JPH0732289B2 - Semiconductor laser beam wavelength stabilizer - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は、半導体レーザに関するものであって、更に詳
細には、半導体レーザの発振波長を安定化させる装置に
関するものである。特に、光集積回路等において波長を
安定化したレーザビームを供給することの可能な光源と
して使用可能な半導体レーザ波長安定化装置に関するも
のである。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a semiconductor laser, and more particularly to a device for stabilizing an oscillation wavelength of a semiconductor laser. In particular, the present invention relates to a semiconductor laser wavelength stabilizing device that can be used as a light source capable of supplying a laser beam having a stabilized wavelength in an optical integrated circuit or the like.
従来技術 半導体レーザは小型の光源として種々の適用が可能であ
るが、周囲温度によって発振波長にモードジャップが発
生し発振波長が変動するという問題がある。従って、半
導体レーザの発振波長を安定化させる為に、従来、第８
図に示した如き構成が使用されている。即ち、第８図の
構成においては、半導体レーザ３の一方の端面32から射
出される発散性の光をコリメートレンズ８を通過させて
平行光とさせ、該平行光を外部ミラー９で反射させ、逆
の光路を通って再度コリメートレンズ８を通過させて、
半導体レンズ３に光を戻すことによって波長を安定化さ
せている。尚、半導体レーザ３からの波長を安定化され
た光は他方の端面31から外部へ取り出される。2. Description of the Related Art Semiconductor lasers can be used in various ways as a small light source, but there is a problem in that mode oscillation occurs in the oscillation wavelength due to ambient temperature and the oscillation wavelength fluctuates. Therefore, in order to stabilize the oscillation wavelength of the semiconductor laser, the
The configuration as shown is used. That is, in the configuration shown in FIG. 8, the divergent light emitted from the one end face 32 of the semiconductor laser 3 passes through the collimator lens 8 to be parallel light, and the parallel light is reflected by the external mirror 9. Pass the collimator lens 8 again through the opposite optical path,
The wavelength is stabilized by returning the light to the semiconductor lens 3. The wavelength-stabilized light from the semiconductor laser 3 is extracted from the other end face 31 to the outside.
然し乍ら、上述した如き従来の半導体レーザ波長安定化
装置においては、その光学系が大型となり、又レーザ光
射出端面32から外部ミラー９迄の距離が長いので、周囲
温度が変化した場合のモードジャンプの存在しない温度
範囲があまり広く取れない等の欠点がある。However, in the conventional semiconductor laser wavelength stabilizing device as described above, the optical system is large and the distance from the laser light emitting end face 32 to the external mirror 9 is long, so that the mode jump when the ambient temperature changes. There is a defect that the temperature range that does not exist cannot be taken too wide.
目的 本発明は、以上の点に鑑みなされたものであって、上述
した如き従来技術の欠点を解消し、新規な構成を有する
と共に比較的広い温度範囲に渡って発振波長のモードジ
ャンプを発生させることのない半導体レーザ波長安定化
装置を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above points, and solves the above-mentioned drawbacks of the prior art, has a novel structure, and causes a mode jump of the oscillation wavelength over a relatively wide temperature range. It is an object of the present invention to provide a semiconductor laser wavelength stabilization device that does not have such a problem.
