JPH08160503A - カメラの焦点検出装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 焦点検出に適した反射光量を、被写体の距
離，輝度，反射率等によることなく少ない発光回数で得
ることができ、レリーズタイムラグを小さくすることが
可能なカメラの焦点検出装置を提供する。 【構成】 撮影レンズを通過した被写体光束を２つに分
割して、それぞれが結像した光学像の相対的ずれ量に基
づき撮影レンズの焦点調節状態を検出する焦点検出装置
において、上記光学像を光電変換する光電変換素子４
と、この光電変換素子４の動作を制御する制御手段と、
上記光電変換を行うときに被写体に向けて断続的に光束
を照射し発光開始後次第にその発光量を増す光量可変の
補助光源１と、この補助光源１の時系列的発光パターン
を制御する光量パターン発生手段３と、この光量パター
ン発生手段３の出力に応じて上記補助光源１の発光量を
制御する光量制御手段２とを備えたカメラの焦点検出装
置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、カメラの焦点検出装
置、より詳しくは、撮影レンズの焦点調節状態を検出す
るカメラの焦点検出装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、カメラ等の撮影装置に用いら
れる焦点検出装置では、撮影レンズを通して入射した被
写体光を２像に分割し、その各像の光強度分布による位
相差量に基づいて撮影レンズのデフォーカス量を求めて
焦点調節を行うＴＴＬパッシブＡＦ方式や、撮影レンズ
とは無関係に分割２像の位相差量に基づいて被写体距離
を求める外光パッシブ方式が多く採用されている。

【０００３】このような焦点検出装置においては、主と
して積分型の受光素子（ＡＦセンサ）が用いられてい
る。この積分型の受光素子は、入射光に応じた電荷が積
分され、この積分された電荷量に応じた出力を発生す
る。従って被写体が低輝度である場合には、被写体から
の反射光は微小なものとなるために電荷の積分量が小さ
く、十分な出力が得られず焦点検出が困難になる。

【０００４】そのために、このような焦点検出装置にお
いては、被写体が低輝度で焦点検出が不可能である場合
に、補助光を被写体に照射することにより被写体からの
反射光量の不足を補って、焦点検出を可能にする手段が
知られている。

【０００５】この手段を用いた場合に、カメラから被写
体までの距離と補助光光量との大小関係や、被写体の反
射率等により、所望の反射光量が得られず焦点検出が困
難となることがあった。

【０００６】このような問題点に対して本出願人は、特
願平５−７２５４８号において、被写体の反射輝度に基
づいて補助光の発光光量を可変自在として、被写体距離
や被写体反射率によらず焦点検出に適した被写体反射光
量を得る焦点検出用予備照射装置を提案している。この
装置についてさらに詳しく説明する。まず１回の積分中
に所定の一定光量で補助光を照射して積分を行う。この
積分結果に基づいて被写体からの反射光量を検出し、こ
れに応じて新たに補助光光量を設定して再度補助光を照
射しながら積分を行う。この動作を繰り返し実行して、
適正な焦点検出を行うことができる反射光量を得ようと
するものである。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかながら上記特願平
５−７２５４８号に記載の技術手段では、被写体からの
適正な反射光量が得られるまでの間に、補助光の発光光
量を変化させて積分するという動作を繰り返し行うため
に、補助光を発光させる回数が多くなる。従って電池の
エネルギーを消費する量が多くなって電池の寿命を短く
してしまうとともに、合焦するまでのタイムラグも大き
くなる。さらに、補助光として例えばストロボを使用し
た場合には、ストロボ発光回数が多くなるために、被写
体に不快感を与える可能性もある。

【０００８】本発明は上記事情に鑑みてなされたもので
あり、光源手段による光束の発光を効果的に行うことが
できて、レリーズタイムラグを小さくすることが可能な
カメラの焦点検出装置を提供することを目的としてい
る。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の請求項１によるカメラの焦点検出装置
は、撮影レンズを通過した被写体光束を少なくとも１対
の光束群に分割しそれぞれの光束を結像させた対の光学
像の相対的ずれ量に基づき被写体に対する撮影レンズの
焦点調節状態を検出する焦点検出装置において、上記光
学像を光電変換する光電変換手段と、上記光電変換手段
の動作を制御する制御手段と、上記光電変換を行うとき
被写体に向けて断続的に光束を照射する光量可変の光源
手段と、上記光源手段の時系列的発光パターンを制御す
る光量パターン発生手段と、上記光量パターン発生手段
の出力に応じて上記光源手段の発光量を制御する光量制
御手段とを備えたものである。

【００１０】また、本発明の請求項２によるカメラの焦
点検出装置は、上記光源手段が、発光量制御可能なスト
ロボ装置であって、発光開始後、次第にその発光量を増
す請求項１に記載のものである。

【００１１】さらに、本発明の請求項３によるカメラの
焦点検出装置は、上記光電変換手段が、積分型光電変換
素子であって、所定積分時間の経過後において、その積
分出力が所定値に達しないとき、上記光源手段の１回あ
たりの発光量を増加させる請求項１に記載のものであ
る。

【００１２】

【作用】本発明の請求項１によるカメラの焦点検出装置
は、撮影レンズを通過した被写体光束を少なくとも１対
の光束群に分割し、それぞれの光束を結像させた対の光
学像の相対的ずれ量に基づき被写体に対する撮影レンズ
の焦点調節状態を検出するものであって、光電変換手段
が上記光学像を光電変換し、制御手段が上記光電変換手
段の動作を制御し、光量可変の光源手段が上記光電変換
を行うとき被写体に向けて断続的に光束を照射し、光量
パターン発生手段が上記光源手段の時系列的発光パター
ンを制御し、光量制御手段が上記光量パターン発生手段
の出力に応じて上記光源手段の発光量を制御する。

【００１３】また、本発明の請求項２によるカメラの焦
点検出装置は、発光量制御可能なストロボ装置である上
記光源手段が、発光開始後、次第にその発光量を増す。

【００１４】さらに、本発明の請求項３によるカメラの
焦点検出装置は、積分型光電変換素子である上記光電変
換手段が、所定積分時間の経過後において、その積分出
力が所定値に達しないとき、上記光源手段の１回あたり
の発光量を増加させる。

【００１５】

【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明
する。図１から図２４は本発明の第１実施例を示したも
のであり、図１はカメラの焦点検出装置の概念を示すブ
ロック図である。

【００１６】この焦点検出装置は、図示のように、補助
光を発光する光源手段たる補助光源１と、この補助光源
１が発光する補助光の光量を制御する光量制御手段２
と、上記補助光源１が発光する補助光の光量パターンを
発生する光量パターン発生手段３と、被写体反射光を光
電変換して積分する光電変換手段たる光電変換素子４
と、この光電変換素子４および上記光量パターン発生手
段３に積分スタート信号を出力して制御する光強度分布
測定制御手段５とを有してなる。

【００１７】次に、この図１に示した焦点検出装置の作
用を説明する。補助光源１は、光強度分布測定時に、光
量制御手段２により制御されながら補助光を発光して被
写体を照射する。このとき、光量パターン発生手段３
は、光強度分布測定制御手段５の積分スタート信号によ
り、補助光の光量変化パターンを発生して補助光光量制
御手段２に出力し、上記補助光源１は、該光量パターン
発生手段３の出力に応じて光量を変化させながら補助光
を発光することになる。

【００１８】一方、光電変換素子４は、上記光強度分布
測定制御手段５からの積分スタート信号を受けて、上記
補助光により照明された被写体反射光量を受光して積分
を開始する。そして、光強度分布測定制御手段５は、こ
の光電変換素子４の出力を参照しながら、積分を停止さ
せる制御も行う。

【００１９】図２はカメラの焦点検出装置の制御系の構
成を示すブロック図である。

【００２０】制御手段たるメインＣＰＵ（以下、ＣＰＵ
と記す。）１１は、図示しない内部ＲＯＭに予め記憶さ
れたプログラムを逐次実行して周辺ブロックの制御を行
うものである。

【００２１】上記ＣＰＵ１１には光電変換手段たるオー
トフォーカス（以下、ＡＦと記す。）ＩＣ１２が電気的
に接続されていて、このＡＦＩＣ１２は、自動焦点調整
としてＴＴＬ位相差検出方式を採用している。

【００２２】該ＡＦＩＣ１２は、撮影レンズ３８を通過
した被写体光を、コンデンサレンズ３６とセパレータレ
ンズ３５Ｌ，３５Ｒとを有してなるＡＦ光学系３７を介
して、上面に配置したフォトセンサアレイ３４Ｌ，３４
Ｒで受け、後述する光量積分や量子化等の処理を行うよ
うになっていて、その測距情報は該ＡＦＩＣ１２からＣ
ＰＵ１１へと転送される。

【００２３】さらに、上記フォトセンサアレイ３４Ｌ，
３４Ｒの各素子の特性にばらつきがある場合には、その
ままでは正確な測距情報を得ることができないために、
本実施例では、不揮発性記録素子であるＥＥＰＲＯＭ１
３にフォトセンサアレイ３４Ｌ，３４Ｒのばらつきに関
する情報を予め記憶させておき、ＡＦＩＣ１２から得ら
れる測距情報の補正演算をＣＰＵ１１において行うよう
になっている。

【００２４】このＥＥＰＲＯＭ１３に、機械的なばらつ
きや各種素子の電気的特性のばらつき等、様々な調整値
を予め記憶させておき、これら調整値を必要に応じてＣ
ＰＵ１１に送ることで、各種演算を行うことができるよ
うに構成されている。

【００２５】なお、ＣＰＵ１１とＡＦＩＣ１２，ＥＥＰ
ＲＯＭ１３の間でのデータの授受は、シリアル通信によ
り行うようになっている。

【００２６】上記ＣＰＵ１１にはデータバック１５が電
気的に接続されていて、このデータバック１５は、ＣＰ
Ｕ１１から出力される制御信号に基づいてフィルムに日
付けの写し込みを行うものである。なお、このデータバ
ック１５の写し込みランプの光量は、フィルムのＩＳＯ
感度に応じて段階的に変化するように構成されている。

【００２７】上記ＣＰＵ１１にはインターフェイスＩＣ
（以下、ＩＦＩＣと記す。）１７が４ビットのパラレル
通信を行うように接続されていて、このＩＦＩＣ１７
は、被写体輝度の測定やカメラ内温度の測定、フォトイ
ンタラプタ等の出力信号の波形整形、モータの定電圧駆
動制御、温度安定、温度比例電圧等の各種定電圧の生
成、バッテリの残量チェック、赤外光リモコンの受信、
後述するモータドライバＩＣ１８，１９の制御、各種Ｌ
ＥＤの制御、電源電圧のチェック、昇圧回路の制御等を
行うものである。

【００２８】このＩＦＩＣ１７には、被写体輝度の測定
を行う測光用シリコンフォトダイオード（以下、ＳＰＤ
と記す。）３３が電気的に接続されている。このＳＰＤ
３３は、その受光面が画面中央部分とその周辺部分とに
２分割されており、画面中央の一部分のみで測光を行う
スポット測光と、画面全体を使用して測光するアベレー
ジ測光との２通りの測光を行うように構成されている。

【００２９】このＳＰＤ３３が被写体輝度に応じた電流
をＩＦＩＣ１７に出力すると、ＩＦＩＣ１７では、この
ＳＰＤ３３からの出力を電圧に変換してＣＰＵ１１へと
転送し、ＣＰＵ１１では、この電圧の情報を基にして露
出演算や逆光の判断等を行うようになっている。

【００３０】また、ＩＦＩＣ１７に内蔵された回路によ
り絶対温度に比例した電圧が出力されると、その信号は
ＣＰＵ１１によってＡ／Ｄ変換された後、カメラ内温度
の測温値として出力され、その測温値は温度により状態
が変化する機械部材や電気信号の補正等において用いら
れるようになっている。

【００３１】さらに、該ＩＦＩＣ１７において行われる
フォトインタラプタ等の波形整形は、フォトインタラプ
タあるいはフォトリフレクタ等の出力の光電流を基準電
流と比較して、矩形波として同ＩＦＩＣ１７より出力す
るものである。このとき、基準電流にヒステリシスを持
たせることによりノイズ除去を行っている。また、ＩＦ
ＩＣ１７は、このＣＰＵ１１との通信により、基準電流
およびヒステリシス特性を変化させることもできるよう
になっている。

【００３２】ＩＦＩＣ１７において行われるバッテリの
残量チェックは、図示しないバッテリの両端に低抵抗を
接続して電流を流したときのバッテリ両端の電圧を該Ｉ
ＦＩＣ１７内部で分圧してＣＰＵ１１へ出力し、このＣ
ＰＵ１１内においてＡ／Ｄ変換を行いＡ／Ｄ値を得るこ
とで行うようになっている。

【００３３】そして、ＩＦＩＣ１７において行われる赤
外光リモコンの受信は、リモコン送信用ユニット３０の
投光用ＬＥＤ３１から発せられる変調された赤外光を、
該ＩＦＩＣ１７に電気的に接続された受光用シリコンフ
ォトダイオード３２によって受信することで行う。この
シリコンフォトダイオード３２の出力信号は、該ＩＦＩ
Ｃ１７内部で波形整形等の処理が行われた後に、ＣＰＵ
１１へと転送されるようになっている。

【００３４】また、ＩＦＩＣ１７において行われる電源
電圧の低電圧監視は、該ＩＦＩＣ１７にそのための専用
端子が設けられていて、この専用端子に入力される電源
電圧が規定値より低下すると、ＩＦＩＣ１７からリセッ
ト信号がＣＰＵ１１へと出力されて、ＣＰＵ１１の暴走
等が未然に防止されるように構成されている。

