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JPH06279323A - New styryl compound, production thereof and organic electroluminescence element therefrom - Google Patents

New styryl compound, production thereof and organic electroluminescence element therefrom

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Publication number
JPH06279323A
JPH06279323A JP5068322A JP6832293A JPH06279323A JP H06279323 A JPH06279323 A JP H06279323A JP 5068322 A JP5068322 A JP 5068322A JP 6832293 A JP6832293 A JP 6832293A JP H06279323 A JPH06279323 A JP H06279323A
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JP
Japan
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group
substituted
carbon atoms
light emitting
compound
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JP5068322A
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Hisahiro Azuma
久洋 東
Hiroshi Shoji
弘 東海林
Tadashi Kusumoto
正 楠本
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Idemitsu Kosan Co Ltd
Original Assignee
Idemitsu Kosan Co Ltd
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  • Luminescent Compositions (AREA)
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Abstract

PURPOSE:To provide a novel styryl compound excellent in thin-film formability, enabling high-luminance luminescence, useful as a luminescent material for organic electroluminescence elements. CONSTITUTION:The objective styryl compound of formula I [Ar is (substituted) 6-20C aryl; R<1> and R<2> are each H, (substituted) 6-20C aryl or 1-6C alkyl; R<3> is (substituted) 6-20C aryl or 4-18C heterocyclic group; R<2> and R<3> are respectively bound to substituted groups into (substituted) saturated five-membered ring or saturated six-membered ring; the above-mentioned substituent is 1-6C alkyl, 1-6C alkoxy, 6-18C aryloxy, phenyl, amino, CN, NO3, OH or halogen; X is H or of formula II], e.g. a compound of formula III. The compound of the formula I can be obtained by coupling of a phosphonic ester of formula IV (R is 1-4C alkyl or phenyl) in the presence of a base.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、新規スチリル化合物,
その製造法およびそれからなる有機エレクトロルミネッ
センス素子(有機EL素子)に関し、詳しくは、薄膜性
に優れ、高輝度発光を可能とする新規スチリル化合物,
その製造法およびそれからなる有機EL素子に関する。
The present invention relates to a novel styryl compound,
Regarding the manufacturing method thereof and an organic electroluminescence device (organic EL device) composed thereof, in detail, a novel styryl compound excellent in thin film property and capable of high-luminance emission,
The present invention relates to a method for producing the same and an organic EL device formed thereof.

【0002】[0002]

【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】電界発
光を利用したEL素子は、自己発光のため視認性が高
く、また完全固体素子であるため耐衝撃性に優れるとい
う特徴を有しており、薄型ディスプレイ素子,液晶ディ
スプレイのバックライト,平面光源などに用いられてい
る。現在実用化されているEL素子は、分散型EL素子
である。この分散型EL素子は、数10V,10kHz
以上の交流電圧を必要とするため駆動回路が複雑になっ
ている。一方、有機薄膜EL素子は駆動電圧を10V程
度まで低下させることが出来、高輝度に発光するため近
年盛んに研究が行われ、多くの有機薄膜EL素子が開発
されている(C.W.Tang and S.A.VAN Slyke,Appl.Phys.L
ett.,vol.51,pp.913〜915(1987) ;特開平63−264
629号公報)。これらの有機薄膜EL素子は、透明電
極/正孔注入層/発光層/背面電極の積層型であり、正
孔注入層により効率よく正孔を発光層内へ注入すること
ができる。上記有機薄膜EL素子の構成において、発光
層にテトラフェニルブタジエン化合物誘導体を用いた有
機EL薄膜素子(特開昭59−194393号公報,特
開平4−96990号公報)やスチリル化合物(欧州特
許公開第0388768号公報,特開平4−18489
2号公報,特開平3−205478号公報)を用いたも
のがある。また、近年上記スチリル化合物より派生した
3官能化合物を発光材料として含有する有機EL素子が
開示されているが、輝度および発光効率が低いという問
題がある。この問題は、発光材料が結晶化することが原
因である。
2. Description of the Related Art EL devices utilizing electroluminescence have the characteristics that they are self-luminous and therefore highly visible, and because they are completely solid-state devices, they are excellent in impact resistance. It is used for thin display devices, liquid crystal display backlights, flat light sources, and so on. The EL element currently put into practical use is a dispersion type EL element. This dispersion type EL device has several tens of volts and 10 kHz.
Since the above AC voltage is required, the drive circuit is complicated. On the other hand, since the organic thin film EL element can reduce the driving voltage to about 10 V and emits light with high brightness, research has been actively conducted in recent years, and many organic thin film EL elements have been developed (CWTang and SAVAN Slyke, Appl.Phys.L
ett., vol.51, pp.913-915 (1987); JP-A-63-264.
629 publication). These organic thin film EL devices are a laminated type of transparent electrode / hole injection layer / light emitting layer / back electrode, and holes can be efficiently injected into the light emitting layer by the hole injection layer. In the structure of the organic thin film EL device, an organic EL thin film device using a tetraphenylbutadiene compound derivative in the light emitting layer (Japanese Patent Laid-Open No. 59-194393, Japanese Patent Laid-Open No. 4-96990) and a styryl compound (European Patent Publication No. 1). No. 0388768, Japanese Patent Laid-Open No. 18489/1992
No. 2, JP-A-3-205478). Further, recently, an organic EL element containing a trifunctional compound derived from the styryl compound as a light emitting material has been disclosed, but there is a problem that the luminance and the light emitting efficiency are low. This problem is caused by crystallization of the light emitting material.

【0003】[0003]

【課題を解決するための手段】そこで、本発明者らは、
上記問題点を解決すべく鋭意検討した結果、スチリル化
合物のオレフィン部位が多数存在することにより多種多
様の構造が可能となり、それにより分子の再配列(結晶
化)を防ぐことを見出した。
Therefore, the present inventors have
As a result of diligent studies to solve the above problems, it was discovered that the presence of a large number of olefinic moieties in a styryl compound enables a wide variety of structures, thereby preventing rearrangement (crystallization) of molecules.

【0004】本発明はかかる知見に基づいて完成したも
のである。すなわち本発明は、一般式(I)
The present invention has been completed based on such findings. That is, the present invention has the general formula (I)

【0005】[0005]

【化4】 [Chemical 4]

【0006】(式中、Arは炭素数6〜20の置換ある
いは無置換のアリール基を示し、R1,R2 はそれぞれ
水素原子、置換あるいは無置換の炭素数6〜20のアリ
ール基,または炭素数1〜6のアルキル基を示す。R3
は置換あるいは無置換の炭素数6〜20のアリール基,
または炭素数4〜18の複素環基を示す。ここで、R1
〜R3 は同一でも、互いに異なっていてもよい。さら
に、R2 とR3 はそれぞれ置換している基と結合して置
換あるいは無置換の飽和五員環または置換あるいは無置
換の飽和六員環を形成してもよい。ここで、置換基とし
ては炭素数1〜6のアルキル基,炭素数1〜6のアルコ
キシ基,炭素数6〜18のアリールオキシ基,フェニル
基,アミノ基,シアノ基,ニトロ基,水酸基あるいはハ
ロゲンを示す。これらの置換基は単一でも複数置換され
ていてもよい。また、Xは水素あるいは
(In the formula, Ar represents a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms, R 1 and R 2 are each a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms, or Indicates an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms R 3
Is a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms,
Alternatively, it represents a heterocyclic group having 4 to 18 carbon atoms. Where R 1
To R 3 may be the same or different from each other. Further, R 2 and R 3 may be bonded to a substituent to form a substituted or unsubstituted saturated 5-membered ring or a substituted or unsubstituted saturated 6-membered ring. Here, as the substituent, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, an aryloxy group having 6 to 18 carbon atoms, a phenyl group, an amino group, a cyano group, a nitro group, a hydroxyl group or halogen. Indicates. These substituents may be single or multiple. X is hydrogen or

【0007】[0007]

【化5】 [Chemical 5]

【0008】(式中、R1 〜R3 は前記と同じであ
る。))で表される新規スチリル化合物を提供し、一般
式(II)
(Wherein R 1 to R 3 are the same as above), and a novel styryl compound represented by the general formula (II)

【0009】[0009]

【化6】 [Chemical 6]

【0010】(式中、Rは炭素数1〜4のアルキル基あ
るいはフェニル基を示し、R1 〜R3,XおよびArは
前記と同じである。)で表されるホスホン酸エステルを
塩基の存在下でカップリングさせてなる上記新規スチリ
ル化合物の製造法および上記新規スチリル化合物を挟持
してなる有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する
ものである。
(In the formula, R represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a phenyl group, and R 1 to R 3 , X and Ar are the same as the above.) The present invention provides a method for producing the novel styryl compound which is coupled in the presence of the organic luminescent element, and an organic electroluminescent device which sandwiches the novel styryl compound.

【0011】本発明は、一般式(I)で表される4官能
スチリル化合物を提供する。ここで、一般式(I)にお
いてArは、i)Xが水素の場合
The present invention provides a tetrafunctional styryl compound represented by the general formula (I). Here, in the general formula (I), Ar is i) when X is hydrogen.

【0012】[0012]

【化7】 [Chemical 7]

【0013】[0013]

【化8】 [Chemical 8]

【0014】フェナントレン;ペリレン;1,2−ベン
ゾアントラセン;ナフタセン;クリセン;クオーターフ
ェニレンなどの任意の結合位置を有する3価の芳香族炭
化水素であり、単一置換でも複数置換されていてもよ
い。
Phenanthrene; perylene; 1,2-benzanthracene; naphthacene; chrysene; quarter phenylene and the like, which is a trivalent aromatic hydrocarbon having an arbitrary bonding position, and may be mono-substituted or plural-substituted.

