JPH073876B2 - 光起電力装置 - Google Patents
光起電力装置Info
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- JPH073876B2 JPH073876B2 JP61267212A JP26721286A JPH073876B2 JP H073876 B2 JPH073876 B2 JP H073876B2 JP 61267212 A JP61267212 A JP 61267212A JP 26721286 A JP26721286 A JP 26721286A JP H073876 B2 JPH073876 B2 JP H073876B2
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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Description
【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 本発明は複数個の単位発電素子を積層した光起電力装置
に関する。
に関する。
（ロ）従来の技術 特開昭55-125680号公報等に開示された如く、pin、pn-n
+等の半導体接合を有する単位発電素子を２重、３重或
いはそれ以上に多重に積層せしめた所謂タンデム構造の
光起電力装置は既に知られている。この様なタンデム構
造の光起電力装置は光入射側から見て前段の単位発電素
子に於いて発電に寄与することなく透過した光を、後段
の単位発電素子に於いて吸収することができトータル的
な光電変換効率を上昇せしめることができる。また各単
位発電素子の上記ｉ型層やn-型層のように光入射がある
と主として光キャリアを発生する光活性層の光学的禁止
帯幅（Egopt）を調整すれば各単位発電素子に於ける感
光ピーク波長をシフトせしめることができ、より一層の
光電変換効率の上昇が図れる。
+等の半導体接合を有する単位発電素子を２重、３重或
いはそれ以上に多重に積層せしめた所謂タンデム構造の
光起電力装置は既に知られている。この様なタンデム構
造の光起電力装置は光入射側から見て前段の単位発電素
子に於いて発電に寄与することなく透過した光を、後段
の単位発電素子に於いて吸収することができトータル的
な光電変換効率を上昇せしめることができる。また各単
位発電素子の上記ｉ型層やn-型層のように光入射がある
と主として光キャリアを発生する光活性層の光学的禁止
帯幅（Egopt）を調整すれば各単位発電素子に於ける感
光ピーク波長をシフトせしめることができ、より一層の
光電変換効率の上昇が図れる。
上記光活性層で発生した電子及び正孔の光キャリアは、
該光活性層を挾むｐ型層及びｎ型層が作る接合電界に引
かれて、電子はｎ型層に向って移動すると共に、正孔は
ｐ型層に向って移動して集電され外部に取り出される。
従って、単位発電素子にあっては実際に発電に寄与する
ｉ型層やn-型層のように不純物が全くドープされていな
いか、僅かにドープされた光活性層のみならず上記接合
電界を形成するための不純物層が不可欠な存在である。
該光活性層を挾むｐ型層及びｎ型層が作る接合電界に引
かれて、電子はｎ型層に向って移動すると共に、正孔は
ｐ型層に向って移動して集電され外部に取り出される。
従って、単位発電素子にあっては実際に発電に寄与する
ｉ型層やn-型層のように不純物が全くドープされていな
いか、僅かにドープされた光活性層のみならず上記接合
電界を形成するための不純物層が不可欠な存在である。
然し乍ら、この様に接合電界を形成するために不可欠な
不純物層は光活性層と同じく光入射経路に介在せしめら
れる結果、斯る不純物層に於ける光吸収が多くなると光
活性層への光到達率が減少し、光電変換効率の大幅な低
下を招く。
不純物層は光活性層と同じく光入射経路に介在せしめら
れる結果、斯る不純物層に於ける光吸収が多くなると光
活性層への光到達率が減少し、光電変換効率の大幅な低
下を招く。
特開昭57-95677号公報、特開昭57-104276号公報及び特
開昭57-136377号公報には、一つの単位発電素子からな
る光起電力装置に於いて、光活性層の光入射側前方に配
置される不純物層、所謂窓層を光活性層より光学的禁止
帯幅Egoptの広いアモルファスシリコンカーバイド、ア
モルファスシリコンナイトライドのワイドバンドギャッ