【００３５】ＩＦＩＣ１７において行われる昇圧回路の
制御は、電源電圧が所定値より低下したときに、昇圧回
路を作動させるというものである。

【００３６】そして、上記ＩＦＩＣ１７には、ＡＦ測距
終了やストロボ発光警告等を行うためのファインダ内表
示用ＬＥＤ２９や、フォトインタラプタ等に使用されて
いるＬＥＤなどが電気的に接続されており、これらのＬ
ＥＤのオン／オフおよび発光光量の制御は、ＣＰＵ１１
およびＥＥＰＲＯＭ１３，ＩＦＩＣ１７間で通信を行っ
てＩＦＩＣ１７が直接的に行うようになっている。

【００３７】加えて、このＩＦＩＣ１７は、モータの定
電圧制御も行うようになっている。すなわち、上記ＩＦ
ＩＣ１７にはモータドライバＩＣ１８が電気的に接続さ
れていて、このモータドライバＩＣ１８は、フィルム給
送およびシャッタのチャージを行うシャッタチャージモ
ータ（ＳＣＭ）２２、フォーカス調整のためのレンズ駆
動用モータ（ＬＤＭ）２３、鏡枠のズーミング用のモー
タ（ＺＭ）２４の３つのモータの駆動、および昇圧回路
の駆動、セルフタイマ動作表示用のＬＥＤの駆動等を行
うためのものである。

【００３８】これらの動作の制御、例えば「どのデバイ
スを駆動するか」、「モータは正転させるか逆転させる
か」、「制動をかけるか」等については、ＣＰＵ１１か
らの信号をＩＦＩＣ１７が受けて、該ＩＦＩＣ１７がモ
ータドライバＩＣ１８を制御することにより行うように
なっている。

【００３９】そして、上記ＳＣモータ２２が、シャッタ
チャージ，フィルム巻上げ，巻戻しのいずれの状態にあ
るかは、クラッチレバーを用いることによりシャッタチ
ャージフォトインタラプタ（ＳＣＰＩ）２５で検出する
ようになっていて、その検出した情報はＣＰＵ１１へと
転送される。

【００４０】また、レンズの繰り出し量は、上記ＬＤモ
ータ２３に取り付けられたフォーカス調整のためのレン
ズ駆動用フォトインタラプタ（ＬＤＰＩ）２６により検
出されて、その出力は上記ＩＦＩＣ１７で波形整形され
た後にＣＰＵ１１へと転送されるようになっている。

【００４１】さらに、鏡枠のズーミングの繰り出し量
は、鏡枠のズーミング用のフォトインタラプタ（ＺＭＰ
Ｉ）２８およびフォトリフレクタ（ＺＭＰＲ）２７で検
出するようになっている。

【００４２】すなわち、鏡枠がテレ（ＴＥＬＥ）端とワ
イド（ＷＩＤＥ）端の間にあるときは、鏡枠に貼設した
銀色シールの反射をＺＭＰＲ２７が検出し、その出力を
ＣＰＵ１１に入力して、テレ端，ワイド端の検出を行っ
ている。そして、上記ＺＭＰＩ２８は、ＺＭモータ２４
に取り付けられてその動作状態を検出するものであり、
その出力はＩＦＩＣ１７で波形整形された後にＣＰＵ１
１に入力されて、テレ端またはワイド端からのズーミン
グ量が検出されるようになっている。

【００４３】上記ＣＰＵ１１にはモータドライバＩＣ１
９が電気的に接続されていて、このモータドライバＩＣ
１９は、絞り調整ユニット駆動用のステッピングモータ
であるＡＶモータ（ＡＶＭ）２０を、上記ＣＰＵ１１か
らの制御信号により駆動するようになっている。

【００４４】このＡＶモータ２０の動作状態は絞りフォ
トインタラプタ（ＡＶＰＩ）２１により検出されるよう
になっていて、このＡＶＰＩ２１の出力はＩＦＩＣ１７
で波形整形した後にＣＰＵ１１に出力されて、絞り開放
位置の検出を行うようになっている。

【００４５】上記ＣＰＵ１１には液晶表示パネル１４が
電気的に接続されていて、この液晶表示パネル１４は、
ＣＰＵ１１から送られる信号により、フィルム駒数，撮
影モード，ストロボモード，絞り値，電池残量等の表示
をするものである。

【００４６】上記ＣＰＵ１１には光源手段たるストロボ
回路１６が電気的に接続されていて、このストロボ回路
１６は、撮影時またはＡＦ測距時に被写体の輝度が不足
している場合に、発光管を発光させて必要な輝度を被写
体に与えるものであり、ＣＰＵ１１からの信号に基づい
てＩＦＩＣ１７が制御するようになっている。

【００４７】さらに、ＣＰＵ１１には、ファーストレリ
ーズスイッチＲ１ＳＷ，セカンドレリーズスイッチＲ２
ＳＷ，ズームアップスイッチＺＵＳＷ，ズームダウンス
イッチＺＤＳＷ，セルフスイッチＳＥＬＦＳＷ，スポッ
トスイッチＳＰＯＴＳＷ，ポートレートモードスイッチ
ＰＣＴ１ＳＷ，夜景モードスイッチＰＣＴ２ＳＷ，風景
モードスイッチＰＣＴ３ＳＷ，マクロモードスイッチＰ
ＣＴ４ＳＷ，プログラムスイッチＰＳＷ，ストロボスイ
ッチＳＴＳＷ，ＡＶ優先スイッチＡＶＳＷ，パワースイ
ッチＰＷＳＷ，パノラマスイッチＰＡＮＳＷ，裏蓋スイ
ッチＢＫＳＷ，シャッタチャージスイッチＳＣＳＷ，ミ
ラーアップスイッチＭＵＳＷ，ＤＸスイッチＤＸＳＷが
電気的に接続されている。

【００４８】上記ファーストレリーズスイッチＲ１ＳＷ
は、レリーズボタンが半押しされた状態のときにオンと
なるスイッチであり、このスイッチがオンされたときに
は測距動作が行われる。

【００４９】上記セカンドレリーズスイッチＲ２ＳＷ
は、レリーズボタンが全押しされた状態のときにオンと
なるスイッチであり、このスイッチがオンされたときに
は各種測定値を基に撮影動作が行われる。

【００５０】上記ズームアップスイッチＺＵＳＷおよび
ズームダウンスイッチＺＤＳＷは、鏡枠のズーミングを
行うスイッチであり、ズームアップスイッチＺＵＳＷが
オンすると長焦点方向に、ズームダウンスイッチＺＤＳ
Ｗがオンすると短焦点方向に、それぞれズーミングする
ようになっている。

【００５１】上記セルフスイッチＳＥＬＦＳＷは、オン
されることにより、セルフタイマ撮影モードまたはリモ
コンの待機状態に入るスイッチである。このスイッチが
オンされた状態においては、セカンドレリーズスイッチ
Ｒ２ＳＷがオンされればセルフタイマ撮影が行われ、リ
モコン送信ユニット３０によって撮影操作を行えばリモ
コン撮影が行われる。

【００５２】上記スポットスイッチＳＰＯＴＳＷは、オ
ンされることにより、測光を撮影画面の中央の一部のみ
で行う「スポット測光モード」に入るスイッチである。
このスポット測光は、後述するＡＦセンサにより行われ
る。なお、このスポットスイッチＳＰＯＴＳＷがオフに
なっているときの通常の測光は、測光用ＳＰＤ３３によ
って行われる評価測光となる。

【００５３】さらに、上記ポートレートモードスイッチ
ＰＣＴ１ＳＷ，夜景モードスイッチＰＣＴ２ＳＷ，風景
モードスイッチＰＣＴ３ＳＷ，マクロモードスイッチＰ
ＣＴ４ＳＷおよびプログラムスイッチＰＳＷは、「プロ
グラム撮影モード」の切換スイッチであり、撮影条件に
合わせて撮影者がモード選択を行うものである。

【００５４】上記ポートレートモードスイッチＰＣＴ１
ＳＷは、オンされることにより「ポートレートモード」
に入るスイッチであり、このモードに入ると、適正露出
範囲内で被写界深度が浅くなるように、絞りおよびシャ
ッタスピードを決定する。

【００５５】上記夜景モードスイッチＰＣＴ２ＳＷは、
オンされることにより「夜景モード」に入るスイッチで
あり、このモードに入ると、通常撮影時の適正露出の値
よりも一段アンダーに設定する。

【００５６】上記風景モードスイッチＰＣＴ３ＳＷは、
オンされることにより「風景モード」に入るスイッチで
あり、このモードに入ると、適正露出範囲内で被写界深
度ができるだけ深くなるように、絞りおよびシャッタス
ピードの値を決定する。

【００５７】上記マクロモードスイッチＰＣＴ４ＳＷ
は、オンされることにより「マクロモード」に入るスイ
ッチであり、近接撮影時に使用される。

【００５８】なお、これらポートレートモードスイッチ
ＰＣＴ１ＳＷ，夜景モードスイッチＰＣＴ２ＳＷ，風景
モードスイッチＰＣＴ３ＳＷ，マクロモードスイッチＰ
ＣＴ４ＳＷは、同時に２つ以上選択することができない
ように構成されている。

【００５９】そして、上記プログラムスイッチＰＳＷ
は、オンされることにより通常の「プログラム撮影モー
ド」に入るための切換スイッチであり、このＰＳＷを押
すことにより、上記ＰＣＴ１ＳＷ，ＰＣＴ２ＳＷ，ＰＣ
Ｔ３ＳＷ，ＰＣＴ４ＳＷのリセット、および後述するＡ
Ｖ優先スイッチＡＶＳＷのリセットを行うようになって
いる。

【００６０】上記ＡＶ優先スイッチＡＶＳＷは、オンさ
れることにより撮影モードが「ＡＶ優先プログラムモー
ド」となるスイッチである。このＡＶ優先プログラムモ
ードは、ＡＶ値を撮影者が決定して、そのＡＶ値に合わ
せてプログラムでシャッタスピードを決めるモードであ
る。このモードに入ると、ＰＣＴ２ＳＷとＰＣＴ４ＳＷ
は上述した機能はなくなってＡＶ値の設定スイッチとな
る。すなわち、ＰＣＴ２ＳＷはＡＶ値を大きくするスイ
ッチとなり、ＰＣＴ４ＳＷはＡＶ値を小さくするスイッ
チとなる。

【００６１】上記ストロボスイッチＳＴＳＷは、ストロ
ボの発光モードの切換スイッチであり、通常「自動発光
モード（ＡＵＴＯ）」、「赤目軽減自動発光モード（Ａ
ＵＴＯ−Ｓ）」、「強制発光モード（ＦＩＬＬ−Ｉ
Ｎ）」、「ストロボオフモード（ＯＦＦ）」の各発光モ
ードを切り換えるようになっている。

【００６２】上記パワースイッチＰＷＳＷは、カメラの
メイン電源を入れるためのスイッチであり、このスイッ
チがオンの状態の時に撮影が行われる。

【００６３】上記パノラマスイッチ（ＰＡＮＳＷ）は、
撮影状態がパノラマ撮影か通常撮影かを検出するための
スイッチであり、パノラマ撮影時にオンとなるように構
成されている。

【００６４】このパノラマスイッチＰＡＮＳＷがオンで
撮影モードがパノラマになっている場合には、測光の補
正演算等を行うようになっている。これは、パノラマ撮
影時には撮影画面の上下の一部がマスクされ、これに伴
って測光センサの一部もマスクされることになるので、
そのままでは正確な測光が行えないためである。

【００６５】上記裏蓋スイッチＢＫＳＷは、裏蓋の開閉
状態を検出するためのスイッチで、裏蓋が閉じている状
態がオフ状態となるように構成されている。この裏蓋ス
イッチＢＫＳＷがオンからオフへ移行すると、フィルム
のローディングを開始するようになっている。

【００６６】上記シャッタチャージスイッチＳＣＳＷ
は、シャッタチャージを検出するためのスイッチであ
る。

【００６７】上記ミラーアップスイッチＭＵＳＷは、ミ
ラーアップを検出するためのスイッチであり、ミラーア
ップでオンとなるように構成されている。

【００６８】上記ＤＸスイッチＤＸＳＷは、フィルムの
パトローネに印刷されているフィルム感度を示すＤＸコ
ードを読み取るとともに、フィルム装填の有無を検出す
るためのスイッチであり、図示しない５つのスイッチ群
で構成されている。

【００６９】次に図３は、上記ＡＦＩＣ１２の詳細な構
成を示すブロック図である。図示のように、このＡＦＩ
Ｃ１２には、上記ＣＰＵ１１からの制御信号に応じて該
ＡＦＩＣ１２全体の動作を制御するセンサ制御回路ＳＣ
Ｃが設けられている。このセンサ制御回路ＳＣＣは、Ｃ
ＰＵ１１からのリセット信号ＡＦＲＥＳを受けると、Ａ
ＦＩＣ１２内の各ブロックにリセット信号を供給して蓄
積動作を開始させ、その蓄積動作中はＡＦＥＮＤ信号を
ローレベル“Ｌ”に保持してＣＰＵ１１に出力するもの
である。

【００７０】これに対してＣＰＵ１１は、このＡＦＥＮ
Ｄ信号を随時モニタしており、ローレベル“Ｌ”である
区間が積分リミット時間を越えるとＡＦＥＸＴ信号を出
力し、センサ制御回路ＳＣＣは、このＡＦＥＸＴ信号に
応じて強制的に蓄積動作を停止させるようになってい
る。

