JPH06120192A - 両面スクラブ洗浄装置 - Google Patents
両面スクラブ洗浄装置Info
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- JPH06120192A JPH06120192A JP28926192A JP28926192A JPH06120192A JP H06120192 A JPH06120192 A JP H06120192A JP 28926192 A JP28926192 A JP 28926192A JP 28926192 A JP28926192 A JP 28926192A JP H06120192 A JPH06120192 A JP H06120192A
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- semiconductor wafer
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- water
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Links
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- 238000005201 scrubbing Methods 0.000 title description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 29
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Cleaning In General (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 パターン形成前後の半導体ウエハ１を両面同
時洗浄する。洗浄効果をたかめる。 【構成】 半導体ウエハ１の両面に高圧ジェットノズル
２ａ，２ｂからオゾン水またはＨ2 Ｏ2 水を吹き付けな
がら、その両面を回転ブラシ２ａ，３ｂにより拭払す
る。ただし、半導体ウエハ１の表面にパターンが形成さ
れている場合は、その表面から回転ブラシ２ａを離し、
オゾン水またはＨ2 Ｏ2 水によるジェット洗浄のみで表
面を洗浄する。
時洗浄する。洗浄効果をたかめる。 【構成】 半導体ウエハ１の両面に高圧ジェットノズル
２ａ，２ｂからオゾン水またはＨ2 Ｏ2 水を吹き付けな
がら、その両面を回転ブラシ２ａ，３ｂにより拭払す
る。ただし、半導体ウエハ１の表面にパターンが形成さ
れている場合は、その表面から回転ブラシ２ａを離し、
オゾン水またはＨ2 Ｏ2 水によるジェット洗浄のみで表
面を洗浄する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハの両面を
ブラシ洗浄とジェット洗浄との組み合わせにより同時洗
浄する両面スクラブ洗浄装置に関する。
ブラシ洗浄とジェット洗浄との組み合わせにより同時洗
浄する両面スクラブ洗浄装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ブラシ洗浄とジェット洗浄とを組み合わ
せた両面スクラブ洗浄は、いずれか一方の洗浄に比して
パーティクル除去効果が高く、例えば特開昭６２−２５
９４４７号公報および特公昭６４−６８９３４号公報等
に開示された装置に採用されている。
せた両面スクラブ洗浄は、いずれか一方の洗浄に比して
パーティクル除去効果が高く、例えば特開昭６２−２５
９４４７号公報および特公昭６４−６８９３４号公報等
に開示された装置に採用されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、半導体
ウエハの表面にパターン模様が形成されると、その表面
に対してはブラシ洗浄を適用できない。そのため、従来
のこの種両面洗浄装置は、パターン形成前の半導体ウエ
ハにしか適用できなかった。
ウエハの表面にパターン模様が形成されると、その表面
に対してはブラシ洗浄を適用できない。そのため、従来
のこの種両面洗浄装置は、パターン形成前の半導体ウエ
ハにしか適用できなかった。
【０００４】また、従来のジェット洗浄では洗浄液とし
て純水を使用するため、有機物系のパーティクルは充分
に除去できなかった。
て純水を使用するため、有機物系のパーティクルは充分
に除去できなかった。
【０００５】本発明の目的は、パターン形成前の半導体
ウエハだけでなくパターン形成後の半導体ウエハに適用
でき、しかも、有機物系のパーティクルをも充分に除去
できる両面スクラブ洗浄装置を提供することにある。
ウエハだけでなくパターン形成後の半導体ウエハに適用
でき、しかも、有機物系のパーティクルをも充分に除去
できる両面スクラブ洗浄装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の両面スクラブ洗
浄装置は、洗浄すべき半導体ウエハの表面および裏面を
オゾン水またはＨ2 Ｏ2 水によりジエット洗浄する一対
の高圧ジェットノズルを設けると共に、その表面および
裏面を拭払する一対の回転ブラシを設け、一対の回転ブ
