JPH08131977A - Apparatus and method for washing wafer - Google Patents
Apparatus and method for washing waferInfo
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- JPH08131977A JPH08131977A JP28173694A JP28173694A JPH08131977A JP H08131977 A JPH08131977 A JP H08131977A JP 28173694 A JP28173694 A JP 28173694A JP 28173694 A JP28173694 A JP 28173694A JP H08131977 A JPH08131977 A JP H08131977A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は基板の洗浄装置と洗浄方
法に係わり、特に仕上げの純水洗浄したあとでパーティ
クルと呼ばれる汚染物を基板に付着させずに引き上げる
ことが可能な洗浄装置と洗浄方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate cleaning apparatus and a cleaning method, and more particularly to a cleaning apparatus and a cleaning apparatus capable of picking up contaminants called particles without adhering to the substrate after cleaning with pure water for finishing. Regarding the method.
【0002】[0002]
【従来の技術】半導体装置の性能と信頼性の向上には製
造プロセスの改善が必須であるが、中でも洗浄工程は非
常に重要である。半導体素子の表面は非常に敏感なの
で、表面の汚染を如何に少なくするか、つまり洗浄を如
何に完璧に行うかが素子の安定性や再現性を決する。そ
こで、素子表面に付着している汚染物が何であるかによ
って、いろいろな洗浄方法が採られている。2. Description of the Related Art Improving the manufacturing process is indispensable for improving the performance and reliability of semiconductor devices, but the cleaning process is very important. Since the surface of a semiconductor device is very sensitive, the stability and reproducibility of the device are determined by how to reduce the contamination of the surface, that is, how the cleaning is performed perfectly. Therefore, various cleaning methods are adopted depending on what kind of contaminant is attached to the element surface.
【0003】しかし、何れの汚染物でも除去されたあと
は、油性の洗浄液は水性の洗浄液に置換され、次いで水
性の洗浄液は純水に置換され、仕上げともいうべき洗浄
工程はいわゆる純水洗浄である。つまり、純水によって
最終的な洗浄を行い、表面に汚染物がない清浄な状態で
乾燥されることが望ましい。However, after removing any contaminants, the oil-based cleaning liquid is replaced with an aqueous cleaning liquid, and then the aqueous cleaning liquid is replaced with pure water. The cleaning process, which should be called finishing, is so-called pure water cleaning. is there. That is, it is desirable that the final cleaning is performed with pure water and the surface is dried in a clean state with no contaminants.
【0004】図5は従来の基板の洗浄装置を工程順に示
した模式的な断面図である。図中、1は洗浄槽、1aは溢
流部、1cは底部、2は給水盤、2aは噴出孔、3は洗浄
液、4は排液弁、5は基板、6は基板支持具、6aは横部
のポケット、6bは下部のポケット、8はパーティクル、
10は洗浄装置である。FIG. 5 is a schematic sectional view showing a conventional substrate cleaning apparatus in the order of steps. In the figure, 1 is a cleaning tank, 1a is an overflow part, 1c is a bottom part, 2 is a water supply board, 2a is a jet hole, 3 is a cleaning liquid, 4 is a drain valve, 5 is a substrate, 6 is a substrate support, and 6a is Side pocket, 6b lower pocket, 8 particles,
10 is a cleaning device.
【0005】図5において、洗浄装置10は、箱型の洗浄
槽1の下方に給水盤2が配置されており、その給水盤2
の上面に設けられた噴出孔2aから例えば純水洗浄ならば
純水が勢いよく噴き出るようになっている。また、洗浄
槽1に溜まった洗浄液3は、洗浄槽1の上縁の溢流部1a
から溢流するようになっている。さらに、給水盤2の下
側の洗浄槽1の底部1cには排液弁4が設けられている。
そして、排液弁4が開くと、洗浄槽1の中の洗浄液3を
急激に排出する、いわゆるクイックダウンができるよう
になっている。In FIG. 5, a cleaning apparatus 10 has a water supply board 2 arranged below a box-shaped cleaning tank 1, and the water supply board 2 is provided.
For example, in the case of washing with pure water, pure water is vigorously ejected from the ejection holes 2a provided on the upper surface of the. In addition, the cleaning liquid 3 accumulated in the cleaning tank 1 overflows at the upper edge 1a of the cleaning tank 1.