【0015】[0015]

【化9】 [Chemical 9]

【0016】フェナントレン;ペリレン;1,2−ベン
ゾアントラセン;ナフタセン;クリセン;クオーターフ
ェニレンなどの任意の結合位置を有する4価の芳香族炭
化水素であり、単一置換でも複数置換されていてもよ
い。R1 ,R2 は、例えばフェニル基,ナフチル基,ビ
フェニル基,ターフェニル基,アントラリル基,フェナ
ントリル基,ピレニル基,ペリレニル基などで表される
炭素数6〜20のアリール基またはメチル基,エチル
基,n−プロピル基,i−プロピル基,n−ブチル基,
i−ブチル基,sec−ブチル基,t−ブチル基,i−
ペンチル基,t−ペンチル基,ネオペンチル基,n−ヘ
キシル基,i−ヘキシル基などで表される炭素数1〜6
のアルキル基であり、同一でも異なってもよい。これら
アリール基またはアルキル基は、置換または無置換でも
よく、単一置換でも複数置換されていてもよい。R
3 は、例えばそれぞれフェニル基,ナフチル基,ビフェ
ニル基,ターフェニル基,アントラリル基,フェナント
リル基,ピレニル基,ペリレニル基などで表される炭素
数6〜20のアリール基またはピラジル基,ピリジル
基,キノリル基,カルバゾリル基,キノキサリル基など
で表される炭素数4〜18の複素環基である。これらア
リール基または複素環基は、置換または無置換でもよ
く、単一置換でも複数置換されていてもよい。さらに、
2 とR3 はそれぞれ置換している基と結合して置換あ
るいは無置換の飽和五員環または置換あるいは無置換の
飽和六員環を形成してもよい。ここで、置換基としては
例えばメチル基,エチル基,n−プロピル基,i−プロ
ピル基,n−ブチル基,i−ブチル基,sec−ブチル
基,t−ブチル基,i−ペンチル基,t−ペンチル基,
ネオペンチル基,n−ヘキシル基,i−ヘキシル基など
の炭素数1〜6のアルキル基、メトキシ基,エトキシ
基,プロポキシ基,i−プロポキシ基,ブチルオキシ
基,i−ブチルオキシ基,sec−ブチルオキシ基,i
−ペンチルオキシ基,t−ペンチルオキシ基,n−ヘキ
シルオキシ基などの炭素数1〜6のアルコキシ基、フェ
ノキシ基,ナフチルオキシ基など炭素数6〜18のアリ
ールオキシ基、フェニル基、アミノ基、シアノ基、ニト
ロ基、水酸基あるいはハロゲンが挙げられる。具体的
に、アミノ基としては
A tetravalent aromatic hydrocarbon having an arbitrary bonding position such as phenanthrene; perylene; 1,2-benzanthracene; naphthacene; chrysene; quarterphenylene and the like, which may be mono-substituted or plural-substituted. R 1 and R 2 are, for example, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms represented by a phenyl group, a naphthyl group, a biphenyl group, a terphenyl group, an anthrylyl group, a phenanthryl group, a pyrenyl group, a perylenyl group, a methyl group, or an ethyl group. Group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group,
i-butyl group, sec-butyl group, t-butyl group, i-
1 to 6 carbon atoms represented by pentyl group, t-pentyl group, neopentyl group, n-hexyl group, i-hexyl group, etc.
Of alkyl groups, which may be the same or different. These aryl groups or alkyl groups may be substituted or unsubstituted, and may be mono-substituted or plural-substituted. R
3 is, for example, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms represented by a phenyl group, a naphthyl group, a biphenyl group, a terphenyl group, an anthryl group, a phenanthryl group, a pyrenyl group, a perylenyl group or a pyrazyl group, a pyridyl group, a quinolyl group. A heterocyclic group having 4 to 18 carbon atoms represented by a group, a carbazolyl group, a quinoxalyl group, or the like. These aryl groups or heterocyclic groups may be substituted or unsubstituted, and may be mono-substituted or plural-substituted. further,
R 2 and R 3 may combine with a substituent to form a substituted or unsubstituted saturated five-membered ring or a substituted or unsubstituted saturated six-membered ring. Here, as the substituent, for example, methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, i-butyl group, sec-butyl group, t-butyl group, i-pentyl group, t A pentyl group,
C1-C6 alkyl groups such as neopentyl group, n-hexyl group, i-hexyl group, methoxy group, ethoxy group, propoxy group, i-propoxy group, butyloxy group, i-butyloxy group, sec-butyloxy group, i
An alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms such as -pentyloxy group, t-pentyloxy group and n-hexyloxy group, an aryloxy group having 6 to 18 carbon atoms such as phenoxy group and naphthyloxy group, a phenyl group, an amino group, Examples thereof include a cyano group, a nitro group, a hydroxyl group and halogen. Specifically, as an amino group

【0017】[0017]

【化10】 [Chemical 10]

【0018】(式中、R4 ,R5 は炭素数1〜6のアル
キル基または置換あるいは無置換の炭数6〜20のアリ
ール基を示す。R4 ,R5 は同じでも異なっていてもよ
い。)で表される化合物が挙げられる。
(Wherein R 4 and R 5 represent an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms. R 4 and R 5 may be the same or different. Good)).

【0019】上記一般式(I)で表される新規スチリル
化合物は、上記一般式(II)で表されるホスホン酸エス
テルをカップリング反応させることにより合成すること
ができる。この反応は、塩基存在下、極性溶媒中で、室
温から用いる溶媒の沸点までの温度範囲で通常行われ
る。具体的には、一般式(II)のホスホン酸エステル,
等当量以上の塩基および極性溶媒を同時に混合し、所定
の温度で反応させる。また、ホスホン酸エステルを極性
溶媒に溶解した後、塩基を添加し所定の温度で反応させ
る。反応終了後、大量の水中もしくは塩を溶解した飽和
水溶液に注ぎ込み、得られる固体を収集するか、得られ
た固体を任意の有機溶媒に溶解させ分取し、有機溶媒を
除去することにより、目的の新規スチリル化合物を得る
ことができる。 ここで、一般式(II)のRは低級アル
キル基として炭素数1〜4のアルキル基およびフェニル
基を示し、メチル基,エチル基であることが好ましい。
一般式(II)で表されるホスホン酸エステルは、一般式
(III)または(IV)
The novel styryl compound represented by the general formula (I) can be synthesized by subjecting the phosphonate ester represented by the general formula (II) to a coupling reaction. This reaction is usually carried out in the presence of a base in a polar solvent in the temperature range from room temperature to the boiling point of the solvent used. Specifically, a phosphonate ester of the general formula (II),
Equivalent or more bases and polar solvents are mixed at the same time and reacted at a predetermined temperature. Further, after dissolving the phosphonate ester in a polar solvent, a base is added and the reaction is carried out at a predetermined temperature. After completion of the reaction, the mixture is poured into a large amount of water or a saturated aqueous solution in which a salt is dissolved, and the obtained solid is collected, or the obtained solid is dissolved in any organic solvent and fractionated to remove the organic solvent. The novel styryl compound can be obtained. Here, R in the general formula (II) represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms as a lower alkyl group and a phenyl group, and is preferably a methyl group or an ethyl group.
The phosphonate ester represented by the general formula (II) is represented by the general formula (III) or (IV)

【0020】[0020]

【化11】 [Chemical 11]

【0021】(式中、R1 およびArは前記と同じであ
る。またYはそれぞれハロゲンを示し、互いに同じでも
異なってもよい。)で表される化合物と P(OR)3 (式中、Rは前記と同じである。)とを反応して得るこ
とができる。他に、一般式(II)で表されるホスホン酸
エステルは、一般式(V)または(VI)
(Wherein R 1 and Ar are the same as those described above, and Y is a halogen, and may be the same or different from each other) and P (OR) 3 (in the formula, R is the same as above.) And can be obtained. In addition, the phosphonate ester represented by the general formula (II) is represented by the general formula (V) or (VI).