プ材料によって構成することにより、斯る窓層に於ける
光吸収の低減を図る技術が開示されている。
開昭57-136377号公報には、一つの単位発電素子からな
る光起電力装置に於いて、光活性層の光入射側前方に配
置される不純物層、所謂窓層を光活性層より光学的禁止
帯幅Egoptの広いアモルファスシリコンカーバイド、ア
モルファスシリコンナイトライドのワイドバンドギャッ
プ材料によって構成することにより、斯る窓層に於ける
光吸収の低減を図る技術が開示されている。
従って、斯るワイドバンドギャップ材料の光吸収の低減
作用を、タンデム構造に於いて発電に殆ど寄与しない接
合電界形成用の不純物層に適用すれば当該不純物層に於
ける光吸収を可及的に減少させ、光電変換効率の上昇を
図ることができる。
作用を、タンデム構造に於いて発電に殆ど寄与しない接
合電界形成用の不純物層に適用すれば当該不純物層に於
ける光吸収を可及的に減少させ、光電変換効率の上昇を
図ることができる。
然し乍ら、単位発電素子が相隣り合う接触界面は逆接合
となり、界面接合性が悪く電圧降下の原因となる。従っ
て界面不純物層に於ける光吸収を減少させるべく、ワイ
ドバンドギャップ材料を用いても界面接合性の悪化を招
き、その結果大幅な光電変換効率の上昇を実現すること
ができなかった。
となり、界面接合性が悪く電圧降下の原因となる。従っ
て界面不純物層に於ける光吸収を減少させるべく、ワイ
ドバンドギャップ材料を用いても界面接合性の悪化を招
き、その結果大幅な光電変換効率の上昇を実現すること
ができなかった。
（ハ）発明が解決しようとする問題点 本発明光起電力装置は上述の如く複数個の単位発電素子
を積層した所謂タンデム構造に於いて、発電に殆ど寄与
しない接合電界形成用の不純物層に於ける光吸収をワイ
ドバンドギャップ材料を使用することにより、可及的に
減少させることが可能となる反面、電圧が降下する点を
解決しようとするものである。
を積層した所謂タンデム構造に於いて、発電に殆ど寄与
しない接合電界形成用の不純物層に於ける光吸収をワイ
ドバンドギャップ材料を使用することにより、可及的に
減少させることが可能となる反面、電圧が降下する点を
解決しようとするものである。
（ニ）問題点を解決するための手段 本発明光起電力装置は、上記問題点を解決するために、
相隣り合う単位発電素子の接触界面に配置される不純物
層は、上記アモルファスシリコンより光学的禁止帯幅の
広い、一導電型と逆導電型とのワイドバンドギャップア
モルファスシリコン合金の層、で構成され、これら不純
物層間には導電型を有する非単結晶シリコンの層が介在
せしめられたことを特徴とする。
相隣り合う単位発電素子の接触界面に配置される不純物
層は、上記アモルファスシリコンより光学的禁止帯幅の
広い、一導電型と逆導電型とのワイドバンドギャップア
モルファスシリコン合金の層、で構成され、これら不純
物層間には導電型を有する非単結晶シリコンの層が介在
せしめられたことを特徴とする。
（ホ）作用 上述の如く一導電型及び逆導電型のワイドバンドギャッ
プアモルファスシリコン合金の層を相隣り合う単位発電
素子の接触界面に配置することによって、各層は前段の
単位発電素子に於ける光活性層で吸収されなかった入射
光を後段の単位発電素子に透過させると共に、斯るアモ
ルファスシリコン合金に挾まれる非単結晶シリコンが界
面接合性を改善する。
プアモルファスシリコン合金の層を相隣り合う単位発電
素子の接触界面に配置することによって、各層は前段の
単位発電素子に於ける光活性層で吸収されなかった入射
光を後段の単位発電素子に透過させると共に、斯るアモ
ルファスシリコン合金に挾まれる非単結晶シリコンが界
面接合性を改善する。
（ヘ）実施例 第１図は本発明光起電力装置の基本構造を示す模式的断
面図で、ガラス等の透光性且つ絶縁性の基板（１）の一
方の主面にITO、SnO2等に代表される透光性導電酸化物
（TCO）の受光面電極（２）を形成した後、夫々が単独
で実質的に発電素子として機能する第１及び第２の単位
発電素子（SC1）（SC2）が第１の単位発電素子（SC1）
を上記受光面電極（２）と接した状態で順次積層されて
いる。そして、第２の単位発電素子（SC2）の露出面で
ある光入射方向から見て背面に、Al、Ag、Al/Ti、Al/Ti
Ag、TCO/Ag、TCO/Al、TCO/Al/Ti等の単層乃至三層構造
の背面電極（３）が結合されている。
面図で、ガラス等の透光性且つ絶縁性の基板（１）の一
