JPH0611705A - 能動素子基板 - Google Patents
能動素子基板Info
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 能動素子基板に用いられる石英ガラス材料の
高耐熱化及び高純度化を図る。 【構成】 能動素子基板は合成石英ガラス基板１から構
成されている。この合成石英ガラス材料はＮａ及びＡｌ
の不純物金属濃度が低くそれぞれ０．１ppm以下及び１p
pm 以下で高純度であるとともに、ＯＨ基濃度が２００p
pm 以下及びＣｌ基含有量が５０ppm 以下に抑制されて
いるので高信頼性及び高耐熱性を有する。又、熱による
反り変形も少ない。合成石英ガラス基板１の表面にはＴ
ＦＴ６からなる能動素子及び画素電極７が形成されてお
り、アクティブマトリクス型液晶表示装置の駆動基板に
用いられる。この駆動基板と対向基板２との間に液晶層
３が挟持され液晶パネルを構成する。
高耐熱化及び高純度化を図る。 【構成】 能動素子基板は合成石英ガラス基板１から構
成されている。この合成石英ガラス材料はＮａ及びＡｌ
の不純物金属濃度が低くそれぞれ０．１ppm以下及び１p
pm 以下で高純度であるとともに、ＯＨ基濃度が２００p
pm 以下及びＣｌ基含有量が５０ppm 以下に抑制されて
いるので高信頼性及び高耐熱性を有する。又、熱による
反り変形も少ない。合成石英ガラス基板１の表面にはＴ
ＦＴ６からなる能動素子及び画素電極７が形成されてお
り、アクティブマトリクス型液晶表示装置の駆動基板に
用いられる。この駆動基板と対向基板２との間に液晶層
３が挟持され液晶パネルを構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は石英ガラス基板上に能動
素子群が形成された能動素子基板に関し、例えばアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置の駆動に用いられるＴＦ
Ｔ基板が挙げられる。より詳しくは、石英ガラス基板の
組成に関する。
素子群が形成された能動素子基板に関し、例えばアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置の駆動に用いられるＴＦ
Ｔ基板が挙げられる。より詳しくは、石英ガラス基板の
組成に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から能動素子基板は様々なデバイス
の主要構成部品として用いられている。例えば、能動素
子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が集積的に形成さ
れた能動素子基板（ＴＦＴ基板）はアクティブマトリク
ス型液晶表示装置の駆動基板として用いられる。ＴＦＴ
基板を構成する板ガラス材料の品質は表示品位に敏感に
反映し、又素子製造工程に影響を与える。従って、ガラ
ス基板技術の向上が液晶ディスプレイの発展に重要な役
割を果す。そこで、以下にガラス基板に求められている
特性及び品質を簡潔に説明する。
の主要構成部品として用いられている。例えば、能動素
子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が集積的に形成さ
れた能動素子基板（ＴＦＴ基板）はアクティブマトリク
ス型液晶表示装置の駆動基板として用いられる。ＴＦＴ
基板を構成する板ガラス材料の品質は表示品位に敏感に
反映し、又素子製造工程に影響を与える。従って、ガラ
ス基板技術の向上が液晶ディスプレイの発展に重要な役
割を果す。そこで、以下にガラス基板に求められている
特性及び品質を簡潔に説明する。
【０００３】まず第１に基板表面の平坦性が要求され
る。この平坦性を阻害する要因として例えば反りが挙げ
られる。この反りは通常基板内に１回〜２回程度現われ
る凹凸である。この反りがあると液晶表示装置製造工程
中で作業盤上にガラス基板を真空吸着する際に不都合が
生じる。又、ＴＦＴを形成する際微細なパタンを施すフ
ォトリソグラフ工程で不都合が生じる。さらには、完成
品の表示画面全体に渡って大きな色ムラが発生する。
る。この平坦性を阻害する要因として例えば反りが挙げ
られる。この反りは通常基板内に１回〜２回程度現われ
る凹凸である。この反りがあると液晶表示装置製造工程
中で作業盤上にガラス基板を真空吸着する際に不都合が
生じる。又、ＴＦＴを形成する際微細なパタンを施すフ
ォトリソグラフ工程で不都合が生じる。さらには、完成
品の表示画面全体に渡って大きな色ムラが発生する。
【０００４】又ガラス基板には耐熱性が要求される。ガ
ラス基板が耐え得る最高温度は一般に歪点温度で表わさ
れる。この歪点温度は液晶表示装置の製造工程における
最高処理温度以上でなければならない。例えば、ポリシ
リコン薄膜を用いてＴＦＴを作成する場合には半導体製
造プロセスにおける処理温度が１０００℃以上に達す
る。この為、ガラス基板材料は高い耐熱性を必要とし、
この観点から石英ガラスが広く採用されている。例えば
溶融石英ガラスを使用した例が「液晶デバイスハンドブ
ック」（日本学術振興会第１４２委員会編，１９８９年
日刊工業社）第２２２頁に記載されている。
ラス基板が耐え得る最高温度は一般に歪点温度で表わさ
れる。この歪点温度は液晶表示装置の製造工程における
最高処理温度以上でなければならない。例えば、ポリシ
リコン薄膜を用いてＴＦＴを作成する場合には半導体製
造プロセスにおける処理温度が１０００℃以上に達す
る。この為、ガラス基板材料は高い耐熱性を必要とし、
この観点から石英ガラスが広く採用されている。例えば
溶融石英ガラスを使用した例が「液晶デバイスハンドブ
ック」（日本学術振興会第１４２委員会編，１９８９年
日刊工業社）第２２２頁に記載されている。
【０００５】ガラス基板はさらに高純度でなければなら
ない。ガラス基板中の不純物金属成分例えばアルカリ成
分が液晶セル中に溶出すると、液晶の比抵抗が低下して
表示特性が変化する原因となる。又、ＴＦＴを作成する
半導体プロセス中で微量のアルカリが溶出すると、ポリ
シリコン等からなる機能膜の電気特性低下をもたらす惧
れがある。
ない。ガラス基板中の不純物金属成分例えばアルカリ成
分が液晶セル中に溶出すると、液晶の比抵抗が低下して
表示特性が変化する原因となる。又、ＴＦＴを作成する
半導体プロセス中で微量のアルカリが溶出すると、ポリ
