JPH0695356A - マスク用データ作成方法 - Google Patents
マスク用データ作成方法Info
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- JPH0695356A JPH0695356A JP24767092A JP24767092A JPH0695356A JP H0695356 A JPH0695356 A JP H0695356A JP 24767092 A JP24767092 A JP 24767092A JP 24767092 A JP24767092 A JP 24767092A JP H0695356 A JPH0695356 A JP H0695356A
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- Japan
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- pattern
- mask
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 露光用マスクのデータを短時間で作成する。
【構成】 作製すべき半導体素子のパターン寸法１より
も所定量(例えば０.２μm)だけ縮小してレイアウトデー
タ２を作成する。これにより、露光用マスクのデータ
(実際の工程でのパターンシフトを相殺する寸法に設定
される)３がレイアウトデータ２を拡大する向きにリサ
イズして作成されるようにする。
も所定量(例えば０.２μm)だけ縮小してレイアウトデー
タ２を作成する。これにより、露光用マスクのデータ
(実際の工程でのパターンシフトを相殺する寸法に設定
される)３がレイアウトデータ２を拡大する向きにリサ
イズして作成されるようにする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はマスク用データ作成方
法に関する。より詳しくは、半導体製造分野でフォトリ
ソグラフィに用いられる露光マスクのデータを作成する
方法に関する。
法に関する。より詳しくは、半導体製造分野でフォトリ
ソグラフィに用いられる露光マスクのデータを作成する
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造プロセスでは、フォトリソグ
ラフィ工程における露光条件,解像性能などの制約か
ら、半導体素子が露光マスクのパターン(データ)通りに
仕上がらないことが多い。通常、−０.２μm〜＋０.２
μmの範囲でパターンシフトが生ずる(マイナス符号はパ
ターンが縮小し、プラス符号はパターンが拡大すること
を表している)。そこで、このようなパターンシフトを
相殺するために、一般に、露光マスクのデータを予め拡
大または縮小する処理(リサイズ)が行なわれている。す
なわち、図２に示すように、実際の工程でパターンが縮
小する向きにシフトするときはプラス・リサイズを行う
一方、実際の工程でパターンが拡大する向きにシフトす
るときはマイナス・リサイズを行う。図中、１１は作製
すべき半導体素子の寸法通りのレイアウトデータ、１２
はプラス・リサイズ後のデータ、１２′はマイナス・リ
サイズ後のデータをそれぞれ示している。
ラフィ工程における露光条件,解像性能などの制約か
ら、半導体素子が露光マスクのパターン(データ)通りに
仕上がらないことが多い。通常、−０.２μm〜＋０.２
μmの範囲でパターンシフトが生ずる(マイナス符号はパ
ターンが縮小し、プラス符号はパターンが拡大すること
を表している)。そこで、このようなパターンシフトを
相殺するために、一般に、露光マスクのデータを予め拡
大または縮小する処理(リサイズ)が行なわれている。す
なわち、図２に示すように、実際の工程でパターンが縮
小する向きにシフトするときはプラス・リサイズを行う
一方、実際の工程でパターンが拡大する向きにシフトす
るときはマイナス・リサイズを行う。図中、１１は作製
すべき半導体素子の寸法通りのレイアウトデータ、１２
はプラス・リサイズ後のデータ、１２′はマイナス・リ
サイズ後のデータをそれぞれ示している。
【０００３】従来は、まず、作製すべき半導体素子の寸
法通りに全データを展開してレイアウトを行った後、こ
のレイアウトデータ１１をリサイズして露光マスクのデ
ータ１２または１２′を作成している。この理由は、基
本単位となるセル毎にリサイズを行うものとすると、図
３に示すように、マイナス・リサイズを行ったとき、セ
ルとセルとの間に隙間２１,…,２３が生じて、本来つな
がるべきパターン１２′が断線するおそれがあるからで
ある。
法通りに全データを展開してレイアウトを行った後、こ
のレイアウトデータ１１をリサイズして露光マスクのデ
ータ１２または１２′を作成している。この理由は、基
本単位となるセル毎にリサイズを行うものとすると、図
３に示すように、マイナス・リサイズを行ったとき、セ
ルとセルとの間に隙間２１,…,２３が生じて、本来つな
がるべきパターン１２′が断線するおそれがあるからで
ある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、半導体
素子の高集積化が進んでいる状況下では、展開されたレ
イアウトデータ１１が通常膨大な量になるため、上記従
来のマスク用データ作製方法ではリサイズ処理に膨大な
時間を要するという問題がある。
素子の高集積化が進んでいる状況下では、展開されたレ
イアウトデータ１１が通常膨大な量になるため、上記従
来のマスク用データ作製方法ではリサイズ処理に膨大な
時間を要するという問題がある。
【０００５】そこで、この発明の目的は、露光マスクの
データを短時間で作製することができるマスク用データ
作成方法を提供することにある。
データを短時間で作製することができるマスク用データ
作成方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明は、作製すべき半導体素子のパターン寸法
に応じてレイアウトデータを作成した後、上記レイアウ
トデータを実際の工程でのパターンシフトを相殺する寸
法にリサイズして露光用マスクのデータとするマスク用
データ作成方法において、上記レイアウトデータを、上
記作製すべき半導体素子のパターン寸法よりも所定量だ
け縮小して作成して、上記露光用マスクのデータが上記