方の主面にITO、SnO2等に代表される透光性導電酸化物
（TCO）の受光面電極（２）を形成した後、夫々が単独
で実質的に発電素子として機能する第１及び第２の単位
発電素子（SC1）（SC2）が第１の単位発電素子（SC1）
を上記受光面電極（２）と接した状態で順次積層されて
いる。そして、第２の単位発電素子（SC2）の露出面で
ある光入射方向から見て背面に、Al、Ag、Al/Ti、Al/Ti
Ag、TCO/Ag、TCO/Al、TCO/Al/Ti等の単層乃至三層構造
の背面電極（３）が結合されている。
上記第１・第２の単位発電素子（SC1）（SC2）の各々
は、アモルファスシリコン（ａ−Si）を主体とし、Si
H4、SiH4、SiH4＋SiF4、Si2H6等のシリコン化合物ガス
を主原料ガスとし、適宜ｐ型、ｎ型の価電子制御用のB2
H6、PH3等の不純物ガスやワイドバンドギャップ用のC
H4、C2H6、C2H2、NH3、NO等のワイドバンドギャップ用
ガスを添加した原料ガスによるプラズマ分解や低圧水銀
ランプを使用した光分解等により形成される。そして、
各単位発電素子（SC1）（SC2）は、上記価電子制御用の
不純物ガスを全く含まない状態で形成されたノンドープ
なｉ型層か、僅かに不純物を含んだスライトリィドープ
な層からなる光活性層（41）（42）と、該光活性層
（41）（42）で形成された光キャリアの移動を促進する
接合電界を発生させるべく当該光活性層（41）（42）を
挾んだｐ型或いはｎ型の不純物層（5d11）（5d12）（5d
21）（5d22）と、からなり、光入射側から見て、pin/pi
n或いはnip/nipのタンデム構造を備えている。
は、アモルファスシリコン（ａ−Si）を主体とし、Si
H4、SiH4、SiH4＋SiF4、Si2H6等のシリコン化合物ガス
を主原料ガスとし、適宜ｐ型、ｎ型の価電子制御用のB2
H6、PH3等の不純物ガスやワイドバンドギャップ用のC
H4、C2H6、C2H2、NH3、NO等のワイドバンドギャップ用
ガスを添加した原料ガスによるプラズマ分解や低圧水銀
ランプを使用した光分解等により形成される。そして、
各単位発電素子（SC1）（SC2）は、上記価電子制御用の
不純物ガスを全く含まない状態で形成されたノンドープ
なｉ型層か、僅かに不純物を含んだスライトリィドープ
な層からなる光活性層（41）（42）と、該光活性層
（41）（42）で形成された光キャリアの移動を促進する
接合電界を発生させるべく当該光活性層（41）（42）を
挾んだｐ型或いはｎ型の不純物層（5d11）（5d12）（5d
21）（5d22）と、からなり、光入射側から見て、pin/pi
n或いはnip/nipのタンデム構造を備えている。
而して、本発明の特徴は互いに相隣り合う第１・第２の
単位発電素子（SC1）（SC2）のn/p或いはp/n接触界面に
配置される不純物層（5d12）（5d21）が、第２図（ａ）
に示す如く、第１単位発電素子（SC1）側を第１層（5d
12w）と第２層（5d12n）の二層構成としたり、第２図
（ｂ）の如く第２単位発電素子（SC2）側を第２層（5d
12n）と第３層（5d21w）の二層構成としたり、また第２
図（ｃ）のように両者ともに第１層（5d12w）と第２層
（5d12n）及び第３層（5d21n′）と第４層（5d21w′）
の二層構成とすると共に、その何れの形態に於いてもｐ
型或いはｎ型の導電型を有するアモルファスシリコン或
いは微結晶シリコン（μｃ−Si）等の非単結晶シリコン
の層（5d12n′）、（5d21n）、（5d12n）、（5d21n′）
を、上記第1i型層（i1）のアモルファスシリコンより光
学的禁止帯幅の広いワイドバンドギャップアモルファス
シリコン合金の層（5d12w）（5d21）、（5d12）（5
d21w）、（5d12w）（5d21′）で挾着したサンドイッチ
構造としたところにある。そして、上記ワイドバンドギ
ャップアモルファスシリコン合金は、光学的禁止帯幅が
約1.8eV以上のアモルファスシリコンカーバイド（ａ−S
i1-xCx）、アモルファスシリコンナイトライド（ａ−Si
1-xNx）、アモルファスシリコンオキサイド（ａ−Si1-x
Ox）、アモルファスシリコンオキシナイトライド（ａ−
Si1-2xNxOx）等からなり、この内から１種或いは２種が
選択され使用される。そして、種々のワイドバンドギャ
ップ材料の組合せの内から、ｎ型のａ−Si1-xNxとｐ型
のａ−Si1-xCxとの組合せ、ｐ型ａ−Si1-xNxとｎ型ａ−