【００７１】さらに、該センサ制御回路ＳＣＣは、セン
サ回路ＳＣに対して信号Ａから信号Ｅを出力して感度モ
ードの切り換えを行うとともに、クロック（ＣＬＫ）信
号，データ（ＤＡＴＡ）信号によってＣＰＵ１１に対し
てセンサデータＤ（Ｉ）の通信を行う。

【００７２】なお、フォトダイオードＰＤとセンサ回路
ＳＣについては後述するが、センサ回路ＳＣでは、蓄積
動作を終了すると蓄積終了信号ＴS をラッチ回路ＬＣと
ＯＲ発生回路ＯＲＣに出力するようになっている。

【００７３】また、光電変換素子列中で最初に電荷蓄積
を終了したセンサ回路ＳＣの蓄積終了信号ＴS は、ＯＲ
発生回路ＯＲＣを介してＯＲ信号としてセンサ制御回路
ＳＣＣに入力され、このセンサ制御回路ＳＣＣでは、こ
れをＴOR信号としてＣＰＵ１１に出力する（図５（Ｆ）
のＴOR参照）。

【００７４】また、光電変換素子列中で最後に電荷蓄積
を終了したセンサ回路ＳＣからの蓄電終了信号ＴS は、
ＡＮＤ発生回路ＡＮＤＣからＡＮＤＳ信号としてセンサ
制御回路ＳＣＣに入力され、このセンサ制御回路ＳＣＣ
では、ＡＦＥＮＤ信号としてＣＰＵ１１に出力する（図
５（Ｅ）参照）。以下の説明では、この図５（Ｅ）に示
すようなＡＦＥＮＤ信号がローレベル”Ｌ”となってい
る区間を積分時間ＴEと称する。

【００７５】そして、ＣＰＵ１１は、ＡＦＥＮＤ信号が
ローレベル“Ｌ”からハイレベル“Ｈ”に変化したこと
を検出してＡＦセンサの積分終了を判定し、ローレベル
“Ｌ”区間の時間を計測して積分リミットの判定を行
う。

【００７６】さらに、クロックジェネレータＣＧは、電
荷蓄積時間ＴS をセンサデータＤ（Ｉ）にディジタル化
するためのクロックパルスＣＰを発生するものであり、
図５（Ｇ）に示すように、ＡＦＲＥＳ信号の入力と同時
に動作を開始して、時間の経過とともに周期が増大して
いくクロックパルスＣＰを発生する。この周期の変化
は、電荷蓄積時間ＴS がフォトダイオードＰＤに入射す
る光強度とほぼ反比例の関係になるように構成されてい
る。

【００７７】そして、光電変換素子の中で最初に電荷蓄
積を完了したセンサ回路ＳＣからの蓄積終了信号ＴS が
ＯＲ発生回路ＯＲＣに入力されると、このＯＲ発生回路
ＯＲＣからＯＲＳ信号が出力されてスイッチＳＷを閉じ
る。このスイッチＳＷのオンにより、カウンタＣＯＴは
クロックジェネレータＣＧのクロックパルスＣＰのカウ
ントを開始する。

【００７８】従って、光電変換素子列中で最も強い光を
受けたフォトダイオードＰＤのラッチ回路ＬＣには、カ
ウンタ出力０がラッチされる。

【００７９】他のフォトダイオードＰＤでは、入射する
光強度が小さいほど電荷蓄積時間が長くなり、蓄積終了
信号ＴS が発生するまでの時間差が発生するので、この
時間差に応じたカウンタ出力がそれぞれラッチ回路ＬＣ
においてラッチされる。

【００８０】また、ＯＲ発生回路ＯＲＣは、図示はしな
いが、光電変換素子列の中央範囲内に位置するフォトダ
イオードＰＤに対応するセンサ回路ＳＣからの蓄積終了
信号ＴS のみを有効とする。

【００８１】ここでは、光電変換素子列の両側の主要被
写体背景の逆光が入る可能性があるので、この範囲の各
左右所定数のセンサ回路ＳＣからの蓄積終了信号ＴS は
除外して、ＯＲ発生回路ＯＲＣに入力していない。

【００８２】次に図４は、上記ＡＦＩＣ１２におけるセ
ンサ回路ＳＣの詳細な構成を示す回路図である。

【００８３】このセンサ回路ＳＣは、被写体輝度に応じ
て動作モードを切り換える回路であり、被写体が低輝度
の場合は「高感度モード」に、高輝度の場合は「低感度
モード」にそれぞれ設定するようになっている。

【００８４】最初に上記センサ制御回路ＳＣＣは、「高
感度モード」に設定するためにこのセンサ回路ＳＣに信
号Ａ〜Ｅを出力して、ＡＳ１オフ，ＡＳ２オン，ＡＳ３
オン，ＡＳ４オン，ＡＳ５オフにそれぞれ設定する。こ
の状態で蓄積コンデンサＣIは、その両端がショートさ
れ、かつ演算増幅器ＡＰの動作により電位Ｖ2 に固定さ
れてリセットされている。

【００８５】さらに、フォトダイオードＰＤは、カソー
ドが固定電位ＶR に接続されており、その受光光量に応
じた光電流を発生する。そして、ＡＳ３をオンからオフ
とすると蓄積動作が開始されて、フォトダイオードＰＤ
の受光光量に応じた光電流が蓄積コンデンサＣI に流れ
込み、これに応じた電荷が蓄積される。

【００８６】これと同時に、演算増幅器ＡＰの出力Ｐ2
の電位は、リセット電位Ｖ1 から受光光量に応じた傾き
で下降していく（図５（Ｃ）参照）。

【００８７】そして、演算増幅器ＡＰの出力Ｐ2 は、非
反転入力端を所定電位Ｖ3 に固定されたコンパレータＣ
Ｐの反転入力端に接続されており、演算増幅器ＡＰの出
力Ｐ2 が電位Ｖ3 を越えるとコンパレータＣＰの出力Ｐ
3 がハイレベル“Ｈ”からローレベル“Ｌ”に反転し
て、ＡＳ４を介して蓄積終了信号ＴS を出力する。

【００８８】この蓄積終了信号ＴS の内の最初の信号
は、上記ＯＲ発生回路ＯＲＣを介して、センサ制御回路
ＳＣＣからＴOR信号としてＣＰＵ１１に出力される（図
５（Ｆ）参照）。

【００８９】また、蓄積終了信号ＴS の内の最後の信号
は、上記ＡＮＤ発生回路ＡＮＤＣを介して、センサ制御
回路ＳＣＣからＡＦＥＮＤ信号としてＣＰＵ１１に出力
される（図５（Ｅ）参照）。

【００９０】光電変換素子列中で最も短い蓄積時間が所
定時間より短い場合は、「低感度モード」に切り換えて
再度蓄積動作を行う（図６（Ｈ），（Ｉ），（Ｊ），
（Ｋ），（Ｌ），（Ｍ）参照）。

【００９１】この「低感度モード」時には、センサ制御
回路ＳＣＣによって信号Ａ〜Ｅの設定が行なわれて、Ａ
Ｓ１オン，ＡＳ２オフ，ＡＳ３オフ，ＡＳ４オフ，ＡＳ
５オンとする。

【００９２】なお、低感度モードでは、演算増幅器ＡＰ
は、非反転入力端をＶ2 に固定されたコンパレータとし
て動作させる。そして、このコンパレータとしての演算
増幅器ＡＰの反転入力端Ｐ1 は、電位Ｖ1 に固定されて
接合容量ＣJ をリセットしている。

【００９３】次に、信号Ａを反転してＡＳ１をオフさせ
て、フォトダイオードＰＤの受光する光量に応じた光電
流により、該フォトダイオードＰＤの接合容量ＣJ を放
電するので、コンパレータとしての演算増幅器ＡＰの反
転入力端Ｐ1 の電位は、リセット電位Ｖ1 から受光光量
に応じた傾きで上昇していく（図６（Ｉ）参照）。

【００９４】さらに、蓄積開始とともに、クロックジェ
ネレータＣＧ，カウンタＣＯＴはリセットされ、コンパ
レータとしての演算増幅器ＡＰの反転入力端Ｐ1 の電位
が電位Ｖ2 を越えると、コンパレータとしての演算増幅
器ＡＰの出力Ｐ2 がハイレベル“Ｈ”からローレベル
“Ｌ”に反転して（図６（Ｊ）参照）、ＡＳ５を介して
蓄積終了信号ＴS を出力する。

【００９５】また、この低感度モードでも上述の高感度
モードと同様に、最も早く蓄積が終了したセンサ回路Ｓ
Ｃからの蓄積終了信号ＴS に応じて、ＯＲ発生回路ＯＲ
Ｃを介してスイッチＳＷがオンされて、センサ制御回路
ＳＣＣからＴOR信号が出力される。

【００９６】そして、最も遅く蓄積が終了したセンサ回
路ＳＣからの蓄積終了信号ＴS に応じて、ＡＮＤ発生回
路ＡＮＤＣを介してセンサ制御回路ＳＣＣからＡＦＥＮ
Ｄ信号が出力される（図６（Ｌ）参照）。

【００９７】さらに、光電変換素子列中で最も入射光量
が大きいフォトダイオードＰＤに対応する蓄積時間、つ
まり最も小さい蓄積時間、言い換えれば上述のＴOR信号
に相当する蓄積時間をＴ0 とすると、この蓄積時間Ｔ0
と、光電変換素子列中の任意のフォトダイオードＰＤに
対応する電荷蓄積時間Ｔ（Ｉ）と対応するラッチ回路Ｌ
Ｃにおいてラッチされるカウンタ出力Ｄ（Ｉ）とは、次
式のような関係となっている。

【数１】

【００９８】この式を変形することにより、ディジタル
化されたカウンタ出力Ｄ（Ｉ）は次式で示される。

【数２】

【００９９】なお、電荷蓄積時間Ｔ（Ｉ）は各フォトダ
イオードＰＤに入射する光量に比例するので、上記Ｄ
（Ｉ）を読み出すことにより被写体像信号を得ることが
できる。

【０１００】そしてカウンタＣＯＴは、８ビット分のカ
ウントを行ったところで、カウントを停止する。従っ
て、フォトダイオードＰＤへの入射光強度が弱く上記電
荷蓄積時間Ｔ（Ｉ）が上記Ｔ0 で決まる所定時間より長
い素子の出力は、“２５５”に固定されることになる。

【０１０１】次に図７は、上記ストロボ回路１６の詳細
な構成を示すブロック図である。

【０１０２】図示のように、ストロボ回路１６には電源
Ｅが設けられていて、この電源Ｅには、電源電圧をスト
ロボ発光可能になるまで昇圧を行うＤＣ／ＤＣコンバー
タ５２が並列に接続されている。さらにこのＤＣ／ＤＣ
コンバータ５２の出力には、後述するメインコンデンサ
ＭＣに充電された電圧を測定するメインコンデンサ電圧
測定回路５３が接続されている。

【０１０３】上記ＤＣ／ＤＣコンバータ５２の出力に
は、Ｘｅ（キセノン）管５７に発光のためのトリガを印
加するトリガ回路５４が接続されており、さらにダイオ
ードＤ１を介して発光するための電気エネルギーを蓄え
るメインコンデンサＭＣも接続されている。

【０１０４】上記電源Ｅには、上記ダイオードＤ１のカ
ソードに接続されたメインコンデンサＭＣのエネルギー
を消費して発光するＸｅ管５７と、このＸｅ管５７の発
光光量の制御を行う発光光量制御回路５５とが直列に接
続されており、この発光光量制御回路５５には、電源Ｅ
の供給を制御する電源供給制御回路５６が接続され、さ
らに上記トリガ回路５４も接続されている。

【０１０５】なお、上記ＤＣ／ＤＣコンバータ５２，メ
インコンデンサ電圧測定回路５３，トリガ回路５４，発
光光量制御回路５５，電源供給制御回路５６は、上記Ｃ
ＰＵ１１により、ＩＦＩＣ１７をインターフェイスとし
て制御されるようになっている。

【０１０６】ここで図８を参照して、上記ストロボ回路
１６のさらに詳細な構成について説明する。

【０１０７】同図に示すように、上記電源Ｅは、ＣＰＵ
１１のＶE 端子に接続され、さらに上記ＤＣ／ＤＣコン
バータ５２は同ＣＰＵ１１のＳＴＣＨＲＧ端子に接続さ
れている。

【０１０８】また、上記メインコンデンサ電圧測定回路
５３は、抵抗Ｒ１と抵抗Ｒ２とが直列に接続されてお
り、この抵抗Ｒ２にはコンデンサＣ１が並列に接続され
ていて、上記抵抗Ｒ１，Ｒ２の接続点はＣＰＵ１１のＶ
ＳＴ端子に接続された構成となっている。

【０１０９】そして、このメインコンデンサ電圧測定回
路５３は、ＤＣ／ＤＣコンバータ５２を起動させて、抵
抗Ｒ１，Ｒ２の分圧比で発生する抵抗Ｒ２の両端の電圧
をＣＰＵ１１でモニタし、メインコンデンサＭＣの電圧
を抵抗の分圧比倍することにより、メインコンデンサＭ
Ｃの電圧を測定するようになっている。なお、コンデン
サＣ１は測定電圧を平滑するためのものである。