構成 本発明に拠れば、基板の１表面上に所定の形状にパター
ン形成したマスク層が形成されており、このマスク層を
使用して前記基板をエッチングして基板に凹所が形成さ
れている。又、マスク層の一部は空中に張り出して突出
部を形成している。本発明においては、半導体レーザチ
ップの一方の端面から射出する光を、前記凹所の一部と
突出部とで反射させて再度前記一方の端面からチップ内
に戻す構成とすることにより半導体レーザの波長安定化
を図っている。好適実施形態においては、半導体レーザ
チップを凹所内に配設し、而も凹所の底部上にチップを
装着させる。基板のエッチングは等方性エッチング又は
異方性エッチング又はこれらの組合せによって行うこと
が可能であり、エッチングの方法により、凹所の側壁は
平坦な斜面又は湾曲な斜面が形成される。本発明は、こ
の様にして形成される凹所の側壁の一部を反射面として
使用することが可能である。又、突出部は、エッチング
のアンダーカットによって形成されるオーバーハングで
少なくともその一部を形成することが可能である。Configuration According to the present invention, a mask layer patterned in a predetermined shape is formed on one surface of a substrate, and the substrate is etched using the mask layer to form a recess in the substrate. . Further, a part of the mask layer projects in the air to form a protrusion. In the present invention, the light emitted from one end face of the semiconductor laser chip is reflected by a part of the recess and the protruding portion and is returned to the inside of the chip from the one end face again. We are trying to stabilize the wavelength. In a preferred embodiment, the semiconductor laser chip is placed in the recess and the chip is mounted on the bottom of the recess as well. The etching of the substrate can be performed by isotropic etching, anisotropic etching, or a combination thereof, and the sidewall of the recess forms a flat slope or a curved slope depending on the etching method. In the present invention, it is possible to use a part of the side wall of the recess thus formed as a reflecting surface. Also, the protrusion can be formed at least in part by an overhang formed by an undercut of etching.
以下、添付の図面を参考に、本発明の具体的実施の態様
に付いて詳細に説明する。Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
第１図は、本発明の１実施例に基づいて構成された半導
体レーザ波長安定化装置を示している。第１図に示した
装置は、基板１を有しており、基板１は、例えばSiやGa
As等の単結晶物質から構成すると良い。基板１は大略平
板状であって、その上表面上に、例えば窒化シリコン等
から構成されるマスク層２が被着形成されている。マス
ク層２は所定の形状にパターン形成されており、このマ
スク層２を使用して基板１をエッチングして基板１に凹
所1aが形成されている。図示例の凹所1aは、平坦な底部
と底部から上表面へ延在する側壁とで区画されており、
図示例においては、その底部上に半導体レーザチップ３
が接着して装着されている。更に、基板１のエッチング
により、マスク層２の一部が空中乃至は凹所内に張り出
して突出部22が形成されている。この突出部22は基板１
のエッチング時のアンダーカットによって少なくともそ
の一部が形成される。FIG. 1 shows a semiconductor laser wavelength stabilizing device constructed according to an embodiment of the present invention. The apparatus shown in FIG. 1 has a substrate 1, which may be, for example, Si or Ga.
It is recommended to use a single crystal substance such as As. The substrate 1 has a substantially flat plate shape, and a mask layer 2 made of, for example, silicon nitride is deposited and formed on the upper surface of the substrate 1. The mask layer 2 is patterned in a predetermined shape, and the substrate 1 is etched using the mask layer 2 to form a recess 1a in the substrate 1. The recess 1a in the illustrated example is defined by a flat bottom portion and a side wall extending from the bottom portion to the upper surface,
In the illustrated example, the semiconductor laser chip 3 is provided on the bottom of the semiconductor laser chip 3.
Are glued and attached. Further, due to the etching of the substrate 1, a part of the mask layer 2 overhangs in the air or in the recess to form a protrusion 22. This protrusion 22 is the substrate 1
At least a part of the undercut is formed during etching.
この構成においては、半導体レーザチップ３の一方の端
面（図示例においては端面32）から射出した光は、基板
２の表面に対して斜めにエッチング形成された凹所1aの
斜面12で反射され、その反射光はマスク層２の突出部22
で再度反射され、更にその反射光は再度凹所1aの側壁を
形成する斜面12で反射されて、チップ３の端面32に戻さ
れる。従って、半導体レーザチップ３の両方の端面31及
び32とマスク層２の突出部22とは外部共振器を構成して
いる。この様な構成においては、半導体レーザチップの
端面32から突出部22迄の距離は比較的短く、数十ミクロ
ン乃至数百ミクロンと設定することが可能であり、従っ
て周囲温度が変化した場合の発振波長がモードジャンプ
を起さない温度範囲を広く取ることが可能である。In this configuration, light emitted from one end face (end face 32 in the illustrated example) of the semiconductor laser chip 3 is reflected by the slope 12 of the recess 1a formed by etching with respect to the surface of the substrate 2, The reflected light is generated by the protruding portion 22 of the mask layer 2.
