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JPH0619201Y2 - Package for microwave equipment - Google Patents

Package for microwave equipment

Info

Publication number
JPH0619201Y2
JPH0619201Y2 JP1986084191U JP8419186U JPH0619201Y2 JP H0619201 Y2 JPH0619201 Y2 JP H0619201Y2 JP 1986084191 U JP1986084191 U JP 1986084191U JP 8419186 U JP8419186 U JP 8419186U JP H0619201 Y2 JPH0619201 Y2 JP H0619201Y2
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JP
Japan
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metal film
package
dielectric substrate
frame
layer dielectric
Prior art date
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Application number
JP1986084191U
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Japanese (ja)
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JPS62196401U (en
Inventor
幸夫 池田
直 高木
清春 清野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPS62196401U publication Critical patent/JPS62196401U/ja
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Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この考案は、増幅器,ミクサ,発振器等のマイクロ波装
置を収容するパッケージの改良に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial field of application] The present invention relates to an improvement of a package that accommodates microwave devices such as an amplifier, a mixer, and an oscillator.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来のマイクロ波装置用パッケージは、例えば特公昭6
0−43022号公報に開示されている。このマイクロ
波装置用パッケージは、第5図に示すように、金属性の
キャリヤ1の上にマイクロ波装置を包囲する第1誘電体
フレーム2と、スペーサとしての第2誘電体フレーム3
と、保護板である金属性蓋4とを順次積層して成り、第
6図に示すように、前記第1誘電体フレーム2の表面に
は、入出力用金属膜5a,5b及びバイアス用金属膜6
a,6bを配置してあり、この入出力用金属膜5a,5
b及びバイアス用金属膜6a,6bにワイヤボンディン
グ等により前記マイクロ波装置の入出力端子及びバイア
ス端子が接続される。
A conventional microwave device package is, for example, Japanese Patent Publication No.
No. 0-43022. As shown in FIG. 5, this microwave device package includes a first dielectric frame 2 surrounding a microwave device on a metallic carrier 1 and a second dielectric frame 3 as a spacer.
And a metallic lid 4 which is a protective plate are sequentially laminated, and as shown in FIG. 6, the input / output metal films 5a and 5b and the bias metal are formed on the surface of the first dielectric frame 2. Membrane 6
a and 6b are arranged, and the input / output metal films 5a and 5b
The input / output terminal and the bias terminal of the microwave device are connected to b and the bias metal films 6a and 6b by wire bonding or the like.

そこで、入出力用金属膜5a,5bからのマイクロ波入
力は、第1誘電体フレーム2上に構成されたマイクロス
トリップ線路、及び第1誘電体フレーム2と第2誘電体
フレーム3で構成されるトリプレート線路を経て、マイ
クロ装置の入力端子に伝搬する。また、マイクロ波装置
の出力は、上記とは逆の経路で入出力用金属膜5a,5
bからパッケージ外に取り出される。マイクロ波装置へ
のバイアスの印加も、前記バイアス用金属膜6a,6b
を通じて上記と同様に行なわれる。
Therefore, the microwave input from the input / output metal films 5a and 5b is constituted by the microstrip line formed on the first dielectric frame 2 and the first dielectric frame 2 and the second dielectric frame 3. Propagate to the input terminal of the micro device through the triplate line. In addition, the output of the microwave device is input / output metal films 5a,
It is taken out of the package from b. The bias metal films 6a and 6b are also applied to the microwave device.
Through the same as above.

〔考案が解決しようとする問題点〕[Problems to be solved by the invention]

上記構成のマイクロ波装置用パッケージであって大型の
ものは、誘電体フレーム自体も大枠となり、この大枠の
誘電体フレームの製造時にそりが発生し、また割れるこ
とがあるために、製造が難しくなるという問題があっ
た。
A large-sized microwave device package having the above structure also has a large dielectric frame itself, and warpage may occur during the manufacturing of the large dielectric frame, which may cause cracks, which makes manufacturing difficult. There was a problem.

