JPH06345480A - 低レベルα線ガラスおよびその製造方法 - Google Patents
低レベルα線ガラスおよびその製造方法Info
- Publication number
- JPH06345480A JPH06345480A JP16410593A JP16410593A JPH06345480A JP H06345480 A JPH06345480 A JP H06345480A JP 16410593 A JP16410593 A JP 16410593A JP 16410593 A JP16410593 A JP 16410593A JP H06345480 A JPH06345480 A JP H06345480A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- low level
- ray
- alpha
- component
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Glass Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、固体撮像素子等に用いられるカバ
ーガラスに適したα線放出の少ない、低レベルα線ガラ
スおよびその製造方法を提供することにある。 【構成】 重量百分率で、ＳｉＯ2 ５０〜７５％、Ｂ2
Ｏ3 ５〜２５％、Ａｌ2Ｏ3 ０〜３．５％、Ｋ2Ｏ １
〜２５％、Ｎａ2Ｏ ０〜２０％、Ｌｉ2Ｏ ０〜５％、
ただし、Ｋ2Ｏ＋Ｎａ2Ｏ＋Ｌｉ2Ｏ ７〜２５％、Ａｓ2
Ｏ3＋Ｓｂ2Ｏ3０〜１％、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、Ｂ
ａＯ、ＴｉＯ2、ＰｂＯ、ＺｎＯをそれぞれ、０〜５
％、および上記各金属元素の１種または２種以上の酸化
物の一部または全部と置換した弗化物の弗素（Ｆ）とし
て０．５〜１０％含有するガラス調合物を、１２５０〜
１５００℃の温度で溶融することで得られ、かつ、該ガ
ラスのα線量が０．０２（ｃｏｕｎｔ／ｃｍ2・ｈｒ）
以下である。
ーガラスに適したα線放出の少ない、低レベルα線ガラ
スおよびその製造方法を提供することにある。 【構成】 重量百分率で、ＳｉＯ2 ５０〜７５％、Ｂ2
Ｏ3 ５〜２５％、Ａｌ2Ｏ3 ０〜３．５％、Ｋ2Ｏ １
〜２５％、Ｎａ2Ｏ ０〜２０％、Ｌｉ2Ｏ ０〜５％、
ただし、Ｋ2Ｏ＋Ｎａ2Ｏ＋Ｌｉ2Ｏ ７〜２５％、Ａｓ2
Ｏ3＋Ｓｂ2Ｏ3０〜１％、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、Ｂ
ａＯ、ＴｉＯ2、ＰｂＯ、ＺｎＯをそれぞれ、０〜５
％、および上記各金属元素の１種または２種以上の酸化
物の一部または全部と置換した弗化物の弗素（Ｆ）とし
て０．５〜１０％含有するガラス調合物を、１２５０〜
１５００℃の温度で溶融することで得られ、かつ、該ガ
ラスのα線量が０．０２（ｃｏｕｎｔ／ｃｍ2・ｈｒ）
以下である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、固体撮像素子等の半導
体構成素材に用いられるカバーガラスや封止用ガラスフ
ィラーに適したα線放出の少ない低レベルα線ガラスお
よびその製造方法に関する。
体構成素材に用いられるカバーガラスや封止用ガラスフ
ィラーに適したα線放出の少ない低レベルα線ガラスお
よびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来技術の問題点】近年、半導体構成素材には種々の
ガラスが利用されている。例えば、カメラ一体型ＶＴＲ
等に多用されている固体撮像素子には、素子の保護を目
的としたカバーガラスが用いられている。このカバーガ
ラスには化学的耐久性や硬度が良好であり、アルミナセ
ラミック系のパッケージ材と熱膨張係数が同等であるホ
ウケイ酸ガラスや無アルカリバリウムシリケートガラス
等が使用されている。しかし、最近では高解像度化、高
密度化等の要求から、従来問題視されていなかったα線
によるソフトエラーが大きな問題となってきた。これ
は、カバーガラスや封止用ガラスフィラー等を含む半導
体構成素材中に、不純物として含まれる極微量（ｐｐｍ
〜ｐｐｂ程度）のウラン（Ｕ）やトリウム（Ｔｈ）等の
天然放射性元素がα崩壊する際に、放出されるα線（α
粒子）が原因であることが、Ｔ．Ｃ．Ｍａｙらによって
明らかにされている。（Ｔ．Ｃ．Ｍａｙ，Ｍ．Ｈ．Ｗｏ