シリコン等からなる機能膜の電気特性低下をもたらす惧
れがある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】以上の説明から明らか
な様に、能動素子基板に用いられる板ガラス材料には平
坦度、耐熱性及び純度等に関し高い品質が求められてお
り、これらの観点から石英ガラスが採用されている。石
英ガラスの特性はその製造方法により大きく異なるが、
２種類に大別する事ができる。１つは天然水晶を高温溶
融してインゴット化し得られる溶融石英ガラスである。
他方は、ＳｉＣｌ4 ，Ｈ2 ，Ｏ2 を原料とするＣＶＤ法
に代表される気相法により得られる合成石英ガラスであ
る。
な様に、能動素子基板に用いられる板ガラス材料には平
坦度、耐熱性及び純度等に関し高い品質が求められてお
り、これらの観点から石英ガラスが採用されている。石
英ガラスの特性はその製造方法により大きく異なるが、
２種類に大別する事ができる。１つは天然水晶を高温溶
融してインゴット化し得られる溶融石英ガラスである。
他方は、ＳｉＣｌ4 ，Ｈ2 ，Ｏ2 を原料とするＣＶＤ法
に代表される気相法により得られる合成石英ガラスであ
る。
【０００７】しかしながら、従来の石英ガラスは高純度
且つ高耐熱性を要求される能動素子基板としては必ずし
も満足できるものではない。即ち、溶融石英ガラスは１
０５０℃〜１１００℃の高い歪点温度を有し耐熱性は要
求レベルを満すものの、天然水晶を原料とする為Ｎａ，
Ｋ，Ｌｉ等アルカリ金属不純物やＡｌ等その他の金属不
純物の混入が避けられない。
且つ高耐熱性を要求される能動素子基板としては必ずし
も満足できるものではない。即ち、溶融石英ガラスは１
０５０℃〜１１００℃の高い歪点温度を有し耐熱性は要
求レベルを満すものの、天然水晶を原料とする為Ｎａ，
Ｋ，Ｌｉ等アルカリ金属不純物やＡｌ等その他の金属不
純物の混入が避けられない。
【０００８】一方合成石英ガラスは極めて高純度である
ものの、耐熱性や平坦性という点で課題があり高温処理
を加えると反り変形等が生じる。合成石英ガラスの耐熱
性を改善する為に従来から種々の方策が提案されてい
る。例えば、特開平３−１９３６３７号公報には高純度
合成石英ガラス中にアルミニウムをドーピングする技術
が開示されている。しかしながら、本来純粋なＳｉＯ2
で構成される石英中にあえて異種物質を添加する事は製
造過程を複雑にするばかりでなく、添加物質による副作
用が生じる惧れもある。
ものの、耐熱性や平坦性という点で課題があり高温処理
を加えると反り変形等が生じる。合成石英ガラスの耐熱
性を改善する為に従来から種々の方策が提案されてい
る。例えば、特開平３−１９３６３７号公報には高純度
合成石英ガラス中にアルミニウムをドーピングする技術
が開示されている。しかしながら、本来純粋なＳｉＯ2
で構成される石英中にあえて異種物質を添加する事は製
造過程を複雑にするばかりでなく、添加物質による副作
用が生じる惧れもある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上述した従来の技術の問
題点あるいは課題に鑑み、本発明は耐熱性に優れ且つ高
純度な石英ガラス材料からなる能動素子基板を提供する
事を目的とする。かかる目的を達成する為に、ガラス基
板上に能動素子群が形成された能動素子基板において、
前記ガラス基板をＯＨ基濃度が２００ppm 以下及びＣｌ
基含有量が５０ppm 以下の組成を有する合成石英ガラス
で構成するという手段を講じた。さらにＮａ不純物濃度
を０．１ppm 以下に抑制し且つＡｌ不純物濃度を１ppm
以下に制御して石英ガラスを高純度化するという手段を
講じた。この様なガラス基板を用いれば、能動素子とし
て薄膜トランジスタあるいはＴＦＴを安定的に集積形成
する事ができる。この様にして形成された能動素子基板
あるいはＴＦＴ基板は厚みを１mm以下に薄型化できアク
ティブマトリクス型液晶表示装置の駆動用基板として応
用できる。
題点あるいは課題に鑑み、本発明は耐熱性に優れ且つ高
純度な石英ガラス材料からなる能動素子基板を提供する
事を目的とする。かかる目的を達成する為に、ガラス基
板上に能動素子群が形成された能動素子基板において、
前記ガラス基板をＯＨ基濃度が２００ppm 以下及びＣｌ
基含有量が５０ppm 以下の組成を有する合成石英ガラス
で構成するという手段を講じた。さらにＮａ不純物濃度
を０．１ppm 以下に抑制し且つＡｌ不純物濃度を１ppm
以下に制御して石英ガラスを高純度化するという手段を
講じた。この様なガラス基板を用いれば、能動素子とし
て薄膜トランジスタあるいはＴＦＴを安定的に集積形成
する事ができる。この様にして形成された能動素子基板
あるいはＴＦＴ基板は厚みを１mm以下に薄型化できアク
ティブマトリクス型液晶表示装置の駆動用基板として応
用できる。
【００１０】
【作用】本発明においては、合成石英ガラス中のＣｌ基
含有量が５０ppm 以下に抑制されている。この結果、ガ
ラス基板の耐熱性が著しく改善された。合成石英は例え
ばベルヌーイ法（直接法）により製造される。この場
合、原料として超高純度に精製された原料ＳｉＣｌ4 ，
Ｈ2 ，Ｏ2 が用いられる。原料中に含まれる塩素が残留
しているとＳｉ−Ｏ結合に構造欠陥が生じる。この残留
塩素を５０ppm 以下に抑制する事により構造欠陥が減少
し耐熱性が向上する。
含有量が５０ppm 以下に抑制されている。この結果、ガ
ラス基板の耐熱性が著しく改善された。合成石英は例え
ばベルヌーイ法（直接法）により製造される。この場
合、原料として超高純度に精製された原料ＳｉＣｌ4 ，
Ｈ2 ，Ｏ2 が用いられる。原料中に含まれる塩素が残留
しているとＳｉ−Ｏ結合に構造欠陥が生じる。この残留
塩素を５０ppm 以下に抑制する事により構造欠陥が減少
し耐熱性が向上する。
【００１１】同様の理由により合成石英ガラス中のＯＨ
基濃度は２００ppm 以下に抑制されている。このＯＨ基
は一般に含有水分に起因するものでありこれを極力取り
除く事により、特に熱反り変形を少なくする事ができ
る。
基濃度は２００ppm 以下に抑制されている。このＯＨ基
は一般に含有水分に起因するものでありこれを極力取り
除く事により、特に熱反り変形を少なくする事ができ
る。
【００１２】さらに、上述した製造方法から理解される
様に、合成石英ガラスは高純度に精製された原料ガスの