Is reflected again, and the reflected light is reflected again on the slope 12 forming the side wall of the recess 1a and returned to the end face 32 of the chip 3. Therefore, both end surfaces 31 and 32 of the semiconductor laser chip 3 and the protruding portion 22 of the mask layer 2 form an external resonator. In such a configuration, the distance from the end face 32 of the semiconductor laser chip to the protruding portion 22 is relatively short and can be set to several tens of microns to several hundreds of microns. Therefore, oscillation when the ambient temperature changes It is possible to take a wide temperature range in which the wavelength does not cause a mode jump.
第２図は、GaAlAs系半導体レーザの場合に、半導体レー
ザチップ３の端面32と突出部22との距離を約100ミクロ
ンに設定し、5mWでCW発振させたときに、周囲温度を15
℃乃至50℃の範囲で変化させた場合の発振波長の変化を
測定した結果をプロットしたものである。このグラフか
ら明らかな如く、25℃乃至45℃のかなり広い温度範囲で
モードジャンプが発生しておらず、本発明の構成とする
ことによって発振波長が十分に安定化されていることが
理解される。FIG. 2 shows that in the case of a GaAlAs semiconductor laser, the ambient temperature is 15 when the distance between the end face 32 of the semiconductor laser chip 3 and the protrusion 22 is set to about 100 microns and CW oscillation is performed at 5 mW.
It is a plot of the results of measurement of changes in the oscillation wavelength when the temperature is changed in the range of 50 ° C to 50 ° C. As is clear from this graph, mode jump does not occur in a fairly wide temperature range of 25 ° C to 45 ° C, and it is understood that the oscillation wavelength is sufficiently stabilized by the configuration of the present invention. .
次に、第３図及び第４図を参照して、基本的に第１図に
示した実施例の構成を有する半導体レーザ波長安定化装
置の製造方法に付いて説明する。第3a図に示した如く、
大略矩形形状のシリコン基板１の上表面上にSi3N4をス
パッタリングにより付着させてマスク層２を形成する。
尚、基板１の上表面は〈100〉面の結晶件を有してい
る。公知のホトリソグラフィ技術を適用して、マスク層
２の選択部分を除去してパターン形成する。第3b図から
明らかな如く、本例においては、突出部22は所定の幅Ｗ
を持った突起部としてマスク層２のパターン形成時に既
にその形状は画定されている。Next, with reference to FIG. 3 and FIG. 4, a method of manufacturing a semiconductor laser wavelength stabilizer basically having the configuration of the embodiment shown in FIG. 1 will be described. As shown in Figure 3a,
A mask layer 2 is formed by depositing Si 3 N 4 on the upper surface of the substantially rectangular silicon substrate 1 by sputtering.
The upper surface of the substrate 1 has crystallographic features of <100> plane. A known photolithography technique is applied to remove the selected portion of the mask layer 2 to form a pattern. As is apparent from FIG. 3b, in this example, the protrusion 22 has a predetermined width W.
The shape has already been defined as a protrusion having a shape when the pattern of the mask layer 2 is formed.
