JPH08152459A - Semiconductor device and its test method - Google Patents
Semiconductor device and its test methodInfo
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- JPH08152459A JPH08152459A JP6294411A JP29441194A JPH08152459A JP H08152459 A JPH08152459 A JP H08152459A JP 6294411 A JP6294411 A JP 6294411A JP 29441194 A JP29441194 A JP 29441194A JP H08152459 A JPH08152459 A JP H08152459A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置及びその試験
方法に係り、特にテスト用データをROMで内蔵した半
導体装置とその検査方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device and a method of testing the same, and more particularly to a semiconductor device having test data stored in a ROM and a method of testing the same.
【0002】[0002]
【従来の技術】単一の半導体基板上に集積されたメモリ
やデジタル論理回路等の各種機能を備えた半導体装置
が、所望の機能を有しているか否かを試験するため、こ
の半導体装置にテスタを接続して、所定のデータを入力
し、出力されたデータをテスタ内に容易された期待値デ
ータと比較して、一致していれば良品と判定する方法が
ある。2. Description of the Related Art In order to test whether a semiconductor device having various functions such as a memory and a digital logic circuit integrated on a single semiconductor substrate has a desired function, this semiconductor device is used. There is a method of connecting a tester, inputting predetermined data, comparing the output data with expected value data facilitated in the tester, and determining that they are non-defective if they match.
【0003】この方法とは別に、同一の半導体基板内に
テストデータやテスト制御機能、期待値データ等を内蔵
して、これにより試験を行い、外部のテスタを用意せず
に済ませるか、またはテスタの機能を大幅に軽減するこ
とにより、試験を行う方法がある。In addition to this method, test data, test control functions, expected value data, etc. are built in the same semiconductor substrate, and a test is performed by this, and it is not necessary to prepare an external tester. There is a method of conducting a test by significantly reducing the function of.
【0004】後者の試験方法に沿って構成される、テス
ト用データをリード・オンリ・メモリ(ROM)に内蔵
した半導体装置の回路を備えた特開昭58−35545
号公報を示す図4を参照すると、この半導体集積回路基
板30は、外部からの信号パターンを入力端子47に受
けて、所定の信号処理を実行して出力端子53に出力す
る半導体装置本体41と、この半導体装置本体41に対
するテストパターンを予め記憶してなる第1のメモリ4
2と、上記テストパターンに対応する前記装置本体41
の出力パターンを予め記憶してなる第2のメモリ57
と、前記装置本体41のテスト時に前記第1のメモリ4
2に記憶されたテストパターンを前記装置本体41に与
えるテスト制御回路43と、このテストパターンが与え
られた前記装置本体41の応答パターンと前記第2のメ
モリ57に記憶された出力パターンとを比較する比較回
路52とを具備する。Japanese Patent Laid-Open No. 58-35545, which is equipped with a circuit of a semiconductor device having test data built in a read-only memory (ROM), which is constructed according to the latter test method.
Referring to FIG. 4 showing the publication, the semiconductor integrated circuit board 30 includes a semiconductor device main body 41 which receives a signal pattern from the outside at an input terminal 47, executes a predetermined signal processing, and outputs the result to an output terminal 53. , A first memory 4 in which a test pattern for the semiconductor device main body 41 is stored in advance.
2 and the device body 41 corresponding to the above test pattern
Second memory 57 in which the output pattern of
And when testing the device body 41, the first memory 4
2 compares the test pattern stored in No. 2 to the device body 41 with the response pattern of the device body 41 to which the test pattern is given and the output pattern stored in the second memory 57. And a comparison circuit 52 for
【0005】ここで、第1,第2のメモリ42,57
は、クロック信号を受けて作動するアドレスカウンタ5
8によって、アドレス制御されて、メモリ内のデータが
読み出される。読み出されたテストパターンは、マルチ
プレクサ(MPX)56を介して、本体41に入力され
る。第2のメモリ57から読み出された出力パターン
は、比較回路52に与えられ、フリップフロップ(F
F)55を介して与えられた本体41の応答パターンと
比較される。この構成では、クロック信号は端子49か
ら与えられ、制御信号は端子48から与えられて、テス
ト制御回路43は所定の制御信号を各部に供給する。こ
のため、入力端子48,49に与える信号をテスタに用
意すればよく、テスタ内の機能は簡素化される。Here, the first and second memories 42 and 57
Is an address counter 5 which operates by receiving a clock signal.