【０１１０】上記トリガ回路５４は、抵抗Ｒ３とサイリ
スタＤ２が直列に接続されていて、このサイリスタＤ２
のアノード，ＧＮＤ間にコンデンサＣ２とトリガコイル
Ｔ１のｂ−ａ間が直列に接続されるとともに、同じくサ
イリスタＤ２のアノード，ＧＮＤ間にコンデンサＣ３と
抵抗Ｒ４が直列に接続されている。さらに、上記トリガ
コイルＴ１の２次巻線Ｔ１−ｃがＸｅ管５７の外壁に接
続され、上記コンデンサＣ３と抵抗Ｒ４の接続点がＸｅ
管５７のカソードに接続されて、サイリスタＤ２のゲー
トがＣＰＵ１１のＳＴＯＮ端子に接続された構成となっ
ている。

【０１１１】このようなトリガ回路５４は、Ｘｅ管５７
にトリガを印加すると同時にＸｅ管５７のカソードに負
のメインコンデンサ電圧を印加するようになっていて、
Ｘｅ管５７を発光し易くするための倍電圧回路としても
兼用されている。

【０１１２】ここで、このトリガ回路５４の動作につい
てさらに詳細に説明する。

【０１１３】先ずＤＣ／ＤＣコンバータ５２を一定時間
起動させて、出力充電電流を抵抗Ｒ３を介してコンデン
サＣ２，Ｃ３に流して充電を行うと、この充電された電
荷は、サイリスタＤ２のゲートにハイレベル“Ｈ”信号
を入力することによりサイリスタＤ２のアノード＝カソ
ード間が導通し、コンデンサＣ２からサイリスタＤ２，
トリガコイルＴ１の１次側ａ−ｂ間，コンデンサＣ２へ
と電流が流れる。

【０１１４】トリガコイルＴ１の１次側に電流が流れる
と、このトリガコイルＴ１に１次巻線の２次巻線に対す
る鎖交磁束が生じるために、２次巻線ｃ端子には高電圧
が誘起される。

【０１１５】さらに、コンデンサＣ３からサイリスタＤ
２，抵抗Ｒ４，コンデンサＣ３に電流が流れて、サイリ
スタＤ２のアノード電圧が初期のＸｅ管５７の発光可能
電圧値から一瞬のうちに０Ｖとなるために、コンデンサ
Ｃ３のＸｅ管５７のアノード側の電圧が０Ｖからマイナ
スのＸｅ管発光可能電圧となり、ダイオードＤ３により
Ｘｅ管５７のカソード電圧は保持されて、Ｘｅ管５７の
両端には２倍のＸｅ管発光可能電圧が印加されることに
なる倍電圧回路の駆動を行う。

【０１１６】上記発光光量制御回路５５は、Ｘｅ管５７
とＧＮＤ間にダイオードＤ３と絶縁ゲート型バイポーラ
トランジスタＩＧＢＴ１が直列に接続され、このＩＧＢ
Ｔ１のゲート＝エミッタ間にツェナダイオードＤ４が並
列に接続されるとともに、トランジスタＴｒ１のコレク
タ＝エミッタ間が並列に接続され、ツェナダイオードＤ
４のカソードと電源供給制御回路５６が接続され、トラ
ンジスタＴｒ１のベースが抵抗Ｒ６を介してＣＰＵ１１
のＳＴＯＦＦ端子に接続された構成となっている。

【０１１７】そして、この発光光量制御回路５５は、電
源供給制御回路５６から供給される電圧により、ツェナ
ダイオードＤ４で絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ
ＩＧＢＴ１のゲート電圧を作成して、該ＩＧＢＴ１をオ
ン状態にする。

【０１１８】このとき、トリガ回路５４が起動すること
により、発光電流がＸｅ管５７からダイオードＤ３と絶
縁ゲート型バイポーラトランジスタＩＧＢＴ１に流れ
る。

【０１１９】そして、ＣＰＵ１１からＳＴＯＦＦ端子を
介して入力した発光停止信号が、抵抗Ｒ６を経てトラン
ジスタＴｒ１に入力されると、該トランジスタＴｒ１は
絶縁ゲート型バイポーラトランジスタＩＧＢＴ１のゲー
ト電荷を放出させてこのＩＧＢＴ１をオフし、発光電流
が停止する。

【０１２０】上記電源供給制御回路５６は、トランジス
タＴｒ２と抵抗Ｒ５とが直列に接続され、抵抗Ｒ７と抵
抗Ｒ８とトランジスタＴｒ３とが直列に接続され、この
トランジスタＴｒ３のベースが抵抗Ｒ９を介してＣＰＵ
１１のＧ−ＯＮ端子に接続された構成となっている。

【０１２１】この電源供給制御回路５６は、ＣＰＵ１１
のＧ−ＯＮ端子からオン信号が入力されると、トランジ
スタＴｒ３が起動するとともにトランジスタＴｒ２が起
動して、メインコンデンサＭＣの電荷を発光光量制御回
路５５へ供給する。そして、電源供給制御回路５６は、
Ｇ−ＯＮ端子からオフ信号が入力されると、発光光量制
御回路５５への電荷の供給を停止するようになってい
る。

【０１２２】なお、メインコンデンサＭＣの電圧測定
は、充電電圧チェックのサブルーチンをコールすること
により実行されるようになっていて、予め発光可能電圧
値がＣＰＵ１１内の図示しない記憶領域に格納されてい
る。この充電電圧チェックのサブルーチンについての詳
細は後述する。

【０１２３】次に、図９のフローチャートを参照して、
本実施例のカメラにより実行されるサブルーチン“ファ
ーストレリーズ”のシーケンスについて詳細に説明す
る。

【０１２４】まず、Ｇ−ＯＮをハイレベル“Ｈ”にし
（ステップＳ１０１）、後述するサブルーチン“充電電
圧チェック”を実行する（ステップＳ１０２）。

【０１２５】続いて、後述するサブルーチン“ＡＦ測
距”を実行し（ステップＳ１０３）、ＡＦ測距結果が検
出不能であったか否かを、検出不能フラグを参照して判
別する（ステップＳ１０４）。

【０１２６】ＡＦ測距結果が検出可能である場合には、
合焦フラグを参照して合焦か否かを判別し（ステップＳ
１０５）、合焦である場合にはファインダ内のＬＥＤ表
示やブザーの発音等により合焦表示を行い（ステップＳ
１０６）、Ｇ−ＯＮをローレベル“Ｌ”にして（ステッ
プＳ１１０）リターンする（ステップＳ１１１）。

【０１２７】一方、上記ステップＳ１０５において非合
焦である場合には、後述するサブルーチン“レンズ駆
動”を実行し、上記ＡＦ測距の結果に基づいてレンズ駆
動を行う（ステップＳ１０７）。

【０１２８】続いて、合焦フラグを参照して合焦か否か
を判別し（ステップＳ１０８）、合焦であれば上記ステ
ップＳ１０６へ行って合焦表示を行い、非合焦である場
合には、上記ステップＳ１０３に戻って、サブルーチン
“ＡＦ測距”を再度実行する。

【０１２９】また、上記ステップＳ１０４においてＡＦ
測距結果が検出不能である場合には、ファインダ内ＬＥ
Ｄ等による非合焦表示を行った（ステップＳ１０９）
後、上記ステップＳ１１０へ行ってＧ−ＯＮをローレベ
ル“Ｌ”にして上記ステップＳ１１１でリターンする。

【０１３０】次に図１０のフローチャートを参照して、
図９のステップＳ１０２で実行されるサブルーチン“充
電電圧チェック”のシーケンスについて詳細に説明す
る。

【０１３１】シーケンスが始まると、まず、上述したス
トロボ回路１６における電源Ｅ（図７，図８等参照）の
電圧を測定してその結果を記憶し（ステップＳ２０
１）、次に、電源Ｅの温度を測定してその結果を記憶す
る（ステップＳ２０２）。

【０１３２】そして、上記ステップＳ２０１，Ｓ２０２
で行った電源電圧温度の測定結果に基づいて、電圧チェ
ックのためのプリ充電を行う時間を決定する（ステップ
Ｓ２０３）。

【０１３３】つぎに、ＳＴＣＨＲＧ端子からハイレベル
“Ｈ”信号を入力して、ＤＣ／ＤＣコンバータ５２を起
動させて充電を開始する（ステップＳ２０４）。

【０１３４】続いて、上記ステップＳ２０３で決定した
時間だけ充電を行い（ステップＳ２０５）、ＶＳＴ端子
を介してメインコンデンサＭＣの電圧をＡ／Ｄ変換し、
そのＡ／Ｄ値を記憶する（ステップＳ２０６）。

【０１３５】さらに、このステップＳ２０６で測定した
Ａ／Ｄ値をＥＥＰＲＯＭ１３に予め記憶されている発光
可能電圧Ａ／Ｄ値と比較して（ステップＳ２０７）、測
定電圧が発光可能電圧に達していれば発光可能フラグを
セットし（ステップＳ２０８）、測定電圧が発光可能電
圧よりも低ければ発光可能フラグをクリアする（ステッ
プＳ２０９）。

【０１３６】そして、ＳＴＣＨＲＧ端子にローレベル
“Ｌ”信号を入力してＤＣ／ＤＣコンバータ５２の動作
を停止し（ステップＳ２１０）、本サブルーチンを終了
する（ステップＳ２１１）。

【０１３７】次に、図１１のフローチャートを参照し
て、上記図９のステップＳ１０３で実行されるサブルー
チン“ＡＦ測距”のシーケンスについて詳細に説明す
る。

【０１３８】シーケンスに入ると、先ずサブルーチン
“ＡＦセンサ積分”が実行され、ＡＦＩＣ１２内の光電
変換素子列３４Ｒ，３４ＬによるＡＦセンサ積分が行わ
れる（ステップＳ３００）。

【０１３９】ここで、この光電変換素子列３４Ｒ，３４
Ｌ上に被写体像を結像させるためのＡＦ光学系３７につ
いて説明する。

【０１４０】なお、撮影レンズ３８によって形成される
被写体像を、再結像光学系により２つの被写体像に分割
して光電変換素子列上に再結像させ、これら２つの被写
体像の位置ずれを検出することにより合焦検出を行うよ
うな焦点検出光学系は、既に公知のものである。

【０１４１】このような焦点検出光学系の代表的なもの
は、図１２に示すように、撮影レンズ３８の結像面１２
２の後方近傍に位置するコンデンサレンズ３６と、この
コンデンサレンズ３６の後方に位置する一対の再結像レ
ンズ３５Ｒ，３５Ｌとを有して構成されている。

【０１４２】撮影レンズ３８の合焦時に上記結像面１２
２上に被写体像１２３が結像すると、この被写体像１２
３は、コンデンサレンズ３６および一対の再結像レンズ
３５Ｒ，３５Ｌによって、光軸Ｏに対して垂直に配設さ
れた光電変換素子列の２次結像面１２７上に再結像され
て、第１の被写体像１２３Ｌおよび第２の被写体像１２
３Ｒとなる。

【０１４３】また、撮影レンズ３８が前ピンとなる場
合、すなわち、結像面１２２の前方に被写体像１２４が
形成される場合には、この被写体像１２４は、互いに光
軸Ｏに近づいた形で該光軸Ｏに対して垂直に再結像され
て、第１の被写体像１２４Ｌおよび第２の被写体像１２
４Ｒとなる。

【０１４４】一方、撮影レンズ３８が後ピンとなる場
合、すなわち上記結像面１２２の後方に被写体像１２５
が形成される場合には、その被写体像１２５は互いに光
軸Ｏから離れた位置に該光軸Ｏに対して垂直に再結像さ
れて、第１の被写体像１２５Ｌおよび第２の被写体像１
２５Ｒとなる。

【０１４５】これらの第１，第２の被写体像は同一方向
を向いており、両像において互いに対応する部分の間隔
を検出することにより、撮影レンズ３８の合焦状態を、
前ピン，後ピン等を含めて検出することができる。

【０１４６】次に、図１３のフローチャートを参照し
て、図１１のステップＳ３００で実行されるサブルーチ
ン“ＡＦセンサ積分”のシーケンスについて、詳細に説
明する。

【０１４７】本ルーチンに入ると、最初にストロボオフ
モードであるか否かを判定し（ステップＳ４００）、ス
トロボオフモードでない場合には後述するステップＳ４
０２へ行き、ストロボオフモードである場合には、積分
リミット時間を通常の２倍（２・ＴL ）に設定する（ス
テップＳ４０１）。

【０１４８】続いて、ＡＦセンサ積分がスタートされて
いるか否かをフラグを参照して判断し（ステップＳ４０
２）、積分中でない場合には、ＣＰＵ１１からＡＦＩＣ
１２にリセット信号ＡＦＲＥＳを出力することにより積
分を開始して（ステップＳ４０３）、積分時間カウンタ
をスタートさせ（ステップＳ４０４）、上記ステップＳ
４０２に戻って積分中か否かを判断する。

【０１４９】一方、上記ステップＳ４０２で積分が開始
されていると判断された場合には、被写体に補助光を照
射して積分を行う補助光モードであるか否かを判定する
（ステップＳ４０５）。

【０１５０】補助光モードでない場合には、ＡＦＩＣ１
２内のセンサ制御回路ＳＣＣの積分終了出力ＡＦＥＮＤ
を参照して、積分が終了したか否かを判断する（ステッ
プＳ４１０）。

【０１５１】積分が終了しているときはリターンし（ス
テップＳ４１３）、終了していないときは、積分時間が
積分リミット時間に達したか否かを判定する（ステップ
Ｓ４１１）。

【０１５２】そして、積分時間が積分リミット時間を越
えた場合には、ＡＦＩＣ１２の積分動作を強制的に停止
させて（ステップＳ４１２）、ステップＳ４１３へ行っ
てリターンする。