ｏｄ：Ａｎｎｕ．Ｐｒｏｃ．Ｒｅｌｉａｄ Ｐｈｙｓ．
Ｓｙｍｐ，Ｖｏｌ １６th．Ｐａｇｅ ３３〜４０，１
９７８）。このため、上記の半導体構成素材には、α線
発生の少ない素材が求められている。この要求を満足さ
せるには、前記のガラスに使用されているガラス原料を
特別な精製工程により高純度化して使用することが考え
られるが、製造工程が複雑であり、また、非常に高価格
となり経済的でない。
ガラスが利用されている。例えば、カメラ一体型ＶＴＲ
等に多用されている固体撮像素子には、素子の保護を目
的としたカバーガラスが用いられている。このカバーガ
ラスには化学的耐久性や硬度が良好であり、アルミナセ
ラミック系のパッケージ材と熱膨張係数が同等であるホ
ウケイ酸ガラスや無アルカリバリウムシリケートガラス
等が使用されている。しかし、最近では高解像度化、高
密度化等の要求から、従来問題視されていなかったα線
によるソフトエラーが大きな問題となってきた。これ
は、カバーガラスや封止用ガラスフィラー等を含む半導
体構成素材中に、不純物として含まれる極微量（ｐｐｍ
〜ｐｐｂ程度）のウラン（Ｕ）やトリウム（Ｔｈ）等の
天然放射性元素がα崩壊する際に、放出されるα線（α
粒子）が原因であることが、Ｔ．Ｃ．Ｍａｙらによって
明らかにされている。（Ｔ．Ｃ．Ｍａｙ，Ｍ．Ｈ．Ｗｏ
ｏｄ：Ａｎｎｕ．Ｐｒｏｃ．Ｒｅｌｉａｄ Ｐｈｙｓ．
Ｓｙｍｐ，Ｖｏｌ １６th．Ｐａｇｅ ３３〜４０，１
９７８）。このため、上記の半導体構成素材には、α線
発生の少ない素材が求められている。この要求を満足さ
せるには、前記のガラスに使用されているガラス原料を
特別な精製工程により高純度化して使用することが考え
られるが、製造工程が複雑であり、また、非常に高価格
となり経済的でない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記のよう
な実状に鑑みてなされたものであり、その目的は、化学
的耐久性、熱膨張係数、硬度等が良好で、ソフトエラー
発生の主原因であるα線の放出が少ない固体撮像素子等
の半導体構成素材に用いられるカバーガラスや封止用ガ
ラスフィラーに好適なガラスを提供することを目的とす
る。
な実状に鑑みてなされたものであり、その目的は、化学
的耐久性、熱膨張係数、硬度等が良好で、ソフトエラー
発生の主原因であるα線の放出が少ない固体撮像素子等
の半導体構成素材に用いられるカバーガラスや封止用ガ
ラスフィラーに好適なガラスを提供することを目的とす
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記目的を
達成するために、鋭意試験研究を重ねた結果、ＳｉＯ2
−Ｂ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3−Ｒ2Ｏ（Ｒ；アルカリ金属）系ガ
ラスに弗素（以下、Ｆという）を導入すると、意外にも
α線の放出が少ないことを見いだし、本発明をなすに至
った。すなわち、本発明にかかるガラス組成は、重量百
分率で、ＳｉＯ2 ５０〜７５％、Ｂ2Ｏ3 ５〜２５
％、Ａｌ2Ｏ3 ０〜３．５％、Ｋ2Ｏ １〜２５％、Ｎ
ａ2Ｏ ０〜２０％、Ｌｉ2Ｏ ０〜５％、ただし、Ｋ2
Ｏ＋Ｎａ2Ｏ＋Ｌｉ2Ｏ７〜２５％、Ａｓ2Ｏ3＋Ｓｂ2Ｏ3
０〜１％、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、ＴｉＯ
2、ＰｂＯ、ＺｎＯをそれぞれ０〜５％、および上記各
金属元素の１種または２種以上の酸化物の一部または全
部と置換した弗化物のＦとして、０．５〜１０％含有
し、かつ、α線量が０．０２（ｃｏｕｎｔ／ｃｍ2・ｈ
ｒ）以下であることを特徴とする。
達成するために、鋭意試験研究を重ねた結果、ＳｉＯ2
−Ｂ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3−Ｒ2Ｏ（Ｒ；アルカリ金属）系ガ
ラスに弗素（以下、Ｆという）を導入すると、意外にも
α線の放出が少ないことを見いだし、本発明をなすに至
った。すなわち、本発明にかかるガラス組成は、重量百
分率で、ＳｉＯ2 ５０〜７５％、Ｂ2Ｏ3 ５〜２５
％、Ａｌ2Ｏ3 ０〜３．５％、Ｋ2Ｏ １〜２５％、Ｎ
ａ2Ｏ ０〜２０％、Ｌｉ2Ｏ ０〜５％、ただし、Ｋ2
Ｏ＋Ｎａ2Ｏ＋Ｌｉ2Ｏ７〜２５％、Ａｓ2Ｏ3＋Ｓｂ2Ｏ3
０〜１％、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、ＴｉＯ
2、ＰｂＯ、ＺｎＯをそれぞれ０〜５％、および上記各
