JPH07161905A - 半導体装置用リードフレーム及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置用リードフレーム及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】単一めっきで良好なダイボンディング性を確保
しつつ、太径アルミワイヤと細径金ワイヤを共用して自
由にワイヤを配置できてインテリジェント化に対応させ
る。 【構成】銅合金条からなるリードフレームの機能面に無
光沢銀めっき９がストライプ状に施されている。太径の
アルミワイヤ１０がボンディングされるボンディング部
には、コイニング加工により無光沢銀めっき９が光沢平
滑化されたコイニング部２０が形成されている。ダイ７
がボンディングされるダイボンディング部分や、細径の
金ワイヤ８がボンディングされる部分は無光沢銀めっき
９のまま残っている。無光沢銀めっきが光沢平滑化され
た各コイニング部２０には太径のアルミワイヤ１０が各
１本づつボンディングしてある。
しつつ、太径アルミワイヤと細径金ワイヤを共用して自
由にワイヤを配置できてインテリジェント化に対応させ
る。 【構成】銅合金条からなるリードフレームの機能面に無
光沢銀めっき９がストライプ状に施されている。太径の
アルミワイヤ１０がボンディングされるボンディング部
には、コイニング加工により無光沢銀めっき９が光沢平
滑化されたコイニング部２０が形成されている。ダイ７
がボンディングされるダイボンディング部分や、細径の
金ワイヤ８がボンディングされる部分は無光沢銀めっき
９のまま残っている。無光沢銀めっきが光沢平滑化され
た各コイニング部２０には太径のアルミワイヤ１０が各
１本づつボンディングしてある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置用リードフ
レーム及びその製造方法に係り、特に多数チップ搭載型
のハイブリッドＩＣ用リードフレームに好適なものに関
する。
レーム及びその製造方法に係り、特に多数チップ搭載型
のハイブリッドＩＣ用リードフレームに好適なものに関
する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器及びそれらの部品は、ま
すます小型化、複雑化の傾向にあり、特に半導体デバイ
スにあっては、多数のダイを搭載することによって多機
能化、インテリジェント化を図るハイブリッドＩＣ用リ
ードフレーム（一般的には、トランジスタアレイタイプ
リードフレームと称される。）が注目されるようになっ
てきた。
すます小型化、複雑化の傾向にあり、特に半導体デバイ
スにあっては、多数のダイを搭載することによって多機
能化、インテリジェント化を図るハイブリッドＩＣ用リ
ードフレーム（一般的には、トランジスタアレイタイプ
リードフレームと称される。）が注目されるようになっ
てきた。
【０００３】図３に、銀めっきを施した一般的なハイブ
リッドＩＣ用リードフレーム及びそれへのボンディング
形態を示す。ハイブリッドＩＣ用リードフレームは、外
枠１より複数本のリード２が延出され、その先端にダイ
（チップ）パッド３が形成されている。各リード２はタ
イバー４で接続され、ダイパッド３の外側はバスバー５
で囲まれている。
リッドＩＣ用リードフレーム及びそれへのボンディング
形態を示す。ハイブリッドＩＣ用リードフレームは、外
枠１より複数本のリード２が延出され、その先端にダイ
（チップ）パッド３が形成されている。各リード２はタ
イバー４で接続され、ダイパッド３の外側はバスバー５
で囲まれている。
【０００４】このリードフレームの全面にニッケルめっ
き６が施され、さらに機能面には無光沢銀めっき９が施
されている。機能面とはダイ及びワイヤのボンディング
が可能な領域で、ダイパッド３やバスバー５のある領域
である。リードフレームに施されるめっきは、リード成
形前の銅合金条に全面にニッケルめっきし、さらに無光
沢銀ストライプめっきを機能面全面に施すことによって
成される。
き６が施され、さらに機能面には無光沢銀めっき９が施
されている。機能面とはダイ及びワイヤのボンディング
が可能な領域で、ダイパッド３やバスバー５のある領域
である。リードフレームに施されるめっきは、リード成
形前の銅合金条に全面にニッケルめっきし、さらに無光
沢銀ストライプめっきを機能面全面に施すことによって
成される。
【０００５】各ダイパッド３上にマウントされるダイ７
は、金とＳｉの共晶などの接合材により無光沢銀めっき
９の上にマウントされるため、確実に接着される。ま
た、各ダイ７上のパッド３と各リード２の無光沢銀めっ
き９の施された先端部との間には所定の配線を構成する
ための金ワイヤ８がボンディングされている。これらの
金ワイヤ８は、リード２上にあっては無光沢銀めっき９