【０１５３】上記ステップＳ４１１において、積分時間
が積分リミット時間を越えていないときは、上記ステッ
プＳ４０２に戻って、ステップＳ４０２，Ｓ４０５，Ｓ
４１０，Ｓ４１１のループを、積分終了まで、または積
分リミット時間に達するまで繰り返す。

【０１５４】なお、積分時間は、センサ制御回路ＳＣＣ
からのＡＦＥＮＤ信号に対応して、割込み処理でＲＡＭ
に格納される。

【０１５５】一方、上記ステップＳ４０５で補助光モー
ドである場合は、後述するサブルーチン“補助光照射”
を実行し（ステップＳ４０６）、補助光照射を一定時間
内においてあるパターンで行う。

【０１５６】なお、この補助光照射中に積分が終了して
ＡＦＥＮＤ信号が発せられた場合には、割込み処理によ
り積分時間を取り込んで、所定のＲＡＭに格納する。

【０１５７】サブルーチン“補助光照射”を行ったら、
積分が終了したか否かを判定し（ステップＳ４０７）、
積分が終了した場合にはステップＳ４１３へ行ってリタ
ーンし、積分が終了していない場合には積分動作を強制
的に停止させて（ステップＳ４０８）、積分リミットフ
ラグを設定し（ステップＳ４０９）、ステップＳ４１３
へ行ってリターンして積分制御動作を終了する。

【０１５８】なお、上述の積分リミット時間は、被写体
が低輝度である場合に積分時間が長くなってタイムラグ
が大きくなるのを防止するために設けられているのであ
り、このような被写体が低輝度のときは、被写体像信号
が正しく得られない場合がある。そこで、積分時間が所
定値を越えるときは、次回の積分時に被写体に補助光を
照射して、被写体光量の不足を補うようになっている。

【０１５９】ところで、本実施例のカメラにおいては、
撮影モードとして、通常の「ストロボ低輝度自動発光モ
ード」の他に「ストロボオフモード」を有しており、ス
トロボ撮影が禁止されている場所や、あるいはストロボ
撮影を行うのが好ましくない場所での撮影時に一時的に
使用される。

【０１６０】この場合には、補助光としてのストロボ光
照射も禁止するようになっていて、このとき同時に、上
記ステップＳ４００，Ｓ４０１に示すように上記積分リ
ミット時間を２倍に設定して、低輝度での焦点検出精度
の劣化を防止するように構成している。

【０１６１】次に、図１４のフローチャートを参照し
て、図１３のステップＳ４０６で実行されるストロボ回
路６によるサブルーチン“補助光照射”のシーケンスに
ついて詳細に説明する。

【０１６２】この“補助光照射”のサブルーチンがコー
ルされると、ＣＰＵ１１はＥＥＰＲＯＭ１３から補助光
の発光光量パターン、つまり発光回数と発光光量のデー
タを読み出して、それを該ＣＰＵ１１の内部のＲＡＭに
格納する（ステップＳ５０１）。

【０１６３】次に、読み出した上記発光回数データに基
づき、ＡＦＩＣ１２の１回の積分中に発光する補助光の
全発光回数を設定する（ステップＳ５０２）。

【０１６４】その後、サブルーチン“プリ充電”を実行
する（ステップＳ５０３）。このサブルーチン“プリ充
電”のシーケンスは図１５に示す通りであるが、これは
上記図１０を参照して説明したサブルーチン“充電電圧
チェック”とほぼ同じ内容である。

【０１６５】すなわち、シーケンスが始まると、まず、
上記ストロボ回路１６における電源Ｅ（図７，図８等参
照）の電圧を測定してその結果を記憶し（ステップＳ６
０１）、次に電源Ｅの温度を測定してその結果を記憶す
る（ステップＳ６０２）。

【０１６６】そして、上記ステップＳ６０１，Ｓ６０２
で行った電源電圧温度の測定結果に基づいて、電圧チェ
ックのためのプリ充電を行う時間を決定する（ステップ
Ｓ６０３）。

【０１６７】つぎに、ＳＴＣＨＲＧ端子からハイレベル
“Ｈ”信号を入力して、ＤＣ／ＤＣコンバータ５２を起
動させて充電を開始する（ステップＳ６０４）。

【０１６８】続いて、上記ステップＳ６０３で決定した
時間だけ充電を行い（ステップＳ６０５）、ＳＴＣＨＲ
Ｇ端子にローレベル“Ｌ”信号を入力してＤＣ／ＤＣコ
ンバータ５２の動作を止め（ステップＳ６０６）、本サ
ブルーチンを終了する（ステップＳ６０７）。

【０１６９】図１４に戻って、このようなステップＳ５
０３のサブルーチン”プリ充電”が終了したら、次に、
サブルーチン“発光”を行う（ステップＳ５０４）。こ
のサブルーチン“発光”のシーケンスは図１６に示す通
りである。

【０１７０】すなわち、サブルーチンに入ると、上記ス
テップＳ５０１で読み出した発光光量データに基づい
て、この発光光量を得るための発光時間を設定し（ステ
ップＳ７０１）、ＳＴＯＮ端子からハイレベル“Ｈ”信
号を出力してＸｅ管５７を発光させる（ステップＳ７０
２）。

【０１７１】そして、上記ステップＳ７０１で設定した
時間だけ発光を続け（ステップＳ７０３）、この時間が
経過したらＳＴＯＦＦ端子にハイレベル“Ｈ”信号を出
力して（ステップＳ７０４）、絶縁ゲート型バイポーラ
トランジスタＩＧＢＴ１をオフさせてＸｅ管５７の発光
を停止させる。

【０１７２】そしてＳＴＯＮ端子をローレベル“Ｌ”と
し（ステップＳ７０５）、ＳＴＯＦＦ端子をローレベル
“Ｌ”として（ステップＳ７０６）、これらＳＴＯＮ端
子およびＳＴＯＦＦ端子を初期状態としてリターン（ス
テップＳ７０７）し、このサブルーチン“発光”を終了
する。

【０１７３】図１４に戻って、このようなステップＳ５
０４が終了したら、次に、ＡＦ補助光の発光周期を決め
るインターバルの時間をカウントした（ステップＳ５０
５）後、所定の発光回数となるまで上記ステップＳ５０
３に戻ることにより繰り返して発光を行い（ステップＳ
５０６）、所定回数に達したらリターンして（ステップ
Ｓ５０７）、このサブルーチン“補助光照射”を終了す
る。

【０１７４】ここでＡＦＩＣ１２が積分している間に発
光される補助光の光量パターンは図１７（Ａ）に示すよ
うに設定されており、このような補助光の光量パターン
が、上述の図１４のサブルーチン“補助光照射”におけ
るステップＳ５０１でＥＥＰＲＯＭ１３から読み出され
るようになっている。

【０１７５】この補助光光量は、図示のように、近距離
高反射率の被写体に対して適正となるような小さな光量
からスタートして、発光回数の増加に伴って順次光量が
増加するパターンとなっている。

【０１７６】すなわち、光量パターンの各発光光量は、
１回目をａn として、２回目以後２ａn ，４ａn ，８ａ
n ，１６ａn ，３２ａn ，６４ａn と２倍ずつ光量を増
加させて、最大７回発光するようになっている。

【０１７７】また、図１７（Ｂ）に示すのは、近距離高
反射率の被写体に対して図１７（Ａ）に示すような光量
パターンの補助光が照射された場合の、ＡＦＩＣ１２の
積分波形である。

【０１７８】補助光光量パターンの最初の部分で近距離
高反射率の被写体からの反射光量は焦点検出に適したレ
ベルに達するので、ＡＦＩＣ１２はこのレベルを検出し
て積分を停止する（図１７（Ｄ）ＡＦＥＮＤ）。

【０１７９】一方、図１７（Ｃ）に示すのは、遠距離低
反射率の被写体に対して図１７（Ａ）に示すような光量
パターンの補助光が照射された場合の、ＡＦＩＣ１２の
積分波形である。

【０１８０】このような遠距離低反射率の被写体では、
補助光光量パターンの最後の部分の発光による総反射光
量が焦点検出に適したレベルに達するので、同様にＡＦ
ＩＣ１２はこのレベルを検出して積分を停止する（図１
７（Ｅ）ＡＦＥＮＤ）。

【０１８１】ＡＦＩＣ１２の積分動作中に、図１７
（Ａ）に示すような光量パターンを照射した場合に得ら
れる被写体反射光量の比は、最初の１回の発光光量と７
回目の発光までの総発光光量の比と考えてよいので、反
射光量としては１２７倍のダイナミックレンジを得られ
ることになる。

【０１８２】この反射光量比を基にして、被写体の反射
率を一定と仮定して被写体距離に換算した場合には、反
射光量は被写体距離の２乗に反比例するので、たとえば
最至近距離が１ｍであるときは、この１ｍから、 １ｍ×（１２７）＾０．５＝１１．３ｍ までのダイナミックレンジを有することになる。ここ
に、「＾」はべき乗を表している。

【０１８３】従って、同一の大光量で複数回発光した場
合の近距離被写体でのＡＦＩＣ１２の積分の飽和や、同
一の小光量で複数回発光した場合の遠距離被写体でのＡ
ＦＩＣ１２の積分量の不足といった焦点検出が困難な状
態が発生することはなく、補助光光量を変更して再度補
助光照射して積分をやり直す必要もなくなる。

【０１８４】一方、カメラに必要とされる補助光の到達
距離について次に説明する。

【０１８５】例えばこのカメラのストロボのガイドナン
バーをＧＮＯ＝１４、絞り値をＦＮＯ＝４．５とし、使
用フィルムの感度をＩＳＯ１００とすると、ストロボを
使用して露出したときのストロボ光が有効な被写体距離
ｌは、 ｌ＝ＧＮＯ／ＦＮＯ＝１４／４．５＝３．１ｍ となる。

【０１８６】さらに、使用フィルム感度をＩＳＯ４００
とすると、同様にして、 ｌ(ISO400)＝ＧＮＯ／ＦＮＯ×（４００／１００）＾
０．５＝６．２ｍ となり、上述した補助光の到達距離（上記例では１１．
３ｍ）は、このような露出時のストロボ光の到達距離を
十分にカバーしている。

【０１８７】以上述べたように、被写体距離や被写体反
射率によらず、１回の補助光照射中の積分によって、焦
点検出に適した被写体反射光量を得ることができる。

【０１８８】なお、本実施例では、補助光の光量パター
ンは２倍ずつ光量を増加するように設定さ、かつ発光回
数が７回となるように設定されているが、光量の増加割
合や発光回数はこれに限定されるものではない。

【０１８９】このようにして図１１のステップＳ３００
のＡＦセンサ積分が終了したら、次に、センサデータ読
み出しを行う（ステップＳ３０１）。すなわち、ＣＰＵ
１１からＡＦＩＣ１２内のセンサ制御回路ＳＣＣのＣＬ
Ｋ端子にクロックを入力すると、これに同期して各ラッ
チ回路ＬＣにラッチされているカウント出力Ｄ（Ｉ）
が、センサデータとして順次ＤＡＴＡ端子に出力され
る。ＣＰＵ１１は、このセンサデータＤ（Ｉ）を図示し
ないＲＡＭに順次格納して行く。

【０１９０】そして、全センサデータＤ（Ｉ）の読み込
みが終了すると、次にセンサ回路ＳＣの動作モードが、
高感度モードであるかあるいは低感度モードであるかを
示す感度データＤK の通信を行う。

【０１９１】続いて、上記センサデータＤ（Ｉ）を用い
て、被写体の測光値を計算する（ステップＳ３０２）。
この測光値は、露出データの計算や補助光の必要性の判
断の他、得られたセンサデータの信頼性の判定等にも使
用される。

【０１９２】なお、センサデータＤ（Ｉ）と電荷蓄積時
間Ｔ（Ｉ）とは、上記（１）式に示した関係を有してい
るので、各センサデータＤ（Ｉ）から各素子の蓄積時間
Ｔ（Ｉ）を求めれば測光値を得ることができる。

【０１９３】一方、積分時間ＴE は、上述のようにフォ
トダイオードＰＤへの入射光量が最も少ない素子に対応
する蓄積時間であるから、この素子に対応するセンサデ
ータＤ（Ｉ）は、全素子中の最大値である。

【０１９４】よって、この最大センサデータをＤMAX と
すると、積分時間ＴE は上記（１）式を適用して次式で
示すことができる。

【数３】

【０１９５】従って、

【数４】 となり、光電変換素子列中でフォトダイオードＰＤへの
入射光量が最も大きい素子の蓄積時間Ｔ0 を求めること
ができる。

【０１９６】これを上記（１）式に代入すると、

【数５】 となり、積分時間ＴE ，最大センサデータＤMAX および
各センサデータＤ（Ｉ）により、各素子の蓄積時間Ｔ
（Ｉ）を計算することができる。

【０１９７】ここで、測光値を求める場合は、各センサ
データＤ（Ｉ）から求められる蓄積時間Ｔ（Ｉ）の平均
値を用いるのが有効である。さらに、光電変換素子列中
の中央部の素子について求めると、被写体像の結像され
ていない背景等の部分の影響を削除することができる。
また、上述のＡＦ光学系３７により分割された第１およ
び第２の被写体像は等しいので、光電変換素子列３４
Ｌ，３４Ｒのいずれか一方について計算すればよい。