金属元素の１種または２種以上の酸化物の一部または全
部と置換した弗化物のＦとして、０．５〜１０％含有
し、かつ、α線量が０．０２（ｃｏｕｎｔ／ｃｍ2・ｈ
ｒ）以下であることを特徴とする。
【０００５】
【組成範囲限定理由】次に、上記のとおり各成分の組成
範囲を限定した理由について述べる。ＳｉＯ2成分はガ
ラス形成成分であり、その量が５０％未満ではガラスの
化学的耐久性が劣化し、７５％を超えると、ガラスの溶
融が困難になる。Ｂ2Ｏ3成分は、溶融温度を下げる効果
があるが、その量が５％未満では、その効果が小さく、
２５％を超えると化学的耐久性が劣化する。Ｋ2Ｏ成分
はガラスの溶融性を改善する効果があるが、その量が１
％未満では、その効果が小さく、２５％を超えると化学
的耐久性が劣化する。Ｎａ2Ｏ成分およびＬｉ2Ｏ成分は
Ｋ2Ｏ成分と同様の効果があるが、その量はそれぞれ２
０％および５％を超えると化学的耐久性が劣化する。ま
た、Ｋ2Ｏ、Ｎａ2Ｏ、およびＬｉ2Ｏ成分の合量は、７
％未満ではガラスの溶融が困難となり、２５％を超える
と化学的耐久性が劣化する。Ａｌ2Ｏ3成分は化学的耐久
性を向上させる効果があるが、３．５％を超えるとガラ
スの溶融が困難になる。
範囲を限定した理由について述べる。ＳｉＯ2成分はガ
ラス形成成分であり、その量が５０％未満ではガラスの
化学的耐久性が劣化し、７５％を超えると、ガラスの溶
融が困難になる。Ｂ2Ｏ3成分は、溶融温度を下げる効果
があるが、その量が５％未満では、その効果が小さく、
２５％を超えると化学的耐久性が劣化する。Ｋ2Ｏ成分
はガラスの溶融性を改善する効果があるが、その量が１
％未満では、その効果が小さく、２５％を超えると化学
的耐久性が劣化する。Ｎａ2Ｏ成分およびＬｉ2Ｏ成分は
Ｋ2Ｏ成分と同様の効果があるが、その量はそれぞれ２
０％および５％を超えると化学的耐久性が劣化する。ま
た、Ｋ2Ｏ、Ｎａ2Ｏ、およびＬｉ2Ｏ成分の合量は、７
％未満ではガラスの溶融が困難となり、２５％を超える
と化学的耐久性が劣化する。Ａｌ2Ｏ3成分は化学的耐久
性を向上させる効果があるが、３．５％を超えるとガラ
スの溶融が困難になる。
【０００６】Ｆ成分は、本発明における重要な成分であ
り、前記ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3−Ｒ2Ｏ（Ｒ；アル
カリ金属）系ガラスにＦ成分を導入して溶融したガラス
は意外にもα線量が少なく、α線放出が低減されたガラ
スを得るために有効な成分であることを本発明者は見い
だしたのである。上記効果を得るためのＦ成分の導入量
は、０．５％未満ではその効果が小さく、１０％を超え
ると、ガラス中に脈理を生じやすくなり内部品質上好ま
しくない。また、Ｆ成分の導入方法は前記の金属元素の
１種叉は２種以上の酸化物の一部または全部と置換する
方法に限らず、Ｆ系ガス等によって、外部から導入する
ことも可能である。ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、
ＴｉＯ2、ＰｂＯおよびＺｎＯの各成分は本発明に必須
の成分ではないが、溶融性の改善および屈折率の調整な
どの目的に応じて導入でき、その量はそれぞれ５％程度
までで充分である。
り、前記ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3−Ｒ2Ｏ（Ｒ；アル
カリ金属）系ガラスにＦ成分を導入して溶融したガラス
は意外にもα線量が少なく、α線放出が低減されたガラ
スを得るために有効な成分であることを本発明者は見い
だしたのである。上記効果を得るためのＦ成分の導入量
は、０．５％未満ではその効果が小さく、１０％を超え
ると、ガラス中に脈理を生じやすくなり内部品質上好ま
しくない。また、Ｆ成分の導入方法は前記の金属元素の
１種叉は２種以上の酸化物の一部または全部と置換する
方法に限らず、Ｆ系ガス等によって、外部から導入する
ことも可能である。ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、
ＴｉＯ2、ＰｂＯおよびＺｎＯの各成分は本発明に必須
の成分ではないが、溶融性の改善および屈折率の調整な
どの目的に応じて導入でき、その量はそれぞれ５％程度
までで充分である。
【０００７】Ａｓ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3成分はガラスの清澄剤
として１％以下で含有させることができる。また、ガラ
