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JPH0554821A - Cathode-ray tube - Google Patents

Cathode-ray tube

Info

Publication number
JPH0554821A
JPH0554821A JP21775291A JP21775291A JPH0554821A JP H0554821 A JPH0554821 A JP H0554821A JP 21775291 A JP21775291 A JP 21775291A JP 21775291 A JP21775291 A JP 21775291A JP H0554821 A JPH0554821 A JP H0554821A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
grid
electron
electron beam
cathode
hole
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP21775291A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Eiji Kanbara
英治 蒲原
Shigeru Sugawara
繁 菅原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP21775291A priority Critical patent/JPH0554821A/en
Publication of JPH0554821A publication Critical patent/JPH0554821A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To extremely reduce the size of a beam spot on a target. CONSTITUTION:A cathode-ray tube is provided with an electron gun 24 having both an electron-beam forming portion having at least a cathode and a first and a second filament, and a main lens portion, and an electron beam 25 emitted from the electron gun is made to scan a target 23 by the deflecting action of a deflecting device 26. An electron-beam through-hole comprising a circular or noncircular main hole and an auxiliary hole located near or connected via a small-diameter portion to the main hole is formed in the first grid.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、陰極線管に係り、特
にターゲット上のビームスポットを小さくすることによ
り、解像度を良好にした陰極線管に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a cathode ray tube, and more particularly to a cathode ray tube which has a good resolution by reducing a beam spot on a target.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に陰極線管は、電子銃から放出され
た電子ビームを偏向ヨークの発生する水平、垂直偏向磁
界により偏向して、蛍光体スクリーンを水平、垂直走査
することにより、画像を表示する構造に形成されてい
る。
2. Description of the Related Art Generally, a cathode ray tube displays an image by deflecting an electron beam emitted from an electron gun by horizontal and vertical deflection magnetic fields generated by a deflection yoke and horizontally and vertically scanning a phosphor screen. Is formed into a structure.

【0003】今日最も代表的なカラー受像管について
は、外囲器のパネル内面に、青、緑、赤に発光する3色
蛍光体層からなる蛍光体スクリーンが形成され、この蛍
光体スクリーンに対向して、その内側にシャドウマスク
が配置され、電子銃を3電子ビームを放出する電子銃と
して、この電子銃から放出された3電子ビームがシャド
ウマスクを介して上記蛍光体スクリーンを水平、垂直走
査することにより、カラー画像を表示する構造となって
いる。
With respect to the most typical color picture tube today, a phosphor screen composed of phosphor layers of three colors emitting blue, green and red is formed on the inner surface of the panel of the envelope, and faces the phosphor screen. Then, a shadow mask is arranged inside the electron gun, and the electron gun is used as an electron gun for emitting three electron beams. The three electron beams emitted from this electron gun horizontally and vertically scan the phosphor screen through the shadow mask. By doing so, the structure is such that a color image is displayed.

【0004】特にこのようなカラー受像管において、蛍
光体スクリーンを垂直方向に細長いストライプ状の3色
蛍光体層で構成し、電子銃を同一水平面上を通る一列配
置の3電子ビームを放出する電子銃とし、この電子銃か
ら放出された3電子ビームをピンクッション形水平偏向
磁界およびバレル形垂直偏向磁界により偏向することに
より、上記3電子ビームを自己集中するセルフコンバー
ゼンス方式インライン型カラー受像管が広く用いられて
いる。
Particularly in such a color picture tube, the phosphor screen is composed of a striped three-color phosphor layer which is elongated in the vertical direction, and the electron gun emits three electron beams arranged in a row passing through the same horizontal plane. A self-convergence in-line type color picture tube that self-focuses the three electron beams by deflecting the electron beam emitted from the electron gun by a pincushion type horizontal deflection magnetic field and a barrel type vertical deflection magnetic field is widely used. It is used.

【0005】陰極線管には、このようなカラー受像管の
他に、単電子ビームを切換えてカラー画像を表示するカ
ラー受像管、モククロ受像管、投写管、オシロ管などの
各種陰極線管がある。
In addition to such color cathode ray tubes, there are various cathode ray tubes such as a color cathode ray tube which displays a color image by switching a single electron beam, a mokukuro cathode ray tube, a projection tube and an oscilloscope tube.

【0006】これら陰極線管において、その解像度を良
好にさせるためには、基本的に電子銃の性能を向上させ
て、蛍光体スクリーン上のビームスポットを小さくする
必要がある。
In order to improve the resolution of these cathode ray tubes, it is basically necessary to improve the performance of the electron gun and reduce the beam spot on the phosphor screen.

【0007】すなわち、図17に示すカラー受像管用電
子銃の一例について説明すると、電子銃は、カソード
K、このカソードKから順次隣接して蛍光体スクリーン
1方向に配列された第1ないし第4グリッドG1〜G4から
なる複数の電極を有する。この電子銃では、その第1お
よび第2グリッドG1,G2は、板状電極からなり、比較的
小さな電子ビーム通過孔が設けられている。また第3グ
リッドG3は、カップ状電極、第4グリッドG4は、筒状電
極からなり、その第3グリッドG3の第2グリッドG2側に
は、比較的大きな電子ビーム通過孔が設けられ、さらに
第3グリッドG3の第4グリッドG4側および第4グリッド
G4には、より大きな電子ビーム通過孔が設けられてい
る。
That is, an example of the color picture tube electron gun shown in FIG. 17 will be described. The electron gun is composed of a cathode K and first to fourth grids arranged in the direction of the phosphor screen 1 so as to be sequentially adjacent to the cathode K. It has a plurality of electrodes G1 to G4. In this electron gun, the first and second grids G1 and G2 are made of plate electrodes and provided with relatively small electron beam passage holes. The third grid G3 is a cup-shaped electrode, the fourth grid G4 is a cylindrical electrode, and a relatively large electron beam passage hole is provided on the second grid G2 side of the third grid G3. 3rd grid G3 4th grid G4 side and 4th grid
G4 has a larger electron beam passage hole.