次いで、パターニングしたマスク層２をマスクとして使
用して、シリコン基板１を異方性化学エッチングして、
基板１表面に凹所を形成する。尚、この場合のエッチン
グ液としては、KOH、イソプロピルアルコール、H2Oの混
合液を使用すると良い。その結果、第4a図及び第4b図に
示した如き構成が形成される。このエッチングの場合、
〈111〉面に沿ってエッチングが進行するので、凹所の
側壁は〈111〉面からなる斜面12で形成される。このエ
ッチングによって、突出部22は空中乃至は凹所内に張り
出す構成となる。次いで、全体にAuを蒸着により被着さ
せる。これは、特に、斜面12と突出部22の下側の反射性
を向上させるものであるから、斜面12の反射領域として
使用する部分及び突出部22の底面のみに選択的に反射性
物質を付着させるものであれば良い。次いで、図示して
いないが、別のプロセスで製造したGaAlAs系等の半導体
レーザチップを凹所の底面に接着させる。この場合に、
レーザチップの一方の端面から射出する光が斜面12で反
射されて、突出部22の底面で再度反射され、その後元の
光路を逆に進んで再度レーザチップの前記一方の端面に
到達する様にレーザチップを配置させる。Then, using the patterned mask layer 2 as a mask, the silicon substrate 1 is anisotropically chemically etched,
A recess is formed on the surface of the substrate 1. In this case, as the etching solution, a mixed solution of KOH, isopropyl alcohol and H 2 O may be used. As a result, the structure as shown in FIGS. 4a and 4b is formed. For this etching,
Since the etching progresses along the <111> plane, the side wall of the recess is formed by the slope 12 made of the <111> plane. By this etching, the protruding portion 22 is configured to project in the air or the recess. Then, Au is deposited on the entire surface by vapor deposition. This is particularly to improve the reflectivity of the lower surface of the slope 12 and the projection 22, so that the reflective material is selectively adhered only to the portion used as the reflection area of the slope 12 and the bottom surface of the projection 22. Anything will do. Next, though not shown, a GaAlAs-based semiconductor laser chip manufactured by another process is adhered to the bottom surface of the recess. In this case,
The light emitted from one end face of the laser chip is reflected by the inclined surface 12, is reflected again on the bottom surface of the protruding portion 22, and then the original optical path is reversed to reach the one end face of the laser chip again. Place the laser chip.
尚、前述した如く、異方性エッチングでは、アンダーカ
ットの量が比較的少ないので、第3b図及び第4b図に示し
た如く、所定の幅Ｗを持った突起の形状にパターン形成
して、その３方向からのアンダーカットによって突出部
22を形成している。然し乍ら、十分なアンダーカットが
得られる場合、又はエッチングの手法を変えることによ
り、所望の突出部22を形成することが可能である場合に
は、この様に所定の幅の突起をパターン形成することは
必ずしも必要ではない。As described above, since the amount of undercut is relatively small in the anisotropic etching, as shown in FIGS. 3b and 4b, the pattern is formed in the shape of the protrusion having the predetermined width W. Undercuts from the three directions cause the protrusion
Forming 22. However, when a sufficient undercut can be obtained, or when the desired protrusion 22 can be formed by changing the etching method, the protrusion having a predetermined width is formed by patterning. Is not always necessary.
例えば、基板１のエッチングを等方性エッチングとする
ことも可能である。この場合は、前述した如く、所定の
幅Ｗを持った突起をパターン形成することは必ずしも必
要ではない。即ち、等方性エッチングでは基板１の結晶
面の配向状態にかからわず全ての方向に同じ速度でエッ
チングが進行するので、十分なアンダカット量が得ら
れ、第5b図に示した如く、単にマスク層２の１側部に沿
ってのアンダーカットによって十分な長さの突出部22が
形成される。又、等方性エッチングでは、第5a図に示し
た如く、凹所の側壁は平坦な斜面とはならずに、湾曲面
となる。尚、等方性エッチング液としては、HF、HNO3、
H2O、CH3COOHの混合液を使用すると良い。前述した実施
例の場合と同様に、レーザ光を反射する基板１の凹所側
面、及び、必要な場合には、突出部22底面は、反射率を
向上される為に、例えばAu,Cu等の金属を付着させると
良い。For example, the etching of the substrate 1 can be isotropic etching. In this case, as described above, it is not always necessary to pattern the projection having the predetermined width W. That is, in isotropic etching, the etching progresses at the same rate in all directions regardless of the orientation of the crystal plane of the substrate 1, so that a sufficient undercut amount can be obtained, and as shown in FIG. An undercut along one side of the mask layer 2 forms a protrusion 22 of sufficient length. Further, in the isotropic etching, as shown in FIG. 5a, the sidewall of the recess is not a flat slope but a curved surface. Incidentally, as the isotropic etching liquid, HF, HNO 3 ,
It is advisable to use a mixture of H 2 O and CH 3 COOH. As in the case of the above-described embodiment, the concave side surface of the substrate 1 that reflects the laser light and, if necessary, the bottom surface of the protruding portion 22 have, for example, Au, Cu, etc. in order to improve the reflectance. It is better to attach the above metal.
