JPH0786619B2

JPH0786619B2 - アクティブマトリクス表示装置

Info

Publication number: JPH0786619B2
Application number: JP10651689A
Authority: JP
Inventors: 秀則音琴; 博章加藤; 幹雄片山; 明彦今矢; 孝好永安; 謙金森
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1989-04-26
Filing date: 1989-04-26
Publication date: 1995-09-20
Anticipated expiration: 2010-09-20
Also published as: JPH02284120A

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は液晶等と組み合わせてマトリクス表示装置を構
成するための、薄膜トランジスタ（以下では「TFT」と
称する）等のスイッチング素子と電荷保持のための付加
容量用電極とが設けられたアクティブマトリクス基板を
用いたアクティブマトリクス表示装置に関する。

（従来の技術）マトリクス表示装置に於いては、マトリクス状に配列さ
れた表示絵素を選択することによって、画面上に表示パ
ターンが形成される。表示絵素の選択方式として、個々
の絵素にスイッチング素子を接続し、スイッチング素子
を介して絵素電極を駆動するアクティブマトリクス方式
が知られている。アクティブマトリクス駆動方式は高コ
ントラストの表示が可能なので、液晶テレビジョン、ワ
ードプロセッサ、コンピュータの表示装置等に実用化さ
れている。

第６図に従来のアクティブマトリクス基板の一例を示
す。マトリクス状に配列された絵素電極42には、アドレ
ススイッチング素子としてTFT3がそれぞれ設けられてい
る。各絵素電極42の間にはTFT3を駆動するためのゲート
バスライン４及びソースバスライン５が互いに交差する
ように配設され、絵素電極42の下方にはゲートバスライ
ン４に平行して付加容量用電極15が配設されている。

第７図は第６図のVII−VII線に沿ったTFT3近傍の断面図
である。ガラス基板６上にゲートバスライン４から分岐
したゲート電極７が形成されている。ゲート電極７の上
に絶縁膜（陽極酸化膜）８が形成され、さらに、ゲート
絶縁膜９が基板６の全面に亙って形成されている。ゲー
ト電極７の上方には、絶縁膜８及び９を介して半導体膜
10が形成されている。半導体膜10上には、ソースバスラ
イン５に接続された第１のソース電極11及び第２のソー
ス電極12と、絵素電極42に電荷を供給するための第１の
ドレイン電極13及び第２のドレイン電極14とがそれぞれ
順に堆積されている。絵素電極42はゲート絶縁膜９上に
形成されている。

付加容量用電極15はゲートバスライン４及びゲート電極
７と同時にガラス基板６上に設けられ、絶縁膜８、９を
介して絵素電極42の端部の下方に位置し、絵素電極42と
の間で付加容量を構成する。この付加容量は走査パルス
が印加されると電荷を蓄積し、走査パルスが消滅した後
次の走査パルスが印加されるまでの１フレームの期間、
蓄積された電荷を引き続いて液晶に印加するために設け
られる。

このようなアクティブマトリクス基板を製造するには、
多くの薄膜形成及びエッチング等の極めて複雑な工程を
経なければならない。また、スイッチング素子としての
TFT及び付加容量用電極は、10万〜50万以上にも及ぶ膨
大な数の絵素電極のすべてに備えられるものであり、そ
の一つ一つの電気的な特性を確保するためには、精密な
工程管理が要求される。

（発明が解決しようとする課題）このため、充分に製造工程を管理を行っても、スイッチ
ング素子の不良、付加容量用電極と絵素電極との間のリ
ーク等により絵素欠陥が発生する場合がある。このよう
な絵素欠陥は画像品位を低下させるので、品質検査の段
階でチェックが行われる。絵素電極と付加容量用電極と
の間にリークによる絵素欠陥、以下に述べるように修正
することが可能であるが、スイッチング素子の不良によ
る絵素欠陥の修正は不可能である。