【0008】この電子銃では、カソードK、第1ないし
第3グリッドG1〜G3により、カソードKからの電子放出
を制御し、かつ放出された電子を集束して電子ビームを
形成する電子ビーム形成部GEA が形成され、第3および
第4グリッドG3,G4により、その電子ビーム形成部GEA
から放出される電子ビームを蛍光体スクリーン1に対し
て加速、集束する主レンズ部MLA が形成される。すなわ
ち、上記各電極に所定の電位を付与することにより電子
レンズが形成され、カソードKから放出された電子は、
第1および第2グリッドG1,G2によりカソードKの前面
に形成されるカソードレンズKLによりクロスオーバCOを
形成し、第2および第3グリッドG2,G3により形成され
るプリフォーカスレンズPLによりわずかに集束され、仮
想クロスオーバVCO を形成して第3グリッドG3に入射す
る。この第3グリッドG3に入射した電子ビームは、その
後、第3および第4グリッドG3,G4により形成される主
レンズ部MLA により蛍光体スクリーン1上に集束され
る。
In this electron gun, the cathode K and the first to third grids G1 to G3 control the electron emission from the cathode K and focus the emitted electrons to form an electron beam forming unit. A GEA is formed, and the electron beam forming unit GEA is formed by the third and fourth grids G3 and G4.
A main lens portion MLA that accelerates and focuses the electron beam emitted from the phosphor screen 1 is formed. That is, an electron lens is formed by applying a predetermined potential to each of the electrodes, and the electrons emitted from the cathode K are
The crossover CO is formed by the cathode lens KL formed on the front surface of the cathode K by the first and second grids G1 and G2, and slightly focused by the prefocus lens PL formed by the second and third grids G2 and G3. Then, a virtual crossover VCO is formed and is incident on the third grid G3. The electron beam incident on the third grid G3 is then focused on the phosphor screen 1 by the main lens portion MLA formed by the third and fourth grids G3 and G4.

【0009】したがって、蛍光体スクリーン1上のビー
ムスポットをできるだけ小さくすることにより、陰極線
管の解像度を向上させることができる。
Therefore, the resolution of the cathode ray tube can be improved by making the beam spot on the phosphor screen 1 as small as possible.

【0010】しかし、このような電子銃では、カソード
Kから放出された電子は、第1および第2グリッドG1,
G2により形成されるカソードレンズKLにより、近軸ビー
ム3aよりも離軸ビーム3bの方が強く集束され、クロスオ
ーバCOですでに収差をもつ。さらにプリフォーカスレン
ズPLや主レンズ部MLA で収差が加算されるため、電子ビ
ームを蛍光体スクリーン1上に適正に集束させても、蛍
光体スクリーン1上でのビームスポットSPは、近軸ビー
ム3aが未集束状態のとき、離軸ビーム3bが過集束状態と
なり、ビームスポットSPを小さくすることが困難であ
る。
However, in such an electron gun, the electrons emitted from the cathode K are emitted from the first and second grids G1,
By the cathode lens KL formed by G2, the off-axis beam 3b is more strongly focused than the paraxial beam 3a, and the crossover CO already has aberration. Further, since the aberration is added by the prefocus lens PL and the main lens unit MLA, even if the electron beam is properly focused on the phosphor screen 1, the beam spot SP on the phosphor screen 1 is the paraxial beam 3a. Is unfocused, the off-axis beam 3b is overfocused, and it is difficult to reduce the beam spot SP.

【0011】これを解決するため、電子レンズ部に4極
子レンズや楕円レンズなどのアスティグレンズを形成し
て収差を軽減する電子銃が各種知られている。しかしこ
れらアスティグレンズを用いると、一方向たとえば水平
方向の収差は軽減できても、垂直方向には、収差が増大
したりあるいは電子レンズの倍率が悪くなる。特にクロ
スオーバでの収差が可なり大きくなる。
In order to solve this problem, various electron guns are known which reduce aberrations by forming an Astig lens such as a quadrupole lens or an elliptical lens in the electron lens portion. However, when these Astig lenses are used, aberrations in one direction, for example, in the horizontal direction can be reduced, but in the vertical direction, the aberrations increase or the magnification of the electron lens deteriorates. In particular, the aberration at the crossover becomes considerably large.

【0012】図18は、このクロスオーバでの収差を説
明するため、3次元のコンピュータシュミレーションに
よる電子ビーム形成部の状態を示す図である。この図で
は、理解を容易にするため、電子銃の中心軸(Z軸)を
境にして、上側に垂直断面(Y−Z断面)を、下側に水
平断面(X−Z断面)を示した。この図は、同(a)に
示したように、板状電極からなる第1、第2グリッドG
1,G2および第3グリッドG3の第2グリッドG2側の各電
子ビーム通過孔をそれぞれ円形状とし、カソードKの電
位を0〜200V、第1グリッドG1の電位を0V、第2
グリッドG2の電位を約1kV、第3グリッドG3の電位を約
8kVに設定した場合の状態である。なお、4は等電位
線、5は電子ビームの軌道である。
FIG. 18 is a diagram showing a state of an electron beam forming unit by three-dimensional computer simulation in order to explain the aberration at the crossover. In this figure, for easy understanding, a vertical section (YZ section) is shown on the upper side and a horizontal section (XZ section) is shown on the lower side with the central axis (Z axis) of the electron gun as a boundary. It was This figure shows the first and second grids G made of plate electrodes as shown in FIG.
Each of the electron beam passage holes on the side of the second grid G2 of the first, G2 and the third grid G3 has a circular shape, the potential of the cathode K is 0 to 200V, the potential of the first grid G1 is 0V, the second.
This is a state in which the potential of the grid G2 is set to about 1 kV and the potential of the third grid G3 is set to about 8 kV. In addition, 4 is an equipotential line and 5 is a trajectory of an electron beam.