Si1-xCxとの組合せ、ｐ型ａ−Si1-2xNxOxとｎ型ａ−Si
1-xCxとの組合せ、或いはｎ型ａ−Si1-xNxとｐ型ａ−Si
1-2xNxOxとの組合せが好適である。
単位発電素子（SC1）（SC2）のn/p或いはp/n接触界面に
配置される不純物層（5d12）（5d21）が、第２図（ａ）
に示す如く、第１単位発電素子（SC1）側を第１層（5d
12w）と第２層（5d12n）の二層構成としたり、第２図
（ｂ）の如く第２単位発電素子（SC2）側を第２層（5d
12n）と第３層（5d21w）の二層構成としたり、また第２
図（ｃ）のように両者ともに第１層（5d12w）と第２層
（5d12n）及び第３層（5d21n′）と第４層（5d21w′）
の二層構成とすると共に、その何れの形態に於いてもｐ
型或いはｎ型の導電型を有するアモルファスシリコン或
いは微結晶シリコン（μｃ−Si）等の非単結晶シリコン
の層（5d12n′）、（5d21n）、（5d12n）、（5d21n′）
を、上記第1i型層（i1）のアモルファスシリコンより光
学的禁止帯幅の広いワイドバンドギャップアモルファス
シリコン合金の層（5d12w）（5d21）、（5d12）（5
d21w）、（5d12w）（5d21′）で挾着したサンドイッチ
構造としたところにある。そして、上記ワイドバンドギ
ャップアモルファスシリコン合金は、光学的禁止帯幅が
約1.8eV以上のアモルファスシリコンカーバイド（ａ−S
i1-xCx）、アモルファスシリコンナイトライド（ａ−Si
1-xNx）、アモルファスシリコンオキサイド（ａ−Si1-x
Ox）、アモルファスシリコンオキシナイトライド（ａ−
Si1-2xNxOx）等からなり、この内から１種或いは２種が
選択され使用される。そして、種々のワイドバンドギャ
ップ材料の組合せの内から、ｎ型のａ−Si1-xNxとｐ型
のａ−Si1-xCxとの組合せ、ｐ型ａ−Si1-xNxとｎ型ａ−
Si1-xCxとの組合せ、ｐ型ａ−Si1-2xNxOxとｎ型ａ−Si
1-xCxとの組合せ、或いはｎ型ａ−Si1-xNxとｐ型ａ−Si
1-2xNxOxとの組合せが好適である。
下記第１表は光起電力装置の基本特性（初期値）である
開放電圧Voc（Ｖ）、短絡電流Isc（mA）、フィルファタ
クFF（％）、光電変換効率η（％）につき本発明構造の
第２図（ａ）の実施例と従来構造の比較例と、を赤道直
下の太陽光線（AM−１）を擬似的に照射する照射強度10
0mW/cm2のソーラシュミレータを用いて測定した実測値
をまとめたものである。
開放電圧Voc（Ｖ）、短絡電流Isc（mA）、フィルファタ
クFF（％）、光電変換効率η（％）につき本発明構造の
第２図（ａ）の実施例と従来構造の比較例と、を赤道直
下の太陽光線（AM−１）を擬似的に照射する照射強度10
0mW/cm2のソーラシュミレータを用いて測定した実測値
をまとめたものである。
斯る測定に供せられた光起電力装置は何れも光入射側か
ら見て、ガラス基板（１）/TCO受光面電極（２）/pin接
合型第１単位発電素子（SC1）/pin接合型第２単位発電
素子（SC2）/Al背面電極（３）のタンデム構造であり、
第１単位発電素子（SC1）と第２単位発電素子（SC2）と
の接触界面には、第１単位発電素子（SC1）の不純物層
（5d12）はｎ型であり、ａ−Si1-xNxの第１層（5d12w）
と、ａ−Si或いはμｃ−Siの第２層（5d12n）とからな
り二層が、第２単位発電素子（SC2）の不純物層（5
d21）はｐ型のａ−Si1-xCxが夫々配置された。そして、
接触界面を構成する第１単位発電素子（SC1）の不純物
層（5d12）と第２単位発電素子（SC2）の不純物層（5d
21）の組成のみを可変とし、他の構成要素は実施例及び
比較例ともに共通仕様とした。第１・第２の単位発電素
子（SC1）（SC2）は特開昭56-114387号公報に開示され
た、当該アモルファスシリコンを主体とする単位発電素
子（SC1）（SC2）の製造方法として一般的な三室分離式
プラズマCVD法を用いて製造した。本実施例１及び２に
於けるプラズマCVD条件を第２表に記すと共に、斯るCVD
条件により製造された構成を第３表に示す。
ら見て、ガラス基板（１）/TCO受光面電極（２）/pin接
合型第１単位発電素子（SC1）/pin接合型第２単位発電
素子（SC2）/Al背面電極（３）のタンデム構造であり、
第１単位発電素子（SC1）と第２単位発電素子（SC2）と