上にボンディングされるため、確実に接続される。
は、金とＳｉの共晶などの接合材により無光沢銀めっき
９の上にマウントされるため、確実に接着される。ま
た、各ダイ７上のパッド３と各リード２の無光沢銀めっ
き９の施された先端部との間には所定の配線を構成する
ための金ワイヤ８がボンディングされている。これらの
金ワイヤ８は、リード２上にあっては無光沢銀めっき９
上にボンディングされるため、確実に接続される。
【０００６】また、特に、所定のダイパッド３（３ａお
よび３ｂ）とバスバー５との間には、大電流の流れを許
容するために金ワイヤ８が多数本（図示例では３本）重
ね打ちしてある。
よび３ｂ）とバスバー５との間には、大電流の流れを許
容するために金ワイヤ８が多数本（図示例では３本）重
ね打ちしてある。
【０００７】また、図４は、ダイボンディング手法に安
価なハンダ付けを採用するためにニッケル光沢めっきを
主としたハイブリッドＩＣ用リードフレーム及びそれへ
ボンディング形態を示す。図３と異なる点は、光沢ニッ
ケルめっき６の施されてダイパッド３上ダイ７がハンダ
でダイボンディングされ、主要なワイヤボンディングが
アルミワイヤ１０でなされている点である。また特に、
太径のアルミワイヤを使用出来ない部分（例えば、面積
に余裕のない部分）では、光沢ニッケルめっきの上に、
さらに無光沢銀めっき９を施し、そこに金ワイヤ８を重
ね打ちしている点である。
価なハンダ付けを採用するためにニッケル光沢めっきを
主としたハイブリッドＩＣ用リードフレーム及びそれへ
ボンディング形態を示す。図３と異なる点は、光沢ニッ
ケルめっき６の施されてダイパッド３上ダイ７がハンダ
でダイボンディングされ、主要なワイヤボンディングが
アルミワイヤ１０でなされている点である。また特に、
太径のアルミワイヤを使用出来ない部分（例えば、面積
に余裕のない部分）では、光沢ニッケルめっきの上に、
さらに無光沢銀めっき９を施し、そこに金ワイヤ８を重
ね打ちしている点である。
【０００８】このように、ダイボンド材やワイヤの種類
によってめっき方法が異なるが、最適なボンディングが
得られる一般的な組合わせ例をあげると表１のようにな
る。
によってめっき方法が異なるが、最適なボンディングが
得られる一般的な組合わせ例をあげると表１のようにな
る。
【０００９】
【表１】
【００１０】表１の括弧番号に対応するリードフレーム
成形加工前のストライプめっき合金条を図５に示す。な
お、合金条１１の素材は銅である。表１の(1) に対応す
る（ａ）は全面ニッケルめっき１２、（ｂ）は部分ニッ
ケルめっき１２の場合である。(2) に対応する（ｃ）は
全面銀めっき１３、（ｄ）は銀ストライプめっき１３の
場合である。(3) に対応する（ｅ）は（全面ニッケルめ
っき１２）＋（銀ストライプめっき１３）、（ｆ）（部
分ニッケルめっき１２）＋（銀ストライプめっき１３）
の場合である。このようなストライプめっき条を精密プ
レス加工して洗浄し、所望形状のリードフレームを形成
し、その後、図３または図４のようにダイボンディング
およびワイヤボンディングが行われる。
成形加工前のストライプめっき合金条を図５に示す。な
お、合金条１１の素材は銅である。表１の(1) に対応す
る（ａ）は全面ニッケルめっき１２、（ｂ）は部分ニッ
ケルめっき１２の場合である。(2) に対応する（ｃ）は
全面銀めっき１３、（ｄ）は銀ストライプめっき１３の
場合である。(3) に対応する（ｅ）は（全面ニッケルめ
っき１２）＋（銀ストライプめっき１３）、（ｆ）（部
分ニッケルめっき１２）＋（銀ストライプめっき１３）
の場合である。このようなストライプめっき条を精密プ
レス加工して洗浄し、所望形状のリードフレームを形成
し、その後、図３または図４のようにダイボンディング
およびワイヤボンディングが行われる。
【００１１】このように従来は、銀めっきを使用する
場合には金ワイヤを使用するしか方法がなく、ワイヤを
太径とするためには多数本の金ワイヤ８を重ね打ちして
使用していた（図３）。また、ダイボンドに関して
は、安価なハンダ付けを採用しようとする場合、めっき
は光沢ニッケルめっきのみでよかったが、太径のアルミ
ワイヤを使用出来ない部分では金ワイヤが必要となり、
そのために部分的に銀めっき９を施す必要が生じていた
（図４）。またインテリジェント化が進むにしたがっ
て部分ニッケルめっきと部分銀めっきとを複雑に組み合
わせる必要が生じる場合が多くなった。
場合には金ワイヤを使用するしか方法がなく、ワイヤを
太径とするためには多数本の金ワイヤ８を重ね打ちして
使用していた（図３）。また、ダイボンドに関して
は、安価なハンダ付けを採用しようとする場合、めっき
は光沢ニッケルめっきのみでよかったが、太径のアルミ
ワイヤを使用出来ない部分では金ワイヤが必要となり、
そのために部分的に銀めっき９を施す必要が生じていた
