JPH0575163A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0575163A JPH0575163A JP3261414A JP26141491A JPH0575163A JP H0575163 A JPH0575163 A JP H0575163A JP 3261414 A JP3261414 A JP 3261414A JP 26141491 A JP26141491 A JP 26141491A JP H0575163 A JPH0575163 A JP H0575163A
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- JP
- Japan
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- substrate
- nucleus
- crystal
- forming
- nucleation
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 基体上に島状に形成した半導体単結晶に電極
配線を行う場合の断線による歩留り低下を減少させる。 【構成】 核形成密度の小さい非核形成面と、非核形成
面に隣接して配され、単一核のみより結晶成長するに充
分小さい面積であって非核形成面の核形成密度より大き
い核形成密度であり、且つ非単結晶材料で形成されてい
る核形成面とを有する基体に結晶形成処理を施して、核
形成面上の単一核より核形成面をこえて非核形成面上へ
延びている半導体結晶を成長させ、半導体結晶上に絶縁
膜を形成し、その上に配線電極１４を形成した後、配線
電極１４上にのみ選択的に金属膜１６を形成する。
配線を行う場合の断線による歩留り低下を減少させる。 【構成】 核形成密度の小さい非核形成面と、非核形成
面に隣接して配され、単一核のみより結晶成長するに充
分小さい面積であって非核形成面の核形成密度より大き
い核形成密度であり、且つ非単結晶材料で形成されてい
る核形成面とを有する基体に結晶形成処理を施して、核
形成面上の単一核より核形成面をこえて非核形成面上へ
延びている半導体結晶を成長させ、半導体結晶上に絶縁
膜を形成し、その上に配線電極１４を形成した後、配線
電極１４上にのみ選択的に金属膜１６を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に係り、特に非晶質基体上に島状に形成した単結晶及び
多結晶の半導体素子の配線に好ましく適用できる半導体
装置の製造方法に関する。
に係り、特に非晶質基体上に島状に形成した単結晶及び
多結晶の半導体素子の配線に好ましく適用できる半導体
装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体電子素子や光素子等に用い
られる単結晶薄膜は、単結晶基体上にエピタキシャル成
長させることで形成されていた。例えば、Ｓｉ単結晶基
板（シリコンウエハ）上には、Ｓｉ，Ｇｅ，ＧａＡｓ等
を液相、気相または固相からエピタキシャル成長するこ
とが知られており、またＧａＡｓ単結晶基板上にはＧａ
Ａｓ，ＧａＡｌＡｓ等の単結晶がエピタキシャル成長す
ることが知られている。このようにして形成された半導
体薄膜を用いて、半導体素子および集積回路、半導体レ
ーザやＬＥＤ等の発光素子等が作製される。
られる単結晶薄膜は、単結晶基体上にエピタキシャル成
長させることで形成されていた。例えば、Ｓｉ単結晶基
板（シリコンウエハ）上には、Ｓｉ，Ｇｅ，ＧａＡｓ等
を液相、気相または固相からエピタキシャル成長するこ
とが知られており、またＧａＡｓ単結晶基板上にはＧａ
Ａｓ，ＧａＡｌＡｓ等の単結晶がエピタキシャル成長す
ることが知られている。このようにして形成された半導
体薄膜を用いて、半導体素子および集積回路、半導体レ
ーザやＬＥＤ等の発光素子等が作製される。
【０００３】また、最近、二次元電子ガスを用いた超高
速トランジスタや、量子井戸を利用した超格子素子等の
研究開発が盛んであるが、これらを可能にしたのは、例
えば超高真空を用いたＭＢＥ（分子線エピタキシー）や
ＭＯＣＶＤ（有機金属化学気相法）等の高精度エピタキ
シャル技術である。
速トランジスタや、量子井戸を利用した超格子素子等の
研究開発が盛んであるが、これらを可能にしたのは、例
えば超高真空を用いたＭＢＥ（分子線エピタキシー）や
ＭＯＣＶＤ（有機金属化学気相法）等の高精度エピタキ
シャル技術である。
【０００４】このような単結晶基板上のエピタキシャル
成長では、基板の単結晶材料とエピタキシャル成長層と
の間に、格子定数と熱膨張係数とを整合をとる必要があ
る。この整合が不十分であると格子欠陥がエピタキシャ
ル層に発達する。また基板を構成する元素がエピタキシ
ャル層に拡散することもある。
成長では、基板の単結晶材料とエピタキシャル成長層と
の間に、格子定数と熱膨張係数とを整合をとる必要があ
る。この整合が不十分であると格子欠陥がエピタキシャ
ル層に発達する。また基板を構成する元素がエピタキシ
ャル層に拡散することもある。
【０００５】このように、エピタキシャル成長による従
来の単結晶薄膜の形成方法は、その基板材料に大きく依
存することが分る。Ｍａｔｈｅｗｓ等は、基板材料とエ
ピタキシャル成長層との組合わせを調べている（ＥＰＩ
ＴＡＸＩＡＬ ＧＲＯＷＴＨ．Ａｃａｄｅｍｉｃ Ｐｒ
ｅｓｓ．Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ．１９７５ ｅｄ．ｂｙＪ．
Ｗ．Ｍａｔｈｅｗｓ）。
来の単結晶薄膜の形成方法は、その基板材料に大きく依
存することが分る。Ｍａｔｈｅｗｓ等は、基板材料とエ
ピタキシャル成長層との組合わせを調べている（ＥＰＩ
ＴＡＸＩＡＬ ＧＲＯＷＴＨ．Ａｃａｄｅｍｉｃ Ｐｒ
ｅｓｓ．Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ．１９７５ ｅｄ．ｂｙＪ．
Ｗ．Ｍａｔｈｅｗｓ）。
【０００６】また、基板の大きさは、現在Ｓｉウエハで
６インチ程度であり、ＧａＡｓ．サファイア基板の大型
化は更に遅れている。加えて、単結晶基板は製造コスト
が高いために、チップ当りのコストが高くなる。
６インチ程度であり、ＧａＡｓ．サファイア基板の大型
化は更に遅れている。加えて、単結晶基板は製造コスト
が高いために、チップ当りのコストが高くなる。
【０００７】このように、従来の方法によって、良質な
素子が作製可能な単結晶層を形成するには、基板材料の
種類が極めて狭い範囲に限定されるという問題点を有し
ていた。
素子が作製可能な単結晶層を形成するには、基板材料の
種類が極めて狭い範囲に限定されるという問題点を有し
ていた。
【０００８】一方、半導体素子を基板の法線方向に積層
形成し、高集積化および多機能化を速成する三次元集積
回路の研究開発が近年盛んに行われており、また安価な
ガラス上に素子をアレー状に配列する太陽電池や液晶画
素のスイッチングトランジスタ等の大面積半導体装置の
研究開発も年々盛んになりつつある。
形成し、高集積化および多機能化を速成する三次元集積
回路の研究開発が近年盛んに行われており、また安価な
ガラス上に素子をアレー状に配列する太陽電池や液晶画
素のスイッチングトランジスタ等の大面積半導体装置の
研究開発も年々盛んになりつつある。
【０００９】これら両者に共通することは、半導体薄膜
を非晶質絶縁物基体上に形成し、該半導体薄膜にトラン
ジスタ等の電子素子を形成する技術を必要とすることで
ある。その中でも特に、非晶質絶縁物基体上に高品質の
単結晶半導体層を形成する技術が望まれていた。
を非晶質絶縁物基体上に形成し、該半導体薄膜にトラン
ジスタ等の電子素子を形成する技術を必要とすることで
ある。その中でも特に、非晶質絶縁物基体上に高品質の
単結晶半導体層を形成する技術が望まれていた。
【００１０】そこで本発明者らは、この非晶質基板上へ
単結晶を成長する技術として選択核形成法（特開昭６３
−２３７５１７号公報，特開昭６４−７２３号公報，特
開昭６４−７４０号公報）などを提案した。ここで選択
核形成法とは、非晶質あるいは多結晶である核形成密度
の小さい非核形成面と、単一核のみより結晶成長するに
充分小さい面積を有し、該非核形成面の核形成密度より
