JPH08139218A

JPH08139218A - 混成集積回路装置およびその製造方法

Info

Publication number: JPH08139218A
Application number: JP6273202A
Authority: JP
Inventors: Yoshio Dobashi; 芳男土橋; Nobuyoshi Maejima; 信義前嶋; Tsuneo Endo; 恒雄遠藤
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1994-11-08
Filing date: 1994-11-08
Publication date: 1996-05-31

Abstract

(57)【要約】【目的】セラミック基板使用の混成集積回路装置にお
ける放熱板露出面へのレジンフラッシュ付着の防止。【構成】混成集積回路装置は、樹脂からなる封止体
と、前記封止体の内外に亘って延在するリードと、前記
樹脂内に配置される前記一部のリードと繋がる支持板
と、前記支持板に固定されかつ受動部品や能動部品等を
搭載したセラミック基板とを有しかつ前記封止体には前
記支持板に繋がる抜け孔が局所的に存在している。その
製造方法においては、前記封止体はトランスファモール
ドによって形成され、かつトランスファモールド時には
モールド型にあらかじめ設けられた突子によって前記支
持板を局所的に上下からクランプしてモールドを行う。
したがって、放熱板の露出面にレジンフラッシュが発生
しなくなり、放熱性の良好な製品となる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は混成集積回路装置（ハイ
ブリッドＩＣ）およびその製造方法に関し、特に金属板
上にセラミック基板が取り付けられる構造の混成集積回
路装置の製造技術に適用して有効な技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】混成集積回路装置においては、高機能・
高集積化を図るための構造として、トランスファモール
ド形ハイブリッドＩＣが知られている。トランスファモ
ールド形ハイブリッドＩＣについては、工業調査会発行
「最新ハイブリッド実装技術」1988年５月15日発行、P1
3 およびP14 に記載されている。この文献には、「半導
体ＩＣ用のリードフレーム上に絶縁エリヤを設け，その
上に能動素子，受動素子をすべてチップ状態で搭載し，
トランスファモールド封止してワンパッケージ化してい
る。」旨記載されている。同文献の図においては、モー
ルド内のリードフレーム上には接着剤を介して配線シー
トが取り付けられ、この配線シート上には導体配線が設
けられているとともに、ＩＣチップ，Ｔｒチップおよび
複合Ｒ（Ｃ）アレイが搭載されている。

【０００３】また、特開昭61-102163 号公報には、モノ
リシックＩＣの製造ラインをそのまま使用すべく、金属
性のリードフレームを用いるハイブリッドＩＣの製造技
術について記載されている。この文献には、半導体ペレ
ット，コンデンサ素子パターン，抵抗素子パターン等を
有する多層配線基板がリードフレームのランドに固定さ
れた構造が示されている。

【０００４】一方、単一のＬＳＩチップをパッケージ内
に封止する構造となるＬＳＩ等半導体装置においては、
性能の向上により、一層放熱性向上が望まれている。放
熱手段については、日経ＢＰ社発行「日経エレクトロニ
クス」1991年９月21日号、P123〜P136に列記されてお
り、構造を変える方法として外部構造変更としては放熱
フィン取付法，内部構造変更ではリードフレームの多層
化，放熱板埋め込み方式等がある。これらの手法におい
ては部品材料の単価アップや高密度基板の内蔵化等が障
害となってくる。また、材料を変える方法では、リード
フレームの熱伝導率を上げるべくリードフレーム材料を
銅系のものに変更したり、封止体（パッケージ）を形成
する樹脂として高熱伝導性樹脂を使用して放熱性を高め
る等の手法がある。また、前記文献における放熱板埋め
込み方式では、放熱板（ヒート・スプレッダ）の一面は
パッケージから露出している。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明者等において
は、混成集積回路装置においても放熱性を向上させるた
めに、前記ヒート・スプレッダ（放熱板）を組み込んだ
構造を検討した。ヒート・スプレッダは、封止体の一面
に一面を露出させる構造となるため、トランスファモー
ルド時には、ヒート・スプレッダの外面はモールド型の
キャビティ底に接触するようになる。この際、ヒート・
スプレッダはリードフレームを介して支持されているた
め、ヒート・スプレッダをキャビティ底に強く押し付け
る力が作用し難くなり、ヒート・スプレッダとキャビテ
ィ底面に隙間が発生することがある。この隙間は、薄い
がレジンが浸入するとモールド後のレジンフラッシュと
呼称される不良原因となる。

