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JPH08102604A - 非放射性誘電体線路及び位相制御方法 - Google Patents

非放射性誘電体線路及び位相制御方法

Info

Publication number
JPH08102604A
JPH08102604A JP6264536A JP26453694A JPH08102604A JP H08102604 A JPH08102604 A JP H08102604A JP 6264536 A JP6264536 A JP 6264536A JP 26453694 A JP26453694 A JP 26453694A JP H08102604 A JPH08102604 A JP H08102604A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
dielectric
line
strip line
electromagnetic wave
phase
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP6264536A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroyuki Ito
博之 伊藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Proterial Ltd
Original Assignee
Hitachi Ferrite Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ferrite Ltd filed Critical Hitachi Ferrite Ltd
Priority to JP6264536A priority Critical patent/JPH08102604A/ja
Publication of JPH08102604A publication Critical patent/JPH08102604A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【目的】 位相を可変出来る移相器をNRD線路にて構
成する。 【構成】 二枚の平行導体板1,2間に第一の誘電体ス
トリップ線路3が挿入され、前記2枚の平行導体板に挟
まれた構造の非放射性誘電体線路において、前記第一の
誘電体ストリップ線路の側面に第2の誘電体4が配設さ
れ、第二の誘電体の誘電率を制御し、位相量を制御する
非放射性誘電体線路。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、マイクロ波、ミリ波の
導波路などに用いられ、導電性をもつ平行平板導波路に
誘電体ストリップ線路を挿入し挟んだ構造の非放射性誘
電体線路(Nonradiative dielectric waveguide、以下
NRD線路とする)に関するものである。
【0002】
【従来の技術】最近、導電性をもつ平行平板導波路にお
いて、その板間隔が被伝搬電磁波の半波長以下の場合に
は、壁面に平行な偏波の電磁波は遮断されて伝搬出来な
いが、この平行平板間に、誘電体ストリップ線路を挿入
し挟んだ構造とする事により、この誘電体ストリップ線
路に沿っては電磁波は伝搬する事が出来、この線路から
の放射波は、平行平板導波路の電磁波の遮断効果により
完全に抑制され放射損の少ない線路が実現出来るという
NRD線路の動作原理に基づき図10、図11に示すよ
うに、導電性を持つ平行平板11、12間に誘電体スト
リップ線路13を設けた構造のNRD線路が開発されて
いる。例えば、電子情報通信学会論文誌 '90/3 Vol.J73
-C-I No.3 P.87〜94 に記載されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】マイクロ波・ミリ波を
伝送する線路としては、導波管、マイクロストリップ線
路等があり、それらの線路と結合し機能する回路部品、
又はそれらの線路にいろいろな機能を持たせる様にした
部品が各種開発され応用されている。NRD線路におい
ても、2枚の平行導体板間の面上に、低損失樹脂である
テフロン等を誘電体ストリップ線路として、自在に回路
を構成する事が可能であり、又特に高周波帯においては
実用的な小型回路構成とする事が可能である実用上の利
点が多い。このNRD線路を用いてマイクロ波、ミリ波
の集積回路を構成する場合、前述の線路と同様にいろい
ろな機能を持った部品をNRD線路と結合可能な構造の
部品とする事、又直接NRD線路にいろいろな機能を持
たせる事が必要であり、種々検討されているところであ
る。その中で、NRD線路に伝送される電磁波の位相を
可変出来る様にした移相器として機能するNRD線路は
報告されていない。本発明は、上記の事を鑑みて、位相
を可変出来る移相器をNRD線路にて構成する事を目的
とするものである。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明は、導電性をもつ
平行平板導波路に誘電体ストリップ線路を挿入し挟んだ
構造の非放射性誘電体線路において、該誘電体ストリッ
プ線路を第一の誘電体として、第一の誘電体に第二の誘
電体を接合し、あるいは第一の誘電体の一部を第二の誘
電体又は磁性体で置き換え、その第二の誘電体の誘電率
又は磁性体の透磁率を制御する事により、誘電体線路を
伝搬する電磁波の位相を制御する事が出来る様にした非
放射性誘電体線路である。
【0005】
【実施例】本発明の一実施例の断面図を図1に、一部破
砕斜視図を図2に示す。この実施例は、平行導体板1、
2に第一の誘電体ストリップ線路3が挟まれており、そ
の第一のストリップ線路3の側面に第二の誘電体4が貼
り付けられているものである。この第二の誘電体4は外
部から直流電界等により、誘電率の変化する性質を持っ
ている。この実施例において、第一の誘電体ストリップ
線路3の誘電率εを2.08とし、幅aを14mmと
し、第二の誘電体の幅dを1mmとし、二枚の平行導体
板の間隔bを13.5mmとし、周波数が10GHzの
とき、第二の誘電体の誘電率ε2が1〜145.7のと
きLSM01モードの伝送が可能であった。このときの、
第二の誘電体の誘電率ε2の変化に対する位相量の変化
及び減衰特性を図8、図9に示す。また本発明の第2実
施例の誘電体ストリップの斜視図を図3に示す。この実
施例は、第一の誘電体ストリップ線路3aの側面を窪ま
せ、そこへ第2の誘電体4aを貼り付けている。そし
て、第一の誘電体ストリップ3a及び第二の誘電体4a
の接合部分では、その前後がテーパ状となっており、イ
ンピーダンスの不連続な部分が発生し、電磁波の不要な
反射が発生することを防止している。また本発明の第3
実施例の断面図を図4に、一部破砕斜視図を図5に示
す。この実施例は、平行導体板1、2に第一の誘電体ス
トリップ線路3bが挟まれており、その第一のストリッ
プ線路3bの上面に第二の誘電体4bが貼り付けられて
いるものである。この第二の誘電体4bは外部から直流
電界等により、誘電率の変化する性質を持っている。ま
た本発明の第4実施例の誘電体ストリップの斜視図を図
6に示す。この実施例は、第一の誘電体ストリップ線路
3cの上面を窪ませ、そこへ第2の誘電体4cを貼り付
けている。そして、第一の誘電体ストリップ3c及び第
二の誘電体4cの接合部分では、その前後がテーパ状と
なっており、インピーダンスの不連続な部分が発生し、
電磁波の不要な反射が発生することを防止している。ま
た本発明の第5実施例の誘電体ストリップの斜視図を図
7に示す。この実施例は、第一の誘電体ストリップ線路
3dの上面及び下面を窪ませ、そこへ第2の誘電体4
c、4dを貼り付けている。そして、第一の誘電体スト
リップ3cと第二の誘電体4c、4dの接合部分では、
その前後がテーパ状となっており、インピーダンスの不
連続な部分が発生し、電磁波の不要な反射が発生するこ
とを防止している。上記実施例では、第2の誘電体とし
て、電界、磁界などの外部制御により誘電率が変化する
誘電体材料を用いたが、外部制御により透磁率が変化す
る磁性体を用いても同様に、位相制御が可能であった。
【0006】
【発明の効果】本発明によれば、NRD線路を伝搬する
電磁波の位相制御が、線路外部への電磁波の放射、電磁
波の入射側への反射を抑えて容易に実現する事が可能で
あり、このような移相器としての機能を有する線路は、
マイクロ波、ミリ波の他の回路構成要素と合せて集積回
路を構成する事も可能であり、より高度な機能をもつ回
路を構成出来るという利点を持っている。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る一実施例の断面図である。
【図2】本発明に係る一実施例の一部破砕斜視図であ
る。
【図3】本発明に係る第2実施例の誘電体ストリップの
斜視図である。
【図4】本発明に係る第3実施例の断面図である。
【図5】本発明に係る第3実施例の一部破砕斜視図であ
る。
【図6】本発明に係る第4実施例の誘電体ストリップの
斜視図である。
【図7】本発明に係る第5実施例の誘電体ストリップの
斜視図である。
【図8】本発明に係る一実施例の第二の誘電体の誘電率
ε2の変化に対する位相量の変化を示すグラフである。
【図9】本発明に係る一実施例の第二の誘電体の誘電率
ε2の変化に対する減衰特性の変化を示すグラフであ
る。
【図10】従来例の断面図である。
【図11】従来例の一部破砕斜視図である。
【符号の説明】
1,2 導体板 3,3a,3b,3c,3d 第一の誘電体ストリップ 4,4a,4b,4c,4d 第二の誘電体