大きい核形成密度を有する非晶質あるいは多結晶である
核形成面とを隣接して配された自由表面を有する基板
に、結晶成長処理を施して該単一核より単結晶を成長さ
せるものである。
単結晶を成長する技術として選択核形成法（特開昭６３
−２３７５１７号公報，特開昭６４−７２３号公報，特
開昭６４−７４０号公報）などを提案した。ここで選択
核形成法とは、非晶質あるいは多結晶である核形成密度
の小さい非核形成面と、単一核のみより結晶成長するに
充分小さい面積を有し、該非核形成面の核形成密度より
大きい核形成密度を有する非晶質あるいは多結晶である
核形成面とを隣接して配された自由表面を有する基板
に、結晶成長処理を施して該単一核より単結晶を成長さ
せるものである。
【００１１】そして、この選択核形成法を用いた半導体
素子として発光素子（特開昭６３−２３９９８８号公
報，特開平１−５１６７７号公報）、太陽電池（特開平
１−５１６７１号公報）などを提案した。以下、上記選
択核形成法を用いた半導体装置（発光素子）の製造工程
について簡単に説明する。
素子として発光素子（特開昭６３−２３９９８８号公
報，特開平１−５１６７７号公報）、太陽電池（特開平
１−５１６７１号公報）などを提案した。以下、上記選
択核形成法を用いた半導体装置（発光素子）の製造工程
について簡単に説明する。
【００１２】図４１〜図４３は上記選択核形成法を用い
た発光素子の製造工程を示す概略的工程図である。
た発光素子の製造工程を示す概略的工程図である。
【００１３】まず、図４１に示すように非核形成面とな
る薄膜が堆積された基体２０２上に核形成面となる微細
な薄膜を形成し、この薄膜に結晶成長処理を施して単一
核を生成し、この単一核を中心として一導電型の単結晶
２０１を成長させ、この上に反対導電型の単結晶２００
を形成する。図中、Ｘは一導電型の単結晶２０１に反対
導電型の単結晶２００を形成した一つの領域を示す。
る薄膜が堆積された基体２０２上に核形成面となる微細
な薄膜を形成し、この薄膜に結晶成長処理を施して単一
核を生成し、この単一核を中心として一導電型の単結晶
２０１を成長させ、この上に反対導電型の単結晶２００
を形成する。図中、Ｘは一導電型の単結晶２０１に反対
導電型の単結晶２００を形成した一つの領域を示す。
【００１４】次に図４２に示すように、平坦化処理を施
して単結晶２０１及び単結晶２００の一部を削除し、さ
らに図４３に示すように、絶縁膜２０５を形成した後、
配線電極２０４を形成する。なお、図４２，図４３にお
いては簡易化のため図４１のＸ領域のみ図示している。
して単結晶２０１及び単結晶２００の一部を削除し、さ
らに図４３に示すように、絶縁膜２０５を形成した後、
配線電極２０４を形成する。なお、図４２，図４３にお
いては簡易化のため図４１のＸ領域のみ図示している。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の半導体装置
の製造方法では基体上の半導体単結晶２０１及び半導体
単結晶２００が図４１に示すように島状に成長するた
め、図４２に示すように、平坦化後でも、単結晶２００
と基体２０２の接する部分２０３に影になり易い部分が
生じてしまう。
の製造方法では基体上の半導体単結晶２０１及び半導体
単結晶２００が図４１に示すように島状に成長するた
め、図４２に示すように、平坦化後でも、単結晶２００
と基体２０２の接する部分２０３に影になり易い部分が
生じてしまう。
【００１６】従来からよく用いられている蒸着やスパッ
ターによって配線電極２０４を形成すると単結晶２００
と基体２０２の接する部分２０３の上では領域２０６に
示したように配線電極２０４が薄くなり断線が生じ易く
なる。これがデバイス作製時の歩留り低下の原因となっ
ていた。
ターによって配線電極２０４を形成すると単結晶２００
と基体２０２の接する部分２０３の上では領域２０６に
示したように配線電極２０４が薄くなり断線が生じ易く
なる。これがデバイス作製時の歩留り低下の原因となっ
ていた。
【００１７】よって本発明の目的は上述の点に鑑み、結
晶島の接合部を断線なく配線できる半導体装置の製造方
法を提供することにある。
晶島の接合部を断線なく配線できる半導体装置の製造方
法を提供することにある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】かかる目的を達成するた
めに本発明に係る半導体装置の製造方法は、核形成密度
の小さい非核形成面と、該非核形成面に隣接して配さ
れ、単一核のみより結晶成長するに充分小さい面積であ
って前記非核形成面の核形成密度より大きい核形成密度
であり、且つ非単結晶材料で形成されている核形成面と
を有する基体に結晶形成処理を施して、前記核形成面上
の単一核より前記核形成面をこえて前記非核形成面上へ
延びている半導体結晶を成長させ、この半導体結晶上に
絶縁膜を形成し、その上に配線電極を形成した後、該配
線電極上にのみ選択的に金属膜を形成したことを特徴と
する。
めに本発明に係る半導体装置の製造方法は、核形成密度
の小さい非核形成面と、該非核形成面に隣接して配さ
れ、単一核のみより結晶成長するに充分小さい面積であ
って前記非核形成面の核形成密度より大きい核形成密度
であり、且つ非単結晶材料で形成されている核形成面と
を有する基体に結晶形成処理を施して、前記核形成面上
の単一核より前記核形成面をこえて前記非核形成面上へ
延びている半導体結晶を成長させ、この半導体結晶上に
絶縁膜を形成し、その上に配線電極を形成した後、該配
線電極上にのみ選択的に金属膜を形成したことを特徴と
する。
【００１９】なお、上記配線電極の材料として主にＡｌ
が用いられ、これらの形成はＡｌ膜を試料全面に堆積さ
せその後エッチングを行ない所望のパターンに加工する
方法が用いられる。
が用いられ、これらの形成はＡｌ膜を試料全面に堆積さ
せその後エッチングを行ない所望のパターンに加工する
方法が用いられる。
【００２０】本発明におけるＡｌ膜の堆積法は、ＭＯＣ
ＶＤ（Ｍｅｔａｌ ＯｒｇａｎｉｃＣＶＤ，有機金属Ｃ
ＶＤ，）法を用いることが望ましい。
ＶＤ（Ｍｅｔａｌ ＯｒｇａｎｉｃＣＶＤ，有機金属Ｃ
ＶＤ，）法を用いることが望ましい。
【００２１】ＭＯＣＶＤ法によるＡｌ膜の形成方法とし
ては有機アルミニウムをキャリアガスに分散して加熱基
板上へ輸送し、基板上でガス分子を熱分解して膜形成す
るという方法が使われる。
ては有機アルミニウムをキャリアガスに分散して加熱基
板上へ輸送し、基板上でガス分子を熱分解して膜形成す
るという方法が使われる。
【００２２】本発明において、有機金属アルミニウムに
よるＭＯＣＶＤ法を用いるのが望ましいのは、ＭＯＣＶ
Ｄ法は基体表面での表面反応により膜が成長するために
表面の段差部などの凹凸に対する表面被覆性が良く、こ
のため本発明において生ずる半導体結晶と基体との段差
部での断線などを避けることができるからである。ま
た、プラズマＣＶＤ法やスパッタ法のような荷電粒子損
傷がないからである。
よるＭＯＣＶＤ法を用いるのが望ましいのは、ＭＯＣＶ
Ｄ法は基体表面での表面反応により膜が成長するために
表面の段差部などの凹凸に対する表面被覆性が良く、こ
のため本発明において生ずる半導体結晶と基体との段差
部での断線などを避けることができるからである。ま
た、プラズマＣＶＤ法やスパッタ法のような荷電粒子損
傷がないからである。
【００２３】ＭＯＣＶＤ法を用いてＡｌ膜を堆積する方
法としては、例えばＪｏｕｒｎａｌｏｆ Ｅｌｅｃｔｒ
ｏｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ第１３１巻第２１
７５頁（１９８４年）に見られる例では有機アルミニウ
ムガスとしてトリイソブチルアルミニウム｛（ｉ−Ｃ4
Ｈ9 ）3 Ａｌ｝（ＴＩＢＡ）を用い、成膜温度２６０
℃、反応管圧力０．５Ｔｏｒｒで成膜し、３．４μΩ・
ｃｍの膜を形成している。
法としては、例えばＪｏｕｒｎａｌｏｆ Ｅｌｅｃｔｒ
ｏｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ第１３１巻第２１
７５頁（１９８４年）に見られる例では有機アルミニウ
ムガスとしてトリイソブチルアルミニウム｛（ｉ−Ｃ4
Ｈ9 ）3 Ａｌ｝（ＴＩＢＡ）を用い、成膜温度２６０
℃、反応管圧力０．５Ｔｏｒｒで成膜し、３．４μΩ・