Is overflowing from. Further, a drain valve 4 is provided on the bottom portion 1c of the cleaning tank 1 below the water supply board 2.
When the drain valve 4 is opened, the cleaning liquid 3 in the cleaning tank 1 is rapidly discharged, so-called quick down can be performed.
【0006】ウェーハなどの基板5は、キャリアとかバ
スケットとか呼ばれる基板支持具6に複数枚が並行に支
持される。基板5は、通常は基板支持具6の3箇所のポ
ケット6a、6bに支持される。基板支持具6は、図示して
ないロボットハンドなどによって洗浄槽1の中に搬入さ
れる。そうすると給水盤2の噴出孔2aから洗浄液3が噴
出し、やがて洗浄槽1が満杯になって溢流部1aから溢流
する。次に、底部1cの排液弁4を開いて洗浄液3を一気
に排出させる。この洗浄液3の噴出・溢流→排出の操作
を7回とか10回とか繰り返して一連の洗浄工程が終わ
り、基板5を支持している基板支持具6が洗浄槽1の外
に搬出される。A plurality of substrates 5 such as wafers are supported in parallel by a substrate support 6 called a carrier or a basket. The substrate 5 is normally supported by the three pockets 6a and 6b of the substrate support 6. The substrate support 6 is carried into the cleaning tank 1 by a robot hand (not shown) or the like. Then, the cleaning liquid 3 is ejected from the ejection holes 2a of the water supply board 2, and the cleaning tank 1 is eventually filled up and overflows from the overflow portion 1a. Next, the drainage valve 4 of the bottom portion 1c is opened to discharge the cleaning fluid 3 at once. A series of cleaning steps are completed by repeating the operation of jetting / overflowing → discharging the cleaning liquid 3 7 times or 10 times, and the substrate support 6 supporting the substrate 5 is carried out of the cleaning tank 1.
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】ところで、洗浄工程に
入る前の基板5や基板支持具6には、成膜やエッチング
などのいろいろな処理工程を経た後なので微細な破片や
切片、塵などのいわゆるパーティクル8が付着した状態
になっている。パーティクル8は、基板5の表面はもち
ろん、ポケット6a、6bの近傍により多く付着している。
洗浄工程においては、洗浄液3を一方で溢流部1aから溢
流させながら、他方で排液弁4を開弁して何回か排出を
繰り返し、こうしたパーティクル8を洗浄液3と一緒に
排出するようにしている。By the way, since the substrate 5 and the substrate support 6 before the cleaning process have been subjected to various treatment processes such as film formation and etching, fine fragments, pieces, dust, etc. So-called particles 8 are attached. The particles 8 adhere to not only the surface of the substrate 5 but also the vicinity of the pockets 6a and 6b.
In the cleaning process, while the cleaning liquid 3 is overflowed from the overflow portion 1a on the one hand, the drain valve 4 is opened on the other hand and the discharge is repeated several times so that the particles 8 are discharged together with the cleaning liquid 3. I have to.
【0008】ところで、従来の洗浄装置10においては、
排液弁4が洗浄槽1の真下の底部1cに設けられた構成に
なっている。そのため、排出の際の洗浄液3の流れに起
因してパーティクル8が取り除けない傾向がある。つま
り、基板支持具6の横部に設けられた横部のポケット6a
の近傍では、破線で図示した洗浄液3の流れから分かる
ように、洗浄液3が噴出する際も排出する際も効果的に
洗われ、パーティクル8が留まることは少ない。ところ
が、基板支持具6の下部のポケット6bは、洗浄液3が噴
出する際も排出する際も洗浄液3の流れの蔭になって洗
われ難い。その結果、パーティクル8が下部のポケット
6bと基板5の隙間の近傍に残ってしまいなかなか取り除
けない。By the way, in the conventional cleaning device 10,
The drainage valve 4 is provided on the bottom portion 1c directly below the cleaning tank 1. Therefore, there is a tendency that the particles 8 cannot be removed due to the flow of the cleaning liquid 3 at the time of discharging. That is, the lateral pocket 6a provided on the lateral portion of the substrate support 6
As can be seen from the flow of the cleaning liquid 3 shown by the broken line in the vicinity of, the cleaning liquid 3 is effectively washed both when it is jetted and when it is discharged, and the particles 8 rarely stay. However, the lower pocket 6b of the substrate support 6 is difficult to be washed because of the flow of the cleaning liquid 3 when the cleaning liquid 3 is jetted and discharged. As a result, the particles 8 are in the lower pocket.
