又はアリルホスフィド基を
表わす。Ｘはハロゲン原子又は水素原子を表わし、Ｍは
チタニウム, ジルコニウム又はハフニウム原子を表わ
す。ｌは１≦ｌ≦４，ｍは０≦ｍ≦３，ｎは０≦ｎ≦
３, ｌ＋ｍ＋ｎ＝４，ａ＋ｂ＋ｃ＝２，ａは１または
２、ｂは０または１，ｃは０または１の整数を表わ
す。）で表される遷移金属化合物、及び（Ｂ）有機アル
ミニウム化合物を含有する触媒を用いることを特徴とす
るエチレンーαーオレフィン共重合体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32448994A JPH08176224A (ja) | 1994-12-27 | 1994-12-27 | エチレン−α−オレフィン共重合体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32448994A JPH08176224A (ja) | 1994-12-27 | 1994-12-27 | エチレン−α−オレフィン共重合体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08176224A true JPH08176224A (ja) | 1996-07-09 |
Family
ID=18166381
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32448994A Pending JPH08176224A (ja) | 1994-12-27 | 1994-12-27 | エチレン−α−オレフィン共重合体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08176224A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7371880B2 (en) | 2004-06-16 | 2008-05-13 | Advanced Technology Materials, Inc. | Copper (I) compounds useful as deposition precursors of copper thin films |
| US7750173B2 (en) | 2007-01-18 | 2010-07-06 | Advanced Technology Materials, Inc. | Tantalum amido-complexes with chelate ligands useful for CVD and ALD of TaN and Ta205 thin films |
-
1994
- 1994-12-27 JP JP32448994A patent/JPH08176224A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7371880B2 (en) | 2004-06-16 | 2008-05-13 | Advanced Technology Materials, Inc. | Copper (I) compounds useful as deposition precursors of copper thin films |
| US7531031B2 (en) | 2004-06-16 | 2009-05-12 | Advanced Technology Materials, Inc. | Copper (I) compounds useful as deposition precursors of copper thin films |
| US7750173B2 (en) | 2007-01-18 | 2010-07-06 | Advanced Technology Materials, Inc. | Tantalum amido-complexes with chelate ligands useful for CVD and ALD of TaN and Ta205 thin films |
| US7858816B2 (en) | 2007-01-18 | 2010-12-28 | Advanced Technology Materials, Inc. | Tantalum amido-complexes with chelate ligands useful for CVD and ALD of TaN and Ta205 thin films |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0868445B1 (en) | High temperature olefin polymerization process | |
| US5907021A (en) | High temperature olefin polymerization process | |
| RU2167879C2 (ru) | КАТАЛИЗАТОР ПОЛИМЕРИЗАЦИИ ОЛЕФИНОВ В ВИДЕ АЗАБОРОЛИНИЛЬНЫХ КОМПЛЕКСОВ МЕТАЛЛОВ И СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛИ-α-ОЛЕФИНА (ВАРИАНТЫ) | |
| EP0420436B2 (en) | Olefin polymerization catalysts | |
| US5449650A (en) | Catalyst components for polymerization of olefins and use thereof | |
| JP5583402B2 (ja) | 高効率溶液重合プロセス | |
| EP1922341B1 (en) | Olefin polymerization catalyst system | |
| JPS60260602A (ja) | ポリオレフィンの製造方法 | |
| JPH08512063A (ja) | モノシクロペンタジエニル遷移金属触媒系による非晶質ポリ−α−オレフィンの製造方法 | |
| WO1998041530A1 (en) | Transition metal metallacyclopentadienyl compounds | |
| JP3541485B2 (ja) | オレフィン重合用触媒及びエチレン−α−オレフィン共重合体の製造方法 | |
| JPH08176224A (ja) | エチレン−α−オレフィン共重合体の製造方法 | |
| EP1063244A2 (en) | High temperature olefin polymerization process | |
| EP0741145B1 (en) | Olefin polymerization catalyst and process for producing polyolefin using the same | |
| JPH1160624A (ja) | オレフィン重合用触媒およびポリオレフィンの製造方法 | |
| JPH08208732A (ja) | エチレン−α−オレフィン共重合体の製造方法 | |
| TWI812846B (zh) | 新穎的四芳基硼酸鹽化合物、包含彼之催化劑組合物、及使用彼製備乙烯均聚物或乙烯-α-烯烴共聚物的方法 | |
| EP0571945A2 (en) | Catalyst for copolymerizing ethylene with alpha-olefin and process for producing ethylene-alpha-olefin copolymer using the catalyst | |
| JP3156205B2 (ja) | ポリオレフィンの製造方法 | |
| JP3172594B2 (ja) | オレフィン系重合体の製造方法 | |
| JPH08176217A (ja) | オレフィン重合用触媒及びエチレン−α−オレフィン共重合体の製造方法 | |
| KR100209859B1 (ko) | 폴리에틸렌 공중합체의 제조방법 | |
| JPH06298823A (ja) | 重合触媒及び該重合触媒を用いるエチレン−α−オレフィン共重合体の製造方法 | |
| CA2344994C (en) | High temperature olefin polymerization process | |
| EP1379561B1 (en) | Olefin polymerization process using transition metal complexes |