JPH06120398A - リ−ドフレ−ム - Google Patents
リ−ドフレ−ムInfo
- Publication number
- JPH06120398A JPH06120398A JP27017392A JP27017392A JPH06120398A JP H06120398 A JPH06120398 A JP H06120398A JP 27017392 A JP27017392 A JP 27017392A JP 27017392 A JP27017392 A JP 27017392A JP H06120398 A JPH06120398 A JP H06120398A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- slit
- gate
- lead frame
- upper gate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】樹脂モ−ルド工程後、上下ゲ−ト部の樹脂を簡
単に取り除くことで、この後のT/F工程における残存
樹脂を最小限に抑える。 【構成】モ−ルド樹脂を下ゲ−トから上ゲ−ト21へ流
し込むためのスリット22を有している。当該スリット
22は、リ−ドフレ−ムが金型に装着された状態におい
て、少なくとも上下ゲ−トと重なっており、かつ、当該
スリット22の長さは、上ゲ−ト21の長さに比べ、同
じか若しくは大きく、また、当該スリット22の幅は、
上ゲ−トの幅に比べ、同じか若しくは大きくなってい
る。
単に取り除くことで、この後のT/F工程における残存
樹脂を最小限に抑える。 【構成】モ−ルド樹脂を下ゲ−トから上ゲ−ト21へ流
し込むためのスリット22を有している。当該スリット
22は、リ−ドフレ−ムが金型に装着された状態におい
て、少なくとも上下ゲ−トと重なっており、かつ、当該
スリット22の長さは、上ゲ−ト21の長さに比べ、同
じか若しくは大きく、また、当該スリット22の幅は、
上ゲ−トの幅に比べ、同じか若しくは大きくなってい
る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂モ−ルド工程に適
するリ−ドフレ−ムに関する。
するリ−ドフレ−ムに関する。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体装置のモ−ルド成形は、リ
−ドフレ−ムを金型に装着し、当該金型へ樹脂を注入す
ることにより行われている。このような樹脂モ−ルド工
程において、樹脂は、ベッドの浮きや傾斜などを防止す
るため、ランナ−から上下2つのゲ−ト部を介して、キ
ャビティ内へ注入されている。そして、このために上下
2つのゲ−ト部をつなぐスリットがリ−ドフレ−ムに形
成されている。
−ドフレ−ムを金型に装着し、当該金型へ樹脂を注入す
ることにより行われている。このような樹脂モ−ルド工
程において、樹脂は、ベッドの浮きや傾斜などを防止す
るため、ランナ−から上下2つのゲ−ト部を介して、キ
ャビティ内へ注入されている。そして、このために上下
2つのゲ−ト部をつなぐスリットがリ−ドフレ−ムに形
成されている。
【0003】図8は、樹脂モ−ルド工程に使用する下金
型を示すものである。図8において、1は、ランナ−、
2は、下ゲ−ト、3は、キャビティ、11は、F型ゲ−
トブロック、12は、F型ランナ−ブロック、13は、
F型キャビティブロック、14は、リ−ドフレ−ムのガ
イドピン、15は、F型キャビティホルダ−である。
型を示すものである。図8において、1は、ランナ−、
2は、下ゲ−ト、3は、キャビティ、11は、F型ゲ−
トブロック、12は、F型ランナ−ブロック、13は、
F型キャビティブロック、14は、リ−ドフレ−ムのガ
イドピン、15は、F型キャビティホルダ−である。
【0004】この下金型にリ−ドフレ−ムが装着された
ときの状態を図9に示す。リ−ドフレ−ム16には、下
金型の各々の下ゲ−トに対応する位置にそれぞれスリッ
ト17が形成されている。そして、樹脂は、下金型の下
ゲ−トからスリット17を介して、上金型の上ゲ−ト
(図示せず)へ流れ込み、上下2つのゲ−トからキャビ
ティ内へ注入されることになる。
ときの状態を図9に示す。リ−ドフレ−ム16には、下