It remains in the vicinity of the gap between 6b and the substrate 5 and cannot be removed easily.
【0009】そこで本発明は、洗浄装置において洗浄液
を排出する際の洗浄液の流れが、基板支持具の下部のポ
ケットを効果的に洗ってパーティクルの残存を防ぐよう
になした洗浄装置と洗浄方法を提供することを目的とし
ている。Therefore, the present invention provides a cleaning device and a cleaning method in which the flow of the cleaning liquid at the time of discharging the cleaning liquid in the cleaning device effectively cleans the lower pocket of the substrate support tool to prevent residual particles. It is intended to be provided.
【0010】[0010]
【課題を解決するための手段】上で述べた課題は、洗浄
液を洗浄槽内の下方から噴出させながら上方から溢流さ
せる工程と、下部から排出させる工程とを少なくとも1
回繰り返して、支持具に並行に支持された複数枚の基板
を洗浄する基板の洗浄装置において、該洗浄液を排出す
る排液弁が、該洗浄槽の、該基板面と平行な方向と交差
する少なくとも一方の側壁の下部が開口するように設け
られているように構成された基板の洗浄装置と、複数の
基板が並行して支持された基板支持具を洗浄槽に降下さ
せて、下方から洗浄液を噴出させながら上部から溢流さ
せる第1の工程と、該洗浄槽の、該基板面と平行な方向
と交差する側壁の下部に設けられた排液弁を開弁して該
洗浄液を排出する第2の工程とを少なくともとも1回繰
り返して行い、そのあと、該基板支持具を該洗浄槽から
上昇させ取り出す洗浄方法とによって解決される。[Means for Solving the Problems] The above-mentioned problem is solved by at least one of a step of causing a cleaning liquid to spout from the lower side of the cleaning tank while overflowing from the upper side, and a step of discharging the cleaning liquid from the lower side.
In a substrate cleaning apparatus for cleaning a plurality of substrates supported in parallel by a support tool repeatedly, a drain valve for discharging the cleaning liquid intersects a direction parallel to the substrate surface of the cleaning tank. At least one side wall of the substrate cleaning device configured to be opened so that the lower part of the side wall is opened, and a substrate support tool in which a plurality of substrates are supported in parallel are lowered into a cleaning tank, and the cleaning liquid is applied from below. A first step of overflowing the cleaning solution from the upper part while discharging the cleaning solution by opening a drain valve provided at a lower part of a side wall of the cleaning tank intersecting a direction parallel to the substrate surface. The second step is repeated at least once, and then the cleaning method is carried out by raising and removing the substrate support from the cleaning tank.
【0011】[0011]
【作用】従来の洗浄装置に備えられている排液弁は、洗
浄槽の底部に設けられていたために、洗浄液をクイック
ダウンさせても洗浄液の流れの経路に起因して基板支持
具の下部のポケットが洗われ難くパーティクルの残存が
あったが、本発明においては、排液弁を基板と平行な面
と交差する側壁の下部に設けている。そして、洗浄液が
クイックダウンする際に、基板支持具の下部のポケット
を横方向から洗い流しながら流下するようにしている。Since the drain valve provided in the conventional cleaning apparatus is provided at the bottom of the cleaning tank, even if the cleaning solution is quickly downed, the drain valve provided in the lower part of the substrate support due to the flow path of the cleaning solution. Although the pocket was hard to be washed and particles remained, in the present invention, the drainage valve is provided below the side wall intersecting the plane parallel to the substrate. Then, when the cleaning solution is quickly downed, the lower pocket of the substrate supporting tool is washed down from the lateral direction and flows down.