The data in the memory is read out by the address control by 8. The read test pattern is input to the main body 41 via the multiplexer (MPX) 56. The output pattern read from the second memory 57 is supplied to the comparison circuit 52 and flip-flop (F
F) is compared with the response pattern of the body 41 provided via 55. In this configuration, the clock signal is supplied from the terminal 49, the control signal is supplied from the terminal 48, and the test control circuit 43 supplies a predetermined control signal to each unit. For this reason, it suffices to prepare a signal to be applied to the input terminals 48 and 49 in the tester, and the function in the tester is simplified.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな半導体装置の構成は、半導体装置本体41自体の欠
陥を発見しようとするものであるが、判定の信頼性は乏
しい。これは、検査をするための第1,第2のメモリ4
2,57内の記憶データの信頼性が、本体1と同等程度
のものであることに起因する。例えば、第1のメモリ4
2内のデータに欠陥があると、本体41の出力データは
当然第2のメモリ57内のデータと一致せず、不良品と
判定されるが、この場合半導体装置本体41にはなんら
欠陥がないこともあり、良品と判定されるべきところで
ある。また、第2のメモリ57に欠陥がある場合も、良
品と判定されるべきところを、不良品と判定されてしま
う。However, such a semiconductor device structure is intended to find a defect in the semiconductor device body 41 itself, but the reliability of the determination is poor. This is the first and second memories 4 for testing.
This is because the reliability of the stored data in 2, 57 is about the same as that of the main body 1. For example, the first memory 4
If the data in 2 is defective, the output data of the main body 41 does not match the data in the second memory 57 and is judged as a defective product, but in this case, the semiconductor device main body 41 has no defect. In some cases, it should be judged as a good product. Further, even when the second memory 57 has a defect, a portion which should be determined to be a good product is determined to be a defective product.
【0007】従って、判定の信頼性は極めて乏しいもの
となり、しかも試験を行う側即ち第1,第2のメモリ4
2,57の記憶データの欠陥を発見する手段がなんらな
いことは特に問題であり、実施性に乏しい。Therefore, the reliability of the judgment is extremely poor, and the side of the test, that is, the first and second memories 4 is tested.
The lack of means for finding 2,57 stored data defects is particularly problematic and impractical.
【0008】以上のような諸問題等に鑑み、本発明は次
の課題を掲げる。(1)同一の基板内に形成された試験
回路の信頼性を、本体の信頼性と比較して、かなり高い
ものとすること。(2)試験専用の外部端子(ピン)の
増加を少なくし、テスタの端子との整合性を高めるこ
と。(3)互いに相違する試験回路を使用して、少なく
とも二重の試験が行えるような回路構成とすること。
(4)判定信号が極めて単純な出力信号となるようにす
ること。(5)半導体装置の製造歩留りの無意味な低下
を防止するようにすること。(6)試験回路が不良であ
ることが分っても、半導体装置本体の試験が行えるよう
にすること。(7)試験時間が短縮されるようにするこ
と。(8)半導体装置本体の信頼性の高いものを供給で
きるようにすること。(9)テスタと接続する場合に、
複雑なインターフェイスを必要としないように、バラン
ス良く半導体装置側にテストの役割りを分担させるよう
にすること。(10)半導体装置を製造後にテスト項目
を変更したい場合には、直ちに外部から入力できるよう
に構成すること。In view of the above problems, the present invention has the following problems. (1) The reliability of the test circuit formed on the same substrate should be considerably higher than the reliability of the main body. (2) Minimize the increase of external terminals (pins) dedicated to the test and improve the compatibility with the terminals of the tester. (3) The circuit configuration should be such that at least double tests can be performed by using different test circuits.
(4) The judgment signal should be an extremely simple output signal. (5) To prevent a meaningless decrease in the manufacturing yield of semiconductor devices. (6) Even if it is found that the test circuit is defective, the semiconductor device body can be tested. (7) Try to shorten the test time. (8) To provide a highly reliable semiconductor device body. (9) When connecting to a tester,
Make sure that the semiconductor device has the role of testing in a good balance so that a complicated interface is not required. (10) If it is desired to change the test items after the semiconductor device is manufactured, it should be configured so that it can be input from the outside immediately.
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明の第1の構成は、
半導体集積回路基板上に、試験対象となる半導体装置本
体と、前記本体に与えるテストデータを記憶したメモリ
と、前記テストデータを読み出して前記本体に入力する
ように制御するテスト制御回路とを備えた半導体装置に
おいて、前記メモリ内に前記テストデータが誤記憶され
ているか否かを検査する回路手段が前記基板上に形成さ
れていることを特徴とし、さらに外部からのテストデー
タ信号を直列から並列に変換する回路手段が前記基板上
に形成されていることを特徴とする。The first structure of the present invention is as follows.
A semiconductor device main body to be tested, a memory storing test data to be supplied to the main body, and a test control circuit for controlling the test data to be read and input to the main body are provided on a semiconductor integrated circuit substrate. In the semiconductor device, circuit means for inspecting whether or not the test data is erroneously stored in the memory is formed on the substrate, and a test data signal from the outside is serially connected in parallel. The circuit means for converting is formed on the substrate.