金型の各々の下ゲ−トに対応する位置にそれぞれスリッ
ト17が形成されている。そして、樹脂は、下金型の下
ゲ−トからスリット17を介して、上金型の上ゲ−ト
(図示せず)へ流れ込み、上下2つのゲ−トからキャビ
ティ内へ注入されることになる。
【0005】しかしながら、当該金型によりモ−ルド成
形した場合、キャビティ以外に、下ゲ−トから上ゲ−ト
にかけて樹脂が残るという問題点がある。この残存樹脂
は、樹脂モ−ルド工程後の T(trim)/F(fo
rm)工程において、当該樹脂の飛散によるアウタ−リ
−ドの損傷や、アウタ−リ−ドが不正確に折り曲がる等
の悪影響を及ぼす。
形した場合、キャビティ以外に、下ゲ−トから上ゲ−ト
にかけて樹脂が残るという問題点がある。この残存樹脂
は、樹脂モ−ルド工程後の T(trim)/F(fo
rm)工程において、当該樹脂の飛散によるアウタ−リ
−ドの損傷や、アウタ−リ−ドが不正確に折り曲がる等
の悪影響を及ぼす。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来は、
リ−ドフレ−ムにスリットを設け、ベッドの浮きや傾斜
などを防いでいたが、モ−ルド成形後、下ゲ−トから上
ゲ−トにかけて樹脂が残存していたため、この後のT/
F工程では、当該樹脂の飛散によるアウタ−リ−ドの損
傷や、アウタ−リ−ドが不正確に折り曲がる等の欠点が
ある。
リ−ドフレ−ムにスリットを設け、ベッドの浮きや傾斜
などを防いでいたが、モ−ルド成形後、下ゲ−トから上
ゲ−トにかけて樹脂が残存していたため、この後のT/
F工程では、当該樹脂の飛散によるアウタ−リ−ドの損
傷や、アウタ−リ−ドが不正確に折り曲がる等の欠点が
ある。
【0007】本発明は、上記欠点を解決すべくなされた
もので、その目的は、樹脂モ−ルド工程後、下ゲ−トか
ら上ゲ−トにかけて残存する樹脂を取り除くことによ
り、この後のT/F工程で残存樹脂を最小限に抑え、高
品質な半導体装置を提供することである。
もので、その目的は、樹脂モ−ルド工程後、下ゲ−トか
ら上ゲ−トにかけて残存する樹脂を取り除くことによ
り、この後のT/F工程で残存樹脂を最小限に抑え、高
品質な半導体装置を提供することである。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のリ−ドフレ−ムは、モ−ルド樹脂を下ゲ−
トから上ゲ−トへ流し込むためのスリットを有し、当該
スリットは、リ−ドフレ−ムが金型に装着された状態に
おいて、少なくとも上下ゲ−トと重なっており、かつ、
当該スリットの長さは、上ゲ−トの長さに比べ、同じか
若しくは大きくなっており、また、当該スリットの幅
は、上ゲ−トの幅に比べ、同じか若しくは大きくなって
いる。
め、本発明のリ−ドフレ−ムは、モ−ルド樹脂を下ゲ−
トから上ゲ−トへ流し込むためのスリットを有し、当該
スリットは、リ−ドフレ−ムが金型に装着された状態に
おいて、少なくとも上下ゲ−トと重なっており、かつ、
当該スリットの長さは、上ゲ−トの長さに比べ、同じか
若しくは大きくなっており、また、当該スリットの幅
は、上ゲ−トの幅に比べ、同じか若しくは大きくなって
いる。
【0009】
【作用】上記構成によれば、リ−ドフレ−ムのスリット
が、当該リ−ドフレ−ムが金型に装着された状態におい
て、少なくとも上下ゲ−トと重なっており、かつ、当該
スリットの長さが、上ゲ−トの長さに比べ同じか若しく
は大きく、また、当該スリットの幅が、上ゲ−トの幅に
比べ同じか若しくは大きくなっている。このように、リ
−ドフレ−ムのスリットを上ゲ−トよりも一回り大きく
形成することで、樹脂モ−ルド工程後、下ゲ−トから上
ゲ−トにかけて残存する樹脂を簡単に取り除くことがで
きる。従って、この後のT/F工程で残存樹脂を最小限
に抑えられ、高品質な半導体装置を提供できる。
が、当該リ−ドフレ−ムが金型に装着された状態におい
て、少なくとも上下ゲ−トと重なっており、かつ、当該
スリットの長さが、上ゲ−トの長さに比べ同じか若しく
は大きく、また、当該スリットの幅が、上ゲ−トの幅に
比べ同じか若しくは大きくなっている。このように、リ
−ドフレ−ムのスリットを上ゲ−トよりも一回り大きく
形成することで、樹脂モ−ルド工程後、下ゲ−トから上
ゲ−トにかけて残存する樹脂を簡単に取り除くことがで