【0022】[0022]

【化12】 [Chemical 12]

【0023】(式中、R,R1 およびArは前記と同じ
である。)で表されるホスホン酸エステルと一般式(VI
I)
(Wherein R, R 1 and Ar are the same as above) and the phosphonate represented by the general formula (VI
I)

【0024】[0024]

【化13】 [Chemical 13]

【0025】(式中、R2 ,R3 は前記と同じであ
る。)で表されるカルボニル化合物のモル比を制御して
反応させることにより得ることができる。具体的には、
一般式(V)のホスホン酸エステルに対しては2倍モル
の一般式(VII)カルボニル化合物、一般式(VI)のホス
ホン酸エステルに対しては3倍モルの一般式(VII)カル
ボニル化合物を反応させることにより一般式(II)のホ
スホン酸エステルを得ることができる。但し、反応温度
によては、この反応により、一般式(II)のホスホン酸
エステルを経由せずに直接一般式(I)の新規スチリル
化合物を得ることも可能である。新規スチリル化合物の
合成で用いる塩基としては、種々挙げられるが水酸化ナ
トリウム,水酸化カリウム,ナトリウムメチラート,ナ
トリウムエチラート,カリウム−t−ブトキサイド,ナ
トリウムアミド,水素化ナトリウム,水素化カリウム,
リチウムジイソプロピルアミドなどが挙げられる。ま
た、反応溶媒としては、炭化水素,アルコール類,エー
テル類などの極性溶媒が好ましい。具体的には、メタノ
ール;エタノール;イソプロパノール;ブタノール;2
−メトキシエタノール;1,2−ジメトキシエタノール
などのアルコール系溶媒、ジエチルエーテル,エチレン
グリコール,ジメチルエーテル,ジエチレングリコール
ジメチルエーテル,ビス(2−メトキシエチル)エーテ
ル,ジオキサン,テトラヒドロフランなどのエーテル系
溶媒、ベンゼン,トルエン,キシレンなどの芳香族系溶
媒、;ジメチルスルホキシド;N,N−ジメチルホルム
アミド;N−メチルピロリドン;1,3−ジメチル−2
−イミダゾリジノンなどが挙げられる。特に、テトラヒ
ドロフラン,ジメチルスルホキシドが好適である。
It can be obtained by controlling the molar ratio of the carbonyl compound represented by the formula (wherein R 2 and R 3 are the same as above) to react. In particular,
Two times the molar amount of the general formula (VII) carbonyl compound is used for the phosphonic acid ester of the general formula (V), and three times the molar amount of the general formula (VII) carbonyl compound is used for the phosphonic acid ester of the general formula (VI). By reacting, the phosphonate ester of the general formula (II) can be obtained. However, depending on the reaction temperature, it is possible to directly obtain the novel styryl compound of the general formula (I) without going through the phosphonate ester of the general formula (II) by this reaction. Examples of the base used in the synthesis of the novel styryl compound include sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium methylate, sodium ethylate, potassium t-butoxide, sodium amide, sodium hydride, potassium hydride,
Examples thereof include lithium diisopropylamide. As the reaction solvent, polar solvents such as hydrocarbons, alcohols and ethers are preferable. Specifically, methanol; ethanol; isopropanol; butanol; 2
-Methoxyethanol; alcohol solvent such as 1,2-dimethoxyethanol, ether solvent such as diethyl ether, ethylene glycol, dimethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, bis (2-methoxyethyl) ether, dioxane and tetrahydrofuran, benzene, toluene, xylene Aromatic solvents such as; dimethyl sulfoxide; N, N-dimethylformamide; N-methylpyrrolidone; 1,3-dimethyl-2
-Imidazolidinone and the like. Particularly, tetrahydrofuran and dimethyl sulfoxide are preferable.

【0026】以下に、本発明で用いられる新規スチリル
化合物の具体例(1)〜(20)(以下、化合物(1)
〜(20)と略称する場合がある。)を挙げるが、本発
明はそれらに限定されるものではない。
Specific examples (1) to (20) of the novel styryl compound used in the present invention (hereinafter referred to as compound (1)
May be abbreviated to (20). ), But the present invention is not limited thereto.

【0027】[0027]

【化14】 [Chemical 14]

【0028】[0028]

【化15】 [Chemical 15]

【0029】[0029]

【化16】 [Chemical 16]

【0030】[0030]

【化17】 [Chemical 17]

【0031】[0031]

【化18】 [Chemical 18]

【0032】[0032]

【化19】 [Chemical 19]

【0033】[0033]

【化20】 [Chemical 20]

【0034】[0034]

【化21】 [Chemical 21]

【0035】[0035]

【化22】 [Chemical formula 22]

【0036】このようにして得られた本発明の前記一般
式(I)で表される新規スチリル化合物は、有機EL素
子における発光材料または正孔注入輸送材料として有効
である。この新規スチリル化合物を発光層とする場合
は、例えば蒸着法,スピンコート法,キャスト法などの
公知の方法によって、一般式(I)の新規スチリル化合
物を薄膜化してことにより形成することができるが、特
に分子堆積膜とすることが好ましい。ここで分子堆積膜
とは、該化合物の気相状態から沈着され形成された薄膜
や、該化合物の溶液状態又は液相状態から固体化され形
成された膜のことであり、例えば蒸着膜などを示すが、
通常この分子堆積膜はLB法により形成された薄膜(分
子累積膜)とは区別することができる。また、該発光層
は、特開昭59−194393号公報などに開示されて
いるように、樹脂などの結着剤と該化合物とを、溶剤に
溶かして溶液としたのち、これをスピンコート法などに
より薄膜化し、形成することができる。このようにして
形成された発光層の膜厚については特に制限はなく、適
宜状況に応じて選ぶことができるが、通常5nmないし
5μmの範囲で選定される。
The novel styryl compound represented by the general formula (I) of the present invention thus obtained is effective as a light emitting material or a hole injecting and transporting material in an organic EL device. When the novel styryl compound is used as a light emitting layer, it can be formed by thinning the novel styryl compound of the general formula (I) by a known method such as a vapor deposition method, a spin coating method, or a casting method. It is particularly preferable to use a molecular deposition film. Here, the molecular deposition film is a thin film formed by depositing the compound from a gas phase state, or a film formed by solidifying from a solution state or a liquid phase state of the compound, for example, a vapor deposition film or the like. Show,
Usually, this molecular deposition film can be distinguished from a thin film (molecular cumulative film) formed by the LB method. Further, as disclosed in JP-A-59-194393, etc., the light-emitting layer is prepared by dissolving a binder such as a resin and the compound in a solvent to form a solution, which is then spin-coated. For example, it can be formed into a thin film. The thickness of the light emitting layer thus formed is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the circumstances, but is usually selected in the range of 5 nm to 5 μm.

【0037】この有機EL素子における発光層は、
(1)電界印加時に、陽極又は正孔注入輸送層により正
孔を注入することができ、かつ陰極又は電子注入層より
電子を注入することができる注入機能、(2)注入した
電荷(電子と正孔)を電界の力で移動させる輸送機能、
(3)電子と正孔の再結合の場を発光層内部に提供し、
これを発光につなげる発光機能などを有している。な
お、正孔の注入されやすさと、電子の注入されやすさに
違いがあってもよいし、正孔と電子の移動度で表される
輸送能に大小があってもよいが、どちらか一方の電荷を
移動することが好ましい。この発光層に用いる前記一般
式(I)で表される化合物は、一般にイオン化エネルギ
ーが6.0eV程度より小さいので、適当な陽極金属又は
陽極化合物を選べば、比較的正孔を注入しやすい。また
電子親和力は2.8eV程度より大きいので、適当な陰極
金属又は陰極化合物を選べば、比較的電子を注入しやす
い上、電子,正孔の輸送能力も優れている。さらに固体
状態の蛍光性が強いため、該化合物やその会合体又は結
晶などの電子と正孔の再結晶時に形成された励起状態を
光に変換する能力が大きい。
The light emitting layer in this organic EL device is
(1) An injection function capable of injecting holes from the anode or the hole injecting and transporting layer when an electric field is applied, and injecting electrons from the cathode or the electron injecting layer, (2) injected charge (electron Transport function that moves (holes) by the force of the electric field,
(3) Providing a field for recombination of electrons and holes inside the light emitting layer,
It has a light emitting function that connects this to light emission. It should be noted that there may be a difference between the ease with which holes are injected and the ease with which electrons are injected, and the transport capacity represented by the mobility of holes and electrons may be large or small. It is preferable to transfer the electric charges of. Since the compound represented by the general formula (I) used for the light emitting layer generally has an ionization energy smaller than about 6.0 eV, holes can be relatively easily injected by selecting an appropriate anode metal or anode compound. Further, since the electron affinity is larger than about 2.8 eV, if an appropriate cathode metal or cathode compound is selected, it is relatively easy to inject electrons and the electron and hole transporting ability is excellent. Furthermore, since the solid-state fluorescence is strong, it has a large ability to convert the excited state formed at the time of recrystallization of electrons and holes of the compound or its associated body or crystal into light.

【0038】本発明の新規スチリル化合物を用いた有機
EL素子の構成は、各種の態様があるが、基本的には、
一対の電極(陽極と陰極)間に、前記発光層を挟持した
構成とし、これに必要に応じて、正孔注入輸送層や電子
注入層を介在させればよい。介在方法としては、ポリマ
ーへの混ぜ込みや同時吸着がある。具体的には(1)陽
極/発光層/陰極,(2)陽極/正孔注入輸送層/発光
層/陰極,(3)陽極/正孔注入輸送層/発光層/電子
注入層/陰極,(4)陽極/発光層/電子注入層/陰極
などの構成を挙げることができる。該正孔注入輸送層や
電子注入層は、必ずしも必要ではないが、これらの層が
あると発光性能が一段と向上する。また、前記構成の素
子においては、いずれも基板に支持されていることが好
ましく、該基板については特に制限はなく、従来EL素
子に慣用されているもの、例えばガラス,透明プラスチ
ック,石英などから成るものを用いることができる。
The constitution of the organic EL device using the novel styryl compound of the present invention has various modes, but basically,
The light emitting layer may be sandwiched between a pair of electrodes (anode and cathode), and a hole injecting and transporting layer and an electron injecting layer may be interposed therebetween as necessary. The intervening method includes mixing into the polymer and simultaneous adsorption. Specifically, (1) anode / light emitting layer / cathode, (2) anode / hole injection / transport layer / light emitting layer / cathode, (3) anode / hole injection / transport layer / light emitting layer / electron injection layer / cathode, (4) Anode / light emitting layer / electron injection layer / cathode and the like can be mentioned. The hole injecting and transporting layer and the electron injecting layer are not always necessary, but the presence of these layers further improves the light emitting performance. Further, it is preferable that all of the elements having the above-mentioned constitution are supported by a substrate, and there is no particular limitation on the substrate, and the elements conventionally used for EL elements such as glass, transparent plastic, quartz and the like are used. Any thing can be used.