みを用いて合成されるので、Ｓｉ以外の不純物金属含有
量が極めて低い。特に有害なＮａを０．１ppm 以下の含
有量としＡｌを１ppm 以下の含有量としている。この
為、合成石英ガラス基板上にＴＦＴを形成した場合にも
不純物の悪影響を受ける事がなく、電気特性の安定した
信頼性の高い能動素子基板あるいはＴＦＴ基板が得られ
る。
様に、合成石英ガラスは高純度に精製された原料ガスの
みを用いて合成されるので、Ｓｉ以外の不純物金属含有
量が極めて低い。特に有害なＮａを０．１ppm 以下の含
有量としＡｌを１ppm 以下の含有量としている。この
為、合成石英ガラス基板上にＴＦＴを形成した場合にも
不純物の悪影響を受ける事がなく、電気特性の安定した
信頼性の高い能動素子基板あるいはＴＦＴ基板が得られ
る。
【００１３】
【実施例】以下図面を参照して本発明の好適な実施例を
詳細に説明する。図１はアクティブマトリクス型液晶表
示装置を示す模式的な分解斜視図であって、本発明にか
かる能動素子基板が表示駆動用基板として用いられてい
る例を示している。図示する様に、本装置は合成石英ガ
ラス基板１と対向基板２とを対面配置させ、その間隙に
液晶層３を封入した構成となっている。下側の合成石英
ガラス基板１は好ましくは厚みが１mm以下であるととも
に、ＯＨ基濃度が２００ppm 以下に制御され且つＣｌ基
含有量が５０ppm 以下に抑制されたものである。さらに
Ｎａ不純物濃度が０．１ppm 以下に抑えられ且つＡｌ不
純物濃度が１ppm 以下に抑えられている。この合成石英
ガラス基板１の表面にはマトリクス状に配置されたデー
タ線４と走査線５及びそれらの交点に配置されたＴＦＴ
６と画素電極７が形成されている。従って、合成石英ガ
ラス基板１はＴＦＴ基板を構成し本発明でいうところの
能動素子基板の一例である。個々のＴＦＴ６は走査線５
を介して選択されるとともに、データ線４を介して供給
される画像信号を対応する画素電極７に書き込む。駆動
性能の観点からＴＦＴ６はＮチャネル型が通常用いられ
る。
詳細に説明する。図１はアクティブマトリクス型液晶表
示装置を示す模式的な分解斜視図であって、本発明にか
かる能動素子基板が表示駆動用基板として用いられてい
る例を示している。図示する様に、本装置は合成石英ガ
ラス基板１と対向基板２とを対面配置させ、その間隙に
液晶層３を封入した構成となっている。下側の合成石英
ガラス基板１は好ましくは厚みが１mm以下であるととも
に、ＯＨ基濃度が２００ppm 以下に制御され且つＣｌ基
含有量が５０ppm 以下に抑制されたものである。さらに
Ｎａ不純物濃度が０．１ppm 以下に抑えられ且つＡｌ不
純物濃度が１ppm 以下に抑えられている。この合成石英
ガラス基板１の表面にはマトリクス状に配置されたデー
タ線４と走査線５及びそれらの交点に配置されたＴＦＴ
６と画素電極７が形成されている。従って、合成石英ガ
ラス基板１はＴＦＴ基板を構成し本発明でいうところの
能動素子基板の一例である。個々のＴＦＴ６は走査線５
を介して選択されるとともに、データ線４を介して供給
される画像信号を対応する画素電極７に書き込む。駆動
性能の観点からＴＦＴ６はＮチャネル型が通常用いられ
る。
【００１４】一方、上側の対向基板２の内表面には共通
電極８及びカラーフィルタ膜９が積層されている。この
カラーフィルタ膜９は各画素電極７に対応したＲ
（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）のセグメントを有する。こ
の様にして構成された液晶パネルを２枚の偏光板１０，
１１で挟み、白色光を入射させると透過型のカラー表示
装置となる。
電極８及びカラーフィルタ膜９が積層されている。この
カラーフィルタ膜９は各画素電極７に対応したＲ
（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）のセグメントを有する。こ
の様にして構成された液晶パネルを２枚の偏光板１０，
１１で挟み、白色光を入射させると透過型のカラー表示
装置となる。
【００１５】次に、合成石英ガラス基板１の不純物成分
分析結果を以下の表１に示す。合わせて、比較例として
用いられた溶融石英ガラス基板の不純物成分分析結果も
示す。
分析結果を以下の表１に示す。合わせて、比較例として
用いられた溶融石英ガラス基板の不純物成分分析結果も
示す。
【表１】
【００１６】この分析は、不純物成分Ａｌ，Ｐ，Ｂ，Ｎ
ａ，Ｋ，Ｌｉ，Ｃｌについて測定されたものである。表
１から明らかな様に、合成石英ガラスの不純物含有量は
溶融石英に比べて少ない。特に、ＴＦＴの電気特性及び
信頼性に悪影響を及ぼすアルカリ金属Ｎａとアルミニウ
ムＡｌについては顕著に不純物量が減少している。Ｎａ
原子は特に高温環境下等において拡散移動し石英ガラス
基板中からその表面に形成された半導体薄膜中に侵入す
る。従ってＴＦＴの電気特性に悪影響を与え経時的にリ
ーク電流の増大等を引き起し信頼性の低下をもたらす。
従来１ppm を超えるＮａ不純物濃度を０．１ppm 以下に
制御する事により特に高温環境下における信頼性が向上
する。一方Ａｌ原子も特に高温環境下でシリコン等の半
導体薄膜中に拡散移動する傾向がある。Ａｌ原子は例え
ばシリコン中でアクセプタとして作用しＰ型半導体を作
る為、ＴＦＴの電気特性変動をもたらす。特にＮチャネ
ル型のＴＦＴの場合にはソース／ドレイン領域に含まれ
る正規のドナーが不純物Ａｌのアクセプタにより相殺さ
れ、経時的な劣化の原因となり信頼性を損う。そこで従
来１ppm を超えていたＡｌ不純物濃度を１ppm 以下に抑
える事により特に高温環境下における信頼性が向上す
る。
ａ，Ｋ，Ｌｉ，Ｃｌについて測定されたものである。表
１から明らかな様に、合成石英ガラスの不純物含有量は
溶融石英に比べて少ない。特に、ＴＦＴの電気特性及び
信頼性に悪影響を及ぼすアルカリ金属Ｎａとアルミニウ
ムＡｌについては顕著に不純物量が減少している。Ｎａ
原子は特に高温環境下等において拡散移動し石英ガラス
基板中からその表面に形成された半導体薄膜中に侵入す
る。従ってＴＦＴの電気特性に悪影響を与え経時的にリ
ーク電流の増大等を引き起し信頼性の低下をもたらす。
従来１ppm を超えるＮａ不純物濃度を０．１ppm 以下に
制御する事により特に高温環境下における信頼性が向上
する。一方Ａｌ原子も特に高温環境下でシリコン等の半
