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JPH08124479A - Manufacture of shadow mask - Google Patents

Manufacture of shadow mask

Info

Publication number
JPH08124479A
JPH08124479A JP25683494A JP25683494A JPH08124479A JP H08124479 A JPH08124479 A JP H08124479A JP 25683494 A JP25683494 A JP 25683494A JP 25683494 A JP25683494 A JP 25683494A JP H08124479 A JPH08124479 A JP H08124479A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
shadow mask
etching
light
prevention layer
concave portion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP25683494A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kyuichi Yago
久一 谷郷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toppan Inc
Original Assignee
Toppan Printing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toppan Printing Co Ltd filed Critical Toppan Printing Co Ltd
Priority to JP25683494A priority Critical patent/JPH08124479A/en
Publication of JPH08124479A publication Critical patent/JPH08124479A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE: To enable manufacturing a high-definition shadow mask by measuring transmittance for the calculation of the aperture of each through hole bored in a shadow mask material during etching process, and adjusting etching conditions according to the calculated value. CONSTITUTION: The openings 5 of holes formed in a shadow mask 6 by photoetching are determined by measurement of transmittance so as to adjust etching conditions for a shadow mask material. A 10-W, 16-V halogen lamp is used as a projector head 14 and a circular parallel beam 20mm in diameter is applied from the small hole side. Light transmitted through the openings 5 of the holes are received by a light receiving device (silicon photocell) provided in the opposite position of the large hole side, so that the aperture of each opening 5 is calculated. The calculated value is compared with a desired value for adjustment of the etching conditions.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、シャドウマスクに係わ
り、特に、開孔の径が小さい高精細シャドウマスクの製
造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a shadow mask, and more particularly to a method for manufacturing a high-definition shadow mask having a small opening diameter.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、カラー受像管に用いる高精細シャ
ドウマスクは、例えば、図3に示すような工程で造られ
る。すなわち、シャドウマスク材1として例えばロール
状の板厚0.13mmの低炭素鋼板を用い、その両面を脱脂、
整面、洗浄処理した後、その両面にカゼインやポリビニ
ルアルコールと重クロム酸アンモニウムからなる水溶性
感光液を塗布乾燥して、フォトレジスト膜2を形成す
る。次いで、図3(a)に示すように、シャドウマスク
材1の一方の面に小円孔像のポジパターンマスク13a
を、他方の面に大円孔像のポジパターンマスク13b を密
着露光する。その後、温水にて、未露光未硬化のフォト
レジスト膜を溶解する現像処理を行なえば、小円孔レジ
スト膜2aと大円孔レジスト膜2bを表裏に有するシャドウ
マスク材1が得られる。
2. Description of the Related Art Conventionally, a high-definition shadow mask used for a color picture tube is manufactured, for example, by the process shown in FIG. That is, as the shadow mask material 1, for example, a roll-shaped low carbon steel plate having a plate thickness of 0.13 mm is used, and both surfaces thereof are degreased,
After surface conditioning and washing, a water-soluble photosensitive solution consisting of casein or polyvinyl alcohol and ammonium dichromate is applied to both surfaces and dried to form a photoresist film 2. Next, as shown in FIG. 3A, a positive pattern mask 13a having a small hole image is formed on one surface of the shadow mask material 1.
Then, a positive pattern mask 13b having a large hole image is closely exposed on the other surface. After that, by performing a developing treatment with hot water to dissolve the unexposed and uncured photoresist film, the shadow mask material 1 having the small circular hole resist film 2a and the large circular hole resist film 2b on the front and back sides is obtained.

【0003】その後、レジスト膜2に対して硬膜処理お
よびバーニング処理を施し、第一段階のエッチングを表
裏両面から行なう。エッチング液には塩化第二鉄のボー
メ濃度35〜50を用い、スプレー圧 1.5〜3.5kg/cm2 のス
プレーエッチングで行なうのが一般的である。この第一
エッチング工程では、図3(b)に示すように、エッチ
ング進度は、途中で止めるのが肝要である。また、この
第一エッチング工程では、シャドウマスク材1の大円孔
レジスト膜2bを有する面に保護フィルムを貼り付け、小
円孔側からのみシャドウマスク材1を中途までエッチン
グする方法もある。
After that, the resist film 2 is subjected to a hardening treatment and a burning treatment, and first-stage etching is performed from both front and back surfaces. The etching solution is a ferric chloride having a Baume concentration of 35 to 50, and spray etching is generally performed at a spray pressure of 1.5 to 3.5 kg / cm 2 . In this first etching step, as shown in FIG. 3B, it is important to stop the etching progress on the way. Further, in this first etching step, there is also a method in which a protective film is attached to the surface of the shadow mask material 1 having the resist film 2b having a large circular hole, and the shadow mask material 1 is etched halfway only from the small circular hole side.