【０００６】そこで、本発明者においては、前記ヒート
・スプレッダをモールド型のキャビティ底に強く押し付
けるピンをモールド型に設けることを考えた。一方、本
発明者等においては、放熱性をより高めるために、前記
ヒート・スプレッダ上に設ける配線基板は、熱伝導率の
良いアルミナ基板を使用することを検討した。

【０００７】しかし、アルミナ基板は圧縮力に弱く、ヒ
ート・スプレッダ上のアルミナ基板をモールド型に設け
たピンで押圧すると、アルミナ基板にクラックが発生し
たりあるいは粉砕されてしまうことが本発明者によって
あきらかにされた。また、トランスファモールドにおい
ては、モールド型（金型）でのクランプ条件等は微妙な
コントロールはでき難い。

【０００８】一方、リードフレームの一部に配線基板を
設け、かつ前記配線基板部分をトランスファモールドに
よって封止する場合、配線基板部分はリードフレームの
周囲でモールド型に挟持されるだけであることから、キ
ャビティ内に流入する溶けたレジンの流れによって上下
に振られることもあり、半導体チップの電極と配線基板
のパッドとを接続する細いワイヤのループ部分が、モー
ルド後封止体の表面に現れたりする外観不良も発生する
ことがある。特に封止体の薄型化が進む現況では、ワイ
ヤの一部露出は大きな問題となるおそれがある。

【０００９】本発明の目的は、封止体の表面に露出する
放熱板を有する半導体装置において、前記放熱板の露出
面にレジンフラッシュが発生し難い半導体装置を提供す
ることにある。

【００１０】本発明の他の目的は、封止体の表面に被モ
ールド物の一部が露出しない半導体装置を提供すること
にある。

【００１１】本発明の他の目的は放熱板の露出面にレジ
ンフラッシュが発生したり封止体の表面に被モールド物
の一部が露出したりしないような封止（半導体装置製
造）技術を提供することにある。

【００１２】本発明の前記ならびにそのほかの目的と新
規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきら
かになるであろう。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。すなわち、本発明の混成集積回路装
置は、樹脂からなる封止体と、前記封止体の内外に亘っ
て延在するリードと、前記樹脂内に配置される前記一部
のリードと繋がる支持板と、前記支持板に固定されかつ
受動部品や能動部品等を搭載したセラミック基板とを有
しかつ前記封止体には前記支持板に繋がる抜け孔が局所
的に存在してなる混成集積回路装置であり、その製造方
法においては、前記封止体はトランスファモールドによ
って形成され、かつトランスファモールド時にはモール
ド型にあらかじめ設けられた突子によって前記支持板を
局所的に上下からクランプしてモールドを行うように構
成されている。また、本発明の混成集積回路装置は、前
記セラミック基板の一部には前記封止体の表面に一部が
露出する放熱板が取り付けられている構造となってい
る。

【００１４】また、本発明の他の実施例による混成集積
回路装置においては、前記クランパの抜け孔は前記セラ
ミック基板に設けられた貫通孔の内側にセラミック基板
に触れることなく形成されている。前記貫通孔はセラミ
ック基板の未使用領域に設けられる。

【００１５】

【作用】上記した手段によれば、本発明の混成集積回路
装置は、その製造時、受動部品や能動部品等を搭載した
セラミック基板を支持する支持板をトランスファモール
ド時に上下から突子でクランプしてトランスファモール
ドを行うため、トランスファモールドのモールド型内の
キャビティ内に前記配線基板等は正確に位置決めされて
トランスファモールドされるため、被モールド物の一
部、たとえば、半導体チップの電極とセラミック基板の
パッドを接続するワイヤの一部が封止体表面に露出する
ようなことがなくなる。