絵素電極と付加容量用電極との間にリークによる絵素欠
陥の修正は、リークの発生した絵素電極の付加容量用電
極上の部分を切断することによって行われる。絵素電極
の切断はレーザCVD、レーザトリマ、超音波カッタ等に
よって行われる。しかし、切断する距離は絵素電極の一
辺の長さに及ぶため、完全に切断することが難しいう
え、長時間を要する。また、このように付加容量用電極
上の絵素電極が切断されている場合、該絵素電極により
構成される絵素では他の絵素に比べ電荷の保持率が低下
し、表示むらの原因となる。このような表示むらの発生
は、画像品位を低下させるので好ましくない。

上述のような絵素欠陥の発生箇所を特定するには、表示
装置を組み立てて実際に表示した状態で行う方法が、簡
単で正確なので適している。表示装置を作動させた状態
で、これらの欠陥は拡大鏡等を用いて容易に視認され
る。これに比べ、アクティブマトリクス基板の状態で絵
素欠陥発生箇所を特定するには、多数のスイッチング素
子及び絵素電極の全ての動作特性を個々に検査する必要
があるので簡単ではない。このような検査を行うには、
極めて高精度の測定機器を使用して、複雑な検査工程を
経なければならない。一方、前述のレーザ光を用いた絵
素欠陥の修正作業はアクティブマトリクス基板の状態で
行われ、表示装置を組み立てた状態では行うことはでき
ない。もし表示装置を組み立てた状態での修正作業を行
えば、レーザ光によって蒸発或いは溶融した金属の一部
が、表示媒体である液晶に混入し、表示媒体の光学特性
が著しく劣化する。そのため、実際には絵素電極の修正
は、アクティブマトリクス基板の状態で行われている。

本発明はこのような問題点に鑑みて為されたものであ
り、本発明の目的は、絵素電極と付加容量用電極との間
の絶縁不良等による絵素欠陥が発生した場合に、容易に
しかも短時間で絵素欠陥を修正でき、しかも表示むらを
生じないアクティブマトリクス表示装置を提供すること
である。本発明の他の目的は、スイッチング素子不良に
よる絵素欠陥が発生した場合にも、該欠陥を容易に修正
できるアクティブマトリクス表示装置を提供することで
ある。本発明の更に他の目的は、表示装置のままで、上
記の絵素欠陥の修正を行うことができるアクティブマト
リクス装置を提供することである。

（課題を解決するための手段）本発明のアクティブマトリクス表示装置は、透光性基板
と該透光性基板に対向して配設される対向基板との間に
挿入され印加電圧に応答して光学特性が変調される表示
媒体を設け、該透光性基板に、マトリクス状に配列され
複数の電極部に分割された絵素電極と、該絵素電極の下
方に設けられた付加容量用電極と、該電極部のそれぞれ
に近接し、互いに電気的に接続された並行する複数の信
号配線とを設けたアクティブマトリクス表示装置であっ
て、該電極部のそれぞれの下方には該付加容量用電極が
位置し、該電極部のそれぞれが該付加容量用電極に対向
している付加容量領域と非付加容量領域とに分割され、
該付加容量領域と該非付加容量領域との間を電気的に接
続する導通部と、該非付加容量領域のそれぞれに設けら
れ、近接する該信号配線に接続されたスイッチング素子
と、互いに隣接する該非付加容量領域間を橋絡し、該非
付加容量領域のそれぞれの一部と絶縁膜を介して非導通
状態で重畳された導通膜と、を備え、該表示媒体側の該
導通部と該導電膜との上方に絵素欠陥修正用の保護膜が
形成されており、そのことによっても上記目的が達成さ
れる。