【0004】次いで、図3(c)に示すように、前段の
エッチングで形成された小円孔側の凹部3aを完全に埋め
尽くすエッチング防止層4を塗布形成する。続いて、図
3(d)に示すように、大円孔側からのみシャドウマス
ク材1をエッチングする第二エッチング工程を行ない、
大円孔側から小円孔に貫通する開孔5を形成する。最後
に、エッチング防止層4およびレジスト膜2を剥がし、
水洗乾燥して図3(e)に示す高精細のシャドウマスク
6を得る。
Next, as shown in FIG. 3C, an etching prevention layer 4 is formed by coating so as to completely fill the recess 3a on the side of the small circular hole formed by the preceding etching. Subsequently, as shown in FIG. 3D, a second etching step of etching the shadow mask material 1 only from the large circular hole side is performed,
An opening 5 is formed so as to penetrate from the large circular hole side to the small circular hole. Finally, the etching prevention layer 4 and the resist film 2 are peeled off,
It is washed with water and dried to obtain the high-definition shadow mask 6 shown in FIG.

【0005】この工程では、フォトエッチング法では避
けることのできないサイドエッチング現象を小円孔側で
抑えている、ということができる。すなわち、小円孔側
の凹部にエッチング防止層を充填し、第二エッチング工
程では小円孔はサイドエッチングされないことにより、
第一エッチング工程における精確な小円孔パターンを維
持できる。したがって、例えば材料金属板の厚さより小
さい孔径の開孔も可能としている。
In this process, it can be said that the side etching phenomenon, which cannot be avoided by the photoetching method, is suppressed on the small circular hole side. That is, by filling the etching prevention layer in the concave portion on the side of the small circular hole, the small circular hole is not side-etched in the second etching step,
An accurate small hole pattern in the first etching step can be maintained. Therefore, for example, it is possible to open a hole having a hole diameter smaller than the thickness of the material metal plate.

【0006】通常、製造されたシャドウマスクにおける
開孔5の貫通部の開孔寸法は、顕微鏡等を用い人手によ
り測定される。しかし、人手による開孔寸法の検査は以
下の問題点を持っている。
[0006] Usually, the aperture size of the penetrating portion of the aperture 5 in the manufactured shadow mask is manually measured by using a microscope or the like. However, the manual inspection of the aperture size has the following problems.