【００１６】また、本発明の混成集積回路装置において
は、前記封止体の表面に一面が露出する放熱板が設けら
れているが、トランスファモールド時、セラミック基板
を支持する支持板が突子で上下から位置決めされるた
め、露出する放熱板の表面にトランスファモールド時の
レジンが洩れ出る現象が防止でき、熱伝導性の高い混成
集積回路装置となる。

【００１７】また、本発明の混成集積回路装置は、配線
基板として熱伝導性の高いセラミック基板が使用されて
いることから、放熱性の優れた混成集積回路装置とな
る。

【００１８】また、本発明の混成集積回路装置の製造方
法によれば、トランスファモールド時、硬く脆いセラミ
ック基板をクランプすることがないことから、セラミッ
ク基板を破損させることがない。

【００１９】また、本発明の他の実施例による混成集積
回路装置においては、前記クランパの抜け孔は前記セラ
ミック基板に設けられた貫通孔の内側にセラミック基板
に触れることなく形成されていることから、クランパの
加圧接触によるセラミック基板の破損を防止できるだけ
ではなく、前記貫通孔はセラミック基板の未使用領域に
設けられていることから、トランスファモールド時にク
ランプする構造としても、セラミック基板の大型化を引
き起こすこともない。

【００２０】

【実施例】以下図面を参照して本発明の一実施例につい
て説明する。図１は本発明の実施例である第１実施例に
よる混成集積回路装置の要部を示す模式的断面図、図２
は同じく混成集積回路装置の要部を示す一部の斜視図、
図３は同じく混成集積回路装置の製造に用いるリードフ
レームの要部を示す模式的平面図、図４は同じく混成集
積回路装置の製造におけるトランスファモールド状態を
示す模式的断面図である。

【００２１】本発明の混成集積回路装置は、モノリシッ
クなＩＣを製造する場合と同様にいずれも金属製のリー
ドフレームを使用して製造される。本発明の一実施例の
混成集積回路装置、すなわち、第１実施例の混成集積回
路装置１は、図１および図２に示すような構造となって
いる。混成集積回路装置１は、外観的には矩形偏平状の
レジンで形成される封止体（パッケージ）２と、このパ
ッケージ２の周囲から突出する複数のリード３とからな
っている。前記パッケージ２の厚さは略３ｍｍ程度であ
る。

【００２２】前記リード３はパッケージ２の内外に亘っ
て延在するとともに、ガルウィング型となっている。前
記リード３は、図３に示すリードフレーム４のリード部
分から形成される。また、前記パッケージ２の内部に
は、これもリードフレーム４から形成される支持板５が
位置している。前記支持板５はタブとも称され、リード
フレーム４の状態ではタブ吊りリード８によって支持さ
れている。

【００２３】第１実施例の支持板５は矩形枠体となると
ともに、主面（上面）には厚さ０．６ｍｍ程度のセラミ
ック基板９が固定されている。このセラミック基板９
は、アルミナ基板からなるとともに、図示はしないが多
層の配線基板となり、主面（上面）には能動部品である
ＩＣやＬＳＩ等からなる半導体チップ１０が固定されて
いる。前記半導体チップ１０は所望数搭載されている。
半導体チップ１０の図示しない上面電極と、セラミック
基板９の上面の図示しない配線のパッドとは、導電性
（Ａｕ）のワイヤ１１によって電気的に接続されてい
る。また、前記セラミック基板９の上面には、各種の受
動部品が搭載されている。図１では、たとえば、チップ
コンデンサ１２が搭載されている。

【００２４】一方、前記セラミック基板９の主面の周囲
には、図１では図示はしないが、接続パッドが設けら
れ、この接続パッドとリード３の内端は導電性（Ａｕ）
のワイヤ１３で電気的に接続されている。前記ワイヤ１
３は、図１では説明の便宜上図示してないが、図３に示
すように、セラミック基板９の図示しない接続パッド
と、リード３の内端部分を電気的に接続する。