ラシのうちの少なくとも表面用の回転ブラシをウエハ表
面から離反可能としたことを特徴とする。
浄装置は、洗浄すべき半導体ウエハの表面および裏面を
オゾン水またはＨ2 Ｏ2 水によりジエット洗浄する一対
の高圧ジェットノズルを設けると共に、その表面および
裏面を拭払する一対の回転ブラシを設け、一対の回転ブ
ラシのうちの少なくとも表面用の回転ブラシをウエハ表
面から離反可能としたことを特徴とする。
【０００７】ジェット洗浄においては、その洗浄水にＣ
Ｏ2 ガスを吹き込むのが良い。
Ｏ2 ガスを吹き込むのが良い。
【０００８】
【作用】半導体ウエハがパターン形成前の場合、鏡面仕
上げされた表面および裏面をブラシ洗浄とジェット洗浄
との組み合わせで洗浄する。半導体ウエハがパターン形
成後の場合、パターンの形成されたウエハ表面に対して
は、ジェット洗浄のみで洗浄を行い、鏡面仕上げのまま
の裏面に対しては、ブラシ洗浄とジェット洗浄との組み
合わせで洗浄を行う。そして、ジェット洗浄における洗
浄水としてオゾン水またはＨ2 Ｏ2 水が使用されている
ので、有機物系のパーティクルをも充分に除去できる。
上げされた表面および裏面をブラシ洗浄とジェット洗浄
との組み合わせで洗浄する。半導体ウエハがパターン形
成後の場合、パターンの形成されたウエハ表面に対して
は、ジェット洗浄のみで洗浄を行い、鏡面仕上げのまま
の裏面に対しては、ブラシ洗浄とジェット洗浄との組み
合わせで洗浄を行う。そして、ジェット洗浄における洗
浄水としてオゾン水またはＨ2 Ｏ2 水が使用されている
ので、有機物系のパーティクルをも充分に除去できる。
【０００９】洗浄水にＣＯ2 ガスを吹き込んだ場合は、
ブラシ洗浄によって半導体ウエハに生じる静電気を少な
くできる。
ブラシ洗浄によって半導体ウエハに生じる静電気を少な
くできる。
【００１０】
【実施例】以下に本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図１は本発明の一実施例を示す両面スクラブ洗浄
装置の概略構成図である。
する。図１は本発明の一実施例を示す両面スクラブ洗浄
装置の概略構成図である。
【００１１】本両面スクラブ洗浄装置は、水平に支持さ
れた半導体ウエハ１の表面および裏面を同時に洗浄す
る。ウエハ支持位置の上下には、高圧ジェットノズル２
ａ，２ｂがそれぞれ設けられている。また、回転ブラシ
３ａ，３ｂがそれぞれ設けられている。半導体ウエハ１
は支持位置で回転する。
れた半導体ウエハ１の表面および裏面を同時に洗浄す
る。ウエハ支持位置の上下には、高圧ジェットノズル２
ａ，２ｂがそれぞれ設けられている。また、回転ブラシ
３ａ，３ｂがそれぞれ設けられている。半導体ウエハ１
は支持位置で回転する。
【００１２】高圧ジェットノズル２ａ，２ｂは、純水に
オゾンが溶解したオゾン水または純水にＨ2 Ｏ2 が溶解
したＨ2 Ｏ2 水を、回転する半導体ウエハ１の表面およ
び裏面に水平方向に移動しながら吹き付ける。オゾン水
またはＨ2 Ｏ2 水にはＣＯ2ガスを吹き込む。一方、回
転ブラシ３ａ，３ｂは半導体ウエハ１の表面および裏面
を拭払し、表面を拭払する回転ブラシ３ａは、半導体ウ
エハ１から離れた位置に退避できる。
オゾンが溶解したオゾン水または純水にＨ2 Ｏ2 が溶解
したＨ2 Ｏ2 水を、回転する半導体ウエハ１の表面およ
び裏面に水平方向に移動しながら吹き付ける。オゾン水
またはＨ2 Ｏ2 水にはＣＯ2ガスを吹き込む。一方、回
転ブラシ３ａ，３ｂは半導体ウエハ１の表面および裏面
を拭払し、表面を拭払する回転ブラシ３ａは、半導体ウ
エハ１から離れた位置に退避できる。
【００１３】半導体ウエハがパターン形成前の場合は、
その表面および裏面に回転ブラシ３ａ，３ｂを接触さ
せ、この状態で半導体ウエハ１の表面および裏面に、５
０〜１５０ｋｇ／ｃｍ2 の高圧のオゾン水またはＨ2 Ｏ
2 水を吹き付けながら回転ブラシ３ａ，３ｂを回転させ
る。これにより、半導体ウエハ１の表面裏面ともジェッ
ト洗浄とブラシ洗浄との組み合わせで同時洗浄される。
その表面および裏面に回転ブラシ３ａ，３ｂを接触さ
せ、この状態で半導体ウエハ１の表面および裏面に、５
０〜１５０ｋｇ／ｃｍ2 の高圧のオゾン水またはＨ2 Ｏ
2 水を吹き付けながら回転ブラシ３ａ，３ｂを回転させ
る。これにより、半導体ウエハ１の表面裏面ともジェッ
ト洗浄とブラシ洗浄との組み合わせで同時洗浄される。
【００１４】半導体ウエハ１がパターン形成後の場合
は、パターンの形成された表面から回転ブラシ３ａを離
し、鏡面仕上げのままの裏面に回転ブラシ３ｂを接触さ
せる。そして、この状態で半導体ウエハ１の表面および
裏面に、５０〜１５０ｋｇ／ｃｍ2 の高圧のオゾン水ま
たはＨ2 Ｏ2 水を吹き付けながら回転ブラシ３ｂを回転
させる。これにより半導体ウエハ１の表面はジェット洗
浄で洗浄され、裏面はジェット洗浄とブラシ洗浄との組
み合わせで洗浄される。
は、パターンの形成された表面から回転ブラシ３ａを離
し、鏡面仕上げのままの裏面に回転ブラシ３ｂを接触さ
せる。そして、この状態で半導体ウエハ１の表面および
裏面に、５０〜１５０ｋｇ／ｃｍ2 の高圧のオゾン水ま
たはＨ2 Ｏ2 水を吹き付けながら回転ブラシ３ｂを回転
