JPH0575354A - アバランシエフオトダイオードのバイアス回路 - Google Patents
アバランシエフオトダイオードのバイアス回路Info
- Publication number
- JPH0575354A JPH0575354A JP3237743A JP23774391A JPH0575354A JP H0575354 A JPH0575354 A JP H0575354A JP 3237743 A JP3237743 A JP 3237743A JP 23774391 A JP23774391 A JP 23774391A JP H0575354 A JPH0575354 A JP H0575354A
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- JP
- Japan
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- avalanche photodiode
- voltage
- temperature
- circuit
- bias
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】アバランシェフォトダイオードのバイアス回路
でバイアス電圧の温度特性をアバランシェフォトダイオ
ードの温度特性と精度良く一致させ、温度に対して感度
劣化の少ない光受信器を構成する。 【構成】第一の演算増幅器５の入力に温度センサＩＣ１
と定電圧回路２を接続し、入力抵抗３、帰還抵抗４の値
を調整することにより出力電圧にアバランシェフォトダ
イオード９と同じ温度特性を持たせる。この出力電圧を
基にして同じ温度特性を持つバイアス電圧を発生させ
る。 【効果】アバランシェフォトダイオードと同じ温度特性
をバイアス回路に持たせることで、アバランシェフォト
ダイオードの増倍率を温度によらず一定に制御し、光受
信器の温度劣化を少なくする。
でバイアス電圧の温度特性をアバランシェフォトダイオ
ードの温度特性と精度良く一致させ、温度に対して感度
劣化の少ない光受信器を構成する。 【構成】第一の演算増幅器５の入力に温度センサＩＣ１
と定電圧回路２を接続し、入力抵抗３、帰還抵抗４の値
を調整することにより出力電圧にアバランシェフォトダ
イオード９と同じ温度特性を持たせる。この出力電圧を
基にして同じ温度特性を持つバイアス電圧を発生させ
る。 【効果】アバランシェフォトダイオードと同じ温度特性
をバイアス回路に持たせることで、アバランシェフォト
ダイオードの増倍率を温度によらず一定に制御し、光受
信器の温度劣化を少なくする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、アバランシェフォトダ
イオードのバイアス回路に係り、そのバイアス電圧の温
度特性をアバランシェフォトダイオードの温度特性と一
致させることにより、周囲温度の変化に対しアバランシ
ェフォトダイオードの増倍率を一定に制御し、アバラン
シェフォトダイオードを用いた光受信器の温度劣化を減
少させる回路に関する。
イオードのバイアス回路に係り、そのバイアス電圧の温
度特性をアバランシェフォトダイオードの温度特性と一
致させることにより、周囲温度の変化に対しアバランシ
ェフォトダイオードの増倍率を一定に制御し、アバラン
シェフォトダイオードを用いた光受信器の温度劣化を減
少させる回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来例としては、実願昭６１−７４５７
９号公報に、感温抵抗を用いて、アバランシェフォトダ
イオードの温度補償を行う方法がある。
９号公報に、感温抵抗を用いて、アバランシェフォトダ
イオードの温度補償を行う方法がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来技術は、
感温抵抗と固定抵抗を直列に接続し、感温抵抗の両端の
電圧を基準としてバイアス電圧を決めるため、リニアな
感温抵抗を用いるとこの基準となる電圧はリニアになる
とは限らない。また、感温抵抗の温度特性には10％程度
のばらつきがあるため、バイアス電圧に誤差を生じ易い
という欠点もある。そのため、さらに広範囲な（例えば
-40℃〜+80℃）温度に対し誤差を少なく制御することが
難しい。
感温抵抗と固定抵抗を直列に接続し、感温抵抗の両端の
電圧を基準としてバイアス電圧を決めるため、リニアな
感温抵抗を用いるとこの基準となる電圧はリニアになる
とは限らない。また、感温抵抗の温度特性には10％程度
のばらつきがあるため、バイアス電圧に誤差を生じ易い
という欠点もある。そのため、さらに広範囲な（例えば
-40℃〜+80℃）温度に対し誤差を少なく制御することが
難しい。
【０００４】本発明の目的は、広い温度範囲でもリニア