【0010】本発明の第2の構成は、半導体集積回路基
板上に、試験対象となる半導体装置本体と、前記本体に
与えるテストデータ及び前記本体から得られる期待値デ
ータを記憶したメモリと、前記テストデータを読み出し
て前記本体に入力するように制御するテスト制御回路
と、前記本体から得られた期待値データを前記メモリに
記憶された期待値データとを照合する一致回路とを備え
た半導体装置において、前記メモリ内のテストデータと
期待値データとを検査する回路手段が前記基板上に形成
されていることを特徴とし、さらに外部からのテストデ
ータ信号を直列から並列に変換する回路手段が前記基板
上に形成されていることを特徴とする。A second structure of the present invention is, on a semiconductor integrated circuit substrate, a semiconductor device main body to be tested, a memory for storing test data to be supplied to the main body and expected value data obtained from the main body, A semiconductor device including a test control circuit for controlling to read test data and inputting it to the main body, and a matching circuit for collating expected value data obtained from the main body with expected value data stored in the memory. In the above, the circuit means for inspecting the test data in the memory and the expected value data is formed on the substrate, and the circuit means for converting an external test data signal from serial to parallel is provided. It is characterized in that it is formed on a substrate.
【0011】また、本発明の第1または第2の構成の半
導体装置の試験方法は、前記半導体集積回路基板に内蔵
する前記メモリに、前記半導体装置本体を検査するため
のデータの誤記憶が発見された場合には、外部から入力
されるテストデータ信号の一部を直列から並列に変換し
て前記本体に入力することを特徴とする。Further, in the semiconductor device testing method of the first or second structure of the present invention, erroneous storage of data for inspecting the semiconductor device body is found in the memory built in the semiconductor integrated circuit board. In this case, a part of the test data signal input from the outside is converted from serial to parallel and input to the main body.
【0012】[0012]
【実施例】本発明の第1の実施例のブロック図を示す図
1を参照すると、この実施例の半導体装置は、演算処理
等を行うロジック回路や一時記憶メモリ,ROM等を含
み、装置本来の機能を有するように構成された半導体装
置本体1と、この本体1の試験に必要なテストデータを
記憶させたテスト専用ROM2と、このROM2内の記
憶データに欠陥があるか否かを検査する検査回路4と、
複数からなる入力端子8のうちの一端子から入力された
シリアルなテストデータをパラレルデータに変換する直
並列変換回路5と、この変換回路5の出力とテスト専用
ROM2の記憶データとのうちどちらかを選択して本体
1に出力するセレクタ6と、セレクタ6,直並列変換回
路5,テスト専用ROM2,本体1等に、一連の試験を
行うために必要とする制御信号を出力するテスト制御回
路3とを半導体基板31上に備える。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Referring to FIG. 1 showing a block diagram of a first embodiment of the present invention, a semiconductor device of this embodiment includes a logic circuit for performing arithmetic processing, a temporary storage memory, a ROM, etc. The semiconductor device main body 1 configured to have the above function, the test-dedicated ROM 2 in which test data necessary for testing the main body 1 is stored, and whether or not the stored data in the ROM 2 is defective is inspected. Inspection circuit 4,
One of the serial-parallel conversion circuit 5 for converting serial test data input from one of the plurality of input terminals 8 into parallel data, and the output of the conversion circuit 5 and the storage data of the test-dedicated ROM 2 Selector 6 for selecting and outputting to main body 1, test control circuit 3 for outputting control signals necessary for performing a series of tests to selector 6, serial-parallel conversion circuit 5, test-only ROM 2, main body 1, etc. Are provided on the semiconductor substrate 31.
【0013】ここで、試験対象となる半導体装置本体1
の回路は、通常モードで動作するすべての回路が含まれ
ることが望ましいが、特に重点的に試験を行う必要のあ
る回路に限定されてもよい。入力端子7は、例えば12
ビットデータが入力される場合は12本からなり、出力
端子10も12本からなる。本体1を機能させる制御信
号発生回路は、通常モード動作の場合は図示されておら
ず、試験モード動作の場合はテスト制御回路3が利用さ
れる。このテスト制御回路3には、クロック信号が入力
される端子9と制御信号又はテストデータが入力される
複数の端子8とが接続される。制御信号を入力するかテ
ストデータを入力するかは、複数の端子8の入力信号の
組み合わせによって決定され、テストデータが入力され
る場合は、これを直並列変換回路5へ出力する。試験を
行う際に入力端子7からテストデータが入力される場合
(後述の第2のテストモード時)には、試験に必要なデ
ータをより迅速に確保するため、入力端子8からもテス
トデータがシリアル信号として入力され、並列に変換さ
れ、セレクタ6を介して本体1に入力される。通常モー
ド時には、上述した試験回路は必要でないため、本体1
に支障を与えないように、入力出力関係をカットすべ
く、インターフェイスが用意されるが、図示していな
い。逆に試験モードに設定された場合には、テスト制御
回路3からの制御信号、セレクタ6からのテストデータ
が本体1に印加さるように、選択される。Here, the semiconductor device body 1 to be tested
Although it is preferable that all the circuits which operate in the normal mode are included, the circuits in (1) may be limited to the circuits which need to be particularly intensively tested. The input terminal 7 is, for example, 12
When bit data is input, it has 12 lines, and the output terminal 10 also has 12 lines. The control signal generating circuit for functioning the main body 1 is not shown in the normal mode operation, and the test control circuit 3 is used in the test mode operation. The test control circuit 3 is connected to a terminal 9 to which a clock signal is input and a plurality of terminals 8 to which a control signal or test data is input. Whether to input the control signal or the test data is determined by the combination of the input signals of the plurality of terminals 8. When the test data is input, this is output to the serial-parallel conversion circuit 5. When the test data is input from the input terminal 7 during the test (in the second test mode described later), the test data is also input from the input terminal 8 in order to secure the data necessary for the test more quickly. It is input as a serial signal, converted in parallel, and input to the main body 1 via the selector 6. In the normal mode, the test circuit described above is not necessary, so the main unit 1
An interface is prepared to cut the input-output relationship so as not to hinder the operation, but it is not shown. On the contrary, when the test mode is set, the control signal from the test control circuit 3 and the test data from the selector 6 are selected so as to be applied to the main body 1.