【００２５】また、前記セラミック基板９の裏面（下
面）には、銅等熱伝導性の良好な金属で形成された１．
１５〜１．２ｍｍ程度の厚さからなる放熱板（ヒート・
スプレッダ）１５が接着固定されている。この放熱板１
５の一面、すなわち、下面は、前記パッケージ２の下面
と同一高さとなり、パッケージ２から露出している。こ
の露出面は、放熱面１６となる。前記セラミック基板９
も配線基板のうちでは熱伝導性に優れている。この結
果、半導体チップ１０で発熱した熱は、熱伝導性の良好
なセラミック基板９および放熱板１５を介してパッケー
ジ２の外部に放熱され、たとえば、実装された場合、マ
ザーボードやシャーシに直接伝熱されることになる。

【００２６】他方、これが本発明の特徴の一つである
が、図１および図２に示すように、前記パッケージ２の
上下部分には、対応して抜け孔２０ａ，２０ｂが設けら
れている。この抜け孔２０ａ，２０ｂの底は、前記支持
板５に繋がる。すなわち、抜け孔２０ａ，２０ｂの底は
支持板５によって形成されている。これは、パッケージ
２を形成する際のトランスファモールド時のモールド型
の円形断面をした突子からなるクランパの抜け孔であ
る。前記抜け孔２０ａ，２０ｂには大気が入り込むこと
から、放熱効果をも奏することになる。

【００２７】つぎに、第１実施例の混成集積回路装置１
の製造について説明する。混成集積回路装置１の製造に
おいては、図３に示すように、リードフレーム４が用意
される。このリードフレーム４は、０．１〜０．２５ｍ
ｍの厚さのＦｅ−Ｎｉ系合金あるいはＣｕ合金等からな
る金属板をエッチングまたは精密プレスによってパター
ニングすることによって形成される。リードフレーム４
は複数の単位リードパターンを一方向に直列に並べた形
状となっている。単位リードパターンは、一対の平行に
延在する外枠２６と、この一対の外枠２６を連結しかつ
外枠２６に直交する方向に延在する一対の内枠２７とに
よって形成される枠内に形成されている。

【００２８】また、前記枠の各外枠２６および内枠２７
の内側からは、相互に平行となって、枠の中央に延在す
る複数のリード３が設けられている。このリード３は、
枠の四隅に張り出した支持片２９間に亘って設けられた
細いダム３０と交差するパターンとなっている。そし
て、前記ダム３０によって、各リード３はその途中を支
持されている。前記ダム３０は、後述するトランスファ
モールド時、溶けたレジンの流出を阻止するダムとして
作用する。また、このダム３０の内側の片持梁状のリー
ド部分をインナーリードと呼称し、外側の部分をアウタ
ーリードと呼称している。前記インナーリードの先端
は、特に限定はされないが、一段階段状に変形してい
る。また、前記外枠２６には、図示しないがガイド孔が
設けられている。このガイド孔は、リードフレーム４の
移送や位置決め等のガイドとして利用される。なお、前
記リードフレーム４は必要に応じて所望個所にメッキが
施されている。

【００２９】混成集積回路装置１の製造においては、前
記リードフレーム４が用意された後、図３に示されるよ
うに、前記支持板５上にセラミック基板９を載置固定す
る。セラミック基板９の固定にはハンダあるいは接着剤
が使用される。図３においてはセラミック基板９上の各
部品は省略してある。

【００３０】つぎに、セラミック基板９の周囲に設けら
れた図示しない接続パッドと、リード３の内端部分をＡ
ｕ等からなるワイヤ１３で電気的に接続する。

【００３１】つぎに、図４に示すように、トランスファ
モールド装置のモールド型３２によって、前記リードフ
レーム４の所定部分をモールドする。すなわち、リード
フレーム４は、図４に示されるように、モールド型３２
の下型３３と、上型３４との間に型締めされる。型締め
によって、下型３３と上型３４によってキャビティ３
５，ランナー３６，ランナー３６とキャビティ３５を繋
ぐゲート３７等が形成される。