であり、精度良く温度特性を設定できるアバランシェフ
ォトダイオードのバイアス回路を提供することにある。
であり、精度良く温度特性を設定できるアバランシェフ
ォトダイオードのバイアス回路を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は温度に対してリニアであり、製造偏差の少
ない温度センサＩＣを用いることにより、誤差を少なく
アバランシェフォトダイオードのバイアス電圧を制御す
るバイアス回路を特徴とする。
め、本発明は温度に対してリニアであり、製造偏差の少
ない温度センサＩＣを用いることにより、誤差を少なく
アバランシェフォトダイオードのバイアス電圧を制御す
るバイアス回路を特徴とする。
【０００６】
【作用】温度センサＩＣと、定電圧回路の出力をそれぞ
れ演算増幅器に入力し、その演算増幅器の利得を変化さ
せることにより、任意の温度特性を持つ基準電圧を作る
ことができる。この温度特性をアバランシェフォトダイ
オードの温度特性に一致させることによりバイアス回路
の出力電圧も、アバランシェフォトダイオードの温度特
性と一致させることができる。これにより、アバランシ
ェフォトダイオードの増倍率は温度によらず一定とな
り、光受信器の感度劣化を少なくすることができる。
れ演算増幅器に入力し、その演算増幅器の利得を変化さ
せることにより、任意の温度特性を持つ基準電圧を作る
ことができる。この温度特性をアバランシェフォトダイ
オードの温度特性に一致させることによりバイアス回路
の出力電圧も、アバランシェフォトダイオードの温度特
性と一致させることができる。これにより、アバランシ
ェフォトダイオードの増倍率は温度によらず一定とな
り、光受信器の感度劣化を少なくすることができる。
【０００７】
【実施例】図１に本発明の一実施例を示す。図１の第一
の演算増幅器５は、基準電圧Ｖref を発生させる。第一
の演算増幅器５の非反転入力には、定電圧回路２が接続
される。また、反転入力には、温度センサＩＣ１の出力
が入力抵抗３を通して接続され、さらに出力端子との間
に帰還抵抗４が接続されている。第二の演算増幅器６は
基準電圧Ｖref とアバランシェフォトダイオード９のバ
イアス電圧をモニタする分圧抵抗８の出力から制御電圧
を発生する。高電圧発生回路７は第二の演算増幅器６か
らの制御電圧により高電圧を発生し、負荷抵抗１０を接
続したアバランシェフォトダイオード９をバイアスして
いる。
の演算増幅器５は、基準電圧Ｖref を発生させる。第一
の演算増幅器５の非反転入力には、定電圧回路２が接続
される。また、反転入力には、温度センサＩＣ１の出力
が入力抵抗３を通して接続され、さらに出力端子との間
に帰還抵抗４が接続されている。第二の演算増幅器６は
基準電圧Ｖref とアバランシェフォトダイオード９のバ
イアス電圧をモニタする分圧抵抗８の出力から制御電圧
を発生する。高電圧発生回路７は第二の演算増幅器６か
らの制御電圧により高電圧を発生し、負荷抵抗１０を接
続したアバランシェフォトダイオード９をバイアスして
いる。
【０００８】例えば、実施例に用いた温度センサＩＣ１
（出力電圧Ｖt ）は約-8mV／℃の負の温度特性を持ち、
アバランシェフォトダイオード９の温度特性に一致する
ように入力抵抗３（抵抗値Ｒ1 ）及び帰還抵抗４（抵抗
値Ｒ2 ）を選ぶと、第一の演算増幅器５の出力である基
準電圧Ｖref は次式で表される。
（出力電圧Ｖt ）は約-8mV／℃の負の温度特性を持ち、
アバランシェフォトダイオード９の温度特性に一致する
ように入力抵抗３（抵抗値Ｒ1 ）及び帰還抵抗４（抵抗
値Ｒ2 ）を選ぶと、第一の演算増幅器５の出力である基
準電圧Ｖref は次式で表される。
【０００９】
【数１】
【００１０】ここでＶc は定電圧回路の出力電圧であ
る。
る。
【００１１】また、Ｖrefの温度特性ΔＶrefは温度セン
サＩＣの温度による電圧変化をΔＶt として次式で表さ
れる。
サＩＣの温度による電圧変化をΔＶt として次式で表さ
れる。
【００１２】
【数２】
【００１３】第二の演算増幅器６の利得を大きくとり、
基準電圧Ｖref と分圧抵抗９からの出力電圧が等しくな
るように動作させれば、基準電圧とバイアス電圧の温度
特性は等しくなる。従って、アバランシェフォトダイオ
ードの増倍率を一定にするにはアバランシェフォトダイ
オードと基準電圧の温度特性を一致させれば良いことに
なる。
基準電圧Ｖref と分圧抵抗９からの出力電圧が等しくな
るように動作させれば、基準電圧とバイアス電圧の温度
特性は等しくなる。従って、アバランシェフォトダイオ
ードの増倍率を一定にするにはアバランシェフォトダイ
オードと基準電圧の温度特性を一致させれば良いことに
なる。
【００１４】例えば、周囲温度25℃で、アバランシェフ
ォトダイオードの温度特性を1400ppm/℃、温度センサＩ