【0013】同(b)に示したように第2グリッドG2の
高電位は、第1グリッドG1の電子ビーム通過孔を介して
カソードK側に浸透し、カソードKから電子を引出す。
このカソードKから引出された電子のビームのうち、近
軸ビーム3aは、カソードKから遠く離れた中心軸上で交
差するが、離軸ビーム3bは、電子レンズの収差のため、
それよりもカソードKに近い中心軸上で交差する。その
ため、クロスオーバ径が大きくなり、かつ離軸ビーム3b
が近軸ビーム3aよりも強く集束された状態となる。この
ような電子ビーム形成部での収差は、そのまま蛍光体ス
クリーン上でのビームスポットを太らせる大きな要因と
なる。なお、図18(b)に示したθ1Hmax ,θ1Vmax
は、それぞれ電子ビームの水平方向(X軸方向)の最大
発散角および垂直方向(Y軸方向)の最大発散角であ
る。
As shown in (b), the high potential of the second grid G2 permeates to the cathode K side through the electron beam passage holes of the first grid G1 and draws out electrons from the cathode K.
Of the electron beams extracted from the cathode K, the paraxial beam 3a intersects on the central axis far from the cathode K, but the off-axis beam 3b is due to the aberration of the electron lens.
They intersect on the central axis closer to the cathode K than that. Therefore, the crossover diameter becomes large and the off-axis beam 3b
Is more strongly focused than the paraxial beam 3a. Such an aberration in the electron beam forming unit directly becomes a large factor for thickening the beam spot on the phosphor screen. Note that θ1Hmax and θ1Vmax shown in FIG.
Are the maximum divergence angle in the horizontal direction (X-axis direction) and the maximum divergence angle in the vertical direction (Y-axis direction) of the electron beam, respectively.

【0014】またこのような電子ビームは、偏向装置の
偏向作用により蛍光体スクリーンの周辺部に偏向される
と、偏向装置の偏向収差を受け、蛍光体スクリーン上の
ビームスポットは、いちじるしく歪む。図19(a)に
示すように、たとえば水平偏向磁界6がピンクッション
形であるセルフコンバーゼンス方式インライン型カラー
受像管では、水平方向周辺部に偏向される電子ビーム2
は、垂直方向にいちじるしく過集束状態となり、同
(b)に示すように、蛍光体スクリーン上のビームスポ
ットは、垂直方向に大きなハロー部8(にじみ)を生ず
る。
When such an electron beam is deflected to the peripheral portion of the phosphor screen by the deflecting action of the deflecting device, it is subject to the deflection aberration of the deflecting device and the beam spot on the phosphor screen is significantly distorted. As shown in FIG. 19A, for example, in a self-convergence in-line type color picture tube in which the horizontal deflection magnetic field 6 is a pincushion type, the electron beam 2 deflected to the peripheral portion in the horizontal direction.
Becomes significantly over-focused in the vertical direction, and the beam spot on the phosphor screen causes a large halo portion 8 (bleeding) in the vertical direction as shown in FIG.

【0015】この対策として、特開昭54−85667
号公報には、カソードと第2グリッドとの間に4極子レ
ンズを形成する手段が示されている。
As a countermeasure against this, Japanese Patent Laid-Open No. 54-85667.
The publication discloses means for forming a quadrupole lens between the cathode and the second grid.

【0016】この場合、図20に示すように、たとえば
第1グリッドG1のカソードK側を横長孔とし、第2グリ
ッドG2側を縦長孔とすると、水平方向の最大発散角θ2H
maxにくらべ垂直方向の最大発散角θ2vmaxが減少する
(θ2Hmax >θ2vmax )が、近軸ビーム3aと離軸ビーム
3bとの集束力の差が大きくなり、垂直方向の収差は、か
えって大きくなる。このことは、第3グリッドG3に入射
する電子ビームのカソードK側への延長が中心軸(Z
軸)と交差する点Lvcから容易に理解できる。
In this case, as shown in FIG. 20, assuming that the cathode K side of the first grid G1 is a horizontally long hole and the second grid G2 side is a vertically long hole, the maximum divergence angle θ2H in the horizontal direction is shown.
Compared with max, the maximum vertical divergence angle θ2vmax decreases (θ2Hmax> θ2vmax), but paraxial beam 3a and off-axis beam
The difference in the focusing power from 3b becomes large, and the aberration in the vertical direction becomes rather large. This means that the extension of the electron beam incident on the third grid G3 to the cathode K side is the central axis (Z
It can be easily understood from the point Lvc intersecting the axis).

【0017】図21は、横軸にカソードの電子放出面の
中心からの半径方向の距離rをとり、縦軸に点Lvcをと
って、それらの関係を示した図である。曲線CH は、水
平方向の電子ビームの特性を示し、曲線CV は、垂直方
向の電子ビームの特性を示している。なお、同図に示し
た線9bのように横一直線であれば、図22(b)に直線
10,11,12で示すように、中心軸上の一点O(O1 ,O
2 ,O3 )から放射される電子ビームであること(無収
差)を意味し、線9aのように右上がりの線であれば、図
22(a)のように正の収差をもつことを意味し、線9c
のように右下がりの線であれば、図22(c)に示すよ
うに負の収差をもつことを意味する。したがってこれか
ら上記ようにカソードと第2グリッドとの間に4極子レ
ンズを形成する電子銃では、曲線CV からわかるように
垂直方向の収差が可なり大きくなる。そのため、このよ
うな電子銃では、蛍光体スクリーン周辺部に偏向される
電子ビームの偏向収差は軽減できても、蛍光体スクリー
ン中央部でのビームスポットの垂直方向の径が大きくな
り、解像度が劣化する。
FIG. 21 is a diagram showing the relationship between the horizontal axis indicating the radial distance r from the center of the electron emission surface of the cathode and the vertical axis indicating the point Lvc. The curve CH shows the characteristics of the electron beam in the horizontal direction, and the curve CV shows the characteristics of the electron beam in the vertical direction. If it is a straight horizontal line like the line 9b shown in FIG.
As shown by 10, 11, and 12, one point O (O1, O
2, O3) means that the electron beam is emitted (aberration free), and if the line is a line rising to the right like line 9a, it means having positive aberration as shown in FIG. 22 (a). Then line 9c
If the line is a line descending to the right, it means that it has a negative aberration as shown in FIG. Therefore, from this, in the electron gun in which the quadrupole lens is formed between the cathode and the second grid as described above, the aberration in the vertical direction becomes considerably large as can be seen from the curve CV. Therefore, in such an electron gun, although the deflection aberration of the electron beam deflected to the peripheral portion of the phosphor screen can be reduced, the vertical diameter of the beam spot in the central portion of the phosphor screen becomes large and the resolution deteriorates. To do.