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 2枚の平行導体板間に第一の誘電体スト
    リップ線路が挿入され、前記2枚の平行導体板に挟まれ
    た構造の非放射性誘電体線路において、前記第一の誘電
    体ストリップ線路に第2の誘電体が接合されていること
    を特徴とする非放射性誘電体線路。
  2. 【請求項2】 2枚の平行導体板間に第一の誘電体スト
    リップ線路が挿入され、前記2枚の平行導体板に挟まれ
    た構造の非放射性誘電体線路において、前記第一の誘電
    体ストリップ線路に第2の誘電体を接合し、該第2の誘
    電体の誘電率を制御し、位相量を制御することを特徴と
    する非放射性誘電体線路の位相制御方法。
  3. 【請求項3】 平行平板導波路に誘電体ストリップ線路
    を挿入し挟んだ構造の非放射性誘電体線路において、該
    誘電体ストリップ線路を第一の誘電体として、第一の誘
    電体の一部を第二の誘電体又は磁性体で置き換え、その
    第二の誘電体の誘電率又は磁性体の透磁率を制御する事
    により、誘電体線路を伝搬する電磁波の位相を制御する
    事が出来る様にした事を特徴とする非放射性誘電体線
    路。
JP6264536A 1994-10-03 1994-10-03 非放射性誘電体線路及び位相制御方法 Pending JPH08102604A (ja)

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