ｃｍの膜を形成している。
【００２４】ＴＩＢＡを用いる場合は、成膜前にＴｉＣ
ｌ4 を流し、基板表面を活性化し、核を形成するなどの
前処理をしないと連続な膜が得られない。また、ＴｉＣ
ｌ4を用いた場合も含め、一般にＴＩＢＡを用いた場合
には表面平坦性が悪いという欠点がある。特開昭６３−
３３５６９号公報には、ＴｉＣｌ4 を用いず、その代り
に有機アルミニウムを基板近傍において加熱することに
より膜形成する方法が記載されている。この場合には基
板表面の自然酸化膜を除去する工程が必要であると明記
されている。ＴＩＢＡは単独で使用することが可能なの
でＴＩＢＡ以外のキャリアガスを使う必要はないがＡｒ
ガスをキャリアガスとして用いてもよいと記載されてい
る。しかしＴＩＢＡと他のガス（例えばＨ2 ）との反応
は全く想定しておらず、水素をキャリアガスとして使う
という記載もない。またＴＩＢＡ以外にトリメチルアル
ミニウム（ＴＭＡ）をあげているが、それ以外のガスの
具体的記載はない。これは一般に有機金属の化学的性質
は金属元素に付いている有機置換基が少し変化すると大
きく変るので、どのような有機金属を使用すべきかは個
々に検討する必要があるからである。
ｌ4 を流し、基板表面を活性化し、核を形成するなどの
前処理をしないと連続な膜が得られない。また、ＴｉＣ
ｌ4を用いた場合も含め、一般にＴＩＢＡを用いた場合
には表面平坦性が悪いという欠点がある。特開昭６３−
３３５６９号公報には、ＴｉＣｌ4 を用いず、その代り
に有機アルミニウムを基板近傍において加熱することに
より膜形成する方法が記載されている。この場合には基
板表面の自然酸化膜を除去する工程が必要であると明記
されている。ＴＩＢＡは単独で使用することが可能なの
でＴＩＢＡ以外のキャリアガスを使う必要はないがＡｒ
ガスをキャリアガスとして用いてもよいと記載されてい
る。しかしＴＩＢＡと他のガス（例えばＨ2 ）との反応
は全く想定しておらず、水素をキャリアガスとして使う
という記載もない。またＴＩＢＡ以外にトリメチルアル
ミニウム（ＴＭＡ）をあげているが、それ以外のガスの
具体的記載はない。これは一般に有機金属の化学的性質
は金属元素に付いている有機置換基が少し変化すると大
きく変るので、どのような有機金属を使用すべきかは個
々に検討する必要があるからである。
【００２５】Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃ
ｉｅｔｙ日本支部第２回シンポジウム（１９８９年７月
７日）予稿集第７５ページにはダブルウォールＣＶＤ法
によるＡｌの成膜に関する記載がある。この方法ではＴ
ＩＢＡを使用しガス温度を基板温度よりも高くなるよう
に装置を設計する。この方法ではガス温度と基体表面温
度との差を制御するのが困難であるだけでなく、ボンベ
と配管を加熱しなければならないという欠点がある。し
かもこの方法では膜をある程度厚くしないと均一な連続
膜にならない、膜の平坦性が悪い、選択性が長時間維持
できないなどの問題点がある。
ｉｅｔｙ日本支部第２回シンポジウム（１９８９年７月
７日）予稿集第７５ページにはダブルウォールＣＶＤ法
によるＡｌの成膜に関する記載がある。この方法ではＴ
ＩＢＡを使用しガス温度を基板温度よりも高くなるよう
に装置を設計する。この方法ではガス温度と基体表面温
度との差を制御するのが困難であるだけでなく、ボンベ
と配管を加熱しなければならないという欠点がある。し
かもこの方法では膜をある程度厚くしないと均一な連続
膜にならない、膜の平坦性が悪い、選択性が長時間維持
できないなどの問題点がある。
【００２６】上記ＴＩＢＡよりも膜の平坦性、選択性等
に優れ、本発明に好適に用いられる有機金属アルミニウ
ムとしては、ジメチルアルミニウムハイドライド、ジエ
チルアルミニウムハイドライド、モノメチルアルミニウ
ムハイドライド等がある。
に優れ、本発明に好適に用いられる有機金属アルミニウ
ムとしては、ジメチルアルミニウムハイドライド、ジエ
チルアルミニウムハイドライド、モノメチルアルミニウ
ムハイドライド等がある。
【００２７】次に、本発明の実施態様例を図面により説
明する。図１〜図１０は本発明の半導体装置の製造方法
による発光素子の概略的工程図である。
明する。図１〜図１０は本発明の半導体装置の製造方法
による発光素子の概略的工程図である。
【００２８】図１に示すように、下地材料１（たとえば
Ａｌ2 Ｏ3 ，ＡｌＮ，ＢＮなどのセラミック、石英，高
融点ガラスやＷ，Ｍｏなどの高融点金属）上に核形成密
度の低い材料からなる薄膜２（例えば非晶質、多結晶質
等の非単結晶質のＳｉＯ2 ，Ｓｉ3 Ｎ4 など）を堆積し
非核形成面３とする。この薄膜の形成にはＣＶＤ法、ス
パッター法、蒸着法、分散媒を使った塗布法などの方法
を用いる。また、図１１のように下地材料１を用いず前
記核形成密度の低い材料からなる支持体５を用いてもよ
い。
Ａｌ2 Ｏ3 ，ＡｌＮ，ＢＮなどのセラミック、石英，高
融点ガラスやＷ，Ｍｏなどの高融点金属）上に核形成密
度の低い材料からなる薄膜２（例えば非晶質、多結晶質
等の非単結晶質のＳｉＯ2 ，Ｓｉ3 Ｎ4 など）を堆積し
非核形成面３とする。この薄膜の形成にはＣＶＤ法、ス
パッター法、蒸着法、分散媒を使った塗布法などの方法
を用いる。また、図１１のように下地材料１を用いず前
記核形成密度の低い材料からなる支持体５を用いてもよ
い。
【００２９】次に図２に示すように、非核形成面３より
核形成密度の高い材料（非単結晶質のＡｌ2 Ｏ3 ，Ａｌ
Ｎ，Ｔａ2 Ｏ5 ，ＴｉＯ2 ，ＷＯ3 など）を結晶成長し
て単結晶となる核を唯一形成され得るに十分な程小さい
面積（好ましくは１０μｍ四方以下、最適には２μｍ四
方以下）を形成し核形成面４とする。また、このように
薄膜を微細にパターニングする他、図１２のように下地
に核形成密度の高い材料からなる薄膜６を堆積し、その
上に核形成密度の低い材料からなる薄膜２を積み重ね非
核形成面３とし、エッチングにより微細な窓を開けて核
形成面４を露出させてもよく、図１３のように核形成密
度の低い材料からなる薄膜２に凹部を形成し、その凹部
の底面に微細な窓を開けて核形成面４を露出させてもよ
い（この場合前記凹部内に結晶を形成させる）。さら
に、図１４，図１５のように微細な領域を残し他をレジ
スト７でカバーし、イオン（Ａｓ，Ｐ，Ｇａ，Ａｌ，Ｉ
ｎなど）を核形成密度の低い材料からなる薄膜２に打込
んで、核形成密度の高いイオン打込領域８を形成しても
よい。
核形成密度の高い材料（非単結晶質のＡｌ2 Ｏ3 ，Ａｌ
Ｎ，Ｔａ2 Ｏ5 ，ＴｉＯ2 ，ＷＯ3 など）を結晶成長し
て単結晶となる核を唯一形成され得るに十分な程小さい
面積（好ましくは１０μｍ四方以下、最適には２μｍ四
方以下）を形成し核形成面４とする。また、このように
薄膜を微細にパターニングする他、図１２のように下地
に核形成密度の高い材料からなる薄膜６を堆積し、その
上に核形成密度の低い材料からなる薄膜２を積み重ね非
核形成面３とし、エッチングにより微細な窓を開けて核
形成面４を露出させてもよく、図１３のように核形成密
度の低い材料からなる薄膜２に凹部を形成し、その凹部
の底面に微細な窓を開けて核形成面４を露出させてもよ
い（この場合前記凹部内に結晶を形成させる）。さら
に、図１４，図１５のように微細な領域を残し他をレジ
スト７でカバーし、イオン（Ａｓ，Ｐ，Ｇａ，Ａｌ，Ｉ
ｎなど）を核形成密度の低い材料からなる薄膜２に打込
んで、核形成密度の高いイオン打込領域８を形成しても
よい。
【００３０】次に、図３に示すように、こうして得られ
た基板上に、ＭＯＣＶＤ法によって化合物半導体の結晶
を成長する。
た基板上に、ＭＯＣＶＤ法によって化合物半導体の結晶
を成長する。
【００３１】図１６に用いたＭＯＣＶＤ装置の概略図を
示す。ここに示したのは横型の減圧ＭＯＣＶＤ装置であ
るが、これは基板を垂直に保持する縦型またはそれ以外
の型式でもかまわない。チャンバー３０７は水冷ジャケ
ットを持った石英製で、内部は結晶成長以外の時はター
ボ分子ポンプ３１５によって１０-6ｔｏｒｒ程度に排気
されている。基板ホルダー３０８はカーボン製でチャン
バー外部に設けた高周波コイル（図示せず）からパワー
を受けて９００℃まで加熱できる。また基板温度はホル
ダー３０８内の熱電対３１０によって測定され、高周波