この考案はこの問題を解消し、大きな誘電体フレームを
必要としない構成のマイクロ波装置用パッケージを提供
することを目的とする。
It is an object of the present invention to solve this problem and to provide a microwave device package which does not require a large dielectric frame.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

この考案のマイクロ波装置用パッケージは、上記目的を
達成するために、第1金属性フレーム11の互に対向す
る個所の表面に形成した上方開口の凹部のそれぞれに、
下層誘電体基板と上層誘電体基板とから成る2層誘電体
基板を配置し、下層誘電体基板の下面に金属膜を設け、
上層誘電体基板の表面に前記第1金属性フレームに対向
するフレーム取付け用金属膜と、パッケージ内接続用金
属膜及びパッケージ外接続用金属膜を設け、この上層誘
電体基板の裏面に層間金属膜を設け、この層間金属膜の
両側部分をそれぞれ前記パッケージ内接続用金属膜とパ
ッケージ外接続用金属膜に、上層誘電体基板に設けたス
ルーホールを介して電気的に接続するようにした構成を
具備し、パッケージ内接続用金属膜及びパッケージ外接
続用金属膜と層間金属膜とでマイクロストリップ線路を
構成し、かつフレーム取付け用金属膜と層間金属膜と裏
面金属膜とでトリプレート線路を構成して成る。
In order to achieve the above-mentioned object, the package for a microwave device of the present invention is provided with recesses of upper openings formed on the surfaces of portions of the first metallic frame 11 facing each other.
A two-layer dielectric substrate composed of a lower-layer dielectric substrate and an upper-layer dielectric substrate is arranged, and a metal film is provided on the lower surface of the lower-layer dielectric substrate,
A frame mounting metal film facing the first metallic frame, a metal film for connecting the package and a metal film for connecting outside the package are provided on the surface of the upper dielectric substrate, and an interlayer metal film is formed on the back surface of the upper dielectric substrate. Is provided, and both side portions of this interlayer metal film are electrically connected to the metal film for connection inside the package and the metal film for connection outside the package through through holes provided in the upper dielectric substrate. A microstrip line is formed by the metal film for connecting inside the package, the metal film for connecting outside the package, and the interlayer metal film, and a triplate line is formed by the metal film for frame attachment, the interlayer metal film, and the back surface metal film. It will be done.

〔作用〕[Action]

この考案のマイクロ波装置用パッケージは上記の構成で
あり、額縁状の誘電体フレームを具備しないので、誘電
体フレームが割れるという問題が生じることはない。
Since the microwave device package of the present invention has the above-described configuration and does not include the frame-shaped dielectric frame, the problem that the dielectric frame is cracked does not occur.

〔実施例〕〔Example〕

以下にこの考案の実施例を図面により説明する。第1図
はこの考案の1実施例の斜視図、第2図は第1図の分解
図、第3図は2層誘電体基板の分解斜視図である。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a perspective view of an embodiment of the present invention, FIG. 2 is an exploded view of FIG. 1, and FIG. 3 is an exploded perspective view of a two-layer dielectric substrate.

第1図,第2図において、1は金属性キャリヤ、4は金
属性蓋、11はマイクロ波装置を包囲する第1金属性フ
レーム、12はスペーサとしての第2金属性フレームで
ある。前記金属性キャリヤ1の上に置かれた額縁状の第
1金属性フレーム11の各辺中央個所の表面に、上方に
開口の凹部13a,13b,14a,14bを設けてあ
る。上記凹部13a,13bにはそれぞれ下層誘電体基
板15と上層誘電体基板16とを重ねた2層誘電体基板
17a,17bがそれぞれ配置してある。上記凹部14
a,14bにはそれぞれ下層誘電体基板18と上層誘電
体基板19とを重ねた2層誘電体基板20a,20bが
それぞれ配置してある。第1金属性フレーム11の上に
額縁状の第2金属性フレーム12が、そしてその上に蓋
4が取付けてある。
In FIGS. 1 and 2, 1 is a metallic carrier, 4 is a metallic lid, 11 is a first metallic frame surrounding the microwave device, and 12 is a second metallic frame as a spacer. On the surface of the central portion of each side of the frame-shaped first metallic frame 11 placed on the metallic carrier 1, concave portions 13a, 13b, 14a, 14b having openings are provided upward. Two-layer dielectric substrates 17a and 17b in which a lower-layer dielectric substrate 15 and an upper-layer dielectric substrate 16 are stacked are arranged in the recesses 13a and 13b, respectively. The recess 14
Two-layer dielectric substrates 20a and 20b in which a lower-layer dielectric substrate 18 and an upper-layer dielectric substrate 19 are stacked are arranged on a and 14b, respectively. A frame-shaped second metallic frame 12 is mounted on the first metallic frame 11, and a lid 4 is mounted thereon.