（作用）本発明のアクティブマトリクス表示装置では、絵素電極
は複数の電極部に分割されている。何れかの電極部の付
加容量領域と付加容量用電極との間に絶縁不良が生じた
場合には、該付加容量領域と非付加容量領域との間の導
通部をレーザCVD、レーザトリマ、超音波カッタ等で切
断することにより、これらの領域の間を切り離すことが
できる。そして、非付加容量領域と、該領域に隣接する
電極部の非付加容量領域とを、導電膜を介して接続す
る。この接続は、それぞれの非付加容量領域と導電膜と
の重畳部にレーザ光等の光エネルギーを照射することに
よって行われる。光エネルギー照射によって、それぞれ
の非付加容量領域と導電膜との間の絶縁膜が破壊され、
隣接するこれらの非付加容量領域は電気的に接続され
る。付加容量領域を切り離した電極部は非付加容量領域
のみで作動するが、該非付加容量領域が接続された隣の
電極部には、付加容量領域が存在するので、これにより
付加容量が形成され、表示むらとなることもない。

各電極部に接続されたスイッチング素子の何れかが不良
となり、絵素欠陥が生じた場合には、該不良スイッチン
グ素子が接続されている電極部の非付加容量領域と、該
電極部に隣接する正常な電極部の非付加容量領域とを、
導電膜を介して接続する。この接続は、上述と同様にし
て、レーザ光などの光エネルギーを照射することによっ
て行われる。更に、必要な場合には、該不良スイッチン
グ素子を絵素電極から切り離すこともできる。

本発明のアクティブマトリクス表示装置は、少なくとも
一方が透明である一対の対向する基板を有している。該
一対の基板のうちの何れか一方を上記構成を有するアク
ティブマトリクス基板とし、更にその導通部及び導電膜
の上方に絵素欠陥修正用の保護膜を形成し、対向する基
板との間に表示媒体を封入した構成となっている。この
ような構成により、表示装置を作動させた状態で絵素欠
陥の発生箇所を特定した後、表示装置の外部からレーザ
光等を用いた絵素欠陥の修正を行うことが可能となる。
修正の際にレーザ光を導通部或いは導電膜に照射して
も、絵素欠陥修正用の保護膜によって導通部或いは導電
膜を構成する物質が、表示媒体中に混入することはな
い。即ち、導通部の切断或いは導電膜と電極部との接続
は、表示媒体から離隔された絵素欠陥修正用の保護膜と
基板との間で行われるので、画像品位を低下させること
なく絵素欠陥を修正することができる。

また、絵素電極などが形成された透光性基板側からレー
ザ修正するため、絵素欠陥修正用の保護膜のレーザによ
る損傷は抑えられることになる。

（実施例）本発明を実施例について以下に説明する。第１図に本発
明のアクティブマトリクス基板の一実施例を示す。本実
施例のアクティブマトリクス基板１に於いては、絵素電
極23は２つの電極部23a及び23bに分割されている。後述
するように各電極部23a及び23bは、それぞれ更に付加容
量領域25aと非付加容量領域24a、及び付加容量領域25b
と非付加容量領域24bに分割されている。電極部23a及び
23bの隅部にはTFT3a及び3bがそれぞれドレイン電極14a
及び14bによって接続されている。TFT3a及び3bの構成は
第７図に示すものと同様である。TTF3a及び3bのゲート
電極7a、7bは、走査信号を供給するゲートバスライン４
にそれぞれ接続されている。TFT3a及び3bのソース電極1
2a及び12bは、データ信号を供給するソースバスライン
５にそれぞれ接続されている。

本実施例ではソースバスライン５は、２つのソース配線
5a、5b及び支線5cから成る。ソース配線5aは２つの電極
部23aと23bとの間に配設され、ソース配線5bは、電極部
23bと隣接する絵素電極の電極部23aとの間に配設されて
いる。支点5cは２つのソース配線5aと5bとの間を電気的
に接続している。電極部23bは２つのソース配線5a、5b
及び２つの支線5c、5cに囲まれた矩形の領域に位置して
いる。ソース電極12a及び12bは、それぞれソース配線5a
及び5bに接続されている。このような構成により、TFT3
a及び3bは、同一の走査信号及び同一のデータ信号によ
って駆動される。従って、電極部23a及び23bは同時に駆
動され、１つの絵素電極として機能する。