レイアウトデータを拡大する向きにリサイズして作成さ
れるようにしたことを特徴としている。
め、この発明は、作製すべき半導体素子のパターン寸法
に応じてレイアウトデータを作成した後、上記レイアウ
トデータを実際の工程でのパターンシフトを相殺する寸
法にリサイズして露光用マスクのデータとするマスク用
データ作成方法において、上記レイアウトデータを、上
記作製すべき半導体素子のパターン寸法よりも所定量だ
け縮小して作成して、上記露光用マスクのデータが上記
レイアウトデータを拡大する向きにリサイズして作成さ
れるようにしたことを特徴としている。
【０００７】
【作用】露光用マスクのデータが一旦作成したレイアウ
トデータを拡大する向きにリサイズして作成されるの
で、リサイズによって、本来つながるべきパターンが断
線するおそれがない。したがって、基本単位となるセル
毎にリサイズを行うことが可能となる。この場合、セル
単位でリサイズを行った後、得られたデータを単に合成
して使用することができる。したがって、データ処理量
が大幅に減少して、露光用マスクのデータが従来に比し
て短時間で作成される。特に、繰り返しパターンが多い
半導体記憶装置では効果が大きい。
トデータを拡大する向きにリサイズして作成されるの
で、リサイズによって、本来つながるべきパターンが断
線するおそれがない。したがって、基本単位となるセル
毎にリサイズを行うことが可能となる。この場合、セル
単位でリサイズを行った後、得られたデータを単に合成
して使用することができる。したがって、データ処理量
が大幅に減少して、露光用マスクのデータが従来に比し
て短時間で作成される。特に、繰り返しパターンが多い
半導体記憶装置では効果が大きい。
【０００８】
【実施例】以下、この発明のマスク用データ作成方法を
実施例により詳細に説明する。
実施例により詳細に説明する。
【０００９】実際の露光工程では、露光マスクのパター
ンが拡大する向きに０.１μm、すなわち、＋０.１μmの
パターンシフトが生ずるものとする。この場合、露光用
マスクは、上記パターンシフトを相殺するように、作製
すべき半導体素子のパターン寸法よりも０.１μmだけ縮
小した寸法に仕上げる必要がある。
ンが拡大する向きに０.１μm、すなわち、＋０.１μmの
パターンシフトが生ずるものとする。この場合、露光用
マスクは、上記パターンシフトを相殺するように、作製
すべき半導体素子のパターン寸法よりも０.１μmだけ縮
小した寸法に仕上げる必要がある。
【００１０】まず、図１に示すように、作製すべき半
導体素子のパターン１よりも０.２μmだけ縮小した寸法
のパターン(レイアウトデータ)２をレイアウトする。こ
のとき、当然ながら、基本となるセルとセルとを接続す
る。 次に、上記レイアウトデータ２を０.１μmだけプラス
・リサイズして露光用マスクのデータとする。
導体素子のパターン１よりも０.２μmだけ縮小した寸法
のパターン(レイアウトデータ)２をレイアウトする。こ
のとき、当然ながら、基本となるセルとセルとを接続す
る。 次に、上記レイアウトデータ２を０.１μmだけプラス
・リサイズして露光用マスクのデータとする。
【００１１】このように、レイアウトデータ２をプラス
・リサイズして露光用マスクのデータを作成しているの
で、リサイズによって、本来つながるべきパターンが断
線するおそれがない。一方、露光用マスクを、作製すべ
き半導体素子のパターン寸法よりも拡大した寸法に仕上
げる必要がある場合も、プラス・リサイズの量が増大す
るだけであり、何ら問題はない。したがって、基本単位
となるセル毎にリサイズを行うことができる。この場
合、セル単位でリサイズを行った後、得られたデータを
単に合成して使用することができる。したがって、デー
タ処理量を大幅に減少させることができ、この結果、露
光用マスクのデータを従来に比して短時間で作成するこ
とができる。特に、繰り返しパターンが多い半導体記憶
装置では効果が大きい。
・リサイズして露光用マスクのデータを作成しているの
で、リサイズによって、本来つながるべきパターンが断
線するおそれがない。一方、露光用マスクを、作製すべ
き半導体素子のパターン寸法よりも拡大した寸法に仕上
げる必要がある場合も、プラス・リサイズの量が増大す
るだけであり、何ら問題はない。したがって、基本単位
となるセル毎にリサイズを行うことができる。この場
合、セル単位でリサイズを行った後、得られたデータを
単に合成して使用することができる。したがって、デー
タ処理量を大幅に減少させることができ、この結果、露
光用マスクのデータを従来に比して短時間で作成するこ
とができる。特に、繰り返しパターンが多い半導体記憶
装置では効果が大きい。
【００１２】
【発明の効果】以上より明らかなように、この発明のマ
スク用データ作成方法は、まず、作製すべき半導体素子
のパターン寸法よりも所定量だけ縮小してレイアウトデ
ータを作成し、続いて、上記レイアウトデータを拡大す
る向きにリサイズして露光用マスクのデータを作成して
いるので、基本単位となるセル毎にリサイズを行うこと
ができる。したがって、データ処理量を大幅に減少させ
ることができ、この結果、露光用マスクのデータを従来
に比して短時間で作成することができる。
スク用データ作成方法は、まず、作製すべき半導体素子
のパターン寸法よりも所定量だけ縮小してレイアウトデ
ータを作成し、続いて、上記レイアウトデータを拡大す
る向きにリサイズして露光用マスクのデータを作成して
いるので、基本単位となるセル毎にリサイズを行うこと
ができる。したがって、データ処理量を大幅に減少させ
ることができ、この結果、露光用マスクのデータを従来
に比して短時間で作成することができる。
【図１】 この発明の一実施例のマスク用データ作成方
法を説明する図である。
法を説明する図である。
【図２】 従来のマスク用データ作成方法を説明する図
である。
である。
【図３】 従来のマスク用データ作製方法の問題点を説
明する図である。
明する図である。
１ 作製すべき半導体素子のパターン ２ レイアウトデータ ３ 露光用マスクのデータ
Claims (1)
- 【請求項１】 作製すべき半導体素子のパターン寸法に
応じてレイアウトデータを作成した後、上記レイアウト
データを実際の工程でのパターンシフトを相殺する寸法
にリサイズして露光用マスクのデータとするマスク用デ
ータ作成方法において、 上記レイアウトデータを、上記作製すべき半導体素子の