【００３２】また、これが本発明の特徴の一つである
が、前記下型３３および上型３４にはそれぞれ対応する
部分に弾性体からなる突子３３ａ，３４ａが設（植設）
けられている。この例では、図３に示すように、突子３
３ａ，３４ａは２組設けられ、いずれも支持板５を挟持
（クランプ）するようになっている。このクランプによ
って支持板５およびセラミック基板９はキャビティ３５
内において、上下に振られることがなくなり、たとえ
ば、セラミック基板９に固定された放熱板１５の下の面
は、キャビティ３５の底に密着し、レジンがキャビティ
底と放熱板１５の放熱面１６との間に流れ込まないよう
にしている。これにより、トランスファモールド後は、
放熱板１５の放熱面１６にレジンフラッシュが発生する
ことがなくなる。

【００３３】また、前記クランプ動作によって、支持板
５、すなわちセラミック基板９がキャビティ３５内にお
いて常に一定の高さに維持されるため、半導体チップ１
０とセラミック基板９のパッドを接続するワイヤ１１の
ループ頂上部分がキャビティ３５の上面に接触したり、
近接するようなことがなくなる。この結果、トランスフ
ァモールド後の混成集積回路装置１においては、パッケ
ージ２の上面にワイヤ１１が露出したり、その姿を目視
できる状態とはならず、外観不良の発生が抑止されるこ
とになる。

【００３４】なお、図３においては、レジンの流れる順
序に沿って、ランナー３６，ゲート３７，パッケージ
２，フローキャビティ４０，エアーベント４１が二点鎖
線で示されている。

【００３５】このような第１実施例の混成集積回路装置
は、つぎのような効果を奏する。

【００３６】（１）第１実施例の混成集積回路装置で
は、放熱板上には熱伝導性の高いセラミック基板が固定
され、このセラミック基板上に発熱性の高い半導体チッ
プ等が固定されていることから、半導体チップ等で発生
した熱は速やかにセラミック基板および放熱板を介して
パッケージの外に放散されるため、混成集積回路装置の
動作が安定する。したがって、信頼性の高い混成集積回
路装置を提供することができる。

【００３７】（２）上記（１）により、本発明の混成集
積回路装置においては、放熱性向上により、高出力化が
達成できる。

【００３８】（３）第１実施例の混成集積回路装置にお
いては、放熱板の放熱面がパッケージ面から露出してい
ることから、混成集積回路装置の実装におけるハンダリ
フロー時パッケージクラックが発生しない。

【００３９】（４）本発明の混成集積回路装置は、トラ
ンスファモールド時に被モールド物の一部をクランプす
るが、クランプ箇所は硬く脆いセラミック基板部分では
なく、セラミック基板を支持する金属製の支持板をクラ
ンプすることから、セラミック基板の破損を生じなくな
るとともに、クランプ圧を高く保つことができるため、
モールド型内のキャビティ内における被モールド物を確
実に保持できる。

【００４０】（５）上記（４）により、本発明の混成集
積回路装置は、その製造時、放熱板の露出面をモールド
型のキャビティ底面に密着させることができる。この結
果、放熱板とキャビティ底面にトランスファモールド時
の溶けたレジンが浸入し難くなり、トランスファモール
ド後、放熱板の露出面に薄いレジン膜（レジンフラッシ
ュ）が形成されることがなくなり、伝熱抵抗の増大を招
くことがなくなって放放熱性に優れた混成集積回路装置
が製造できることになる。たとえば、当社従来品による
出力１．０ＷＭＡＸが、セラミック基板および放熱板の
使用によって、その倍である２．０Ｗ以上となった。

【００４１】（６）上記（４）により、本発明の混成集
積回路装置は、その製造時、セラミック基板は支持板を
介して所定高さにクランプされるため、パッケージの表
面にワイヤが露出したり、ワイヤを目視できるようなパ
ッケージ形態がなくなり、混成集積回路装置の信頼性向
上および製造歩留りの向上が達成できる。