パワーにフィードバックされてコントロール可能になっ
ている。
示す。ここに示したのは横型の減圧ＭＯＣＶＤ装置であ
るが、これは基板を垂直に保持する縦型またはそれ以外
の型式でもかまわない。チャンバー３０７は水冷ジャケ
ットを持った石英製で、内部は結晶成長以外の時はター
ボ分子ポンプ３１５によって１０-6ｔｏｒｒ程度に排気
されている。基板ホルダー３０８はカーボン製でチャン
バー外部に設けた高周波コイル（図示せず）からパワー
を受けて９００℃まで加熱できる。また基板温度はホル
ダー３０８内の熱電対３１０によって測定され、高周波
パワーにフィードバックされてコントロール可能になっ
ている。
【００３２】原料用ガスはチャンバー３０７の左端から
導入される。トリメチルガリム、トリメチルアルミニウ
ム、ジエチルセレン、ジエチルジンクなどの液体原料は
バブラー３０４〜３０６に詰められ、恒温槽（図示せ
ず）によって所定の温度に保たれている。これをマスフ
ロウコントローラ（ＭＦＣ）で制御された水素ガスによ
ってバブリングして蒸気としてチャンバー３０７内へ輸
送する。
導入される。トリメチルガリム、トリメチルアルミニウ
ム、ジエチルセレン、ジエチルジンクなどの液体原料は
バブラー３０４〜３０６に詰められ、恒温槽（図示せ
ず）によって所定の温度に保たれている。これをマスフ
ロウコントローラ（ＭＦＣ）で制御された水素ガスによ
ってバブリングして蒸気としてチャンバー３０７内へ輸
送する。
【００３３】アルシン３０１のような気体原料はＭＦＣ
を通して直接チャンバー３０７へ運ばれる。またエッチ
ングガスとして用いるＨＣｌ３０３は原料ガスとは別の
系統の配管を通してチャンバー内へ導入される。チャン
バー３０７内へ導入されたガスは基板３０９の付近を通
って、ロータリーポンプ３１１によって排気される。こ
の時前述のターボ分子ポンプはバルブ３１４によって系
から分離されている。また反応圧力はコンダクタンス可
変バルブ３１２によって制御される。
を通して直接チャンバー３０７へ運ばれる。またエッチ
ングガスとして用いるＨＣｌ３０３は原料ガスとは別の
系統の配管を通してチャンバー内へ導入される。チャン
バー３０７内へ導入されたガスは基板３０９の付近を通
って、ロータリーポンプ３１１によって排気される。こ
の時前述のターボ分子ポンプはバルブ３１４によって系
から分離されている。また反応圧力はコンダクタンス可
変バルブ３１２によって制御される。
【００３４】上述した減圧ＭＯＣＶＤ装置によって基板
上に化合物半導体（例えばＧａＡｓ，ＧａＡｌＡｓ，Ｇ
ａＰ，ＧａＡｓＰ，ＩｎＰ，ＧａＩｎＡｓＰなどのIII
−Ｖ族、ＺｎＳｅ，ＺｎＳ，ＺｎＴｅ，ＣｄＳｅ，Ｃｄ
Ｓ，ＣｄＴｅ，ＨｇＴｅ，ＨｇＣｄＴｅなどのII−IV
族）の結晶核９を発生させる。この時の基板温度はIII
−Ｖ族化合物の場合、好ましくは５５０〜８５０℃、よ
り好ましくは６００〜８００℃、最適には６５０〜７５
０℃であり、反応圧力は好ましくは１００ｔｏｒｒ以
下、より好ましくは５０ｔｏｒｒ以下、最適には２０ｔ
ｏｒｒ以下である。
上に化合物半導体（例えばＧａＡｓ，ＧａＡｌＡｓ，Ｇ
ａＰ，ＧａＡｓＰ，ＩｎＰ，ＧａＩｎＡｓＰなどのIII
−Ｖ族、ＺｎＳｅ，ＺｎＳ，ＺｎＴｅ，ＣｄＳｅ，Ｃｄ
Ｓ，ＣｄＴｅ，ＨｇＴｅ，ＨｇＣｄＴｅなどのII−IV
族）の結晶核９を発生させる。この時の基板温度はIII
−Ｖ族化合物の場合、好ましくは５５０〜８５０℃、よ
り好ましくは６００〜８００℃、最適には６５０〜７５
０℃であり、反応圧力は好ましくは１００ｔｏｒｒ以
下、より好ましくは５０ｔｏｒｒ以下、最適には２０ｔ
ｏｒｒ以下である。
【００３５】また、Ｖ族／III 族の供給モル比は好まし
くは１０〜１２０、より好ましくは３０〜８０、最適に
は５０〜７０である。
くは１０〜１２０、より好ましくは３０〜８０、最適に
は５０〜７０である。
【００３６】またII−VI族化合物の場合、この時の基板
温度は好ましくは２５０〜６００℃、より好ましくは３
００〜５５０℃、最適には３５０〜５００℃であり、反
応圧力は好ましくは８０ｔｏｒｒ以下、より好ましくは
３０ｔｏｒｒ以下、最適には１５ｔｏｒｒ以下である。
またVI族／II族の供給モル比は好ましくは１０〜１０
０、より好ましくは２０〜８０、最適には３０〜６０で
ある。ここで本発明のＭＯＣＶＤ法に用いる原料ガスに
ついて述べておく、III 族原料としては、Ａｌ（ＣＨ
3 ）3 ，Ａｌ（Ｃ2 Ｈ3 ）3 ，Ａｌ（ｉ−Ｃ4Ｈ9 ）
3 ，Ｇａ（ＣＨ3 ）3，Ｇａ（Ｃ2 Ｈ5 ）3 ，Ｉｎ（Ｃ2
Ｈ5 ）3 ，Ｉｎ（Ｃ3 Ｈ7 ）3 ，Ｉｎ（Ｃ4Ｈ9 ）3 ，
Ｖ族原料としては、ＮＨ3 ，Ｎ2 ，ＰＨ3 ，ＴＢＰ，Ａ
ｓＨ3 ，ＴＢＡ，Ｓｂ（ＣＨ3 ）3 ，Ｓｂ（Ｃ3 Ｈ7 ）
3 ，Ｓｂ（Ｃ4 Ｈ9 ）3、II族原料としては、Ｚｎ（Ｃ
Ｈ3 ）2 ，Ｚｎ（Ｃ2 Ｈ5 ）2 ，Ｃｄ（ＣＨ3 ）2 ，Ｃ
ｄ（Ｃ2 Ｈ5 ）2 ，Ｈｇ（ＣＨ3 ）2 ，Ｈｇ（Ｃ2 Ｈ
5 ）2 、VI族原料としては、Ｈ2Ｓ，Ｈ2 Ｓｅ，Ｓｅ
（ＣＨ3 ）2 ，Ｓｅ（Ｃ2 Ｈ5 ）2 ，Ｔｅ（ＣＨ3 ）
2 ，Ｔｅ（Ｃ2 Ｈ5 ）2 、ドーピングガスとしては、II
I −Ｖ族化合物には、II又はVI族の有機金属、II−VI族
化合物には、III 又はＶ族の有機金属、ＳｉＨ4 やＣＨ
4 ，Ｓｎ（ＣＨ3 ）4 ，Ｓｎ（Ｃ2 Ｈ5 ）4 ，Ｓｎ（Ｃ
3 Ｈ7 ）4 などのIV族も用いることが出来る。
温度は好ましくは２５０〜６００℃、より好ましくは３
００〜５５０℃、最適には３５０〜５００℃であり、反
応圧力は好ましくは８０ｔｏｒｒ以下、より好ましくは
３０ｔｏｒｒ以下、最適には１５ｔｏｒｒ以下である。
またVI族／II族の供給モル比は好ましくは１０〜１０
０、より好ましくは２０〜８０、最適には３０〜６０で
ある。ここで本発明のＭＯＣＶＤ法に用いる原料ガスに
ついて述べておく、III 族原料としては、Ａｌ（ＣＨ
3 ）3 ，Ａｌ（Ｃ2 Ｈ3 ）3 ，Ａｌ（ｉ−Ｃ4Ｈ9 ）
3 ，Ｇａ（ＣＨ3 ）3，Ｇａ（Ｃ2 Ｈ5 ）3 ，Ｉｎ（Ｃ2
Ｈ5 ）3 ，Ｉｎ（Ｃ3 Ｈ7 ）3 ，Ｉｎ（Ｃ4Ｈ9 ）3 ，
Ｖ族原料としては、ＮＨ3 ，Ｎ2 ，ＰＨ3 ，ＴＢＰ，Ａ
ｓＨ3 ，ＴＢＡ，Ｓｂ（ＣＨ3 ）3 ，Ｓｂ（Ｃ3 Ｈ7 ）
3 ，Ｓｂ（Ｃ4 Ｈ9 ）3、II族原料としては、Ｚｎ（Ｃ
Ｈ3 ）2 ，Ｚｎ（Ｃ2 Ｈ5 ）2 ，Ｃｄ（ＣＨ3 ）2 ，Ｃ
ｄ（Ｃ2 Ｈ5 ）2 ，Ｈｇ（ＣＨ3 ）2 ，Ｈｇ（Ｃ2 Ｈ
5 ）2 、VI族原料としては、Ｈ2Ｓ，Ｈ2 Ｓｅ，Ｓｅ
（ＣＨ3 ）2 ，Ｓｅ（Ｃ2 Ｈ5 ）2 ，Ｔｅ（ＣＨ3 ）
2 ，Ｔｅ（Ｃ2 Ｈ5 ）2 、ドーピングガスとしては、II
I −Ｖ族化合物には、II又はVI族の有機金属、II−VI族
化合物には、III 又はＶ族の有機金属、ＳｉＨ4 やＣＨ
4 ，Ｓｎ（ＣＨ3 ）4 ，Ｓｎ（Ｃ2 Ｈ5 ）4 ，Ｓｎ（Ｃ
3 Ｈ7 ）4 などのIV族も用いることが出来る。
【００３７】図４，図５に示すように、所定のドーピン
グガスを添加することによってｎ型（又はＰ型）の結晶
１０を所望の大きさまで成長させる。
グガスを添加することによってｎ型（又はＰ型）の結晶
１０を所望の大きさまで成長させる。
【００３８】次に図６に示すように、ドーピングガスを
切り替えて反対導電型の結晶となるＰ型（又はｎ型）の
結晶１１を積層させる。図６においてＸは結晶１０に結
晶１１を積層した一つの領域を示す。なお、図７〜図１
０においては簡易化のため一つの領域Ｘのみ図示してい
る。
切り替えて反対導電型の結晶となるＰ型（又はｎ型）の
結晶１１を積層させる。図６においてＸは結晶１０に結
晶１１を積層した一つの領域を示す。なお、図７〜図１
０においては簡易化のため一つの領域Ｘのみ図示してい
る。
【００３９】次に図７に示すように、成長した島状の結
晶を機械的研磨により平坦化した。
晶を機械的研磨により平坦化した。
【００４０】次に、図８に示すように、この上に絶縁膜
１２（例えば、ＳｉＯ2 ，ＳｉＮｘ，Ｔａ2 Ｏ5 など）
を堆積し、レジストでパターニングした後でエッチング
しコンタクトホール１３を形成する。
１２（例えば、ＳｉＯ2 ，ＳｉＮｘ，Ｔａ2 Ｏ5 など）
を堆積し、レジストでパターニングした後でエッチング
しコンタクトホール１３を形成する。