マスク層２、特にその突出部22はレーザ光を効率的に反
射する為に反射率は可及的に高いものとすることが望ま
しい。例えば、マスク層２そのものをAu又はCr等の金属
から構成することも可能である。前述した実施例におい
ては、マスク層２を窒化シリコンから構成しているの
で、その表面、特に底面にAu等の金属を蒸着させてい
る、更に、マスク層２、特にその突出部22での反射率を
高める為に、第６図に示した如く、マスク層２自体を２
層構成とすることが可能である。この場合の１例とし
て、窒化シリコン等の誘電体層24の光学厚みが半導体レ
ーザの発振波長の1/2に設定し、その表面上にAuの如き
金属層25を被着させると良い。尚、光学厚みは、誘電体
の屈折率と厚さの積で表される。It is desirable that the mask layer 2, and particularly the protruding portion 22 thereof, have a reflectance as high as possible in order to efficiently reflect the laser light. For example, the mask layer 2 itself can be made of a metal such as Au or Cr. In the above-described embodiment, since the mask layer 2 is made of silicon nitride, a metal such as Au is vapor-deposited on the surface, especially the bottom surface. Further, the reflection on the mask layer 2, especially on the protrusion 22 thereof. In order to increase the rate, the mask layer 2 itself is set to 2 as shown in FIG.
It is possible to have a layered structure. As an example of this case, it is preferable that the optical thickness of the dielectric layer 24 such as silicon nitride is set to 1/2 of the oscillation wavelength of the semiconductor laser, and a metal layer 25 such as Au is deposited on the surface thereof. The optical thickness is represented by the product of the refractive index of the dielectric and the thickness.
次に、第7a図及び第7b図を参照して、本発明の更に別の
実施例に付いて説明する。本実施例は、基本的には、第
１図に示した実施例の変形例であり、基板１の表面上に
パターン形成されたマスク層２が形成されており、マス
ク層２をマスクとして使用して基板１をエッチングして
凹所を形成すると共にマスク層２の選択した部分を空中
に突出させて突出部22を形成している。凹所内には半導
体レーザチップ３がその底部に接着して設けられてお
り、チップ３の一方の端面32から射出された光は凹所の
斜面及び突出部22で反射されて再び端面32へ戻される。
本実施例においては、半導体レーザチップ３の他方の端
面31から射出された光を、対向する凹所の斜面11で反射
されて、その反射光は基板１の表面に対して略垂直に取
り出される。この様な構成とした場合には、特に２次元
又は３次元の光集積回路用の光源として使用するのに好
都合である。尚、本実施例では、マスク層２の一部から
所定の幅を持った突出部22を形成しているが、突出部22
はこの様に所定の幅を規定することなく第5b図に示した
如き構成とすることも可能である。Next, another embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 7a and 7b. This embodiment is basically a modification of the embodiment shown in FIG. 1, in which a patterned mask layer 2 is formed on the surface of a substrate 1, and the mask layer 2 is used as a mask. Then, the substrate 1 is etched to form a recess, and a selected portion of the mask layer 2 is projected into the air to form a projection 22. A semiconductor laser chip 3 is attached to the bottom of the recess in the recess. Light emitted from one end face 32 of the chip 3 is reflected by the slope of the recess and the protrusion 22 and returned to the end face 32 again. Be done.