【0012】その結果、パーティクルが特に残存し易か
った基板支持具の下部のポケットも効果的に洗われるの
で、パーティクルの残存を大幅に低減できる。As a result, the lower pocket of the substrate support, on which the particles were particularly likely to remain, is effectively washed, so that the remaining particles can be greatly reduced.
【0013】[0013]
【実施例】図1は本発明の第1の実施例の洗浄装置の斜
視図、図2は本発明の第1の実施例の洗浄方法を模式的
に示した工程図、図3はパーティクルの個数と分布状態
から見た本発明の効果、図4は本発明の第2の実施例の
洗浄方法を模式的に示した工程図である。図中、1は洗
浄槽、1aは溢流部、1bは側壁、2は給水盤、2aは噴出
孔、3は洗浄液、4は排液弁、4aは弁体、4bは開閉手
段、5は基板、6は基板支持具、6aは横部のポケット、
6bは下部のポケット、7は処理槽、8はパーティクル、
10は洗浄装置である。FIG. 1 is a perspective view of a cleaning apparatus according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a process diagram schematically showing a cleaning method according to the first embodiment of the present invention, and FIG. FIG. 4 is a process diagram schematically showing the effect of the present invention in terms of the number and distribution state, and FIG. 4 is a cleaning method according to the second embodiment of the present invention. In the figure, 1 is a cleaning tank, 1a is an overflow portion, 1b is a side wall, 2 is a water supply plate, 2a is a jet hole, 3 is a cleaning liquid, 4 is a drain valve, 4a is a valve body, 4b is an opening / closing means, 5 is Substrate, 6 substrate support, 6a lateral pocket,
6b is a lower pocket, 7 is a processing tank, 8 is particles,
10 is a cleaning device.
【0014】〔実施例1〕図1〜図2に示した洗浄装置
10においては、半導体ウェーハなどの複数枚の基板5を
並行に支持するキャリアやバスケットなどの基板支持具
6が、図示してないロボットハンドなどによって例えば
プラスチック製で箱型の洗浄槽1の中に搬入され洗浄さ
れる。[Embodiment 1] The cleaning apparatus shown in FIGS.
In 10, a substrate support 6 such as a carrier or a basket for supporting a plurality of substrates 5 such as semiconductor wafers in parallel is placed in a box-shaped cleaning tank 1 made of plastic, for example, by a robot hand (not shown). Carried in and washed.
【0015】洗浄槽1の下方に例えばプラスチック製の
給水盤2が配置されており、図示してない液源から洗浄
液3が供給され、給水盤2の上面に設けられた複数個の
噴出孔2aから例えば純水洗浄装置ならば純水などが勢い
よく噴き出るようになっている。噴出孔2aから噴き出た
洗浄液3は、基板支持具6に支持された基板5の間隙を
通って勢いよく昇っていく。また、洗浄槽1に溜まった
洗浄液3は、洗浄槽1の上縁の溢流部1aから溢流するよ
うになっている。さらに、洗浄槽1の、基板支持具6に
支持された基板5の表面と平行な面と交差する側壁1bの
下部に排液弁4が設けられている。A water supply board 2 made of, for example, plastic is disposed below the cleaning tank 1, a cleaning liquid 3 is supplied from a liquid source (not shown), and a plurality of ejection holes 2a are provided on the upper surface of the water supply board 2. For example, in the case of a pure water cleaning device, pure water or the like is spouted out vigorously. The cleaning liquid 3 ejected from the ejection holes 2a rises vigorously through the gap between the substrates 5 supported by the substrate support 6. The cleaning liquid 3 accumulated in the cleaning tank 1 overflows from the overflow portion 1a at the upper edge of the cleaning tank 1. Further, a drain valve 4 is provided below the side wall 1b of the cleaning tank 1 which intersects a plane parallel to the surface of the substrate 5 supported by the substrate support 6.
【0016】排液弁4は、例えばプラスチック製のエア
シリンダなどの開閉手段4bに駆動されて弁体4aが開閉で
きる構成になっている。弁体4aは、開弁したとき洗浄槽
1の中の洗浄液3が一気にクイックダウンするようにで
きるだけ大きい方がよい。The drain valve 4 is constructed so that the valve body 4a can be opened and closed by being driven by an opening / closing means 4b such as a plastic air cylinder. The valve body 4a is preferably as large as possible so that the cleaning liquid 3 in the cleaning tank 1 can be quickly downed when opened.