【００４２】図５は本発明の他の実施例である第２実施
例による混成集積回路装置の要部を示す一部の断面図で
ある。この実施例では、リードフレームとして部分的に
厚さが異なる異形材料を使用して製造した混成集積回路
装置１の一部を示すものである。厚さが厚い部分は、そ
のまま放熱板１５として使用する。そして、放熱板１５
上に固定したセラミック基板９から外れた支持板５部分
を、パッケージ形成時、トランスファモールド時のモー
ルド型の一対の突子でクランプしてパッケージ２を形成
する。この第２実施例の混成集積回路装置１の場合も、
前記第１実施例と同様に放熱板１５の放熱面１６面にレ
ジンフラッシュが存在しない放熱性の良好なものとな
る。また、パッケージ表面にワイヤが露出したり、ワイ
ヤを目視できるような不良品の発生を抑えることができ
る。また、第２実施例の混成集積回路装置においても、
前記パッケージ２に形成された抜け孔２０ａ，２０ｂか
ら熱が放散される。なお、図５においては、セラミック
基板９上の部品は省略してある。

【００４３】図６は、本発明の他の実施例である第３実
施例による混成集積回路装置の要部を示す断面図であ
る。第３実施例の混成集積回路装置１では、セラミック
基板９よりも支持板５を大きくすると、混成集積回路装
置が大型化するため、セラミック基板９と支持板５を同
じ大きさとし、セラミック基板９の回路部分等として使
用しない部分に貫通孔４５を設ける構造となっている。
そして、この貫通孔４５内に、トランスファモールド時
のモールド型３２の突子３３ａを挿入するようにしてな
るものである。この場合、前記突子３３ａの直径は、前
記貫通孔４５よりも充分小さくし、突子３３ａがセラミ
ック基板９に接触しないようになっている。これは、突
子３３ａによるセラミック基板９の破損を防止するため
である。

【００４４】図７は、本発明の他の実施例である第４実
施例による混成集積回路装置の要部を示す断面図であ
る。この実施例では、支持板５を平坦な構造とするとと
もに、裏面（下面）には放熱板を取り付けない一般的な
混成集積回路装置１に本発明を適用した例である。この
実施例の場合には、トランスファモールド時に、モール
ド型の突子によって確実にクランプされ、モールド型の
キャビティの一定の高さに設定されるため、パッケージ
表面にワイヤが露出したり、ワイヤを目視できるような
不良品の発生を抑えることができる。

【００４５】図８は本発明の他の実施例である第５実施
例による混成集積回路装置の要部を示す断面図である。
この実施例ではＴＯ２２０型のような構造の混成集積回
路装置１である。すなわち、放熱板１５上にセラミック
基板９を固定し、このセラミック基板９上に能動部品
（半導体チップ１０）や受動部品（チップコンデンサ１
２等）を搭載してなるものである。そして、放熱板１５
の一方にリード３を平行に複数設けた構造となってい
る。前記放熱板１５はいずれかのリード３に支持されて
いる。この混成集積回路装置１の製造においても、部分
的に厚さの異なる異形材料が使用される。ＴＯ２２０型
でかつ放熱板の一面が露出する構造では、放熱板１５の
一方が、図８に示すように、二点鎖線で示されるモール
ド型３２の下型３３と上型３４でクランプされるが、他
方はリード３部分でしかクランプされない。そこで、こ
の第５実施例の場合は、上型３４の突子３４ａと下型３
３とで放熱板１５の放熱面１６をキャビティ３５の底に
押し付けるようにしてトランスファモールドを行うもの
である。この第５実施例の場合も、前記各実施例と同様
にセラミック基板９の破損を防止しつつ、放熱板１５の
放熱面１６へのレジンフラッシュの付着発生を防止し、
かつパッケージ表面にワイヤが露出したり、ワイヤを目
視できるような不良品の発生を抑えることができる。

【００４６】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない、たとえば、
前記抜け孔２０ａ，２０ｂを樹脂等を重点して塞いでお
けば、耐湿性の向上を図ることができる。