スの溶融は、上記組成範囲内で各成分を適宜選択して混
合したガラスバッチを１２５０〜１５００℃の温度のガ
ラス溶融装置で約２〜１０時間溶融し、充分な攪拌によ
って泡切れを行い、適当な温度に下げて鋳込み成形また
はその他の成形方法によって、α線放出の少ないガラス
を製造することができる。
として１％以下で含有させることができる。また、ガラ
スの溶融は、上記組成範囲内で各成分を適宜選択して混
合したガラスバッチを１２５０〜１５００℃の温度のガ
ラス溶融装置で約２〜１０時間溶融し、充分な攪拌によ
って泡切れを行い、適当な温度に下げて鋳込み成形また
はその他の成形方法によって、α線放出の少ないガラス
を製造することができる。
【０００８】さらに、化学的耐久性、熱膨張係数、硬度
が良好で、α線放出が少ないより好適な組成を示すと、
重量百分率で、ＳｉＯ2 ５５〜７０％、Ｂ2Ｏ3 １２
〜１８％、Ａｌ2Ｏ3 ０〜３．５％、Ｋ2Ｏ ２〜２０
％、Ｎａ2Ｏ ０〜１２％、Ｌｉ2Ｏ ０〜３％、ただ
し、Ｋ2Ｏ＋Ｎａ2Ｏ＋Ｌｉ2Ｏ ７〜２０％、Ａｓ2Ｏ3
＋Ｓｂ2Ｏ3 ０〜１％、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、Ｂａ
Ｏ、ＴｉＯ2、ＰｂＯ、ＺｎＯをそれぞれ０〜３％、お
よび上記各金属元素の１種または２種以上の酸化物の一
部または全部と置換した弗化物のＦとして１〜１０％含
有した組成である。
が良好で、α線放出が少ないより好適な組成を示すと、
重量百分率で、ＳｉＯ2 ５５〜７０％、Ｂ2Ｏ3 １２
〜１８％、Ａｌ2Ｏ3 ０〜３．５％、Ｋ2Ｏ ２〜２０
％、Ｎａ2Ｏ ０〜１２％、Ｌｉ2Ｏ ０〜３％、ただ
し、Ｋ2Ｏ＋Ｎａ2Ｏ＋Ｌｉ2Ｏ ７〜２０％、Ａｓ2Ｏ3
＋Ｓｂ2Ｏ3 ０〜１％、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、Ｂａ
Ｏ、ＴｉＯ2、ＰｂＯ、ＺｎＯをそれぞれ０〜３％、お
よび上記各金属元素の１種または２種以上の酸化物の一
部または全部と置換した弗化物のＦとして１〜１０％含
有した組成である。
【０００９】
【実施例の説明】次に、本発明の実施例を表１に示す。
ここで、α線量の測定は、ガスフロー型α線測定装置を
用いて測定した。表１のＮｏ．１〜３には、Ｆ成分フリ
ーの標準組成（Ａ）と、それぞれに、Ｆ成分を導入した
組成（Ｂ）を示した。これから明らかなように、Ｆ成分
を導入することによって、α線量が３分の１から８分の
１に減少したことが分かる。また、Ｎｏ．４〜７には、
Ｆ成分を導入した組成のα線量を示したが、これらは、
いずれも、α線量０．０２以下を実現している。また、
表１には具体的数値は示していないが、実施例のガラス
は化学的耐久性が良好であり、約５００〜６００ｋｇＦ
／ｍｍ2の適度な硬度および約５０〜９０×１０-7／℃
の熱膨張係数を有し、かつ、紫外線透過性に優れてい
る。
ここで、α線量の測定は、ガスフロー型α線測定装置を
用いて測定した。表１のＮｏ．１〜３には、Ｆ成分フリ
ーの標準組成（Ａ）と、それぞれに、Ｆ成分を導入した
組成（Ｂ）を示した。これから明らかなように、Ｆ成分
を導入することによって、α線量が３分の１から８分の
１に減少したことが分かる。また、Ｎｏ．４〜７には、
Ｆ成分を導入した組成のα線量を示したが、これらは、
いずれも、α線量０．０２以下を実現している。また、
表１には具体的数値は示していないが、実施例のガラス
は化学的耐久性が良好であり、約５００〜６００ｋｇＦ
／ｍｍ2の適度な硬度および約５０〜９０×１０-7／℃
の熱膨張係数を有し、かつ、紫外線透過性に優れてい
る。
【００１０】
【表１】
【表１】
【表１】
【００１１】本発明の実施例のガラスは、いずれも酸化
物、炭酸塩、硝酸塩、および弗化物等の原料を所定の酸
化物組成が得られるよう、適宜選択して混合したガラス
原料を石英または白金坩堝に投入し、これを約１２５０
〜１５００℃の温度で約２〜１０時間溶融し充分な攪拌
によって泡切れを行った後、適当な温度に下げて鋳込み
成形またはその他の成形方法によって製造することがで
きる。
物、炭酸塩、硝酸塩、および弗化物等の原料を所定の酸
化物組成が得られるよう、適宜選択して混合したガラス
原料を石英または白金坩堝に投入し、これを約１２５０
〜１５００℃の温度で約２〜１０時間溶融し充分な攪拌
によって泡切れを行った後、適当な温度に下げて鋳込み
成形またはその他の成形方法によって製造することがで
きる。
【００１２】
【発明の効果】以上述べたとおり、本発明の低レベルα