【0007】すなわち、顕微鏡のレンズ上に設けられた
スケールを用いて測定者が寸法の読み取りをするため、
測定者により読み取り誤差が生じ、測定精度が悪いとい
う問題である。これは、スケールが例えば10μmまで
しか目盛られていない場合、1μm単位の測定は各測定
者が目分量で読み取るため、個人差により測定値が異な
り、測定精度が悪いという理由による。また、手作業の
ため検査に時間が掛かり作業効率が悪く、かつ熟練を要
するため、検査者を容易に増員出来ないという問題も上
げられる。このため、検査後にエッチング工程における
エッチング条件を調整し開孔径を変更しようとしても、
測定精度にバラツキがあるため正しい調整条件を得るこ
とが難しく開孔寸法にバラツキが生じ、かつ、条件設定
までの時間的ロスも生じる。
That is, since the measurer uses the scale provided on the lens of the microscope to read the dimensions,
There is a problem that the measurement accuracy is poor due to a reading error caused by the measurer. This is because when the scale is calibrated only up to, for example, 10 μm, each measurer reads the measurement in increments of 1 μm, and therefore the measured values differ due to individual differences and the measurement accuracy is poor. Further, since the inspection is time consuming due to manual work, work efficiency is poor, and skill is required, there is a problem that the number of inspectors cannot be easily increased. Therefore, even if you try to change the opening diameter by adjusting the etching conditions in the etching process after inspection,
Since there are variations in measurement accuracy, it is difficult to obtain correct adjustment conditions, and variations occur in the aperture size, and there is a time loss until the conditions are set.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、高精細シャ
ドウマスクの製造方法において、上記したような問題点
を有しない高精細シャドウマスクの製造方法を提供する
ものである。
DISCLOSURE OF THE INVENTION The present invention provides a method for producing a high-definition shadow mask which does not have the above-mentioned problems.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、両
面に所定パターンに従って一部金属面を露出させている
レジスト膜が形成されている板状のシャドウマスク金属
材料の少なくとも一方の面をエッチングして、少なくと
もこの一方の面の金属露出部分に凹部を形成する第一エ
ッチング工程と、前記第一エッチング工程にて形成され
た凹部を有する一方の面にエッチング防止層を塗布し
て、この凹部内部にエッチング防止層を充填する工程
と、前記エッチング防止層の設けられた面とは反対の面
をエッチングして、この反対の面から前記一方の面に形
成された凹部に通じる円形の凹孔を形成する第二エッチ
ング工程と、前記エッチング防止層とレジスト膜を除去
する剥膜工程とを少なくとも有する高精細のシャドウマ
スクの製造において、剥膜工程後のシャドウマスク材の
一方の面より凹孔部に光を照射し、該シャドウマスク材
のもう一方の面の相対する位置に受光装置を設け、該凹
孔部を透過した透過光の光透過率を測定し、単位面積当
たりにおける開孔部の面積の割合が光透過率と比例関係
にあることを基にして該凹孔の開孔径を求め、しかるの
ち、エッチング工程のエッチング条件の調整を行うこと
を特徴とするシャドウマスクの製造方法を提供すること
により上記の課題を解決したものである。
That is, according to the present invention, at least one surface of a plate-shaped shadow mask metal material having a resist film on which both surfaces are partially exposed according to a predetermined pattern is etched. Then, a first etching step of forming a concave portion on at least this one surface of the metal exposed portion, and an etching prevention layer is applied to one surface having the concave portion formed in the first etching step, and the concave portion is formed. A step of filling the inside with an etching prevention layer, and etching a surface opposite to the surface on which the etching prevention layer is provided, and a circular concave hole leading from this opposite surface to a concave portion formed on the one surface. In the production of a high-definition shadow mask having at least a second etching step for forming and a film peeling step for removing the etching prevention layer and the resist film, After the film process, the concave hole portion is irradiated with light from one surface of the shadow mask material, and a light receiving device is provided at a position opposite to the other surface of the shadow mask material. The light transmittance is measured, and the opening diameter of the recessed hole is determined based on the fact that the ratio of the area of the opening per unit area is proportional to the light transmittance. The above problem is solved by providing a method for manufacturing a shadow mask, which is characterized in that adjustment is performed.

【0010】また、本発明に用いる照射光として、赤外
線、紫外線、もしくは高周波蛍光灯等のシャドウマスク
材に対し非透過の性質を持つ光源が望ましい。
As the irradiation light used in the present invention, it is desirable to use a light source having a property of not transmitting to a shadow mask material such as infrared rays, ultraviolet rays, or high frequency fluorescent lamps.

【0011】次いで、照射光は光透過率を正確に測定す
るため平行光であることが望ましく、また、シャドウマ
スク材への光照射は大孔小孔どちらの面から行っても構
わない。
Next, the irradiation light is preferably parallel light in order to accurately measure the light transmittance, and the light irradiation to the shadow mask material may be performed from either the large hole or the small hole surface.

【0012】以下に、図面に基づいて、本発明を詳述す
る。図1は本発明の実施例の要部を図示したものであ
り、前述した(従来の方法)の項で作成された円形の孔
を穿孔したシャドウマスク6の断面を示している。本発
明ではシャドウマスク6の片面から投光ヘッド14を用
い、一定領域の凹孔部に光照射を行う。次いで、もう一
方の反対面に受光装置15を設け、シャドウマスク6の凹
孔を透過した光を受光装置で受けることで、シャドウマ
スク6の光透過率を測定している。
The present invention will be described in detail below with reference to the drawings. FIG. 1 illustrates an essential part of an embodiment of the present invention, and shows a cross-section of a shadow mask 6 having a circular hole formed in the above-mentioned (conventional method). In the present invention, the light projecting head 14 is used from one side of the shadow mask 6 to irradiate the concave holes in a certain area with light. Next, the light receiving device 15 is provided on the other opposite surface, and the light transmitting device receives the light transmitted through the concave hole of the shadow mask 6 to measure the light transmittance of the shadow mask 6.

