JPH06140473A - バンプ付きテープの製造方法 - Google Patents
バンプ付きテープの製造方法Info
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- JPH06140473A JPH06140473A JP30787192A JP30787192A JPH06140473A JP H06140473 A JPH06140473 A JP H06140473A JP 30787192 A JP30787192 A JP 30787192A JP 30787192 A JP30787192 A JP 30787192A JP H06140473 A JPH06140473 A JP H06140473A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/16237—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bonding area disposed in a recess of the surface of the item
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 TABテープと外部回路を直接ボンディング
をしなくとも、実装後に検査を可能とし、さらに、多ピ
ン、狭ピッチ化に対応した寸法安定性に優れたバンプを
有するバンプ付きテープの新規な製造方法を提供するこ
とを目的とする。 【構成】 ポリイミド樹脂フィルムに金属層を形成した
基体を使用し、TABテープの製造技術を応用して、バ
ンプおよび各種ホールを形成する。
をしなくとも、実装後に検査を可能とし、さらに、多ピ
ン、狭ピッチ化に対応した寸法安定性に優れたバンプを
有するバンプ付きテープの新規な製造方法を提供するこ
とを目的とする。 【構成】 ポリイミド樹脂フィルムに金属層を形成した
基体を使用し、TABテープの製造技術を応用して、バ
ンプおよび各種ホールを形成する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はTAB(テープ オウト
メイティドゥ ボンディング)やFPC(フレキシブル
プリント サーキット)等の実装用基板と外部回路と
を接合することに用いるバンプ付きテープの製造方法に
関するものである。
メイティドゥ ボンディング)やFPC(フレキシブル
プリント サーキット)等の実装用基板と外部回路と
を接合することに用いるバンプ付きテープの製造方法に
関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、電子機器の分野において軽薄短小
化および高機能化の傾向が急速に強まりつつある。この
傾向に対し、電子機器の小型化や高機能化に伴って多ピ
ン化、薄型化するチップを搭載することがパッケージに
要求されている。このようなチップの多ピン化に対応可
能な実装技術としてTABが用いられる。TABに要求
されている多ピン化のレベルとしては1000ピンクラ
スのものであり、それによって狭ピッチ化がさらに進
み、インナーリードでは70μmピッチのTABが開発
されている。
化および高機能化の傾向が急速に強まりつつある。この
傾向に対し、電子機器の小型化や高機能化に伴って多ピ
ン化、薄型化するチップを搭載することがパッケージに
要求されている。このようなチップの多ピン化に対応可
能な実装技術としてTABが用いられる。TABに要求
されている多ピン化のレベルとしては1000ピンクラ
スのものであり、それによって狭ピッチ化がさらに進
み、インナーリードでは70μmピッチのTABが開発
されている。
【0003】TABテープと外部回路とを接続する技術
は、一般的にTABテープのアウターリードを用いて行
うが、リードが柔らかく、曲がり易いことや外部回路お
よび電極の種類が多様なため、QFP(クワッド フラ
ット パッケージ)等と比較して非常に難しいものであ
り、この技術はTAB技術の分野でも遅れている分野で
ある。
は、一般的にTABテープのアウターリードを用いて行
うが、リードが柔らかく、曲がり易いことや外部回路お
よび電極の種類が多様なため、QFP(クワッド フラ
ット パッケージ)等と比較して非常に難しいものであ
り、この技術はTAB技術の分野でも遅れている分野で
ある。
【0004】TABテープのアウターリードと外部回路
を接続する方法としては主に次の3つが挙げられる。1
つははんだ付けによる方法である。これは、TABテー
プのアウターリードと外部回路の電極にめっき処理を施
し、お互いを熱圧着させることにより接続するものであ
る。2つめは異方性導伝性シートによる方法である。こ
の方法は分散させたシートをTABテープのアウターリ
ードと外部回路の電極の間に介在させ、熱圧着させるこ
とにより樹脂を軟化させ、それによりリードと電極間を
分散させた微粒子で電気的に接触させるものである。こ
の方法ではリードピッチが100μmピッチの接続が実
験室レベルで完成した程度であり、狭ピッチ化に適さな
いという問題や電極間にも金属微粒子が存在するため、
電極間の絶縁抵抗が低下し、クロストークを発生させる
という問題などがある。もう1つは、光硬化性絶縁樹脂
による方法である。この方法はTABテープのアウター
リードと外部回路の電極との間を光硬化性絶縁樹脂を介
在させ、これを硬化させることにより接続する方法であ
る。しかし、これらの方法では、TABテープと外部回
路をボンディングしなくては電気的検査が困難であるた
め、接続後外部回路に不具合が生じてもTABテープと
外部回路を切り放すことは不可能であり、TABテープ
とTABテープに搭載したチップが無駄になってしまう
という問題点がある。
を接続する方法としては主に次の3つが挙げられる。1
つははんだ付けによる方法である。これは、TABテー
プのアウターリードと外部回路の電極にめっき処理を施
し、お互いを熱圧着させることにより接続するものであ
る。2つめは異方性導伝性シートによる方法である。こ
