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JPH06120398A - リ−ドフレ−ム - Google Patents

リ−ドフレ−ム

Info

Publication number
JPH06120398A
JPH06120398A JP27017392A JP27017392A JPH06120398A JP H06120398 A JPH06120398 A JP H06120398A JP 27017392 A JP27017392 A JP 27017392A JP 27017392 A JP27017392 A JP 27017392A JP H06120398 A JPH06120398 A JP H06120398A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
slit
gate
lead frame
upper gate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP27017392A
Other languages
English (en)
Inventor
Masao Goto
賢生 後藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP27017392A priority Critical patent/JPH06120398A/ja
Publication of JPH06120398A publication Critical patent/JPH06120398A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】樹脂モ−ルド工程後、上下ゲ−ト部の樹脂を簡
単に取り除くことで、この後のT/F工程における残存
樹脂を最小限に抑える。 【構成】モ−ルド樹脂を下ゲ−トから上ゲ−ト21へ流
し込むためのスリット22を有している。当該スリット
22は、リ−ドフレ−ムが金型に装着された状態におい
て、少なくとも上下ゲ−トと重なっており、かつ、当該
スリット22の長さは、上ゲ−ト21の長さに比べ、同
じか若しくは大きく、また、当該スリット22の幅は、
上ゲ−トの幅に比べ、同じか若しくは大きくなってい
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂モ−ルド工程に適
するリ−ドフレ−ムに関する。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体装置のモ−ルド成形は、リ
−ドフレ−ムを金型に装着し、当該金型へ樹脂を注入す
ることにより行われている。このような樹脂モ−ルド工
程において、樹脂は、ベッドの浮きや傾斜などを防止す
るため、ランナ−から上下2つのゲ−ト部を介して、キ
ャビティ内へ注入されている。そして、このために上下
2つのゲ−ト部をつなぐスリットがリ−ドフレ−ムに形
成されている。
【0003】図8は、樹脂モ−ルド工程に使用する下金
型を示すものである。図8において、1は、ランナ−、
2は、下ゲ−ト、3は、キャビティ、11は、F型ゲ−
トブロック、12は、F型ランナ−ブロック、13は、
F型キャビティブロック、14は、リ−ドフレ−ムのガ
イドピン、15は、F型キャビティホルダ−である。
【0004】この下金型にリ−ドフレ−ムが装着された
ときの状態を図9に示す。リ−ドフレ−ム16には、下
金型の各々の下ゲ−トに対応する位置にそれぞれスリッ
ト17が形成されている。そして、樹脂は、下金型の下
ゲ−トからスリット17を介して、上金型の上ゲ−ト
(図示せず)へ流れ込み、上下2つのゲ−トからキャビ
ティ内へ注入されることになる。
【0005】しかしながら、当該金型によりモ−ルド成
形した場合、キャビティ以外に、下ゲ−トから上ゲ−ト
にかけて樹脂が残るという問題点がある。この残存樹脂
は、樹脂モ−ルド工程後の T(trim)/F(fo
rm)工程において、当該樹脂の飛散によるアウタ−リ
−ドの損傷や、アウタ−リ−ドが不正確に折り曲がる等
の悪影響を及ぼす。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来は、
リ−ドフレ−ムにスリットを設け、ベッドの浮きや傾斜
などを防いでいたが、モ−ルド成形後、下ゲ−トから上
ゲ−トにかけて樹脂が残存していたため、この後のT/