【0013】なお、ここで記す光透過率を以下のように
定義している。すなわち、図1において、仮にシャドウ
マスク6に開孔部が無く、投光ヘッド14から照射された
光が完全に遮光され、受光装置15に照射光が全然入らな
い場合に、光透過率を0%とする。次いで、同じ条件で
投光ヘッド14と受光装置15の間に物を置かず、照射光が
全て受光装置に入る場合を、光透過率100%とする。
次いで、図1に示すように、間に開孔5をもつシャドウ
マスク6を置き、透過した光の割合を、%で表したもの
を光透過率と定義した。なお、上記の光透過率を測定す
るための受光装置15としては、例えば、光電管等の光強
度値を電流に変えて測定できる装置等を用いることがあ
げられる。
The light transmittance described here is defined as follows. That is, in FIG. 1, if there is no aperture in the shadow mask 6 and the light emitted from the light projecting head 14 is completely shielded and no light is incident on the light receiving device 15, the light transmittance is 0. %. Next, when no object is placed between the light projecting head 14 and the light receiving device 15 under the same conditions and all the irradiation light enters the light receiving device, the light transmittance is 100%.
Next, as shown in FIG. 1, a shadow mask 6 having an opening 5 was placed, and the ratio of the transmitted light was expressed in%, which was defined as the light transmittance. As the light receiving device 15 for measuring the above-mentioned light transmittance, for example, a device that can measure the light intensity value of a photoelectric tube or the like by changing it into a current can be used.

【0014】ここで、本発明者らは、上記で測定したシ
ャドウマスク6の光透過率は、シャドウマスクに光照射
した領域の面積中に開孔が占める面積の割合いと比例す
るという事実に着目した。
Here, the present inventors pay attention to the fact that the light transmittance of the shadow mask 6 measured above is proportional to the ratio of the area occupied by the openings to the area of the region where the shadow mask is irradiated with light. did.

【0015】このことを、図面を用いさらに説明を続け
る。図2はシャドウマスク6に光照射を行った領域の一
部を拡大して示した平面説明図である。図2中の円形の
パターンはシャドウマスク6の両面を貫通した開孔5を
示し、その他の部分はシャドウマスク6であり、光照射
時に遮光部となる領域である。なお、図を見やすくする
ため、開孔5の周囲にある凹部の形状は省略している。
前述した(従来の技術)の項で使用したポジパターンマ
スク13は作成時に各々の円形パターン間の垂直ピッチV
および水平ピッチHが決められている。この、ポジパタ
ーンを用いて製造された開孔も同様に隣接する開孔と垂
直ピッチVおよび水平ピッチHの関係をもっている。こ
れにより、個々の開孔は、図2中の斜線に示した、それ
ぞれ長さV、巾(H/2)の長方形状の領域(以下、セ
ルと記す)に含まれることになる。
This will be further described with reference to the drawings. FIG. 2 is an enlarged plan view showing a part of a region where the shadow mask 6 is irradiated with light. The circular pattern in FIG. 2 shows the openings 5 penetrating both sides of the shadow mask 6, and the other portion is the shadow mask 6, which is a region that becomes a light-shielding portion during light irradiation. Note that the shape of the concave portion around the opening 5 is omitted for easy viewing of the drawing.
The positive pattern mask 13 used in the above-mentioned (Prior art) has the vertical pitch V between each circular pattern when it is formed.
And a horizontal pitch H is determined. The apertures manufactured by using this positive pattern also have the relationship of the vertical pitch V and the horizontal pitch H with the adjacent apertures. As a result, the individual openings are included in the rectangular regions (hereinafter, referred to as cells) each having the length V and the width (H / 2), which are shown by the diagonal lines in FIG.

【0016】ここで、シャドウマスク6上の光照射領域
には、このセル16が集合しているとみなせる。このた
め、光照射領域の面積中に開孔が占める面積の割合いと
は、一個のセル16中に開孔5が占める割合いと言い換え
ることができる。例えば、光透過率0%とは、セル16が
開孔をもたず光を全然透過しないことを示し、光透過率
100%とは、セル16が全て開孔であり光を全て透過す
ることを示している。
Here, it can be considered that the cells 16 are gathered in the light irradiation region on the shadow mask 6. Therefore, the ratio of the area occupied by the openings in the area of the light irradiation region can be translated into the ratio of the openings 5 occupied in one cell 16. For example, a light transmittance of 0% means that the cell 16 has no holes and does not transmit any light, and a light transmittance of 100% means that the cells 16 are all holes and all light is transmitted. Is shown.