電極部23a及び23bの、TFT3a及び3bからそれぞれ最も遠
い辺に沿った部分の下方に、付加容量用電極15がゲート
バスライン４に平行して設けられている。前述の従来例
と同様に、付加容量用電極15はゲートバスライン４の形
成と同時に形成される。本実施例に於いては電極部23a
は、付加容量用電極15の直上に位置する付加容量領域25
aと、該付加容量領域25a以外の非付加容量領域24aとに
分割されている。同様に、電極部23bは、付加容量領域2
5bと非付加容量領域24bとに分割されている。付加容量
領域25aと非付加容量領域24aとの間、及び付加容量領域
25bと非付加容量領域24bとの間には、それぞれ導通部27
a及び27bが設けられている。

第１図のII−II線に沿った、導通部27a付近の断面構成
を第２図に示す。導通部27bの断面構成も第２図に示す
ものと同様である。ガラス基板６上に付加容量用電極15
が形成され、該付加容量用電極15の表面には陽極酸化に
よって絶縁膜８が形成されている。更に、基板全面に亙
ってゲート絶縁膜９が堆積されている。絶縁膜９上には
導電性の材料から成る導通部27aが形成されている。導
通部27aの一方の端部は付加容量用電極15の一部と重畳
するように設けられる。更に、該端部の上には付加容量
領域25aを構成する絵素電極部分が重畳されている。導
通部27aの他方の端部の上には、非付加容量領域24aを構
成する絵素電極部分が重畳されている。導通部27aは導
電性の材料かか成るので、付加容量領域25aと非付加容
量領域24aとは電気的に接続されている。

本実施例では更に、非付加容量領域24aと非付加容量領
域24bとの間を橋絡する導電膜29が設けられる。第１図
のIII−III線に沿った導電膜29付近の断面構成を第３図
に示す。導電膜29はガラス基板６上にゲートバスライン
４及び付加容量用電極15と同時に形成される。導電膜29
の上には、基板６の全面に形成されたゲート絶縁膜９が
堆積されている。更に、導電膜29の中央の上方には、前
述のソース配線5aが形成されている。導電膜29の両端の
上方には、それぞれ非付加容量領域24a及び24bを構成す
る絵素電極部分が重畳されている。非付加容量領域24
a、24bのぞれぞれと、導電膜29との間は、ゲート絶縁膜
９によって絶縁されている。従って、電極部23a及び23b
はそれぞれ別々にTFT3a及び3bによって駆動される。

電極部23aの付加容量領域25aと付加容量用電極15との間
に絶縁不良が発生し、絵素欠陥となった場合には、付加
容量領域25aと非付加容量領域24aとの間の導通部27aを
レーザートリマ、超音波カッタ等で切断してこれらの領
域を切り離す。これにより、付加容量用電極15と対向し
ておらず、従って該電極15との間に絶縁不良の問題のな
い非付加容量領域24aによって絵素電極としての機能が
確保される。

しかし、このように付加容量領域25aが切り離された電
極部23aには、付加容量が形成されないので、他の正常
な電極部に比べ電荷の保持が不十分となり、表示むらの
原因となる場合がある。そのような場合には、導電膜29
を介して非付加容量領域24aと24bとが電気的に接続され
る。この接続は非付加容量領域24aと導電膜29との重畳
部29a、及び非付加容量領域24bと導電膜29との重畳部29
bに、レーザートリマ等を用いて光エネルギーを照射す
ることにより行われる。レーザ光照射により、ゲート絶
縁膜９が破壊され、非付加容量領域24aと導電膜29との
間、及び非付加容量領域24bと導電膜29との間が電気的
に接続される。

