JPH06232657A - 高周波増幅器 - Google Patents
高周波増幅器Info
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- JPH06232657A JPH06232657A JP1627493A JP1627493A JPH06232657A JP H06232657 A JPH06232657 A JP H06232657A JP 1627493 A JP1627493 A JP 1627493A JP 1627493 A JP1627493 A JP 1627493A JP H06232657 A JPH06232657 A JP H06232657A
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- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 9
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 16
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/60—Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators
- H03F3/601—Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators using FET's, e.g. GaAs FET's
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/111—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a dual or triple band amplifier, e.g. 900 and 1800 MHz, e.g. switched or not switched, simultaneously or not
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- Microwave Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 一つのFETを、二つの帯域の高効率増幅に
切替え利用する。 【構成】 入力端子11とFET13のベースとの間に
マイクロストリップライン26が接続され、ライン26
にコンデンサ27,28と可変容量ダイオード29,3
1とをそれぞれ通じてスタブ32,33が接続される。
制御端子24の制御信号でダイオード29の容量を大と
し、スタブ32をライン26に結合した状態でFET1
3の入力インピーダンスと帯域Aで整合するようにな
し、制御端子25の制御信号でダイオード31の容量を
大として、スタブ33をライン26に結合した状態でF
ET13の入力インピーダンスと帯域Bで整合するよう
にする。図に示していないがFET13のドレインに、
その出力インピーダンスと、帯域Aの基本波と第2高調
波とで整合する状態と、帯域Bの基本波と第2高調波と
で整合した状態とにダイオードスイッチで切替えられる
出力整合回路が接続される。更に同様に帯域Aの第2高
調波に対する短絡終端と、帯域Bの第2高調波に対する
短絡終端と切替えられる位相調整回路が接続される。
切替え利用する。 【構成】 入力端子11とFET13のベースとの間に
マイクロストリップライン26が接続され、ライン26
にコンデンサ27,28と可変容量ダイオード29,3
1とをそれぞれ通じてスタブ32,33が接続される。
制御端子24の制御信号でダイオード29の容量を大と
し、スタブ32をライン26に結合した状態でFET1
3の入力インピーダンスと帯域Aで整合するようにな
し、制御端子25の制御信号でダイオード31の容量を
大として、スタブ33をライン26に結合した状態でF
ET13の入力インピーダンスと帯域Bで整合するよう
にする。図に示していないがFET13のドレインに、
その出力インピーダンスと、帯域Aの基本波と第2高調
波とで整合する状態と、帯域Bの基本波と第2高調波と
で整合した状態とにダイオードスイッチで切替えられる
出力整合回路が接続される。更に同様に帯域Aの第2高