パターン寸法よりも所定量だけ縮小して作成して、 上記露光用マスクのデータが上記レイアウトデータを拡
大する向きにリサイズして作成されるようにしたことを
特徴とするマスク用データ作成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24767092A JP2828372B2 (ja) | 1992-09-17 | 1992-09-17 | マスク用データ作成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24767092A JP2828372B2 (ja) | 1992-09-17 | 1992-09-17 | マスク用データ作成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0695356A true JPH0695356A (ja) | 1994-04-08 |
| JP2828372B2 JP2828372B2 (ja) | 1998-11-25 |
Family
ID=17166918
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24767092A Expired - Fee Related JP2828372B2 (ja) | 1992-09-17 | 1992-09-17 | マスク用データ作成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2828372B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100780775B1 (ko) * | 2006-11-24 | 2007-11-30 | 주식회사 하이닉스반도체 | 자기 조립 더미 패턴이 삽입된 회로 레이아웃을 이용한반도체 소자 제조 방법 |
| KR100781443B1 (ko) * | 2006-10-30 | 2007-12-03 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자 제조용 마스크의 제조방법 |
| WO2012067246A1 (ja) * | 2010-11-19 | 2012-05-24 | Ｎｓｋテクノロジー株式会社 | 近接露光装置及び近接露光方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6474547A (en) * | 1987-09-14 | 1989-03-20 | Motorola Inc | Manufacture of semiconductor for compensating strain between pattern on semiconductor body and mask for obtaining pattern |
| JPH01267657A (ja) * | 1988-04-20 | 1989-10-25 | Fujitsu Ltd | 露光用マスクの作成方法 |
| JPH04136853A (ja) * | 1990-09-28 | 1992-05-11 | Hitachi Ltd | プロキシミティ露光用マスク及びその製造方法 |
-
1992
- 1992-09-17 JP JP24767092A patent/JP2828372B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6474547A (en) * | 1987-09-14 | 1989-03-20 | Motorola Inc | Manufacture of semiconductor for compensating strain between pattern on semiconductor body and mask for obtaining pattern |
| JPH01267657A (ja) * | 1988-04-20 | 1989-10-25 | Fujitsu Ltd | 露光用マスクの作成方法 |
| JPH04136853A (ja) * | 1990-09-28 | 1992-05-11 | Hitachi Ltd | プロキシミティ露光用マスク及びその製造方法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100781443B1 (ko) * | 2006-10-30 | 2007-12-03 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자 제조용 마스크의 제조방법 |
| KR100780775B1 (ko) * | 2006-11-24 | 2007-11-30 | 주식회사 하이닉스반도체 | 자기 조립 더미 패턴이 삽입된 회로 레이아웃을 이용한반도체 소자 제조 방법 |
| US7712070B2 (en) | 2006-11-24 | 2010-05-04 | Hynix Semiconductor Inc. | Method for transferring self-assembled dummy pattern to substrate |
| US8250496B2 (en) | 2006-11-24 | 2012-08-21 | Hynix Semiconductor Inc. | Method for transferring self-assembled dummy pattern to substrate |
| WO2012067246A1 (ja) * | 2010-11-19 | 2012-05-24 | Ｎｓｋテクノロジー株式会社 | 近接露光装置及び近接露光方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2828372B2 (ja) | 1998-11-25 |
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Legal Events
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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