【0017】このことより、光照射領域における凹孔部
の光透過率の測定値がT%となった場合、開孔5の開孔
径Dは以下に示す数式より求まる。
From the above, when the measured value of the light transmittance of the concave portion in the light irradiation region is T%, the opening diameter D of the opening 5 can be obtained by the following mathematical formula.

【0018】すなわち、開孔の面積Aは(数1)とな
る。
That is, the area A of the opening is (Equation 1).

【0019】[0019]

【数1】 [Equation 1]

【0020】次いで、セル16の面積Bは(数2)とな
る。
Next, the area B of the cell 16 becomes (Equation 2).

【0021】[0021]

【数2】 [Equation 2]

【0022】次いで、前述したように、光透過率Tはセ
ル16の面積中に開孔5が占める面積の割合いと比例する
という事実より、(数3)が成り立つ。
Next, as described above, the equation (3) holds from the fact that the light transmittance T is proportional to the ratio of the area occupied by the openings 5 in the area of the cell 16.

【0023】[0023]

【数3】 (Equation 3)

【0024】よって、(数1)、(数2)および(数
3)により、開孔径Dは(数4)より求まる。
Therefore, the aperture diameter D is obtained from (Equation 4) from (Equation 1), (Equation 2) and (Equation 3).

【0025】[0025]

【数4】 [Equation 4]

【0026】なお、光照射領域の縁部では、幾つかのセ
ル16が光照射領域にかかり完全に光照射領域内に含まれ
ないため、上式で求めた開孔径Dに多少の測定誤差を生
じることがある。このため、この誤差を平均化し極力少
なくするためには光照射領域内になるべく多くのセル16
が含まれる、すなわち光照射領域はある程度大きいほう
が好ましいといえる。しかし、シャドウマスクは中心部
と周辺部ではパターンのピッチおよび開孔径が異なる場
合もあり、あまり照射光領域を大きくするとかえって測
定誤差が大きくなることも考えられる。このため、シャ
ドウマスクのパターンピッチおよびパターンの大きさ等
の仕様を考慮し、適宜、光照射領域の設定を行うことが
望ましい。ちなみに、後述した実施例では、光照射領域
を実際に変えて測定を行い、測定誤差が少なく実用上十
分に本発明を実行しうる値として、経験的に光照射領域
を直径20mmの円とした。
At the edge of the light irradiation area, some cells 16 are included in the light irradiation area and are not completely included in the light irradiation area. Therefore, a slight measurement error may occur in the aperture diameter D obtained by the above equation. May occur. Therefore, in order to average this error and reduce it as much as possible, as many cells 16 as possible should be placed in the light irradiation area.
That is, it is preferable that the light irradiation region is large to some extent. However, in the shadow mask, the pattern pitch and the aperture diameter may be different between the central portion and the peripheral portion, and it is conceivable that if the irradiation light region is made too large, the measurement error will rather increase. Therefore, it is desirable to appropriately set the light irradiation region in consideration of the specifications such as the pattern pitch of the shadow mask and the size of the pattern. By the way, in the examples described below, the light irradiation area was actually changed to perform measurement, and the light irradiation area was empirically set to a circle having a diameter of 20 mm, as a value with which the measurement error is small and the present invention can be sufficiently implemented practically. .

【0027】次いで、上記の方法で測定した開孔5の開
孔径Dが目標とする値と異なる場合、以下に記すような
エッチング条件の調整を行う。例えば、開孔径Dが目標
値より小さい場合には、シャドウマスク材のエッチング
量を増加すべく、例えば、エッチング手段がスプレー法
である場合にはスプレー圧を強くする方法があげられ、
また、エッチング時間を長くするという方法等もあげら
れる。また、逆に開孔径Dが目標値より大きい場合、上
記とは反対にエッチング量を減少すべく、例えば、エッ
チング手段がスプレー法である場合にはスプレー圧を弱
くするか、または、エッチング時間を短くするという方
法等があげられる。
Next, when the aperture diameter D of the aperture 5 measured by the above method is different from the target value, the following etching conditions are adjusted. For example, when the aperture diameter D is smaller than the target value, in order to increase the etching amount of the shadow mask material, for example, when the etching means is a spray method, there is a method of increasing the spray pressure,
Also, a method of lengthening the etching time may be used. On the contrary, when the opening diameter D is larger than the target value, in order to decrease the etching amount contrary to the above, for example, when the etching means is the spray method, the spray pressure is weakened or the etching time is reduced. One method is to shorten it.