の方法は分散させたシートをTABテープのアウターリ
ードと外部回路の電極の間に介在させ、熱圧着させるこ
とにより樹脂を軟化させ、それによりリードと電極間を
分散させた微粒子で電気的に接触させるものである。こ
の方法ではリードピッチが100μmピッチの接続が実
験室レベルで完成した程度であり、狭ピッチ化に適さな
いという問題や電極間にも金属微粒子が存在するため、
電極間の絶縁抵抗が低下し、クロストークを発生させる
という問題などがある。もう1つは、光硬化性絶縁樹脂
による方法である。この方法はTABテープのアウター
リードと外部回路の電極との間を光硬化性絶縁樹脂を介
在させ、これを硬化させることにより接続する方法であ
る。しかし、これらの方法では、TABテープと外部回
路をボンディングしなくては電気的検査が困難であるた
め、接続後外部回路に不具合が生じてもTABテープと
外部回路を切り放すことは不可能であり、TABテープ
とTABテープに搭載したチップが無駄になってしまう
という問題点がある。
【0005】又、本発明で対象とする様なバンプ付きテ
ープは種々提案されているが、それらの効率的な製造方
法はいまだ確立されていない。
ープは種々提案されているが、それらの効率的な製造方
法はいまだ確立されていない。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、2層
TABの製造方法についての技術(例えば、特開平03
−83354号公報に記載された技術)を応用して、T
ABテープのアウターリードを用いず、TABテープに
形成したパッド裏面のホールとバンプ付きテープのバン
プを接続したものを用いることとし、TABテープと外
部回路のバンプ付きテープを介する接続において、TA
Bテープと外部回路を直接ボンディングをしなくとも、
実装後に検査を可能とし、さらに、多ピン、狭ピッチ化
に対応した寸法安定性に優れたバンプを有するバンプ付
きテープの新規な製造方法を提供することにある。
TABの製造方法についての技術(例えば、特開平03
−83354号公報に記載された技術)を応用して、T
ABテープのアウターリードを用いず、TABテープに
形成したパッド裏面のホールとバンプ付きテープのバン
プを接続したものを用いることとし、TABテープと外
部回路のバンプ付きテープを介する接続において、TA
Bテープと外部回路を直接ボンディングをしなくとも、
実装後に検査を可能とし、さらに、多ピン、狭ピッチ化
に対応した寸法安定性に優れたバンプを有するバンプ付
きテープの新規な製造方法を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明の方法は、ポリイミド樹脂フィルムの上面に直
接に金属層を形成したものを基体とし、金属層のある基
体上面および基体下面に感光性レジスト層を形成し、次
いで基体上面におけるレジスト層には所定のランドおよ
び回路パターンを有するフォトマスクを施し、基体下面
におけるレジスト層には所定の各種ホールパターンを有
するフォトマスクを施し、基体上面および基体下面に光
を照射し、次いで基体上面のレジストを現像して該基体
の上面にレジストパターンを形成する第1の工程、基体
上面に形成したレジストパターンに従って露出した金属
層上に電気めっきにより金属めっき層を積層し、次いで
基体上面のレジスト層を溶解除去することによって基体
上面にランドおよび回路パターンを形成し、次いで基体
下面のレジストを現像して該基体の下面にレジストパタ
ーンを形成し、次いで基体上面全体にわたって有機樹脂
被膜を形成する第2の工程、基体下面に形成したレジス
トパターンに従って露出したポリイミド樹脂を溶解除去
することにより所定の部分に所定の各種ホールを形成す
る第3の工程、基体下面に形成された各種ホールのうち
特定のホールのみを有機樹脂被膜で被覆し、次いで基体
下面に形成された各種ホールのうち有機樹脂被膜で被覆
されていないホールに電気めっきにより所定のバンプを
形成する第4の工程、基体上面および基体下面の有機樹
脂被膜を除去し、次いで基体上面に直接形成されていた
該金属層を溶解除去する第5の工程よりなる点に特徴が
ある。
の本発明の方法は、ポリイミド樹脂フィルムの上面に直
接に金属層を形成したものを基体とし、金属層のある基
体上面および基体下面に感光性レジスト層を形成し、次
いで基体上面におけるレジスト層には所定のランドおよ
び回路パターンを有するフォトマスクを施し、基体下面
におけるレジスト層には所定の各種ホールパターンを有
するフォトマスクを施し、基体上面および基体下面に光
を照射し、次いで基体上面のレジストを現像して該基体
の上面にレジストパターンを形成する第1の工程、基体
上面に形成したレジストパターンに従って露出した金属
層上に電気めっきにより金属めっき層を積層し、次いで
基体上面のレジスト層を溶解除去することによって基体
上面にランドおよび回路パターンを形成し、次いで基体
下面のレジストを現像して該基体の下面にレジストパタ
ーンを形成し、次いで基体上面全体にわたって有機樹脂
被膜を形成する第2の工程、基体下面に形成したレジス
トパターンに従って露出したポリイミド樹脂を溶解除去
することにより所定の部分に所定の各種ホールを形成す
る第3の工程、基体下面に形成された各種ホールのうち
特定のホールのみを有機樹脂被膜で被覆し、次いで基体
下面に形成された各種ホールのうち有機樹脂被膜で被覆
されていないホールに電気めっきにより所定のバンプを
形成する第4の工程、基体上面および基体下面の有機樹
脂被膜を除去し、次いで基体上面に直接形成されていた
該金属層を溶解除去する第5の工程よりなる点に特徴が
ある。
【0008】
【作用】次に本発明によるバンプ付きテープの製造方法
の詳細とその作用について、図2,図3,図4,図5に
示すものに基づいて説明する。上面金属層および基体上面レジストパターン形成工程:
本発明においては基本的に上面にのみ上面金属層1を接
着剤によらず被着形成されたテープ状のポリイミド樹脂
フィルムをポリイミド樹脂基体2として用いる。ポリイ