させる。これにより半導体ウエハ１の表面はジェット洗
浄で洗浄され、裏面はジェット洗浄とブラシ洗浄との組
み合わせで洗浄される。
【００１５】いずれの洗浄の場合も、ジェット洗浄では
高圧のオゾン水またはＨ2 Ｏ2 水が使用されるので、有
機物系のパーティクルも充分に除去される。
高圧のオゾン水またはＨ2 Ｏ2 水が使用されるので、有
機物系のパーティクルも充分に除去される。
【００１６】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の両面スクラブ洗浄装置は、半導体ウエハの表面を拭払
する回転ブラシをその表面から離反可能としているの
で、パターン形成前の半導体ウエハだけでなく、表面に
パターンが形成された後の半導体ウエハに対しても両面
洗浄を行うことができる。また、ジェット洗浄における
洗浄液として高圧のオゾン水またはＨ2 Ｏ2 水を使用す
るので、これまで除去が難しかった有機物系のパーティ
クルも充分に除去できる。
の両面スクラブ洗浄装置は、半導体ウエハの表面を拭払
する回転ブラシをその表面から離反可能としているの
で、パターン形成前の半導体ウエハだけでなく、表面に
パターンが形成された後の半導体ウエハに対しても両面
洗浄を行うことができる。また、ジェット洗浄における
洗浄液として高圧のオゾン水またはＨ2 Ｏ2 水を使用す
るので、これまで除去が難しかった有機物系のパーティ
クルも充分に除去できる。
【図１】本発明の一実施例を示す両面スクラブ洗浄装置
の概略構成図である。
の概略構成図である。
１ 半導体ウエハ ２ａ，２ｂ 高圧ジェットノズル ３ａ，３ｂ 回転ブラシ
Claims (1)
- 【請求項１】 洗浄すべき半導体ウエハの表面および裏
面をオゾン水またはＨ2 Ｏ2 水によりジエット洗浄する
一対の高圧ジェットノズルを設けると共に、その表面お
よび裏面を拭払する一対の回転ブラシを設け、一対の回
転ブラシのうちの少なくとも表面用の回転ブラシをウエ
ハ表面から離反可能としたことを特徴とする両面スクラ
ブ洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28926192A JPH06120192A (ja) | 1992-10-01 | 1992-10-01 | 両面スクラブ洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28926192A JPH06120192A (ja) | 1992-10-01 | 1992-10-01 | 両面スクラブ洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06120192A true JPH06120192A (ja) | 1994-04-28 |
Family
ID=17740871
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28926192A Pending JPH06120192A (ja) | 1992-10-01 | 1992-10-01 | 両面スクラブ洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06120192A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0708480A1 (en) * | 1994-10-21 | 1996-04-24 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Method of cleaning semiconductor wafers |
| US5904164A (en) * | 1997-05-23 | 1999-05-18 | Sez Semiconductor-Equipment Zubehor Fur Die Halbleiterfertigung Ag | Arrangement for treatment of wafer-shaped articles, particularly silicon wafers |
| WO2000070656A1 (en) * | 1999-05-14 | 2000-11-23 | Fsi International, Inc. | Apparatus and method for dispensing processing fluid toward a substrate surface |
| US6286525B1 (en) * | 1997-05-08 | 2001-09-11 | Dainippon Screen Mfg. Co. | Substrate cleaning apparatus and method |
| US6405399B1 (en) * | 1999-06-25 | 2002-06-18 | Lam Research Corporation | Method and system of cleaning a wafer after chemical mechanical polishing or plasma processing |