【0018】なお、特開昭55−124933号公報お
よび特開昭56−91360号公報などには、電子ビー
ム通過孔の構造として、図23に示すように、インライ
ン形カラー受像管の電子銃の主レンズ部を形成する電極
に一列配置の3個の電子ビーム通過孔14を繋げたものが
示されている。しかしこの電子ビーム通過孔14は、主レ
ンズ部を構成する円筒レンズの大口径化を目的としたも
のであり、離軸ビームに対するレンズ作用と近軸ビーム
に対するレンズ作用を調整するものではない。
In Japanese Patent Laid-Open No. 55-124933 and Japanese Patent Laid-Open No. 56-91360, the structure of the electron beam passage hole is shown in FIG. 23 as an in-line type color picture tube electron gun. It is shown that three electron beam passage holes 14 arranged in a row are connected to the electrodes forming the main lens portion. However, the electron beam passage hole 14 is intended to increase the diameter of the cylindrical lens forming the main lens portion, and does not adjust the lens action for the off-axis beam and the lens action for the paraxial beam.

【0019】また、実開昭55−52764号公報に
は、カラー受像管の解像度を向上させるために、図24
に示すように、電子銃の第1および第2グリッドの少な
くとも一方の電子ビーム通過孔15を、円形孔と蛍光体ス
クリーンを構成するストライプ状の3色蛍光体層の長手
方向に長い矩形状孔とを重ねた形状にしたものが示され
ている。さらに、実開昭59−41966号公報には、
ビームインデックス方式カラー受像管のビームスポット
形状を改善するために、図25に示すように、第1グリ
ッドの電子ビーム通過孔16を矩形孔の四隅部円弧状の切
欠き17を設けた形状にしたものが示されている。
Further, in Japanese Utility Model Laid-Open No. 55-52764, in order to improve the resolution of a color picture tube, FIG.
As shown in, the electron beam passage hole 15 of at least one of the first and second grids of the electron gun is formed into a circular hole and a rectangular hole long in the longitudinal direction of the stripe-shaped three-color phosphor layer forming the phosphor screen. The shape in which and are overlapped is shown. Furthermore, in Japanese Utility Model Publication No. 59-41966,
In order to improve the beam spot shape of the beam index type color picture tube, as shown in FIG. 25, the electron beam passage hole 16 of the first grid is formed into a shape provided with notches 17 in the four corners of a rectangular hole. Things are shown.

【0020】[0020]

【発明が解決しようとする課題】上記のように、陰極線
管の解像度を良好にするためには、基本的に電子銃の性
能を向上させて、蛍光体スクリーン上のビームスポット
を小さくすることが必要である。しかし、従来の電子銃
では、第1および第2グリッドにより形成されるカソー
ドレンズにより、近軸ビームよりも離軸ビームの方が強
く集束され、クロスオーバですでに収差をもち、さらに
プリフォーカスレンズや主レンズ部で収差が加算される
ため、電子ビームを蛍光体スクリーン上に適正に集束さ
せても、この蛍光体スクリーン上でのビームスポットを
小さくすることが困難である。これを解決するため、電
子レンズ部に4極子レンズや楕円レンズなどのアスティ
グレンズを形成して収差を軽減する手段が知られている
が、このようなアスティグレンズを用いると、一方向た
とえば水平方向の収差は軽減できても、垂直方向には、
収差が増大したりあるいは電子レンズの倍率を悪くす
る。特にクロスオーバでの収差が可なり大きくなり、蛍
光体スクリーン上のビームスポットを小さくすることが
できない。
As described above, in order to improve the resolution of the cathode ray tube, it is basically necessary to improve the performance of the electron gun and reduce the beam spot on the phosphor screen. is necessary. However, in the conventional electron gun, the decentered beam is more strongly focused than the paraxial beam due to the cathode lens formed by the first and second grids, and there is already aberration at the crossover. Since aberration is added in the main lens portion, it is difficult to reduce the beam spot on the phosphor screen even if the electron beam is properly focused on the phosphor screen. In order to solve this, there is known a means for reducing aberration by forming an astigmatic lens such as a quadrupole lens or an elliptical lens in the electronic lens part. However, when such an astigmatic lens is used, one direction, for example, Even though the horizontal aberration can be reduced, in the vertical direction,
Aberration increases or the magnification of the electron lens deteriorates. In particular, the aberration at the crossover becomes considerably large, and the beam spot on the phosphor screen cannot be reduced.

【0021】この発明は、上記問題点を解決するために
なされたものであり、ターゲット(蛍光体スクリーン)
上のビームスポットを小さくして、解像度のすぐれた陰
極線管を構成することを目的とする。
The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and a target (phosphor screen)
The purpose is to reduce the upper beam spot and to construct a cathode ray tube with excellent resolution.

【0022】[0022]

【課題を解決するための手段】少なくともカソード、第
1および第2グリッドを有し、上記カソードからの電子
放出を制御しかつ放出された電子を集束して電子ビーム
を形成する電子ビーム形成部と、上記電子ビームをター
ゲット上に集束する主レンズとを有する電子銃を備える
陰極線管において、第1グリッドに円形状または非円形
状の主孔と、この主孔の周囲に近接または径小部を介し
て繋がった補助孔とからなる電子ビーム通過孔を形成し
た。
An electron beam forming unit having at least a cathode, first and second grids, for controlling electron emission from the cathode and focusing the emitted electrons to form an electron beam. In a cathode ray tube equipped with an electron gun having a main lens for focusing the electron beam on a target, a circular or non-circular main hole is provided in the first grid, and a proximity or small diameter portion is provided around the main hole. An electron beam passage hole composed of an auxiliary hole connected through the hole was formed.