【００４１】次に図９に示すように、レジストでネガの
電極パターンを作った後で、金属を加熱蒸着法又はスパ
ッター法を用いて堆積し、溶剤で溶かし、不要な部分を
リフトオフして配線電極１４を形成した。
電極パターンを作った後で、金属を加熱蒸着法又はスパ
ッター法を用いて堆積し、溶剤で溶かし、不要な部分を
リフトオフして配線電極１４を形成した。
【００４２】この時結晶島の影になるため金属の膜厚が
極端に薄くなる部分１５が生じる。ここで断線の確率が
高くなっている。
極端に薄くなる部分１５が生じる。ここで断線の確率が
高くなっている。
【００４３】次に図１０に示すように、前述したものと
同様の図１６に示したＭＯＣＶＤ装置を用いて、Ａｌの
選択堆積を行う。原料に用いるのはＡｌの有機金属で、
例えばジメチルアルミニウムハイドライド、ジエチルア
ルミニウムハイドライド、モノメチルアルミニウムハイ
ドライドなどが挙げられる。このＡｌの有機金属原料
は、ステンレスバブラー３０４〜３０６に詰められ、恒
温槽（図示せず）によって所定の温度に保たれている。
これをマスフローコントローラー（ＭＦＣ）で制御され
た水素ガスによってバブリングして蒸気としてチャンバ
ーへ輸送する。
同様の図１６に示したＭＯＣＶＤ装置を用いて、Ａｌの
選択堆積を行う。原料に用いるのはＡｌの有機金属で、
例えばジメチルアルミニウムハイドライド、ジエチルア
ルミニウムハイドライド、モノメチルアルミニウムハイ
ドライドなどが挙げられる。このＡｌの有機金属原料
は、ステンレスバブラー３０４〜３０６に詰められ、恒
温槽（図示せず）によって所定の温度に保たれている。
これをマスフローコントローラー（ＭＦＣ）で制御され
た水素ガスによってバブリングして蒸気としてチャンバ
ーへ輸送する。
【００４４】この時の堆積条件は、基板温度かつ好まし
くは１８０〜４５０℃、より好ましくは２００〜４５０
℃、最適には２７０〜３５０℃で行ない、圧力は好まし
くは１×１０-3〜１００Ｔｏｒｒ、より好ましくは１×
１０-3〜１０Ｔｏｒｒ、最適には１×１０-3〜１Ｔｏｒ
ｒであり、ＤＭＡＨ分圧は反応容器内圧力の好ましくは
１×１０-5〜１×１０-2倍、より好ましくは、１×１０
-5〜５×１０-3倍、最適には１×１０-5〜１．３×１０
-3倍で行なう。
くは１８０〜４５０℃、より好ましくは２００〜４５０
℃、最適には２７０〜３５０℃で行ない、圧力は好まし
くは１×１０-3〜１００Ｔｏｒｒ、より好ましくは１×
１０-3〜１０Ｔｏｒｒ、最適には１×１０-3〜１Ｔｏｒ
ｒであり、ＤＭＡＨ分圧は反応容器内圧力の好ましくは
１×１０-5〜１×１０-2倍、より好ましくは、１×１０
-5〜５×１０-3倍、最適には１×１０-5〜１．３×１０
-3倍で行なう。
【００４５】このような条件でＡｌ堆積を行うと、絶縁
膜１２上にはＡｌはまったく堆積せず、配線電極１４上
にのみＡｌ膜１６が堆積する。この際に、前述の図９で
示した配線電極（金属膜）厚が薄くなってしまう部分１
５上にも、ステップカバレッジ良好なＡｌ膜が形成され
る。
膜１２上にはＡｌはまったく堆積せず、配線電極１４上
にのみＡｌ膜１６が堆積する。この際に、前述の図９で
示した配線電極（金属膜）厚が薄くなってしまう部分１
５上にも、ステップカバレッジ良好なＡｌ膜が形成され
る。
【００４６】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を用いて
詳細に説明する。 ［実施例１］本発明の実施例であるＧａＡｌＡｓＬＥＤ
の形成方法を図１７〜図２９を使って説明する。
詳細に説明する。 ［実施例１］本発明の実施例であるＧａＡｌＡｓＬＥＤ
の形成方法を図１７〜図２９を使って説明する。
【００４７】図１７に示すように、石英基板４０１の上
に反応性マグネトロンスパッター法によってＡｌＮ膜４
０２を１２００Å堆積した。堆積条件は、基板温度は室
温、ターゲットはＡｌ、導入ガスはＡｒとＮ2 で、流量
比はＡｒ／Ｎ2 ＝２／３、圧力は５×１０-2ｔｏｒｒ、
ＲＦパワーは６００Ｗ、堆積速度は６０Å／分であっ
た。
に反応性マグネトロンスパッター法によってＡｌＮ膜４
０２を１２００Å堆積した。堆積条件は、基板温度は室
温、ターゲットはＡｌ、導入ガスはＡｒとＮ2 で、流量
比はＡｒ／Ｎ2 ＝２／３、圧力は５×１０-2ｔｏｒｒ、
ＲＦパワーは６００Ｗ、堆積速度は６０Å／分であっ
た。
【００４８】次に図１８に示すように、プラズマＣＶＤ
法で非晶質ＳｉＮX 膜４０３を３００Å堆積した。堆積
条件は基板温度３５０℃、反応圧力０．２ｔｏｒｒ、原
料ガスはＳｉＨ4 １００ｃｃ、ＮＨ3 ２００ｃｃであっ
た。
法で非晶質ＳｉＮX 膜４０３を３００Å堆積した。堆積
条件は基板温度３５０℃、反応圧力０．２ｔｏｒｒ、原
料ガスはＳｉＨ4 １００ｃｃ、ＮＨ3 ２００ｃｃであっ
た。
【００４９】次に図１９に示すように、フォトリソグラ
フィー技術を使ってパターニングし、リアクティブイオ
ンエッチングによってＳｉＮX 膜４０３を部分的に取り
去って、６０μｍの間隔で２μｍ四方の微細な窓４０４
を作りＡｌＮ膜４０２を露出させた。この部分がＧａＡ
ｓの核形成面となる。
フィー技術を使ってパターニングし、リアクティブイオ
ンエッチングによってＳｉＮX 膜４０３を部分的に取り
去って、６０μｍの間隔で２μｍ四方の微細な窓４０４
を作りＡｌＮ膜４０２を露出させた。この部分がＧａＡ
ｓの核形成面となる。
【００５０】この時のリアリティブイオンエッチングの
条件は、導入ガスはＣＦ4 とＯ2 で流量比はＣＦ4 ／Ｏ
2 ＝５／１、圧力は７×１０-2ｔｏｒｒ、ＲＦパワーは
１００Ｗ、エッチング速度は１００Å／分であった。
条件は、導入ガスはＣＦ4 とＯ2 で流量比はＣＦ4 ／Ｏ
2 ＝５／１、圧力は７×１０-2ｔｏｒｒ、ＲＦパワーは
１００Ｗ、エッチング速度は１００Å／分であった。
【００５１】次に図２０に示すようにＧａＡｓを成長す
るために、基板を減圧ＭＯＣＶＤ装置へ移した。まず、
ＡｓＨ3 １０％、Ｈ2 ９０％、圧力１００ｔｏｒｒの雰
囲気で８６０℃２０分間の熱処理を行なって基板表面を
清浄化した。続いて基板温度を７７０℃に下げ安定化さ
せてから、ＭＯＣＶＤ法によりＧａＡｓの結晶核４０５
を発生させた。
るために、基板を減圧ＭＯＣＶＤ装置へ移した。まず、
ＡｓＨ3 １０％、Ｈ2 ９０％、圧力１００ｔｏｒｒの雰
囲気で８６０℃２０分間の熱処理を行なって基板表面を
清浄化した。続いて基板温度を７７０℃に下げ安定化さ
せてから、ＭＯＣＶＤ法によりＧａＡｓの結晶核４０５
を発生させた。
【００５２】成長条件は、原料にトリメチルガリウム
（ＴＭＧ）とアルシン（ＡｓＨ3 ）、希釈ガスにＨ2 を
用い、それぞれの流量モル数は２．４×１０-5ｍｏｌ／
分，１．４×１０-3ｍｏｌ／分，０．４５ｍｏｌ／分、
反応圧力２０ｔｏｒｒ、基板温度７７０℃であった。同
時に導入したエッチング性ガスのＨＣｌの流量は３．０
×１０-3ｍｏｌ／分（６．６×１０-3ｍｏｌ％全流量に
対して）であった。
（ＴＭＧ）とアルシン（ＡｓＨ3 ）、希釈ガスにＨ2 を
用い、それぞれの流量モル数は２．４×１０-5ｍｏｌ／
分，１．４×１０-3ｍｏｌ／分，０．４５ｍｏｌ／分、
反応圧力２０ｔｏｒｒ、基板温度７７０℃であった。同
時に導入したエッチング性ガスのＨＣｌの流量は３．０
×１０-3ｍｏｌ／分（６．６×１０-3ｍｏｌ％全流量に
対して）であった。
【００５３】次に、図２１，２２に示すように、成長開
始後約１０分でＧａＡｓの結晶核４０５が核形成面とな
るＡｌＮ膜４０２を埋める単結晶４０５ａとなったとこ
ろで成長条件を変更してｎ型のＧａ0.8 Ａｌ0.2 Ａｓの
単結晶４０６を単結晶４０５ａに連続して成長した。
始後約１０分でＧａＡｓの結晶核４０５が核形成面とな
るＡｌＮ膜４０２を埋める単結晶４０５ａとなったとこ
ろで成長条件を変更してｎ型のＧａ0.8 Ａｌ0.2 Ａｓの
単結晶４０６を単結晶４０５ａに連続して成長した。
【００５４】この時の成長条件は、原料はＴＭＧ，トリ
メチルアルミニウム（ＴＭＡ）とＡｓＨ3 希釈ガスはＨ
2 で、それぞれの流量モル数は、１．９×１０-5ｍｏｌ
／分，４．８×１０-6ｍｏｌ／分，１．４×１０-3ｍｏ
ｌ／分，０．４５ｍｏｌ／分，ドーピングガスとしてシ
ラン（ＳｉＨ4 ）を用い、流量は１．２×１０-6ｍｏｌ
／分で、圧力と基板温度は２０ｔｏｒｒ７７０℃で変更