調波に対する短絡終端と、帯域Bの第2高調波に対する
短絡終端と切替えられる位相調整回路が接続される。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は異なる複数の帯域で使
用でき、GHz帯以上のような高い周波数帯で高効率動
作する高周波増幅器に関する。
用でき、GHz帯以上のような高い周波数帯で高効率動
作する高周波増幅器に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、高周波帯の2つの異なる帯域で高
効率増幅を行わせるためには、それぞれの周波数帯にお
いて別々に入力整合回路、FET、出力整合回路及び位
相調整回路を有する独立した増幅器を構成することが必
要であった。高周波帯、特にGHz帯以上になるとFE
Tの価格が高価となる。一方、複数の帯域を同時に増幅
する広帯域増幅器は高い効率が得られない。
効率増幅を行わせるためには、それぞれの周波数帯にお
いて別々に入力整合回路、FET、出力整合回路及び位
相調整回路を有する独立した増幅器を構成することが必
要であった。高周波帯、特にGHz帯以上になるとFE
Tの価格が高価となる。一方、複数の帯域を同時に増幅
する広帯域増幅器は高い効率が得られない。
【0003】2つの異なる帯域で高効率増幅を行わせる
必要がある場合、それぞれの周波数帯域で、FETを共
用して高効率動作できる増幅器を構成することができれ
ば、経済的で小形の装置を実現できる。しかし、これま
ではこのような構成の増幅器は実現されていなかった。
この発明は高周波帯の異なる帯域で、半導体増幅素子を
共用し高効率動作が可能な高周波増幅器を提供すること
を目的とする。
必要がある場合、それぞれの周波数帯域で、FETを共
用して高効率動作できる増幅器を構成することができれ
ば、経済的で小形の装置を実現できる。しかし、これま
ではこのような構成の増幅器は実現されていなかった。
この発明は高周波帯の異なる帯域で、半導体増幅素子を
共用し高効率動作が可能な高周波増幅器を提供すること
を目的とする。
【0004】
【課題を解決するための手段】この発明によれば、高周
波信号の入力端子に入力整合回路が接続され、その入力
整合回路の出力側に高周波信号の増幅を行う半導体増幅
素子が接続され、その半導体増幅素子の出力側に、上記
高周波信号の基本波及び第2高調波の両方に整合をとっ
た出力整合回路が接続され、その出力整合回路の出力側
に、上記第2高調波を短絡終端させる位相調整回路が接
続され、その位相調整回路の出力側に高周波信号の出力
端子が設けられ、上記入力整合回路は、上記入力端子と
上記半導体増幅素子との間に第1高周波ラインが接続さ
れ、その第1高周波ラインにダイオードスイッチを介し
て少くともスタブが接続されて第1リアクタンス回路が
構成され、上記第1高周波ラインに少くともスタブが接
続されて第2リアクタンス回路が構成されてなり、上記
出力整合回路は、上記半導体増幅素子と上記位相調整回
路との間に第2高周波ラインが接続され、その第2高周
波ラインにダイオードスイッチを介して少くともスタブ
が接続されて第3リアクタンス回路が構成され、上記第
2高周波ラインに少くともスタブが接続されて第4リア
クタンス回路が構成されてなり、上記位相調整回路は、
上記出力整合回路と上記出力端子との間に第3高周波ラ
インが接続され、その第3高周波ラインにダイオードス
イッチを介して少くともスタブが接続されて第5リアク
タンス回路が構成され、上記第3高周波ラインにダイオ
ードスイッチを介して少くともスタブが接続されて第6
リアクタンス回路が構成されてなり、上記第1リアクタ
ンス回路及び上記第3リアクタンス回路は第1周波数帯
でインピーダンス整合作用をなし、上記第2リアクタン
ス回路及び上記第4リアクタンス回路は第2周波数帯で
インピーダンス整合作用をなし、上記第5リアクタンス
回路は上記第1周波数帯で第2高調波短絡終端作用をな
し、上記第6リアクタンス回路は上記第2周波数帯で第
2高調波短絡終端作用をなすようにそれぞれ構成されて
いる。
波信号の入力端子に入力整合回路が接続され、その入力
整合回路の出力側に高周波信号の増幅を行う半導体増幅
素子が接続され、その半導体増幅素子の出力側に、上記
高周波信号の基本波及び第2高調波の両方に整合をとっ
た出力整合回路が接続され、その出力整合回路の出力側