【0039】この有機EL素子における陽極としては、
仕事関数の大きい(4eV以上)金属,合金,電気伝導
性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好
ましく用いられる。このような電極物質の具体例として
はAuなどの金属,CuI,ITO,SnO2 ,ZnO
などの誘電性透明材料が挙げられる。該陽極は、これら
の電極物質を蒸着やスパッタリングなどの方法により、
薄膜を形成させることにより作製することができる。こ
の電極より発光を取り出す場合には、透過率を10%よ
り大きくすることが望ましく、また、電極としてのシー
ト抵抗は数百Ω/□以下が好ましい。さらにこの膜厚は
材料にもよるが、通常10nmないし1μm,好ましく
は10〜200nmの範囲で選ばれる。
As the anode in this organic EL device,
A material having a high work function (4 eV or more), an alloy, an electrically conductive compound, or a mixture thereof as an electrode material is preferably used. Specific examples of such an electrode material include metals such as Au, CuI, ITO, SnO 2 , and ZnO.
Dielectric transparent materials such as The anode is prepared by subjecting these electrode materials to a method such as vapor deposition or sputtering.
It can be produced by forming a thin film. When the emitted light is taken out from this electrode, it is desirable that the transmittance is higher than 10%, and the sheet resistance as an electrode is preferably several hundred Ω / □ or less. Further, although this film thickness depends on the material, it is usually selected in the range of 10 nm to 1 μm, preferably 10 to 200 nm.

【0040】一方、陰極としては、仕事関数の小さい
(4eV以下)金属,合金,電気伝導性化合物及びこれ
らの混合物を電極物質とするものが用いられる。このよ
うな電極物質の具体例としては、ナトリウム,ナトリウ
ム−カリウム合金,マグネシウム,リチウム,マグネシ
ウム/銅混合物,Al/AlO2 ,インジウムなどが挙
げられる。該陰極は、これらの電極物質を蒸着やスパッ
タリングなどの方法により、薄膜を形成させることによ
り、作製することができる。また、電極としてのシート
抵抗は数百Ω/□以下が好ましく、膜厚は通常10nm
ないし1μm,好ましくは50〜200nmの範囲で選
ばれる。なお、このEL素子においては、該陽極又は陰
極のいずれか一方が透明又は半透明であることが、発光
を透過するため、発光の取出し効率がよく好都合であ
る。
On the other hand, as the cathode, a material having a low work function (4 eV or less), an alloy, an electrically conductive compound or a mixture thereof as an electrode substance is used. Specific examples of such an electrode material include sodium, sodium-potassium alloy, magnesium, lithium, magnesium / copper mixture, Al / AlO 2 , indium and the like. The cathode can be produced by forming a thin film of these electrode substances by a method such as vapor deposition or sputtering. Further, the sheet resistance as an electrode is preferably several hundred Ω / □ or less, and the film thickness is usually 10 nm.
To 1 μm, preferably 50 to 200 nm. In this EL element, it is convenient that either the anode or the cathode is transparent or semi-transparent to allow the emitted light to pass therethrough, so that the emission efficiency of the emitted light is good.

【0041】本発明の有機EL素子の構成は、前記した
ように、各種の態様があり、前記(2)又は(3)の構
成のEL素子における正孔注入輸送層は、正孔伝達化合
物からなる層であって、陽極より注入された正孔を発光
層に伝達する機能を有し、この正孔注入輸送層を陽極と
発光層との間に介在させることにより、より低い電界で
多くの正孔が発光層に注入される。その上、発光層に陰
極又は電子注入層より注入された電子は、発光層と正孔
注入輸送層の界面に存在する電子の障壁により、この発
光層内の界面付近に蓄積されEL素子の発光効率を向上
させ、発光性能の優れたEL素子とする。
The structure of the organic EL device of the present invention has various modes as described above, and the hole injecting and transporting layer in the EL device having the structure of (2) or (3) is made of a hole transporting compound. Layer having a function of transmitting holes injected from the anode to the light emitting layer, and by interposing this hole injecting and transporting layer between the anode and the light emitting layer, many layers can be generated at a lower electric field. Holes are injected into the light emitting layer. In addition, the electrons injected from the cathode or the electron injection layer into the light emitting layer are accumulated near the interface in the light emitting layer due to the electron barrier existing at the interface between the light emitting layer and the hole injecting and transporting layer, and the EL element emits light. An EL element with improved efficiency and excellent light emission performance.

【0042】前記正孔注入輸送層に用いられる正孔伝達
化合物は、電界を与えられた2個の電極間に配置されて
陽極から正孔が注入された場合、該正孔を適切に発光層
へ伝達しうる化合物であって、例えば104 〜106
/cmの電界印加時に、少なくとも10-6cm2 /(V
・秒)の正孔移動度をもつものが好適である。このよう
な正孔伝達化合物については、前記の好ましい性質を有
するものであれば特に制限はなく、従来、光導電材料に
おいて、正孔の電荷輸送材として慣用されているものや
有機EL素子の正孔注入輸送層に使用される公知のもの
の中から任意のものを選択して用いることができる。
The hole transport compound used in the hole injecting and transporting layer is disposed between two electrodes to which an electric field is applied, and when the hole is injected from the anode, the hole is appropriately emitted. A compound which can be transmitted to, for example, 10 4 to 10 6 V
At least 10 -6 cm 2 / (V
A hole mobility of (sec) is preferable. The hole transporting compound is not particularly limited as long as it has the above-mentioned preferable properties, and is conventionally used as a charge transporting material for holes in photoconductive materials or a positive electrode of an organic EL device. Any known material used for the hole injecting and transporting layer can be selected and used.

【0043】該電荷輸送材としては、例えばトリアゾー
ル誘導体(米国特許第3,112,197号明細書などに記
載のもの)、オキサジアゾール誘導体(米国特許第3,1
89,447号明細書などに記載のもの)、イミダゾール
誘導体(特公昭37−16096号公報などに記載のも
の)、ポリアリールアルカン誘導体(米国特許第3,61
5,402 号明細書,同3,820,989 号明細書,同3,5
42,544 号明細書,特公昭45−555号公報,同5
1−10983号公報,特開昭51−93224号公
報,同55−17105号公報,同56−4148号公
報,同55−108667号公報,同55−15695
3号公報,同56−36656号公報などに記載のも
の)、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体(米国特
許第3,180,729 号明細書,同4,278,746 号明細
書,特開昭55−88064号公報,同55−8806
5号公報,同49−105537号公報,同55−51
086号公報,同56−80051号公報,同56−8
8141号公報,同57−45545号公報,同54−
112637号公報,同55−74546号公報などに
記載のもの)、フェニレンジアミン誘導体(米国特許第
3,615,404 号明細書,特公昭51−10105号公
報,同46−3712号公報,同47−25336号公
報,特開昭54−53435号公報,同54−1105
36号公報,同54−119925号公報などに記載の
もの)、アリールアミン誘導体(米国特許第3,567,4
50 号明細書,同3,180,703 号明細書,同3,24
0,597 号明細書,同3,658,520 号明細書,同4,2
32,103 号明細書,同4,175,961 号明細書,同
4,012,376号明細書,特公昭49−35702号公
報,同39−27577号公報,特開昭55−1442
50号公報,同56−119132号公報,同56−2
2437号公報,西独特許第1,110,518 号明細書な
どに記載のもの)、アミノ置換カルコン誘導体(米国特
許第3,526,501 号明細書などに記載のもの)、オキ
サゾール誘導体(米国特許第3,257,203 号明細書な
どに記載のもの)、スチリルアントラセン誘導体(特開
昭56−46234号公報などに記載のもの)、フルオ
レノン誘導体(特開昭54−110837号公報などに
記載のもの)、ヒドラゾン誘導体(米国特許第3,71
7,462 号明細書,特開昭54−59143号公報,同
55−52063号公報,同55−52064号公報,
同55−46760号公報,同55−85495号公
報,同57−11350号公報,同57−148749
号公報などに記載されているもの)、スチルベル誘導体
(特開昭61−210363号公報,同61−2284
51号公報,同61−14642号公報,同61−72
255号公報,同62−47646号公報,同62−3
6674号公報,同62−10652号公報,同62−
30255号公報,同60−93445号公報,同60
−94462号公報,同60−174749号公報,同
60−175052号公報などに記載のもの)などを挙
げることができる。
Examples of the charge transport material include triazole derivatives (described in US Pat. No. 3,112,197), oxadiazole derivatives (US Pat. No. 3,1).
89,447, etc.), imidazole derivatives (described in Japanese Patent Publication No. 37-16096, etc.), polyarylalkane derivatives (US Pat. No. 3,61).
5,402, 3,820,989, 3,5
42,544, Japanese Patent Publication No. 45-555, 5
1-10983, JP-A-51-93224, JP-A-55-17105, JP-A-56-4148, JP-A-55-108667, and JP-A-55-15695.
No. 3, JP-A-56-36656, etc.), pyrazoline derivatives and pyrazolone derivatives (US Pat. Nos. 3,180,729, 4,278,746 and JP-A-55-55). No. 88064, 55-8806.
5 gazette, the same 49-105537 gazette, the same 55-51.
086, 56-80051, 56-8
No. 8141, No. 57-45545, No. 54-
No. 112637, No. 55-74546, etc.), phenylenediamine derivatives (U.S. Pat. No. 3,615,044, Japanese Patent Publication Nos. 51-10105, 46-3712, 47). No. 25336, JP-A No. 54-53435, and No. 54-1105.
No. 36, No. 54-119925, etc.), arylamine derivatives (US Pat. No. 3,567,4).
No. 50, No. 3,180,703, No. 3,24
No. 0,597, No. 3,658,520, No. 4,2
32,103, 4,175,961, 4,012,376, JP-B-49-35702, 39-27577, and JP-A-55-1442.
No. 50, No. 56-119132, No. 56-2
2437 gazette, those described in West German Patent No. 1,110,518 etc.), amino-substituted chalcone derivatives (described in US Pat. No. 3,526,501 etc.), oxazole derivatives (US patent Nos. 3,257,203), styrylanthracene derivatives (described in JP-A-56-46234), fluorenone derivatives (described in JP-A-54-110837). ), Hydrazone derivatives (US Pat. No. 3,71
7,462, JP-A-54-59143, JP-A-55-52063, JP-A-55-52064,
55-46760, 55-85495, 57-11350 and 57-148749.
Those described in JP-A-62-110363 and JP-A-61-2284.
No. 51, No. 61-14642, No. 61-72.
255, 62-47646, 62-3.
6674, 62-10652, and 62-
No. 30255, No. 60-93445, No. 60
-94462, 60-174749, 60-175052, etc.) and the like.