しなかった。
メチルアルミニウム（ＴＭＡ）とＡｓＨ3 希釈ガスはＨ
2 で、それぞれの流量モル数は、１．９×１０-5ｍｏｌ
／分，４．８×１０-6ｍｏｌ／分，１．４×１０-3ｍｏ
ｌ／分，０．４５ｍｏｌ／分，ドーピングガスとしてシ
ラン（ＳｉＨ4 ）を用い、流量は１．２×１０-6ｍｏｌ
／分で、圧力と基板温度は２０ｔｏｒｒ７７０℃で変更
しなかった。
【００５５】次に、図２３に示すように、島状のＧａＡ
ｌＡｓの単結晶４０６の底面の外径が１０μｍまで成長
した所でドーピングガスを切り替えてＰ型のＧａ0.8 Ａ
ｌ0.2 Ａｓの単結晶４０７を単結晶４０６に連続して成
長した。
ｌＡｓの単結晶４０６の底面の外径が１０μｍまで成長
した所でドーピングガスを切り替えてＰ型のＧａ0.8 Ａ
ｌ0.2 Ａｓの単結晶４０７を単結晶４０６に連続して成
長した。
【００５６】この時のドーピングガスはジエチルジンク
（ＤＥＺｎ）で、流量は９×１０-5ｍｏｌ／分であっ
た。
（ＤＥＺｎ）で、流量は９×１０-5ｍｏｌ／分であっ
た。
【００５７】他の成長条件は変更しなかった。
【００５８】Ｐ型のＧａＡｌＡｓ層の厚みが３μｍにな
ったところで成長を止めた。
ったところで成長を止めた。
【００５９】次に図２４に示すように、０．５％Ｂｒを
含んだメタノール（ＭｅＯＨ）を用いてメカノケミカル
エッチングを行ない基板から５μｍの厚さを残しＧａＡ
ｌＡｓの上面を平坦化した。
含んだメタノール（ＭｅＯＨ）を用いてメカノケミカル
エッチングを行ない基板から５μｍの厚さを残しＧａＡ
ｌＡｓの上面を平坦化した。
【００６０】次に図２５に示すように、プラズマＣＶＤ
法で非晶質ＳｉＮX 膜４０８を３０００Å堆積し絶縁膜
４０８とした。堆積条件は基板温度３５０℃、反応圧力
０．２ｔｏｒｒ、原料ガスはＳｉＨ4 １００ｃｃ、ＮＨ
3 ２００ｃｃであった。
法で非晶質ＳｉＮX 膜４０８を３０００Å堆積し絶縁膜
４０８とした。堆積条件は基板温度３５０℃、反応圧力
０．２ｔｏｒｒ、原料ガスはＳｉＨ4 １００ｃｃ、ＮＨ
3 ２００ｃｃであった。
【００６１】次に図２６に示すように、フォトレジスト
でパターニングした後でＲＩＥで絶縁膜４０８を部分的
に取り去ってコンタクトホール４０９を形成した。
でパターニングした後でＲＩＥで絶縁膜４０８を部分的
に取り去ってコンタクトホール４０９を形成した。
【００６２】次に図２７に示すように、レジストでパタ
ーニングした後でＡｕ−Ｇｅを真空蒸着により５０００
Å堆積し、リフトオフ法によりｎ型電極４１０を形成し
た。
ーニングした後でＡｕ−Ｇｅを真空蒸着により５０００
Å堆積し、リフトオフ法によりｎ型電極４１０を形成し
た。
【００６３】次に図２８に示すように、同様にレジスト
でパターニングした後でＡｕ−Ｚｎを真空蒸着により５
０００Å堆積し、リフトオフ法によりＰ型電極４１１を
形成した。
でパターニングした後でＡｕ−Ｚｎを真空蒸着により５
０００Å堆積し、リフトオフ法によりＰ型電極４１１を
形成した。
【００６４】最後に、図２９に示すように、Ａｌを選択
堆積させるために再び減圧ＭＯＣＶＤ装置に基板を入れ
金属膜たるＡｌ電極４１２を形成した。成長条件は、Ａ
ｌの原料はジメチルアルミハイドライド（ＤＭＡＨ）で
希釈ガスにＨ2 を用い、それぞれの流量モル数は１．０
×１０-5ｍｏｌ／分，２０×１０-2ｍｏｌ／分，反応圧
力１．２ｔｏｒｒ、基板温度３２０℃であった。４５分
間成長をして基板を取り出し、走査型電子顕微鏡（ＳＥ
Ｍ）により観察したところ、Ａｌ電極はＰ，ｎ両電極４
１０，４１１上にのみ形成されていて、絶縁膜４０８が
表面に露出している部分にはＡｌはまったく堆積してい
なかった。
堆積させるために再び減圧ＭＯＣＶＤ装置に基板を入れ
金属膜たるＡｌ電極４１２を形成した。成長条件は、Ａ
ｌの原料はジメチルアルミハイドライド（ＤＭＡＨ）で
希釈ガスにＨ2 を用い、それぞれの流量モル数は１．０
×１０-5ｍｏｌ／分，２０×１０-2ｍｏｌ／分，反応圧
力１．２ｔｏｒｒ、基板温度３２０℃であった。４５分
間成長をして基板を取り出し、走査型電子顕微鏡（ＳＥ
Ｍ）により観察したところ、Ａｌ電極はＰ，ｎ両電極４
１０，４１１上にのみ形成されていて、絶縁膜４０８が
表面に露出している部分にはＡｌはまったく堆積してい
なかった。
【００６５】また図２９を用いて説明した工程でＡｌ電
極４１２を形成した基板のＧａＡｌＡｓＬＥＤを測定し
たところ、２０コ中、１コだけが断線していた。一方図
２８を用いて説明した工程で止めた基板のＧａＡｌＡｓ
ＬＥＤを測定したところ、２０コ中、５コが断線不良を
起こしていた。 ［実施例２］本発明の他の実施例であるＧａＮのＭＩＳ
型ＬＥＤの形成方法を図３０〜４０を使って説明する。
極４１２を形成した基板のＧａＡｌＡｓＬＥＤを測定し
たところ、２０コ中、１コだけが断線していた。一方図
２８を用いて説明した工程で止めた基板のＧａＡｌＡｓ
ＬＥＤを測定したところ、２０コ中、５コが断線不良を
起こしていた。 ［実施例２］本発明の他の実施例であるＧａＮのＭＩＳ
型ＬＥＤの形成方法を図３０〜４０を使って説明する。
【００６６】まず、図３０に示すように、シリコンウエ
ハ５０１上にマグネトロンスパッター法によってＳｉＯ
2 膜５０２を１５００Å堆積した。堆積条件は、基板温
度２５０℃、ターゲットはＳｉＯ2 、導入ガスはＡｒ、
圧力は６×１０-3ｔｏｒｒ、ＲＦパワーは１ｋＷ、堆積
速度は３００Å／分であった。
ハ５０１上にマグネトロンスパッター法によってＳｉＯ
2 膜５０２を１５００Å堆積した。堆積条件は、基板温
度２５０℃、ターゲットはＳｉＯ2 、導入ガスはＡｒ、
圧力は６×１０-3ｔｏｒｒ、ＲＦパワーは１ｋＷ、堆積
速度は３００Å／分であった。
【００６７】次に、図３１に示すように、イオンプレー
ティング法を用いてＡｌ2 Ｏ 3膜を３００Å堆積した。
すなわち、アーク放電型イオンプレーティング装置を用
いて１０-5ｔｏｒｒまで排気した後、Ｏ2 ガスを１〜３
×１０-4ｔｏｒｒまで導入し、イオン化電極５０Ｖ（出
力５００Ｗ）、基板電位−５０Ｖ、基板温度４００℃の
条件でＡｌ2 Ｏ3 を堆積した。その後にレジストパター
ニングし、エッチャント（Ｈ3 ＰＯ4 ：ＨＮＯ3 ：ＣＨ
3 ＣＯＯＨ：Ｈ2 ＝１６：１：２：１ ４０℃）を用い
て１．５μｍにパターニングし、これによりＡｌ2 Ｏ3
のシード部５０３を形成した。
ティング法を用いてＡｌ2 Ｏ 3膜を３００Å堆積した。
すなわち、アーク放電型イオンプレーティング装置を用
いて１０-5ｔｏｒｒまで排気した後、Ｏ2 ガスを１〜３
×１０-4ｔｏｒｒまで導入し、イオン化電極５０Ｖ（出
力５００Ｗ）、基板電位−５０Ｖ、基板温度４００℃の
条件でＡｌ2 Ｏ3 を堆積した。その後にレジストパター
ニングし、エッチャント（Ｈ3 ＰＯ4 ：ＨＮＯ3 ：ＣＨ
3 ＣＯＯＨ：Ｈ2 ＝１６：１：２：１ ４０℃）を用い
て１．５μｍにパターニングし、これによりＡｌ2 Ｏ3
のシード部５０３を形成した。
【００６８】次に、図３２に示すように、ＭＯＣＶＤ法
によって島状のｎ型ＧａＮの結晶５０４を成長させた。
まず始めにＰＣｌ3 雰囲気で９５０℃、１０分間熱処理
を行い、次にＭＯＣＶＤ法により島状のｎ型ＧａＮの単
結晶５０４を成長させた。原料ガスはトリメチルガリウ
ム（ＴＭＧ），アンモニア（ＮＨ3 ）希釈ガスはＨ2で
あった。それぞれ流量モル数は２．０×１０-5ｍｏｌ／
分，８×１０-4ｍｏｌ／分，０．２ｍｏｌ／分で、圧力
は常圧、基板温度１１００℃とした。ＧａＮの結晶島５
０４の底面の直径が２０μｍになるまで７０分成長を続
けた。
によって島状のｎ型ＧａＮの結晶５０４を成長させた。
まず始めにＰＣｌ3 雰囲気で９５０℃、１０分間熱処理
を行い、次にＭＯＣＶＤ法により島状のｎ型ＧａＮの単
結晶５０４を成長させた。原料ガスはトリメチルガリウ
ム（ＴＭＧ），アンモニア（ＮＨ3 ）希釈ガスはＨ2で
あった。それぞれ流量モル数は２．０×１０-5ｍｏｌ／
分，８×１０-4ｍｏｌ／分，０．２ｍｏｌ／分で、圧力
は常圧、基板温度１１００℃とした。ＧａＮの結晶島５
０４の底面の直径が２０μｍになるまで７０分成長を続
けた。
【００６９】次に図３３に示すように、０．５％Ｂｒを
含んだメタノール（ＭｅＯＨ）を用いてメカノケミカル
エッチングを行ない、基板から５μｍの厚さを列し、単