以上のように修正を行った絵素では、２つの非付加容量
領域24a、24b及び付加容量領域25bによって絵素電極と
しての機能が確保される。そして、付加容量領域25bと
付加容量用電極15との間には付加容量が形成されている
ので、表示むらが生じることもない。

電極部23bの付加容量領域25bと付加容量用電極15との間
に絶縁不良が発生し、絵素欠陥となった場合にも、上述
と同様にして絵素欠陥を修正することができる。この場
合には、２つの非付加容量領域24a、24b及び付加容量領
域25aによって絵素電極としての機能が確保される。

このように本実施例によれば、付加容量を付与する機能
を維持したままで、絶縁不良となった部分を容易に且つ
短時間に除去できる。

本実施例では、TFTの不良による絵素欠陥も修正するこ
とができる。TFT3aが不良の場合には電極部23aが動作不
良となる。この場合には上述と同様にして、導電膜29を
介して電極部23aと23bとが接続される。更に、必要に応
じてドレイン電極14aを切断することにより、TFT3aが切
り離される。このような修正によって、２つの電極部23
a及び23bが１つのTFT3bによって駆動され、絵素電極と
しての機能が確保される。

TFT3bが不良の場合にも同様にして修正することができ
る。この場合には、２つの電極部23a及び23bが１つのTF
T3aによって駆動され、絵素電極としての機能が確保さ
れる。

本実施例によればこのように、TFT不良による絵素欠陥
が発生した場合にも、該欠陥を容易に修正することがで
きる。

第４図に本発明のアクティブマトリクス基板２の他の実
施例を示す。本実施例に於いても絵素電極23は、２つの
電極部23a及び23bに分割され、更に、電極部23aは、非
付加容量領域24a及び付加容量領域25aに分割されてい
る。同様に電極部23bは、非付加容量領域24b及び付加容
量領域25bに分割されている。更に、付加容量領域25aは
付加容量部26a及び26bに分割されている。同様に、付加
容量領域25bは付加容量部26c及び26dに分割されてい
る。付加容量部26a及び26bと、非付加容量領域24aとの
間には、それぞれ導通部27a、27bが設けられている。同
様に、付加容量部26c及び26dと、非付加容量領域24bと
の間には、それぞれ導通部27c、27dが設けられている。
これら４つの導通部27a、27b、27c、及び27dの断面構成
は第２図に示すものと同様である。

もし電極部23aの一方の付加容量部26aと付加容量用電極
15との間に絶縁不良が発生しているならば、付加容量部
26aと非付加容領域24aとの間に導通部27aをレーザート
リマ、超音波カッタ等で切断してこれらを切り離す。こ
れにより、非付加容量領域24aと他方の付加容量部26bと
が電極部23aとして機能する。

この実施例では、非付加容量領域24aと他方の付加容量
部26bとが接続されたままとすることができるので、電
荷は保持され、表示むらが生じない。付加容量部26bが
付加容量用電極15との間に絶縁不良が発生している場合
には、導通部27bを切断して、非付加容量領域24aと付加
容量部26aとにより電極部23aが構成される。

電極部23bの付加容量部27c或いは27dと、付加容量用電
極15との間に絶縁不良が発生している場合にも、導電膜
27c或いは27dを切断することにより、上述と同様にして
該不良を修正することができる。

更に本実施例では、同時に２つの付加容量部26a、26b
が、付加容量用電極15との間で絶縁不良となり、絵素欠
陥を生じた場合にも、該絵素欠陥を修正することができ
る。この場合には、導通部27aと27bとをレーザートリマ
等により切断する。そして、前述の実施例のように導電
膜29の重畳部29a及び29bにレーザ光を照射し、非付加容
量領域24aと24bとを導電膜29を介して電気的に接続す
る。このような修正により、非付加容量領域24a、24b、
及び付加容量部26c、26dにより、絵素電極の機能が維持
される。しかも、付加容量部26c、26dと付加容量用電極
15との間で付加容量が形成されているので、電荷が保持
され表示むらが生じることもない。

