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JPH0736197B2 - 侵入に対して保護されたマイクロ回路カード - Google Patents

侵入に対して保護されたマイクロ回路カード

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JPH0736197B2
JPH0736197B2 JP2185155A JP18515590A JPH0736197B2 JP H0736197 B2 JPH0736197 B2 JP H0736197B2 JP 2185155 A JP2185155 A JP 2185155A JP 18515590 A JP18515590 A JP 18515590A JP H0736197 B2 JPH0736197 B2 JP H0736197B2
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アヴニエ ジャン―ピエール
リジマック ジル
マエ フィリップ
コヴァルスキー ジャセック
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ジェムプリュス カード アンテルナショナル
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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明に、マイクロ回路カード、さらに詳しく言えば、
侵入に対して保護されたマイクロ回路カードに関するも
のである。
従来の技術 マイクロ回路カードは、主に、多くの場合秘密の情報、
特に、サービスにアクセスするための暗号を格納するた
めの媒体として使用される。操作に不可欠な安全性を確
保するために、このようなマイクロ回路カードが保持す
る情報の秘密性を侵そうとする不正行為者による侵入か
らマイクロ回路カードを保護することが重要である。不
正行為者が使用する可能性がある観察手段は、能動的な
侵入手段を使用せずにカードを観察する静的な手段、ま
たはその動作状態をシミュレートすることによってカー
ドを観察する動的手段である。静的手段による侵入に対
して格納された情報を保護する公知の方法は、マイクロ
回路内でその情報を最大限に隠すことである。しかし、
「動的」な観察手段が使用される侵入に対して保護する
手段は、現在のところない。
発明が解決しようとする課題 本発明の目的は、動的な手段による侵入に対して保護さ
れたマイクロ回路カードを提供することである。
課題を解決するための手段 本発明は、侵入に対して保護されたマイクロ回路カード
であって、少なくとも１つの歪みセンサが、特徴的で人
為的な応力が負荷された状態で挿入されており、この応
力が負荷された状態が、カードからマイクロ回路を取り
だそうとする試みによって破壊されることを特徴とする
回路を提供する。
本発明の特徴及び利点は、添付図面を参照して行う以下
の説明によって、明らかとなろう。
実施例 本発明は、動的手段を使用する侵入の場合は、不正行為
者が電子部品を支持するマイクロモジュールまたはカー
ドから電子部品を必ず取り出し、それを観察装置の下に
配置しなければならないという事実を利用する。通常、
電子部品がカード内またはそれ自体がカード内に挿入さ
れたマイクロモジュール内に挿入されている時、イオン
打ち込みされたまたは拡散側上の“アクティブ”面を見
ることはできる。従って、マイクロモジュールを固定し
た後、その電子部品を物理的な攻撃から保護するために
保護層で被覆する。マイクロ回路にアクセスしようとす
る不正行為者が侵入を試みると、この保護層は必ず破損
を受ける。従って、本発明によるマイクロ回路は、保護
層が受けた破損を検出する部品をカード内に挿入して、
侵入が試みられると、カードが機能しない及び／または
協働しなければならないサービスステーションにこのカ
ードに侵入が行われたことを知らせる決定することがで
きるようにされている。
この目的のために、第１に、マイクロ回路内の機械的応
力を検出することのできる歪みセンサがカード内に挿入
されており、第２に、マイクロ回路をその保護層で被覆
するときに、そのマイクロ回路に応力を加え、乾燥作業
の間中維持して、乾燥後に、この応力を原因とする歪み
が残るようにする。このように予め負荷された応力すな
わちプレストレスは、自然に得られるのが好ましい。こ
の目的のため、保護層を熱い滴下物として塗布し、極め
て迅速に冷却する。この冷却中、この滴下物の硬化した
樹脂は、プレストレスを及ぼす。他の方法では、集積回
路も高温にする。この滴下物と集積回路の冷却中、膨張
率が異なるので、所望のプレストレスが得られる。この
時から、マイクロ回路の内部論理回路によってアクセス