入,出力端子部またはバイアス端子部を構成する上記層
誘電体基板17a,17b,20a,20bはほぼ同一
の構成の金属膜構成Mを有しており、これを2層誘電体
基板17aの構成のみを第3図により説明する。
The above-mentioned layer dielectric substrates 17a, 17b, 20a, 20b constituting the input / output terminal portion or the bias terminal portion have the metal film constitution M of almost the same constitution. Only FIG. 3 will be described.

第3図において、21は上層誘電体基板16aの表面に
第2金属性フレーム12に対向する如く設けたフレーム
取付け用金属膜、22,23は同じ表面の内側と外側に
設けられフレーム取付け用金属膜と直角方向に延長する
パッケージ内接続用金属膜とパッケージ外接続用金属
膜、24,24は第1の上層誘電体基板16aに設けた
スルーホール、25は第1の上層誘電体基板16aの裏
面にスルーホール24,24を橋絡するように設けた層
間金属膜、26は第1の下層誘電体基板15aの裏面に
設けた裏面金属膜である。前記パッケージ内接続用金属
膜22と層間金属膜25、及び層間金属膜25とパッケ
ージ外接続用金属膜23は、金属を充填した前記スルー
ホール24を介して電気的に接続するようになってい
る。
In FIG. 3, 21 is a metal film for frame attachment provided on the surface of the upper dielectric substrate 16a so as to face the second metallic frame 12, and 22 and 23 are metal films for frame attachment provided inside and outside the same surface. A metal film for connecting inside the package and a metal film for connecting outside the package which extend in the direction perpendicular to the film, 24 and 24 are through holes provided in the first upper layer dielectric substrate 16a, and 25 is the first upper layer dielectric substrate 16a. An interlayer metal film provided on the back surface so as to bridge the through holes 24, 24, and a back surface metal film 26 provided on the back surface of the first lower dielectric substrate 15a. The in-package connecting metal film 22 and the interlayer metal film 25, and the interlayer metal film 25 and the outside-package connecting metal film 23 are electrically connected through the through holes 24 filled with metal. .

なお、上記の金属膜構成Mは、2層誘電体基板20a,
20bについては両側に2個併設される。
In addition, the above-mentioned metal film structure M is a two-layer dielectric substrate 20a,
Two 20b are installed on both sides.

この実施例のパッケージを組立てる時には、フレーム取
付け用金属膜21を覆うように第2金属性フレーム12
を取付けるものとし、これによりフレーム取付け用金属
膜21は第2金属性フレーム12を介して第1金属性フ
レーム11に電気的に接続される。また、前記裏面金属
膜26も第1金属性フレーム11に電気的に接続され
る。そこで、このパッケージではパッケージ内接続用金
属膜22と層間金属膜25、及びパッケージ外接続用金
属膜23と層間金属膜25でマイクロストリップ線路
が、また層間金属膜25,フレーム取付け用金属膜2
1,及び裏面金属膜26でトリプレート線路が構成さ
れ、パッケージ内接続用金属膜22にマイクロ波装置の
入力端子を接続し、パッケージ外接続用金属膜23から
マイクロ波を入力すると、この入射波はマイクロストリ
ップ線路−トリプレート線路−マイクロストリップ線路
を伝搬して、マイクロ波装置へと供給される。一方マイ
クロ波装置の出力は、これと逆の経路でパッケージ外接
続用金属膜23に出力される。
When assembling the package of this embodiment, the second metallic frame 12 is covered so as to cover the frame mounting metal film 21.
The frame attachment metal film 21 is electrically connected to the first metallic frame 11 via the second metallic frame 12. The back surface metal film 26 is also electrically connected to the first metallic frame 11. Therefore, in this package, a microstrip line is formed by the in-package connecting metal film 22 and the interlayer metal film 25, and the outside-package connecting metal film 23 and the interlayer metal film 25, and the interlayer metal film 25 and the frame attaching metal film 2 are provided.
1, the back plate metal film 26 constitutes a triplate line, the input terminal of the microwave device is connected to the in-package connecting metal film 22, and the microwave is input from the outside-package connecting metal film 23. Is propagated through the microstrip line-triplate line-microstrip line and supplied to the microwave device. On the other hand, the output of the microwave device is output to the outside-package connecting metal film 23 by a route opposite to this.