きる。従って、この後のT/F工程で残存樹脂を最小限
に抑えられ、高品質な半導体装置を提供できる。
【0010】
【実施例】以下、図面を参照しながら、本発明の一実施
例について詳細に説明する。図1は、本発明の一実施例
に係わるリ−ドフレ−ムを説明するための図であり、上
金型の上ゲ−ト21と当該リ−ドフレ−ムのスリット2
2との位置関係を示すもである。
例について詳細に説明する。図1は、本発明の一実施例
に係わるリ−ドフレ−ムを説明するための図であり、上
金型の上ゲ−ト21と当該リ−ドフレ−ムのスリット2
2との位置関係を示すもである。
【0011】上金型の上ゲ−ト21は、キャビティ23
につながっている。また、リ−ドフレ−ムのスリット2
2は、金型を平面から見た場合に、少なくとも上ゲ−ト
21及び下ゲ−トに重なるように形成されており、か
つ、上ゲ−ト21よりも一回り大きく形成されている。
なお、スリット22の形状は、例えば四角形状とするこ
とができる。そこで、上ゲ−ト21とスリット22の位
置関係を図2及び図3を参照しながら、もう少し詳しく
説明する。
につながっている。また、リ−ドフレ−ムのスリット2
2は、金型を平面から見た場合に、少なくとも上ゲ−ト
21及び下ゲ−トに重なるように形成されており、か
つ、上ゲ−ト21よりも一回り大きく形成されている。
なお、スリット22の形状は、例えば四角形状とするこ
とができる。そこで、上ゲ−ト21とスリット22の位
置関係を図2及び図3を参照しながら、もう少し詳しく
説明する。
【0012】図2は、図1のI−I´線に沿う断面図で
ある。即ち、リ−ドフレ−ム24が金型に装着された状
態において、リ−ドフレ−ム24のスリット22の周囲
のうちキャビティと上ゲ−トの接合面Oから最も遠く離
れている点までの距離(以下、「スリットの長さ」とい
う。)L1は、キャビティと上ゲ−トの接合面Oから上
ゲ−ト21の端部(当該接合面Oから最も遠い点)まで
の距離(以下、「上ゲ−トの長さ」という。)L2に比
べ、同じか、若しくは、大きくなっている。なお、本実
施例では、リ−ドフレ−ム24のスリット22の周囲の
うち接合面Oから最も近い点は、当該接合面Oに一致す
るが、例えば破線で示すように、スリット22の周囲の
うち接合面Oから最も近い点は、当該接合面Oから一定
距離L3だけ離れていてもよい。
ある。即ち、リ−ドフレ−ム24が金型に装着された状
態において、リ−ドフレ−ム24のスリット22の周囲
のうちキャビティと上ゲ−トの接合面Oから最も遠く離
れている点までの距離(以下、「スリットの長さ」とい
う。)L1は、キャビティと上ゲ−トの接合面Oから上
ゲ−ト21の端部(当該接合面Oから最も遠い点)まで
の距離(以下、「上ゲ−トの長さ」という。)L2に比
べ、同じか、若しくは、大きくなっている。なお、本実
施例では、リ−ドフレ−ム24のスリット22の周囲の
うち接合面Oから最も近い点は、当該接合面Oに一致す
るが、例えば破線で示すように、スリット22の周囲の
うち接合面Oから最も近い点は、当該接合面Oから一定
距離L3だけ離れていてもよい。
【0013】図3は、図1のII−II´線に沿う断面図で
ある。即ち、リ−ドフレ−ム24が金型に装着された状
態において、上ゲ−トとキャビティの接合面の長さ(以
下、「上ゲ−トの幅」という。)H1は、当該上ゲ−ト
の幅と同じ方向におけるスリットの長さ(以下、「スリ
ットの幅」という。)H2に比べ、同じか、若しくは、
小さくなっている。
ある。即ち、リ−ドフレ−ム24が金型に装着された状
態において、上ゲ−トとキャビティの接合面の長さ(以
下、「上ゲ−トの幅」という。)H1は、当該上ゲ−ト
の幅と同じ方向におけるスリットの長さ(以下、「スリ
ットの幅」という。)H2に比べ、同じか、若しくは、
小さくなっている。
【0014】上記構成によれば、リ−ドフレ−ムのスリ
ットは、金型を平面から見た場合に、上ゲ−トよりも一
回り大きく形成されている。これにより、樹脂モ−ルド
工程後、例えば図4に示すように、モ−ルド樹脂25が
上ゲ−ト部から下ゲ−ト部にかけて残存しても、その部
分の樹脂26は、例えば図5に示すように、簡単に除去
することができる。従って、この後にT/F工程へ進ん
でも、樹脂の飛散によるアウタ−リ−ドの損傷や、アウ