【0044】これらの化合物は正孔伝達化合物として使
用することができるが、次に示すポルフィリン化合物
(特開昭63−295695号公報などに記載のもの)
及び芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合
物(米国特許第4,127,412号明細書,特開昭53−
27033号公報,同54−58445号公報,同54
−149634号公報,同54−64299号公報,同
55−79450号公報,同55−144250号公
報,同56−119132号公報,同61−29555
8号公報,同61−98353号公報,同63−295
695号公報などに記載のもの)、特に該芳香族第三級
アミン化合物を正孔伝達化合物に用いることが好まし
い。
These compounds can be used as hole transfer compounds, and the porphyrin compounds shown below (those described in JP-A-63-295695)
And aromatic tertiary amine compounds and styrylamine compounds (U.S. Pat. No. 4,127,412, JP-A-53-53)
27033, 54-58445, 54.
No. 149634, No. 54-64299, No. 55-79450, No. 55-144250, No. 56-119132, No. 61-29555.
8 gazette, the same 61-98353 gazette, the same 63-295.
No. 695, etc.), particularly the aromatic tertiary amine compound is preferably used as the hole transfer compound.

【0045】該ポルフィリン化合物の代表例としては、
ポルフィリン;5,10,15,20−テトラフェニル
−21H,23H−ポルフィリン銅(II);5,10,
15,20−テトラフェニル−21H,23H−ポルフ
ィリン亜鉛(II);5,10,15,20−テトラキス
(ペンタフルオロフェニル)−21H,23H−ポルフ
ィリン;シリコンフタロシアニンオキシド;アルミニウ
ムフタロシアニンクロリド;フタロシアニン(無金
属);ジリチウムフタロシアニン;銅テトラメチルフタ
ロシアニン;銅フタロシアニン;クロムフタロシアニ
ン;亜鉛フタロシアニン;鉛フタロシアニン;チタニウ
ムフタロシアニンオキシド;マグネシウムフタロシアニ
ン;銅オクタメチルフタロシアニンなどが挙げられる。
また該芳香族第三級化合物及びスチリルアミン化合物の
代表例としては、N,N,N’,N’−テトラフェニル
−(1,1’−ビフェニル)−4,4’−ジアミン;
N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−N,N’−ジ
フェニル−〔1,1’−ビフェニル〕−4,4’−ジア
ミン;2,2−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニ
ル)プロパン;1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミ
ノフェニル)シクロヘキサン;N,N,N’,N’−テ
トラ−p−トリル−(1,1’−ビフェニル)−4,
4’−ジアミン;1,1−ビス(4−ジ−p−トリルア
ミノフェニル)−4−フェニルシクロヘキサン;ビス
(4−ジメチルアミノ−2−メチルフェニル)フェニル
メタン;ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)フ
ェニルメタン;N,N’−ジフェニル−N,N’−ジ
(4−メトキシフェニル)−(1,1’−ビフェニル)
−4,4’−ジアミン;N,N,N’,N’−テトラフ
ェニル−4,4’−ジアミノジフェニルエーテル;4,
4’−ビス(ジフェニルアミノ)クオードリフェニル;
N,N,N−トリ(p−トリル)アミン;4−(ジ−p
−トリルアミン)−4’−〔4(ジ−p−トリルアミ
ン)スチリル〕スチルベン;4−N,N−ジフェニルア
ミノ−(2−ジフェニルビニル)ベンゼン;3−メトキ
シ−4’−N,N−ジフェニルアミノスチルベン;N−
フェニルカルバゾールなどが挙げられる。
Typical examples of the porphyrin compound include:
Porphyrin; 5,10,15,20-tetraphenyl-21H, 23H-porphyrin copper (II); 5,10,
15,20-Tetraphenyl-21H, 23H-porphyrin zinc (II); 5,10,15,20-Tetrakis (pentafluorophenyl) -21H, 23H-porphyrin; Silicon phthalocyanine oxide; Aluminum phthalocyanine chloride; Phthalocyanine (metal free) ); Dilithium phthalocyanine; copper tetramethyl phthalocyanine; copper phthalocyanine; chromium phthalocyanine; zinc phthalocyanine; lead phthalocyanine; titanium phthalocyanine oxide; magnesium phthalocyanine; copper octamethyl phthalocyanine.
Further, as typical examples of the aromatic tertiary compound and the styrylamine compound, N, N, N ′, N′-tetraphenyl- (1,1′-biphenyl) -4,4′-diamine;
N, N'-bis (3-methylphenyl) -N, N'-diphenyl- [1,1'-biphenyl] -4,4'-diamine; 2,2-bis (4-di-p-tolylamino) Phenyl) propane; 1,1-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) cyclohexane; N, N, N ', N'-tetra-p-tolyl- (1,1'-biphenyl) -4,
4'-diamine; 1,1-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) -4-phenylcyclohexane; bis (4-dimethylamino-2-methylphenyl) phenylmethane; bis (4-di-p- Tolylaminophenyl) phenylmethane; N, N′-diphenyl-N, N′-di (4-methoxyphenyl)-(1,1′-biphenyl)
-4,4'-diamine; N, N, N ', N'-tetraphenyl-4,4'-diaminodiphenyl ether; 4,
4'-bis (diphenylamino) quadriphenyl;
N, N, N-tri (p-tolyl) amine; 4- (di-p
-Tolylamine) -4 '-[4 (di-p-tolylamine) styryl] stilbene; 4-N, N-diphenylamino- (2-diphenylvinyl) benzene; 3-methoxy-4'-N, N-diphenylamino Stilbene; N-
Examples include phenylcarbazole.

【0046】上記有機EL素子における該正孔注入輸送
層は、これらの正孔伝達化合物一種又は二種以上からな
る一層で構成されてもよいし、あるいは、前記層とは別
種の化合物からなる正孔注入輸送層を積層したものであ
ってもよい。一方、前記(3)の構成のEL素子におけ
る電子注入層(電子注入輸送層)は、電子伝達化合物か
らなるものであって、陰極より注入された電子を発光層
に伝達する機能を有している。このような電子伝達化合
物について特に制限はなく、従来公知の化合物の中から
任意のものを選択して用いることができる。該電子伝達
化合物の好ましい例としては、
The hole injecting and transporting layer in the above organic EL device may be composed of a single layer composed of one or more of these hole transporting compounds, or a positive layer composed of a compound different from the layer. It may be a laminate of hole injecting and transporting layers. On the other hand, the electron injecting layer (electron injecting and transporting layer) in the EL device having the above-mentioned configuration (3) is made of an electron transfer compound and has a function of transferring the electrons injected from the cathode to the light emitting layer. There is. There is no particular limitation on such an electron transfer compound, and any compound can be selected and used from conventionally known compounds. Preferred examples of the electron transfer compound include:

【0047】[0047]

【化23】 [Chemical formula 23]

【0048】などのニトロ置換フルオレノン誘導体、Nitro-substituted fluorenone derivatives such as

【0049】[0049]

【化24】 [Chemical formula 24]

【0050】などのチオピランジオキシド誘導体,Thiopyran dioxide derivatives such as

【0051】[0051]

【化25】 [Chemical 25]

【0052】などのジフェニルキノン誘導体〔「ポリマ
ー・プレプリント( Polymer Preprints),ジャパン」第
37巻,第3号,第681ページ(1988年)などに
記載のもの〕、あるいは
Diphenylquinone derivatives such as those described in "Polymer Preprints, Japan", Vol. 37, No. 3, page 681 (1988), or the like.