この考案の他の実施例の斜視図を第4図に示す。この実
施例では2層誘電体基板17a,17bをそれぞれ4組
設けてあり、適宜入出力信号用或いはバイアス供給端子
に割当てることができる特徴がある。なお、2層誘電体
基板はさらに増すことができる。
A perspective view of another embodiment of the present invention is shown in FIG. In this embodiment, four sets of two-layer dielectric substrates 17a and 17b are provided, respectively, and it is characterized in that they can be appropriately assigned to input / output signals or bias supply terminals. Note that the number of two-layer dielectric substrates can be increased.

〔考案の効果〕[Effect of device]

この考案のマイクロ波装置用パッケージは、第1金属性
フレームに設けた複数個の凹部に2層誘電体基板を配置
し、この2層誘電体基板は、下面に裏面金属膜が設けら
れて成る下層誘電体基板と、この下層誘電体基板上に積
層される上層誘電体基板とより成り、上層誘電体基板の
上面には第2金属性フレームとの電気的接続のためのフ
レーム取付け用金属膜と、パッケージ内接続用金属膜及
びパッケージ外接続用金属膜とが形成され、また、前記
パッケージ内接続用金属膜及びパッケージ外接続用金属
膜と上層誘電体基板の下面とを電気的に接続するために
設けられた各スルーホールと、上層誘電体基板と下層誘
電体基板との層間に設けられて前記各スルーホールを電
気的に接続するための層間金属膜とが設けられており、
前記パッケージ内接続用金属膜及びパッケージ外接続用
金属膜と層間金属膜とでマイクロストリップ線路を構成
し、かつフレーム取付け用金属膜と層間金属膜と裏面金
属膜とでトリプレート線路を構成して成るので、大枠形
状の誘電体フレームを必要とせず、従って誘電体フレー
ムを製造時に当該フレームが割れるという問題は解消さ
れ、かつ、より大きくて、精度及び耐久性が高く、しか
もマイクロ波装置用パッケージとしての機能を十分に果
たすパッケージを製造できるという効果がある。また放
熱及び電磁シールド効果も従来のものより優れていると
いう利点もある。
In the microwave device package of the present invention, a two-layer dielectric substrate is arranged in a plurality of recesses provided in the first metallic frame, and the two-layer dielectric substrate is provided with a back surface metal film on the lower surface. A lower-layer dielectric substrate and an upper-layer dielectric substrate laminated on the lower-layer dielectric substrate, and a frame-attaching metal film for electrical connection with the second metallic frame on the upper surface of the upper-layer dielectric substrate. And a metal film for connecting inside the package and a metal film for connecting outside the package are formed, and the metal film for connecting inside the package and the metal film for connecting outside the package are electrically connected to the lower surface of the upper dielectric substrate. Each through hole provided for the purpose of providing an interlayer metal film for electrically connecting the through holes provided between the upper layer dielectric substrate and the lower layer dielectric substrate,
A microstrip line is formed by the metal film for connecting inside the package, a metal film for connecting outside the package, and an interlayer metal film, and a triplate line is formed by the metal film for frame attachment, the interlayer metal film, and the back surface metal film. Therefore, the problem that the dielectric frame having a large frame shape is not required and therefore the frame is broken at the time of manufacturing the dielectric frame is solved, and the package is larger, has high accuracy and durability, and is a microwave device package. There is an effect that it is possible to manufacture a package that sufficiently fulfills the function as. There is also an advantage that the heat radiation and the electromagnetic shield effect are superior to those of the conventional ones.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図はこの考案の1実施例の斜視図、第2図は第1図
の分解図、第3図は2層誘電体基板の分解斜視図、第4
図は他の実施例の斜視図、第5図は従来例の斜視図、第
6図は第5図の分解図である。 1……金属性キャリヤ、4……蓋、11……第1金属性
フレーム、12……第2金属性フレーム、13a,13
b,14a,14b……凹部、15,18……下層誘電
体基板、16,19……上層誘電体基板、17a,17
b,20a,20b……2層誘電体基板、21……フレ
ーム取付け用金属膜、22……パッケージ内接続用金属
膜、23……パッケージ外接続用金属膜、24……スル
ーホール、25……層間金属膜、26……裏面金属膜。
1 is a perspective view of an embodiment of the present invention, FIG. 2 is an exploded view of FIG. 1, FIG. 3 is an exploded perspective view of a two-layer dielectric substrate, and FIG.
FIG. 5 is a perspective view of another embodiment, FIG. 5 is a perspective view of a conventional example, and FIG. 6 is an exploded view of FIG. 1 ... Metal carrier, 4 ... Lid, 11 ... First metal frame, 12 ... Second metal frame, 13a, 13
b, 14a, 14b ... Recessed portion, 15, 18 ... Lower layer dielectric substrate, 16, 19 ... Upper layer dielectric substrate, 17a, 17
b, 20a, 20b ... 2-layer dielectric substrate, 21 ... Frame mounting metal film, 22 ... Package internal connection metal film, 23 ... Package external connection metal film, 24 ... Through hole, 25 ... … Interlayer metal film, 26 …… Backside metal film.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H05K 9/00 L 7128−4E ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 5 Identification code Office reference number FI technical display location H05K 9/00 L 7128-4E