【0023】[0023]

【作用】上記のように、第1グリッドに円形状または非
円形状の主孔と、この主孔の周囲に近接または径小部を
介して繋がった補助孔とからなる電子ビーム通過孔を形
成すると、第1グリッドの電子ビーム通過孔を介してカ
ソード側に浸透する電位を大幅に緩和でき、離軸ビーム
に対するカソードレンズの集束力を弱めて、近軸ビーム
に対する集束力と同等あるいは逆に近軸ビームに対する
集束力よりも弱めることができる。したがって第1グリ
ッドの主孔に対して補助孔を所定方向に形成することに
より、その所定方向のクロスオーバでの収差をなくす
か、あるいは逆収差をもたせることができ、クロスオー
バ通過後、電子レンズの収差が加算されても、ターゲッ
ト上のビームスポットをきわめて小さくすることができ
る。
As described above, an electron beam passage hole is formed in the first grid, the main hole having a circular or non-circular shape, and the auxiliary hole that is connected to the periphery of the main hole through a proximity or a small diameter portion. Then, the potential penetrating to the cathode side through the electron beam passage holes of the first grid can be greatly relaxed, and the focusing power of the cathode lens for the off-axis beam is weakened to be equal to or opposite to the focusing force for the paraxial beam. It can be weaker than the focusing force on the axial beam. Therefore, by forming the auxiliary holes in the predetermined direction with respect to the main holes of the first grid, the aberration at the crossover in the predetermined direction can be eliminated or the reverse aberration can be provided. The beam spot on the target can be made extremely small even if the aberrations of are added.

【0024】[0024]

【実施例】以下、図面を参照してこの発明を実施例に基
づいて説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will now be described based on embodiments with reference to the drawings.

【0025】図1にその一実施例であるモノクロ受像管
を示す。このモノクロ受像管は、フェースプレート20
と、このフェースプレート20に溶着されたコーン部21
と、このコーン部21に溶着されたネック22からなる外囲
器を有し、そのフェースプレート20内面に蛍光体スクリ
ーン23が形成され、またネック22内に電子銃24が配設さ
れている。そして、この電子銃24から放出される電子ビ
ーム25を外囲器の外側に装着された偏向ヨーク26の発生
する磁界により偏向して、上記蛍光体スクリーン23を水
平、垂直走査することにより、白黒画像を表示する構造
に形成されている。
FIG. 1 shows a monochrome picture tube which is an embodiment of the present invention. This monochrome picture tube has a face plate 20
And the cone portion 21 welded to this face plate 20
Further, it has an envelope including a neck 22 welded to the cone portion 21, a phosphor screen 23 is formed on the inner surface of the face plate 20, and an electron gun 24 is arranged in the neck 22. Then, the electron beam 25 emitted from the electron gun 24 is deflected by a magnetic field generated by a deflection yoke 26 mounted on the outside of the envelope, and the phosphor screen 23 is horizontally and vertically scanned to obtain a black and white image. It is formed in a structure for displaying an image.

【0026】上記電子銃24は、図2に示すように、1個
のカソードK、このカソードKを加熱するヒータ(図示
せず)およびカソードKから順次隣接して蛍光体スクリ
ーン23方向に配列された第1ないし第4グリッドG1〜G4
を有し、それらが一対の絶縁支持体(図示せず)により
一体に固定されている。
As shown in FIG. 2, the electron gun 24 has one cathode K, a heater (not shown) for heating the cathode K, and the cathode K, which are sequentially adjacent to each other and are arranged in the direction of the phosphor screen 23. 1st to 4th grids G1 to G4
And they are integrally fixed by a pair of insulating supports (not shown).

【0027】その第1グリッドG1は、板状の電極からな
り、カソードKと対向する部分に、図3(a)に示すよ
うに、円形状の主孔28M と、この主孔28M に近接して上
下(垂直方向)に位置する2個の円形状の補助孔28S が
形成された電子ビーム通過孔29が設けられている。この
補助孔28S は、主孔28M より小さく、かつ主孔28M と微
小間隔d離間して設けられている。なお、このような電
子ビーム通過孔29は、プレス加工やエッチングにより容
易に形成することができる。
The first grid G1 is composed of a plate-shaped electrode, and in a portion facing the cathode K, as shown in FIG. 3 (a), a circular main hole 28M and a main hole 28M close to the main hole 28M. And an electron beam passage hole 29 in which two circular auxiliary holes 28S are formed vertically (vertically). The auxiliary hole 28S is smaller than the main hole 28M and is provided at a minute distance d from the main hole 28M. The electron beam passage hole 29 can be easily formed by press working or etching.

【0028】また第2グリッドG2は、同様に板状の電極
からなり、この第2グリッドG2には、図3(b)に示す
ように、第1グリッドの主孔とほぼ同じ大きさの円形状
の電子ビーム通過孔30が設けられている。さらに第3グ
リッドG3は、カップ状の電極からなり、その第2グリッ
ドG2側には、図3(c)に示すように、第2グリッドG2
の電子ビーム通過孔30よりもやや大きい円形状の電子ビ
ーム通過孔31が設けられ、第4グリッドG4側には、図3
(d)に示すように、さらに大きな円形状の電子ビーム
通過孔32が設けられている。さらにまた第4グリッドG4
は、筒状の電極からなり、これら電極には、図3(e)
に示すように、第3グリッドG3の第4グリッドG4側の電
子ビーム通過孔と同じ大きさの円形状の電子ビーム通過
孔33が設けられている。
The second grid G2 is also composed of a plate-like electrode, and the second grid G2 has a circle of approximately the same size as the main hole of the first grid, as shown in FIG. 3 (b). A shaped electron beam passage hole 30 is provided. Further, the third grid G3 is composed of a cup-shaped electrode, and the second grid G2 is provided on the second grid G2 side as shown in FIG. 3 (c).
A circular electron beam passage hole 31 that is slightly larger than the electron beam passage hole 30 of FIG.
As shown in (d), a larger circular electron beam passage hole 32 is provided. Furthermore, the fourth grid G4
Consists of cylindrical electrodes, and these electrodes are shown in FIG.
As shown in, a circular electron beam passage hole 33 having the same size as the electron beam passage hole on the fourth grid G4 side of the third grid G3 is provided.

【0029】具体的には、上記電子銃24の各電極は、つ
ぎのように設定される。
Specifically, each electrode of the electron gun 24 is set as follows.