導体薄膜中に拡散移動する傾向がある。Ａｌ原子は例え
ばシリコン中でアクセプタとして作用しＰ型半導体を作
る為、ＴＦＴの電気特性変動をもたらす。特にＮチャネ
ル型のＴＦＴの場合にはソース／ドレイン領域に含まれ
る正規のドナーが不純物Ａｌのアクセプタにより相殺さ
れ、経時的な劣化の原因となり信頼性を損う。そこで従
来１ppm を超えていたＡｌ不純物濃度を１ppm 以下に抑
える事により特に高温環境下における信頼性が向上す
る。
【００１７】加えて、塩素Ｃｌについても、溶融石英と
同レベルで含有量が抑制されている。この例では塩素含
有量は１ppm 以下に制御されているが、一般に５０ppm
以下とする事により合成石英ガラスの耐熱性が顕著に改
善できる事が判明した。即ち、石英ガラス中におけるＳ
ｉ−Ｏ結合の構造欠陥の原因となるＣｌを除去する事に
より特に熱変形等を抑制できる。
同レベルで含有量が抑制されている。この例では塩素含
有量は１ppm 以下に制御されているが、一般に５０ppm
以下とする事により合成石英ガラスの耐熱性が顕著に改
善できる事が判明した。即ち、石英ガラス中におけるＳ
ｉ−Ｏ結合の構造欠陥の原因となるＣｌを除去する事に
より特に熱変形等を抑制できる。
【００１８】続いて、合成石英ガラス基板１のＯＨ基濃
度測定結果を以下の表２に示す。合わせて、比較例とし
て用いられた溶融石英ガラス基板のＯＨ基濃度測定結果
を表３に示す。これらの表には他の不純物成分Ａｌ，Ｆ
ｅ，Ｃａ，Ｃｕ，Ｎａについての測定結果も挙げてあ
る。なお、Ａｌ及びＮａについては、表１に示すデータ
と表２及び表３に示すデータとで差があるがサンプル違
い又はロット違いに起因するものと思われる。
度測定結果を以下の表２に示す。合わせて、比較例とし
て用いられた溶融石英ガラス基板のＯＨ基濃度測定結果
を表３に示す。これらの表には他の不純物成分Ａｌ，Ｆ
ｅ，Ｃａ，Ｃｕ，Ｎａについての測定結果も挙げてあ
る。なお、Ａｌ及びＮａについては、表１に示すデータ
と表２及び表３に示すデータとで差があるがサンプル違
い又はロット違いに起因するものと思われる。
【表２】
【表３】
【００１９】表２の測定結果から明らかな様に、合成石
英ガラス基板１のＯＨ基濃度は２００ppm 以下に抑制さ
れている。一方、比較例として用いられた溶融石英ガラ
ス基板のＯＨ基濃度は２００ppm 以上である。溶融石英
ガラスの場合天然水晶を原料としている為ＯＨ基濃度の
制御が困難であるのに対して、合成石英ガラスの場合Ｏ
Ｈ基濃度は合成過程により制御可能であり実際には５０
ppm 程度まで抑制可能である。ＯＨ基濃度を低く抑える
事により、やはり石英ガラス中のＳｉ−Ｏ結合の構造欠
陥が減少し熱変形を防止できる。
英ガラス基板１のＯＨ基濃度は２００ppm 以下に抑制さ
れている。一方、比較例として用いられた溶融石英ガラ
ス基板のＯＨ基濃度は２００ppm 以上である。溶融石英
ガラスの場合天然水晶を原料としている為ＯＨ基濃度の
制御が困難であるのに対して、合成石英ガラスの場合Ｏ
Ｈ基濃度は合成過程により制御可能であり実際には５０
ppm 程度まで抑制可能である。ＯＨ基濃度を低く抑える
事により、やはり石英ガラス中のＳｉ−Ｏ結合の構造欠
陥が減少し熱変形を防止できる。
【００２０】次に、図１に示すアクティブマトリクス型
液晶表示装置の製造方法を説明する。まず、ＴＦＴ基板
を作成する為に、合成石英ガラスからなるウエハを準備
する。当然に、このウエハのＯＨ基濃度は２００ppm 以
下に制御されており且つＣｌ基含有量は５０ppm 以下に
抑制されている。加えてＮａ不純物濃度は０．１ppm以
下であり、Ａｌ不純物濃度は１ppm 以下である。用いる
ウエハのサイズは例えば直径１５０mmで厚みが１mm以下
（例えば０．８mm）である。このウエハは予め精密研磨
されており、反り量は１０μｍ以下に抑えられている。
このウエハの全面に例えばＣＶＤ法を用いてポリシリコ
ン薄膜を堆積する。このポリシリコン薄膜に対して半導
体製造プロセスを適用しＴＦＴ６を集積的に形成する。
合わせて、透明導電薄膜材料をパタニングし画素電極７
を形成する。この後、ウエハ表面に配向処理を施す。最
後に、ウエハを所定の寸法でスクライブし個々のＴＦＴ
基板チップに分離する。
液晶表示装置の製造方法を説明する。まず、ＴＦＴ基板
を作成する為に、合成石英ガラスからなるウエハを準備
する。当然に、このウエハのＯＨ基濃度は２００ppm 以
下に制御されており且つＣｌ基含有量は５０ppm 以下に
抑制されている。加えてＮａ不純物濃度は０．１ppm以
下であり、Ａｌ不純物濃度は１ppm 以下である。用いる
ウエハのサイズは例えば直径１５０mmで厚みが１mm以下
（例えば０．８mm）である。このウエハは予め精密研磨
されており、反り量は１０μｍ以下に抑えられている。
このウエハの全面に例えばＣＶＤ法を用いてポリシリコ
ン薄膜を堆積する。このポリシリコン薄膜に対して半導
体製造プロセスを適用しＴＦＴ６を集積的に形成する。
合わせて、透明導電薄膜材料をパタニングし画素電極７
を形成する。この後、ウエハ表面に配向処理を施す。最
後に、ウエハを所定の寸法でスクライブし個々のＴＦＴ
基板チップに分離する。
【００２１】この様にして得られたＴＦＴ基板チップを
用いてアクティブマトリクス型液晶表示装置を組み立て
る。即ち、合成石英ガラス基板１と、共通電極８及びカ
ラーフィルタ膜９が予め形成された対向基板２とを互い
に張り合わせ、その間隙に液晶層３を充填する。
用いてアクティブマトリクス型液晶表示装置を組み立て
る。即ち、合成石英ガラス基板１と、共通電極８及びカ
ラーフィルタ膜９が予め形成された対向基板２とを互い
に張り合わせ、その間隙に液晶層３を充填する。
【００２２】この様にして製造された液晶表示装置サン
プルの電気特性を測定した。その結果を図２のグラフに
示す。縦軸にＮチャネル型ＴＦＴの閾値電圧Ｖｔｈをと
ってあり、横軸に発明品サンプルロット番号をとってあ
る。各ロットから選択されたサンプルにつきＴＦＴ群の
Ｖｔｈ分布を表わしている。各ロット間平均でＶｔｈは
１．７０Ｖであり、ロット間ばらつきは±０．３３Ｖで
あった。一方、同一チップ内における個々のＴＦＴのＶ
ｔｈのばらつきも比較的少なくトランジスタ素子不良は
発生しなかった。かかるサンプルに対して実際に画像信
号を入力し画面の点欠陥率を測定したところ、約０．０
１％以下の低率であった。