Ｃの出力電圧を1.8V、温度特性-8mV／℃、定電圧回路の
出力電圧2.5V、Ｒ1 を100kΩとすれば、式（２）を計算
することによりＲ2 が 50kΩと得られる。
ォトダイオードの温度特性を1400ppm/℃、温度センサＩ
Ｃの出力電圧を1.8V、温度特性-8mV／℃、定電圧回路の
出力電圧2.5V、Ｒ1 を100kΩとすれば、式（２）を計算
することによりＲ2 が 50kΩと得られる。
【００１５】
【発明の効果】本発明によれば、アバランシェフォトダ
イオードのバイアス回路において、温度センサＩＣを用
いて温度制御を行うことにより、バイアス回路の温度特
性をアバランシェフォトダイオードの温度特性に精度良
く一致させることができる。これにより、アバランシェ
フォトダイオードの増倍率は温度によらず一定となり、
光受信器の感度劣化が少なくなる。
イオードのバイアス回路において、温度センサＩＣを用
いて温度制御を行うことにより、バイアス回路の温度特
性をアバランシェフォトダイオードの温度特性に精度良
く一致させることができる。これにより、アバランシェ
フォトダイオードの増倍率は温度によらず一定となり、
光受信器の感度劣化が少なくなる。
【図１】本発明の一実施例を示す回路図、
【図２】従来例を示す回路図。
１…温度センサＩＣ、 ２…定電圧回路、 ３…入力抵抗、 ４…帰還抵抗、 ５…第一の演算増幅器、 ６…第二の演算増幅器、 ７…高電圧発生回路、 ８…分圧抵抗、 ９…アバランシェフォトダイオード、 １０…負荷抵抗。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 31/107 8422−4Ｍ Ｈ０１Ｌ 31/10 Ｂ
Claims (1)
- 【請求項１】アバランシェフォトダイオードと、前記ア
バランシェフォトダイオードにバイアス電圧を与える高
電圧発生回路と、前記バイアス電圧をモニタするための
分圧抵抗と、基準電圧回路と前記分圧抵抗の分圧出力を
比較して前記高電圧発生回路を制御する演算増幅器から
なるアバランシェフォトダイオードのバイアス回路にお
いて、前記基準電圧回路に温度センサＩＣを用い、前記
バイアス電圧を前記アバランシェフォトダイオードの温
度特性と一致させることを特徴とするアバランシェフォ
トダイオードのバイアス回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3237743A JPH0575354A (ja) | 1991-09-18 | 1991-09-18 | アバランシエフオトダイオードのバイアス回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3237743A JPH0575354A (ja) | 1991-09-18 | 1991-09-18 | アバランシエフオトダイオードのバイアス回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0575354A true JPH0575354A (ja) | 1993-03-26 |
Family
ID=17019816
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3237743A Pending JPH0575354A (ja) | 1991-09-18 | 1991-09-18 | アバランシエフオトダイオードのバイアス回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0575354A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006303524A (ja) * | 2006-06-08 | 2006-11-02 | Oki Comtec Ltd | アバランシェフォトダイオード用バイアス電圧制御回路およびその調整方法 |
| JP2020150002A (ja) * | 2019-03-11 | 2020-09-17 | 株式会社リコー | 受光回路、及びａｐｄアレイ装置 |
-
1991
- 1991-09-18 JP JP3237743A patent/JPH0575354A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006303524A (ja) * | 2006-06-08 | 2006-11-02 | Oki Comtec Ltd | アバランシェフォトダイオード用バイアス電圧制御回路およびその調整方法 |
| JP2020150002A (ja) * | 2019-03-11 | 2020-09-17 | 株式会社リコー | 受光回路、及びａｐｄアレイ装置 |
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