【0030】 第1グリッドG1の主孔28M の直径:0.54mm 第1グリッドG1の補助孔28S の直径:0.20mm 主孔28M と補助孔28S との間隔d:0.1mm 第2グリッドG2の電子ビーム通過孔30の直径:0.54
mm 第3グリッドG3の第2グリッドG2側の電子ビーム通過孔
の直径:1.3mm 第3グリッドG3の第4グリッドG4側の電子ビーム通過孔
31の直径:4.52mm 第4グリッドG4の電子ビーム通過孔の直径:4.52mm 第1グリッドG1の板厚:0.10mm 第2グリッドG2の板厚:0.20mm カソードKと第1グリッドG1との間隔:0.10mm 第1グリッドG1と第2グリッドG2との間隔:0.20mm 第2グリッドG2と第3グリッドG3との間隔:1.0mm 第3グリッドG3と第4グリッドG4との間隔:1.0mm この電子銃24には、動作時、カソードKに0〜200V
の電圧に映像信号を重畳した電圧、第1グリッドG1に0
V、第2グリッドG2に500〜1000V、第3グリッ
ドG3に5〜10kV、第4グリッドG4に25〜32kVの電
圧が印加される。
Diameter of the main hole 28M of the first grid G1: 0.54 mm Diameter of the auxiliary hole 28S of the first grid G1: 0.20 mm Distance between the main hole 28M and the auxiliary hole 28S d: 0.1 mm Second grid G2 Diameter of electron beam passage hole 30: 0.54
mm Diameter of the electron beam passage hole on the second grid G2 side of the third grid G3: 1.3 mm Electron beam passage hole on the fourth grid G4 side of the third grid G3
Diameter of 31: 4.52 mm Diameter of electron beam passage hole of fourth grid G4: 4.52 mm Thickness of first grid G1: 0.10 mm Thickness of second grid G2: 0.20 mm Cathode K and first grid Distance from G1: 0.10 mm Distance between first grid G1 and second grid G2: 0.20 mm Distance between second grid G2 and third grid G3: 1.0 mm Third grid G3 and fourth grid G4 Distance: 1.0mm This electron gun 24 has 0-200V at cathode K during operation.
The voltage of the video signal superimposed on the voltage of 0, 0 to the first grid G1
V, a voltage of 500 to 1000 V is applied to the second grid G2, a voltage of 5 to 10 kV is applied to the third grid G3, and a voltage of 25 to 32 kV is applied to the fourth grid G4.

【0031】これら電圧の印加によりこの電子銃24で
は、カソードKおよび第1ないし第3グリッドG1〜G3に
より電子ビーム形成部GEAが形成され、第3および第4
グリッドG3,G4により主レンズMLA が形成され、カソー
ドKから放出される電子は、その第1および第2グリッ
ドG1,G2に形成されるカソードレンズによりクロスオー
バを形成し、第2および第3グリッドG2,G3により形成
されるプリフォーカスレンズによりわずかに集束されて
発散しながら第3グリッドG3に入射し、その後、第3お
よび第4グリッドG3,G4により形成される主レンズMLA
により蛍光体スクリーン23上に集束される。
By applying these voltages, in the electron gun 24, the electron beam forming part GEA is formed by the cathode K and the first to third grids G1 to G3.
The main lenses MLA are formed by the grids G3 and G4, and the electrons emitted from the cathode K form a crossover by the cathode lenses formed on the first and second grids G1 and G2, and the second and third grids are formed. The main lens MLA formed by the third and fourth grids G3, G4 after being slightly converged by the prefocus lens formed by G2, G3 and entering the third grid G3 while diverging.
Are focused on the phosphor screen 23 by.

【0032】この場合、電子ビーム形成部GEA での第2
グリッドG2からの電位は、第1グリッドG1の電子ビーム
通過孔29を介してカソードK側に浸透し、図4の上半部
に示すように、垂直方向については、補助孔を介してカ
ソードK側に浸透する電位が主孔を介して浸透する電位
を引上げる。したがって離軸ビーム34b は、近軸ビーム
34a と同様にカソードKから遠く離れた中心軸上で交差
し、クロスオーバCOの径は小さくなる。同時に垂直方向
の最大発散角θ3Vmax が小さくなる。その結果、第3グ
リッドG3に入射する電子ビーム25のカソードK側への延
長が中心軸と交差する点LVCは、図5に曲線CV で示す
ようになる。すなわち、図21に示した従来の電子銃の
それにくらべて、曲線CV の傾斜が緩やかになり、クロ
スオーバCOにおける垂直方向の収差をいちじるしく小さ
くすることができる。
In this case, the second beam in the electron beam forming unit GEA
The potential from the grid G2 permeates to the cathode K side through the electron beam passage hole 29 of the first grid G1 and, as shown in the upper half of FIG. The potential penetrating to the side raises the potential penetrating through the main pores. Therefore, the off-axis beam 34b is a paraxial beam.
Similar to 34a, it intersects on the central axis far away from the cathode K, and the diameter of the crossover CO becomes smaller. At the same time, the vertical maximum divergence angle θ3Vmax decreases. As a result, the point LVC at which the extension of the electron beam 25 incident on the third grid G3 toward the cathode K side intersects the central axis becomes as shown by the curve CV in FIG. That is, as compared with the conventional electron gun shown in FIG. 21, the inclination of the curve CV becomes gentle, and the aberration in the vertical direction at the crossover CO can be remarkably reduced.

【0033】一方、水平方向については、第1グリッド
G1の電子ビーム通過孔29を介してカソードK側に浸透す
る第2グリッドG2からの電位は、補助孔の影響がほとん
どなく、図4の下半部に示すように、クロスオーバCO径
および水平方向の最大発散角θ3Hmax は、従来の電子銃
の場合とほぼ同じ(図20参照)てあり、図5に示した
点LVCに関する曲線CH も、従来の電子銃のそれとほぼ
同じであり、同程度の収差をもつ。
On the other hand, in the horizontal direction, the first grid
The potential from the second grid G2 penetrating to the cathode K side through the electron beam passage hole 29 of G1 is almost unaffected by the auxiliary hole, and as shown in the lower half of FIG. The maximum divergence angle θ3Hmax in the direction is almost the same as in the case of the conventional electron gun (see FIG. 20), and the curve CH regarding the point LVC shown in FIG. 5 is almost the same as that of the conventional electron gun, and about the same. With aberration.

