JPH07122613A - Semiconductor production system - Google Patents
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- JPH07122613A JPH07122613A JP28576793A JP28576793A JPH07122613A JP H07122613 A JPH07122613 A JP H07122613A JP 28576793 A JP28576793 A JP 28576793A JP 28576793 A JP28576793 A JP 28576793A JP H07122613 A JPH07122613 A JP H07122613A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は基板上に化学気相成長に
より膜を生成する半導体製造装置に関し、特に、基板を
支持するサセプタを非接触で支持し移動させる技術に関
する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus for forming a film on a substrate by chemical vapor deposition, and more particularly to a technique for supporting and moving a susceptor supporting the substrate in a non-contact manner.
【0002】[0002]
【従来の技術】半導体装置の製造には、反応室内で反応
ガスを熱分解して基板上に膜を生成させる化学気相成長
法(CVD法:Chemical Vapor Deposition)が広く利
用されている。また、この内、ガリウム砒素等の生成は
トリメチルガリウム等の有機金属を用いるため、有機金
属気相成長法(MOCVD法:Metal Organic Chemical
VaporDeposition)と呼ばれている。2. Description of the Related Art In the manufacture of semiconductor devices, a chemical vapor deposition method (CVD method) in which a reaction gas is thermally decomposed in a reaction chamber to form a film on a substrate is widely used. Further, among these, since an organic metal such as trimethylgallium is used for the production of gallium arsenide or the like, a metal organic chemical vapor deposition method (MOCVD method: Metal Organic Chemical
Vapor Deposition) is called.
【0003】上記のようなCVD法による半導体製造装
置は、従来では図6に示すようなものがあった。この半
導体製造装置は反応室1を有しており、反応ガス供給口
2から供給した反応ガスをサセプタ3に支持した基板上
に流し、加熱手段5で所定の反応温度に加熱しつつ反応
を促進させて、基板上に半導体膜、絶縁膜、超伝導膜等
を生成するものである。Conventionally, there is a semiconductor manufacturing apparatus using the CVD method as shown in FIG. This semiconductor manufacturing apparatus has a reaction chamber 1, and a reaction gas supplied from a reaction gas supply port 2 is flown onto a substrate supported by a susceptor 3, and a reaction is promoted while being heated to a predetermined reaction temperature by a heating means 5. Then, a semiconductor film, an insulating film, a superconducting film, or the like is formed on the substrate.
【0004】この半導体製造装置には反応室1の下方に
連設されたローディングチャンバ6が備えられており、
このローディングチャンバ6内でサセプタ3上への基板
の着脱がなされる。すなわち、サセプタ3を取り付けた
連結棒7を下方へ移動させてサセプタ3をローディング
チャンバ6内に位置させ、出入扉8を開けて第2のロー
ディングチャンバ(図示せず)との間でサセプタ3上へ
基板を着脱する。This semiconductor manufacturing apparatus is provided with a loading chamber 6 which is continuously provided below the reaction chamber 1.
Substrates are attached to and detached from the susceptor 3 in the loading chamber 6. That is, the connecting rod 7 to which the susceptor 3 is attached is moved downward to position the susceptor 3 in the loading chamber 6, the door 8 is opened, and the susceptor 3 is placed on the susceptor 3 between the second loading chamber (not shown). Attach and detach the board.
【0005】連結棒7はドライベアリング9によって軸
方向へ移動自在に軸受されており、この連結棒7の下端
部はローディングチャンバ6の外部へ突出している。な
お、この連結棒7の軸受部分には伸縮ベロー10が設け
られており、ローディングチャンバ6内の気密が保持さ
れている。連結棒7の下端にはガイドバー11によって
案内されるスライダ12が取り付けられており、図示し
ないモータやシリンダ装置でスライダ12を上下動させ
ることによって、サセプタ3を反応室1とローディング
チャンバ6との間で往復移動させることができる。ま
た、連結棒7の中間部には蓋部材13が取り付けられて
おり、連結棒7が上方へ押し上げられてサセプタ3が反
応室1内に位置する状態では蓋部材13によって反応室
1はローディングチャンバ6から隔離される。なお、図
中の、符号14はガスの排気口、15はローディングチ
ャンバ6内を真空引きするために真空ポンプ(図示せ
ず)に連結された真空引き口、16は掃除やメンテナン
スのための点検扉である。The connecting rod 7 is movably supported in the axial direction by a dry bearing 9, and the lower end of the connecting rod 7 projects to the outside of the loading chamber 6. An expandable bellows 10 is provided at the bearing portion of the connecting rod 7 to keep the loading chamber 6 airtight. A slider 12 guided by a guide bar 11 is attached to the lower end of the connecting rod 7, and the slider 12 is moved up and down by a motor or a cylinder device (not shown) to move the susceptor 3 between the reaction chamber 1 and the loading chamber 6. It can be moved back and forth between. A lid member 13 is attached to an intermediate portion of the connecting rod 7, and the reaction chamber 1 is loaded into the loading chamber by the lid member 13 when the connecting rod 7 is pushed upward and the susceptor 3 is located in the reaction chamber 1. Separated from 6. In the figure, reference numeral 14 is a gas exhaust port, 15 is a vacuum outlet connected to a vacuum pump (not shown) for evacuating the loading chamber 6, and 16 is an inspection for cleaning or maintenance. It's a door.