【０１９８】こうしてＴ（Ｉ）を平均することにより、
平均蓄積時間Ｔbar は次式で示される。

【数６】 ここにｎは、光電変換素子列における素子数である。

【０１９９】これを近似すると次式のように示される。

【数７】

【０２００】さらに、この平均蓄積時間Ｔbar を対数圧
縮することにより、測光値Ｅは次式で示される。

【数８】

【０２０１】なお、補正値ＨE は測光値Ｅと積分時間Ｔ
E の関係を補正するための調整値であり、均一光源に対
する積分時間を計測してカメラ毎にＥＥＰＲＯＭ１３に
記憶されている。これは、カメラ毎に光学系のバラツキ
があったり、光電変換素子毎に感度が異なることがある
ためである。また、ＡＦＩＣ１２の高感度モードと低感
度モードではこの補正値ＨE が異なるので、それぞれの
補正値を用いることになる。

【０２０２】ところで、本実施例では、積分時間ＴE を
用いて測光値の計算を行っているが、図３のＴOR端子か
ら出力されるＴOR信号のＬ区間の時間（図５（Ｆ）参
照）を計測してＴ0 ＝ＴORを求め、上記（１）式を適用
して各素子の蓄積時間Ｔ（Ｉ）を計算し、さらに素子数
ｎの平均蓄積時間Ｔ′bar を求めると次式のようにな
る。

【数９】

【０２０３】これを上記（８）式に適用しても同様に測
光値Ｅ′を得ることができる。

【数１０】

【０２０４】図１１に戻って、このようなステップＳ３
０２の測光値計算が終了したら、続いて、サブルーチン
“補助光判定”を実行し（ステップＳ３０３）、ＡＦＩ
Ｃ１２の積分時に低輝度で光量が不足している場合に被
写体に対して照射する補助光を、点灯する必要があるか
否かを判定する処理を行う。

【０２０５】ここで、図１８のフローチャートを参照し
て、図１１のステップＳ３０３で実行されるサブルーチ
ン“補助光判定”のシーケンスについて詳細に説明す
る。

【０２０６】まず最初に、今回の積分が高感度モードで
行われたか否かを感度データＤK を参照して判別し（ス
テップＳ８０１）、今回の積分が低感度モードで行われ
たときは被写体輝度が十分高く、補助光は必要ないので
そのままステップＳ８０６へ行ってリターンする。

【０２０７】また、積分が高感度モードで行われたとき
は、今回の積分で補助光を照射したか否かを判別し（ス
テップＳ８０２）、補助光を照射した場合はすでに補助
光を要求する補助光要求フラグがセットされているの
で、そのままステップＳ８０６へ行ってリターンする。

【０２０８】一方、今回の積分で補助光を照射しなかっ
た場合は、積分時間を所定時間ＴＳ１と比較して（ステ
ップＳ８０３）、積分時間が所定時間ＴＳ１より大きい
場合、すなわちより低輝度である場合は、次回の積分時
に補助光を照射するように補助光要求フラグをセットす
る（ステップＳ８０４）。

【０２０９】あるいは、上記ステップＳ８０３の代わり
に、上述の図１１のステップＳ３０２の測光値計算にお
いて得られた測光値Ｅと所定値Ｅ１とを比較して、測光
値Ｅが所定値Ｅ１より小さい場合、すなわち低輝度であ
る場合は、ステップＳ８０４に進んで補助光要求フラグ
をセットするようにしてもよい。

【０２１０】また、上記ステップＳ８０３において、積
分時間が所定時間ＴＳ１以下である場合、つまり高輝度
側である場合は、補助光要求フラグをセットすることな
くそのままステップＳ８０６へ行ってリターンする。あ
るいは、測光値Ｅと所定値Ｅ１の大小を比較する場合に
は、測光値Ｅが所定値Ｅ１より大きい場合、つまり高輝
度である場合も同様にステップＳ８０６へ行ってリター
ンする。

【０２１１】上記ステップＳ８０４が終了したら、サブ
ルーチン“補助光光量パターン選択”を実行する（ステ
ップＳ８０５）。このサブルーチン“補助光光量パター
ン選択”の内容は、図１９に示す通りである。ここでは
補助光を照射しない場合の被写体輝度に応じて、補助光
光量パターンの発光光量を選択する。

【０２１２】まず、補助光光量パターンａ1 を選択する
（ステップＳ９０１）。この係数ａ1 は、上述の図１７
に示す補助光光量パターンの最初の１回目の発光光量ａ
n に対応する数値である。従って補助光発光光量は、こ
のサブルーチン“補助光光量パターン選択”において設
定される。

【０２１３】次に、積分時間をＴＳ１＜ＴＳ２なる所定
値ＴＳ２と比較して（ステップＳ９０２）、積分時間が
この所定時間ＴＳ２より大きい場合、すなわちより低輝
度である場合は、補助光光量パターンａ2 を選択する
（ステップＳ９０３）。ただしａ2 はａ1 より発光光量
が大きい値を意味する。

【０２１４】一方、積分時間が所定値ＴＳ２以下の場合
は、そのままステップＳ９０６へ行ってリターンする。

【０２１５】次に、上記ステップＳ９０２と同様にして
ＴＳ２＜ＴＳ３なる所定値ＴＳ３と積分時間を比較し
（ステップＳ９０４）、積分時間が所定値ＴＳ３以下の
場合、すなわちより高輝度である場合は、そのままステ
ップＳ９０６へ行ってリターンする。

【０２１６】一方、積分時間が所定値ＴＳ３より大きい
場合、すなわちより低輝度である場合は、補助光光量パ
ターンａ3 を選択する（ステップＳ９０５）。ただしａ
3 はａ2 より発光光量が大きい値を意味する。そしてそ
の後、リターンする（ステップＳ９０６）。

【０２１７】このようにして積分時間で示される被写体
輝度に応じて補助光の光量パターンを選択して、より適
切な反射光量を得られるように設定を行う。

【０２１８】なお、上記積分時間の代わりに、上述の測
光値Ｅを用いて補助光光量パターンの選択を行なっても
よい。

【０２１９】また、上述のサブルーチン“補助光光量パ
ターン選択”では、ＡＦＩＣ１２の積分時間あるいはセ
ンサデータＤ（Ｉ）より計算された測光値Ｅを用いて処
理を行っているが、図２に示した測光用ＳＰＤ３３の出
力に基づく露出用の測光情報によって被写体輝度の判定
を行っても有効である。

【０２２０】以上によってサブルーチン“補助光光量パ
ターン選択”を終了し、図１８のサブルーチン“補助光
判定”に戻って、リターンする（ステップＳ８０６）。

【０２２１】再び図１１に戻って、このようにしてステ
ップＳ３０３の補助光判定が終了したら、検出不能フラ
グを参照して検出が不能か否かを判別し（ステップＳ３
０４）、検出不能である場合には非合焦フラグをセット
して（ステップＳ３１９）、ステップＳ３２０へ行って
このサブルーチン“ＡＦ測距”のシーケンスを終了す
る。

【０２２２】また、上記ステップＳ３０４において、検
出が可能である場合には、照度分布補正に進んで、得ら
れた被写体像信号の不均一補正を行う（ステップＳ３０
６）。

【０２２３】この照度分布補正は、上述の再結像光学系
によるＡＦセンサ面上での照度不均一や、光電変換素子
列のフォトダイオードＰＤ，蓄積コンデンサＣI 等のば
らつきによって生じる各素子毎の感度のばらつきを補正
するためである。

【０２２４】このとき、均一光源に対する各素子のセン
サデータＤ（Ｉ）に基づいて計算した補正係数が、各素
子毎に予めＥＥＰＲＯＭ１３に記憶されており、被写体
像検出毎にこの補正係数を読み出して、各素子毎に補正
計算を行う。

【０２２５】上記補正係数は、次のようにして求められ
る。すなわち、均一光源に対する光電変換素子出力をＤ
0 （Ｉ）とすると、均一光源に対する個々の素子の蓄積
時間Ｔ0 （Ｉ）は、上述の（１）式より次式で示され
る。

【数１１】

【０２２６】ここで、Ｔ0 は光電変換素子列中で最も入
射光量が大きい光電変換素子の蓄積時間である。理想的
には均一光源に対しては全素子の蓄積時間がＴ0 となる
はずであるが、実際には上述の要因でばらつきが生ず
る。そこで、補正方法として、各蓄積時間Ｔ0 （Ｉ）を
Ｔ0 に一致させるような補正係数を求める。

【０２２７】そこで、補正係数Ｈ（Ｉ）は（１１）式を
用いて次式のようになる。

【０２２８】

【数１２】

【０２２９】そして、被写体像信号検出によって得られ
た補正前のセンサデータをＤ（Ｉ）とし、上記補正係数
Ｈ（Ｉ）を用いて補正した後のセンサデータをＤ′
（Ｉ）とすると、Ｔ′（Ｉ）＝Ｔ（Ｉ）／Ｈ（Ｉ）であ
るから、

【数１３】 となる。

【０２３０】この補正係数Ｈ（Ｉ）は、ＥＥＰＲＯＭ１
３に記憶しやすい形に変形する必要がある。

【０２３１】ＥＥＰＲＯＭ１３の記憶容量は限られてい
るので、この範囲内で有効に補正係数を記憶するため
に、上記補正係数Ｈ（Ｉ）を定数ＡS ，ＢS を用いて次
式のように変形して圧縮する。

【数１４】

【０２３２】以下、実際に１例として定数を決定してみ
る。再結像光学系等によるＡＦセンサ面上での照度のば
らつきや、光電変換素子列を含むＡＦセンサの感度のば
らつき等が、例えば±１５％のばらつきであると仮定す
ると、補正係数Ｈ（Ｉ）の範囲は以下のようになる。

【０２３３】１≦Ｈ（Ｉ）≦１．１５ 一方、ＥＥＰＲＯＭ１３の記憶容量の制限により、変形
補正係数Ｈ′（Ｉ）を例えば４ビットにおさめるために
は、定数ＡS ＝１０４，ＢS ＝１０４とすればよい。

【０２３４】この場合にＨ′（Ｉ）は、

【数１５】 となり、以下の範囲とすることができる。 ０≦Ｈ′（Ｉ）≦１５．６

【０２３５】さらに、上記（１５）式を用いて上記（１
３）式からＨ（Ｉ）を消去すると、補正後のセンサデー
タＤ′（Ｉ）は次式で示される。

【数１６】

【０２３６】ここで、Ｄ′（Ｉ）＜０にならないように
定数ＣS を加算する。例えば、ＣS＝４０として、

【数１７】

【０２３７】以上により、（１５）式が補正係数Ｈ′
（Ｉ）の計算式、（１７）式が照度分布の補正式であ
る。

【０２３８】なお、光電変換素子列中で、入射光量が小
さいためにセンサデータＤ（Ｉ）が量子化のリミット２
５５になっているものは、入射光量を正しく光電変換し
ていないので照度分布補正を行わない。

【０２３９】図１１に戻って、ステップＳ３０６が終了
したら、サブルーチン“相関演算”を実行して、２つの
被写体像で相関演算を行い、２像の間隔を検出する（ス
テップＳ３０７）。

【０２４０】ここでは、第１の被写体像をＬ像とし、第
１の被写体像信号をＬ（Ｉ）とする。また、第２の被写
体像をＲ像とし、第２の被写体像信号をＲ（Ｉ）とす
る。さらにＩは素子番号であり、本実施例では配置順に
１，２，３，…，６４とする。すなわち、各素子列３４
Ｌ，３４Ｒは、それぞれ６４個の素子を備えているもの
とする。

【０２４１】以下、図２０のフローチャートを参照し
て、図１１のステップＳ３０７で実行されるサブルーチ
ン“相関演算”のシーケンスについて説明する。

【０２４２】まず、変数ＳＬ，ＳＲに初期値としてそれ
ぞれ“５”，“３７”をセットし（ステップＳ１００
１）、変数Ｊに初期値として“８”をセットする（ステ
ップＳ１００２）する。上記ＳＬは被写体像信号Ｌ
（Ｉ）の内から相関検出する小ブロック素子列の先頭番
号を記憶する変数であり、ＳＲは被写体像信号Ｒ（Ｉ）
の内から相関検出する小ブロック素子列の先頭番号を記
憶する変数である。また、上記Ｊは、被写体像信号Ｌ
（Ｉ）での小ブロックの移動回数をカウントする変数で
ある。

【０２４３】そして相関出力Ｆ（Ｓ）を次式により計算
する（ステップＳ１００３）。

【数１８】

【０２４４】この場合には、小ブロックの素子数は２７
である。この小ブロックの素子数はファインダに表示さ
れた測距枠の大きさと検出光学系の倍率によって定ま
る。

【０２４５】続いて、相関出力Ｆ（Ｓ）の最小値を検出
する。すなわち、Ｆ（Ｓ）をＦminと比較して（ステッ
プＳ１００４）、もしＦ（Ｓ）がＦmin より小さければ
Ｆmin にＦ（Ｓ）を代入し、そのときのＳＬ，ＳＲをＳ
ＬＭ，ＳＲＭとして記憶する（ステップＳ１００５）。

【０２４６】さらに、ＳＲをデクリメントし、Ｊをデク
リメントする（ステップＳ１００６）。

【０２４７】次に、Ｊが“０”であるか否かを判断し
（ステップＳ１００７）、Ｊが“０”でなければ上記ス
テップＳ１００２に戻って相関演算を繰り返す。すなわ
ち、像Ｌでの小ブロック位置を固定して、像Ｒでの小ブ
ロック位置を１素子ずつずらせながら相関をとる。

【０２４８】そして、Ｊが“０”になると、ＳＬに４を
加算するとともにＳＲに３を加算して相関演算を続ける
（ステップＳ１００８）。すなわち、像Ｌでの小ブロッ
ク位置を４素子ずつずらせながら相関演算を繰り返す。