【0034】したがって、このような電子ビーム25を主
レンズMLA により蛍光体スクリーン23上に集束するに当
り、たとえば水平方向を適正に集束したとすると、水平
方向と垂直方向とで集束条件が異なるため、垂直方向に
は、未集束状態となる。しかし、垂直方向には、上記の
ように収差がないため、蛍光体スクリーン23上のビーム
スポットの垂直方向の径は、適正集束されたビームスポ
ットの水平方向の径とほぼ同じ大きさにすることができ
る。
Therefore, when focusing such an electron beam 25 on the phosphor screen 23 by the main lens MLA, if the horizontal direction is properly focused, the focusing conditions are different between the horizontal direction and the vertical direction. , In the vertical direction, it is in an unfocused state. However, since there is no aberration in the vertical direction as described above, the vertical diameter of the beam spot on the phosphor screen 23 should be approximately the same as the horizontal diameter of the properly focused beam spot. You can

【0035】またこのような電子ビーム25は、図19に
示したピンクッション形水平偏向磁界により偏向して
も、垂直方向には未集束状態であるため、図6に示すよ
うに、偏向収差による過集束を打消して、蛍光体スクリ
ーン周辺部においても良好なビームスポットSPが得られ
る。したがって、前記特開昭54−85667号公報に
示されている電子銃などのように蛍光体スクリーン周辺
部でのビームスポットの垂直方向径を劣化することな
く、陰極線管の解像度を向上させることができる。
Further, even if such an electron beam 25 is deflected by the pincushion type horizontal deflection magnetic field shown in FIG. 19, it is in an unfocused state in the vertical direction. Therefore, as shown in FIG. By canceling the overfocusing, a good beam spot SP can be obtained even in the peripheral portion of the phosphor screen. Therefore, the resolution of the cathode ray tube can be improved without deteriorating the vertical diameter of the beam spot in the peripheral portion of the phosphor screen as in the electron gun disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 54-85667. it can.

【0036】また前記特開昭54−85667号公報の
電子銃では、電子ビームの水平方向の最大発散角θ2Hma
x が、カソードと第2グリッドとの間に4極子レンズを
形成しない従来の電子銃の水平方向の最大発散角θ1Hma
x にくらべて大きくなる(θ2Hmax >θ1Hmax )のに対
し、この例の電子銃24では、ほぼ同等となる。
In the electron gun disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 54-85667, the maximum divergence angle .theta.2Hma of the electron beam in the horizontal direction.
x is the maximum horizontal divergence angle θ1Hma of a conventional electron gun in which a quadrupole lens is not formed between the cathode and the second grid.
It becomes larger than x (θ2Hmax> θ1Hmax), while the electron gun 24 of this example has almost the same value.

【0037】なお、上記クロスオーバCOにおける垂直方
向の収差を小さくする度合いは、主孔28M の大きさ、補
助孔28S の大きさ、主孔28M と補助孔28S との間隔d、
第1グリッドG1と第2グリッドG2との間隔、カソードK
と第1グリッドG1との間隔などにより変化する。特に主
孔28M と補助孔28S との間隔dが広くなり過ぎると、主
孔28M を介してカソードKに浸透する電位に対する補助
孔28S を介して浸透する電位の引上げ作用が弱まり、所
期の効果が得られなくことがある。
The degree to which the vertical aberration in the crossover CO is reduced is determined by the size of the main hole 28M, the size of the auxiliary hole 28S, the distance d between the main hole 28M and the auxiliary hole 28S,
Distance between first grid G1 and second grid G2, cathode K
And the first grid G1 and the like. In particular, if the distance d between the main hole 28M and the auxiliary hole 28S becomes too wide, the effect of raising the potential that permeates through the auxiliary hole 28S with respect to the potential that permeates the cathode K through the main hole 28M weakens, and the desired effect is obtained. May not be obtained.

【0038】さらにこの例の電子銃24において重要なこ
とは、カソードKと第1グリッドG1との間に形成される
電位を操作するということである。すなわち、第1グリ
ッドG1の電子ビーム通過孔29に接近してカソードKの電
子放出面が広がっているため、カソードKの電子放出面
の電位が第1グリッドG1の電子ビーム通過孔29を介して
浸透してくる電位と呼応し、離軸ビーム34b に対するレ
ンズ作用を容易に調整することができ、さらに離軸ビー
ム34b に対するレンズ作用を近軸ビーム34a に対するレ
ンズ作用よりも弱めて、逆方向の収差(負の収差)を生
み出すこともできるという効果が得られる。
Furthermore, what is important in the electron gun 24 of this example is that the electric potential formed between the cathode K and the first grid G1 is manipulated. That is, since the electron emission surface of the cathode K spreads close to the electron beam passage hole 29 of the first grid G1, the electric potential of the electron emission surface of the cathode K passes through the electron beam passage hole 29 of the first grid G1. In response to the penetrating potential, the lens action on the off-axis beam 34b can be easily adjusted. Furthermore, the lens action on the off-axis beam 34b is weakened more than the lens action on the paraxial beam 34a, and the aberration in the opposite direction is reduced. (Negative aberration) can be produced.