ミド樹脂基体2と上面金属層1の間に接着剤を介してい
ないため、熱による軟化のための位置ズレが起こらず寸
法精度がよい。
の詳細とその作用について、図2,図3,図4,図5に
示すものに基づいて説明する。上面金属層および基体上面レジストパターン形成工程:
本発明においては基本的に上面にのみ上面金属層1を接
着剤によらず被着形成されたテープ状のポリイミド樹脂
フィルムをポリイミド樹脂基体2として用いる。ポリイ
ミド樹脂基体2と上面金属層1の間に接着剤を介してい
ないため、熱による軟化のための位置ズレが起こらず寸
法精度がよい。
【0009】ポリイミド樹脂基体2の上面に上面金属層
1は該基体表面にスパッタ法、真空蒸着法または無電解
めっき法によるかあるいはこれらの方法を組み合わせて
金属層を形成されるか、これらの方法にさらに電解めっ
き法を組み合わせてよく、要はポリイミド樹脂基体2上
に接着剤を施すことなく直接的に金属層を形成する方法
ならば何れの方法によるものも採用することができる。
ポリイミド樹脂基体2上に形成する上面金属層1は電気
的性質や経済的面を考慮すると一般的には銅が採用され
るがポリイミド樹脂基体2と銅との間にクロム、ニッケ
ル等の薄膜層が存在しても何ら差し支えない。
1は該基体表面にスパッタ法、真空蒸着法または無電解
めっき法によるかあるいはこれらの方法を組み合わせて
金属層を形成されるか、これらの方法にさらに電解めっ
き法を組み合わせてよく、要はポリイミド樹脂基体2上
に接着剤を施すことなく直接的に金属層を形成する方法
ならば何れの方法によるものも採用することができる。
ポリイミド樹脂基体2上に形成する上面金属層1は電気
的性質や経済的面を考慮すると一般的には銅が採用され
るがポリイミド樹脂基体2と銅との間にクロム、ニッケ
ル等の薄膜層が存在しても何ら差し支えない。
【0010】基体上面に形成する上面金属層1の厚みは
ランド6の形成が無電解めっきを行った後に電気めっき
を用いるセミアディティブ法によって行うためランド6
の形成に際して行われる電気めっきにおける前処理での
エッチングに耐え得る厚みであれば、特に制約はないが
さらに後述するようなランドを独立させるための上面金
属層1の部分的な溶解工程の作業を考慮すると0.1〜
2μmの範囲にあることが望ましい。
ランド6の形成が無電解めっきを行った後に電気めっき
を用いるセミアディティブ法によって行うためランド6
の形成に際して行われる電気めっきにおける前処理での
エッチングに耐え得る厚みであれば、特に制約はないが
さらに後述するようなランドを独立させるための上面金
属層1の部分的な溶解工程の作業を考慮すると0.1〜
2μmの範囲にあることが望ましい。
【0011】ランド6の形成をセミアディティブ法で行
うためランド6の断面が矩形となる。一方、エッチング
により配線パターンを形成するサブトラクティブ法を用
いた場合にはランドの断面が台形となるため、比較する
と同じランド幅でも前者の方が断面積が大きくなるため
機械的強度や許容電流が高くなり、狭ピッチ化に適して
いる。
うためランド6の断面が矩形となる。一方、エッチング
により配線パターンを形成するサブトラクティブ法を用
いた場合にはランドの断面が台形となるため、比較する
と同じランド幅でも前者の方が断面積が大きくなるため
機械的強度や許容電流が高くなり、狭ピッチ化に適して
いる。
【0012】また上面金属層1上に形成される感光性レ
ジスト層3の厚みは形成されるランド6として必要な厚
さ10〜40μmの厚さ以上の厚さがあればよい。
ジスト層3の厚みは形成されるランド6として必要な厚
さ10〜40μmの厚さ以上の厚さがあればよい。
【0013】レジストの種類は上記の厚さに塗布し得る
ものであって、かつ上面におけるランド6の形成に際し
て行われる電気めっき液に耐え得るものであれば一般市
販のもので十分であり、アクリル樹脂等に感光性の官能
基を付与することによって、光照射部分が未溶解部とし
て残るネガ型レジスト、ノボラック樹脂等に感光性の官
能基を付与することによって光照射部分が現像時に溶解
するポジ型レジストがあるが、フォトマスクのパターン
を反転することによって何れの型のレジストでも使用可
能である。
ものであって、かつ上面におけるランド6の形成に際し
て行われる電気めっき液に耐え得るものであれば一般市
販のもので十分であり、アクリル樹脂等に感光性の官能
基を付与することによって、光照射部分が未溶解部とし
て残るネガ型レジスト、ノボラック樹脂等に感光性の官
能基を付与することによって光照射部分が現像時に溶解
するポジ型レジストがあるが、フォトマスクのパターン
を反転することによって何れの型のレジストでも使用可
能である。
【0014】またレジストの状態としては液状のもので
も固形化してドライフィルムとしたものでも差し支えな
い。
も固形化してドライフィルムとしたものでも差し支えな
い。
【0015】液状レジストを使用する場合には基体の金
属層上への塗布はバーコート法、ディップ法、スピンコ
ート法等の一般的塗布方法の他、レジスト液を帯電させ
噴霧状に塗布する静電塗布法も採用してよい。
属層上への塗布はバーコート法、ディップ法、スピンコ
ート法等の一般的塗布方法の他、レジスト液を帯電させ
噴霧状に塗布する静電塗布法も採用してよい。
【0016】またポリイミド樹脂基体2の下面に形成す
る感光性レジスト層4はホール形成に際して用いられる
ポリイミド樹脂溶解液に耐え得るものであれば何れでも
よく、一般的にはポリイミド樹脂の溶解液には強アルカ
リ液が使用されることからゴム系レジストの採用が望ま
しい。ポリイミド基体下面に形成される感光性レジスト
層4の厚みは特に制限はないが、ポリイミド樹脂溶解後
のホールのパターン精度を考慮すれば2〜10μm程度
がよい。
る感光性レジスト層4はホール形成に際して用いられる
ポリイミド樹脂溶解液に耐え得るものであれば何れでも
よく、一般的にはポリイミド樹脂の溶解液には強アルカ
リ液が使用されることからゴム系レジストの採用が望ま
しい。ポリイミド基体下面に形成される感光性レジスト