【0053】[0053]

【化26】 [Chemical formula 26]

【0054】などの化合物〔「ジャーナル・オブ・アプ
ライド・フィジックス(J.Apply.Phys.)」第27巻,
第269頁(1988年)などに記載のもの〕や、アン
トラキノジメタン誘導体(特開昭57−149259号
公報,同58−55450号公報,同61−22515
1号公報,同61−233750号公報,同63−10
4061号公報などに記載のもの)、フレオレニリデン
メタン誘導体(特開昭60−69657号公報,同61
−143764号公報,同61−148159号公報な
どに記載のもの)、アントロン誘導体(特開昭61−2
25151号公報,同61−233750号公報などに
記載のもの)また、次の一般式(A)又は(B)
Compounds such as [Journal of Applied Physics, Vol. 27,
Those described on page 269 (1988), etc., and anthraquinodimethane derivatives (JP-A-57-149259, JP-A-58-55450, JP-A-61-22515).
No. 1, gazette 61-233750, gazette 63-10.
4061) and fluorenylidene methane derivatives (JP-A-60-69657 and 61).
Those described in JP-A-143764, JP-A-61-148159, etc.) and anthrone derivatives (JP-A-61-2).
No. 25151, No. 61-233750, etc.) Further, the following general formula (A) or (B)

【0055】[0055]

【化27】 [Chemical 27]

【0056】(式中、Ar1 〜Ar3 及びAr5 はそれ
ぞれ独立に置換又は無置換のアリール基を示し、Ar4
は置換又は無置換のアリーレン基を示す。)で表される
電子伝達化合物が挙げられる。ここで、アリール基とし
てはフェニル基,ナフチル基,ビフェニル基,アントラ
ニル基,ペリレニル基,ピレニル基等が挙げられ、アリ
ーレン基としてはフェニレン基,ナフチレン基,ビフェ
ニレン基,アントラセニレン基,ペリレニレン基,ピレ
ニレン基等が挙げられる。また、置換基としては炭素数
1〜10のアルキル基,炭素数1〜10のアルコキシ基
又はシアノ基等が挙げられる。この一般式(A)又は
(B)で表される化合物は、薄膜形成性のものが好まし
い。一般式(A)又は(B)で表される化合物の具体例
としては、
(In the formula, Ar 1 to Ar 3 and Ar 5 each independently represent a substituted or unsubstituted aryl group, and Ar 4
Represents a substituted or unsubstituted arylene group. ) And an electron transfer compound represented by. Here, examples of the aryl group include a phenyl group, naphthyl group, biphenyl group, anthranyl group, perylenyl group, and pyrenyl group, and examples of the arylene group include a phenylene group, a naphthylene group, a biphenylene group, an anthracenylene group, a perylenylene group, and a pyrenylene group. Etc. Moreover, as a substituent, a C1-C10 alkyl group, a C1-C10 alkoxy group, a cyano group, etc. are mentioned. The compound represented by formula (A) or (B) is preferably a thin film-forming compound. Specific examples of the compound represented by formula (A) or (B) include:

【0057】[0057]

【化28】 [Chemical 28]

【0058】[0058]

【化29】 [Chemical 29]

【0059】[0059]

【化30】 [Chemical 30]

【0060】等が挙げられる。And the like.

【0061】「Appl.Phys.Lett. 」第55巻、第148
9ページ(1989年)に開示されているオキサジアゾ
ール誘導体などを挙げることができる。なお、正孔注入
輸送層及び電子注入層は電化の注入性,輸送性,障壁性
のいずれかを有する層であり、上記した有機材料の他に
Si系,SiC系,CdS系などの結晶性ないし非結晶
性材料などの無機材料を用いることもできる。有機材料
を用いた正孔注入輸送層及び電子注入層は発光層と同様
にして形成することができ、無機材料を用いた正孔注入
輸送層及び電子注入層は真空蒸着法やスパッタリングな
どにより形成できるが、有機及び無機のいずれの材料を
用いた場合でも発光層のときと同様の理由から真空蒸着
法により形成することが好ましい。
"Appl. Phys. Lett." Vol. 55, 148
Oxadiazole derivatives disclosed on page 9 (1989) can be mentioned. Note that the hole injecting and transporting layer and the electron injecting layer are layers having any of an injecting property, a transporting property, and a barrier property for electrification, and in addition to the above-mentioned organic materials, crystallinity of Si-based, SiC-based, CdS-based, etc. It is also possible to use an inorganic material such as an amorphous material. The hole injecting and transporting layer and the electron injecting layer using the organic material can be formed in the same manner as the light emitting layer, and the hole injecting and transporting layer and the electron injecting layer using the inorganic material are formed by the vacuum deposition method or the sputtering. However, it is preferable to use the vacuum vapor deposition method for the same reason as in the case of the light emitting layer regardless of whether organic or inorganic materials are used.

【0062】次に、本発明の有機EL素子を作製する好
適な方法の例を、各構成の素子それぞれについて説明す
る。前記の陽極/発光層/陰極からなるEL素子の作製
法について説明すると、まず適当な基板上に、所望の電
極物質、例えば陽極用物質からなる薄膜を、1μm以
下、好ましくは10〜200nmの範囲の膜厚になるよ
うに、蒸着やスパッタリングなどの方法により形成さ
せ、陽極を作製したのち、この上に発光材料である一般
式(I)で表される4官能スチリル化合物化合物の薄膜
を形成させ、発光層を設ける。該発光材料の薄膜化の方
法としては、例えばスピンコート法,キャスト法,蒸着
法などがあるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホ
ールが生成しにくいなどの点から、蒸着法が好ましい。
該発光材料の薄膜化に、この蒸着法を採用する場合、そ
の蒸着条件は、使用する発光層に用いる有機化合物の種
類,分子堆積膜の目的とする結晶構造,会合構造などに
より異なるが、一般にボート加熱温度50〜400℃,
真空度10-5〜10-3Pa,蒸着速度0.01〜50nm
/sec,基板温度−50〜+300℃,膜厚5nmな
いし5μmの範囲で適宜選ぶことが望ましい。次にこの
発光層の形成後、その上に陰極用物質からなる薄膜を、
1μm以下、好ましくは50〜200nmの範囲の膜厚
になるように、例えば蒸着やスパッタリングなどの方法
により形成させ、陰極を設けることにより、所望のEL
素子が得られる。なお、このEL素子の作製において
は、作製順序を逆にして、陰極,発光層,陽極の順に作
製することも可能である。
Next, an example of a suitable method for producing the organic EL element of the present invention will be described for each element of each constitution. Explaining the method for manufacturing the EL device consisting of the above-mentioned anode / light-emitting layer / cathode, first, on a suitable substrate, a thin film of a desired electrode substance, for example, a substance for anode, is 1 μm or less, preferably in the range of 10 to 200 nm. To form a thin film of a tetrafunctional styryl compound compound represented by the general formula (I), which is a light emitting material, after forming an anode by a method such as vapor deposition or sputtering to form a thin film. Providing a light emitting layer. As a method for thinning the light emitting material, there are, for example, a spin coating method, a casting method, a vapor deposition method and the like, but the vapor deposition method is preferable from the viewpoint that a uniform film is easily obtained and pinholes are not easily generated. .
When this vapor deposition method is used for thinning the light emitting material, the vapor deposition conditions generally differ depending on the type of organic compound used in the light emitting layer used, the target crystal structure of the molecular deposited film, the association structure, etc. Boat heating temperature 50-400 ℃,
Vacuum degree 10 -5 to 10 -3 Pa, vapor deposition rate 0.01 to 50 nm
/ Sec, substrate temperature −50 to + 300 ° C., and film thickness 5 nm to 5 μm. Next, after forming this light emitting layer, a thin film made of a substance for the cathode is formed thereon.
A desired EL is formed by forming a film having a film thickness of 1 μm or less, preferably in the range of 50 to 200 nm by a method such as vapor deposition or sputtering and providing a cathode.
The device is obtained. In the production of this EL element, it is possible to reverse the production order and produce the cathode, the light emitting layer and the anode in this order.

【0063】また、一対の電極間に正孔注入輸送材料,
発光材料,電子注入材料を混合させた形で電極間に挟持
させ発光層とした、陽極/発光層/陰極からなる素子の
場合の作製方法としては、例えば適当な基板の上に、陽
極用物質からなる薄膜を形成し、正孔注入輸送材料,発
光材料,電子注入材料,ポリビニルカルバゾール等の結
着剤等からなる溶液を塗布するか、又はこの溶液から浸
漬塗工法により薄膜を形成させ発光層とし、その上に陰
極用物質からなる薄膜を形成させるものがある。ここ
で、作製した発光層上に、さらに発光層の材料となる素
子材料を真空蒸着し、その上に陰極用物質からなる薄膜
を形成させてもよい。あるいは、正孔注入輸送材料,電
子注入材料および発光材料を同時蒸着させ発光層とし、
その上に陰極用物質からなる薄膜を形成させてもよい。
A hole injecting and transporting material is provided between the pair of electrodes.
In the case of an element composed of an anode / a light emitting layer / a cathode, which is sandwiched between electrodes in a form of a mixture of a light emitting material and an electron injecting material, a manufacturing method is, for example, a suitable substrate and an anode material. A thin film made of, and applied with a solution containing a hole injecting and transporting material, a light emitting material, an electron injecting material, a binder such as polyvinylcarbazole, or a thin film is formed from this solution by a dip coating method to form a light emitting layer. And a thin film made of a cathode material is formed thereon. Here, an element material which is a material of the light emitting layer may be further vacuum-deposited on the produced light emitting layer, and a thin film made of a substance for a cathode may be formed thereon. Alternatively, a hole injecting and transporting material, an electron injecting material and a light emitting material are simultaneously vapor deposited to form a light emitting layer,
You may form a thin film which consists of materials for cathodes on it.