In the present embodiment, the light emitted from the other end face 31 of the semiconductor laser chip 3 is reflected by the slope 11 of the facing recess, and the reflected light is extracted substantially perpendicularly to the surface of the substrate 1. . With such a structure, it is particularly convenient to use as a light source for a two-dimensional or three-dimensional optical integrated circuit. In this embodiment, the protrusion 22 having a predetermined width is formed from a part of the mask layer 2. However, the protrusion 22
It is also possible to adopt the structure as shown in FIG. 5b without thus defining the predetermined width.
効果 以上、詳説した如く、本発明に拠れば、小型で性能の優
れた半導体レーザ波長安定化装置を提供することが可能
である。特に、本発明の装置に拠れば、より広い温度範
囲に渡って発振波長のモードジャンプが発生することが
なく、発振波長は極めて安定化されている。又、公知の
膜形成技術及びエッチングによって容易に製造すること
が可能である。更に、光集積回路用の光源として適合す
る大きさ及び形状とすることが可能である。Effects As described above in detail, according to the present invention, it is possible to provide a small-sized semiconductor laser wavelength stabilizer having excellent performance. In particular, according to the device of the present invention, the mode jump of the oscillation wavelength does not occur over a wider temperature range, and the oscillation wavelength is extremely stabilized. Further, it can be easily manufactured by a known film forming technique and etching. Further, it can be sized and shaped to fit as a light source for an optical integrated circuit.
以上、本発明の具体的実施の態様に付いて詳細に説明し
たが、本発明はこれら具体的にのみ限定されるべきもの
では無く、本発明の技術的範囲を逸脱すること無しに種
々の変形が可能であることは勿論である。尚、上述した
実施例においては、シリコン基板のGaAlAsレーザに付い
て説明したが、基板としては、その他に、例えばGaAs等
の単結晶を使用することも可能である。Although specific embodiments of the present invention have been described above in detail, the present invention should not be limited to these specific embodiments, and various modifications can be made without departing from the technical scope of the present invention. Of course, it is possible. In addition, in the above-mentioned embodiment, the description has been made with respect to the GaAlAs laser of the silicon substrate, but it is also possible to use, for example, a single crystal such as GaAs as the substrate.
第１図は本発明の１実施例に基づいて構成された半導体
レーザ波長安定化装置の概略図、第２図は本発明装置の
特性の１例を示したグラフ図、第3a図、第3b図、第4a
図、第4b図は第１図に示した装置の製造方法の１例を示
した各概略図、第5a図及び第5b図は本発明の別の実施例
に基づいて構成された半導体レーザ波長安定化装置の各
概略図、第６図は本発明の更に別の実施例を示した概略
図、第7a図及び第7b図は本発明の更に別の実施例を示し
た各概略図、第８図は従来の半導体レーザ波長安定化装
置の概略斜視図、である。 （符号の説明） 1:基板 2:マスク層 3:半導体レーザチップ 12:斜面 22:突出部 31,32:端面FIG. 1 is a schematic view of a semiconductor laser wavelength stabilizing device constructed according to one embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a graph showing one example of characteristics of the present invention device, FIGS. 3a, 3b. Figure, No. 4a
Figures 4b are schematic diagrams showing an example of a method for manufacturing the device shown in Figure 1, and Figures 5a and 5b are semiconductor laser wavelengths constructed according to another embodiment of the present invention. Each schematic view of the stabilizing device, FIG. 6 is a schematic view showing still another embodiment of the present invention, and FIGS. 7a and 7b are each schematic view showing still another embodiment of the present invention. FIG. 8 is a schematic perspective view of a conventional semiconductor laser wavelength stabilizing device. (Explanation of symbols) 1: Substrate 2: Mask layer 3: Semiconductor laser chip 12: Slope 22: Projection 31, 32: End face
Claims (10)
マスク層を形成してあり、前記マスク層を使用して前記
基板をエッチングして前記基板に凹所を形成すると共に
前記マスク層の一部から前記凹所内に突出する突出部が
形成されており、半導体レーザチップの一方の端面から
射出された光は前記凹所の一部及び前記突出部で反射さ
れて再度前記一方の端面へ入射される構成としたことを
特徴とする半導体レーザビーム波長安定化装置。1. A mask layer having a predetermined pattern is formed on one surface of a substrate, and the mask layer is used to etch the substrate to form a recess in the substrate and the mask layer. A protrusion protruding from a part of the recess into the recess is formed, and light emitted from one end face of the semiconductor laser chip is reflected by a part of the recess and the protrusion and the one end face again. A semiconductor laser beam wavelength stabilizing device, characterized in that it is configured to be incident on.
体レーザチップが前記凹所内に配設されていることを特
徴とする装置。2. The device according to claim 1, wherein the semiconductor laser chip is arranged in the recess.
体レーザチップは前記凹所の平坦な底部上に装着されて
いることを特徴とする装置。3. The device according to claim 2, wherein the semiconductor laser chip is mounted on a flat bottom of the recess.
の一部は前記エッチング形成された凹所の斜面であるこ
とを特徴とする装置。4. The apparatus according to claim 1, wherein a part of the recess is a slope of the etched recess.
が少なくとも２次元的に湾曲していることを特徴とする
装置。5. The device according to claim 2, wherein the inclined surface is at least two-dimensionally curved.
部は少なくとも前記基板のエッチング時のアンダーカッ
テイングによって形成されたものであることを特徴とす
る装置。6. The apparatus according to claim 1, wherein the protrusion is formed at least by undercutting during etching of the substrate.
部と前記半導体レーザチップの両端面とが外部共振器を
構成していることを特徴とする装置。7. The device according to claim 1, wherein the protrusion and both end surfaces of the semiconductor laser chip form an external resonator.
反射する突出部及び凹所の一部の少なくとも一方の上に
反射性被膜を付着させたことを特徴とする装置。8. The apparatus according to claim 1, wherein a reflective coating is deposited on at least one of the light-reflecting protrusion and the recess.
ク層を、光路長が略前記半導体レーザチップの発振波長
の1/2となる厚さを持った誘電体層と金属層との２層か
ら形成したことを特徴とする装置。9. The mask layer according to claim 1, wherein the mask layer is composed of a dielectric layer and a metal layer each having a thickness such that an optical path length is approximately 1/2 of an oscillation wavelength of the semiconductor laser chip. A device characterized by being formed from layers.
導体レーザチップの他方の端面からの射出された光を前
記凹所の他の部分で反射させて前記基板に略垂直な方向
に光を取り出す構成としたことを特徴とする装置。10. The light emitted from the other end face of the semiconductor laser chip is reflected by the other portion of the recess so that the light is emitted in a direction substantially perpendicular to the substrate. A device characterized by being taken out.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61096674A JPH0732289B2 (en) | 1986-04-28 | 1986-04-28 | Semiconductor laser beam wavelength stabilizer |
| US07/024,585 US4807238A (en) | 1986-03-12 | 1987-03-11 | A semiconductor laser device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61096674A JPH0732289B2 (en) | 1986-04-28 | 1986-04-28 | Semiconductor laser beam wavelength stabilizer |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62254479A JPS62254479A (en) | 1987-11-06 |
| JPH0732289B2 true JPH0732289B2 (en) | 1995-04-10 |
Family
ID=14171345
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61096674A Expired - Lifetime JPH0732289B2 (en) | 1986-03-12 | 1986-04-28 | Semiconductor laser beam wavelength stabilizer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0732289B2 (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995013638A1 (en) * | 1993-11-08 | 1995-05-18 | International Business Machines Corporation | Hybrid external coupled cavity semiconductor laser device |
| JP2006108548A (en) * | 2004-10-08 | 2006-04-20 | Fujikura Ltd | Submount for optical element |
-
1986
- 1986-04-28 JP JP61096674A patent/JPH0732289B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62254479A (en) | 1987-11-06 |
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