【0006】上記構成の半導体製造装置によれば、連結
棒7を下方へ引き下げてサセプタ3をローディングチャ
ンバ6内に位置させ、サセプタ3に基板を載置した後
に、連結棒7を上方へ押し上げてサセプタ3(基板)を
反応室1内に位置させ、基板上に所望の膜を生成するこ
とができる。According to the semiconductor manufacturing apparatus having the above structure, the connecting rod 7 is pulled down to position the susceptor 3 in the loading chamber 6, the substrate is placed on the susceptor 3, and then the connecting rod 7 is pushed upward. The susceptor 3 (substrate) can be positioned in the reaction chamber 1 to produce a desired film on the substrate.
【0007】ここで、半導体製造の過程では雰囲気を清
浄に保つことが要求され、ローディングチャンバ6内は
清浄な真空雰囲気にされ、場合によっては高純度な窒素
ガスに置換される。しかしながら、図6に示す従来の半
導体製造装置は、サセプタ3を移動させる連結棒7を機
械的なドライベアリング9で軸受しているため、長時間
の使用によっては微細な金属粉(粒子)等が発生してロ
ーディングチャンバ6内および反応室1内の清浄な雰囲
気を汚染してしまうことがあった。Here, in the process of semiconductor manufacturing, it is required to keep the atmosphere clean, the inside of the loading chamber 6 is made a clean vacuum atmosphere, and in some cases, it is replaced with high-purity nitrogen gas. However, in the conventional semiconductor manufacturing apparatus shown in FIG. 6, since the connecting rod 7 for moving the susceptor 3 is borne by the mechanical dry bearing 9, fine metal powder (particles) or the like may be generated when used for a long time. Occurrences may occur and contaminate the clean atmosphere in the loading chamber 6 and the reaction chamber 1.
【0008】上記のような事情から、ドライベアリング
9を用いない構造の半導体製造装置が提案されている。
この半導体製造装置は、図7に示すように、ローディン
グチャンバ6を、従来と同じくステンレス鋼等の剛体構
造部分6Aと、例えば金属薄板の溶接構造の伸縮ベロー
部分6Bと、底板部分6Cとから構成し、この底板部分
6Cに連結棒7を取り付けた構造を有している。この半
導体製造装置によれば、連結棒7を装置の外部へ突出さ
せて機械的な軸受で支持する必要がないので、上記した
雰囲気を汚染するという問題を解消することができる。Under the circumstances described above, a semiconductor manufacturing apparatus having a structure not using the dry bearing 9 has been proposed.
In this semiconductor manufacturing apparatus, as shown in FIG. 7, a loading chamber 6 includes a rigid structure portion 6A made of stainless steel or the like, a telescopic bellows portion 6B having a welded structure of a thin metal plate, and a bottom plate portion 6C as in the conventional case. However, it has a structure in which the connecting rod 7 is attached to the bottom plate portion 6C. According to this semiconductor manufacturing apparatus, since it is not necessary to project the connecting rod 7 to the outside of the apparatus and support it by a mechanical bearing, it is possible to solve the above-mentioned problem of polluting the atmosphere.