に、上記第2高調波を短絡終端させる位相調整回路が接
続され、その位相調整回路の出力側に高周波信号の出力
端子が設けられ、上記入力整合回路は、上記入力端子と
上記半導体増幅素子との間に第1高周波ラインが接続さ
れ、その第1高周波ラインにダイオードスイッチを介し
て少くともスタブが接続されて第1リアクタンス回路が
構成され、上記第1高周波ラインに少くともスタブが接
続されて第2リアクタンス回路が構成されてなり、上記
出力整合回路は、上記半導体増幅素子と上記位相調整回
路との間に第2高周波ラインが接続され、その第2高周
波ラインにダイオードスイッチを介して少くともスタブ
が接続されて第3リアクタンス回路が構成され、上記第
2高周波ラインに少くともスタブが接続されて第4リア
クタンス回路が構成されてなり、上記位相調整回路は、
上記出力整合回路と上記出力端子との間に第3高周波ラ
インが接続され、その第3高周波ラインにダイオードス
イッチを介して少くともスタブが接続されて第5リアク
タンス回路が構成され、上記第3高周波ラインにダイオ
ードスイッチを介して少くともスタブが接続されて第6
リアクタンス回路が構成されてなり、上記第1リアクタ
ンス回路及び上記第3リアクタンス回路は第1周波数帯
でインピーダンス整合作用をなし、上記第2リアクタン
ス回路及び上記第4リアクタンス回路は第2周波数帯で
インピーダンス整合作用をなし、上記第5リアクタンス
回路は上記第1周波数帯で第2高調波短絡終端作用をな
し、上記第6リアクタンス回路は上記第2周波数帯で第
2高調波短絡終端作用をなすようにそれぞれ構成されて
いる。
【0005】
【作用】ダイオードスイッチにより第1リアクタンス回
路、第3リアクタンス回路及び第5リアクタンス回路を
有効とし、他のリアクタンス回路を無効とすることによ
り、第1周波数帯で高効率増幅動作をする。またダイオ
ードスイッチにより第2リアクタンス回路、第4リアク
タンス回路及び第6リアクタンス回路を有効とし、他の
リアクタンス回路を無効とすることにより、第2周波数
帯で高効率増幅動作をする。
路、第3リアクタンス回路及び第5リアクタンス回路を
有効とし、他のリアクタンス回路を無効とすることによ
り、第1周波数帯で高効率増幅動作をする。またダイオ
ードスイッチにより第2リアクタンス回路、第4リアク
タンス回路及び第6リアクタンス回路を有効とし、他の
リアクタンス回路を無効とすることにより、第2周波数
帯で高効率増幅動作をする。
【0006】
【実施例】図1にこの発明の実施例を簡略に示す。入力
端子11は入力整合回路12を通じてFET13のゲー
トに接続され、FET13のソースは接地され、ドレイ
ンは出力整合回路14に接続され、出力整合回路14の
出力側は位相調整回路15に接続され、位相調整回路1
5の出力側に出力端子16が設けられる。
端子11は入力整合回路12を通じてFET13のゲー
トに接続され、FET13のソースは接地され、ドレイ
ンは出力整合回路14に接続され、出力整合回路14の
出力側は位相調整回路15に接続され、位相調整回路1
5の出力側に出力端子16が設けられる。
【0007】この発明においては入力整合回路12は第
1,第2リアクタンス回路17,18で構成され、出力
整合回路14は第3,第4リアクタンス回路19,21
で構成され、位相調整回路15は第5,第6リアクタン
ス回路22,23で構成され、これら第1,第3,第5
リアクタンス回路17,19,22は制御端子24から
の制御信号により図に示していないダイオードスイッチ
で有効状態、無効状態に制御可能とされ、同様に第2,
第4,第6リアクタンス回路18,21,23も制御端
子25からの制御信号によりダイオードスイッチで有効
状態、無効状態に制御可能とされている。
1,第2リアクタンス回路17,18で構成され、出力
整合回路14は第3,第4リアクタンス回路19,21
で構成され、位相調整回路15は第5,第6リアクタン
ス回路22,23で構成され、これら第1,第3,第5
リアクタンス回路17,19,22は制御端子24から
の制御信号により図に示していないダイオードスイッチ
で有効状態、無効状態に制御可能とされ、同様に第2,
第4,第6リアクタンス回路18,21,23も制御端
子25からの制御信号によりダイオードスイッチで有効
状態、無効状態に制御可能とされている。
【0008】第1,第3,第5リアクタンス回路17,
19,22のみを有効とした状態において、第1リアク