線ガラスおよびその製造方法は、ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ａ
ｌ2Ｏ3−Ｒ2Ｏ（Ｒ；Ｋ、Ｎａ、Ｌｉ）系ガラスにＦを
導入することで、α線放出の少ないガラスとして得ら
れ、かつ、化学的耐久性が良好で、適度な硬度および熱
膨張係数を有しており、固体撮像素子等の半導体構成素
材のカバーガラスや封止用ガラスフィラーとして好適で
ある。
線ガラスおよびその製造方法は、ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ａ
ｌ2Ｏ3−Ｒ2Ｏ（Ｒ；Ｋ、Ｎａ、Ｌｉ）系ガラスにＦを
導入することで、α線放出の少ないガラスとして得ら
れ、かつ、化学的耐久性が良好で、適度な硬度および熱
膨張係数を有しており、固体撮像素子等の半導体構成素
材のカバーガラスや封止用ガラスフィラーとして好適で
ある。
Claims (2)
- 【請求項１】 重量百分率で、ＳｉＯ2 ５０〜７５
％、Ｂ2Ｏ3 ５〜２５％、Ａｌ2Ｏ3 ０〜３．５％、Ｋ
2Ｏ １〜２５％、Ｎａ2Ｏ ０〜２０％、Ｌｉ2Ｏ ０
〜５％、ただし、Ｋ2Ｏ＋Ｎａ2Ｏ＋Ｌｉ2Ｏ ７〜２５
％、Ａｓ2Ｏ3＋Ｓｂ2Ｏ3 ０〜１％、ＭｇＯ、ＣａＯ、
ＳｒＯ、ＢａＯ、ＴｉＯ2、ＰｂＯ、ＺｎＯをそれぞれ
０〜５％、および上記各金属元素の１種または２種以上
の酸化物の一部または全部と置換した弗化物の弗素
（Ｆ）として０．５〜１０％含有し、かつ、α線量が
０．０２（ｃｏｕｎｔ／ｃｍ2・ｈｒ）以下であること
を特徴とする低レベルα線ガラス。 - 【請求項２】 重量百分率で、ＳｉＯ2 ５０〜７５
％、Ｂ2Ｏ3 ５〜２５％、Ａｌ2Ｏ3 ０〜３．５％、Ｋ
2Ｏ １〜２５％、Ｎａ2Ｏ ０〜２０％、Ｌｉ2Ｏ ０
〜５％、ただし、Ｋ2Ｏ＋Ｎａ2Ｏ＋Ｌｉ2Ｏ ７〜２５
％、Ａｓ2Ｏ3＋Ｓｂ2Ｏ3 ０〜１％、ＭｇＯ、ＣａＯ、
ＳｒＯ、ＢａＯ、ＴｉＯ2、ＰｂＯ、ＺｎＯをそれぞれ
０〜５％、および上記各金属元素の１種または２種以上
の酸化物の一部または全部と置換した弗化物の弗素
（Ｆ）として０．５〜１０％含有する調合組成物を、１
２５０〜１５００℃の温度のガラス溶融装置で溶融後、
徐冷してからなり、かつ、該ガラスのα線量が０．０２
（ｃｏｕｎｔ／ｃｍ2・ｈｒ）以下であることを特徴と
する低レベルα線ガラスの製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5164105A JP2747871B2 (ja) | 1993-06-08 | 1993-06-08 | 低レベルα線ガラスおよびその製造方法 |
| US08/838,697 US5942793A (en) | 1993-06-08 | 1997-04-25 | Low alpha-ray level glass and method for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5164105A JP2747871B2 (ja) | 1993-06-08 | 1993-06-08 | 低レベルα線ガラスおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06345480A true JPH06345480A (ja) | 1994-12-20 |
| JP2747871B2 JP2747871B2 (ja) | 1998-05-06 |
Family
ID=15786857
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5164105A Expired - Fee Related JP2747871B2 (ja) | 1993-06-08 | 1993-06-08 | 低レベルα線ガラスおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2747871B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005008509A (ja) * | 2003-05-29 | 2005-01-13 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 光半導体パッケージ用カバーガラス及びその製造方法 |