結晶（ＧａＮ）５０４の上面を平坦化した。
含んだメタノール（ＭｅＯＨ）を用いてメカノケミカル
エッチングを行ない、基板から５μｍの厚さを列し、単
結晶（ＧａＮ）５０４の上面を平坦化した。
【００７０】次に図３４に示すように、フォトレジスト
５０５でパターニングしてからＺｎイオン５０６を１×
１０16／ｃｍ2 打ち込んだ。
５０５でパターニングしてからＺｎイオン５０６を１×
１０16／ｃｍ2 打ち込んだ。
【００７１】次に図３５に示すように、Ｈ2 雰囲気で９
００℃５分間加熱し絶縁層５０７（高抵抗ＧａＮ）を形
成した。
００℃５分間加熱し絶縁層５０７（高抵抗ＧａＮ）を形
成した。
【００７２】次に図３６に示すように、プラズマＣＶＤ
法で非晶質ＳｉＮX 膜５０８を３０００Å堆積し絶縁膜
５０８とした。堆積条件は基板温度３５０℃、反応圧力
０．２ｔｏｒｒ、原料ガスはＳｉＨ4 １００ｃｃ、ＮＨ
3 ２００ｃｃであった。
法で非晶質ＳｉＮX 膜５０８を３０００Å堆積し絶縁膜
５０８とした。堆積条件は基板温度３５０℃、反応圧力
０．２ｔｏｒｒ、原料ガスはＳｉＨ4 １００ｃｃ、ＮＨ
3 ２００ｃｃであった。
【００７３】次に図３７に示すように、フォトレジスト
でパターニングした後でＲＩＥで絶縁膜５０８を部分的
に取り去ってコンタクトホール５０９を形成した。
でパターニングした後でＲＩＥで絶縁膜５０８を部分的
に取り去ってコンタクトホール５０９を形成した。
【００７４】次に図３８に示すように、レジストでネガ
のパターンを作った後、Ｉｎ−Ａｌを５０００Å蒸着し
た。次に、溶剤を使ってレジストを溶かして不要な部分
をリフトオフし、電極５１０を形成した。
のパターンを作った後、Ｉｎ−Ａｌを５０００Å蒸着し
た。次に、溶剤を使ってレジストを溶かして不要な部分
をリフトオフし、電極５１０を形成した。
【００７５】同様に図３９に示すように、レジストでネ
ガのパターンを作った後、Ｉｎを２０００Å蒸着した。
次に、溶剤を使ってレジストを溶かして不要な部分をリ
フトオフし、電極５１１を形成した。
ガのパターンを作った後、Ｉｎを２０００Å蒸着した。
次に、溶剤を使ってレジストを溶かして不要な部分をリ
フトオフし、電極５１１を形成した。
【００７６】最後に、図４０に示すように、Ａｌを選択
堆積させるために再び減圧ＭＯＣＶＤ装置に基板を入れ
Ａｌ電極５１２を形成した。成長条件は、Ａｌの原料は
ジメチルアルミニウムハイドライド（ＤＭＡＨ）で希釈
ガスにＨ2を用い、それぞれの流量モル数は１．０×１
０-5ｍｏｌ／分，２．０×１０-2ｍｏｌ／分，反応圧力
１．２ｔｏｒｒ，基板温度３２０℃であった。４５分間
成長をして基板を取り出し、走査型電子顕微鏡（ＳＥ
Ｍ）により観察したところ、Ａｌ電極は両電極５１０，
５１１上にのみ形成されていて、絶縁膜５０８が表面に
露出している部分にはＡｌはまったく堆積していなかっ
た。
堆積させるために再び減圧ＭＯＣＶＤ装置に基板を入れ
Ａｌ電極５１２を形成した。成長条件は、Ａｌの原料は
ジメチルアルミニウムハイドライド（ＤＭＡＨ）で希釈
ガスにＨ2を用い、それぞれの流量モル数は１．０×１
０-5ｍｏｌ／分，２．０×１０-2ｍｏｌ／分，反応圧力
１．２ｔｏｒｒ，基板温度３２０℃であった。４５分間
成長をして基板を取り出し、走査型電子顕微鏡（ＳＥ
Ｍ）により観察したところ、Ａｌ電極は両電極５１０，
５１１上にのみ形成されていて、絶縁膜５０８が表面に
露出している部分にはＡｌはまったく堆積していなかっ
た。
【００７７】また図４０を用いて説明した工程でＡｌ電
極５１２を形成した基板のＧａＮＬＥＤを測定したとこ
ろ、２０コ中、３コだけが断線していた。一方図３９を
用いて説明した工程で止めた基板のＧａＮＬＥＤを測定
したところ、２０コ中、１１コが断線不良を起こしてい
た。
極５１２を形成した基板のＧａＮＬＥＤを測定したとこ
ろ、２０コ中、３コだけが断線していた。一方図３９を
用いて説明した工程で止めた基板のＧａＮＬＥＤを測定
したところ、２０コ中、１１コが断線不良を起こしてい
た。
【００７８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体装
置の製造方法によれば、基体上に島状に形成した半導体
単結晶に電極配線を行う場合の断線による歩留り低下を
減少させることが可能になる。
置の製造方法によれば、基体上に島状に形成した半導体
単結晶に電極配線を行う場合の断線による歩留り低下を
減少させることが可能になる。
【図１】本発明による発光素子の形成方法を示す概略的
工程図である。
工程図である。
【図２】本発明による発光素子の形成方法を示す概略的
工程図である。
工程図である。
【図３】本発明による発光素子の形成方法を示す概略的
工程図である。
工程図である。
【図４】本発明による発光素子の形成方法を示す概略的
工程図である。
工程図である。
【図５】本発明による発光素子の形成方法を示す概略的
工程図である。
工程図である。
【図６】本発明による発光素子の形成方法を示す概略的
工程図である。
工程図である。
【図７】本発明による発光素子の形成方法を示す概略的
工程図である。
工程図である。
【図８】本発明による発光素子の形成方法を示す概略的
工程図である。
工程図である。
【図９】本発明による発光素子の形成方法を示す概略的
工程図である。
工程図である。
【図１０】本発明による発光素子の形成方法を示す概略
的工程図である。
的工程図である。
【図１１】本発明による発光素子の形成方法の他の実施
態様例の部分工程を示す概略的工程図である。
態様例の部分工程を示す概略的工程図である。
【図１２】本発明による発光素子の形成方法の他の実施
態様例の部分工程を示す概略的工程図である。
態様例の部分工程を示す概略的工程図である。
【図１３】本発明による発光素子の形成方法の他の実施
態様例の部分工程を示す概略的工程図である。
態様例の部分工程を示す概略的工程図である。
【図１４】本発明による発光素子の形成方法の他の実施
態様例の部分工程を示す概略的工程図である。
態様例の部分工程を示す概略的工程図である。
【図１５】本発明による発光素子の形成方法の他の実施
態様例の部分工程を示す概略的工程図である。
態様例の部分工程を示す概略的工程図である。
【図１６】本発明に用いたＭＯＣＶＤ装置の概略図であ
る。
る。
【図１７】本発明をＧａＡｌＡｓＬＥＤの形成に用いた
場合の概略的工程図である。
場合の概略的工程図である。
【図１８】本発明をＧａＡｌＡｓＬＥＤの形成に用いた
場合の概略的工程図である。
場合の概略的工程図である。
【図１９】本発明をＧａＡｌＡｓＬＥＤの形成に用いた
場合の概略的工程図である。
場合の概略的工程図である。
【図２０】本発明をＧａＡｌＡｓＬＥＤの形成に用いた
場合の概略的工程図である。
場合の概略的工程図である。
【図２１】本発明をＧａＡｌＡｓＬＥＤの形成に用いた
場合の概略的工程図である。
場合の概略的工程図である。
【図２２】本発明をＧａＡｌＡｓＬＥＤの形成に用いた
場合の概略的工程図である。
場合の概略的工程図である。
【図２３】本発明をＧａＡｌＡｓＬＥＤの形成に用いた
場合の概略的工程図である。
場合の概略的工程図である。
【図２４】本発明をＧａＡｌＡｓＬＥＤの形成に用いた
場合の概略的工程図である。
場合の概略的工程図である。
【図２５】本発明をＧａＡｌＡｓＬＥＤの形成に用いた
場合の概略的工程図である。
場合の概略的工程図である。
【図２６】本発明をＧａＡｌＡｓＬＥＤの形成に用いた
場合の概略的工程図である。
場合の概略的工程図である。
【図２７】本発明をＧａＡｌＡｓＬＥＤの形成に用いた
場合の概略的工程図である。
場合の概略的工程図である。
【図２８】本発明をＧａＡｌＡｓＬＥＤの形成に用いた
場合の概略的工程図である。
場合の概略的工程図である。
【図２９】本発明をＧａＡｌＡｓＬＥＤの形成に用いた
場合の概略的工程図である。
場合の概略的工程図である。
【図３０】本発明をＧａＮＬＥＤの形成に用いた場合の
概略的工程図である。
概略的工程図である。
【図３１】本発明をＧａＮＬＥＤの形成に用いた場合の
概略的工程図である。
概略的工程図である。
【図３２】本発明をＧａＮＬＥＤの形成に用いた場合の
概略的工程図である。
概略的工程図である。
【図３３】本発明をＧａＮＬＥＤの形成に用いた場合の
概略的工程図である。
概略的工程図である。