【0009】[0009]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図7に
示した従来の半導体製造装置にあっては、伸縮ベロー部
分6Bの寿命が短くて傷つき易く、亀裂部分からの外気
の侵入によってローディングチャンバ6内の清浄さを汚
染してしまうことがあった。また、反応室1から落下し
てくる反応生成物(塵)等が伸縮ベロー部分6Bに付着
すると、伸縮ベロー部分6Bの円滑な伸縮が妨げられ、
サセプタ3の横揺れ、すなわち、基板の位置ずれが生じ
て、安定した成膜を阻害してしまうこともあった。However, in the conventional semiconductor manufacturing apparatus shown in FIG. 7, the elastic bellows portion 6B has a short life and is easily damaged, and the inside of the loading chamber 6 is intruded by outside air from the crack portion. Sometimes pollutes the cleanliness of. If reaction products (dust) or the like falling from the reaction chamber 1 adhere to the elastic bellows portion 6B, smooth expansion and contraction of the elastic bellows portion 6B is hindered,
In some cases, the susceptor 3 rolls laterally, that is, the substrate is displaced, which hinders stable film formation.
【0010】本発明は上記従来の事情に鑑み為なされた
もので、ローディングチャンバ6内および反応室1内を
清浄な雰囲気に維持することができ、耐久性に優れ、サ
セプタ3を安定して移動させることができ、基板上に安
定して成膜することができる半導体製造装置を提供する
ことを目的とする。The present invention has been made in view of the above-mentioned conventional circumstances, and can maintain a clean atmosphere in the loading chamber 6 and the reaction chamber 1, has excellent durability, and stably moves the susceptor 3. It is an object of the present invention to provide a semiconductor manufacturing apparatus capable of performing a stable film formation on a substrate.
【0011】[0011]
【課題を解決するための手段】本発明の半導体製造装置
は、基板を支持するサセプタと、基板上に化学気相成長
により膜を生成するための反応室と、反応室に連設され
てサセプタ上に基板を着脱するためのローディングチャ
ンバと、サセプタを反応室とローディングチャンバとの
間で往復移動させる駆動機構とを備えた半導体製造装置
において、ローディングチャンバおよび反応室の外部に
配設されて磁気力によりサセプタを非接触で支持する磁
気軸受装置を備えたことを特徴とする。A semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention comprises a susceptor for supporting a substrate, a reaction chamber for forming a film on the substrate by chemical vapor deposition, and a susceptor connected to the reaction chamber. In a semiconductor manufacturing apparatus equipped with a loading chamber for attaching and detaching a substrate thereon and a drive mechanism for reciprocating a susceptor between a reaction chamber and a loading chamber, a magnetic field is provided outside the loading chamber and the reaction chamber. A magnetic bearing device for supporting the susceptor by a force in a non-contact manner is provided.
【0012】[0012]
【作用】ローディングチャンバおよび反応室の外部に磁
気軸受装置を配設し、この磁気軸受装置からの磁気力に
よってサセプタを非接触支持するようにしたので機械的
な接触部分、摩耗部分を有さないことから、金属粉
(塵)を発生させることなくサセプタを安定して移動自
在に支持することができる。A magnetic bearing device is provided outside the loading chamber and the reaction chamber, and the magnetic force from the magnetic bearing device supports the susceptor in a non-contact manner, so that there is no mechanical contact portion or wear portion. Therefore, the susceptor can be stably and movably supported without generating metal powder (dust).
【0013】[0013]
【実施例】以下、本発明の一実施例を添付図面に基づい
て説明する。図1および図2には本発明の一実施例に係
る半導体製造装置を示してある。なお、先に説明した従
来例と同一部分又は相当部分には同一符号を付す。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. 1 and 2 show a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention. The same or corresponding parts as those of the conventional example described above are designated by the same reference numerals.
【0014】本実施例の半導体製造装置は、ローディン
グチャンバ6を円筒状の厚肉の剛体構造部分6Aと、円
筒状の薄肉の剛体構造(キャン)部分6Dとから構成し
てあり、これら厚肉部分6Aと薄肉部分6Dとをシール
材を介して気密に接合することによって全体として気密
なローディングチャンバ6を形成してある。なお、薄肉
部分6Dの底部には掃除やメンテナンスのための点検扉
16が設けられている。In the semiconductor manufacturing apparatus of this embodiment, the loading chamber 6 is composed of a cylindrical thick-walled rigid structure portion 6A and a cylindrical thin-walled rigid structure portion 6D. An airtight loading chamber 6 is formed as a whole by airtightly joining the portion 6A and the thin portion 6D via a sealing material. An inspection door 16 for cleaning and maintenance is provided at the bottom of the thin portion 6D.