【0064】次に、陽極/正孔注入輸送層/発光層/陰
極から成るEL素子の作製法について説明すると、ま
ず、陽極を前記のEL素子の場合と同様にして形成した
のち、その上に、正孔伝達化合物から成る薄膜をスピン
コート法などにより形成し、正孔注入輸送層を設ける。
この際の条件は、前記発光材料の薄膜形成の条件に準じ
ればよい。次に、この正孔注入輸送層の上に、順次発光
層及び陰極を、前記EL素子の作製の場合と同様にして
設けることにより、所望のEL素子が得られる。なお、
このEL素子の作製においても、作製順序を逆にして、
陰極,発光層,正孔注入輸送層,陽極の順に作製するこ
とも可能である。さらに、陽極/正孔注入輸送層/発光
層/電子注入層/陰極から成るEL素子の作製法につい
て説明すると、まず、前記のEL素子の作製の場合と同
様にして、陽極,正孔注入輸送層,発光層を順次設けた
のち、この発光層の上に、電子伝達化合物から成る薄膜
をスピンコート法などにより形成して、電子注入層を設
け、次いでこの上に、陰極を前記EL素子の作製の場合
と同様にして設けることにより、所望のEL素子が得ら
れる。なお、このEL素子の作製においても、作製順序
を逆にして、陽極,電子注入層,発光層,正孔注入輸送
層,陽極の順に作製してもよい。
Next, a method of manufacturing an EL element composed of anode / hole injecting / transporting layer / light emitting layer / cathode will be described. First, an anode is formed in the same manner as in the case of the EL element, and then the anode is formed thereon. A thin film made of a hole transfer compound is formed by a spin coating method or the like to provide a hole injecting and transporting layer.
The conditions at this time may be the same as the conditions for forming the thin film of the light emitting material. Next, a desired EL element is obtained by sequentially providing a light emitting layer and a cathode on the hole injecting and transporting layer in the same manner as in the case of manufacturing the EL element. In addition,
Also in the fabrication of this EL element, the fabrication order is reversed,
It is also possible to fabricate the cathode, the light emitting layer, the hole injecting and transporting layer, and the anode in this order. Further, a method of manufacturing an EL element composed of anode / hole injecting / transporting layer / light emitting layer / electron injecting layer / cathode will be described. First, in the same manner as in the case of manufacturing the EL element, an anode and a hole injecting / transporting layer are formed. After sequentially providing a layer and a light emitting layer, a thin film made of an electron transfer compound is formed on the light emitting layer by a spin coating method or the like to provide an electron injection layer, and then a cathode is provided on the light emitting layer of the EL device. A desired EL element can be obtained by providing the EL element in the same manner as in the case of manufacturing. Also in the production of this EL element, the order of production may be reversed, and the anode, the electron injection layer, the light emitting layer, the hole injection transport layer, and the anode may be produced in this order.

【0065】このようにして得られた本発明の有機EL
素子に、直流電圧を印加する場合には、陽極を+,陰極
を−の極性として電圧1〜30V程度を印加すると、発
光が透明又は半透明の電極側より観測できる。また、逆
の極性で電圧を印加しても電流は流れず発光は全く生じ
ない。さらに、交流電圧を印加する場合には、陽極が
+,陰極が−の状態になったときのみ発光する。なお、
印加する交流の波形は任意でよい。
The organic EL of the present invention thus obtained
When a DC voltage is applied to the device, a voltage of about 1 to 30 V is applied with the positive polarity of the anode and the negative polarity of the cathode, and light emission can be observed from the transparent or semitransparent electrode side. Moreover, even if a voltage is applied with the opposite polarity, no current flows and no light emission occurs. Further, when an AC voltage is applied, light is emitted only when the anode is in the + state and the cathode is in the − state. In addition,
The waveform of the alternating current applied may be arbitrary.

【0066】[0066]

【実施例】次に本発明を、合成実施例及び素子作成例に
よりさらに詳しく説明する。 合成実施例1
Next, the present invention will be described in more detail with reference to synthetic examples and device preparation examples. Synthesis Example 1

【0067】[0067]

【化31】 [Chemical 31]

【0068】化合物A1.0g(0.0012モル),カリ
ウム−t−ブトキシド0.22g(0.002モル)をジメ
チルスルホキシド(DMSO)30ミリリットルに懸濁
させ、室温(20〜25℃)で20時間反応させた。得
られた反応物を一晩放置後、メタノール50ミリリット
ルを添加し、析出した白色粉末を濾過して得られた濾塊
をシリカゲルカラム(展開溶媒:塩化メチレン)にて精
製した。その結果得られた白色粉末を塩化メチレン−メ
タノールにて再沈させ、白色結晶を0.4g(収率23.8
%)得た。この結晶の融点は170〜170.5℃であっ
た。質量分析(FD−MS)の結果、M+ (m/Z=1
400),M2+(m/Z=700)であった。さらに元
素分析の結果(( )は計算値)、C110 80として C:94.28%(94.25%) H: 5.72%( 5.75%) であった。以上から、目的の化合物(13)が合成され
ていることが確認された。
Compound A (1.0 g, 0.0012 mol) and potassium t-butoxide (0.22 g, 0.002 mol) were suspended in 30 ml of dimethyl sulfoxide (DMSO), and the suspension was allowed to stand at room temperature (20 to 25 ° C.) for 20 minutes. Reacted for hours. The obtained reaction product was allowed to stand overnight, 50 ml of methanol was added thereto, and the precipitated white powder was filtered to obtain a filter cake, which was purified with a silica gel column (developing solvent: methylene chloride). The resulting white powder was reprecipitated with methylene chloride-methanol to give 0.4 g of white crystals (yield 23.8).
%)Obtained. The melting point of this crystal was 170 to 170.5 ° C. As a result of mass spectrometry (FD-MS), M + (m / Z = 1
400) and M 2+ (m / Z = 700). Further Elemental analysis (() calculated value), as C 110 H 80 C: 94.28% (94.25%) H: was 5.72% (5.75%). From the above, it was confirmed that the target compound (13) was synthesized.