【0014】ここで、検査回路4の一例を示す図3を参
照すると、この検査回路は、例えば8ビットデータ20
と1ビットのパリティビット23とがテスト専用ROM
2から入力される9ビットのレジスタ24と、計8個か
らなる2入力の排他的論理和(Exclusive O
R)ゲート21と、唯一つの出力端子22とを有する。
例えば8ビットデータ20の論理1の合計が偶数の場合
には、パリティビット23を論理1に設定すると共に、
8ビットデータ20の論理1の合計が奇数の場合には、
パリティビット23を論理0に設定して、あらかじめテ
スト専用ROM2に記憶してある。従って、ROM2に
は、正常であれば論理1の合計が常に奇数となるように
記憶されている。2入力EX/OR21のゲートの出力
端子22には、正常であれば論理1レベルが出力され、
8ビットデータ中に1ビット等の誤記憶があれば、出力
端子22には論理0レベルが出力され、この信号は出力
端子11をモニターすれば直ちに判別できる。一連の8
ビットデータが連続的に検査回路4に入力されて判定結
果が出力されるので、出力端子11を検査するテスタで
は、一連の判定結果を記憶して、アドレスデータと比較
することにより、誤記憶されているメモリ・セルが特定
できるが、1ビットでも誤記憶されていれば、このテス
ト専用ROM2を不良と判断するのであれば、特定の必
要はない。Referring now to FIG. 3 showing an example of the inspection circuit 4, this inspection circuit includes, for example, 8-bit data 20.
And 1 parity bit 23 for test ROM
A 9-bit register 24 input from 2 and an exclusive OR of 8 inputs in total (Exclusive O
R) It has a gate 21 and only one output terminal 22.
For example, when the sum of the logical 1s of the 8-bit data 20 is an even number, the parity bit 23 is set to the logical 1 and
When the sum of the logical 1s of the 8-bit data 20 is odd,
The parity bit 23 is set to logic 0 and stored in the test ROM 2 in advance. Therefore, the ROM 2 is stored such that the sum of logic 1 is always an odd number if normal. A logic 1 level is output to the output terminal 22 of the gate of the 2-input EX / OR 21 if normal,
If there is a mistaken storage of 1 bit or the like in the 8-bit data, a logic 0 level is output to the output terminal 22, and this signal can be immediately discriminated by monitoring the output terminal 11. A series of 8
Since the bit data is continuously input to the inspection circuit 4 and the determination result is output, the tester that inspects the output terminal 11 stores a series of determination results and compares them with the address data, so that they are erroneously stored. The memory cell in question can be specified, but if even one bit is erroneously stored, there is no need to specify it if the test ROM 2 is determined to be defective.
【0015】検査回路4としては、図3のような回路で
よいが、この他に、8ビット内の論理1を計数して、奇
数か偶数かを判別することにより、欠陥を判定するよう
にしてもよい。As the inspection circuit 4, a circuit as shown in FIG. 3 may be used. In addition to this, a defect is determined by counting logic 1 in 8 bits to determine whether it is an odd number or an even number. May be.