プルの電気特性を測定した。その結果を図２のグラフに
示す。縦軸にＮチャネル型ＴＦＴの閾値電圧Ｖｔｈをと
ってあり、横軸に発明品サンプルロット番号をとってあ
る。各ロットから選択されたサンプルにつきＴＦＴ群の
Ｖｔｈ分布を表わしている。各ロット間平均でＶｔｈは
１．７０Ｖであり、ロット間ばらつきは±０．３３Ｖで
あった。一方、同一チップ内における個々のＴＦＴのＶ
ｔｈのばらつきも比較的少なくトランジスタ素子不良は
発生しなかった。かかるサンプルに対して実際に画像信
号を入力し画面の点欠陥率を測定したところ、約０．０
１％以下の低率であった。
【００２３】一方比較品サンプルについてのＶｔｈ測定
結果を図３に示す。この比較品サンプルを作成するにあ
たって従来の溶融石英ガラス基板を用いた。図２と同様
に、縦軸にＶｔｈをとってあり、横軸に比較品サンプル
ロット番号をとってある。グラフから明らかな様に、Ｖ
ｔｈのロット間ばらつきは±１．１４Ｖであり極めて大
きい。又、同一サンプルチップ内におけるＶｔｈ分布も
大きく広がっており、トランジスタ素子不良が頻発し
た。実際に画像信号を入力したところ、素子不良に起因
する画面の点欠陥率はｌ％以上と高い値であった。
結果を図３に示す。この比較品サンプルを作成するにあ
たって従来の溶融石英ガラス基板を用いた。図２と同様
に、縦軸にＶｔｈをとってあり、横軸に比較品サンプル
ロット番号をとってある。グラフから明らかな様に、Ｖ
ｔｈのロット間ばらつきは±１．１４Ｖであり極めて大
きい。又、同一サンプルチップ内におけるＶｔｈ分布も
大きく広がっており、トランジスタ素子不良が頻発し
た。実際に画像信号を入力したところ、素子不良に起因
する画面の点欠陥率はｌ％以上と高い値であった。
【００２４】次に熱反り変形について評価を行なったの
で以下に説明する。評価にあたって、反り量は触針法で
測定した。その原理を図４に示す。直径１５０mmの合成
石英ウエハ１２の径方向に沿ってプローブを１３０mmの
移動距離でスキャニングした。この時のプローブ高さの
差を反り量とした。ＴＦＴを集積形成する前において、
予め精密研磨されたウエハ１２の反り量は約１０μｍで
あった。一方、ＴＦＴを形成した後には、反り量が約５
０μｍになった。この様に、熱履歴による反り量は比較
的小さく製造工程中のトラブルもなく高い歩留まりでＴ
ＦＴ基板チップを製造する事ができた。
で以下に説明する。評価にあたって、反り量は触針法で
測定した。その原理を図４に示す。直径１５０mmの合成
石英ウエハ１２の径方向に沿ってプローブを１３０mmの
移動距離でスキャニングした。この時のプローブ高さの
差を反り量とした。ＴＦＴを集積形成する前において、
予め精密研磨されたウエハ１２の反り量は約１０μｍで
あった。一方、ＴＦＴを形成した後には、反り量が約５
０μｍになった。この様に、熱履歴による反り量は比較
的小さく製造工程中のトラブルもなく高い歩留まりでＴ
ＦＴ基板チップを製造する事ができた。
【００２５】上記と同様の方法で比較品サンプルに用い
られた溶融石英ウエハの反り量を測定したところ、ＴＦ
Ｔ形成前では約１０μｍであったのに対し、ＴＦＴ形成
後では反り量が約７０μｍに増大していた。この為、製
造中にウエハの搬送トラブルが５０枚に１枚の割合で発
生し、歩留まりを著しく低下させた。特に、反り量が６
０μｍ以上になるとマスクアライメントが困難になる為
フォトリソグラファーでリジェクトされるウエハが多発
する。
られた溶融石英ウエハの反り量を測定したところ、ＴＦ
Ｔ形成前では約１０μｍであったのに対し、ＴＦＴ形成
後では反り量が約７０μｍに増大していた。この為、製
造中にウエハの搬送トラブルが５０枚に１枚の割合で発
生し、歩留まりを著しく低下させた。特に、反り量が６
０μｍ以上になるとマスクアライメントが困難になる為
フォトリソグラファーでリジェクトされるウエハが多発
する。
【００２６】図５は石英ガラス基板中におけるＯＨ基の
濃度と反り量との関係を示すグラフである。このグラフ
から明らかな様に、ＯＨ基の濃度を２００ppm 以下に制
御する事により、ウエハ反り量を６０μｍ以下に抑える
事ができる。合わせて、本発明においては、合成石英ガ
ラスの塩素含有量を低く抑えているので耐熱性があり反
り等の熱変形が生じにくくなっている。この為、従来に
比し石英ガラス基板の厚みを１mm以下に薄型化できる。
濃度と反り量との関係を示すグラフである。このグラフ
から明らかな様に、ＯＨ基の濃度を２００ppm 以下に制
御する事により、ウエハ反り量を６０μｍ以下に抑える
事ができる。合わせて、本発明においては、合成石英ガ
ラスの塩素含有量を低く抑えているので耐熱性があり反
り等の熱変形が生じにくくなっている。この為、従来に
比し石英ガラス基板の厚みを１mm以下に薄型化できる。
【００２７】最後に、発明品サンプル及び従来品サンプ
ルについて高温動作試験を行なって信頼性の評価をし
た。発明品サンプルの液晶表示装置用石英ガラス基板と
しては二種類を用意した。その不純物分析結果を以下の
表４と表５に示す。又、従来品サンプルに用いた石英ガ
ラス基板の不純物分析結果を以下の表６に示す。
ルについて高温動作試験を行なって信頼性の評価をし
た。発明品サンプルの液晶表示装置用石英ガラス基板と
しては二種類を用意した。その不純物分析結果を以下の
表４と表５に示す。又、従来品サンプルに用いた石英ガ
ラス基板の不純物分析結果を以下の表６に示す。
【表４】
【表５】
【表６】
【００２８】高温動作試験の結果を図６，図７及び図８
のグラフに示す。図６は表４の発明品に対応しており、
図７は表５の他の発明品に対応しており、図８は表６の
従来品に対応している。なお試験条件は５０℃の温度で
サンプル数は各試験とも２００個である。図６〜図８の
試験結果から明らかな様に１００時間後の時点で発明品
には故障が発生していないのに対して従来品では５％の
故障率であった。なお、故障の主たる原因は、基板に集
積形成された周辺駆動ＴＦＴの劣化であった。この様に
高温動作寿命が改善されたのは表４〜表６の比較から明
らかな様に、主としてＡｌ不純物及びＮａ不純物を抑制
した為である。
のグラフに示す。図６は表４の発明品に対応しており、
図７は表５の他の発明品に対応しており、図８は表６の
従来品に対応している。なお試験条件は５０℃の温度で
サンプル数は各試験とも２００個である。図６〜図８の
試験結果から明らかな様に１００時間後の時点で発明品