【０２４９】続いて、ＳＬの値が２９になったか否かを
判断し（ステップＳ１００９）、まだＳＬの値が２９で
ない場合は上記ステップＳ１００２に戻り、ＳＬの値が
２９になった場合には相関演算を終了する。

【０２５０】以上のようにして効率的に相関演算を行う
ことにより、相関出力の最小値を検出することができ
る。この相関出力の最小値を示す小ブロックの位置が、
最も相関性の高い像信号の位置関係を示している。

【０２５１】そして、検出した最も相関性の高いブロッ
ク像信号について相関性の判定を行うために、次式で示
すような相関出力ＦＭ，ＦＰを計算する（ステップＳ１
０１０）。

【数１９】

【数２０】

【０２５２】すなわち、被写体像Ｒについて最小の相関
出力を示す小ブロック位置に対して、±１素子だけずら
せたときの相関出力を計算する。このときＦＭ，Ｆmin
，ＦＰは、図２１（Ａ），（Ｂ）に示すような関係に
なる。

【０２５３】なお、図２１（Ａ），（Ｂ）の横軸は光電
変換素子の位置であり、縦軸は相関出力を示している。
相関出力Ｆ（Ｓ）は、相関性の高い場合は、図２１
（Ａ）に示すように、点Ｓ0 において“０”になる。こ
れに対して、相関性の低い場合は、図２１（Ｂ）に示す
ように、相関出力値が最小となる点Ｓ0 においても
“０”にならない。

【０２５４】続いて、相関性の判定をするために、次式
に示す相関性指数ＳＫとＦＳを求める（ステップＳ１０
１１）。ＦＭ≧ＦＰのとき

【数２１】

【数２２】 ＦＭ＜ＦＰのとき

【数２３】

【数２４】

【０２５５】相関性指数ＳＫは、相関性の高い場合はＳ
Ｋ＝１となり、相関性の低い場合はＳＫ＞１となる。

【０２５６】従って、この相関性指数ＳＫの値により、
検出する像ずれ量が信頼性があるか否かを判定すること
ができる。また、相関性指数ＦＳは、最も相関性の高い
小ブロック像信号のコントラストに相当するので、大き
い値であるほどコントラストが高いことを示す。

【０２５７】そして、上記ステップＳ１０１１において
ＦＳ，ＳＫの計算が終了したら、リターンする（ステッ
プＳ１０１２）。

【０２５８】図１１に戻って、上述のようにしてステッ
プＳ３０７の相関演算が終了したら、上記相関性指数Ｓ
Ｋ，ＦＳを用いて相関性の判定を行う（ステップＳ３０
８）。

【０２５９】ところで、相関性指数ＳＫは、実際には光
学系のばらつきや光電変換素子のノイズ，変換誤差等に
より、第１，第２被写体像は完全に一致することはない
ので、相関性指数ＳＫは“１”にはならない。従って、
所定の判定値αを用いて判定する。

【０２６０】また、相関性指数ＦＳも同様であるので、
この相関性指数ＦＳについては、所定の判定値βを用い
る。

【０２６１】すなわち、ＳＫ≦αかつＦＳ≧βである場
合にだけ相関性があると判断し、ＳＫ＞αまたはＦＳ＜
βである場合には相関性はないと判断して、ＡＦ検出不
能と判定して検出不能フラグをセットする。

【０２６２】これらの判定値α，βは、製品個々によっ
てばらつきがあり、また撮影モードやＡＦ動作モードに
よって異なる判定値を用いるので、ＥＥＰＲＯＭ１３に
それぞれの値を記憶している。

【０２６３】そして、このステップＳ３０８で相関性が
ないと判定された場合は、上記ステップＳ３１９へ行っ
て非合焦フラグをセットしてからリターンし、一方、相
関性があると判定された場合は、像ずれ量の計算を行う
（ステップＳ３０９）。

【０２６４】ここで、第１の被写体像と第２の被写体像
の間隔ＺＲは、図２１（Ａ）に示すＳ0 であるから、Ｆ
Ｍ≧ＦＰのとき

【数２５】 ＦＭ＜ＦＰのとき

【数２６】 である。

【０２６５】次に、合焦からの像ずれ量ΔＺＲは次式で
示される。

【０２６６】

【数２７】

【０２６７】ただし、ＺＲ0 は合焦時の被写体像間隔で
あり、カメラ毎にＥＥＰＲＯＭ１３に記憶されている。

【０２６８】次に、この像ずれ量ΔＺＲを、デフォーカ
ス量ΔＤＦに変換する（ステップＳ３１０）。

【０２６９】このデフォーカス量ΔＤＦ、すなわち光軸
上のフィルム面に対する結像位置のずれ量は、次式で求
めることができる。

【数２８】

【０２７０】ただし、ＡD ，ＢD ，ＣD はＡＦ光学系に
よって決まる定数である。これについては、特開昭６２
−１００７１８号公報において開示されている。

【０２７１】続いて、収差補正を行う。すなわち、撮影
レンズ３８の球面収差の影響で焦点距離がずれ、フォー
カシングの繰り出し位置に応じてＡＦ光学系３７の合焦
点位置がずれるために、これらを補正する（ステップＳ
３１１）。

【０２７２】この収差補正は、撮影レンズ３８の焦点距
離と被写体距離に応じて、ＥＥＰＲＯＭ１３に記憶され
ている補正値を用いることにより行う。

【０２７３】続いて、露出時のピントずれを補正するレ
リーズピントずれ補正処理を行う（ステップＳ３１
２）。これは撮影絞り込み動作時に結像位置がずれるの
を予測して補正するものであり、その詳細は特開平４−
３０６６９号公報に開示されているので、ここでは説明
を省略する。

【０２７４】そして、検出したデフォーカス量ΔＤＦ
が、合焦許容範囲内に入っているかを判定する（ステッ
プＳ３１３）。

【０２７５】この合焦許容範囲は、被写界深度すなわち
撮影時の絞り値や撮影レンズの焦点距離によって決定さ
れる。

【０２７６】例えば、低コントラストの被写体や低輝度
の被写体、補助光を照射したときや撮影レンズの焦点距
離が長い場合などは、検出デフォーカス量の変動が大き
いために、合焦許容範囲を拡大してＡＦ動作の安定化を
図る。

【０２７７】このステップＳ３１３において合焦許容範
囲内に入っている場合は、合焦フラグをセットして（ス
テップＳ３１５）、ステップＳ３２０へ行ってリターン
する。

【０２７８】また、ステップＳ３１３において合焦許容
範囲外である場合には、レンズ駆動パルス量の計算を行
う（ステップＳ３１４）。

【０２７９】なお、検出したデフォーカス量ΔＤＦを光
軸方向のレンズ繰り出し量ΔＬＫに変換する方法は、従
来より種々の提案がなされているので、ここでは詳細な
説明は省略するが、このような方法の一例としては、例
えば特開昭６４−５４４０９号公報に開示されているも
のは、次式で求めている。

【０２８０】

【数２９】 ここで、Ａa ，Ｂa ，Ｃa は、焦点距離毎に記憶してい
る定数である。

【０２８１】撮影レンズ３８のフォーカシングレンズ
は、ＬＤＭ２３によってギヤー列を介して駆動され、こ
のフォーカシングレンズの移動量は、ＬＤＰＩ２６によ
って検出されてＡＦＰＩパルスとしてＩＦＩＣ１７に入
力される。

【０２８２】従って、光軸方向のレンズ繰り出し量ΔＬ
Ｋに、単位繰り出し量当りのＡＦＰＩパルス数Ｋを掛け
ると、レンズ駆動パルス量ＤＰが求められて、次式で示
される。

【数３０】

【０２８３】なお、（２７）式の像ずれ量ΔＺＲ、（２
８）式のデフォーカス量ΔＤＦは、いずれも符号付の値
である。そして、正の場合は後ピン（フィルム面の後側
に結像）でレンズを繰り出す方向を示し、負の場合は前
ピン（フィルム面の前側に結像）でレンズを繰り込む方
向を示す。

【０２８４】こうしてステップＳ３１４が終了したらリ
ターンして（ステップＳ３２０）、サブルーチン“ＡＦ
測距”のシーケンスを終了する。

【０２８５】次に、図２２のフローチャートを参照し
て、図９のステップＳ１０７で実行されるサブルーチン
“レンズ駆動”のシーケンスについて説明する。

【０２８６】先ず、ＡＦ測距処理で計算されたレンズ駆
動パルス数が所定値より小さいかを判定する（ステップ
Ｓ１２０１）。この判定の基準となる所定値には、１回
のレンズ駆動で必ず合焦範囲内にレンズ駆動をすること
ができるレンズ駆動パルス数を用い、ここでは例えば４
００パルスとしている。

【０２８７】そして、レンズ駆動パルス数が所定値であ
る４００パルスより小さい場合は、バックラッシュ駆動
が既に終了しているかをフラグにより判別し（ステップ
Ｓ１２０２）、バックラッシュ駆動が済んでいる場合は
後述するステップＳ１２０４に進み、未だバックラッシ
ュ駆動が終了していない場合は、レンズ駆動方向が前回
のレンズ駆動方向と比較して反転しているか否かを判定
する（ステップＳ１２０３）。

【０２８８】そして、前回のレンズ駆動方向と比較して
同一方向である場合には、ＡＦ測距結果のレンズ駆動パ
ルス数に基づいて、レンズ駆動を実行する（ステップＳ
１２０４）。

【０２８９】さらに、合焦フラグを設定して（ステップ
Ｓ１２０５）リターンする（ステップＳ１２１２）。こ
の場合には、上述のように、レンズ駆動パルス数が１回
のレンズ駆動で必ず合焦する駆動パルス数であり、かつ
レンズ駆動方向は前回と同一なのでバックラッシュは存
在せず、再度ＡＦ測距することなく合焦とする。

【０２９０】また、上記ステップＳ１２０３において、
レンズ駆動方向が前回の駆動方向に対して反転方向であ
った場合は、バックラッシュ量の計算を行う（ステップ
Ｓ１２０６）。このバックラッシュ量は、撮影レンズの
焦点距離や駆動方向によって変化するので、それらに応
じた計算をする。

【０２９１】続いて、この計算されたバックラッシュ量
に基づいて、バックラッシュ量に相当するレンズ駆動パ
ルス数だけレンズ駆動を行う（ステップＳ１２０７）。

【０２９２】そして、バックラッシュ駆動済フラグのセ
ットを行って（ステップＳ１２０８）ステップＳ１２１
２へ行ってリターンする。この場合は、メインフロー上
で再びＡＦ測距処理，レンズ駆動処理が行われる。

【０２９３】また、上記ステップＳ１２０１において、
ＡＦ測距で計算されたレンズ駆動パルス数が４００パル
ス以上である場合は、上記レンズ駆動パルスから所定値
を減算して、これを新たにレンズ駆動パルスとする（ス
テップＳ１２０９）。この減算する所定値は、レンズ駆
動パルスで合焦点より手前の位置を示す補正値であり、
ここでは例えば２００パルスとしている。

【０２９４】そして、上記補正されたレンズ駆動パルス
に基づいてレンズ駆動を行う（ステップＳ１２１０）。

【０２９５】このレンズ駆動では、バックラッシュがあ
ったとしても、それは除去された状態になる。そこで、
バックラッシュ駆動済フラグをセットして（ステップＳ
１２１１）、ステップＳ１２１２へ行ってリターンす
る。これにより、レンズはほぼ合焦点の手前、駆動パル
ス数で２００パルスの位置にあるので、メインフロー中
で再びＡＦ測距，レンズ駆動処理がコールされて合焦と
なる。

【０２９６】なお、上記補正値は、カメラの図示しない
ファインダの表示に関係するＡＦ動作のスピード感を感
じさせるように設定されている。このことについて、以
下に説明する。

【０２９７】例えば、デフォーカス量の大きい状態から
ＡＦ測距処理およびレンズ駆動処理を２回繰り返して合
焦させる場合を考える。

【０２９８】１回目のレンズ駆動の停止位置が比較的合
焦点に近い場合、例えば手前５０パルスではファインダ
ではほぼ合焦状態となるが、手前２００パルスではまだ
ピントがぼけた状態である。

【０２９９】この状態から２回目のレンズ駆動を実行す
るといずれの場合も合焦するが、後者のようなピンボケ
状態から合焦となった方がファインダ内での変化が大き
く、撮影者にとってはよりスピート感が得られるわけで
ある。

【０３００】従って、上記ファインダの見え方は撮影レ
ンズの焦点距離によって大きく変化するので、これに応
じて補正値を変更している。

【０３０１】以上が、本実施例のカメラにおいて実行さ
れるサブルーチン“ファーストレリーズ”のシーケンス
についての説明である。

【０３０２】次に、図２３のフローチャートを参照し
て、本実施例のカメラにおいて実行されるサブルーチン
“セカンドレリーズ”のシーケンスについて説明する。

【０３０３】セカンドレリーズスイッチＲ２ＳＷが押さ
れて本サブルーチンに入ると、Ｇ−ＯＮ端子をハイレベ
ル“Ｈ”とし、電源供給制御回路５６を“オン”にし
て、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタＩＧＢＴ１の
ゲート端子に電荷を供給する（ステップＳ１３０１）。

【０３０４】そして、サブルーチン“赤目発光”を実行
する（ステップＳ１３０２）。このストロボ回路１６に
より赤目現象を軽減する発光サブルーチン“赤目発光”
のシーケンスは、図２４のフローチャートに示す通りで
ある。