（図４）。またインテリジェント化が進むにしたがっ
て部分ニッケルめっきと部分銀めっきとを複雑に組み合
わせる必要が生じる場合が多くなった。
【００１２】つまり従来は、金ワイヤとアルミワイヤと
の共用の必要があるリードフレームを欲する場合には、
太径アルミワイヤの代用として細径の金ワイヤを多数本
重ね打ちして使用するか（金ワイヤの重ね打ち）、又は
ニッケルめっきと銀めっきとを複雑に配置した高価なめ
っき材を使用するか（異種めっきの複雑配置）、又はダ
イボンディング性をある程度犠牲にして半光沢の銀めっ
きを使用するか（半光沢銀めっきによるワイヤの共用
化）、などすることによって多数チップ配置を達成する
リードフレームを作ってきた。
の共用の必要があるリードフレームを欲する場合には、
太径アルミワイヤの代用として細径の金ワイヤを多数本
重ね打ちして使用するか（金ワイヤの重ね打ち）、又は
ニッケルめっきと銀めっきとを複雑に配置した高価なめ
っき材を使用するか（異種めっきの複雑配置）、又はダ
イボンディング性をある程度犠牲にして半光沢の銀めっ
きを使用するか（半光沢銀めっきによるワイヤの共用
化）、などすることによって多数チップ配置を達成する
リードフレームを作ってきた。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述した従来
の技術には、次のような問題があった。
の技術には、次のような問題があった。
【００１４】(1) 金ワイヤの重ね打ちによって、大径の
アルミワイヤの代用を果す場合、金ワイヤを多数本使用
するため高価になる。
アルミワイヤの代用を果す場合、金ワイヤを多数本使用
するため高価になる。
【００１５】(2) 異種めっきの複雑配置によってアルミ
ワイヤと金ワイヤの共用を果すこともできるが、その場
合でも、ニッケルめっきと銀ストライプめっきとの両方
のめっきを施した合金条を使用する必要があるため高価
となる。
ワイヤと金ワイヤの共用を果すこともできるが、その場
合でも、ニッケルめっきと銀ストライプめっきとの両方
のめっきを施した合金条を使用する必要があるため高価
となる。
【００１６】(3) 半光沢銀めっきによる共用化は、ダイ
ボンディング性を多少犠牲にしてきたため、大型チップ
化の流れの中でダイボンディング性の不具合発生が高く
なり、限界がきている。
ボンディング性を多少犠牲にしてきたため、大型チップ
化の流れの中でダイボンディング性の不具合発生が高く
なり、限界がきている。
【００１７】(4) そして、多数チップの組合せ、複雑な
ワイヤ接続を要するインテリジェント化の一層の進行に
より、部分ニッケルめっきと部分銀めっきの組合せ処理
によって、共用ワイヤ化を目指すことは次第に困難にな
っている。
ワイヤ接続を要するインテリジェント化の一層の進行に
より、部分ニッケルめっきと部分銀めっきの組合せ処理
によって、共用ワイヤ化を目指すことは次第に困難にな
っている。
【００１８】本発明の目的は、上述した従来技術の欠点
を解消し、良好なダイボンディング性を確保しつつ、ア
ルミワイヤと金ワイヤとを共用して自由にワイヤを配置
でき、インテリジェント化にも十分対応できる半導体装
置用リードフレームを提供することにある。
を解消し、良好なダイボンディング性を確保しつつ、ア
ルミワイヤと金ワイヤとを共用して自由にワイヤを配置
でき、インテリジェント化にも十分対応できる半導体装
置用リードフレームを提供することにある。
【００１９】また、本発明の目的は、そのようなインテ
リジェント化に対応できる半導体リードフレームを容易
に製造することができる半導体装置用リードフレームの
製造方法を提供することにある。
リジェント化に対応できる半導体リードフレームを容易
に製造することができる半導体装置用リードフレームの
製造方法を提供することにある。
【００２０】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置用リ
ードフレームは、ダイ及びワイヤのボンディングが可能
な領域を機能面とする半導体装置用リードフレームにお
いて、少なくとも上記機能面に無光沢銀めっきを有し、
この無光沢銀めっきを有する機能面の一部にコイニング
加工によって無光沢銀めっきを光沢平滑化したコイニン
グ部が形成されているものである。
ードフレームは、ダイ及びワイヤのボンディングが可能
な領域を機能面とする半導体装置用リードフレームにお
いて、少なくとも上記機能面に無光沢銀めっきを有し、
この無光沢銀めっきを有する機能面の一部にコイニング
加工によって無光沢銀めっきを光沢平滑化したコイニン
グ部が形成されているものである。
【００２１】この場合においてコイニング部を形成する
機能面の一部を、ワイヤボンディング部とする他に、さ
らにダイボンディング部にも広げ、ダイボンディング部
に形成するコイニング部は、その周囲を閉じるように形