【0016】テスト専用ROM2は、半導体装置本体1
のテストに用いられるテストデータと、検査回路4がテ
ストデータの誤りを検査するための冗長データとが書き
込まれており、テスト制御回路3から与えられるアドレ
ス信号によって、テストデータをセレクタ6に、テスト
データとテストデータの誤りを検査するための冗長デー
タとを検査回路4に入力する。テスト制御回路3は、外
部端子8から入力される制御信号と、外部端子9から入
力されるクロック信号とによって、テスト専用ROM2
のアドレス信号、直並列変換回路5のシリアル信号、セ
レクタ6の制御信号、半導体装置本体1の動作モードを
制御する。検査回路4は、テスト専用ROM2に書き込
まれている冗長データを利用して、テスト専用ROM2
に書き込まれているテストデータに誤りがないかを検査
して、検査結果を外部端子11に出力する。直並列変換
回路5は、テスト制御回路3から入力されるシリアル信
号をパラレル信号に変換して、セレクタ6に入力する。
セレクタ6は、テスト制御回路3からの制御信号によっ
て、テスト専用ROM2からのテストデータと直並列変
換回路5からのテストデータとを切り換えて、半導体装
置本体1に入力する。The test-dedicated ROM 2 is the semiconductor device body 1
Test data used for the test and redundant data for the test circuit 4 to check the test data for errors are written, and the test signal is sent to the selector 6 by the address signal supplied from the test control circuit 3. Data and redundant data for inspecting an error in the test data are input to the inspection circuit 4. The test control circuit 3 uses the control signal input from the external terminal 8 and the clock signal input from the external terminal 9 for the test-dedicated ROM 2
Address signal, serial signal of serial-parallel conversion circuit 5, control signal of selector 6, and operation mode of semiconductor device body 1. The inspection circuit 4 uses the redundant data written in the test-dedicated ROM 2 to make the test-dedicated ROM 2
It is inspected whether or not there is an error in the test data written in, and the inspection result is output to the external terminal 11. The serial-parallel conversion circuit 5 converts the serial signal input from the test control circuit 3 into a parallel signal and inputs the parallel signal to the selector 6.
The selector 6 switches between the test data from the test-dedicated ROM 2 and the test data from the serial-parallel conversion circuit 5 in response to a control signal from the test control circuit 3, and inputs the test data to the semiconductor device body 1.
【0017】半導体装置本体1のテストモードの動作
は、外部端子8・外部端子9を操作して、テスト制御回
路3を動作させ、半導体装置本体1の制御信号をテスト
モードに設定することにより、半導体装置本体1をテス
トモードに設定し、セレクタ6からのテストデータによ
って信号処理を行い、その結果を外部端子10に出力す
る。The operation of the semiconductor device body 1 in the test mode is performed by operating the external terminals 8 and 9 to operate the test control circuit 3 and setting the control signal of the semiconductor device body 1 to the test mode. The semiconductor device body 1 is set to the test mode, signal processing is performed by the test data from the selector 6, and the result is output to the external terminal 10.
【0018】通常のテストモードでは、セレクタ6はテ
スト専用ROM2からのテストデータを半導体装置本体
1に入力するように、テスト制御回路3によって設定さ
れている。In the normal test mode, the selector 6 is set by the test control circuit 3 so as to input the test data from the test-dedicated ROM 2 to the semiconductor device body 1.
【0019】本実施例の半導体装置の試験方法として、
第1のテストモードと第2のテストモードとが用意され
ている。まず、第1のテストモードについて説明する。
外部端子9から入力されるクロック信号により、テスト
制御回路3は、テスト専用ROM2のアドレス信号を設
定し、半導体装置本体1にテストデータを入力し、テス
ト専用ROM2に書き込まれているテストデータによっ
て信号処理を行い、その結果を外部端子10に出力す
る。このとき、外部端子10から出力される信号が、テ
スト専用ROM2から与えられるテストデータによる信
号処理の期待値と一致しているか否かにより、半導体装
置本体1のテストの判定を行う。この隙外部端子10と
ともに、検査回路4の検査結果が出力される外部端子1
1も監視し、テスト専用ROM2に書き込まれているテ
ストデータに誤りが無いかを判定する。外部端子9から
入力されるクロック信号により、テスト制御回路3はテ
スト専用ROM2のアドレス信号を更新し、テストデー
タを半導体装置本体1に与えることによって、順次半導
体装置本体1のテストを行う。As a method of testing the semiconductor device of this embodiment,
A first test mode and a second test mode are prepared. First, the first test mode will be described.
The test control circuit 3 sets the address signal of the test-dedicated ROM 2 by the clock signal input from the external terminal 9, inputs the test data to the semiconductor device body 1, and outputs the signal according to the test data written in the test-dedicated ROM 2. Processing is performed and the result is output to the external terminal 10. At this time, the test of the semiconductor device body 1 is determined by whether or not the signal output from the external terminal 10 matches the expected value of the signal processing by the test data provided from the test-dedicated ROM 2. An external terminal 1 for outputting the inspection result of the inspection circuit 4 together with the gap external terminal 10
1 is also monitored to determine whether the test data written in the test ROM 2 has an error. The test control circuit 3 updates the address signal of the test-dedicated ROM 2 by the clock signal input from the external terminal 9 and supplies the test data to the semiconductor device body 1 to sequentially test the semiconductor device body 1.