には故障が発生していないのに対して従来品では５％の
故障率であった。なお、故障の主たる原因は、基板に集
積形成された周辺駆動ＴＦＴの劣化であった。この様に
高温動作寿命が改善されたのは表４〜表６の比較から明
らかな様に、主としてＡｌ不純物及びＮａ不純物を抑制
した為である。
【００２９】なお、上述した実施例は、ポリシリコンか
らなる薄膜トランジスタを能動素子として用いたアクテ
ィブマトリクス型の液晶表示装置に関するものであった
が、本発明はこれに限られるものではない。例えば、ア
モルファスシリコンからなる薄膜トランジスタを石英ガ
ラス基板上に形成する場合にも有効である。さらには、
ＭＩＭ方式や単純マトリクス方式等の他の駆動方式を用
いる液晶表示装置の駆動用基板に対しても有効である。
又、上述した実施例では合成石英ガラスが用いられてい
るが、溶融石英ガラスであってもＯＨ，Ｃｌ，Ｎａ及び
Ａｌの含有量が本発明に従って制御されていれば所期の
効果が得られる。
らなる薄膜トランジスタを能動素子として用いたアクテ
ィブマトリクス型の液晶表示装置に関するものであった
が、本発明はこれに限られるものではない。例えば、ア
モルファスシリコンからなる薄膜トランジスタを石英ガ
ラス基板上に形成する場合にも有効である。さらには、
ＭＩＭ方式や単純マトリクス方式等の他の駆動方式を用
いる液晶表示装置の駆動用基板に対しても有効である。
又、上述した実施例では合成石英ガラスが用いられてい
るが、溶融石英ガラスであってもＯＨ，Ｃｌ，Ｎａ及び
Ａｌの含有量が本発明に従って制御されていれば所期の
効果が得られる。
【００３０】
【発明の効果】以上説明した様に、本発明によれば、ガ
ラス基板上に能動素子群が形成された能動素子基板にお
いて、ガラス基板はＯＨ基濃度が２００ppm 以下及びＣ
ｌ基含有量が５０ppm 以下に制御された合成石英ガラス
から構成されている。この為、ガラス基板の耐熱性が著
しく向上するとともに熱による反り変形を抑える事がで
きるという効果がある。加えて、石英ガラス中のＡｌ不
純物濃度を１ppm 以下としＮａ不純物濃度を０．１ppm
以下としたのでその上に形成された能動素子の信頼性及
び電気特性を改善する事ができるという効果がある。こ
の様に、能動素子はガラス基板の影響を全く受けずに済
み、高性能化、高信頼性化及び高収率化が可能になる。
ラス基板上に能動素子群が形成された能動素子基板にお
いて、ガラス基板はＯＨ基濃度が２００ppm 以下及びＣ
ｌ基含有量が５０ppm 以下に制御された合成石英ガラス
から構成されている。この為、ガラス基板の耐熱性が著
しく向上するとともに熱による反り変形を抑える事がで
きるという効果がある。加えて、石英ガラス中のＡｌ不
純物濃度を１ppm 以下としＮａ不純物濃度を０．１ppm
以下としたのでその上に形成された能動素子の信頼性及
び電気特性を改善する事ができるという効果がある。こ
の様に、能動素子はガラス基板の影響を全く受けずに済
み、高性能化、高信頼性化及び高収率化が可能になる。
【図１】本発明にかかる能動素子基板を用いて構成され
た液晶表示装置を示す模式的な分解斜視図である。
た液晶表示装置を示す模式的な分解斜視図である。
【図２】本発明にかかる能動素子基板上に形成されたＴ
ＦＴのＶｔｈ分布を示すグラフである。
ＦＴのＶｔｈ分布を示すグラフである。
【図３】従来の能動素子基板上に形成されたＴＦＴのＶ
ｔｈ分布を示すグラフである。
ｔｈ分布を示すグラフである。
【図４】能動素子基板の作成に用いられるウエハの反り
量測定方法を示す模式図である。
量測定方法を示す模式図である。
【図５】能動素子基板のＯＨ基濃度と基板反り量との関
係を示すグラフである。
係を示すグラフである。
【図６】本発明にかかる液晶表示装置サンプルの高温動
作試験結果を示すグラフである。
作試験結果を示すグラフである。
【図７】同じく本発明にかかる他の液晶表示装置サンプ
ルの高温動作試験結果を示すグラフである。
ルの高温動作試験結果を示すグラフである。
【図８】従来の液晶表示装置サンプルの高温動作試験結
果を示すグラフである。
果を示すグラフである。
１ 合成石英ガラス基板 ２ 対向基板 ３ 液晶層 ６ ＴＦＴ ７ 画素電極 １２ ウエハ
Claims (6)
- 【請求項１】 ガラス基板上に能動素子群が形成された
能動素子基板において、 前記ガラス基板はＯＨ基濃度が２００ppm 以下、及びＣ
ｌ基含有量が５０ppm以下の合成石英ガラスから構成さ
れている事を特徴とする能動素子基板。 - 【請求項２】 前記合成石英ガラスは、Ｎａの不純物濃
度が０．１ppm 以下、及びＡｌの不純物濃度が１ppm 以
下である事を特徴とする請求項１記載の能動素子基板。 - 【請求項３】 前記能動素子が薄膜トランジスタである
事を特徴とする請求項１又は２記載の能動素子基板。 - 【請求項４】 マトリクス状に配置された画素電極を制
御する薄膜トランジスタが形成されたガラス基板と、こ
のガラス基板に対向配置された対向基板と、前記ガラス
基板と対向基板との間に保持された液晶層を備えた液晶
表示装置において、 前記ガラス基板はＯＨ基濃度が２００ppm 以下、及びＣ
ｌ基含有量が５０ppm以下の石英ガラスから構成されて
いる事を特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項５】 前記石英ガラスは、Ｎａの不純物濃度が
０．１ppm 以下、及びＡｌの不純物濃度が１ppm 以下で
ある事を特徴とする請求項４記載の液晶表示装置。 - 【請求項６】 前記ガラス基板の厚みが１mm以下である
事を特徴とする請求項４記載の液晶表示装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18605792A JPH0611705A (ja) | 1992-01-31 | 1992-06-19 | 能動素子基板 |
| US08/009,677 US5349456A (en) | 1992-01-31 | 1993-01-27 | Substrate having an active element array with low hydroxyl and chlorine |
| DE69316244T DE69316244T2 (de) | 1992-01-31 | 1993-01-29 | Substrat mit einer Anordnung aktiver Elemente |