| US6711775B2 (en) * | 1999-06-10 | 2004-03-30 | Lam Research Corporation | System for cleaning a semiconductor wafer |
| KR100417648B1 (ko) * | 1996-12-28 | 2004-04-06 | 주식회사 하이닉스반도체 | 웨이퍼 세정방법 |
| KR100652040B1 (ko) * | 2000-12-29 | 2006-11-30 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유리기판 식각장치 |
| CN1299333C (zh) * | 1996-08-20 | 2007-02-07 | 奥加诺株式会社 | 清洗电子元件或其制造设备的元件的方法和装置 |
| JP2009094534A (ja) * | 2008-12-26 | 2009-04-30 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板周縁部のエッチング処理方法および基板周縁部のエッチング処理装置 |
-
1992
- 1992-10-01 JP JP28926192A patent/JPH06120192A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0708480A1 (en) * | 1994-10-21 | 1996-04-24 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Method of cleaning semiconductor wafers |
| US5626681A (en) * | 1994-10-21 | 1997-05-06 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method of cleaning semiconductor wafers |
| CN1299333C (zh) * | 1996-08-20 | 2007-02-07 | 奥加诺株式会社 | 清洗电子元件或其制造设备的元件的方法和装置 |
| KR100417648B1 (ko) * | 1996-12-28 | 2004-04-06 | 주식회사 하이닉스반도체 | 웨이퍼 세정방법 |
| US6286525B1 (en) * | 1997-05-08 | 2001-09-11 | Dainippon Screen Mfg. Co. | Substrate cleaning apparatus and method |
| US5904164A (en) * | 1997-05-23 | 1999-05-18 | Sez Semiconductor-Equipment Zubehor Fur Die Halbleiterfertigung Ag | Arrangement for treatment of wafer-shaped articles, particularly silicon wafers |
| WO2000070656A1 (en) * | 1999-05-14 | 2000-11-23 | Fsi International, Inc. | Apparatus and method for dispensing processing fluid toward a substrate surface |
| US6274506B1 (en) | 1999-05-14 | 2001-08-14 | Fsi International, Inc. | Apparatus and method for dispensing processing fluid toward a substrate surface |
| US6711775B2 (en) * | 1999-06-10 | 2004-03-30 | Lam Research Corporation | System for cleaning a semiconductor wafer |
| US6405399B1 (en) * | 1999-06-25 | 2002-06-18 | Lam Research Corporation | Method and system of cleaning a wafer after chemical mechanical polishing or plasma processing |
| KR100652040B1 (ko) * | 2000-12-29 | 2006-11-30 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유리기판 식각장치 |
| JP2009094534A (ja) * | 2008-12-26 | 2009-04-30 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板周縁部のエッチング処理方法および基板周縁部のエッチング処理装置 |
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