の接触界面には、第１単位発電素子（SC1）の不純物層
（5d12）はｎ型であり、ａ−Si1-xNxの第１層（5d12w）
と、ａ−Si或いはμｃ−Siの第２層（5d12n）とからな
り二層が、第２単位発電素子（SC2）の不純物層（5
d21）はｐ型のａ−Si1-xCxが夫々配置された。そして、
接触界面を構成する第１単位発電素子（SC1）の不純物
層（5d12）と第２単位発電素子（SC2）の不純物層（5d
21）の組成のみを可変とし、他の構成要素は実施例及び
比較例ともに共通仕様とした。第１・第２の単位発電素
子（SC1）（SC2）は特開昭56-114387号公報に開示され
た、当該アモルファスシリコンを主体とする単位発電素
子（SC1）（SC2）の製造方法として一般的な三室分離式
プラズマCVD法を用いて製造した。本実施例１及び２に
於けるプラズマCVD条件を第２表に記すと共に、斯るCVD
条件により製造された構成を第３表に示す。
ただし、層5d12nの（ ）内は実施例２のみの条件であ
って、その他は実施例１及び２ともに共通である。
って、その他は実施例１及び２ともに共通である。
共通条件 電源:13.56MHz高周波電源 SiH4ガス流量:10（SCCM） ガス圧力:0.3〜0.5（Torr） ただし、層5d12nの（ ）内は実施例２のみの構成であ
って、その他は実施例１及び２共に共通である。
って、その他は実施例１及び２共に共通である。
一方、比較対象となった比較例１及び比較例２の界面不
純物層（5d12）（5d21）の構成は下記第４表の通りであ
る。
純物層（5d12）（5d21）の構成は下記第４表の通りであ
る。
この様に第１・第２単位発電素子（SC1）（SC2）の接合
界面の不純物層（5d12w）（5d21）として、比較例２と
同じワイドバンドギャップ材料のａ−Si1-xNx、ａ−Si
1-xCxにより構成したにも拘わず、ａ−Si或いはμｃ−S
iの層（5d12）をその両者間に介在させることによって
開放電圧Vocが向上し、また斯るａ−Si或いはμｃ−Si
の層（5d12n）を設けても比較例２の短絡電流Iscとほと
んど変わりのない数値が得られ、その結果光電変換効率
が上昇した。
界面の不純物層（5d12w）（5d21）として、比較例２と
同じワイドバンドギャップ材料のａ−Si1-xNx、ａ−Si
1-xCxにより構成したにも拘わず、ａ−Si或いはμｃ−S
iの層（5d12）をその両者間に介在させることによって
開放電圧Vocが向上し、また斯るａ−Si或いはμｃ−Si
の層（5d12n）を設けても比較例２の短絡電流Iscとほと
んど変わりのない数値が得られ、その結果光電変換効率
が上昇した。
一方、上記構成に於ける実施例及び比較例につき経時劣
化について測定した。劣化試験は、赤道直下の太陽光線
の光強度100mV/cm2の５倍の強度である500mW/cm2のAM−
１光を５時間照射したときの光電変換効率と測定する光
劣化試験と、200℃50時間経過後の光電変換効率の初期
値に対する劣化を求める熱劣化試験とを夫々個別に施し
た。その結果が第５表に示してある。
化について測定した。劣化試験は、赤道直下の太陽光線
の光強度100mV/cm2の５倍の強度である500mW/cm2のAM−
１光を５時間照射したときの光電変換効率と測定する光
劣化試験と、200℃50時間経過後の光電変換効率の初期
値に対する劣化を求める熱劣化試験とを夫々個別に施し
た。その結果が第５表に示してある。
斯る光劣化及び熱劣化試験の結果、本実施例構造はａ−
Siを主体とする発電素子特有の光劣化及び熱劣化にも有
効であることが判明した。
Siを主体とする発電素子特有の光劣化及び熱劣化にも有
効であることが判明した。
（ト）発明の効果 本発明は以上の説明から明らかな如く、相隣り合う単位
発電素子の接触界面に配置される不純物層として、ワイ
ドバンドギャップアモルファスシリコン合金の層で構成
され、これら不純物層間には導電型を有する非単結晶シ
リコンの層を介在させたものであることから、界面不純
物層に於ける光吸収の低減と界面接合性の改善を同時に
達成することができ、電圧を降下させることなく電流量
の増加が図れ光電変換効率の上昇を実現することができ
る。
発電素子の接触界面に配置される不純物層として、ワイ
ドバンドギャップアモルファスシリコン合金の層で構成
され、これら不純物層間には導電型を有する非単結晶シ
リコンの層を介在させたものであることから、界面不純