【0020】外部端子11に出力される検査回路4の検
査結果により、テスト専用ROM2に書き込まれている
テストデータに誤りが発見されない場合には、出力端子
10から得られた本体1の処理後のデータと、テスタ内
に用意された期待値データとが照合され、双方のデータ
が一致していれば、この半導体装置31は、良品と判定
され、出荷対象となるが、双方のデータが不一致であれ
ば、半導体装置本体1を不良回路とみなし、この半導体
装置31は廃棄される。以上で、第1のテストモードに
おける試験が終了する。If no error is found in the test data written in the test-dedicated ROM 2 according to the inspection result of the inspection circuit 4 output to the external terminal 11, the data after the processing of the main body 1 obtained from the output terminal 10 is processed. If the data and the expected value data prepared in the tester are collated and both data match, the semiconductor device 31 is determined as a non-defective product and is a shipping target, but both data do not match. If so, the semiconductor device body 1 is regarded as a defective circuit, and the semiconductor device 31 is discarded. This completes the test in the first test mode.
【0021】次に、テスト専用ROM2に欠陥が発見さ
れた場合を第2のテストモードとして、以下の試験を行
う。外部端子11に出力される検査回路4の検査結果に
より、テスト専用ROM2に書き込まれているテストデ
ータに誤りが発見された場合には、その項目のテスト結
果を無効とし、複数の外部端子8の特定の論理組み合わ
せにより、テスト制御回路3を第2のテストモードに設
定する。この場合は、直並列変換回路5の出力が、半導
体装置本体1に入力されるように、セレクタ6が設定さ
れ、半導体装置外部からテストデータを入力する第2の
テストモードに設定される。次に、外部端子8からテス
ト制御回路3を通して正常なテストデータをシリアル信
号で直並列変換回路5に転送し、半導体装置本体1に入
力することにより、正常なテストデータでのテストを行
う。出力端子10から得られたデータが、テスタ内の期
待値データと一致していれば、本体1を良品とみなし、
この半導体装置を良品と判定する。不一致であれば、不
良品と判定する。Next, when a defect is found in the test-dedicated ROM 2, the following test is performed in the second test mode. If an error is found in the test data written in the test-dedicated ROM 2 by the inspection result of the inspection circuit 4 output to the external terminal 11, the test result of that item is invalidated, and the plurality of external terminals 8 are inspected. The test control circuit 3 is set to the second test mode by a specific logic combination. In this case, the selector 6 is set so that the output of the serial-parallel conversion circuit 5 is input to the semiconductor device body 1, and the second test mode in which the test data is input from the outside of the semiconductor device is set. Next, normal test data is transferred from the external terminal 8 through the test control circuit 3 to the serial-parallel conversion circuit 5 as a serial signal and input to the semiconductor device body 1 to perform a test with normal test data. If the data obtained from the output terminal 10 matches the expected value data in the tester, the main body 1 is regarded as a good product,
This semiconductor device is determined to be non-defective. If they do not match, it is determined as a defective product.
【0022】尚、第2のテストモードにおいては、テス
トに必要なデータが入力端子7からも入力され、端子8
からのシリアルデータがこれに加わるので、試験時間が
短縮される。In the second test mode, the data required for the test is also input from the input terminal 7 and the terminal 8
The test time is reduced because serial data from is added to this.
【0023】検査回路4があるので、テスト専用ROM
2内のデータの信頼性が高まり、これにより行われる第
1のテストモードの試験の信頼性が向上する。Since the inspection circuit 4 is provided, the ROM dedicated to the test is used.
The reliability of the data in 2 is improved, and the reliability of the test in the first test mode performed thereby is improved.
【0024】また、第1のテストモードで救済されなか
った場合には、第2のテストモードで試験できるよう
に、直並列変換回路5を使用できるので、誤って本体1
を不良と判定する危険性が極めて小さくなり、製造歩留
りを低下させることがない。In addition, since the serial-parallel conversion circuit 5 can be used so that the test can be performed in the second test mode when the rescue is not performed in the first test mode, the main body 1 is mistakenly used.
The risk of determining the defect is extremely small, and the manufacturing yield is not reduced.
【0025】また、不足するデータは、シリアル信号と
して入力した後にパラレル信に変換するから、この部分
の端子数は一本で済む。Further, since the lacking data is input as a serial signal and then converted into a parallel signal, the number of terminals in this portion is only one.
【0026】テスト制御機能及びテスト専用データの記
憶機能を半導体装置側に分担させているので、テスタと
のマッチングが良好で、複雑なインターフェイスを必要
としない。Since the test control function and the test exclusive data storage function are shared by the semiconductor device side, the matching with the tester is good and a complicated interface is not required.
【0027】尚、第1のテストモードで良品と判定され
た半導体装置を、さらに第2のテストモードで試験する
ことができるから、この場合は極めて信頼性の高い半導
体装置本体が供給できる。Since a semiconductor device which is determined to be non-defective in the first test mode can be further tested in the second test mode, an extremely reliable semiconductor device main body can be supplied in this case.
【0028】また、半導体装置外部よりテストデータを
与えることが可能なため、半導体装置製造後にテスト項
目の追加を行うことができるという利点もある。Further, since test data can be given from outside the semiconductor device, there is an advantage that test items can be added after the semiconductor device is manufactured.