【0069】素子作成例1 25mm×75mm×1.1mmのガラス基板上に蒸着法により
厚さ100nmのITO膜(陽極に相当)を設けたもの
を透明支持基板とした。この透明支持基板をイソプロピ
ルアルコールで5分間超音波洗浄し、さらに純水中で5
分間超音波洗浄した後、UVイオン洗浄器(サムコイン
ターナショナル社製)にて基板温度150℃で20分間
洗浄した。この透明支持基板を乾燥窒素ガスで乾燥して
市販の蒸着装置(日本真空技術(株)製)の基板ホルダ
ーに固定し、モリブテン製の抵抗加熱ボートにCu配位
のフタロシアニン(以下、CuPcと略す。)を200
mg入れ、また別のモリブテン製ボートの抵抗加熱に
N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−N,N’−ジ
フェニル−〔1,1’−ビフェニル〕−4,4’−ジア
ミン(以下、TPDと略す。)を200mg入れ、さら
に別のモリブテン製の抵抗加熱ボートに合成実施例1で
得られた化合物(13)で表される(DPV)6 BiV
を200mg入れた。次いで、真空層を4×10-4Pa
まで減圧した後、CuPcの入った前記加熱ボートに通
電して350℃まで加熱し、蒸着速度0.1〜0.3nm/
秒で透明支持基板上に蒸着して膜厚20nmのCuPc
層を設けた。このときの基板温度は室温であった。そし
て、TPDの入った前記加熱ボートに通電して215℃
まで加熱し、蒸着速度0.1〜0.3nm/秒で上記CuP
c層の上にTPDを蒸着して膜厚40nmのTPD層を
設けた。このときの基板温度も室温であった。このよう
にして設けたCuPc層とTPD層の2層が、正孔注入
輸送層に該当する。次いで、(DPV)6 BiVの入っ
た前記加熱ボートに通電して300℃まで加熱し、蒸着
速度0.1〜0.3nm/秒で上記TPD層の上に蒸着して
膜厚40nmの発光層を設けた。次に、これ3層の有機
物層を積層した透明支持基板を真空槽から取り出し、発
光槽の上にステンレススチール製のマスクを配置して再
び基板ホルダーに固定した。次いで、モリブデン製の抵
抗加熱ボートにトリス(8−キノリノール)アルミニウ
ム(以下、Alq3 と略す。)を200mgを入れて真
空槽に蒸着した。さらに、マグネシウムリボン1gを入
れたモリブデン製の抵抗加熱ボートと銀ワイヤー500
mgを入れたタングステン製バスケットとを真空槽に装
着した。その後、真空槽を1×10-4Paまで減圧し
た。減圧後、Alq3 を入れたボートを270℃まで加
熱し、蒸着速度0.1〜0.3nm/秒で発光層上にAlq
3 を蒸着して膜厚40nmのAlq3 層(電子注入層に
相当)を設けた。続けて、銀ワイヤー入りのバスケット
に通電して蒸着速度0.1nm/秒で銀を蒸着させると同
時にマグネシウムリボン入りのボートに通電して蒸着速
度1.4〜2.0nm/秒でマグネシウムを蒸着した。この
二元同時蒸着により、Alq3 層上に膜厚20nmのマ
グネシウム−銀層(陰極に相当)が形成された。この素
子のITO電極を陽極とし、マグネシウム−銀層を陰極
として、直流10Vを印加したところ、電流密度が14
ミリアンペア/cm2 の電流が流れ、ピーク波長470
nmのBlueの発光を得た。このときの輝度は180
cd/m 2 であり、発光効率は0.41ルーメン/Wであ
った。得られた発光は、(DPV)6 BiVの固体蛍光
とほぼ一致することから(DPV)6 BiVからの発光
と確認された。得られた素子には、均一な薄膜が形成さ
れ1カ月以上も結晶化することはなかった。これは、発
光材料として用いた(DPV)6 BiVが1分子中に7
箇所のオレフィン部位を有しており、多種多様のコンフ
ォメーションをとりえることに由る。よって、発光材料
に用いた(DPV)6 BiVは、分子の再配列を防ぐこ
とになり、容易にアモルファス状態になることができ
る。さらにこのアモルファス状態が均一なため、結晶化
されることがなくなるため素子全体として安定な薄膜が
形成されるのである。
Example of device preparation 1 A 25 mm × 75 mm × 1.1 mm glass substrate was formed by vapor deposition.
An ITO film (corresponding to the anode) with a thickness of 100 nm is provided
Was used as the transparent support substrate. This transparent support substrate is
Ultrasonically clean with pure alcohol for 5 minutes and then in pure water for 5 minutes.
After ultrasonic cleaning for a minute, UV ion cleaner (Samcoin
20 minutes at a substrate temperature of 150 ° C
Washed. Dry this transparent support substrate with dry nitrogen gas
Substrate holder for commercially available vapor deposition equipment (Nippon Vacuum Technology Co., Ltd.)
Fixed on the surface of the molybdenum, and Cu is coordinated to the resistance heating boat made of molybdenum.
Phthalocyanine (hereinafter abbreviated as CuPc) of 200
For adding mg, or for resistance heating of another molybden boat
N, N'-bis (3-methylphenyl) -N, N'-di
Phenyl- [1,1'-biphenyl] -4,4'-dia
Add 200 mg of min (hereinafter abbreviated as TPD), and add
To another resistance heating boat made of molybdenum in Example 1
Represented by the obtained compound (13) (DPV)6BiV
200 mg was added. Then vacuum layer 4 × 10-FourPa
After decompressing to the above, pass through the heating boat containing CuPc.
And heat up to 350 ° C, vapor deposition rate 0.1-0.3nm /
CuPc with a film thickness of 20 nm deposited on a transparent support substrate in seconds
Layers were provided. The substrate temperature at this time was room temperature. That
215 ℃ by energizing the heating boat containing TPD
The above CuP is heated at a deposition rate of 0.1 to 0.3 nm / sec.
Evaporating TPD on the c layer to form a 40 nm thick TPD layer.
Provided. The substrate temperature at this time was also room temperature. like this
The two layers, the CuPc layer and the TPD layer provided in
It corresponds to the transport layer. Then (DPV)6BiV in
The heating boat is energized to heat up to 300 ° C and vapor deposition
Deposition on the TPD layer at a speed of 0.1-0.3 nm / sec.
A light emitting layer having a film thickness of 40 nm was provided. Next, these three layers of organic
The transparent support substrate on which the product layers are stacked is removed from the vacuum chamber and
Place a stainless steel mask over the light chamber and
And fixed to the substrate holder. Next, the molybdenum
Tris (8-quinolinol) aluminium in anti-heat boat
(Hereinafter, Alq3Abbreviated. ) 200mg is true
It was vapor-deposited in an empty tank. In addition, 1g magnesium ribbon
Molybdenum resistance heating boat and silver wire 500
Attach the tungsten basket containing mg to the vacuum chamber.
I wore it. Then, the vacuum chamber is set to 1 x 10-FourDecompress to Pa
It was After depressurization, Alq3Add a boat containing 270 ℃ to 270 ℃
Heated and deposited Alq on the light-emitting layer at a deposition rate of 0.1-0.3 nm / sec.
3Vapor deposition of Alq3Layer (on electron injection layer
Equivalent). Next, a basket with silver wire
When silver is vapor-deposited at a deposition rate of 0.1 nm / sec by energizing
Sometimes a boat with a magnesium ribbon is energized to speed up vapor deposition.
Magnesium was vapor-deposited at a rate of 1.4 to 2.0 nm / sec. this
By dual source simultaneous vapor deposition, Alq3A 20 nm thick film is formed on the layer.
A gnesium-silver layer (corresponding to the cathode) was formed. This element
The ITO electrode of the child serves as an anode, and the magnesium-silver layer serves as a cathode.
As a result, when a direct current of 10 V is applied, the current density becomes 14
Milliampere / cm2Current flows, peak wavelength 470
Blue emission of nm was obtained. The brightness at this time is 180
cd / m 2And the luminous efficiency is 0.41 lumen / W.
It was. The emission obtained is (DPV)6BiV solid state fluorescence
It is almost the same as (DPV)6Light emission from BiV
Was confirmed. A uniform thin film is formed on the obtained device.
It did not crystallize for more than a month. This is the departure
Used as an optical material (DPV)6BiV is 7 in one molecule
It has a variety of olefin moieties,
This is because it is possible to obtain the formation. Therefore, the luminescent material
Used for (DPV)6BiV prevents the rearrangement of molecules.
And can easily become amorphous.
It Furthermore, because this amorphous state is uniform, crystallization
Since it will not be damaged, a stable thin film as a whole element
It is formed.

【0070】[0070]

【発明の効果】以上の如く、本発明の新規スチリル化合
物を用いたEL素子は発光効率に優れ、かつ高輝度発光
を可能とした。従って、本発明の新規スチリル化合物
は、蛍光増白染料,電子写真感光体などに有効に利用す
ることができ、さらに、本発明の有機EL素子は各種発
光材料などに有効に利用することができる。
As described above, the EL device using the novel styryl compound of the present invention has excellent luminous efficiency and enables high brightness light emission. Therefore, the novel styryl compound of the present invention can be effectively used for fluorescent whitening dyes, electrophotographic photoreceptors, and the like, and the organic EL device of the present invention can be effectively used for various light emitting materials and the like. .

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 C07C 25/24 9280−4H 41/30 43/166 7419−4H 209/68 211/44 9280−4H 211/54 9280−4H 253/30 255/32 9357−4H C07D 521/00 C09K 11/06 Z 9159−4H H05B 33/14 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 5 Identification code Internal reference number FI Technical display location C07C 25/24 9280-4H 41/30 43/166 7419-4H 209/68 211/44 9280-4H 211/54 9280-4H 253/30 255/32 9357-4H C07D 521/00 C09K 11/06 Z 9159-4H H05B 33/14

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 一般式(I) 【化1】 (式中、Arは炭素数6〜20の置換あるいは無置換の
アリール基を示し、R1,R2 はそれぞれ水素原子、置
換あるいは無置換の炭素数6〜20のアリール基,また
は炭素数1〜6のアルキル基を示す。R3 は置換あるい
は無置換の炭素数6〜20のアリール基,または炭素数
4〜18の複素環基を示す。ここで、R1〜R3 は同一
でも、互いに異なっていてもよい。さらに、R2 とR3
はそれぞれ置換している基と結合して置換あるいは無置
換の飽和五員環または置換あるいは無置換の飽和六員環
を形成してもよい。ここで、置換基としては炭素数1〜
6のアルキル基,炭素数1〜6のアルコキシ基,炭素数
6〜18のアリールオキシ基,フェニル基,アミノ基,
シアノ基,ニトロ基,水酸基あるいはハロゲンを示す。
これらの置換基は単一でも複数置換されていてもよい。
また、Xは水素あるいは 【化2】 (式中、R1 〜R3 は前記と同じである。))で表され
る新規スチリル化合物。
1. A compound represented by the general formula (I): (In the formula, Ar represents a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms, and R 1 and R 2 are each a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms, or 1 carbon atom. .R 3 showing the 6 alkyl group represents a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms or a heterocyclic group having 4 to 18 carbon atoms. wherein, R 1 to R 3 are also the same, And R 2 and R 3 may be different from each other.
May each combine with a substituent to form a substituted or unsubstituted saturated five-membered ring or a substituted or unsubstituted saturated six-membered ring. Here, the substituent has 1 to 1 carbon atoms.
An alkyl group having 6 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, an aryloxy group having 6 to 18 carbon atoms, a phenyl group, an amino group,
Indicates a cyano group, nitro group, hydroxyl group or halogen.
These substituents may be single or multiple.
In addition, X is hydrogen or (In the formula, R 1 to R 3 are the same as described above.)).
【請求項2】 一般式(II) 【化3】 (式中、Rは炭素数1〜4のアルキル基あるいはフェニ
ル基を示し、R1 〜R3およびArは前記と同じであ
る。)で表されるホスホン酸エステルを塩基の存在下で
カップリングさせることを特徴とする請求項1記載の新
規スチリル化合物の製造法。
2. A compound represented by the general formula (II): (In the formula, R represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a phenyl group, and R 1 to R 3 and Ar are the same as the above.) Coupling the phosphonate ester in the presence of a base. The method for producing the novel styryl compound according to claim 1, wherein
【請求項3】 有機エレクトロルミネッセンス素子にお
いて、陽極と陰極の間に請求項1記載の新規スチリル化
合物を挟持してなる有機エレクトロルミネッセンス素
子。
3. An organic electroluminescence device, comprising the novel styryl compound according to claim 1 sandwiched between an anode and a cathode.
【請求項4】 有機エレクトロルミネッセンス素子にお
いて、発光層の発光材料が請求項1記載の新規スチリル
化合物からなる有機エレクトロルミネッセンス素子。
4. An organic electroluminescence device comprising the novel styryl compound according to claim 1 as a light emitting material of the light emitting layer in the organic electroluminescence device.
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