成して接合材が拡がらないようにすることができる。こ
こで、ワイヤボンディング部およびダイボンディング部
とは、実際にワイヤないしダイボンディングされる部分
およびその近傍をいう。コイニング部は、その部分が数
μｍ程度の深さに潰されていることが好ましい。
機能面の一部を、ワイヤボンディング部とする他に、さ
らにダイボンディング部にも広げ、ダイボンディング部
に形成するコイニング部は、その周囲を閉じるように形
成して接合材が拡がらないようにすることができる。こ
こで、ワイヤボンディング部およびダイボンディング部
とは、実際にワイヤないしダイボンディングされる部分
およびその近傍をいう。コイニング部は、その部分が数
μｍ程度の深さに潰されていることが好ましい。
【００２２】また、本発明の半導体装置用リードフレー
ムの製造方法は、無光沢銀めっきを施した銅合金条をプ
レス加工によってリードフレームに成形する時に、同時
に同一金型内でコイニング加工して銅合金条の無光沢銀
めっきの一部に光沢平滑化処理を施すようにしたもので
ある。
ムの製造方法は、無光沢銀めっきを施した銅合金条をプ
レス加工によってリードフレームに成形する時に、同時
に同一金型内でコイニング加工して銅合金条の無光沢銀
めっきの一部に光沢平滑化処理を施すようにしたもので
ある。
【００２３】
【作用】リードフレーム用素材として少なくとも機能面
に銀めっきを施した銅合金条を用いる。この機能面に無
光沢銀めっきを施すことで、ダイボンディング部にあっ
ては種々のダイボンド材の選択ができるようにしてダイ
ボンド手法の多機能化を可能とし、かつワイヤボンディ
ング部にあっては金ワイヤの接着性を優れたものとす
る。
に銀めっきを施した銅合金条を用いる。この機能面に無
光沢銀めっきを施すことで、ダイボンディング部にあっ
ては種々のダイボンド材の選択ができるようにしてダイ
ボンド手法の多機能化を可能とし、かつワイヤボンディ
ング部にあっては金ワイヤの接着性を優れたものとす
る。
【００２４】銀ストライプめっきを施した銅合金条から
リードフレームを成形するためにプレス精密打ち抜き加
工をするが、そのプレス加工時に、機能面の一部である
ボンディング部にコイニング加工を施して、部分的に光
沢平滑銀化処理を行ない、銀めっきでもアルミボンディ
ングの密着性を優れたものとする。
リードフレームを成形するためにプレス精密打ち抜き加
工をするが、そのプレス加工時に、機能面の一部である
ボンディング部にコイニング加工を施して、部分的に光
沢平滑銀化処理を行ない、銀めっきでもアルミボンディ
ングの密着性を優れたものとする。
【００２５】この場合において、コイニング加工は、ア
ルミワイヤを配したいボンディング点およびその近傍、
またはダイを配したいボンディング点およびその近傍の
みで足りる。
ルミワイヤを配したいボンディング点およびその近傍、
またはダイを配したいボンディング点およびその近傍の
みで足りる。
【００２６】なお、銀の無光沢めっきと銅合金条との間
に、ニッケルめっきを全面または部分的に施して、めっ
きをニッケルと銀めっきとの組合せとしてもよく、その
場合、ニッケルめっきは光沢、無光沢のどちらでも良
い。但し、銀めっきは安価な無光沢銀めっきとする。
に、ニッケルめっきを全面または部分的に施して、めっ
きをニッケルと銀めっきとの組合せとしてもよく、その
場合、ニッケルめっきは光沢、無光沢のどちらでも良
い。但し、銀めっきは安価な無光沢銀めっきとする。
【００２７】また、銀めっき厚は、ダイまたはワイヤ接
続時の加熱条件にもよるが、一般的には２μm 以上であ
ればよい。また、プレス加工時のコイニング量は、数μ
m 深さのオーダーであり、その場合コイニング後の銀め
っき厚は初期銀めっき厚の１０〜２０％減の厚さとなる
が、この程度であればボンディング上問題はない。
続時の加熱条件にもよるが、一般的には２μm 以上であ
ればよい。また、プレス加工時のコイニング量は、数μ
m 深さのオーダーであり、その場合コイニング後の銀め
っき厚は初期銀めっき厚の１０〜２０％減の厚さとなる
が、この程度であればボンディング上問題はない。
【００２８】なお、アルミワイヤを使用可能とするため
には、初期の無光沢銀めっき表面が潰れていて光沢が出
る程度とする必要があるが、そのためには数μm 、すな
わち３〜５μm でよく、この加工レベルは地肌が割れた
りするなどの悪影響を及ぼさない程度であればよい。
には、初期の無光沢銀めっき表面が潰れていて光沢が出
る程度とする必要があるが、そのためには数μm 、すな
わち３〜５μm でよく、この加工レベルは地肌が割れた
りするなどの悪影響を及ぼさない程度であればよい。
【００２９】
【実施例】以下、本発明の半導体装置用リードフレーム
の実施例を図面を用いて説明する。図１は本実施例によ
るハイブリッドＩＣ用リードフレームの部分平面図であ