タンス回路17は高周波帯の1つの帯域AにおいてFE
T13の入力インピーダンスと共役整合となるようにイ
ンピーダンスが設定され、同様に第3リアクタンス回路
19は帯域Aの基本波と第2高調波の両方に対してFE
T13の出力インピーダンスと共役整合となるようにイ
ンピーダンスが設定されてある。また、第5リアクタン
ス回路22は帯域Aの第2高調波周波数帯においてFE
T13の出力端のインピーダンスが短絡終端条件を満足
するようにインピーダンスが設定されてある。このよう
に、出力整合回路14は基本波だけでなく第2高調波周
波数に対しても整合としているため出力整合回路14に
は多量の第2高調波成分が発生する。この多量に発生し
た第2高調波成分の位相を位相調整回路15のインピー
ダンスを調整することにより、高効率特性に重要なFE
T13の出力端子における第2高調波インピーダンスの
短絡終端条件を実現する。
19,22のみを有効とした状態において、第1リアク
タンス回路17は高周波帯の1つの帯域AにおいてFE
T13の入力インピーダンスと共役整合となるようにイ
ンピーダンスが設定され、同様に第3リアクタンス回路
19は帯域Aの基本波と第2高調波の両方に対してFE
T13の出力インピーダンスと共役整合となるようにイ
ンピーダンスが設定されてある。また、第5リアクタン
ス回路22は帯域Aの第2高調波周波数帯においてFE
T13の出力端のインピーダンスが短絡終端条件を満足
するようにインピーダンスが設定されてある。このよう
に、出力整合回路14は基本波だけでなく第2高調波周
波数に対しても整合としているため出力整合回路14に
は多量の第2高調波成分が発生する。この多量に発生し
た第2高調波成分の位相を位相調整回路15のインピー
ダンスを調整することにより、高効率特性に重要なFE
T13の出力端子における第2高調波インピーダンスの
短絡終端条件を実現する。
【0009】第2,第4,第6リアクタンス回路18,
21,23のみを有効とした状態で、第2リアクタンス
回路18は高周波の他の帯域BにおいてFET13の入
力インピーダンスと共役整合となるようなインピーダン
スが設定され、同様に第4リアクタンス回路21のイン
ピーダンスも帯域Aで成立していたインピーダンス条件
が帯域Bで成立するように設定され、また、第6リアク
タンス回路23も帯域Aで成立していたインピーダンス
条件が帯域Bで成立するようにインピーダンスが設定さ
れている。
21,23のみを有効とした状態で、第2リアクタンス
回路18は高周波の他の帯域BにおいてFET13の入
力インピーダンスと共役整合となるようなインピーダン
スが設定され、同様に第4リアクタンス回路21のイン
ピーダンスも帯域Aで成立していたインピーダンス条件
が帯域Bで成立するように設定され、また、第6リアク
タンス回路23も帯域Aで成立していたインピーダンス
条件が帯域Bで成立するようにインピーダンスが設定さ
れている。
【0010】図2に入力整合回路12の1構成例を示
す。入力端子11とFET13のゲートとの間に、高周
波ラインとしてのマイクロストリップライン26が接続
され、マイクロストリップライン26に、それぞれ直流
阻止コンデンサ27,28、ダイオードスイッチとして
の可変容量ダイオード29,31を直列に介してスタブ
32,33の一端が接続され、スタブ32,33の他端
は接地される。今、例えば制御信号入力端子24から所
定の電圧がチョークコイル34を介して可変容量ダイオ
ード29へ印加されると、可変容量ダイオード29の容
量は増加し、スタブ32は可変容量ダイオード29及び
コンデンサ27を介してマイクロストリップライン26
と接続され、マイクロストリップライン26と共に帯域
Aの入力信号に対する入力整合条件を満足する。つまり
スタブ32及びマイクロストリップライン26により第
1リアクタンス回路17が構成される。この時、可変容
量ダイオード31には制御信号入力端子26から可変容
量ダイオード31の容量をほぼ零とするような電圧が制
御信号入力端子25からチョークコイル35を介して印
加され、可変容量ダイオード31及びスタブ33はほぼ
接続されていないように見える。逆に、可変容量ダイオ
ード29,31に印加する電圧を逆転すると、上述の場
合と反対に、マイクロストリップライン26にはスタブ
33が接続されることになり、スタブ33はマイクロス