F工程では、当該樹脂の飛散によるアウタ−リ−ドの損
傷や、アウタ−リ−ドが不正確に折り曲がる等の欠点が
ある。
【0007】本発明は、上記欠点を解決すべくなされた
もので、その目的は、樹脂モ−ルド工程後、下ゲ−トか
ら上ゲ−トにかけて残存する樹脂を取り除くことによ
り、この後のT/F工程で残存樹脂を最小限に抑え、高
品質な半導体装置を提供することである。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のリ−ドフレ−ムは、モ−ルド樹脂を下ゲ−
トから上ゲ−トへ流し込むためのスリットを有し、当該
スリットは、リ−ドフレ−ムが金型に装着された状態に
おいて、少なくとも上下ゲ−トと重なっており、かつ、
当該スリットの長さは、上ゲ−トの長さに比べ、同じか
若しくは大きくなっており、また、当該スリットの幅
は、上ゲ−トの幅に比べ、同じか若しくは大きくなって
いる。
【0009】
【作用】上記構成によれば、リ−ドフレ−ムのスリット
が、当該リ−ドフレ−ムが金型に装着された状態におい
て、少なくとも上下ゲ−トと重なっており、かつ、当該
スリットの長さが、上ゲ−トの長さに比べ同じか若しく
は大きく、また、当該スリットの幅が、上ゲ−トの幅に
比べ同じか若しくは大きくなっている。このように、リ
−ドフレ−ムのスリットを上ゲ−トよりも一回り大きく
形成することで、樹脂モ−ルド工程後、下ゲ−トから上
ゲ−トにかけて残存する樹脂を簡単に取り除くことがで
きる。従って、この後のT/F工程で残存樹脂を最小限
に抑えられ、高品質な半導体装置を提供できる。
【0010】
【実施例】以下、図面を参照しながら、本発明の一実施
例について詳細に説明する。図1は、本発明の一実施例
に係わるリ−ドフレ−ムを説明するための図であり、上
金型の上ゲ−ト21と当該リ−ドフレ−ムのスリット2
2との位置関係を示すもである。
【0011】上金型の上ゲ−ト21は、キャビティ23
につながっている。また、リ−ドフレ−ムのスリット2
2は、金型を平面から見た場合に、少なくとも上ゲ−ト
21及び下ゲ−トに重なるように形成されており、か
つ、上ゲ−ト21よりも一回り大きく形成されている。
なお、スリット22の形状は、例えば四角形状とするこ
とができる。そこで、上ゲ−ト21とスリット22の位
置関係を図2及び図3を参照しながら、もう少し詳しく
説明する。
【0012】図2は、図1のI−I´線に沿う断面図で
ある。即ち、リ−ドフレ−ム24が金型に装着された状
態において、リ−ドフレ−ム24のスリット22の周囲
のうちキャビティと上ゲ−トの接合面Oから最も遠く離
れている点までの距離(以下、「スリットの長さ」とい
う。)L1は、キャビティと上ゲ−トの接合面Oから上
ゲ−ト21の端部(当該接合面Oから最も遠い点)まで
の距離(以下、「上ゲ−トの長さ」という。)L2に比
べ、同じか、若しくは、大きくなっている。なお、本実
施例では、リ−ドフレ−ム24のスリット22の周囲の
うち接合面Oから最も近い点は、当該接合面Oに一致す
るが、例えば破線で示すように、スリット22の周囲の
うち接合面Oから最も近い点は、当該接合面Oから一定
距離L3だけ離れていてもよい。
【0013】図3は、図1のII−II´線に沿う断面図で
ある。即ち、リ−ドフレ−ム24が金型に装着された状
態において、上ゲ−トとキャビティの接合面の長さ(以
下、「上ゲ−トの幅」という。)H1は、当該上ゲ−ト
の幅と同じ方向におけるスリットの長さ(以下、「スリ
ットの幅」という。)H2に比べ、同じか、若しくは、
小さくなっている。
【0014】上記構成によれば、リ−ドフレ−ムのスリ
ットは、金型を平面から見た場合に、上ゲ−トよりも一
回り大きく形成されている。これにより、樹脂モ−ルド
工程後、例えば図4に示すように、モ−ルド樹脂25が
上ゲ−ト部から下ゲ−ト部にかけて残存しても、その部
分の樹脂26は、例えば図5に示すように、簡単に除去
することができる。従って、この後にT/F工程へ進ん
でも、樹脂の飛散によるアウタ−リ−ドの損傷や、アウ
タ−リ−ドが不正確に折り曲がる等の欠点は発生しな
い。
【0015】図6及び図7は、上ゲ−トの長さとスリッ
トの長さとの関係を詳細に調べた結果をまとめた図であ
る。なおサンプル数は、ICが80個である。ここで
は、上ゲ−トの長さaを3mmと固定し、スリットの長
さcをそれぞれ3mm、1mm、0.5mmと変化させ
ている。そして、各々のスリットの長さについて、上下
ゲ−ト部に残存している樹脂を取り除くとき、どれだけ