層4の厚みは特に制限はないが、ポリイミド樹脂溶解後
のホールのパターン精度を考慮すれば2〜10μm程度
がよい。
【0017】一般的にレジストによってパターンを形成
するにはレジストを塗布後レジストに含まれる溶剤を除
去する必要がある。これはレジスト自体の強度を向上さ
せると同時にレジストと金属層との密着性を高めるため
に行われるものであり、溶剤の除去は通常乾燥処理によ
って行われるが、この際に処理温度はレジストの解像度
を低下させない範囲で高めにするのがよい。また露光そ
して現像後に形成したパターンをより強固にするために
加熱処理を行うこともあるがこの場合には前述した溶剤
除去処理のときの温度よりも高い温度が採用される。
するにはレジストを塗布後レジストに含まれる溶剤を除
去する必要がある。これはレジスト自体の強度を向上さ
せると同時にレジストと金属層との密着性を高めるため
に行われるものであり、溶剤の除去は通常乾燥処理によ
って行われるが、この際に処理温度はレジストの解像度
を低下させない範囲で高めにするのがよい。また露光そ
して現像後に形成したパターンをより強固にするために
加熱処理を行うこともあるがこの場合には前述した溶剤
除去処理のときの温度よりも高い温度が採用される。
【0018】次に、上面金属層1およびポリイミド樹脂
基体2上に形成した感光性レジスト層3および4に対し
て所望のパターンのフォトマスクを施して、それぞれに
適量の光を照射し、まずは該基体上面のレジストを現像
して、上面金属層1上にレジストパターン5を形成する
が、基体上面の感光性レジスト層3には主としてランド
形成のためのフォトマスクを、また下面の感光性レジス
ト層4には主として所定の各種ホール形成のためのフォ
トマスクが使用される。基体上面のレジストパターンを
形成するためのフォトマスクは例えば図4に示すような
ものが挙げられる。
基体2上に形成した感光性レジスト層3および4に対し
て所望のパターンのフォトマスクを施して、それぞれに
適量の光を照射し、まずは該基体上面のレジストを現像
して、上面金属層1上にレジストパターン5を形成する
が、基体上面の感光性レジスト層3には主としてランド
形成のためのフォトマスクを、また下面の感光性レジス
ト層4には主として所定の各種ホール形成のためのフォ
トマスクが使用される。基体上面のレジストパターンを
形成するためのフォトマスクは例えば図4に示すような
ものが挙げられる。
【0019】また基体下面のレジストパターン形成のた
めのフォトマスクは、例えば図5に示すようなものを例
として挙げられることができ、主として、ツーリングホ
ールおよびブラインドホール等のホール形成のためのレ
ジストパターンを形成することができるものである。
めのフォトマスクは、例えば図5に示すようなものを例
として挙げられることができ、主として、ツーリングホ
ールおよびブラインドホール等のホール形成のためのレ
ジストパターンを形成することができるものである。
【0020】レジストの感光のために照射する光の波長
等はレジストの特性によって決定されるが、一般的には
紫外線が使用される。またここで云うフォトマスクとは
ガラスや透光性のプラスチックフィルムに銀等を含む乳
剤やクロム等の金属を焼き付けたものをいう。
等はレジストの特性によって決定されるが、一般的には
紫外線が使用される。またここで云うフォトマスクとは
ガラスや透光性のプラスチックフィルムに銀等を含む乳
剤やクロム等の金属を焼き付けたものをいう。
【0021】露光方法としてはレジスト面とフォトマス
クを密着させて行う密着露光法と、レジスト面とフォト
マスクを一定の距離を隔てて並行に並べて行う投影露光
法とがあるが、本発明において何れの方法を採用しても
よい。(以上図2(a)(b)(c)参照)
クを密着させて行う密着露光法と、レジスト面とフォト
マスクを一定の距離を隔てて並行に並べて行う投影露光
法とがあるが、本発明において何れの方法を採用しても
よい。(以上図2(a)(b)(c)参照)
【0022】ランド形成および基体下面レジストパター
ンの形成工程 ランドの形成手順はレジストパターン5によって生じた
上面金属層1の露出部分に電気めっきを施し、所望の厚
み以上に積層してランド6を形成した後、基体下面のレ
ジストを現像し、ポリイミド樹脂基体2上にレジストパ
ターン7を形成し、レジストパターン5を溶解除去する
ことによってランド6を形成する。
ンの形成工程 ランドの形成手順はレジストパターン5によって生じた
上面金属層1の露出部分に電気めっきを施し、所望の厚
み以上に積層してランド6を形成した後、基体下面のレ
ジストを現像し、ポリイミド樹脂基体2上にレジストパ
ターン7を形成し、レジストパターン5を溶解除去する
ことによってランド6を形成する。
【0023】ランド形成を行った後、直ちに基体上面全
体に亘って有機樹脂被膜8を被膜する。この有機樹脂被
膜8による被膜はその後のポリイミド樹脂の溶解による
ホール形成工程の際に、基体上面に露出したポリイミド
樹脂基体2を保護する役割、基板を補強する役割と後述
するバンプ形成の際のマスキングの役割を果たすための
ものである。この有機樹脂被膜はポリイミド樹脂の溶解
液と後述するバンプ形成工程での電気めっき液に耐え得
るものであれば何でもよく、ポリイミド樹脂の溶解液と
して強アルカリ性溶液が用いられることからゴム系、エ
ポキシ系、シリコン系の有機樹脂等を使用すればよい。
(以上図2(d)(e)(f)参照)
体に亘って有機樹脂被膜8を被膜する。この有機樹脂被
膜8による被膜はその後のポリイミド樹脂の溶解による
ホール形成工程の際に、基体上面に露出したポリイミド
樹脂基体2を保護する役割、基板を補強する役割と後述
するバンプ形成の際のマスキングの役割を果たすための
ものである。この有機樹脂被膜はポリイミド樹脂の溶解
液と後述するバンプ形成工程での電気めっき液に耐え得
るものであれば何でもよく、ポリイミド樹脂の溶解液と
して強アルカリ性溶液が用いられることからゴム系、エ
ポキシ系、シリコン系の有機樹脂等を使用すればよい。
(以上図2(d)(e)(f)参照)