【0015】半導体製造装置は厚肉部分6Aで支持ラッ
ク等の支持部材17に固定されており、薄肉部分(キャ
ン)6Dはこの支持部材17から間隔をもって位置して
いる。支持部材17には一対のリニアガイド18が取り
付けられており、これらリニアガイド18は薄肉部分6
Dに平行に延在している。薄肉部分6Dに近接して磁気
軸受装置のステータ19が設けられており、このステー
タ19はスリッパ20を介してリニアガイド18に摺動
自在に係合支持されている。また、ステータ19にはリ
ニアモータの2次側の磁極22が取り付けられており、
支持部材17側には磁極22に対向するリニアモータの
1次側の磁極21がリニアガイド18に沿って延設され
ている。The semiconductor manufacturing apparatus is fixed to a support member 17 such as a support rack at a thick portion 6A, and a thin portion (can) 6D is located at a distance from the support member 17. A pair of linear guides 18 are attached to the support member 17, and these linear guides 18 are provided in the thin portion 6
It extends parallel to D. A stator 19 of the magnetic bearing device is provided near the thin portion 6D, and the stator 19 is slidably engaged with and supported by the linear guide 18 via a slipper 20. Further, a magnetic pole 22 on the secondary side of the linear motor is attached to the stator 19,
On the side of the support member 17, a magnetic pole 21 on the primary side of the linear motor, which faces the magnetic pole 22, extends along the linear guide 18.
【0016】したがって、1次側の磁極21に巻回され
たコイルに通電する電流を制御することによって、ステ
ータ19をリニアガイド18に沿って図の上下方向に移
動させることができる。なお、リニアガイド18に沿っ
て磁気センサ、光センサ等の位置検出センサ(図示せ
ず)が複数配設されており、これらセンサによって検出
されたステータ19の位置情報は制御装置23へ入力さ
れる。制御装置23はこの位置情報に基づいて1次側磁
極21への電流を制御し、ステータ19を上下方向へ任
意に移動させ、所定の位置で停止させて保持することが
できる。Therefore, the stator 19 can be moved in the vertical direction of the drawing along the linear guide 18 by controlling the current supplied to the coil wound around the primary magnetic pole 21. A plurality of position detection sensors (not shown) such as a magnetic sensor and an optical sensor are arranged along the linear guide 18, and the position information of the stator 19 detected by these sensors is input to the control device 23. . The control device 23 can control the current to the primary magnetic pole 21 based on this position information, move the stator 19 arbitrarily in the vertical direction, and stop and hold it at a predetermined position.
【0017】磁気軸受装置は、磁気吸引力或いは反発力
を利用して2次側ターゲット(磁性体)を非接触で支持
する磁気軸受装置であり、例えば特願平3−43087
号特許出願によれば図3に示す磁気軸受を用いたエレベ
ータ構造が開示されている。即ち、磁気軸受装置のステ
ータ19は、ラジアル磁気軸受31,32、受動型スラ
スト磁気軸受33及び変位センサ34を備え、薄肉部
(キャン)6Dを介して、連結棒7に固着されたターゲ
ット24のそれぞれ対向する磁性体36,37,38,
39,40に磁気力を及ぼし、連結棒7をステータ19
の中心位置に支持する。The magnetic bearing device is a magnetic bearing device which supports a secondary target (magnetic material) in a non-contact manner by utilizing a magnetic attraction force or a repulsive force. For example, Japanese Patent Application No. 3-43087.
According to the Japanese Patent Application, an elevator structure using the magnetic bearing shown in FIG. 3 is disclosed. That is, the stator 19 of the magnetic bearing device includes the radial magnetic bearings 31, 32, the passive thrust magnetic bearing 33, and the displacement sensor 34, and the target 24 fixed to the connecting rod 7 via the thin portion (can) 6D. Magnetic bodies 36, 37, 38 facing each other,
A magnetic force is exerted on 39 and 40 to connect the connecting rod 7 to the stator 19
Support the center position of.