できる歪みセンサは、保護層が存在することを示す電気
値を測定できる状態にある。不正行為者がマイクロ回路
をカードから取り出すために保護層を破損させた後にマ
イクロ回路を作動させようとすると、歪みセンサによる
測定値は回路に歪みがないことを表し、この歪みセンサ
は、マイクロ回路の内部論理回路に歪みが無いことを伝
える。その結果として、内部論理回路は、正常な動作を
すべて防ぐ。
歪みセンサは、ピエゾ電気効果を利用する歪みゲージま
たは圧力センサの構成部品と同じもので構成できる。こ
の歪みセンサは、インジケータ、RAMの１つのメモリロ
ケーションまたは電子部品内でテストできるフラッグに
接続されており、それらインジケータ、RAMの１つのメ
モリロケーションまたは電子部品内のフラッグは、マイ
クロ回路が機械的応力を受けているかどうか、及び、ソ
フトウェアまたはオートマトンが新たな使用ごとに試験
されるマイクロ回路の動作を制御するかどうかによって
その状態を変化させる。
マイクロ回路は、複数の歪みセンサと接続されており、
これらの歪みセンサは各々インジケータと接続されても
よい。この場合、回路の内部論理回路は歪みセンサに接
続されたインジケータを全部テストする。また、カード
の製造中、歪みセンサのいくつかだけに応力をかけ、他
の歪みセンサには全く応力をかけず、その結果、応力が
負荷された状態を再現するのをより困難にすることもで
きる。
また、不揮発性メモリ（EEPROM、EPROM、または、不揮
発性RAM）を備えるオートアダプティブLSIの場合は、製
造直後の電子部品が備える全インジケータの数値を記憶
して、これらの数値を後で内部論理回路によって使用さ
れる参照値として保持することができる。従って、電子
部品の製造サイクルを変更しないで、部品ごとに異なる
応力が負荷された状態に対応する各々の参照値を得て、
使用することができる。
第１図は、マイクロ回路10上に３つの歪みセンサC1、C2
及びC3を備える実施態様を図示したものである。これら
歪みセンサの出力は、マイクロ回路の内部論理回路（図
示せず）に直接接続されている。次に、この全体を保護
層で被覆する。
第２図は、ホイートストンブリッジ型の測定ブリッジに
抵抗型の歪みセンサCrを挿入した第１の実施例の等価回
路図である。この歪みセンサでは、出力電圧Vxは、基準
電圧Voが入力間に印加されたときの変形の関数Ｆであ
る。
第３図は、容量型の歪みセンサの第２の実施例の等価回
路図である。この歪みセンサでは、容量Cxは、加えられ
た応力によって変化し、歪みセンサの容量Cxに直接接続
された出力信号の周波数Fxが変形に応じて変化する。
第４図は、マイクロ回路の内部の、このマイクロ回路に
装着された１組の歪みセンサに接続された論理回路の１
実施例を図示したものである。参照符号Cnで示すような
歪みセンサは、各々、測定値Vm（例えば、電圧または周
波数）を出力する測定回路Mnに接続されている。この測
定値Vmは、変形の関数である。参照値レジスタRnは、マ
イクロ回路の製造中に記憶された、変形が存在する場合
の初期値を保持する。これらの２つの数値は、比較器Dn
に転送され、この比較器はその差dnを閾値増幅器Anに出
力する。この閾値増幅器は、対応する歪みセンサでの差
の最大許容値Enを他方の入力に受ける。
差dnの値が最大許容値Enを越えると、閾値増幅器は、マ
イクロ回路が使用される度にマイクロ回路の内部プロセ
ッサＰによってテストされるインジケータＩのレジスタ
の対応する段の状態を変化させる。
本発明は、上記の実施例や図示した歪みセンサに限定さ
れるものではない。特に、マイクロ回路上に１つの歪み
センサだけを備えることもあり、一方、多数の歪みセン
サを備えることもある。また、歪みセンサを図示した配
置と異なる形態にマイクロ回路上に配置することもでき
る。さらに、変形を電気値に変換するために、歪みセン
サが、容量、周波数または抵抗の変化を発生させてもよ
い。
【図面の簡単な説明】
第１図は、３つの歪みセンサを備える、本発明によるマ
イクロ回路カードを図示したものであり、 第２図及び第３図は、各々、使用可能な歪みセンサの実
施例を図示したものであり、 第４図は、侵入検出用の歪みセンサに接続された回路を
図示したものである。 （主な参照番号） 10……マイクロ回路 C1、C2、C3、Cn……歪みセンサ Rn……レジスタ、Dn……比較器 Cx……容量、Mn……測定回路 Ｉ……インジケータ、Ｐ……プロセッサ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 フィリップ マエ フランス国 13790 ペイニエ レ ミシ ェル 138 (72)発明者 ジャセック コヴァルスキー フランス国 13530 トレ ロティスマン レ ジャルダン デ セニエール 50 (56)参考文献 特開 平２−307792（ＪＰ，Ａ)