同様に、同時に２つの付加容量部26c、26dが、付加容量
用電極15との間で絶縁不良となり、絵素欠陥を生じた場
合にも、該絵素欠陥を修正することができる。この場合
には、非付加容量領域24a、24b、及び付加容量部26a、2
6bにより、絵素電極の機能が維持される。

本実施例でも第１図の実施例と同様に、TFT3aの不良に
よる絵素欠陥を修正することができる。この場合には上
述と同様にして、導電膜29を介して電極部23aと23bとが
接続される。更に、必要に応じてドレイン電極14aを切
断することにより、TFT3aが切り離される。このような
修正によって、２つの電極部23aと23bとが１つのTFT3b
によって駆動され、絵素電極としての機能が確保され
る。TFT3bが不良の場合にも同様にして修正することが
できる。

第５図は第１図に示す実施例のアクティブマトリクス基
板１を用いてアクティブマトリクス表示装置を作製し、
第１図のII−II線に沿った面で切断した断面図である。
アクティブマトリクス基板１上の全面にSiN_x等からなる
保護膜43が形成され、更にその上から配向膜44が形成さ
れている。

アクティブマトリクス基板１に対向する対向基板50で
は、絶縁性基板53上にカラーフィルタ48が形成され、更
に対向電極46、及び配向膜45が形成されている。アクテ
ィブマトリクス基板１と、この対向基板50との間に、表
示媒体として液晶49が封入されてアクティブマトリクス
表示装置が構成される。

本実施例のアクティブマトリクス表示装置では、２つの
絶縁性基板６及び53のうち何れか一方を透光性の基板と
することができるので、表示装置として作動させた状態
で絵素欠陥の位置を特定した後、表示装置のままで絵素
欠陥を修正することができる。絵素欠陥が、電極部23a
の付加容量領域25aと付加容量用電極15との間の絶縁不
良等によって生じている場合には、表示装置の外部から
の透光性の基板を介してレーザ光等を第５図の矢印52で
示す位置に照射し、導通部27aを切断する。更に、導電
膜29の重畳部29a、29bにレーザ光を照射し、非付加容量
領域24aと24bとを電気的に接続する。このように外部か
らのレーザ光照射によって付加容量領域25aを非付加容
量領域24aより切り離し、外部からのレーザ光照射によ
って電極部23aと23bとを接続することにより、絵素欠陥
の修正を表示装置のままで行うことができる。しかも、
表示むらが生じることもない。

絵素欠陥がTFT3aの不良によって生じている場合にも、
表示装置の外部から該欠陥を修正することができる。こ
の場合には上述と同様にして、透光性の基板を介して導
電膜29の重畳部29aと29bとにレーザ光を照射する。レー
ザ光照射によって電極部23aと23bとが、導電膜29を介し
て接続される。更に、必要に応じてドレイン電極14aを
切断することにより、TFT3aが切り離される。このよう
な修正によって、２つの電極部23aと23bとが１つのTFT3
bによって駆動されて絵素電極として機能する。

上述の導通部の切断、或いは導電膜と電極部との接続
は、表示媒体である液晶49から離隔されたガラス基板６
と保護膜43との間で行われるので、レーザ光照射によっ
て蒸発或いは溶融した導電部や導電膜を構成する材料
が、液晶49に混入することはない。従って、表示装置の
画像品位の低下を生じることはない。このように本発明
のアクティブマトリクス表示装置に於いては、絵素欠陥
の修正を表示装置のままで行うことができる。

また、詳細な説明は省略するが、第４図のアクティブマ
トリクス基板２を用いても、本実施例と同様の絵素欠陥
の修正を行うことのできる表示装置が得られる。

以上の各実施例では３端子素子であるTFTを有するアク
ティブマトリクス基板について説明したが、本発明は例
えば、MIM等の２端子素子を有するアクティブマトリク
ス基板にも適用され得る。また、上記実施例では液晶を
用いた表示装置について説明したが、本発明は表示媒体
として薄膜発光層、分散型EL発光層、プラズマ発光体等
を用いた各種表示装置にも適用可能である。