【0028】[0028]

【作用】本発明では、エッチング工程によりシャドウマ
スクに対し開けられた開孔の開孔径の正確な測定が、光
透過率の測定をもとに短時間で可能となることにより、
エッチング工程におけるエッチング条件の調整のための
設定が効率よく行えるようになる。これにより、従来の
製造方法、すなわち、人手により開孔の開孔径の測定を
行い、しかるのちエッチング工程のエッチング条件の調
整を行うという方法で生じていた、測定精度のバラツキ
により正しい調整条件が得られず開孔寸法にバラツキが
発生すること、および、調整条件設定までの時間的なロ
スを防止できる。
According to the present invention, the accurate measurement of the aperture diameter of the aperture opened in the shadow mask by the etching process can be performed in a short time based on the measurement of the light transmittance.
The setting for adjusting the etching conditions in the etching process can be efficiently performed. As a result, the conventional manufacturing method, that is, the method of manually measuring the opening diameter of the opening and then adjusting the etching conditions of the etching step, the correct adjustment conditions can be obtained due to the variation in the measurement accuracy. Therefore, it is possible to prevent variation in the aperture size due to failure of the opening and time loss until the adjustment condition is set.

【0029】[0029]

【実施例】以下に、図1を用い実施例を説明する。シャ
ドウマスク材1は、巻取りロールから供給された長尺物
の金属板であって、板厚0.13mmの低膨張性のアンバー材
を用いた。すでに(従来の技術)の項で説明したような
工程を行ない、小孔レジスト膜2aと大孔レジスト膜2bを
表裏に有するシャドウマスク材1を得た。
EXAMPLE An example will be described below with reference to FIG. The shadow mask material 1 was a long metal plate supplied from a winding roll, and was a low expansion amber material having a plate thickness of 0.13 mm. The shadow mask material 1 having the small-hole resist film 2a and the large-hole resist film 2b on the front and back sides was obtained by performing the steps already described in (Prior Art).

【0030】次いで、図1の第一エッチングチャンバー
7に、シャドウマスク材1を通し、上下に設置されたス
プレーノズル8からスプレー圧2.0kg/cm2 にてボーメ濃
度40の塩化第二鉄をエッチング液としてスプレーし、シ
ャドウマスク材1の表裏に一定のエッチングを行い、図
4(b)に示すような凹部3a、3bを形成した。
Then, the shadow mask material 1 is passed through the first etching chamber 7 shown in FIG. 1, and ferric chloride having a Baume concentration of 40 is etched from the spray nozzles 8 installed above and below at a spray pressure of 2.0 kg / cm 2 . As a liquid, it was sprayed and the front and back of the shadow mask material 1 were subjected to a certain etching to form recesses 3a and 3b as shown in FIG. 4 (b).

【0031】次いで、第一エッチングチャンバー7を通
過したシャドウマスク材1に対し、例えば、ロールコー
ター9を用い、図4(c)に示すようにエッチング防止
層4を小孔面に塗布した。
Next, with respect to the shadow mask material 1 which has passed through the first etching chamber 7, for example, a roll coater 9 was used to apply an etching prevention layer 4 to the small hole surface as shown in FIG. 4 (c).

【0032】エッチング防止層4の塗布が終了したシャ
ドウマスク材1を、さらに上の乾燥・硬化のエリア10を
経て、第二エッチングチャンバー11に通した。第二エッ
チングチャンバー11におけるスプレーノズルは大孔側す
なわち下方からエッチング液の噴き付けを、スプレー圧
2.0kg/cm2 にてボーメ濃度40の塩化第二鉄をエッチング
液としてスプレーし行った。こうして凹部に大孔側から
小孔に通じる貫通孔を開け、図4(d)に示す状態とし
た。
The shadow mask material 1 on which the etching prevention layer 4 had been applied was passed through the second drying / curing area 10 and passed through the second etching chamber 11. The spray nozzle in the second etching chamber 11 sprays the etching liquid from the large hole side, that is, from the lower side.
Ferric chloride with a Baume concentration of 40 was sprayed as an etching solution at 2.0 kg / cm 2 . In this way, a through hole communicating from the large hole side to the small hole was opened in the concave portion to obtain the state shown in FIG. 4 (d).