【0029】本発明の第2の実施例のブロック図を示す
図2を参照すると、この実施例の半導体集積回路基板3
2は、一致回路12を設けたこととテスト専用ROM2
に期待値データも記憶させたこと以外、上記第1の実施
例と共通するため、共通した構成・効果の説明を省く。Referring to FIG. 2 showing a block diagram of the second embodiment of the present invention, the semiconductor integrated circuit substrate 3 of this embodiment is shown.
2 is provided with the coincidence circuit 12 and the ROM 2 dedicated to the test
Since the second embodiment is common to the first embodiment except that expected value data is also stored in the first embodiment, description of common configurations and effects will be omitted.
【0030】検査回路4は、テスト専用ROM2内のテ
ストデータだけでなく、期待値データの検査も行う。The inspection circuit 4 inspects not only the test data in the test-dedicated ROM 2 but also expected value data.
【0031】一致回路12は、テスト専用ROM2内の
期待値データと本体1から出力されたデータとの比較を
行い、一致していれば出力端子10に論理1又は0を出
力する。この一致回路2は、例えば一方のデータの補数
をとり、これと他方のデータとを加算することにより、
加算値が論理0以外を不一致とする回路で達成させる。The matching circuit 12 compares the expected value data in the test-dedicated ROM 2 with the data output from the main body 1, and outputs a logic 1 or 0 to the output terminal 10 if they match. The coincidence circuit 2 takes, for example, the complement of one data and adds it to the other data,
This is achieved by a circuit in which the added value does not match other than logic 0.
【0032】この実施例によれば、期待値データをテス
タ側に用意する必要がなく、また一致・不一致を検査す
る回路もテスタ側に用意する必要がないため、テスタと
のマッチング性がより良好となる。According to this embodiment, it is not necessary to prepare expected value data on the tester side, and it is not necessary to prepare a circuit for inspecting match / mismatch on the tester side, so that the matching property with the tester is better. Becomes
【0033】尚、テスト専用ROM2に書き込まれてい
るテストデータの検査手段は、図3に示したパリティチ
ェックの他に、チェックサム等の各種手段がある。As a means for inspecting the test data written in the test-dedicated ROM 2, there are various means such as a checksum in addition to the parity check shown in FIG.
【0034】図1,図2中の矢印は、データの流れを太
線で、制御信号の流れを細線で示している。The arrows in FIGS. 1 and 2 indicate the data flow by a thick line and the control signal flow by a thin line.
【0035】[0035]
【発明の効果】以上説明した通り、本発明によれば、テ
スト専用ROMのデータを検査する検査回路や、テスト
制御回路から与えられたシリアル信号をパラレル信号に
変換する直並列変換回路等を内蔵した事により、外部端
子の増加やテスト時間の増加を防ぐ事ができるととも
に、半導体装置に内蔵されたテスト専用ROMに欠陥が
あった場合には、半導体装置外部よりテストデータを与
えることにより半導体装置本体のテストを行い、テスト
専用ROMの欠陥による半導体装置の歩留まり低下を防
ぐことが可能になる等の効果が得られ、上記課題がこと
ごとく達成される。As described above, according to the present invention, the inspection circuit for inspecting the data of the test-dedicated ROM, the serial-parallel conversion circuit for converting the serial signal supplied from the test control circuit into the parallel signal, etc. are built-in. As a result, it is possible to prevent an increase in external terminals and an increase in test time, and in the case where there is a defect in the test-dedicated ROM built in the semiconductor device, the semiconductor device is provided with test data from outside the semiconductor device. It is possible to obtain an effect such that the main body is tested, and it is possible to prevent the yield of the semiconductor device from being lowered due to the defect of the test-dedicated ROM.
【0036】[0036]
【図1】本発明の第1の実施例を示すブロック図であ
る。FIG. 1 is a block diagram showing a first embodiment of the present invention.
【図2】本発明の第2の実施例を示すブロック図であ
る。FIG. 2 is a block diagram showing a second embodiment of the present invention.
【図3】図1又は図2で用いられる検査回路のブロック
図である。FIG. 3 is a block diagram of an inspection circuit used in FIG. 1 or FIG.
【図4】従来の半導体装置のブロック図である。FIG. 4 is a block diagram of a conventional semiconductor device.