物層に於ける光吸収の低減と界面接合性の改善を同時に
達成することができ、電圧を降下させることなく電流量
の増加が図れ光電変換効率の上昇を実現することができ
る。
第１図は本光起電力装置の基本構成の模式的断面図、第
２図（ａ）乃至第２図（ｃ）は本発明光起電力装置の種
々の実施例の模式的断面図、を夫々示している。 （１）…基板、（41）（42）…光活性層、（5d11）（5d
12）（5d21）（5d22）…不純物層、（5d12w）…第１
層、（5d12n）（5d21n）…第２層、（5d21n′）…第３
層、（5d21w′）…第４層。
２図（ａ）乃至第２図（ｃ）は本発明光起電力装置の種
々の実施例の模式的断面図、を夫々示している。 （１）…基板、（41）（42）…光活性層、（5d11）（5d
12）（5d21）（5d22）…不純物層、（5d12w）…第１
層、（5d12n）（5d21n）…第２層、（5d21n′）…第３
層、（5d21w′）…第４層。
Claims (8)
- 【請求項１】アモルファスシリコンを主体とする単位発
電素子を複数個積層した光起電力装置であって、相隣り
合う単位発電素子の接触界面に配置される不純物層は、
上記アモルファスシリコンより光学的禁止帯幅の広い、
一導電型と逆導電型とのワイドバンドギャップアモルフ
ァスシリコン合金の層、で構成され、これら不純物層間
には導電型を有する非単結晶シリコンの層が介在せしめ
られたことを特徴とした光起電力装置。 - 【請求項２】上記導電型を有する非単結晶シリコンの層
が、一導電型のアモルファスシリコン或いは微結晶シリ
コンであることを特徴とした特許請求の範囲第１項記載
の光起電力装置。 - 【請求項３】上記導電型を有する非単結晶シリコンの層
が、夫々同一の導電型のワイドバンドギャップアモルフ
ァスシリコン合金の層と接するように配置された、一導
電型及び逆導電型のアモルファスシリコン或いは微結晶
シリコンであることを特徴とした特許請求の範囲第１項
記載の光起電力装置。 - 【請求項４】上記ワイドバンドギャップアモルファスシ
リコン合金の少なくとも一方がアモルファスシリコンカ
ーバンドであることを特徴とした特許請求の範囲第１項
乃至第３項記載の光起電力装置。 - 【請求項５】上記ワイドバンドギャップアモルファスシ
リコン合金の少なくとも一方がアモルファスシリコンナ
イトライドであることを特徴とした特許請求の範囲第１
項乃至第３項記載の光起電力装置。 - 【請求項６】上記ワイドバンドギャップアモルファスシ
リコン合金の少なくとも一方がアモルファスシリコンオ
キサイドであることを特徴とした特許請求の範囲第１項
乃至第３項記載の光起電力装置。 - 【請求項７】上記ワイドバンドギャップアモルファスシ
リコン合金の少なくとも一方がアモルファスシリコンオ
キシナイトライドであることを特徴とした特許請求の範
囲第１項乃至第３項記載の光起電力装置。 - 【請求項８】上記一導電型及び逆導電型のワイドバンド
ギャップアモルファスシリコン合金の組成は互いに異な
ることを特徴とした特許請求の範囲第１項乃至第７項記
載の光起電力装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61267212A JPH073876B2 (ja) | 1986-11-10 | 1986-11-10 | 光起電力装置 |
| US07/084,947 US4776894A (en) | 1986-08-18 | 1987-08-13 | Photovoltaic device |
| FR878711691A FR2602913B1 (fr) | 1986-08-18 | 1987-08-18 | Dispositif photovoltaique |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61267212A JPH073876B2 (ja) | 1986-11-10 | 1986-11-10 | 光起電力装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63120476A JPS63120476A (ja) | 1988-05-24 |
| JPH073876B2 true JPH073876B2 (ja) | 1995-01-18 |
Family
ID=17441694