【0017】図2において、いろいろな処理がなされて
処理槽7から取り出された基板支持具6とその基板支持
具6に支持されている基板5には、特に基板5を支持す
るポケット6a、6bの近傍にパーティクル8が残存してい
る。In FIG. 2, the substrate support 6 which has been subjected to various kinds of processing and taken out from the processing bath 7, and the substrate 5 supported by the substrate support 6, particularly pockets 6a and 6b for supporting the substrate 5. The particles 8 remain in the vicinity of.
【0018】この基板支持具6を洗浄槽1に入れて、洗
浄液3を下方の給水盤2から噴出させ、溢流部1aから溢
流させながら洗浄する。この噴出・溢流の第1の工程に
おいては、基板支持具6の横部のポケット6aは下側の側
方から洗われるのでパーティクル8がよく除去される。
しかし、下部のポケット6bは洗浄液3の流れが真下方向
からなので、パーティクル8が効果的に除去されない。
噴出・溢流の第1の工程を例えば1分間続けたら排液弁
4を開いて洗浄液3を一気に排出する。The substrate support 6 is put in the cleaning tank 1, and the cleaning liquid 3 is jetted from the lower water supply plate 2 and is washed while overflowing from the overflow portion 1a. In the first jetting / overflowing step, the lateral pockets 6a of the substrate support 6 are washed from the lower side, so that the particles 8 are well removed.
However, in the lower pocket 6b, since the flow of the cleaning liquid 3 is from directly below, the particles 8 are not effectively removed.
When the first step of jetting / overflowing is continued for, for example, 1 minute, the drainage valve 4 is opened to drain the cleaning fluid 3 at once.
【0019】この洗浄液3の排出の第2の工程では、破
線で流れの経路を図示したように、流下する洗浄液3に
よって横部のポケット6aは上側の側方から洗われる。ま
た、下部のポケット6bは、排出される洗浄液3によって
側方から洗われるのでパーティクル8の除去が効果的に
行われる。In the second step of discharging the cleaning liquid 3, the lateral pocket 6a is washed from the upper side by the flowing cleaning liquid 3 as shown by the broken line in the flow path. Further, since the lower pocket 6b is washed from the side by the discharged cleaning liquid 3, the particles 8 are effectively removed.
【0020】この洗浄液3の噴出・溢流と排出の操作、
つまり第1の工程と第2の工程を例えば7回繰り返した
ら、第3の工程で基板支持具6を洗浄槽1から引上げれ
ば一連の洗浄工程が終わる。Operation of jetting / overflowing and discharging of the cleaning liquid 3,
That is, after repeating the first step and the second step, for example, seven times, a series of cleaning steps are completed by pulling up the substrate support 6 from the cleaning tank 1 in the third step.
【0021】排液弁4をこのような構成となした本発明
の効果は図3に述べている。すなわち、こゝでは、純水
の洗浄装置10を通したあと、0.2 μm以上のパーティク
ル8が6インチの半導体ウェーハ内に何個残存してるか
を実施例と比較してみる。The effect of the present invention in which the drain valve 4 has such a structure is described in FIG. That is, here, the number of particles 8 of 0.2 μm or more remaining in a 6-inch semiconductor wafer after passing through the pure water cleaning device 10 will be compared with the embodiment.
【0022】従来の洗浄装置によれば、パーティクル8
が 1,000〜 2,000個残存し、ウェーハ表面のパーティク
ル8のマップデータを見ると、洗浄液3の流下に沿って
パーティクル8が残存している様子がよく分かる。それ
に対して、本発明になる洗浄装置によれば、パーティク
ル8の残存個数は、 200〜 500個で、ウェーハ表面のパ
ーティクル8のマップデータで見ても、非常に低減して
いることが分かる。According to the conventional cleaning device, the particles 8
1,000 to 2,000 remain, and the map data of the particles 8 on the wafer surface can be seen to clearly show how the particles 8 remain along the flow of the cleaning liquid 3. On the other hand, according to the cleaning apparatus of the present invention, the number of remaining particles 8 is 200 to 500, and it can be seen from the map data of the particles 8 on the wafer surface that the number is extremely reduced.