トリップライン26と共に帯域Bの入力信号に対する入
力整合条件を満足することになる。スタブ33及びマイ
クロストリップライン26により第2リアクタンス回路
18が構成される。
す。入力端子11とFET13のゲートとの間に、高周
波ラインとしてのマイクロストリップライン26が接続
され、マイクロストリップライン26に、それぞれ直流
阻止コンデンサ27,28、ダイオードスイッチとして
の可変容量ダイオード29,31を直列に介してスタブ
32,33の一端が接続され、スタブ32,33の他端
は接地される。今、例えば制御信号入力端子24から所
定の電圧がチョークコイル34を介して可変容量ダイオ
ード29へ印加されると、可変容量ダイオード29の容
量は増加し、スタブ32は可変容量ダイオード29及び
コンデンサ27を介してマイクロストリップライン26
と接続され、マイクロストリップライン26と共に帯域
Aの入力信号に対する入力整合条件を満足する。つまり
スタブ32及びマイクロストリップライン26により第
1リアクタンス回路17が構成される。この時、可変容
量ダイオード31には制御信号入力端子26から可変容
量ダイオード31の容量をほぼ零とするような電圧が制
御信号入力端子25からチョークコイル35を介して印
加され、可変容量ダイオード31及びスタブ33はほぼ
接続されていないように見える。逆に、可変容量ダイオ
ード29,31に印加する電圧を逆転すると、上述の場
合と反対に、マイクロストリップライン26にはスタブ
33が接続されることになり、スタブ33はマイクロス
トリップライン26と共に帯域Bの入力信号に対する入
力整合条件を満足することになる。スタブ33及びマイ
クロストリップライン26により第2リアクタンス回路
18が構成される。
【0011】図3にスタブとしてオープンスタブを用い
た場合の入力整合回路12の例を図2と対応する部分に
同一符号を付けて示す。制御信号の通路を作るため、ダ
イオード29,31の各スタブ側はそれぞれチョークコ
イル36,37を通じて接地される。この動作は特に説
明するまでもない。図4に出力整合回路14の実施例を
示す。FET13のドレインと位相調整回路15との間
にマイクロストリップライン41が接続され、マイクロ
ストリップライン41に、コンデンサ42−可変容量ダ
イオード43を通じてスタブ44の一端が接続され、同
様にそれぞれコンデンサ45,46,47と可変容量ダ
イオード48,49,51との各直列接続を介してスタ
ブ52,53,54の各一端がマイクロストリップライ
ン41に接続され、スタブ44,51,52,53の各
他端は接地される。ダイオード43,48とコンデンサ
42,45との各接続点はそれぞれチョークコイル5
4,55を通じて制御信号入力端子24に接続され、ダ
イオード49,51とコンデンサ46,47との各接続
点はそれぞれチョークコイル56,57を通じて制御信
号入力端子25に接続される。
た場合の入力整合回路12の例を図2と対応する部分に
同一符号を付けて示す。制御信号の通路を作るため、ダ
イオード29,31の各スタブ側はそれぞれチョークコ
イル36,37を通じて接地される。この動作は特に説
明するまでもない。図4に出力整合回路14の実施例を
示す。FET13のドレインと位相調整回路15との間
にマイクロストリップライン41が接続され、マイクロ
ストリップライン41に、コンデンサ42−可変容量ダ
イオード43を通じてスタブ44の一端が接続され、同
様にそれぞれコンデンサ45,46,47と可変容量ダ
イオード48,49,51との各直列接続を介してスタ
ブ52,53,54の各一端がマイクロストリップライ
ン41に接続され、スタブ44,51,52,53の各
他端は接地される。ダイオード43,48とコンデンサ
42,45との各接続点はそれぞれチョークコイル5
4,55を通じて制御信号入力端子24に接続され、ダ
イオード49,51とコンデンサ46,47との各接続
点はそれぞれチョークコイル56,57を通じて制御信
号入力端子25に接続される。
【0012】例えば帯域Aの入力信号に対してその基本
波と第2高調波との両方の整合条件を満足するには可変
容量ダイオード43と48の容量を増加させて二つのス
タブ44,51をマイクロストリップライン41と結合
させる。この時、可変容量ダイオード49と51の容量
はほぼ零となるように電圧を印加する。電圧の印加条件