【0024】ホール形成工程 各種ホールの形成には、基体下面に形成されたレジスト
パターン7に従って露出したポリイミド樹脂を溶解する
ことにより、この部分の樹脂を開孔してバンプめっき形
成用のブラインドホール9、ツーリングホール10を形
成する。この場合において、ポリイミド樹脂の溶解には
抱水ヒドラジン、水酸化アルカリ等の強アルカリ性溶液
を単独もしくは混合し、さらにはメチルアルコール、エ
チルアルコール、プロピルアルコール等を混合した溶液
を用いるとよい。またこの工程において形成されるバン
プめっき形成用のホールの形状は真円、方形、楕円等、
いずれの形状でも構わない。(以上図2(g)参照)
パターン7に従って露出したポリイミド樹脂を溶解する
ことにより、この部分の樹脂を開孔してバンプめっき形
成用のブラインドホール9、ツーリングホール10を形
成する。この場合において、ポリイミド樹脂の溶解には
抱水ヒドラジン、水酸化アルカリ等の強アルカリ性溶液
を単独もしくは混合し、さらにはメチルアルコール、エ
チルアルコール、プロピルアルコール等を混合した溶液
を用いるとよい。またこの工程において形成されるバン
プめっき形成用のホールの形状は真円、方形、楕円等、
いずれの形状でも構わない。(以上図2(g)参照)
【0025】バンプ形成工程 各種ホールを形成した後、ツーリングホール10のみに
基体下面から有機樹脂被膜11でマスキングを施す。こ
の有機樹脂被膜11によるマスキングはその後のバンプ
形成工程における電気めっきによりツーリングホール1
0に金属層が積層されるのを防ぐためのものである。従
って、この有機樹脂被膜11はバンプ形成工程における
前処理液や電気めっき液に耐えるものであれば、一般に
市販されているものでもよく、有機樹脂被膜11の厚み
も前処理液や電気めっき液に耐え得るものであれば特に
制限はない。
基体下面から有機樹脂被膜11でマスキングを施す。こ
の有機樹脂被膜11によるマスキングはその後のバンプ
形成工程における電気めっきによりツーリングホール1
0に金属層が積層されるのを防ぐためのものである。従
って、この有機樹脂被膜11はバンプ形成工程における
前処理液や電気めっき液に耐えるものであれば、一般に
市販されているものでもよく、有機樹脂被膜11の厚み
も前処理液や電気めっき液に耐え得るものであれば特に
制限はない。
【0026】バンプを形成するには、基体下面に形成さ
れたバンプ形成用のブラインドホール9内の基体上面に
形成されたランド6裏面に電気めっきを施し、所定の厚
さまで金属層を積層することによって行われる。バンプ
の高さはポリイミド樹脂基体2の厚み以上が要求され
る。バンプの高さは接続するTABテープのパッド裏面
のホールの深さが50μmである場合にはポリイミド樹
脂基体2から最低50μm以上必要とされるが、接合の
歩留まりを考慮するとバンプの高さは60μm以上は必
要である。(以上図2(h)参照)
れたバンプ形成用のブラインドホール9内の基体上面に
形成されたランド6裏面に電気めっきを施し、所定の厚
さまで金属層を積層することによって行われる。バンプ
の高さはポリイミド樹脂基体2の厚み以上が要求され
る。バンプの高さは接続するTABテープのパッド裏面
のホールの深さが50μmである場合にはポリイミド樹
脂基体2から最低50μm以上必要とされるが、接合の
歩留まりを考慮するとバンプの高さは60μm以上は必
要である。(以上図2(h)参照)
【0027】各種レジストおよび下地金属層の溶解除去
工程 バンプの形成および各種ホール形成を終了した基体は基
体上下各面に形成された各種レジストの除去を行うと、
図3に示した様なバンプ付きテープが得られる。各種レ
ジストの除去する際の溶解液は市販のものを使用すれば
よい。各種レジストを除去した後、基体上面に形成され
た上面金属層1(下地金属層)の溶解除去を施す。この
上面金属層1(下地金属層)の溶解除去は基体下面に形
成されたランド6を電気的に独立させるものである。
工程 バンプの形成および各種ホール形成を終了した基体は基
体上下各面に形成された各種レジストの除去を行うと、
図3に示した様なバンプ付きテープが得られる。各種レ
ジストの除去する際の溶解液は市販のものを使用すれば
よい。各種レジストを除去した後、基体上面に形成され
た上面金属層1(下地金属層)の溶解除去を施す。この
上面金属層1(下地金属層)の溶解除去は基体下面に形
成されたランド6を電気的に独立させるものである。
【0028】上面金属層1を溶解するための溶解液とし
ては、一般的には塩酸、硫酸、硝酸等の酸性溶液、塩化
鉄溶液、塩化銅溶液等の金属塩化物溶液、過硫酸アンモ
ニウム溶液等の過酸化溶液等が用いられる。(以上図2
(i)参照)
ては、一般的には塩酸、硫酸、硝酸等の酸性溶液、塩化
鉄溶液、塩化銅溶液等の金属塩化物溶液、過硫酸アンモ
ニウム溶液等の過酸化溶液等が用いられる。(以上図2
(i)参照)
【0029】以上述べたように本発明の方法によるとき
は、各工程において状況に応じ、種々の手段を活用する
ことによって的確に基体上面のリードの形成、ポリイミ
ド樹脂基体に対する各種ホールの形成および基体下面の
バンプの形成を行うことができる。
は、各工程において状況に応じ、種々の手段を活用する
ことによって的確に基体上面のリードの形成、ポリイミ
ド樹脂基体に対する各種ホールの形成および基体下面の
バンプの形成を行うことができる。
【0030】上述した方法で製造されたバンプ付きテー
プはその使用目的に応じてバンプおよびランドの表面に
錫、ニッケル或いは金めっきを施すことが可能である。
錫、ニッケルおよび金めっきを施す方法としては、バン
プおよびランド部には電気的導通が取られていないこと
から、無電解めっき方法が採用される。
プはその使用目的に応じてバンプおよびランドの表面に
錫、ニッケル或いは金めっきを施すことが可能である。
錫、ニッケルおよび金めっきを施す方法としては、バン
プおよびランド部には電気的導通が取られていないこと
から、無電解めっき方法が採用される。
【0031】図1にバンプ付きテープを用いて実装した