り、図２は本実施例に供するストライプめっき銅合金条
の断面図である。
の実施例を図面を用いて説明する。図１は本実施例によ
るハイブリッドＩＣ用リードフレームの部分平面図であ
り、図２は本実施例に供するストライプめっき銅合金条
の断面図である。
【００３０】ハイブリッドＩＣ用リードフレームは、外
枠１を共通にし、これより複数本のリード２が垂直に延
出され、そのリード２の先端に所定の形状をしたダイパ
ッド３が形成されている。各リード２間はタイバー４で
接続されると共に、ダイパッド３の外側は、両側のリー
ド２から水平方向に延びたバスバー５で囲まれている。
枠１を共通にし、これより複数本のリード２が垂直に延
出され、そのリード２の先端に所定の形状をしたダイパ
ッド３が形成されている。各リード２間はタイバー４で
接続されると共に、ダイパッド３の外側は、両側のリー
ド２から水平方向に延びたバスバー５で囲まれている。
【００３１】このリードフレームは銅の地肌がそのまま
露出したものを使用し、機能面全面に無光沢銀めっき９
がストライプ状に施されている。機能面は、図中、ダイ
パッド３が並んでいる領域面、バスバー５の領域面、お
よびダイパッド３の近傍のリード面である。このめっき
は、リード成形前の銅合金条に無光沢銀ストライプめっ
きを施すことによってなされる。
露出したものを使用し、機能面全面に無光沢銀めっき９
がストライプ状に施されている。機能面は、図中、ダイ
パッド３が並んでいる領域面、バスバー５の領域面、お
よびダイパッド３の近傍のリード面である。このめっき
は、リード成形前の銅合金条に無光沢銀ストライプめっ
きを施すことによってなされる。
【００３２】無光沢銀めっき９の施された機能面の一
部、すなわち実際にワイヤボンディングがなされる点に
近いボンディング部であって、そのワイヤに大電流を流
す部分には、コイニング加工によって光沢平滑化された
コイニング部２０が形成されている。コイニング部２０
は、図示例では、バスバー５に２箇所、ダイパッド３に
１箇所、ダイパッド３に隣接するリード２に２箇所、計
５箇所に形成されている。コイニング部２０は、銅合金
条の該当部が叩かれて５μm 程度の深さの凹状平坦部と
なっている。
部、すなわち実際にワイヤボンディングがなされる点に
近いボンディング部であって、そのワイヤに大電流を流
す部分には、コイニング加工によって光沢平滑化された
コイニング部２０が形成されている。コイニング部２０
は、図示例では、バスバー５に２箇所、ダイパッド３に
１箇所、ダイパッド３に隣接するリード２に２箇所、計
５箇所に形成されている。コイニング部２０は、銅合金
条の該当部が叩かれて５μm 程度の深さの凹状平坦部と
なっている。
【００３３】各ダイパッド３上には、ボンディングしや
すいように所定の方向にダイ７がマウントされている。
これらダイ７は無光沢銀めっきを施されたダイパッド３
上にマウントされるため、ダイボンド材はハンダ、Ａｕ
−Ｓｉ共晶、または銀ペーストのいずれを用いても確実
に接着できる。
すいように所定の方向にダイ７がマウントされている。
これらダイ７は無光沢銀めっきを施されたダイパッド３
上にマウントされるため、ダイボンド材はハンダ、Ａｕ
−Ｓｉ共晶、または銀ペーストのいずれを用いても確実
に接着できる。
【００３４】また、各ダイパッド３上のダイ７と、ダイ
パッド３やリード先端部、あるいはバスバー５との間で
あって、電流容量をあまり必要としない配線部分には、
細径金ワイヤ８が無光沢銀めっき上にボンディングされ
ている。これらの金ワイヤ８は、無光沢銀めっき上でボ
ンディングされるため、確実に接続される。
パッド３やリード先端部、あるいはバスバー５との間で
あって、電流容量をあまり必要としない配線部分には、
細径金ワイヤ８が無光沢銀めっき上にボンディングされ
ている。これらの金ワイヤ８は、無光沢銀めっき上でボ
ンディングされるため、確実に接続される。
【００３５】また、バスバー５およびリード２の一部に
形成された計５箇所のコイニング部２０と、所定のダイ
７間は、１本の太径のアルミワイヤ１０でそれぞれボン
ディングしてある。アルミワイヤにあっても、コイニン
グ部２０の無光沢銀めっきが光沢平滑化されているた
め、確実に接続される。
形成された計５箇所のコイニング部２０と、所定のダイ
７間は、１本の太径のアルミワイヤ１０でそれぞれボン
ディングしてある。アルミワイヤにあっても、コイニン
グ部２０の無光沢銀めっきが光沢平滑化されているた
め、確実に接続される。
【００３６】さて次に、このようなハイブリッドＩＣ用
リードフレームを製造する方法の実施例について説明す
る。図２に示すように、リードフレームの素材は、銅合
金条１１に連続的に無光沢銀ストライプめっき１９を施
したもので、これは汎用的で最も安価なものである。こ
れをリードフレームとするために所定の形状にプレス加