【００４７】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。本発明の混成集積回路装置は、リー
ドフレームを使用して製造されるものである。パッケー
ジの内部には、矩形枠からなる支持板が位置し、この支
持板上には能動部品や受動部品を搭載したセラミック基
板が固定されている。また、セラミック基板の裏（下
面）には一面がパッケージから露出する放熱板が取り付
けられている。混成集積回路装置の製造におけるトラン
スファモールド時には、モールド型にあらかじめ設けら
れた突子によって前記支持板を局所的に上下からクラン
プしてモールドを行う。この結果、放熱板の放熱面とモ
ールド型によって形成されるキャビティの底に密着する
ため、放熱板の放熱面にレジンフラッシュが発生しなく
なり、放熱性の良好な製品となる。また、前記セラミッ
ク基板は支持板を介してキャビティ内で所定の高さに位
置付けされるため、パッケージの表面にワイヤが露出し
たり、ワイヤを目視できるような不良品の発生を抑える
ことができ、製造歩留りも向上する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例である第１実施例による混成集
積回路装置の要部を示す模式的断面図である。

【図２】第１実施例による混成集積回路装置の要部を示
す一部の斜視図である。

【図３】第１実施例による混成集積回路装置の製造に用
いるリードフレームの要部を示す模式的平面図である。

【図４】第１実施例による混成集積回路装置の製造にお
けるトランスファモールド状態を示す模式的断面図であ
る。

【図５】本発明の他の実施例である第２実施例による混
成集積回路装置の要部を示す一部の断面図である。

【図６】本発明の他の実施例である第３実施例による混
成集積回路装置の要部を示す断面図である。

【図７】本発明の他の実施例である第４実施例による混
成集積回路装置の要部を示す断面図である。

【図８】本発明の他の実施例である第５実施例による混
成集積回路装置の要部を示す断面図である。

【符号の説明】

１…混成集積回路装置、２…封止体（パッケージ）、３
…リード、４…リードフレーム、５…支持板、８…タブ
吊りリード、９…セラミック基板、１０…半導体チッ
プ、１１…ワイヤ、１２…チップコンデンサ、１３…ワ
イヤ、１５…放熱板、１６…放熱面、２０ａ，２０ｂ…
抜け孔、２６…外枠、２７…内枠、２９…支持片、３２
…モールド型、３３…下型、３３ａ…突子、３４…上
型、３４ａ…突子、３５…キャビティ、３６…ランナ
ー、３７…ゲート、４０…フローキャビティ、４１…エ
アーベント、４５…貫通孔。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０１Ｌ 23/50 Ｇ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】樹脂からなる封止体と、前記封止体の内
外に亘って延在するリードと、前記樹脂内に配置されか
つ前記一部のリードと繋がる支持板と、前記支持板に固
定されかつ受動部品や能動部品等を搭載したセラミック
基板とを有する混成集積回路装置であって、前記封止体
はトランスファモールドによって形成され、かつ前記封
止体の一部にはトランスファモールド時に前記支持板を
上下からクランプしたクランパの抜け孔が存在している
ことを特徴とする混成集積回路装置。
【請求項２】前記クランパの抜け孔は前記セラミック
基板に設けられた貫通孔の内側にセラミック基板に触れ
ることなく形成されていることを特徴とする請求項１記
載の混成集積回路装置。
【請求項３】前記セラミック基板の一部には前記封止
体の表面に一部が露出する放熱板が取り付けられている
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の混成
集積回路装置。
【請求項４】樹脂からなる封止体と、前記封止体の内
外に亘って延在するリードと、前記樹脂内に配置される
前記一部のリードと繋がる支持板と、前記支持板に固定
されかつ受動部品や能動部品等を搭載したセラミック基
板とを有しかつ前記封止体には前記支持板に繋がる抜け
孔が局所的に存在してなる混成集積回路装置の製造方法
であって、前記封止体はトランスファモールドによって
形成され、かつトランスファモールド時にはモールド型
にあらかじめ設けられた突子によって前記支持板を局所
的に上下からクランプしてモールドを行うことを特徴と
する混成集積回路装置の製造方法。