場合の断面図を示す。すなわち、外部回路14とTAB
テープ13との間に本発明の方法により製造したバンプ
付きテープを挾んだ構造になっている。
場合の断面図を示す。すなわち、外部回路14とTAB
テープ13との間に本発明の方法により製造したバンプ
付きテープを挾んだ構造になっている。
【0032】
【実施例】(実施例1)出発材料として、18cm×1
5cmの大きさ、厚さ50μmのポリイミド樹脂フィル
ムに厚さ0.6μmの無電解銅めっき被膜を有するエス
パーフレックス(住友金属鉱山(株)製)を用い、無電
解銅めっき被膜を下地銅層とした。次に下地銅層上にP
MER・HC 600(東京応化社製、ネガ型フォトレ
ジスト)をスピンコーターにより40μmの厚さに塗布
後、70℃で30分間乾燥処理を行った。ついで反対面
にFSR(富士薬品社製、ネガ型フォトレジスト)をス
ピンコーターにより7μmの厚さに塗布後、70℃で3
0分間乾燥処理した。
5cmの大きさ、厚さ50μmのポリイミド樹脂フィル
ムに厚さ0.6μmの無電解銅めっき被膜を有するエス
パーフレックス(住友金属鉱山(株)製)を用い、無電
解銅めっき被膜を下地銅層とした。次に下地銅層上にP
MER・HC 600(東京応化社製、ネガ型フォトレ
ジスト)をスピンコーターにより40μmの厚さに塗布
後、70℃で30分間乾燥処理を行った。ついで反対面
にFSR(富士薬品社製、ネガ型フォトレジスト)をス
ピンコーターにより7μmの厚さに塗布後、70℃で3
0分間乾燥処理した。
【0033】下地銅層上のレジスト層には、直径300
μmのランドパターンを直列に171個配列したパター
ンを10列配列したガラス製のフォトマスクをレジスト
面に密着させて900mJの紫外線を照射し、下面のレ
ジストには上面のランドパターンに対応したツーリング
ホールパターン4個、ブラインドホールパターン171
個を有するフォトマスクを密着させて100mJの紫外
線を照射して露光を施した。なお、紫外線の照射は超高
圧水銀燈(オーク製作所社製)を使用した。次に上面の
レジスト層をPMER現像液(東京応化社製)を用いて
25℃、5分間現像して所定のレジストパターンを得た
後、110℃で30分間乾燥処理を施した。
μmのランドパターンを直列に171個配列したパター
ンを10列配列したガラス製のフォトマスクをレジスト
面に密着させて900mJの紫外線を照射し、下面のレ
ジストには上面のランドパターンに対応したツーリング
ホールパターン4個、ブラインドホールパターン171
個を有するフォトマスクを密着させて100mJの紫外
線を照射して露光を施した。なお、紫外線の照射は超高
圧水銀燈(オーク製作所社製)を使用した。次に上面の
レジスト層をPMER現像液(東京応化社製)を用いて
25℃、5分間現像して所定のレジストパターンを得た
後、110℃で30分間乾燥処理を施した。
【0034】続いて基体上面の露出した下地銅層上に硫
酸銅100g/l、硫酸180g/lの組成を有する電
気銅めっき液を用いて電流密度2A/dm2 として25
℃で50分間電解を行い厚さ35μmのランドパターン
を形成した。次に基体下面のレジスト層を、FSR−D
(富士薬品社製)を用いて、25℃で50秒間現像して
所定のレジストパターンを得た後、130℃で30分間
乾燥し、続いて基体上面のレジストを水酸化ナトリウム
4wt%溶液を用いて、50℃、1分間処理して除去し
た。
酸銅100g/l、硫酸180g/lの組成を有する電
気銅めっき液を用いて電流密度2A/dm2 として25
℃で50分間電解を行い厚さ35μmのランドパターン
を形成した。次に基体下面のレジスト層を、FSR−D
(富士薬品社製)を用いて、25℃で50秒間現像して
所定のレジストパターンを得た後、130℃で30分間
乾燥し、続いて基体上面のレジストを水酸化ナトリウム
4wt%溶液を用いて、50℃、1分間処理して除去し
た。
【0035】次に基体上面全体に前述したFSRを厚さ
40μmに塗布し、130℃で30分間乾燥処理を施し
た。
40μmに塗布し、130℃で30分間乾燥処理を施し
た。
【0036】続いて4規定の水酸化カリウム溶液とエチ
ルアルコールを容量比で1:1に混合した液を使用して
50℃で6分間基板下面の露出したポリイミド樹脂の溶
解を行い、ツーリングホールおよびブラインドホールを
形成した。
ルアルコールを容量比で1:1に混合した液を使用して
50℃で6分間基板下面の露出したポリイミド樹脂の溶
解を行い、ツーリングホールおよびブラインドホールを
形成した。
【0037】次に基体下面に形成されたツーリングホー
ルのみを前述したFSRでマスキングを行い、130℃
で30分間乾燥処理を施した。次に基体下面に形成され
たブラインドホール内の露出した下地銅裏面に前述した
電気めっき液を用いて電流密度4A/dm2 で50分間
電解を行い、ポリイミド面から高さ80μmのバンプを
形成した。
ルのみを前述したFSRでマスキングを行い、130℃
で30分間乾燥処理を施した。次に基体下面に形成され
たブラインドホール内の露出した下地銅裏面に前述した
電気めっき液を用いて電流密度4A/dm2 で50分間
電解を行い、ポリイミド面から高さ80μmのバンプを
形成した。
【0038】続いて上下面に形成されているFSRをF
SR剥離液(富士薬品社製)を用いて70℃、10分間
で溶解剥離させ、続いて基体上面の下地銅層を塩化銅2
00g/l溶液を用いて溶解除去し、ランドを電気的に
独立の状態にし、バンプ付きテープを製造することがで
きた。
SR剥離液(富士薬品社製)を用いて70℃、10分間
で溶解剥離させ、続いて基体上面の下地銅層を塩化銅2
00g/l溶液を用いて溶解除去し、ランドを電気的に
独立の状態にし、バンプ付きテープを製造することがで
きた。
【0039】このバンプの高さを光学的な段差測定機に
より測定したところ、±5μmの精度であった。また、
このバンプ付きテープを実装後、送風定温恒温器TYP
EDN−43(大和科学(株))を用いて、150℃、
500時間の耐環境試験を施してもピッチのずれは0.