| EP93101403A EP0553847B1 (en) | 1992-01-31 | 1993-01-29 | Substrate having an active element array |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4-42080 | 1992-01-31 | ||
| JP4208092 | 1992-01-31 | ||
| JP18605792A JPH0611705A (ja) | 1992-01-31 | 1992-06-19 | 能動素子基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0611705A true JPH0611705A (ja) | 1994-01-21 |
Family
ID=26381721
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18605792A Pending JPH0611705A (ja) | 1992-01-31 | 1992-06-19 | 能動素子基板 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5349456A (ja) |
| EP (1) | EP0553847B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0611705A (ja) |
| DE (1) | DE69316244T2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5949945A (en) * | 1996-02-27 | 1999-09-07 | Hitachi Cable, Ltd. | Optical waveguide, optical module and optical system using the same |
| JP2018506497A (ja) * | 2015-01-14 | 2018-03-08 | コーニング インコーポレイテッド | ガラス基板およびそれを備えたディスプレイ装置 |
| JP2018207097A (ja) * | 2017-06-02 | 2018-12-27 | 信越化学工業株式会社 | 半導体用基板およびその製造方法 |
| KR20200009420A (ko) | 2018-07-19 | 2020-01-30 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 반도체용 기판 및 그의 제조 방법 |
| TWI744539B (zh) * | 2018-07-12 | 2021-11-01 | 日商信越化學工業股份有限公司 | 半導體用基板及其製造方法 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR0165695B1 (ko) * | 1991-06-29 | 1998-12-15 | 아이하라 테루히코 | 엑시머레이저용 합성석영유리 광학부재 및 그의 제조방법 |
| DE4420024C2 (de) * | 1994-06-09 | 1996-05-30 | Heraeus Quarzglas | Halbzeug in Form eines Verbundkörpers für ein elektronisches oder opto-elektronisches Halbleiterbauelement |
| US5707908A (en) * | 1995-01-06 | 1998-01-13 | Nikon Corporation | Silica glass |
| US6518210B1 (en) * | 1995-01-06 | 2003-02-11 | Nikon Corporation | Exposure apparatus including silica glass and method for producing silica glass |
| US6087283A (en) * | 1995-01-06 | 2000-07-11 | Nikon Corporation | Silica glass for photolithography |
| JP3219674B2 (ja) * | 1995-03-09 | 2001-10-15 | キヤノン株式会社 | 液晶表示装置 |
| GB2331985B (en) * | 1997-12-03 | 2001-11-21 | Tosoh Corp | High purity transparent silica glass and process for producing same |
| US8455554B2 (en) * | 2006-06-12 | 2013-06-04 | Captigel Ab | Metal oxide hydrogels and hydrosols, their preparation and use |
| JP6672805B2 (ja) * | 2016-01-12 | 2020-03-25 | セイコーエプソン株式会社 | 波長可変干渉フィルター、電子部品、電子部品の製造方法、および電子機器 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2206493C3 (de) * | 1972-02-11 | 1975-01-30 | Heraeus-Schott Quarzschmelze Gmbh, 6450 Hanau | Mehrschichtiger Quarzglaskörper für die Verwendung in der Festkörpertechnologie |
| JPS565339A (en) * | 1979-06-26 | 1981-01-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Manufacture of high purity quartz glass |
| JPS6038343B2 (ja) * | 1981-03-06 | 1985-08-31 | 信越化学工業株式会社 | 石英ガラスの製造方法 |