| JP2010090026A (ja) * | 2003-02-19 | 2010-04-22 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 半導体パッケージ用カバーガラス |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0585768A (ja) * | 1991-03-22 | 1993-04-06 | Pilkington Plc | 硼珪酸ガラス組成 |
-
1993
- 1993-06-08 JP JP5164105A patent/JP2747871B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0585768A (ja) * | 1991-03-22 | 1993-04-06 | Pilkington Plc | 硼珪酸ガラス組成 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010090026A (ja) * | 2003-02-19 | 2010-04-22 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 半導体パッケージ用カバーガラス |
| JP2005008509A (ja) * | 2003-05-29 | 2005-01-13 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 光半導体パッケージ用カバーガラス及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2747871B2 (ja) | 1998-05-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2002249340A (ja) | 半導体パッケージ用カバーガラス | |
| CN100418911C (zh) | 半导体封装用覆层玻璃 | |
| JPH0867529A (ja) | ホウ酸低含有ホウケイ酸ガラス及びその応用 | |
| JPS6332733B2 (ja) | ||
| JP3532178B2 (ja) | 半導体パッケージ用窓材ガラス及びその製造方法 | |
| JP4371841B2 (ja) | 半導体パッケージ用窓材ガラス | |
| JP3288169B2 (ja) | パッケージ用ガラスの製造方法 | |
| JP3283722B2 (ja) | 半導体パッケージ用窓材ガラス及びその製造方法 | |
| US5942793A (en) | Low alpha-ray level glass and method for manufacturing the same | |
| JP2747871B2 (ja) | 低レベルα線ガラスおよびその製造方法 | |
| JP3206804B2 (ja) | 固体撮像素子パッケージ用窓ガラス | |
| JP3090174B2 (ja) | 低放射線ガラス | |
| JP3589421B2 (ja) | 半導体パッケージ用窓材ガラス及びその製造方法 | |
| JP2660891B2 (ja) | 固体撮像素子パッケージ用窓ガラス | |
| EP0683758B1 (en) | Unleaded transparent vitreous glass composition and articles | |
| JPS6344699B2 (ja) | ||
| JP3123009B2 (ja) | 固体撮像素子パッケージ用窓ガラス | |
| JP3386058B2 (ja) | 半導体パッケージ用カバーガラス及びその製造方法 | |
| JPH07215734A (ja) | 固体撮像素子用カバーガラス | |
| US3784387A (en) | Glass compositions of low inherent radioactivity | |
| JPH1036134A (ja) | アルミナ封着用紫外線透過ガラス | |
| JPH07215733A (ja) | 固体撮像素子用カバーガラス | |
| JP2002348142A (ja) | 半導体パッケージ用カバーガラス及び固体撮像素子 | |
| JP3206787B2 (ja) | 固体撮像素子パッケージ用窓ガラス | |
| JPH06211538A (ja) | 固体撮像素子用カバーガラス |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |