JPH07209334A

JPH07209334A - バネ性を具備したマイクロコンタクト

Info

Publication number: JPH07209334A
Application number: JP2585594A
Authority: JP
Inventors: Masayuki Morizaki; 正幸森崎
Original assignee: Individual
Current assignee: Individual
Priority date: 1994-01-12
Filing date: 1994-01-12
Publication date: 1995-08-11

Abstract

(57)【要約】【目的】半導体のベアチップの実装及び交換を容易にし
且つベアチップでの検査を確実且つ高周波の領域でも使
用できるコンタクトを提供することを目的とする。【構成】（イ）セラミックスや樹脂等でできた基板
（１）の規定された位置に導体でできたコンタクトベー
ス（７）及び配線部（２）を設ける。（ロ）コンタクトベース（７）の規定された位置に導体
でできた立ち上げ部（３）を二カ所設け、更に導体でで
きた平面部（４）により二カ所の立ち上げ部（３）を互
いに接続し、且つコンタクトベース（７）との間に空間
（６）ができるように設ける。（ハ）平面部（４）の中央部に導体でできた半球状等の
形をした突起、接点部（５）を設ける。また立ち上げ部
（３）を一カ所とした片持ちのバネ形状としてもよい
し、立ち上げ部（３）、平面部（４）を曲面で構成した
り、これらを多段に積み重ねて構成しても良い。以上の
構成を特徴とする

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、半導体のベアチップ
の実装や検査の為の、バネ性を具備したマイクロコンタ
クトに関する発明である。

【０００２】

【従来の技術】従来半導体のベアチップを基板に固定す
る場合、ワイヤボンイングやフリップチップ、タブ等溶
融や溶接を用いるものが有った。又ベアチップの検査に
は棒状のプローブを用いていた。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】これらには次のような
欠点があった。（イ）溶融や溶接によりベアチップを基板に固定するも
のはチップの不良が発生した場合基板から不良チップを
外す必要が有る。しかしこの作業は困難な場合が多く結
果的に基板毎廃棄する場合が多かった。（ロ）プローブを用いてベアチップの特性を計測する場
合プローブから計測機器迄の配線が長いためにインダク
タンスやコンダクタンスか高くなり高周波には対応でき
なかったり、プローブそのものが小さいために製造や、
計測が難しかった。本発明はこれらの欠点を除くために
なされたものである。

【０００４】

【課題を解決するための手段】

（イ）セラミックスや樹脂等でできた基板（１）の規定
された位置に導体でできたコンタクトベース（７）及び
配線部（２）を設ける。（ロ）コンタクトベース（７）の規定された位置に導体
でできた立ち上げ部（３）を二カ所設け、更に導体でで
きた平面部（４）により二カ所の立ち上げ部（３）を互
いに接続し、且つコンタクトベース（７）との間に空間
（６）ができるように設ける。（ハ）平面部（４）の中央部に導体でできた半球状等の
形をした突起、接点部（５）を設ける。この際、立ち上
げ部（３）、平面部（４）を曲面形状としたり、立ち上
げ部（３）を一カ所とした片持ちのバネ形状としてもよ
いし更にこれらを多段に重ねて用いても良い。

【０００５】

【作用】本品を使用の場合は検査や実装等の為の基板
（１）にバネ性を具備したマイクロコンタクト（９）を
半導体ベアチップ（８）等の電極と対向する位置に設
け、上から固定機構（１１）を用いて加圧しながら接触
させることにより接点部（５）が相手の電極と接触し、
更に平面部（４）及び立ち上げ部（３）が弾性変形する
ことにより碓実に接触が保たれ、計測器（１０）による
特性計測や実装を行う事ができる。

【０００６】

【実施例】以下、発明の実施例１について図１、図２、
図３、図６、図７を用いて脱明する。（イ）セラミックスや樹脂等でできた基板（１）の規定
された位置に導体でできたコンタクトベース（７）及び
配線部（２）を基板製造技術等を用いて設ける。（ロ）コンタクトベース（７）の規定された位置に導体
でできた立ち上げ部（３）を二カ所設け、更に導体でで
きた平面部（４）により二カ所の立ち上げ部（３）を互
いに接続し、且つコンタクトベース（７）との間に空間
（６）ができるように設ける。（ハ）平面部（４）の中央部に導体でできた半球状等の
形をした突起、接点部（５）を設ける。本発明は以上のような構成で本品を使用の場合は図６、
図７に示すように検査や実装等の為の基板（１）にバネ
性を具備したマイクロコンタクト（９）を半導体ベアチ
ップ（８）等の電極と対向する位置に設け、上から固定
機構（１１）を用いて加圧しながら接触させることによ
り接点部（５）が相手の電極と接触し更に平面部（４）
及び立ち上げ部（３）が主に弾性変形することにより確
実に接触が保たれ、計測器（１０）による特性計測や実
装を行う事ができる。この際図３に示すように変位及び
接触圧を調整するために多段に重ねても良い。また、立
ち上げ部（３）、平面部（４）を曲面で構成しても良
い。

【０００７】以下、発明の実施例２について図４、図５
を用いて説明する。（イ）セラミックスや樹脂でできた基板（１）の規定さ
れた位置に導体でできたコンタクトベース（７）及び配
線部（２）を基板製造技術等を用いて設ける。（ロ）コンタクトベース（７）の規定された位置に導体
でできた立ち上げ部（３）を一カ所設け、更に導体でで
きた平面部（４）の端を立ち上げ部（３）と接続し、且
つコンタクトベース（７）との間に空間（６）ができる
ように設ける。（ハ）平面部（４）の立ち上げ部（３）と逆の端に導体
でできた半球状等の形をした突起、接点部（５）を設け
る。この際図５に示すように変位及び接圧を調整するために
多段に重ねても良い。また、立ち上げ部（３）、平面部
（４）を曲面で構成しても良い。

【０００８】

【発明の効果】

（イ）構造が単純で、基板製造技術を用いることができ
るため微少な形状で微少なピッチのコンタクトが構成で
きるため、ベアチップ等の電極との多点接触が可能とな
る。（ロ）コンタクトの導体の長さが短いためにインダクタ
ンスやコンダクタンスを従来のプローブタイプの検査ジ
グより小さくでき、より高周波に対応する事ができる。（ハ）バネ性を具備しているため基板や加重のばらつき
を吸収できるため安定的な接触を保つ事ができる。（ニ）従来のようなリフローを用いた溶融接続やワイヤ
ボンディングの様な溶接接続と異なり、機械的接続のた
め半導体の不良が発生した場合、すばやくかつ狭い範囲
の交換で済ます事が可能となり価格的に有利になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１の斜視図である。

【図２】実施例１の断面図である。

【図３】実施例１の応用例の断面図である。

【図４】実施例２の斜視図である。

【図５】実施例２の応用例の斜視図である

【図６】本発明を利用した計測概要の分解斜視図であ
る。

【図７】本発明を利用した実装概要の断面図である。

【符号の説明】

１基板２配線部３立ち上げ部４平面部５接点部６空間７コンタクトベース８半導体ベアチップ９バネ性を具備したマイクロコンタクト１０計測器１１固定機構

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】（イ）セラミックスや樹脂等でできた基板
（１）に導体でできたコンタクトベース（７）を設け
る。（ロ）コンタクトベース（７）の適当な位置に導体でで
きた立ち上げ部（３）を設け、導体でできた平面部
（４）と接続し、且つコンタクトベース（７）との間に
空間（６）ができるように設ける。（ハ）平面部（４）の適当な位置に導体でできた半球状
等の形をした突起、接点部（５）を設ける。以上の構成
のバネ性を具備したマイクロコンタクト
【請求項２】立ち上げ部（３）及び平面部（４）のどち
らか若しくは両方の形状を曲面、例えば円筒や球殻から
構成した請求項１のバネ性を具備したマイクロコンタク
ト
【請求項３】コンタクトベース（７）、立ち上げ部
（３）、平面部（４）及び接点部（５）を交互に多段に
重ね、設けた請求項１及び請求項２のバネ性を具備した
マイクロコンタクト。