| JPS57160123A (en) * | 1981-03-30 | 1982-10-02 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
| US5135603A (en) * | 1982-03-11 | 1992-08-04 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Quartz crystal growth |
| US5043772A (en) * | 1985-05-07 | 1991-08-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor photo-electrically-sensitive device |
| US4501993A (en) * | 1982-10-06 | 1985-02-26 | Fusion Systems Corporation | Deep UV lamp bulb |
| DE3302745A1 (de) * | 1983-01-27 | 1984-08-02 | Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen | Verfahren zur herstellung von gegenstaenden aus hochreinem synthetischem quarzglas |
| DE3304721A1 (de) * | 1983-02-11 | 1984-08-16 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Verfahren zur herstellung einer vorform fuer lichtwellenleiter |
| JPS61102628A (ja) * | 1984-10-25 | 1986-05-21 | Sony Corp | 液晶表示装置 |
| JPH0643246B2 (ja) * | 1985-10-08 | 1994-06-08 | 川鉄鉱業株式会社 | シリカの高純度化方法 |
| JPS62229873A (ja) * | 1986-03-29 | 1987-10-08 | Hitachi Ltd | 薄膜半導体装置の製造方法 |
| JPH0791084B2 (ja) * | 1988-09-14 | 1995-10-04 | 信越化学工業株式会社 | 耐紫外線用合成石英ガラスおよびその製造方法 |
| US5141786A (en) * | 1989-02-28 | 1992-08-25 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Synthetic silica glass articles and a method for manufacturing them |
| EP0432831A3 (en) * | 1989-12-08 | 1991-07-24 | N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken | Double cell liquid crystal display with composite structure and display device incorporating same |
| US5152819A (en) * | 1990-08-16 | 1992-10-06 | Corning Incorporated | Method of making fused silica |
-
1992
- 1992-06-19 JP JP18605792A patent/JPH0611705A/ja active Pending
-
1993
- 1993-01-27 US US08/009,677 patent/US5349456A/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-01-29 EP EP93101403A patent/EP0553847B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-01-29 DE DE69316244T patent/DE69316244T2/de not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5949945A (en) * | 1996-02-27 | 1999-09-07 | Hitachi Cable, Ltd. | Optical waveguide, optical module and optical system using the same |
| JP2018506497A (ja) * | 2015-01-14 | 2018-03-08 | コーニング インコーポレイテッド | ガラス基板およびそれを備えたディスプレイ装置 |
| JP2018207097A (ja) * | 2017-06-02 | 2018-12-27 | 信越化学工業株式会社 | 半導体用基板およびその製造方法 |
| TWI744539B (zh) * | 2018-07-12 | 2021-11-01 | 日商信越化學工業股份有限公司 | 半導體用基板及其製造方法 |
| KR20200009420A (ko) | 2018-07-19 | 2020-01-30 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 반도체용 기판 및 그의 제조 방법 |
| KR20220030233A (ko) | 2018-07-19 | 2022-03-10 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 반도체용 기판 및 그의 제조 방법 |
Also Published As
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| DE69316244T2 (de) | 1998-09-24 |
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