を逆にすれば、スタブ52,53がマイクロストリップ
ライン41と結合され、帯域Bの入力信号に対して整合
条件を満足する。
波と第2高調波との両方の整合条件を満足するには可変
容量ダイオード43と48の容量を増加させて二つのス
タブ44,51をマイクロストリップライン41と結合
させる。この時、可変容量ダイオード49と51の容量
はほぼ零となるように電圧を印加する。電圧の印加条件
を逆にすれば、スタブ52,53がマイクロストリップ
ライン41と結合され、帯域Bの入力信号に対して整合
条件を満足する。
【0013】図5に位相調整回路15の実施例を示す。
出力整合回路14の出力側と出力端子16との間にマイ
クロストリップライン61が接続され、マイクロストリ
ップライン61に、コンデンサ62−可変容量ダイオー
ド63を通じてスタブ63,64の各一端が接続され、
スタブ64の他端は接地され、スタブ65の他端はコン
デンサ66を通じて接地される。マイクロストリップラ
イン61に、コンデンサ67−可変容量ダイオード68
を通じてスタブ69,71の各一端が接続され、スタブ
69の他端は接地され、スタブ71の他端はコンデンサ
72を通じて接地される。コンデンサ62,67とダイ
オード63,68との各接続点はそれぞれチョークコイ
ル73,74を通じて制御信号端子24,25に接続さ
れる。
出力整合回路14の出力側と出力端子16との間にマイ
クロストリップライン61が接続され、マイクロストリ
ップライン61に、コンデンサ62−可変容量ダイオー
ド63を通じてスタブ63,64の各一端が接続され、
スタブ64の他端は接地され、スタブ65の他端はコン
デンサ66を通じて接地される。マイクロストリップラ
イン61に、コンデンサ67−可変容量ダイオード68
を通じてスタブ69,71の各一端が接続され、スタブ
69の他端は接地され、スタブ71の他端はコンデンサ
72を通じて接地される。コンデンサ62,67とダイ
オード63,68との各接続点はそれぞれチョークコイ
ル73,74を通じて制御信号端子24,25に接続さ
れる。
【0014】例えば、可変容量ダイオード63の容量が
増加するように制御信号入力端子から電圧が印加される
と、スタブ64,65及びコンデンサ66とマイクロス
トリップライン61とは帯域Aの入力信号に対してFE
T13の出力端において高効率特性に重要な第2高調波
の短絡終端条件を満足するように設定されている。この
時、可変容量ダイオード68にはその容量がほぼ零とな
るような電圧が印加され、スタブ69,71、コンデン
サ72はマイクロストリップライン61にほぼ接続され
ていないように見える。
増加するように制御信号入力端子から電圧が印加される
と、スタブ64,65及びコンデンサ66とマイクロス
トリップライン61とは帯域Aの入力信号に対してFE
T13の出力端において高効率特性に重要な第2高調波
の短絡終端条件を満足するように設定されている。この
時、可変容量ダイオード68にはその容量がほぼ零とな
るような電圧が印加され、スタブ69,71、コンデン
サ72はマイクロストリップライン61にほぼ接続され
ていないように見える。
【0015】以上のように構成されているため、制御端
子24により第1,第3,第5リアクタンス回路17,
19,22のみを有効として帯域Aに対して高効率増幅
を行わせることができ、制御端子25により第2,第
4,第6リアクタンス回路18,21,23のみを有効
として帯域Bに対して高効率増幅を行わせることができ
る。
子24により第1,第3,第5リアクタンス回路17,
19,22のみを有効として帯域Aに対して高効率増幅
を行わせることができ、制御端子25により第2,第
4,第6リアクタンス回路18,21,23のみを有効
として帯域Bに対して高効率増幅を行わせることができ
る。
【0016】上述において出力整合回路14、位相調整
回路15もオープンスタブを用いて構成してもよい。第
1,第2リアクタンス回路17,18をそれぞれ複数の
スタブを用いて構成してもよく、またコンデンサも用い
てスタブを短くすることもできる。第3,第4リアクタ
ンス回路19,21においてもコンデンサを付加して構
成することもできる。第5,第6リアクタンス回路2
2,23を1乃至複数のスタブのみで構成してもよい。
マイクロストリップライン26,41,61の代りに他
の高周波ラインを用いてもよい。FET13の代りに高