（発明の効果）本発明のアクティブマトリクス表示装置では、絵素電極
と付加容量用電極との間の絶縁不良等による絵素欠陥が
生じた場合には、容易に且つ短時間で絵素欠陥を修正す
ることができ、しかも表示むらを生じることもない。ス
イッチング素子不良による絵素欠陥が発生した場合に
も、絵素欠陥を修正できる。

その絵素欠陥を光学的に容易に検出することができる表
示装置として完成している状態の時に絵素欠陥のレーザ
修正をすることができ、そのため、検査工程及び修正工
程が簡略化され、表示装置の量産化、コスト低減に寄与
することができる。

この絵素欠陥のレーザ修正は、導通部が絵素欠陥修正用
の保護膜によって被覆されているため、レーザ照射によ
って蒸発または溶融した導電部を構成する材料が液晶に
混入することを防止することができる。

したがって、絵素欠陥の修正を容易かつ短時間で行うこ
とができ、修正を行っても表示むらを生じない。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のアクティブマトリクス基板の一実施例
の平面図、第２図は第１図のII−II線に沿った断面図、
第３図は第１図のIII−III線に沿った断面図、第４図は
本発明のアクティブマトリクス基板の他の実施例の平面
図、第５図は第１図の基板を用いたアクテイブマトリク
ス表示装置の第１図のII−II線に沿った断面図、第６図
は従来のアクティブマトリクス基板の一例の平面図、第
７図は第６図のVII−VII線に沿った断面図である。 1,2……アクティブマトリクス基板、3a,3b……TFT、４
……ゲートバスライン、５……ソースバスライン、5a,5
b……ソース配線、5c……支線、6,53……ガラス基板、
９……ゲート絶縁膜、14a,14b……ドレイン電極、15…
…付加容量用電極、23……絵素電極、23a,23b……電極
部、24a,24b……非付加容量領域、25a,25b……付加容量
領域、26a,26b,26c,26d……付加容量部、27a,27b……導
通部、29……導電膜、29a,29b……重畳部、43……保護
膜、44,45……配向膜、46……対向電極、48……カラー
フィルタ、49……液晶、50……対向基板。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者今矢明彦大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号シャープ株式会社内 (72)発明者永安孝好大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号シャープ株式会社内 (72)発明者金森謙大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号シャープ株式会社内 (56)参考文献特開平２−79026（ＪＰ，Ａ) 特開昭59−119322（ＪＰ，Ａ) 特開昭59−101693（ＪＰ，Ａ)

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】透光性基板と該透光性基板に対向して配設
される対向基板との間に挿入され、印加電圧に応答して
光学特性が変調される表示媒体を設け、該透光性基板
に、マトリクス状に配列され複数の電極部に分割された
絵素電極と、該絵素電極の下方に設けられた付加容量用
電極と、該電極部のそれぞれに近接し、互いに電気的に
接続された並行する複数の信号配線とを設けたアクティ
ブマトリクス表示装置であって、該電極部のそれぞれの下方には該付加容量用電極が位置
し、該電極部のそれぞれが該付加容量用電極に対向して
いる付加容量領域と非付加容量領域とに分割され、該付
加容量領域と該非付加容量領域との間を電気的に接続す
る導通部と、該非付加容量領域のそれぞれに設けられ、
近接する該信号配線に接続されたスイッチング素子と、
互いに隣接する該非付加容量領域間を橋絡し、該非付加
容量領域のそれぞれの一部と絶縁膜を介して非導通状態
で重畳された導電膜と、を備え、該表示媒体側の該導通
部と該導電膜との上方に絵素欠陥修正用の保護膜が形成
されているアクティブマトリクス表示装置。