工するが、プレス加工時に同一金型中にて、実際にアル
ミワイヤボンディングの必要とされるボンディング部箇
所のみを選定して５μm 程度のコイニングを施す。これ
によりコイニング部２０は、そこに施されている光沢銀
めっきが光沢平滑化処理されるためアルミワイヤボンデ
ィング性が良好となる。なお、それ以外の部分は初期の
無光沢銀めっき表面を維持形成しており、金ワイヤボン
ディング性、ダイボンディング性とも良好な面を残して
いる。
リードフレームを製造する方法の実施例について説明す
る。図２に示すように、リードフレームの素材は、銅合
金条１１に連続的に無光沢銀ストライプめっき１９を施
したもので、これは汎用的で最も安価なものである。こ
れをリードフレームとするために所定の形状にプレス加
工するが、プレス加工時に同一金型中にて、実際にアル
ミワイヤボンディングの必要とされるボンディング部箇
所のみを選定して５μm 程度のコイニングを施す。これ
によりコイニング部２０は、そこに施されている光沢銀
めっきが光沢平滑化処理されるためアルミワイヤボンデ
ィング性が良好となる。なお、それ以外の部分は初期の
無光沢銀めっき表面を維持形成しており、金ワイヤボン
ディング性、ダイボンディング性とも良好な面を残して
いる。
【００３７】このように形成したリードフレームに適切
なダイボンド材を用いて各ダイ７を搭載し、所定のダイ
間とリードないしダイパッド部間を金ワイヤボンディン
グし、さらに所定の部分間を太径アルミボンディングし
て、図１のようなボンディング実装を施したハイブリッ
ドＩＣ用リードフレームを得る。
なダイボンド材を用いて各ダイ７を搭載し、所定のダイ
間とリードないしダイパッド部間を金ワイヤボンディン
グし、さらに所定の部分間を太径アルミボンディングし
て、図１のようなボンディング実装を施したハイブリッ
ドＩＣ用リードフレームを得る。
【００３８】以上述べたように、本実施例によればダイ
パッドないしリード、あるいはバスバー上への太径アル
ミワイヤのボンディングは、無光沢銀めっきが光沢平滑
化されたコイニング部に対して行なわれる。通常、アル
ミワイヤは超音波圧着でボンディングするので、光沢ニ
ッケル等の硬い平滑な面で有効である。しかし、本実施
例のように当初、軟らかい無光沢銀めっきでも、数μm
のコイニング加工で表面を潰して平滑化したコイニング
部上に対して行なわれるため、超音波圧着でもかなりの
強度を有するボンディングを形成することができる。
パッドないしリード、あるいはバスバー上への太径アル
ミワイヤのボンディングは、無光沢銀めっきが光沢平滑
化されたコイニング部に対して行なわれる。通常、アル
ミワイヤは超音波圧着でボンディングするので、光沢ニ
ッケル等の硬い平滑な面で有効である。しかし、本実施
例のように当初、軟らかい無光沢銀めっきでも、数μm
のコイニング加工で表面を潰して平滑化したコイニング
部上に対して行なわれるため、超音波圧着でもかなりの
強度を有するボンディングを形成することができる。
【００３９】従って、多数のダイを搭載することによっ
て多機能化、インテリジェント化を図るハイブリッドＩ
Ｃ用リードフレームのように、ワイヤボンディングに太
径のアルミワイヤと細径の金ワイヤとを共用する品種
（表１の(3) ）に対して、コイニング加工を施すことに
より１種類のめっきのみで対応することができる。
て多機能化、インテリジェント化を図るハイブリッドＩ
Ｃ用リードフレームのように、ワイヤボンディングに太
径のアルミワイヤと細径の金ワイヤとを共用する品種
（表１の(3) ）に対して、コイニング加工を施すことに
より１種類のめっきのみで対応することができる。
【００４０】また、リードフレーム上の任意の部分にコ
イニング部を形成することができるので、部分ニッケル
めっきと部分銀めっきとを複雑に組み合わせることな
く、アルミワイヤと金ワイヤとを共用して自由にワイヤ
を配置でき、インテリジェント化に十分対応できる。
イニング部を形成することができるので、部分ニッケル
めっきと部分銀めっきとを複雑に組み合わせることな
く、アルミワイヤと金ワイヤとを共用して自由にワイヤ
を配置でき、インテリジェント化に十分対応できる。
【００４１】また、無光沢銀ストライプめっきを機能面
全面に施した上で、リードフレーム形成時に、同一金型
内においてボンディング部分にのみコイニング加工を施
すという簡単な方法により、良好なダイボンディング性
を確保しつつ、アルミワイヤと金ワイヤとの共用を実現
できる。
全面に施した上で、リードフレーム形成時に、同一金型
内においてボンディング部分にのみコイニング加工を施
すという簡単な方法により、良好なダイボンディング性
を確保しつつ、アルミワイヤと金ワイヤとの共用を実現
できる。
【００４２】なお、上記実施例では、コイニング部をワ
イヤボンディング部のにみ形成したが、本発明はこれに