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] 【請求項1】金属性キャリヤ上に設けられ、入,出力端
子部またはバイアス端子部を構成する2層誘電体基板を
嵌合するための上方開放の凹部が形成されて成る枠形状
の第1金属性フレームと、この第1金属性フレームに対
向する小形の第2金属性フレームと、この第2金属性フ
レームを覆う蓋とより成るマイクロ波装置用パッケージ
であって、 前記凹部は第1金属性フレームの互に対向する個所に形
成され、 前記2層誘電体基板は、下面に裏面金属膜が設けられて
成る下層誘電体基板と、この下層誘電体基板上に積層さ
れる上層誘電体基板とより成り、 前記上層誘電体基板の上面には前記第2金属性フレーム
との電気的接続のためのフレーム取付け用金属膜と、パ
ッケージ内接続用金属膜及びパッケージ外接続用金属膜
とが形成され、 また、前記パッケージ内接続用金属膜及びパッケージ外
接続用金属膜と上層誘電体基板の下面とを電気的に接続
するために設けられた各スルーホールと、上層誘電体基
板と下層誘電体基板との層間に設けられて前記各スルー
ホールを電気的に接続するための層間金属膜とが設けら
れており、 前記パッケージ内接続用金属膜及びパッケージ外接続用
金属膜と層間金属膜とでマイクロストリップ線路を構成
し、かつフレーム取付け用金属膜と層間金属膜と裏面金
属膜とでトリプレート線路を構成して成ることを特徴と
するマイクロ波装置用パッケージ。
1. A frame-shaped first member which is provided on a metallic carrier and is formed with an upwardly opening recess for fitting a two-layer dielectric substrate which constitutes an input / output terminal portion or a bias terminal portion. What is claimed is: 1. A microwave device package comprising a metallic frame, a small second metallic frame facing the first metallic frame, and a lid covering the second metallic frame, wherein the recess is the first metal. Of the two-layer dielectric substrate, the lower-layer dielectric substrate having a lower surface provided with a back surface metal film, and the upper-layer dielectric substrate laminated on the lower-layer dielectric substrate. A frame attachment metal film for electrical connection with the second metallic frame, a package inner connection metal film, and a package outer connection connection metal film formed on the upper surface of the upper dielectric substrate. Was done In addition, each through hole provided for electrically connecting the metal film for connecting inside the package and the metal film for connecting outside the package and the lower surface of the upper dielectric substrate, the upper dielectric substrate and the lower dielectric substrate, And an interlayer metal film for electrically connecting the through-holes, which is provided between the layers, and the microstrip is formed by the metal film for connection inside the package, the metal film for connection outside the package, and the interlayer metal film. A microwave device package comprising a line and a triplate line comprising a frame mounting metal film, an interlayer metal film and a back surface metal film.
JP1986084191U 1986-06-03 1986-06-03 Package for microwave equipment Expired - Lifetime JPH0619201Y2 (en)

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JPS59180514A (en) * 1983-03-31 1984-10-13 Toshiba Corp Light receiving module

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