【0023】〔実施例2〕図4において、この洗浄装置
10では、洗浄槽1の、基板支持具6に支持された基板5
の表面と平行な面と交差し、かつ対向する二つの側壁1b
の下部のそれぞれに排液弁4が設けられた構成になって
いる。[Embodiment 2] In FIG. 4, this cleaning device is used.
In 10, the substrate 5 supported by the substrate support 6 of the cleaning tank 1
Two side walls 1b that intersect and are parallel to the surface parallel to the surface of
A drainage valve 4 is provided in each of the lower parts of the.
【0024】いろいろな処理がなされて処理槽7から取
り出された基板支持具6とその基板支持具6に支持され
ている基板5には、特に基板5を支持するポケット6a、
6bの近傍にパーティクル8が残存している。The substrate support 6 that has been subjected to various kinds of processing and taken out from the processing bath 7 and the substrate 5 supported by the substrate support 6 include pockets 6a for supporting the substrate 5,
Particles 8 remain near 6b.
【0025】この洗浄装置10の場合には、排液弁4が洗
浄槽1の左右に対向して設けられているので、洗浄液3
の噴出・溢流の第1の工程→洗浄液3を右側に排出する
第4の工程→第1の工程→洗浄液3を左側に排出する第
5の工程を順次繰り返して行い、そのあと、第3の工程
で基板支持具6を洗浄槽1から引上げれば一連の洗浄工
程が終わる。In the case of this cleaning device 10, since the drain valve 4 is provided facing the left and right of the cleaning tank 1, the cleaning liquid 3
First step of ejecting / overflowing the cleaning liquid → the fourth process of discharging the cleaning liquid 3 to the right side → the first process → the fifth process of discharging the cleaning liquid 3 to the left side, and then the third process If the substrate support tool 6 is pulled up from the cleaning tank 1 in the step (1), a series of cleaning steps is completed.
【0026】つまり、排出の際の排液弁4の開弁を左右
交互に行い、洗浄液3を左右交互に流下させるようにす
る。そうすると、特に下部のポケット6bが左右の両側方
から洗われるので、パーティクル8の除去がより効果的
にできる。That is, the drainage valves 4 are opened alternately to the left and right when discharging, so that the cleaning liquid 3 flows down alternately to the left and right. Then, since the lower pocket 6b is washed from both right and left sides, the particles 8 can be removed more effectively.
【0027】こゝでは、基板が半導体ウェーハであるか
のように例示したが、例えばフラットディスプレイ素子
に用いられるガラス基板などにも適用でき、基板が円形
でなく方形でもよい。また、基板支持具のポケットが3
個の場合を例示したが、例えば下部のポケットが2箇所
あって4点支持の場合でも本発明は有効である。Although the substrate is illustrated as if it is a semiconductor wafer, it can be applied to a glass substrate used for a flat display device, for example, and the substrate may be rectangular instead of circular. Also, there are 3 pockets for the substrate support.
Although the case of individual pieces has been illustrated, the present invention is effective even when there are two lower pockets and four-point support is provided.
【0028】[0028]
【発明の効果】本発明では、洗浄槽の排液弁を基板と平
行な面と交差する側壁の下部に設けている。従って、洗
浄液がクイックダウンする際に、基板支持具の下部のポ
ケットを横方向から洗い流しながら流下するようになっ
ている。According to the present invention, the drain valve of the cleaning tank is provided at the lower part of the side wall intersecting the plane parallel to the substrate. Therefore, when the cleaning solution is quickly down, it flows down while flushing the lower pocket of the substrate support from the lateral direction.
【0029】その結果、洗浄に先立っていろいろな処理
を経たあと、パーティクルが残存し易い基板支持具の下
部のポケット近傍が効果的に洗われて、残存するパーテ
ィクルを大幅に低減することができる。従って、本発明
は特に半導体装置の製造工程におけるウェーハプロセス
の歩留り向上に対して寄与するところが大である。As a result, after undergoing various treatments prior to cleaning, the vicinity of the lower pocket of the substrate support where particles are likely to remain is effectively cleaned, and the remaining particles can be greatly reduced. Therefore, the present invention largely contributes to the improvement of the yield of the wafer process in the manufacturing process of the semiconductor device.