限定されない。例えば、ダイ付け予定面であるダイボン
ディング部にもコイニング部を形成し、その周囲が閉じ
た穴形状とすれば、ダイの位置決めが容易になり、ま
た、ダイボンド材にハンダ付けや銀ペーストを使用して
も、ハンダや銀ペーストがコイニング部に閉じ込められ
るため、それらの漏れ拡がりを有効に抑えることがで
き、その結果実装密度を上げることができる。
イヤボンディング部のにみ形成したが、本発明はこれに
限定されない。例えば、ダイ付け予定面であるダイボン
ディング部にもコイニング部を形成し、その周囲が閉じ
た穴形状とすれば、ダイの位置決めが容易になり、ま
た、ダイボンド材にハンダ付けや銀ペーストを使用して
も、ハンダや銀ペーストがコイニング部に閉じ込められ
るため、それらの漏れ拡がりを有効に抑えることがで
き、その結果実装密度を上げることができる。
【００４３】なお、本発明はハイブリッドＩＣ用リード
フレーム以外のリードフレームにも適用できることは勿
論である。
フレーム以外のリードフレームにも適用できることは勿
論である。
【００４４】
【発明の効果】(1) 請求項１に記載の半導体装置用リー
ドフレームによれば、汎用的な無光沢銀めっきのみを利
用しながら、特に複雑なダイ配置の場合でも、必要部を
コイニングすることによって、アルミワイヤのボンディ
ングを可能にすることができる。従って、従来、多数本
の金ワイヤによってボンディング処理していたものをア
ルミワイヤ１本で済ますことができるので、安価に製造
できる。また、必要部をコイニング加工するのみで足り
るので、ワイヤ配置が自由となり、従来では不可能だっ
た複雑なダイ配置を可能とし、インテリジェント化を一
層促進することができる。
ドフレームによれば、汎用的な無光沢銀めっきのみを利
用しながら、特に複雑なダイ配置の場合でも、必要部を
コイニングすることによって、アルミワイヤのボンディ
ングを可能にすることができる。従って、従来、多数本
の金ワイヤによってボンディング処理していたものをア
ルミワイヤ１本で済ますことができるので、安価に製造
できる。また、必要部をコイニング加工するのみで足り
るので、ワイヤ配置が自由となり、従来では不可能だっ
た複雑なダイ配置を可能とし、インテリジェント化を一
層促進することができる。
【００４５】(2) 請求項2 に記載の半導体装置用リード
フレームによれば、ダイボンディング部に周囲の閉じた
コイニング部を形成してあるので、ダイボンディング時
にダイ接合材が拡がるのを有効に防止することができ
る。
フレームによれば、ダイボンディング部に周囲の閉じた
コイニング部を形成してあるので、ダイボンディング時
にダイ接合材が拡がるのを有効に防止することができ
る。
【００４６】(3) 請求項3 に記載の半導体装置用リード
フレームの製造方法によれば、リードフレーム成形時
に、同一金型内において同時にコイニング加工を施すの
で、工程を増やすことなく、簡単かつ安価に製造するこ
とができる。
フレームの製造方法によれば、リードフレーム成形時
に、同一金型内において同時にコイニング加工を施すの
で、工程を増やすことなく、簡単かつ安価に製造するこ
とができる。
【図１】本発明の半導体装置用リードフレームを適用し
た実施例によるハイブリッドＩＣ用リードフレームの要
部平面図。
た実施例によるハイブリッドＩＣ用リードフレームの要
部平面図。
【図２】本実施例によるリードフレーム用のストライプ
めっき銅合金条の側断面。
めっき銅合金条の側断面。
【図３】従来例のハイブリッドＩＣ用リードフレームの
要部平面図。
要部平面図。
【図５】各種ストライプめっき条の組合せ例を示す説明
図。
図。
１ 外枠 ２ リード ３ ダイパッド ４ タイバー ５ バスバー ７ ダイ ８ 金ワイヤ（細径） ９ 無光沢銀めっき １０ アルミワイヤ（太径） １１ 銅合金条 １９ 無光沢銀ストライプ銀めっき
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成６年６月１３日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】追加
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体装置用リードフレームを適用し
た実施例によるハイブリッドＩＣ用リードフレームの要
部平面図。
た実施例によるハイブリッドＩＣ用リードフレームの要
部平面図。
【図２】本実施例によるリードフレーム用のストライプ
めっき銅合金条の側断面。
めっき銅合金条の側断面。
【図３】従来例のハイブリッドＩＣ用リードフレームの
要部平面図。
要部平面図。
【図４】他の従来例のハイブリッドＩＣ用リードフレー
ムの要部平面図。
ムの要部平面図。
【図５】各種ストライプめっき条の組合せ例を示す説明
図。
図。