【図３４】本発明をＧａＮＬＥＤの形成に用いた場合の
概略的工程図である。
概略的工程図である。
【図３５】本発明をＧａＮＬＥＤの形成に用いた場合の
概略的工程図である。
概略的工程図である。
【図３６】本発明をＧａＮＬＥＤの形成に用いた場合の
概略的工程図である。
概略的工程図である。
【図３７】本発明をＧａＮＬＥＤの形成に用いた場合の
概略的工程図である。
概略的工程図である。
【図３８】本発明をＧａＮＬＥＤの形成に用いた場合の
概略的工程図である。
概略的工程図である。
【図３９】本発明をＧａＮＬＥＤの形成に用いた場合の
概略的工程図である。
概略的工程図である。
【図４０】本発明をＧａＮＬＥＤの形成に用いた場合の
概略的工程図である。
概略的工程図である。
【図４１】従来の発光素子の形成方法を示す概略的工程
図である。
図である。
【図４２】従来の発光素子の形成方法を示す概略的工程
図である。
図である。
【図４３】従来の発光素子の形成方法を示す概略的工程
図である。
図である。
１ 下地材料、 ２ 核形成密度の低い材料からなる薄
膜、３ 非核形成面、 ４ 核形成面、５ 核形成密度
の低い材料からなる支持体、６ 核形成密度の高い材料
からなる薄膜、７ フォトレジスト、 ８ イオン打込
領域、 ９ 結晶核、１０ 結晶、 １１ 結晶、 １
２ 絶縁膜、 １３ コンタクトホール、１４ 配線電
極、 １５ 断線多発部分、 １６ Ａｌ膜、２００
結晶、 ２０１ 結晶、 ２０２ 基板、２０３ 結晶
と基板接合部、 ２０４ 電極、 ２０５ 絶縁膜、２
０６ 断線多発部、３０１ アルシンボンベ、 ３０２
水素ボンベ、 ３０３ ＨＣｌボンベ、３０４，３０
５，３０６ 有機金属原料入バブラー、 ３０７ チャ
ンバー、３０８ 基板ホルダー、 ３０９ 基板、 ３
１０ 熱電対、３１１ ロータリーポンプ、 ３１２
コンダクタンスバルブ、３１３ ゲートバルブ、 ３１
４ ゲートバルブ、 ３１５ ターボポンプ、３１６
ロータリーポンプ、４０１ 石英基板、 ４０２ Ａｌ
Ｎ膜、 ４０３ＳｉＮX 膜、４０４ 窓、 ４０５ Ｇ
ａＡｓ、 ４０６ 単結晶（ｎ−ＧａＡｌＡｓ）、４０
７ 単結晶（Ｐ−ＧａＡｌＡｓ）、 ４０８ 絶縁膜
（ＳｉＮX ）、４０９ コンタクトホール、 ４１０
ｎ型電極（Ａｕ−Ｇｅ）、４１１ Ｐ型電極（Ａｕ−Ｚ
ｎ）、 ４１２ Ａｌ電極、５０１ シリコンウエハ、
５０２ ＳｉＯ2 膜、 ５０３ Ａｌ2 Ｏ3 、５０４
単結晶（ＧａＮ）、 ５０５ フォトレジスト、５０
６ Ｚｎイオン、 ５０７ 絶縁層（高抵抗ＧａＮ）、
５０８ 絶縁膜（ＳｉＮX ）、 ５０９ コンタクトホ
ール、５１０ 電極（Ｉｎ−Ａｌ）、 ５１１ 電極
（Ｉｎ）、５１２ Ａｌ電極。
膜、３ 非核形成面、 ４ 核形成面、５ 核形成密度
の低い材料からなる支持体、６ 核形成密度の高い材料
からなる薄膜、７ フォトレジスト、 ８ イオン打込
領域、 ９ 結晶核、１０ 結晶、 １１ 結晶、 １
２ 絶縁膜、 １３ コンタクトホール、１４ 配線電
極、 １５ 断線多発部分、 １６ Ａｌ膜、２００
結晶、 ２０１ 結晶、 ２０２ 基板、２０３ 結晶
と基板接合部、 ２０４ 電極、 ２０５ 絶縁膜、２
０６ 断線多発部、３０１ アルシンボンベ、 ３０２
水素ボンベ、 ３０３ ＨＣｌボンベ、３０４，３０
５，３０６ 有機金属原料入バブラー、 ３０７ チャ
ンバー、３０８ 基板ホルダー、 ３０９ 基板、 ３
１０ 熱電対、３１１ ロータリーポンプ、 ３１２
コンダクタンスバルブ、３１３ ゲートバルブ、 ３１
４ ゲートバルブ、 ３１５ ターボポンプ、３１６
ロータリーポンプ、４０１ 石英基板、 ４０２ Ａｌ
Ｎ膜、 ４０３ＳｉＮX 膜、４０４ 窓、 ４０５ Ｇ
ａＡｓ、 ４０６ 単結晶（ｎ−ＧａＡｌＡｓ）、４０
７ 単結晶（Ｐ−ＧａＡｌＡｓ）、 ４０８ 絶縁膜
（ＳｉＮX ）、４０９ コンタクトホール、 ４１０
ｎ型電極（Ａｕ−Ｇｅ）、４１１ Ｐ型電極（Ａｕ−Ｚ
ｎ）、 ４１２ Ａｌ電極、５０１ シリコンウエハ、
５０２ ＳｉＯ2 膜、 ５０３ Ａｌ2 Ｏ3 、５０４
単結晶（ＧａＮ）、 ５０５ フォトレジスト、５０
６ Ｚｎイオン、 ５０７ 絶縁層（高抵抗ＧａＮ）、
５０８ 絶縁膜（ＳｉＮX ）、 ５０９ コンタクトホ
ール、５１０ 電極（Ｉｎ−Ａｌ）、 ５１１ 電極
（Ｉｎ）、５１２ Ａｌ電極。
Claims (3)
- 【請求項１】 核形成密度の小さい非核形成面と、該非
核形成面に隣接して配され、単一核のみより結晶成長す
るに充分小さい面積であって前記非核形成面の核形成密
度より大きい核形成密度であり、且つ非単結晶材料で形
成されている核形成面とを有する基体に結晶形成処理を
施して、前記核形成面上の単一核より前記核形成面をこ
えて前記非核形成面上へ延びている半導体結晶を成長さ
せ、 この半導体結晶上に絶縁膜を形成し、その上に配線電極
を形成した後、該配線電極上にのみ選択的に金属膜を形
成したことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記金属膜がアルミニウムであることを
特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記金属膜の形成方法が、有機金属アル
ミニウムを用いたＭＯＣＶＤ法であることを特徴とする
請求項２記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3261414A JPH0575163A (ja) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3261414A JPH0575163A (ja) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0575163A true JPH0575163A (ja) | 1993-03-26 |
Family
ID=17361544
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3261414A Pending JPH0575163A (ja) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0575163A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008177586A (ja) * | 1997-03-13 | 2008-07-31 | Nec Corp | ＧａＮ系半導体およびその製造方法 |
| US8998020B2 (en) | 2009-01-30 | 2015-04-07 | Shiseido Company, Ltd. | Double container, inner container, and outer container |
| WO2022181686A1 (ja) * | 2021-02-26 | 2022-09-01 | 京セラ株式会社 | 半導体基板並びにその製造方法および製造装置、テンプレート基板 |
-
1991
- 1991-09-13 JP JP3261414A patent/JPH0575163A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008177586A (ja) * | 1997-03-13 | 2008-07-31 | Nec Corp | ＧａＮ系半導体およびその製造方法 |
| JP4743214B2 (ja) * | 1997-03-13 | 2011-08-10 | 日本電気株式会社 | 半導体素子およびその製造方法 |
| US8998020B2 (en) | 2009-01-30 | 2015-04-07 | Shiseido Company, Ltd. | Double container, inner container, and outer container |
| WO2022181686A1 (ja) * | 2021-02-26 | 2022-09-01 | 京セラ株式会社 | 半導体基板並びにその製造方法および製造装置、テンプレート基板 |
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