タ−リ−ドが不正確に折り曲がる等の欠点は発生しな
い。
ットは、金型を平面から見た場合に、上ゲ−トよりも一
回り大きく形成されている。これにより、樹脂モ−ルド
工程後、例えば図4に示すように、モ−ルド樹脂25が
上ゲ−ト部から下ゲ−ト部にかけて残存しても、その部
分の樹脂26は、例えば図5に示すように、簡単に除去
することができる。従って、この後にT/F工程へ進ん
でも、樹脂の飛散によるアウタ−リ−ドの損傷や、アウ
タ−リ−ドが不正確に折り曲がる等の欠点は発生しな
い。
【0015】図6及び図7は、上ゲ−トの長さとスリッ
トの長さとの関係を詳細に調べた結果をまとめた図であ
る。なおサンプル数は、ICが80個である。ここで
は、上ゲ−トの長さaを3mmと固定し、スリットの長
さcをそれぞれ3mm、1mm、0.5mmと変化させ
ている。そして、各々のスリットの長さについて、上下
ゲ−ト部に残存している樹脂を取り除くとき、どれだけ
の樹脂が当該リ−ドフレ−ムから取り除けるかを、残っ
た樹脂の量(樹脂残り量)をパラメ−タに表したもので
ある。
トの長さとの関係を詳細に調べた結果をまとめた図であ
る。なおサンプル数は、ICが80個である。ここで
は、上ゲ−トの長さaを3mmと固定し、スリットの長
さcをそれぞれ3mm、1mm、0.5mmと変化させ
ている。そして、各々のスリットの長さについて、上下
ゲ−ト部に残存している樹脂を取り除くとき、どれだけ
の樹脂が当該リ−ドフレ−ムから取り除けるかを、残っ
た樹脂の量(樹脂残り量)をパラメ−タに表したもので
ある。
【0016】例えば、スリットの長さがC3=3mmの
とき、上ゲ−トの長さ3mmに対して、0〜1mmの樹
脂が残ったICは全体の約22%である。また、上ゲ−
トの長さ3mmに対して、1〜1.5mmの樹脂が残っ
たICは全体の約65%、1.5〜2mmの樹脂が残っ
たICは全体の約13%、さらに2〜3mmの樹脂が残
ったICは0%、即ち一つも存在していない。一方、ス
リットの長さがC2=1mm,C1=0.5mmのとき
は、共に、全てのICについて2〜3mmの樹脂が残
り、下ゲ−トから上ゲ−トにかけての樹脂が全くといっ
てよいほど除去されていないことがわかる。なお、b
は、下ゲ−ト部における樹脂の残り量であり、スリット
の長さが短くなるにつれ、樹脂残り量も増えているのが
わかる。
とき、上ゲ−トの長さ3mmに対して、0〜1mmの樹
脂が残ったICは全体の約22%である。また、上ゲ−
トの長さ3mmに対して、1〜1.5mmの樹脂が残っ
たICは全体の約65%、1.5〜2mmの樹脂が残っ
たICは全体の約13%、さらに2〜3mmの樹脂が残
ったICは0%、即ち一つも存在していない。一方、ス
リットの長さがC2=1mm,C1=0.5mmのとき
は、共に、全てのICについて2〜3mmの樹脂が残
り、下ゲ−トから上ゲ−トにかけての樹脂が全くといっ
てよいほど除去されていないことがわかる。なお、b
は、下ゲ−ト部における樹脂の残り量であり、スリット
の長さが短くなるにつれ、樹脂残り量も増えているのが
わかる。
【0017】
【発明の効果】以上、説明したように、本発明のリ−ド
フレ−ムによれば、次のような効果を奏する。リ−ドフ
レ−ムは、当該スリットが少なくとも上下ゲ−トと重な
るようにして金型に装着されている。また、当該スリッ
トの長さは、上ゲ−トの長さに比べ同じか若しくは大き
くなっている。さらに、当該スリットの幅は、上ゲ−ト
の幅に比べ同じか若しくは大きくなっている。このよう
に、リ−ドフレ−ムのスリットは、上ゲ−トよりも一回
り大きく形成されている。これにより、樹脂モ−ルド工
程後、下ゲ−トから上ゲ−トにかけて残存する樹脂を簡
単に取り除くことができ、この後のT/F工程で残存樹
脂を最小限に抑えられ、高品質な半導体装置を提供でき
る。
フレ−ムによれば、次のような効果を奏する。リ−ドフ
レ−ムは、当該スリットが少なくとも上下ゲ−トと重な
るようにして金型に装着されている。また、当該スリッ
トの長さは、上ゲ−トの長さに比べ同じか若しくは大き
くなっている。さらに、当該スリットの幅は、上ゲ−ト
の幅に比べ同じか若しくは大きくなっている。このよう
に、リ−ドフレ−ムのスリットは、上ゲ−トよりも一回
り大きく形成されている。これにより、樹脂モ−ルド工
程後、下ゲ−トから上ゲ−トにかけて残存する樹脂を簡