【符号の説明】 １ 外枠 ２ リード ３ ダイパッド ４ タイバー ５ バスバー ７ ダイ ８ 金ワイヤ（細径） ９ 無光沢銀めっき １０ アルミワイヤ（太径） １１ 銅合金条 １９ 無光沢銀ストライプ銀めっき
Claims (3)
- 【請求項１】ダイ及びワイヤのボンディングが可能な領
域を機能面とする半導体装置用リードフレームにおい
て、少なくとも上記機能面に無光沢銀めっきを有し、こ
の無光沢銀めっきを有する機能面の一部に、コイニング
加工によって上記無光沢銀めっきを光沢平滑化したコイ
ニング部が形成されていることを特徴とする半導体装置
用リードフレーム。 - 【請求項２】上記コイニング部の形成される機能面の一
部がワイヤを接続するためのワイヤボンディング部、及
びダイを接続するためのダイボンディング部であり、該
ダイボンディング部に形成されたコイニング部は周囲が
閉じている請求項１に記載の半導体装置用リードフレー
ム。 - 【請求項３】無光沢銀めっきを施した銅合金条をプレス
加工によってリードフレームに成形する時に、同時に同
一金型内でコイニング加工して銅合金条の無光沢銀めっ
きの一部に光沢平滑化処理を施すことを特徴とする半導
体装置用リードフレームの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5311636A JPH07161905A (ja) | 1993-12-13 | 1993-12-13 | 半導体装置用リードフレーム及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5311636A JPH07161905A (ja) | 1993-12-13 | 1993-12-13 | 半導体装置用リードフレーム及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07161905A true JPH07161905A (ja) | 1995-06-23 |
Family
ID=18019658
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5311636A Pending JPH07161905A (ja) | 1993-12-13 | 1993-12-13 | 半導体装置用リードフレーム及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07161905A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5739055A (en) * | 1995-08-11 | 1998-04-14 | Samsung Aerospace Industries, Ltd. | Method for preparing a substrate for a semiconductor package |
| WO1998024128A1 (fr) * | 1996-11-28 | 1998-06-04 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Dispositif a semi-conducteur |
| JP2003086756A (ja) * | 2001-09-11 | 2003-03-20 | Denso Corp | Ｉｃパッケージおよびその製造方法 |
-
1993
- 1993-12-13 JP JP5311636A patent/JPH07161905A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5739055A (en) * | 1995-08-11 | 1998-04-14 | Samsung Aerospace Industries, Ltd. | Method for preparing a substrate for a semiconductor package |
| WO1998024128A1 (fr) * | 1996-11-28 | 1998-06-04 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Dispositif a semi-conducteur |
| US5998856A (en) * | 1996-11-28 | 1999-12-07 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
| JP2003086756A (ja) * | 2001-09-11 | 2003-03-20 | Denso Corp | Ｉｃパッケージおよびその製造方法 |
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