JPH0590427A - 半導体集積回路装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 導電体層と絶縁層からなる多層配線を有する
電子回路装置において、他の層の配線同志が交差するこ
とによって生ずる配線間容量を低減する。 【構成】 電源用上層アルミ配線７ａの絶縁層１２を介
して入力信号用下層アルミ配線１０と交差する部分にス
リット１４を設ける。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は半導体集積回路装置に
関し、特にアルミなどの導電体層と絶縁層による多層配
線を有する電子回路装置の多層配線技術に関するもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】図４は従来の２層アルミ配線を用いた半
導体集積回路装置（以下、ＩＣと称す）を示す平面図で
ある。図において、１はＩＣチップ、２は該ＩＣ１内
の、電子素子により実際に動作する回路が形成されてい
る回路部、３は電源電位を外部より供給するための上層
のアルミで形成された電源パッド、４は接地電位を外部
より供給するための上層アルミで形成された接地パッ
ド、５は外部より回路部２へ信号を供給するための上層
アルミで形成された入力信号パッド、６は回路部２の出
力信号を外部へ取り出すための上層アルミで形成された
出力信号パッドである。

【０００３】また７は上記電源パッド３の電位を回路部
２へ供給するための電源用アルミ配線であり、７ａは電
源用上層アルミ配線、７ｂは電源用下層アルミ配線を示
す。８は上記接地パッド４の電位を回路部２へ供給する
ための接地用アルミ配線であり、８ａは接地用上層アル
ミ配線、８ｂは下層アルミ配線を示す。また９は上層ア
ルミと下層アルミとを接続するためのスルーホールであ
る。１０は入力信号パッド５より入力された電気信号を
回路部２へ伝送するための入力信号用下層アルミ配線、
１１は回路部２の出力信号を出力信号パッド６へ伝送す
るための出力信号用下層アルミ配線である。

【０００４】図５は図４の２層アルミ配線を用いた半導
体集積回路装置の一点鎖線で囲まれたＤで示す部分の拡
大図であり、図６は図５のＥ−Ｆ線での切断面図であ
る。図６において、１３はウェハ基板であり、１２はウ
ェハ基板１３の上方に形成される各アルミ配線を絶縁す
るため、酸化物により形成された絶縁層である。

【０００５】次に動作について説明する。入力信号パッ
ド５より入力された信号は、入力信号用下層アルミ配線
１０を通じて回路部２へ伝送される。内部回路部２には
電源パッド３，接地パッド４よりそれぞれ電源用アルミ
配線７，接地用アルミ配線８を通じて電位が供給されて
おり、ある所定の処理を実行した後、出力信号が出力信
号用下層アルミ配線１１を介して出力信号パッド６に出
力される。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】従来の半導体集積回路
装置は以上のように構成されているので、安定した電源
電位，接地電位を供給するには電源用，接地用のアルミ
配線をそれぞれ太くすることが必要であるが、このよう
に配線が太くなると他層の配線と交差する部分において
線間容量が増加して入出力容量が大きくなり、伝送信号
が遅延するなどの問題点があった。

【０００７】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、安定した電源電位，接地電位を
供給できるとともに、信号配線の入出力容量を低減する
ことができる半導体集積回路装置を得ることを目的とす
る。

【０００８】

【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体集
積回路装置は、それぞれ相異なる層を用いて形成された
上層配線層と下層配線層が絶縁層を介して交差する部分
において、上記上層配線層と下層配線層の少なくとも一
方の配線層にスリットを設けたものである。

【０００９】

【作用】この発明においては、それぞれ相異なる層を用
いて形成された上層配線層と下層配線層が絶縁層を介し
て交差する部分において、少なくとも一方の配線層にス
リットを設けたから、配線が交差する部分において対向
する配線の面積が小さくなり、配線間の容量が低減され
る。

【００１０】

【実施例】以下、この発明の一実施例による半導体集積
回路装置を図１について説明する。図１において、図４
と同一符号は同一または相当部分を示し、一点鎖線で囲
まれたＡで示す部分において、図２に示すように、入力
信号用下層アルミ配線１０と交差する電源用上層アルミ
配線７ａの所定部分に複数のスリット１４が形成されて
いる。また図３は図２のＢ−Ｃ線における断面図であ
り、電源用上層アルミ配線７ａに設けられたスリット１
４内は絶縁層１２で充填されている。

【００１１】動作については従来と同様であるため、こ
こでは省略し、以下、作用効果について説明する。以上
のように電源用上層アルミ配線７ａの、入力信号用下層
アルミ配線１０と交差する部分において複数スリット１
４を設けるようにしたから、該部分において配線の実効
幅が小さくなり、すなわち交差部における入力信号用下
層アルミ配線１０に対向する電源用上層アルミ配線７ａ
の面積が小さくなるため、線間容量が低減され、配線の
入出力容量が小さくなり、その結果、信号を高速に伝送
することができる。

【００１２】なお、上記実施例ではスリット１４を設け
る場所として、入力信号用下層アルミ配線１０と電源用
上層アルミ配線７ａが交差する部分を例として挙げた
が、スリット１４が設けられる場所はこの部分に限定さ
れるものではなく、例えば出力信号用下層アルミ配線１
１と交差する接地用上層アルミ配線８ａの部分に設けて
もよく、要するに、異なる配線層を用いて形成された配
線同志が交差する部分にスリット１４を形成すればよ
い。

【００１３】また、上記実施例では、２層アルミ配線の
うち上層の配線のみにスリットを設けたが、スリットは
下層の配線側に設けてもよく、あるいは両方の配線にス
リットを設けてもよい。

【００１４】さらに上記実施例では２層配線の場合につ
いて説明したが、配線層は３層，４層…とさらに多くて
もよいことは言うまでもない。

【００１５】

【発明の効果】以上のように、この発明に係る半導体集
積回路装置によれば、それぞれ相異なる層を用いて形成
された上層配線層と下層配線層が絶縁層を介して交差す
る部分において、少なくとも一方の配線層にスリットを
設けたから、配線が交差する部分において対向する配線
の面積が小さくなり、配線間容量を低減することがで
き、その結果、信号を高速に伝送することができるとい
う効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施例による２層アルミ配線を用
いた半導体集積回路装置を示す平面図である。

【図２】図１の一点鎖線Ａで示す部分の拡大図である。

【図３】図２のＢ−Ｃ線における断面図である。

【図４】従来の２層アルミ配線を用いた半導体集積回路
装置を示す平面図である。

【図５】図４の一点鎖線Ｄで示す部分の拡大平面図であ
る。

【図６】図５のＥ−Ｆ線における断面図である。

【符号の説明】

１ ＩＣチップ ２ 回路部 ３ 電源パッド ４ 接地パッド ５ 入力信号パッド ６ 出力信号パッド ７ 電源用アルミ配線 ８ 接地用アルミ配線 ９ スルーホール １０ 入力信号用下層アルミ配線 １１ 出力信号用下層アルミ配線 １２ 絶縁層 １３ ウェハ基板 １４ スリット

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁層を介して複数の配線層が形成され
   てなる多層配線構造を有する半導体集積回路装置におい
   て、 それぞれ異なる導電体層を用いて形成された上層配線層
   及び下層配線層が上記絶縁層を介して交差する部分にお
   いて、上記上層配線層または下層配線層の少なくとも一
   方の配線層にスリットが設けられていることを特徴とす
   る半導体集積回路装置。