【0018】すなわち、反応室1およびローディングチ
ャンバ6の外部に設けた軸受装置で非接触に支持したサ
セプタ3を、リニアモータでステータ19を上下方向へ
移動させることによって、反応室1とローディングチャ
ンバ6との間で往復移動させることができる。なお、制
御装置23からステータ19への配線はステータ19の
移動を妨げないようになされ、図中にはこれら配線を便
宜的に破線で示してある。That is, the susceptor 3 supported by a bearing device provided outside the reaction chamber 1 and the loading chamber 6 in a non-contact manner moves the stator 19 in the vertical direction by a linear motor to move the reaction chamber 1 and the loading chamber 6 together. It can be moved back and forth between. Wirings from the control device 23 to the stator 19 are arranged so as not to hinder the movement of the stator 19, and these wirings are shown by broken lines for convenience in the drawing.
【0019】上記構成の半導体製造装置によれば、制御
装置23による制御の下でステータの1次側コイルおよ
びリニアモータの1次側コイル21に通電し、ステータ
19と共に2次側ターゲット24を下方へ移動させて連
結棒7を下方へ引き下げ、サセプタ3をローディングチ
ャンバ6内に位置させて、出入扉8からサセプタ3に基
板を着脱することができる。そして、同様にして、ステ
ータ19と共に2次側ターゲット24を上方へ移動させ
て連結棒7を上方へ押し上げ、蓋部材13で反応室1を
ローディングチャンバ6から隔離するとともにサセプタ
3を反応室1内に位置させて、反応ガス供給口2から供
給した反応ガスをサセプタ3に支持した基板に流し、加
熱手段5で所定の反応温度に加熱しつつ反応を促進させ
て、基板上に所望の膜を生成することができる。According to the semiconductor manufacturing apparatus having the above-described structure, the primary coil of the stator and the primary coil 21 of the linear motor are energized under the control of the control device 23, and the secondary target 24 is moved downward together with the stator 19. The substrate can be attached to and detached from the susceptor 3 through the door 8 while the susceptor 3 is positioned inside the loading chamber 6 by moving the connecting rod 7 downward to the susceptor 3. Similarly, the secondary target 24 is moved upward together with the stator 19 to push the connecting rod 7 upward, the reaction chamber 1 is separated from the loading chamber 6 by the lid member 13, and the susceptor 3 is moved inside the reaction chamber 1. Position, the reaction gas supplied from the reaction gas supply port 2 is flown to the substrate supported by the susceptor 3, and the reaction is accelerated while being heated to a predetermined reaction temperature by the heating means 5 to form a desired film on the substrate. Can be generated.
【0020】このような装置の作動において、本実施例
の半導体製造装置では、連結棒7を非接触で支持してい
るため、ローディングチャンバ6内や反応室1内を汚染
してしまう金属粉(塵埃)等を発生させることはなく、
成膜を行う雰囲気を清浄に保つことができる。また、サ
セプタ3の往復動は磁気軸受装置による支持の下にリニ
アモータによって安定して行われ、弾性疲労による耐久
性の低下もなくサセプタ3を安定して移動させることが
できる。In the operation of such an apparatus, in the semiconductor manufacturing apparatus of this embodiment, since the connecting rod 7 is supported in a non-contact manner, the metal powder (contaminating inside the loading chamber 6 and the reaction chamber 1) ( Does not generate dust etc.,
The atmosphere for film formation can be kept clean. Further, the reciprocating motion of the susceptor 3 is stably performed by the linear motor under the support of the magnetic bearing device, and the susceptor 3 can be stably moved without lowering the durability due to elastic fatigue.
【0021】図4および図5には本発明の他の一実施例
に係る半導体製造装置を示してある。 本実施例の半導
体製造装置は、サセプタ3を往復移動させる駆動機構を
ボール(送り)ネジ機構で構成したものである。本実施
例の駆動機構は、一端を軸受26で回転自在に支持され
たボールスクリュ27をリニアガイド18に沿って延設
し、このボールスクリュ27の他端を減速機28を介し
て駆動モータ29に接続し、ボールスクリュ27に係合
したボールナット30をステータ19に取り付けて構成
してある。したがって、制御装置23の制御の下に駆動
モータ29を駆動してボールスクリュ27を回転させる
と、ボールナット30とともにステータ19がリニアガ
イド18に沿って移動し、駆動モータ29の停止によっ
てステータ19を任意の位置に停止させて保持すること
ができ、反応室1とローディングチャンバ6との間でサ
セプタ3を非接触の状態で移動させることができる。4 and 5 show a semiconductor manufacturing apparatus according to another embodiment of the present invention. In the semiconductor manufacturing apparatus of this embodiment, the drive mechanism for reciprocating the susceptor 3 is composed of a ball (feed) screw mechanism. In the drive mechanism of the present embodiment, a ball screw 27, one end of which is rotatably supported by a bearing 26, extends along the linear guide 18, and the other end of the ball screw 27 is driven by a drive motor 29 via a speed reducer 28. And the ball nut 30 engaged with the ball screw 27 is attached to the stator 19. Therefore, when the drive motor 29 is driven to rotate the ball screw 27 under the control of the controller 23, the stator 19 moves along with the ball nut 30 along the linear guide 18, and the stator 19 is stopped by stopping the drive motor 29. It can be stopped and held at an arbitrary position, and the susceptor 3 can be moved between the reaction chamber 1 and the loading chamber 6 in a non-contact state.