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61267212A Expired - Lifetime JPH073876B2 (ja) | 1986-08-18 | 1986-11-10 | 光起電力装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH073876B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4068043B2 (ja) * | 2003-10-28 | 2008-03-26 | 株式会社カネカ | 積層型光電変換装置 |
| EP1650812B2 (en) | 2003-07-24 | 2019-10-23 | Kaneka Corporation | Method for making a silicon based thin film solar cell |
| JP4063735B2 (ja) * | 2003-07-24 | 2008-03-19 | 株式会社カネカ | 積層型光電変換装置を含む薄膜光電変換モジュール |
| AU2004259485B2 (en) | 2003-07-24 | 2009-04-23 | Kaneka Corporation | Stacked photoelectric converter |
| JP2006319068A (ja) * | 2005-05-11 | 2006-11-24 | Kaneka Corp | 多接合型シリコン系薄膜光電変換装置、及びその製造方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56142680A (en) * | 1980-04-07 | 1981-11-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Photoconductive semiconductor device |
| JPS58122783A (ja) * | 1982-01-14 | 1983-07-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
| JPS609178A (ja) * | 1983-06-29 | 1985-01-18 | Toshiba Corp | 光起電力装置 |
| JPS61172380A (ja) * | 1985-01-28 | 1986-08-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| JPS61208878A (ja) * | 1985-03-14 | 1986-09-17 | Ricoh Co Ltd | アモルフアスシリコン光電変換素子 |
-
1986
- 1986-11-10 JP JP61267212A patent/JPH073876B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56142680A (en) * | 1980-04-07 | 1981-11-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Photoconductive semiconductor device |
| JPS58122783A (ja) * | 1982-01-14 | 1983-07-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
| JPS609178A (ja) * | 1983-06-29 | 1985-01-18 | Toshiba Corp | 光起電力装置 |
| JPS61172380A (ja) * | 1985-01-28 | 1986-08-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| JPS61208878A (ja) * | 1985-03-14 | 1986-09-17 | Ricoh Co Ltd | アモルフアスシリコン光電変換素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63120476A (ja) | 1988-05-24 |
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