1,41 半導体装置本体 2 テスト専用ROM 3,43 テスト制御回路 4 検査回路 5 直並列変換回路 6 セレクタ 7,8,9,10,11,13,22,47,48,4
9,53,50 端子 12 一致回路 20 8ビットデータ 21 2入力EX/ORゲート 23 パリティビット 24 レジスタ 30,31,32 半導体集積回路基板 42,57 メモリ 52 比較回路 55 フリップフロップ 56 マルチプレクサ(MPX) 58 アドレスカウンタ1,41 Semiconductor device main body 2 Test-only ROM 3,43 Test control circuit 4 Inspection circuit 5 Serial-parallel conversion circuit 6 Selector 7, 8, 9, 10, 11, 11, 13, 22, 47, 48, 4
9, 53, 50 Terminals 12 Matching circuit 20 8-bit data 21 2-input EX / OR gate 23 Parity bit 24 Registers 30, 31, 32 Semiconductor integrated circuit board 42, 57 Memory 52 Comparison circuit 55 Flip-flop 56 Multiplexer (MPX) 58 Address counter
Claims (6)
る半導体装置本体と、前記本体に与えるテストデータを
記憶したメモリと、前記テストデータを読み出して前記
本体に入力するように制御するテスト制御回路とを備え
た半導体装置において、前記メモリ内に前記テストデー
タが誤記憶されているか否かを検査する回路手段が前記
基板上に形成されていることを特徴とする半導体装置。1. A semiconductor device main body to be tested, a memory storing test data to be given to the main body, and a test control for controlling the test data to be read and input to the main body on a semiconductor integrated circuit substrate. In a semiconductor device including a circuit, circuit means for inspecting whether or not the test data is erroneously stored in the memory is formed on the substrate.
並列に変換する回路手段が前記基板上に形成されている
請求項1記載の半導体装置。2. The semiconductor device according to claim 1, wherein circuit means for converting an external test data signal from serial to parallel is formed on the substrate.
を検査するための冗長なデータが書き込まれている請求
項1記載の半導体装置。3. The semiconductor device according to claim 1, wherein redundant data for inspecting the data stored therein is written in the memory.
る半導体装置本体と、前記本体に与えるテストデータ及
び前記本体から得られる期待値データを記憶したメモリ
と、前記テストデータを読み出して前記本体に入力する
ように制御するテスト制御回路と、前記本体から得られ
た期待値データを前記メモリに記憶された期待値データ
とを照合する一致回路とを備えた半導体装置において、
前記メモリ内のテストデータと期待値データとを検査す
る回路手段が前記基板上に形成されていることを特徴と
する半導体装置。4. A semiconductor device main body to be tested, a memory storing test data to be given to the main body and expected value data obtained from the main body, and the main body by reading the test data on a semiconductor integrated circuit substrate. In a semiconductor device comprising a test control circuit for controlling to input to the device, and a matching circuit for collating expected value data obtained from the main body with expected value data stored in the memory,
A semiconductor device, wherein circuit means for inspecting test data and expected value data in the memory is formed on the substrate.
並列に変換する回路手段が前記基板上に形成されている
請求項4記載の半導体装置。5. The semiconductor device according to claim 4, wherein circuit means for converting an external test data signal from serial to parallel is formed on the substrate.
メモリに、前記半導体装置本体を検査するためのデータ
の誤記憶が発見された場合には、外部から入力されるテ
ストデータ信号の一部を直列から並列に変換して前記本
体に入力することを特徴とする請求項2または請求項5
記載の半導体装置の試験方法。6. When a mistaken storage of data for inspecting the semiconductor device body is found in the memory built in the semiconductor integrated circuit board, a part of a test data signal input from the outside is detected. The serial-to-parallel conversion is performed and input to the main body.
A method for testing a semiconductor device as described above.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6294411A JP2735010B2 (en) | 1994-11-29 | 1994-11-29 | Semiconductor device and test method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
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---|---|---|---|
JP6294411A JP2735010B2 (en) | 1994-11-29 | 1994-11-29 | Semiconductor device and test method thereof |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08152459A true JPH08152459A (en) | 1996-06-11 |
JP2735010B2 JP2735010B2 (en) | 1998-04-02 |
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ID=17807408
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP6294411A Expired - Lifetime JP2735010B2 (en) | 1994-11-29 | 1994-11-29 | Semiconductor device and test method thereof |
Country Status (1)
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JP (1) | JP2735010B2 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105093094A (en) * | 2015-09-16 | 2015-11-25 | 中国人民解放军国防科学技术大学 | Automatic chip power-on reliability detection device and detection method |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR20220033133A (en) | 2020-09-09 | 2022-03-16 | 삼성전자주식회사 | Semiconductor memory device and method and system of testing the same |
Citations (2)
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JPH01260375A (en) * | 1988-04-12 | 1989-10-17 | Fujitsu Ltd | Lsi circuit with monitoring function |
JPH0493675A (en) * | 1990-08-03 | 1992-03-26 | Fujitsu Ltd | Integrated circuit with trouble shooting device |
-
1994
- 1994-11-29 JP JP6294411A patent/JP2735010B2/en not_active Expired - Lifetime
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JPH01260375A (en) * | 1988-04-12 | 1989-10-17 | Fujitsu Ltd | Lsi circuit with monitoring function |
JPH0493675A (en) * | 1990-08-03 | 1992-03-26 | Fujitsu Ltd | Integrated circuit with trouble shooting device |
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JP2735010B2 (en) | 1998-04-02 |
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