【０３０５】なお、このサブルーチンは、上述の図１４
を参照して説明したサブルーチン“補助光照射”のシー
ケンスと、ステップＳ１４０１で設定する発光回数や、
ステップＳ１４０４でのインターバルの時間が多少異な
る以外は、ほぼ類似した動作を行う。

【０３０６】この“赤目発光”のサブルーチンがコール
されると、まず赤目現象を効果的に軽減するための発光
回数を設定し（ステップＳ１４０１）、次に、上述の図
１５に示したサブルーチン“プリ充電”を実行する（ス
テップＳ１４０２）。

【０３０７】そして、上述の図１６に示したサブルーチ
ン“発光”を、予め設定された発光光量により行う（ス
テップＳ１４０３）。

【０３０８】続いて、赤目発光の発光周期を決めるイン
ターバルの時間をカウントする（ステップＳ１４０
４）。このときのインターバルの時間は、赤目現象を低
減するのに適するような時間になっている。

【０３０９】さらに、発光回数を監視しながら所定の発
光回数となるまで繰り返して発光を行い（ステップＳ１
４０５）、所定回数に達したらリターンして（ステップ
Ｓ１４０６）、このサブルーチン“赤目発光”を終了す
る。

【０３１０】図２３に戻って、続いてミラーアップを行
い（ステップＳ１３０３）、ストロボの発光が必要であ
るか否かを判断し（ステップＳ１３０４）、ストロボの
発光が不要な場合は後述するステップＳ１３０８に進
む。

【０３１１】一方、ストロボの発光が必要な場合は、上
述の図１５に示したサブルーチン“プリ充電”を実行す
る（ステップＳ１３０５）。

【０３１２】その後、シャッタ制御に入り、まず先幕を
スタートさせて（ステップＳ１３０６）、この先幕が終
了すると、上述の図１６に示したサブルーチン“発光”
を実行する（ステップＳ１３０７）。

【０３１３】一方、上記ステップＳ１３０４において、
ストロボ発光が不要であると判断されたときは、先幕を
スタートさせた後に（ステップＳ１３０８）、次のステ
ップＳ１３０９に進む。

【０３１４】そして、後幕をスタートさせて（ステップ
Ｓ１３０９）、この後幕が閉じると露光を終了し、ミラ
ーをダウンさせる（ステップＳ１３１０）。

【０３１５】続いて、シャッタをチャージして初期状態
とし（ステップＳ１３１１）、フィルムを１駒巻き上げ
て（ステップＳ１３１２）、Ｇ−ＯＮ端子に“Ｌ”信号
を入力し（ステップＳ１３１３）、絶縁ゲート型バイポ
ーラトランジスタＩＧＢＴ１のゲートへの電力の供給を
禁止して、撮影を終了する（ステップ１３１４）。

【０３１６】以上詳述したようにこのような第１実施例
によれば、焦点検出における１回の積分動作中に補助光
の照射光量を変化させるようにしたので、被写体距離や
反射率によらず焦点検出に適正な被写体反射光量を得る
ことができる。

【０３１７】従って、不適切な反射光量だったために補
助光光量を再設定して再度補助光を照射しながら積分を
行うというようなことはなく、電池エネルギー消費が多
くなったりタイムラグが大きくなるという問題を解決す
ることができ、補助光発光回数も少なくすることができ
る。

【０３１８】さらに、被写体輝度に応じて補助光光量を
設定することができるので、被写体輝度によらず焦点検
出に適正な被写体反射光量を得ることができる。

【０３１９】また、第１実施例のカメラの焦点検出装置
に用いられる補助光装置によれば、カメラの露光時にも
使用するための別の補助光を設ける必要がなくなり、さ
らなるコストアップを避けることもできる。

【０３２０】図２５，図２６は本発明の第２実施例を示
したものであり、図２５は補助光源に電流を供給するた
めの定電流回路を示す回路図である。この第２実施例で
は、補助光源としてＬＥＤ（発光ダイオード）を使用し
ている。また、補助光源および光量制御部のみが上述の
第１実施例と異なる部分であるので、同様である点につ
いては説明を省略し、主としてこの異なる部分について
のみ説明する。

【０３２１】図２５に示すように、補助光ＬＥＤ（発光
ダイオード）は、アノードが電源ＶDDに接続されるとと
もに、カソードがトランジスタＴｒのコレクタに接続さ
れている。

【０３２２】このトランジスタＴｒは、ベースをオペア
ンプＯＰの出力に接続するとともに、エミッタを、抵抗
Ｒ0 を介してＧＮＤへ、およびオペアンプＯＰの反転入
力端子へ接続している。

【０３２３】上記オペアンプＯＰの非反転入力は、Ｄ−
ＡコンバータＤＡＣの出力に接続されていて、このＤ−
ＡコンバータＤＡＣの出力電圧ＶDAC は、ＣＰＵ１１か
らのディジタル信号により制御されるようになってい
る。

【０３２４】上記オペアンプＯＰとトランジスタＴｒ，
抵抗Ｒ0 によって、次式で決まる定電流ＩLED を出力す
る定電流回路を構成しており、この定電流によって補助
光ＬＥＤを定電流駆動するようになっている。

【数３１】

【０３２５】従って、ＣＰＵ１１からのディジタル信号
により、補助光ＬＥＤの電流、つまり発光光量を制御す
ることができる。

【０３２６】図２６は、この補助光を被写体に照射しな
がら積分した場合の各部の信号を示すタイムチャートで
ある。

【０３２７】まず、図２６（Ｄ）に示すように、ＡＦＥ
ＮＤ信号をＨ→Ｌとすることにより、図２６（Ｃ）に示
すように、ＡＦＩＣ１２の積分が開始される。

【０３２８】これと同時に、ＣＰＵ１１からＤ−Ａコン
バータＤＡＣにディジタル信号が出力されて、このＤ−
ＡコンバータＤＡＣの出力ＶDAC のレベルは、図２６
（Ａ）に示すように、上記ディジタル信号に対応した出
力となる。

【０３２９】さらに、補助光ＬＥＤの電流ＩLED はＶDA
C に応じた出力となって、図２６（Ｂ）に示すように発
光を開始する。

【０３３０】以後、ＣＰＵ１１は、所定の光量パターン
を示すディジタル信号をＤ−ＡコンバータＤＡＣに入力
させて（図２６（Ａ）参照）、補助光ＬＥＤの発光光量
を可変させる（図２６（Ｂ）参照）。

【０３３１】ＡＦＩＣ１２の積分波形は、図２６（Ｃ）
に示すようになり、近距離かつ高反射率の被写体に対し
ては符号１に示すように、遠距離低反射率被写体に対し
ては符号２に示すように変化して、それぞれ積分適正レ
ベルを越えたところで、図２６（Ｄ）に示すように、Ａ
ＦＥＮＤ信号を”Ｈ”にしてＡＦＩＣ１２の積分を停止
させる。

【０３３２】このような第２実施例によれば、上述の第
１実施例とほぼ同様の効果を有しており、１回の積分中
に補助光ＬＥＤの光量を小光量から大光量へ変化させる
ことにより、被写体までの距離や被写体の反射率によら
ず適正な被写体反射光量を得ることができる。

【０３３３】［付記］以上詳述したような本発明の上記
実施態様によれば、以下のごとき構成を得ることができ
る。

【０３３４】（１） 撮影光学系を通過した被写体光束
を２本に分割し、それぞれの被写体像の光強度分布を測
定し、その２像間隔に基づいて撮影光学系のデフォーカ
ス量または被写体距離を求めるカメラの焦点調節装置に
おいて、上記光強度分布測定時に、被写体に向けて補助
光を照射する補助光源手段と、上記補助光源手段の発光
量を制御する光量制御手段と、補助光の時間的な光量パ
ターンを上記光量制御手段に出力する光量パターン発生
手段と、上記被写体光束を受光して被写体像の光強度分
布を得る光電変換手段と、上記光電変換手段と光量パタ
ーン発生手段とに対して光強度分布測定開始信号を出力
するとともに、光電変換手段に対して光強度分布測定終
了信号を出力する測定制御手段と、を具備し、上記光量
パターン発生手段は、上記光電変換手段の光強度分布測
定時に、上記補助光の時間的な光量パターンを変化させ
るようにしたことを特徴とするカメラの焦点検出装置。

【０３３５】（２） 上記光量パターン発生手段は、複
数の光量パターンを有し、上記測定制御手段によって選
択することを特徴とする付記１に記載のカメラの焦点検
出装置。

【０３３６】（３） 上記光量パターンは、補助光の光
量を小から大に変化させるパターンであることを特徴と
する付記１に記載のカメラの焦点検出装置。

【０３３７】

【発明の効果】以上説明したように本発明のカメラの焦
点検出装置によれば、光源手段による光束の発光を効果
的に行うことができて、レリーズタイムラグを小さくす
ることが可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例のカメラの焦点検出装置の
概念を示すブロック図。

【図２】上記第１実施例のカメラの焦点検出装置の制御
系の構成を示すブロック図。

【図３】上記第１実施例のＡＦＩＣの詳細な構成を示す
ブロック図。

【図４】上記第１実施例のＡＦＩＣにおけるセンサ回路
ＳＣの詳細な構成を示す回路図。

【図５】上記第１実施例のＡＦＩＣの高感度モード時の
動作を説明するためのタイムチャート。

【図６】上記第１実施例のＡＦＩＣの低感度モード時の
動作を説明するためのタイムチャート。

【図７】上記第１実施例のストロボ回路の詳細な構成を
示すブロック図。

【図８】上記第１実施例のストロボ回路のさらに詳細な
構成を示すブロック図。

【図９】上記第１実施例のサブルーチン”ファーストレ
リーズ”のシーケンスを示すフローチャート。

【図１０】上記図９のステップＳ１０２で実行されるサ
ブルーチン”充電電圧チェック”のシーケンスを示すフ
ローチャート。

【図１１】上記図９のステップＳ１０３で実行されるサ
ブルーチン”ＡＦ測距”のシーケンスを示すフローチャ
ート。

【図１２】上記第１実施例の焦点検出光学系の代表的な
ものを示す側面図。

【図１３】上記図１１のステップＳ３００で実行される
サブルーチン”ＡＦセンサ積分”のシーケンスを示すフ
ローチャート。

【図１４】上記図１３のステップＳ４０６で実行される
サブルーチン”補助光照射”のシーケンスを示すフロー
チャート。

【図１５】上記図１４のステップＳ５０３で実行される
サブルーチン”プリ充電”のシーケンスを示すフローチ
ャート。

【図１６】上記図１４のステップＳ５０４で実行される
サブルーチン”発光”のシーケンスを示すフローチャー
ト。

【図１７】上記第１実施例のＡＦＩＣが積分している間
に発光される補助光の光量パターンを示すタイムチャー
ト。

【図１８】上記図１１のステップＳ３０３で実行される
サブルーチン”補助光判定”のシーケンスを示すフロー
チャート。

【図１９】上記図１８のステップＳ８０５で実行される
サブルーチン”補助光光量パターン選択”のシーケンス
を示すフローチャート。

【図２０】上記図１１のステップＳ３０７で実行される
サブルーチン”相関演算”のシーケンスを示すフローチ
ャート。

【図２１】上記第１実施例の光電変換素子の位置と相関
出力値との関係を示す図。

【図２２】上記図９のステップＳ１０７で実行されるサ
ブルーチン“レンズ駆動”のシーケンスを示すフローチ
ャート。

【図２３】上記第１実施例のサブルーチン”セカンドレ
リーズ”のシーケンスを示すフローチャート。

【図２４】上記図２３のステップＳ１３０２で実行され
るサブルーチン“赤目発光”のシーケンスを示すフロー
チャート。

【図２５】本発明の第２実施例の補助光源に電流を供給
するための定電流回路を示す回路図。

【図２６】上記第２実施例において、補助光を被写体に
照射しながらＡＦＩＣが積分した場合の、各部の信号を
示すタイムチャート。

【符号の説明】

１…補助光源（光源手段） ２…光量制御手段 ３…光量パターン発生手段 ４…光電変換素子（光電変換手段） ５…光強度分布測定制御手段 １１…メインＣＰＵ（制御手段） １２…ＡＦＩＣ（光電変換手段） １６…ストロボ回路（光源手段）

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０３Ｂ 7/099 15/05 Ｇ０２Ｂ 7/11 Ｃ

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 撮影レンズを通過した被写体光束を少な
   くとも１対の光束群に分割し、それぞれの光束を結像さ
   せた対の光学像の相対的ずれ量に基づき被写体に対する
   撮影レンズの焦点調節状態を検出する焦点検出装置にお
   いて、 上記光学像を光電変換する光電変換手段と、 上記光電変換手段の動作を制御する制御手段と、 上記光電変換を行うとき、被写体に向けて断続的に光束
   を照射する光量可変の光源手段と、 上記光源手段の時系列的発光パターンを制御する光量パ
   ターン発生手段と、 上記光量パターン発生手段の出力に応じて上記光源手段
   の発光量を制御する光量制御手段と、 を具備したことを特徴とするカメラの焦点検出装置。
2. 【請求項２】 上記光源手段は、発光量制御可能なスト
   ロボ装置であって、発光開始後、次第にその発光量を増
   すことを特徴とする請求項１に記載のカメラの焦点検出
   装置。
3. 【請求項３】 上記光電変換手段は、積分型光電変換素
   子であって、所定積分時間の経過後において、その積分
   出力が所定値に達しないとき、上記光源手段の１回あた
   りの発光量を増加させることを特徴とする請求項１に記
   載のカメラの焦点検出装置。