【0033】次いで、剥膜チャンバー12に通し剥膜を終
えたシャドウマスク6に対し、本発明によりシャドウマ
スク6の中心部および四隅について貫通孔の開孔径を測
定した。
Next, with respect to the shadow mask 6 which has passed through the film stripping chamber 12 and has been stripped, the diameters of the through holes were measured at the center and four corners of the shadow mask 6 according to the present invention.

【0034】すなわち、投光ヘッド14として10W16Vのハ
ロゲンランプを用い、直径20mmの円状の平行光を小孔側
より照射した。次いで、凹孔部の開孔を透過した光を、
大孔側の相対する位置に設けた受光装置15としてシリコ
ンホトセル(浜松ホトニクス社製商品名「S1336-8BQ
」)で受け、開孔の開孔径を得た。
That is, a 10 W 16 V halogen lamp was used as the projection head 14, and circular parallel light with a diameter of 20 mm was irradiated from the small hole side. Then, the light transmitted through the opening of the recessed hole,
A silicon photocell (trade name "S1336-8BQ" manufactured by Hamamatsu Photonics KK is used as a light receiving device 15 provided at a position opposite to the large hole side.
") To obtain the aperture diameter of the aperture.

【0035】次いで、得られたシャドウマスク6に開け
られた開孔の開孔径が目標とする値と比較し小さかった
ため、開孔の開孔径を大きくすべく、第二エッチングチ
ャンバー11におけるエッチング液のスプレー圧を0.5kg/
cm2 強くする調節を行った。これにより、その後続けて
製造されたシャドウマスク6の開孔の開孔径は適正なも
のが得られた。
Next, since the opening diameter of the opening opened in the obtained shadow mask 6 was smaller than the target value, the etching solution in the second etching chamber 11 was changed in order to increase the opening diameter of the opening. Spray pressure 0.5kg /
Adjustment was made to strengthen the cm 2 . As a result, an appropriate aperture diameter was obtained for the apertures of the shadow mask 6 manufactured subsequently.

【0036】[0036]

【発明の効果】以上のように、本発明のシャドウマスク
の製造方法よれば、エッチング工程によりシャドウマス
ク材に対し開けられた貫通孔の開孔径の正確な測定が、
光透過率をもとに短時間で可能となることにより、エッ
チング工程におけるエッチング条件の調整のための設定
が効率よく行えるようになる。これにより、従来の製造
方法、すなわち、人手により貫通孔の開孔径の測定を行
い、しかるのちエッチング工程のエッチング条件の調整
を行うという方法で生じていた、測定精度のバラツキに
より正しい調整条件が得られず開孔寸法にバラツキが発
生すること、および、調整条件設定までの時間的なロス
を防止できる等、本発明は高精細のシャドウマスクを得
る上で実用上すぐれた効果がある。
As described above, according to the method for manufacturing a shadow mask of the present invention, it is possible to accurately measure the opening diameter of the through hole opened in the shadow mask material by the etching process.
Since it becomes possible in a short time based on the light transmittance, the setting for adjusting the etching conditions in the etching process can be efficiently performed. As a result, the conventional manufacturing method, that is, the method of manually measuring the opening diameter of the through hole and then adjusting the etching conditions in the etching step, the correct adjustment conditions are obtained due to the variation in measurement accuracy. The present invention has a practically excellent effect in obtaining a high-definition shadow mask, such that variation in the aperture size occurs without being prevented, and a time loss until setting adjustment conditions can be prevented.

【0037】[0037]

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明のシャドウマスクの製造方法の一実施例
の要部を示す断面図。
FIG. 1 is a sectional view showing an essential part of an embodiment of a method for manufacturing a shadow mask of the present invention.

【図2】本発明によるシャドウマスクの開孔径算出の一
実施例を示す平面図。
FIG. 2 is a plan view showing an example of calculating an aperture diameter of a shadow mask according to the present invention.