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】侵入に対して保護されたマイクロ回路カー
    ドであって、少なくとも１つの歪みセンサが上記マイク
    ロ回路上に配置されており、上記マイクロ回路は所定の
    応力が負荷された状態にあり、この所定の応力が負荷さ
    れた状態は、上記マイクロ回路上に堆積された保護層に
    よって維持されており、この所定の応力が負荷された状
    態が、カードから該マイクロ回路を取り出そうとする試
    みによって変更されると、上記マイクロ回路は、この応
    力が負荷された状態の変化を検出する上記歪みセンサの
    端子に接続されている内部論理回路を更に備えることを
    特徴とするマイクロ回路カード。
  2. 【請求項２】複数の歪みセンサが上記マイクロ回路の表
    面上に配置されていることを特徴とする請求項１に記載
    のカード。
  3. 【請求項３】上記歪みセンサは、ピエゾ電気型の圧力感
    知素子であることを特徴とする請求項１または２に記載
    のカード。
  4. 【請求項４】上記歪みセンサは、変形を感知する抵抗型
    の素子を備え、抵抗測定回路に接続されていることを特
    徴とする請求項１または２に記載のカード。
  5. 【請求項５】上記歪みセンサは、変形を感知する容量型
    素子であって、周波数測定回路に接続されていることを
    特徴とする請求項１または２に記載のカード。
  6. 【請求項６】上記内部論理回路は、インジケータとし
    て、上記マイクロ回路上の歪みセンサと同数の段を備え
    るレジスタを備え、上記レジスタは、マイクロ回路が使
    用される前に毎回そのテストを実行させる上記マイクロ
    回路内のプロセッサに接続されていることを特徴とする
    請求項１からは請求項５までの何れか１項に記載のカー
    ド。
  7. 【請求項７】上記内部論理回路は、上記歪みセンサに接
    続された測定回路の出力と上記レジスタの対応する段と
    の間に比較器を備え、上記比較器は更に参照値レジスタ
    に接続されており、その出力は増幅器に接続されて、該
    比較器が出力する差が許容差より大きくなると状態を変
    化させることを特徴とする請求項６に記載のカード。
JP2185155A 1989-07-13 1990-07-12 侵入に対して保護されたマイクロ回路カード Expired - Lifetime JPH0736197B2 (ja)

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FR8909549A FR2649817B1 (fr) 1989-07-13 1989-07-13 Carte a microcircuit protegee contre l'intrusion
FR8909549 1989-07-13

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JPH03223992A JPH03223992A (ja) 1991-10-02
JPH0736197B2 true JPH0736197B2 (ja) 1995-04-19

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US (1) US5060261A (ja)
EP (1) EP0408456B2 (ja)
JP (1) JPH0736197B2 (ja)
CA (1) CA2021004C (ja)
DE (1) DE69000132T3 (ja)
ES (1) ES2031405T5 (ja)
FR (1) FR2649817B1 (ja)

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