周波バイポーラトランジスタなど他の高周波増幅素子を
用いてもよい。入力整合回路12、出力整合回路14、
位相調整回路15にそれぞれ更に多くのリアクタンス回
路をダイオードスイッチで接続したり切離したり万能に
設け、更に他の周波数帯域を増幅可能とすることもでき
る。
回路15もオープンスタブを用いて構成してもよい。第
1,第2リアクタンス回路17,18をそれぞれ複数の
スタブを用いて構成してもよく、またコンデンサも用い
てスタブを短くすることもできる。第3,第4リアクタ
ンス回路19,21においてもコンデンサを付加して構
成することもできる。第5,第6リアクタンス回路2
2,23を1乃至複数のスタブのみで構成してもよい。
マイクロストリップライン26,41,61の代りに他
の高周波ラインを用いてもよい。FET13の代りに高
周波バイポーラトランジスタなど他の高周波増幅素子を
用いてもよい。入力整合回路12、出力整合回路14、
位相調整回路15にそれぞれ更に多くのリアクタンス回
路をダイオードスイッチで接続したり切離したり万能に
設け、更に他の周波数帯域を増幅可能とすることもでき
る。
【0017】
【発明の効果】以上、述べたようにこの発明によれば、
FETなどの高周波増幅素子を共用して異なる周波数帯
域において動作する高効率増幅器を構成することができ
る。この高周波増幅器は周波数帯の切替えも制御信号に
より容易にできる。このため、従来、2つの帯域の信号
を高効率増幅するには2つの増幅器が必要であったのに
対し、この発明によれば全体として回路を小形化するこ
とができる。さらに、高周波増幅素子を共用できるた
め、高周波増幅器を2つ用いる構成に比べ、高周波増幅
器を経済的に構成することができる。
FETなどの高周波増幅素子を共用して異なる周波数帯
域において動作する高効率増幅器を構成することができ
る。この高周波増幅器は周波数帯の切替えも制御信号に
より容易にできる。このため、従来、2つの帯域の信号
を高効率増幅するには2つの増幅器が必要であったのに
対し、この発明によれば全体として回路を小形化するこ
とができる。さらに、高周波増幅素子を共用できるた
め、高周波増幅器を2つ用いる構成に比べ、高周波増幅
器を経済的に構成することができる。
【図1】この発明の実施例を簡略に示すブロック図。
【図2】図1中の入力整合回路12の具体例を示す接続
図。
図。
【図3】入力整合回路12の他の例を示す接続図。
【図4】図1中の出力整合回路14の具体例を示す接続
図。
図。
【図5】図1中の位相調整回路15の具体例を示す接続
図。
図。
Claims (1)
- 【請求項1】 高周波信号の入力端子と、その入力端子
に接続された入力整合回路と、その入力整合回路の出力
側に接続され、高周波信号の増幅を行う半導体増幅素子
と、その半導体増幅素子の出力側に接続され、上記高周
波信号の基本波及び第2高調波の両方に整合をとった出
力整合回路と、その出力整合回路の出力側に接続され、
上記第2高調波を短絡終端させる位相調整回路と、その
位相調整回路の出力側に接続された高周波信号の出力端
子とを具備し、 上記入力整合回路は、上記入力端子と上記半導体増幅素
子との間に第1高周波ラインが接続され、その第1高周
波ラインにダイオードスイッチを介して少くともスタブ
が接続されて第1リアクタンス回路が構成され、上記第
1高周波ラインに少くともスタブが接続されて第2リア
クタンス回路が構成されてなり、 上記出力整合回路は、上記半導体増幅素子と上記位相調
整回路との間に第2高周波ラインが接続され、その第2
高周波ラインにダイオードスイッチを介して少くともス
タブが接続されて第3リアクタンス回路が構成され、上
記第2高周波ラインに少くともスタブが接続されて第4
リアクタンス回路が構成されてなり、 上記位相調整回路は、上記出力整合回路と上記出力端子
との間に第3高周波ラインが接続され、その第3高周波
ラインにダイオードスイッチを介して少くともスタブが
接続されて第5リアクタンス回路が構成され、上記第3
高周波ラインにダイオードスイッチを介して少くともス
タブが接続されて第6リアクタンス回路が構成されてな
り、 上記第1リアクタンス回路及び上記第3リアクタンス回
路は第1周波数帯でインピーダンス整合作用をなし、上
記第2リアクタンス回路及び上記第4リアクタンス回路
は第2周波数帯でインピーダンス整合作用をなし、上記