【図3】シャドウマスクの製造方法の一例を工程順に示
す説明図。
FIG. 3 is an explanatory view showing an example of a method of manufacturing a shadow mask in the order of steps.

【図4】本発明のシャドウマスクの製造方法の一実施例
を示す説明図。
FIG. 4 is an explanatory view showing an embodiment of a method for manufacturing a shadow mask of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 シャドウマスク材 2 レジスト膜 3 凹部 4 エッチング防止層 5 開孔 6 シャドウマスク 7 第一エッチングチャンバー 8 ノズル 9 ロールコーター 10 乾燥・硬化のエリア 11 第二エッチングチャンバー 12 剥膜チャンバー 13 パターンマスク 14 投光ヘッド 15 受光装置 16 セル 1 Shadow Mask Material 2 Resist Film 3 Recess 4 Etching Prevention Layer 5 Opening Hole 6 Shadow Mask 7 First Etching Chamber 8 Nozzle 9 Roll Coater 10 Drying / Curing Area 11 Second Etching Chamber 12 Stripping Chamber 13 Pattern Mask 14 Light Projection Head 15 Light receiving device 16 cells

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】両面に所定パターンに従って一部金属面を
露出させているレジスト膜が形成されている板状のシャ
ドウマスク金属材料の少なくとも一方の面をエッチング
して、少なくともこの一方の面の金属露出部分に凹部を
形成する第一エッチング工程と、前記第一エッチング工
程にて形成された凹部を有する一方の面にエッチング防
止層を塗布して、この凹部内部にエッチング防止層を充
填する工程と、前記エッチング防止層の設けられた面と
は反対の面をエッチングして、この反対の面から前記一
方の面に形成された凹部に通じる円形の凹孔を形成する
第二エッチング工程と、前記エッチング防止層とレジス
ト膜を除去する剥膜工程とを少なくとも有する高精細の
シャドウマスクの製造において、剥膜工程後のシャドウ
マスク材の一方の面より凹孔部に光を照射し、該シャド
ウマスク材のもう一方の面の相対する位置に受光装置を
設け、該凹孔部を透過した透過光の光透過率を測定し、
単位面積当たりにおける開孔部の面積の割合が光透過率
と比例関係にあることを基にして該凹孔の開孔径を求
め、しかるのちエッチング工程のエッチング条件を調整
することを特徴とするシャドウマスクの製造方法。
1. A metal on at least one of the surfaces of a plate-shaped shadow mask metal material having a resist film on which a metal film is partially exposed according to a predetermined pattern is etched on at least one surface. A first etching step of forming a concave portion in the exposed portion; a step of applying an etching prevention layer on one surface having the concave portion formed in the first etching step and filling the inside of the concave portion with the etching prevention layer; A second etching step of etching a surface opposite to the surface provided with the etching prevention layer to form a circular concave hole leading from this opposite surface to a concave portion formed in the one surface; In the production of a high-definition shadow mask having at least an etching prevention layer and a film removing step of removing a resist film, one of the shadow mask materials after the film removing step is used. More light is irradiated to the concave hole portion, a light receiving device to a position corresponding to the other surface of the shadow mask material provided to measure the light transmittance of the light transmitted through the concave hole,
A shadow characterized in that the opening diameter of the concave hole is determined based on the fact that the ratio of the area of the opening per unit area is proportional to the light transmittance, and then the etching conditions of the etching step are adjusted. Mask manufacturing method.
【請求項2】照射光として赤外線、紫外線、高周波蛍光
灯を用いる請求項1記載のシャドウマスクの製造方法。
2. The method for producing a shadow mask according to claim 1, wherein infrared, ultraviolet, or high-frequency fluorescent lamp is used as the irradiation light.
【請求項3】照射光が平行光である請求項1または2記
載のシャドウマスクの製造方法。
3. The method for manufacturing a shadow mask according to claim 1, wherein the irradiation light is parallel light.
JP25683494A 1994-10-21 1994-10-21 Manufacture of shadow mask Pending JPH08124479A (en)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003508747A (en) * 1999-08-31 2003-03-04 キャンデセント・インテレクチュアル・プロパティ・サービシーズ・インコーポレイテッド Use of scattered and / or transmitted light in determining dimensional characteristics of objects such as flat panel displays
WO2024129160A3 (en) * 2022-08-08 2024-09-12 Google Llc Feed-forward device fabrication

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