【図1】 本発明の第1の実施例の洗浄装置の斜視図で
ある。FIG. 1 is a perspective view of a cleaning device according to a first embodiment of the present invention.
【図2】 本発明の第1の実施例の洗浄方法を模式的に
示した工程図である。FIG. 2 is a process drawing that schematically shows the cleaning method according to the first embodiment of the present invention.
【図3】 パーティクルの個数と分布状態から見た本発
明の効果である。FIG. 3 is an effect of the present invention viewed from the number and distribution of particles.
【図4】 本発明の第2の実施例の洗浄方法を模式的に
示した工程図である。FIG. 4 is a process diagram schematically showing a cleaning method according to a second embodiment of the present invention.
【図5】 従来の基板の洗浄装置を工程順に示した模式
的な断面図である。FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing a conventional substrate cleaning apparatus in process order.
1 洗浄槽 1a 溢流部 1b
側壁 2 給水盤 2a 噴出孔 3 洗浄液 4 排液弁 4a 弁体 4b
開閉手段 5 基板 6 基板支持具 6a 横部のポケット 6b
下部のポケット 7 処理槽 8 パーティクル 10 洗浄装置1 Cleaning tank 1a Overflow part 1b
Side wall 2 Water supply panel 2a Jet hole 3 Cleaning liquid 4 Drain valve 4a Valve body 4b
Opening / closing means 5 Substrate 6 Substrate support 6a Horizontal pocket 6b
Lower pocket 7 Processing tank 8 Particles 10 Cleaning device
Claims (3)
がら上部から溢流させて、洗浄液の噴出方向と平行に支
持された基板を洗浄する基板の洗浄装置において、 前記洗浄液を排出する排液弁が、前記洗浄槽の、前記基
板面に平行な方向と交差する少なくとも一方の側壁の下
部が開口するように設けられていることを特徴とする基
板の洗浄装置。1. A substrate cleaning apparatus for cleaning a substrate supported in parallel with a jetting direction of a cleaning liquid by ejecting the cleaning liquid from a lower portion of a cleaning tank while overflowing the upper portion of the cleaning tank. A substrate cleaning apparatus, wherein a valve is provided so that a lower portion of at least one side wall of the cleaning tank intersecting a direction parallel to the substrate surface is opened.
持された基板支持具を洗浄槽に降下させて、下方から洗
浄液を噴出させながら上部から溢流させる工程であり、 第2の工程は、前記排液弁を開けて前記洗浄液を前記基
板面と平行な方向に排出する工程であり、 第3の工程は、前記基板支持具を前記洗浄槽から上昇さ
せ取り出す工程であり、 第1の工程と、第2の工程は、その順序で少なくとも1
回繰り返して行い、そのあと、第3の工程を行うことを
特徴とする基板の洗浄方法。2. The first step is a step of lowering a substrate support tool, in which a plurality of substrates are supported in parallel, into a cleaning tank, and spouting a cleaning liquid from below while spouting the cleaning liquid from below. The step of is a step of opening the drain valve to discharge the cleaning liquid in a direction parallel to the substrate surface, and the third step is a step of raising and taking out the substrate support from the cleaning tank. The first step and the second step are at least 1 in that order.
A method for cleaning a substrate, characterized in that the method is repeatedly performed, and then a third step is performed.
して前記洗浄液を排出する工程であり、 第5の工程は、前記排液弁の他方を開弁して前記洗浄液
を排出する工程であり、 前記第1の工程と、第4の工程と、前記第1の工程と、
第5の工程は、その順序で少なくとも1回繰り返して行
い、そのあと、前記第3の工程を行う請求項2記載の基
板の洗浄方法。3. A fourth step is a step of opening one of the drain valves to discharge the cleaning liquid, and a fifth step is a step of opening the other drain valve to open the cleaning liquid. And a step of discharging the first step, a fourth step, and a first step,
The substrate cleaning method according to claim 2, wherein the fifth step is repeated at least once in that order, and then the third step is performed.
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2007283166A (en) * | 2006-04-13 | 2007-11-01 | Rinnai Seiki Kk | Washing apparatus |
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