05%以下であった。
より測定したところ、±5μmの精度であった。また、
このバンプ付きテープを実装後、送風定温恒温器TYP
EDN−43(大和科学(株))を用いて、150℃、
500時間の耐環境試験を施してもピッチのずれは0.
05%以下であった。
【0040】(実施例2)出発材料として実施例1と同
様の大きさ、厚さのポリイミド樹脂フィルムにスパッタ
法により形成した厚さ0.6μmの下地銅層を有するエ
ッチャーフレックス(三井東圧化学(株)製)を用い、
その他は実施例1と同様の方法で各処理を行ったところ
実施例1と同様にバンプ付きテープを製造することがで
きた。このバンプの高さを光学的な段差測定機により測
定したところ、±5μmの精度であった。また、このバ
ンプ付きテープを実装後、送風定温恒温器TYPEDN
−43(大和科学(株))を用いて、150℃、500
時間の耐環境試験を施してもピッチのずれは0.05%
以下であった。
様の大きさ、厚さのポリイミド樹脂フィルムにスパッタ
法により形成した厚さ0.6μmの下地銅層を有するエ
ッチャーフレックス(三井東圧化学(株)製)を用い、
その他は実施例1と同様の方法で各処理を行ったところ
実施例1と同様にバンプ付きテープを製造することがで
きた。このバンプの高さを光学的な段差測定機により測
定したところ、±5μmの精度であった。また、このバ
ンプ付きテープを実装後、送風定温恒温器TYPEDN
−43(大和科学(株))を用いて、150℃、500
時間の耐環境試験を施してもピッチのずれは0.05%
以下であった。
【0041】(実施例3)出発材料として実施例1と同
様の大きさ、厚さのポリイミド樹脂フィルムにスパッタ
法により形成した厚さ0.25μmの下地銅層を有する
エッチャーフレックス(三井東圧化学(株)製)を用
い、その他は実施例1と同様の方法で各処理を行ったと
ころ実施例1と同様にバンプ付きテープを製造すること
ができた。このバンプの高さを光学的な段差測定機によ
り測定したところ、±5μmの精度であった。また、こ
のバンプ付きテープを実装後、送風定温恒温器TYPE
DN−43(大和科学(株))を用いて、150℃、5
00時間の耐環境試験を施してもピッチのずれは0.0
5%以下であった。
様の大きさ、厚さのポリイミド樹脂フィルムにスパッタ
法により形成した厚さ0.25μmの下地銅層を有する
エッチャーフレックス(三井東圧化学(株)製)を用
い、その他は実施例1と同様の方法で各処理を行ったと
ころ実施例1と同様にバンプ付きテープを製造すること
ができた。このバンプの高さを光学的な段差測定機によ
り測定したところ、±5μmの精度であった。また、こ
のバンプ付きテープを実装後、送風定温恒温器TYPE
DN−43(大和科学(株))を用いて、150℃、5
00時間の耐環境試験を施してもピッチのずれは0.0
5%以下であった。
【0042】(実施例4)出発材料として実施例1と同
様の大きさ、厚さのポリイミド樹脂フィルムに厚さ0.
25μmの無電解銅めっき被膜を有するエスパーフレッ
クス(住友金属鉱山(株)製)を用い、さらに電気銅め
っきで下地銅層の厚さを1μmに調整した基体を用い、
その他は実施例1と同様の方法で各処理を行ったところ
実施例1と同様にバンプ付きテープを製造することがで
きた。このバンプの高さを光学的な段差測定機により測
定したところ、±5μmの精度であった。また、このバ
ンプ付きテープを実装後、送風定温恒温器TYPEDN
−43(大和科学(株))を用いて、150℃、500
時間の耐環境試験を施してもピッチのずれは0.05%
以下であった。
様の大きさ、厚さのポリイミド樹脂フィルムに厚さ0.