の樹脂が当該リ−ドフレ−ムから取り除けるかを、残っ
た樹脂の量(樹脂残り量)をパラメ−タに表したもので
ある。
【0016】例えば、スリットの長さがC3=3mmの
とき、上ゲ−トの長さ3mmに対して、0〜1mmの樹
脂が残ったICは全体の約22%である。また、上ゲ−
トの長さ3mmに対して、1〜1.5mmの樹脂が残っ
たICは全体の約65%、1.5〜2mmの樹脂が残っ
たICは全体の約13%、さらに2〜3mmの樹脂が残
ったICは0%、即ち一つも存在していない。一方、ス
リットの長さがC2=1mm,C1=0.5mmのとき
は、共に、全てのICについて2〜3mmの樹脂が残
り、下ゲ−トから上ゲ−トにかけての樹脂が全くといっ
てよいほど除去されていないことがわかる。なお、b
は、下ゲ−ト部における樹脂の残り量であり、スリット
の長さが短くなるにつれ、樹脂残り量も増えているのが
わかる。
【0017】
【発明の効果】以上、説明したように、本発明のリ−ド
フレ−ムによれば、次のような効果を奏する。リ−ドフ
レ−ムは、当該スリットが少なくとも上下ゲ−トと重な
るようにして金型に装着されている。また、当該スリッ
トの長さは、上ゲ−トの長さに比べ同じか若しくは大き
くなっている。さらに、当該スリットの幅は、上ゲ−ト
の幅に比べ同じか若しくは大きくなっている。このよう
に、リ−ドフレ−ムのスリットは、上ゲ−トよりも一回
り大きく形成されている。これにより、樹脂モ−ルド工
程後、下ゲ−トから上ゲ−トにかけて残存する樹脂を簡
単に取り除くことができ、この後のT/F工程で残存樹
脂を最小限に抑えられ、高品質な半導体装置を提供でき
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例に係わるリ−ドフレ−ムを説
明するための図。
【図2】図1のI−I´線に沿う断面図。
【図3】図1のII−II´線に沿う断面図。
【図4】上下ゲ−ト部の樹脂が存在する状態を示す図。
【図5】上下ゲ−ト部の樹脂が取り除かれた状態を示す
図。
【図6】上ゲ−ト長さとスリット長さの関係を樹脂残り
量をパラメ−タに示す図。
【図7】上ゲ−ト長さとスリット長さの関係を樹脂残り
量をパラメ−タに示す図。
【図8】従来の下金型を示す図。
【図9】図8の下金型に従来のリ−ドフレ−ムを装着し
た状態を示す図。
【符号の説明】
21 …上ゲ−ト、 22 …スリット、 23 …キャビティ、 24 …リ−ドフレ−ム、 25 …樹脂、 26 …上下ゲ−ト部の樹脂。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 モ−ルド樹脂を下ゲ−トから上ゲ−トへ
    流し込むためのスリットを有し、当該スリットは、リ−
    ドフレ−ムが金型に装着された状態において、少なくと
    も上下ゲ−トと重なっており、かつ、当該スリットの長
    さは、上ゲ−トの長さに比べ、同じか若しくは大きくな
    っており、また、当該スリットの幅は、上ゲ−トの幅に
    比べ、同じか若しくは大きくなっていることを特徴とす
    るリ−ドフレ−ム。
JP27017392A 1992-10-08 1992-10-08 リ−ドフレ−ム Pending JPH06120398A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002246528A (ja) * 2001-02-14 2002-08-30 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
KR20150007262A (ko) * 2013-07-10 2015-01-20 에버디스플레이 옵트로닉스 (상하이) 리미티드 픽셀 어레이 및 이를 구비하는 디스플레이

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002246528A (ja) * 2001-02-14 2002-08-30 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
JP4570797B2 (ja) * 2001-02-14 2010-10-27 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
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