第5リアクタンス回路は上記第1周波数帯で第2高調波
短絡終端作用をなし、上記第6リアクタンス回路は上記
第2周波数帯で第2高調波短絡終端作用をなすようにそ
れぞれ構成されている、 高周波増幅器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1627493A JPH06232657A (ja) | 1993-02-03 | 1993-02-03 | 高周波増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1627493A JPH06232657A (ja) | 1993-02-03 | 1993-02-03 | 高周波増幅器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06232657A true JPH06232657A (ja) | 1994-08-19 |
Family
ID=11911974
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1627493A Pending JPH06232657A (ja) | 1993-02-03 | 1993-02-03 | 高周波増幅器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06232657A (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10305302A1 (de) * | 2003-02-10 | 2004-08-19 | Valeo Schalter Und Sensoren Gmbh | Hochfrequenz-Schaltvorrichtung |
WO2004082138A1 (ja) | 2003-03-14 | 2004-09-23 | Ntt Docomo Inc. | 整合回路 |
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JP2008160785A (ja) * | 2006-11-30 | 2008-07-10 | Kyocera Corp | 整合回路、送信器、受信器、送受信器およびレーダ装置 |
JP2008283430A (ja) * | 2007-05-10 | 2008-11-20 | Ntt Docomo Inc | 整合回路 |
KR100898349B1 (ko) * | 2006-12-20 | 2009-05-20 | 가부시키가이샤 엔.티.티.도코모 | 정합 회로, 듀얼밴드 전력 증폭 장치 |
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JP2013009031A (ja) * | 2011-06-22 | 2013-01-10 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 電力増幅回路 |
-
1993
- 1993-02-03 JP JP1627493A patent/JPH06232657A/ja active Pending
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1445820B1 (de) * | 2003-02-10 | 2008-03-26 | Valeo Schalter und Sensoren GmbH | Hochfrequenz-Schaltvorrichtung |
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US8098114B2 (en) | 2003-03-14 | 2012-01-17 | Ntt Docomo, Inc. | Matching circuit |
EP1724936A2 (en) * | 2005-05-20 | 2006-11-22 | NTT DoCoMo INC. | Matching circuit |
US7750757B2 (en) | 2005-05-20 | 2010-07-06 | Ntt Docomo, Inc. | Matching circuit |
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