25μmの無電解銅めっき被膜を有するエスパーフレッ
クス(住友金属鉱山(株)製)を用い、さらに電気銅め
っきで下地銅層の厚さを1μmに調整した基体を用い、
その他は実施例1と同様の方法で各処理を行ったところ
実施例1と同様にバンプ付きテープを製造することがで
きた。このバンプの高さを光学的な段差測定機により測
定したところ、±5μmの精度であった。また、このバ
ンプ付きテープを実装後、送風定温恒温器TYPEDN
−43(大和科学(株))を用いて、150℃、500
時間の耐環境試験を施してもピッチのずれは0.05%
以下であった。
【0043】(実施例5)出発材料として実施例1と同
様の大きさ、厚さのポリイミド樹脂フィルムにスパッタ
法により形成した厚さ0.25μmの下地銅層を有する
エッチャーフレックス(三井東圧化学(株)製)を用
い、さらに電気銅めっきで厚さを1μmに調整した基体
を用い、その他は実施例1と同様の方法で各処理を行っ
たところ実施例1と同様にバンプ付きテープを製造する
ことができた。このバンプの高さを光学的な段差測定機
により測定したところ、±5μmの精度であった。ま
た、このバンプ付きテープを実装後、送風定温恒温器T
YPEDN−43(大和科学(株))を用いて、150
℃、500時間の耐環境試験を施してもピッチのずれは
0.05%以下であった。
様の大きさ、厚さのポリイミド樹脂フィルムにスパッタ
法により形成した厚さ0.25μmの下地銅層を有する
エッチャーフレックス(三井東圧化学(株)製)を用
い、さらに電気銅めっきで厚さを1μmに調整した基体
を用い、その他は実施例1と同様の方法で各処理を行っ
たところ実施例1と同様にバンプ付きテープを製造する
ことができた。このバンプの高さを光学的な段差測定機
により測定したところ、±5μmの精度であった。ま
た、このバンプ付きテープを実装後、送風定温恒温器T
YPEDN−43(大和科学(株))を用いて、150
℃、500時間の耐環境試験を施してもピッチのずれは
0.05%以下であった。
【0044】
【発明の効果】本発明の方法によれば、通常知られてい
る2層TABの製造方法を応用することにより、TAB
テープと外部回路の接続において、TABテープと外部
回路を直接ボンディングをしなくとも、実装後に検査を
可能とし、さらに、多ピン、狭ピッチ化に対応した寸法
安定性に優れたバンプを有するバンプ付きテープを確実
に製造することができ、経済性にも工業的にも優れた高
性能電子部品を提供することが可能となる。
る2層TABの製造方法を応用することにより、TAB
テープと外部回路の接続において、TABテープと外部
回路を直接ボンディングをしなくとも、実装後に検査を
可能とし、さらに、多ピン、狭ピッチ化に対応した寸法
安定性に優れたバンプを有するバンプ付きテープを確実
に製造することができ、経済性にも工業的にも優れた高
性能電子部品を提供することが可能となる。
【図1】外部回路とバンプ付きテープとTABテープと
を接続させたときの断面図である。
を接続させたときの断面図である。
【図2】バンプ付きテープの製造方法の概略を順を追っ
て図示した工程説明図である。
て図示した工程説明図である。
【図3】本発明により得られたバンプ付きテープの1例
を示してある外観を示す部分平面図である。
を示してある外観を示す部分平面図である。
【図4】本発明において使用されるホールおよび回路パ
ターン形成用のフォトマスクの1例を示す図である。
ターン形成用のフォトマスクの1例を示す図である。
【図5】本発明において使用される各種ホールパターン
形成用のフォトマスクの1例を示した図である。
形成用のフォトマスクの1例を示した図である。
1 上面金属層 2 ポリイミド樹脂基体 3 感光性レジスト層 4 感光性レジスト層 5 レジストパターン 6 ランド 7 レジストパターン 8 有機樹脂被膜層 9 ブラインドホール 10 ツーリングホール 11 有機樹脂被膜層 12 バンプ 13 TABテープ 14 外部回路 15 電極パッド
Claims (1)
- 【請求項1】 ポリイミド樹脂フィルムの上面に直接に
金属層を形成したものを基体とし、金属層のある基体上
面および基体下面に感光性レジスト層を形成し、次いで
基体上面におけるレジスト層には所定のランドおよび回
路パターンを有するフォトマスクを施し、基体下面にお
けるレジスト層には所定の各種ホールパターンを有する
フォトマスクを施し、基体上面および基体下面に光を照
射し、次いで基体上面のレジストを現像して該基体の上
面にレジストパターンを形成する第1の工程、基体上面
に形成したレジストパターンに従って露出した金属層上
に電気めっきにより金属めっき層を積層し、次いで基体
上面のレジスト層を溶解除去することによって基体上面
にランドおよび回路パターンを形成し、次いで基体下面
のレジストを現像して該基体の下面にレジストパターン
を形成し、次いで基体上面全体にわたって有機樹脂被膜
を形成する第2の工程、基体下面に形成したレジストパ
ターンに従って露出したポリイミド樹脂を溶解除去する
ことにより所定の部分に所定の各種ホールを形成する第
3の工程、基体下面に形成された各種ホールのうち特定
のホールのみを有機樹脂被膜で被覆し、次いで基体下面
に形成された各種ホールのうち有機樹脂被膜で被覆され
ていないホールに電気めっきにより所定のバンプを形成
する第4の工程、基体上面および基体下面の有機樹脂被
膜を除去し、次いで基体上面に直接形成されていた該金
属層を溶解除去する第5の工程よりなることを特徴とす
るバンプ付きテープの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30787192A JPH06140473A (ja) | 1992-10-23 | 1992-10-23 | バンプ付きテープの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30787192A JPH06140473A (ja) | 1992-10-23 | 1992-10-23 | バンプ付きテープの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06140473A true JPH06140473A (ja) | 1994-05-20 |
Family
ID=17974168
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30787192A Pending JPH06140473A (ja) | 1992-10-23 | 1992-10-23 | バンプ付きテープの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06140473A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6256207B1 (en) | 1998-07-06 | 2001-07-03 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Chip-sized semiconductor device and process for making same |
US7534664B2 (en) | 2003-07-31 | 2009-05-19 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing same |
US7914268B2 (en) | 2007-09-11 | 2011-03-29 | Emerson Climate Technologies, Inc. | Compressor having shell with alignment features |
-
1992
- 1992-10-23 JP JP30787192A patent/JPH06140473A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6256207B1 (en) | 1998-07-06 | 2001-07-03 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Chip-sized semiconductor device and process for making same |
US7534664B2 (en) | 2003-07-31 | 2009-05-19 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing same |
US7914268B2 (en) | 2007-09-11 | 2011-03-29 | Emerson Climate Technologies, Inc. | Compressor having shell with alignment features |
US7959421B2 (en) | 2007-09-11 | 2011-06-14 | Emerson Climate Technologies, Inc. | Compressor having a shutdown valve |
US8356987B2 (en) | 2007-09-11 | 2013-01-22 | Emerson Climate Technologies, Inc. | Compressor with retaining mechanism |
US8793870B2 (en) | 2007-09-11 | 2014-08-05 | Emerson Climate Technologies, Inc. | Compressor having shell with alignment features |
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