単に取り除くことができ、この後のT/F工程で残存樹
脂を最小限に抑えられ、高品質な半導体装置を提供でき
る。
【図1】本発明の一実施例に係わるリ−ドフレ−ムを説
明するための図。
明するための図。
【図2】図1のI−I´線に沿う断面図。
【図3】図1のII−II´線に沿う断面図。
【図4】上下ゲ−ト部の樹脂が存在する状態を示す図。
【図5】上下ゲ−ト部の樹脂が取り除かれた状態を示す
図。
図。
【図6】上ゲ−ト長さとスリット長さの関係を樹脂残り
量をパラメ−タに示す図。
量をパラメ−タに示す図。
【図7】上ゲ−ト長さとスリット長さの関係を樹脂残り
量をパラメ−タに示す図。
量をパラメ−タに示す図。
【図8】従来の下金型を示す図。
【図9】図8の下金型に従来のリ−ドフレ−ムを装着し
た状態を示す図。
た状態を示す図。
21 …上ゲ−ト、 22 …スリット、 23 …キャビティ、 24 …リ−ドフレ−ム、 25 …樹脂、 26 …上下ゲ−ト部の樹脂。
Claims (1)
- 【請求項1】 モ−ルド樹脂を下ゲ−トから上ゲ−トへ
流し込むためのスリットを有し、当該スリットは、リ−
ドフレ−ムが金型に装着された状態において、少なくと
も上下ゲ−トと重なっており、かつ、当該スリットの長
さは、上ゲ−トの長さに比べ、同じか若しくは大きくな
っており、また、当該スリットの幅は、上ゲ−トの幅に
比べ、同じか若しくは大きくなっていることを特徴とす
るリ−ドフレ−ム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27017392A JPH06120398A (ja) | 1992-10-08 | 1992-10-08 | リ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27017392A JPH06120398A (ja) | 1992-10-08 | 1992-10-08 | リ−ドフレ−ム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06120398A true JPH06120398A (ja) | 1994-04-28 |
Family
ID=17482549
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27017392A Pending JPH06120398A (ja) | 1992-10-08 | 1992-10-08 | リ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06120398A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002246528A (ja) * | 2001-02-14 | 2002-08-30 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
KR20150007262A (ko) * | 2013-07-10 | 2015-01-20 | 에버디스플레이 옵트로닉스 (상하이) 리미티드 | 픽셀 어레이 및 이를 구비하는 디스플레이 |
-
1992
- 1992-10-08 JP JP27017392A patent/JPH06120398A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002246528A (ja) * | 2001-02-14 | 2002-08-30 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP4570797B2 (ja) * | 2001-02-14 | 2010-10-27 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
KR20150007262A (ko) * | 2013-07-10 | 2015-01-20 | 에버디스플레이 옵트로닉스 (상하이) 리미티드 | 픽셀 어레이 및 이를 구비하는 디스플레이 |
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