【0022】本実施例の半導体製造装置においても、連
結棒7を非接触で支持しているため、ローディングチャ
ンバ6内や反応室1内を汚染してしまう金属粉(塵埃)
を発生させることはなく、また、サセプタ3の往復動は
磁気軸受装置による支持の下にボールねじ機構によって
安定して行われ、弾性疲労による耐久性の低下もなくサ
セプタ3を安定して移動させることができる。Also in the semiconductor manufacturing apparatus of this embodiment, since the connecting rod 7 is supported in a non-contact manner, metal powder (dust) that contaminates the inside of the loading chamber 6 and the inside of the reaction chamber 1.
In addition, the reciprocating motion of the susceptor 3 is stably performed by the ball screw mechanism under the support of the magnetic bearing device, and the susceptor 3 is stably moved without deterioration in durability due to elastic fatigue. be able to.
【0023】上記した実施例では駆動機構としてリニア
モータとボール(送り)ねじ機構を示したが、本発明は
これ以外にも、シリンダ装置を用いた構成としたり、単
純なねじ式の送り旱を用いた送りねじ機構とする等、公
知の技術を用いて種々な態様とすることができる。ま
た、上記実施例の装置は反応ガスを垂直に流す縦型のも
のであるが、本発明は反応ガスを基板に平行に流す横型
の態様とすることもできる。Although the linear motor and the ball (feed) screw mechanism are shown as the drive mechanism in the above-mentioned embodiments, the present invention may be constructed by using a cylinder device or a simple screw type feed drought. Various forms can be made by using a known technique such as the feed screw mechanism used. Further, although the apparatus of the above-mentioned embodiment is a vertical type in which the reaction gas is flowed vertically, the present invention may be a horizontal type in which the reaction gas is flowed in parallel to the substrate.
【0024】[0024]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ローディングチャンバおよび反応室の外部に配設された
磁気軸受装置の磁気力によりサセプタを非接触で支持す
るようにしたため、軸受装置から金属粉(塵埃)が発生
してしまうことはなく、ローディングチャンバ内および
反応室内を清浄な雰囲気に維持することができる。ま
た、上記に加え、ベローズを用いないため耐久性に優
れ、サセプタを安定して移動させることができる。As described above, according to the present invention,
Since the susceptor is supported in a non-contact manner by the magnetic force of the magnetic bearing device arranged outside the loading chamber and the reaction chamber, metal powder (dust) is not generated from the bearing device, And the inside of the reaction chamber can be maintained in a clean atmosphere. In addition to the above, since no bellows is used, the durability is excellent and the susceptor can be moved stably.
【図1】本発明の一実施例に係る半導体製造装置の断面
図。FIG. 1 is a sectional view of a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図2】図1中のA−A矢視断面図。FIG. 2 is a sectional view taken along the line AA in FIG.
【図3】磁気軸受装置の構成を示す断面図。FIG. 3 is a sectional view showing the configuration of a magnetic bearing device.
【図4】本発明の他の一実施例に係る半導体製造装置の
断面図。FIG. 4 is a sectional view of a semiconductor manufacturing apparatus according to another embodiment of the present invention.
【図5】図4中のB−B矢視断面図。5 is a sectional view taken along the line BB in FIG.
【図6】従来例に係る半導体製造装置の断面図。FIG. 6 is a sectional view of a semiconductor manufacturing apparatus according to a conventional example.
【図7】従来例に係る半導体製造装置の断面図。FIG. 7 is a sectional view of a semiconductor manufacturing apparatus according to a conventional example.
1 反応室 3 サセプタ 6 ローディングチャンバ 7 連結棒 18 リニアガイド 19 ステータ 21 リニアモータの1次側磁極 22 リニアモータの2次側磁極 23 制御装置 24 磁気軸受装置の2次側ターゲット 27 ボールスクリュ 29 駆動モータ 30 ボールナット 1 Reaction Chamber 3 Susceptor 6 Loading Chamber 7 Connecting Rod 18 Linear Guide 19 Stator 21 Primary Magnetic Pole of Linear Motor 22 Secondary Magnetic Pole of Linear Motor 23 Controller 24 Secondary Target of Magnetic Bearing Device 27 Ball Screw 29 Drive Motor 30 ball nuts
Claims (4)
学気相成長(CVD)により膜を生成するための反応室
と、該反応室に連設されてサセプタ上に基板を着脱する
ためのローディングチャンバと、前記サセプタを反応室
とローディングチャンバとの間で往復移動させる駆動機
構とを備えた半導体製造装置において、前記ローディン
グチャンバおよび反応室の外部に配設されて磁気力によ
り前記サセプタを非接触で支持する磁気軸受装置を備え
たことを特徴とする半導体製造装置。1. A susceptor for supporting a substrate, a reaction chamber for forming a film on the substrate by chemical vapor deposition (CVD), and a reaction chamber connected to the reaction chamber for attaching and detaching the substrate on the susceptor. In a semiconductor manufacturing apparatus including a loading chamber and a drive mechanism that reciprocates the susceptor between a reaction chamber and a loading chamber, the susceptor is disposed outside the loading chamber and the reaction chamber by a magnetic force. A semiconductor manufacturing apparatus comprising a magnetic bearing device supported by contact.
置のステータ側を移動させる駆動機構を備え、該駆動機
構は前記ステータを移動させて該磁気軸受により支持さ
れた前記サセプタを反応室とローディングチャンバとの
間で往復移動させることを特徴とする請求項1記載の半
導体製造装置。2. The semiconductor manufacturing apparatus includes a drive mechanism for moving a stator side of the magnetic bearing device, the drive mechanism moving the stator to load the susceptor supported by the magnetic bearing with a reaction chamber. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, wherein the semiconductor manufacturing apparatus is reciprocated between the chamber and the chamber.
ニアガイドと、該リニアガイドに沿ってステータを移動
させるリニアモータとを備えたことを特徴とする請求項
2記載の半導体製造装置。3. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 2, wherein the drive mechanism includes a linear guide that guides the stator, and a linear motor that moves the stator along the linear guide.
ニアガイドと、該リニアガイドに沿って設けられてステ
ータに係合した送りねじと、該送りねじを回転駆動して
ステータをリニアガイドに沿って移動させる駆動モータ
とを備えたことを特徴とする請求項2記載の半導体製造
装置。4. The drive mechanism comprises a linear guide for guiding the stator, a feed screw provided along the linear guide and engaged with the stator, and a rotary screw for driving the feed screw to move the stator along the linear guide. 3. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 2, further comprising a drive motor for moving the semiconductor device.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28576793A JPH07122613A (en) | 1993-10-21 | 1993-10-21 | Semiconductor production system |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28576793A JPH07122613A (en) | 1993-10-21 | 1993-10-21 | Semiconductor production system |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07122613A true JPH07122613A (en) | 1995-05-12 |
Family
ID=17695794
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28576793A Pending JPH07122613A (en) | 1993-10-21 | 1993-10-21 | Semiconductor production system |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07122613A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013236006A (en) * | 2012-05-10 | 2013-11-21 | Showa Shinku:Kk | Vacuum device with rotary introduction mechanism |
JP2018072174A (en) * | 2016-10-31 | 2018-05-10 | 株式会社東京精密 | Whirl stop of optical measuring apparatus |
CN114753000A (en) * | 2022-04-15 | 2022-07-15 | 季华实验室 | Substrate loading device and feeding and discharging system of epitaxial furnace |
-
1993
- 1993-10-21 JP JP28576793A patent/JPH07122613A/en active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013236006A (en) * | 2012-05-10 | 2013-11-21 | Showa Shinku:Kk | Vacuum device with rotary introduction mechanism |
JP2018072174A (en) * | 2016-10-31 | 2018-05-10 | 株式会社東京精密 | Whirl stop of optical measuring apparatus |
CN114753000A (en) * | 2022-04-15 | 2022-07-15 | 季华实验室 | Substrate loading device and feeding and discharging system of epitaxial furnace |
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