【0039】さらにまた補助孔28S の孔径を大きくした
り、あるいは主孔28M と補助孔28Sとの間隔dを広くし
てゆくと、第1グリッドG1の電子ビーム通過孔29を介し
てカソードK側に浸透する第2グリッドG2の電位は、図
7に示すようになり、その結果、垂直方向における第3
グリッドG3に入射する電子ビーム25のカソードK側への
延長が中心軸と交差する点LVCは、図5に示した曲線C
v のようになり、クロスオーバにおいて負の収差をもっ
た電子ビームとすることができ、このような電子ビーム
を主レンズに入射させることにより、主レンズのもつ正
の収差を打消し、蛍光体スクリーン上に収差成分のきわ
めい少ないビームスポットを形成することができるとい
う効果が得られる。
If the hole diameter of the auxiliary hole 28S is further increased or the distance d between the main hole 28M and the auxiliary hole 28S is increased, the cathode K side is passed through the electron beam passage hole 29 of the first grid G1. The electric potential of the second grid G2 penetrating into the space becomes as shown in FIG.
The point LVC at which the extension of the electron beam 25 incident on the grid G3 toward the cathode K side intersects the central axis is the curve C shown in FIG.
As shown in v, the electron beam can be made to have a negative aberration at the crossover. By injecting such an electron beam into the main lens, the positive aberration of the main lens is canceled and the phosphor is It is possible to obtain an effect that a beam spot with few aberration components can be formed on the screen.

【0040】なお、前記実施例では、主レンズ部を第3
および第4グリッドにより形成される円筒レンズとした
ものについて説明したが、この主レンズ部は、たとえば
特開昭54−89472号公報などに示されている複合
型の主レンズでもよく、その他、非対称レンズでもよ
い。
In the above-mentioned embodiment, the main lens portion is the third lens.
The cylindrical lens formed by the fourth grid has been described, but the main lens portion may be a compound type main lens disclosed in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 54-89472, and other asymmetrical lenses. It may be a lens.

【0041】また、前記実施例では、第1グリッドの電
子ビーム通過孔を円形状の主孔と同じく円形状の補助孔
とで構成したが、この第1グリッドの主孔および補助孔
は、少なくともその一方を非円形状孔とてもよく、たと
えば図8に示すように、楕円状の主孔28M と円形状の補
助孔28S で構成してもよい。
In the above embodiment, the electron beam passage hole of the first grid is composed of the circular main hole and the circular auxiliary hole. However, at least the main hole and the auxiliary hole of the first grid are formed. One of them may be a non-circular hole, for example, an elliptical main hole 28M and a circular auxiliary hole 28S, as shown in FIG.

【0042】さらに、前記実施例では、主孔に対して補
助孔を垂直方向に設けたが、図9(a)ないし(e)に
示すように、主孔28M を円形状または非円形状孔(図面
では楕円状)とし、この主孔28M に対して補助孔28S を
水平方向(左右)、斜め方向に設けてもよい。すなわ
ち、前記実施例のように主孔に対して補助孔を垂直方向
に設けただけでも、クロスオーバCOにおける収差は、垂
直方向ばかりでなく、斜め方向でもある程度軽減される
が、さらに水平方向や斜め方向に設けることにより、水
平、垂直、斜め方向の各方向にわたり、クロスオーバCO
における収差を小さくすることができる。
Further, in the above-described embodiment, the auxiliary hole is provided in the direction perpendicular to the main hole. However, as shown in FIGS. 9 (a) to 9 (e), the main hole 28M is a circular or non-circular hole. (The shape is elliptical in the drawing), and the auxiliary hole 28S may be provided in the horizontal direction (left and right) and the oblique direction with respect to the main hole 28M. That is, even if the auxiliary hole is provided in the vertical direction with respect to the main hole as in the above-described example, the aberration in the crossover CO is reduced to some extent not only in the vertical direction but also in the oblique direction. By installing it diagonally, crossover CO
The aberration at can be reduced.

【0043】さらにまた、前記実施例では、主孔に対し
て微小間隔d離間して補助孔を設けたが、図10に示すよ
うに、この補助孔28S は、主孔28M と径小部32を介して
繋げてもよい。
Furthermore, in the above-mentioned embodiment, the auxiliary hole is provided at a minute distance d from the main hole. However, as shown in FIG. 10, this auxiliary hole 28S has a main hole 28M and a small diameter portion 32. You may connect through.

【0044】つぎに、他の実施例について説明する。Next, another embodiment will be described.

【0045】図11は、特開平2−202641号公報
に示されている電子銃と同じ電極配置の電子銃であり、
カソードK、このカソードKを加熱するヒータ(図示せ
ず)およびカソードKから順次隣接して蛍光体スクリー
ン方向に配列された第1ないし第6グリッドG1〜G6を有
し、それらが一対の絶縁支持体38により一体に固定され
た構造に形成されている。
FIG. 11 shows an electron gun having the same electrode arrangement as that of the electron gun disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 2-202641.
The cathode K, a heater (not shown) for heating the cathode K, and first to sixth grids G1 to G6 arranged in the phosphor screen direction are sequentially arranged adjacent to the cathode K, and they are a pair of insulating supports. The body 38 is integrally fixed.

【0046】その第1グリッドG1は、板状の電極からな
り、カソードKと対向する部分に、図8に示した楕円状
の主孔28M と、この主孔に近接して上下に位置する2個
の円形状の補助孔28S からなる電子ビーム通過孔が設け
られている。また第2グリッドG2は、同様に板状の電極
からなり、この第2グリッドG2には、図12(a)に示
すように、第1グリッドの主孔とほぼ同じ大きさの楕円
状の電子ビーム通過孔40が設けられている。さらに第3
ないし第5グリッドG3〜G5は、筒状の電極から、また第
6グリッドG6はカップ状の電極からなり、その第3グリ
ッドG3の第2グリッドG2側には、同(b)に示すよう
に、円形状の電子ビーム通過孔41が設けられている。ま
た第3グリッドG3の第4グリッドG4側、第4グリッドG4
の第3グリッドG3側、第4グリッドG4の第5グリッドG5
側、第5グリッドG5の第4グリッドG4側および第6グリ
ッドG6の第5グリッドG5側には、同(c)に示すよう
に、横(水平)長の電子ビーム通過孔42が設けられてい
る。さらに第5グリッドG5の第6グリッドG6側には、同
(d)に示すように、縦(垂直)長の電子ビーム通過孔
43が設けられている。
The first grid G1 is composed of a plate-shaped electrode, and has an elliptical main hole 28M shown in FIG. 8 at a portion facing the cathode K, and is located vertically above and below the main hole 28M. An electron beam passage hole composed of individual circular auxiliary holes 28S is provided. The second grid G2 is also composed of a plate-like electrode, and the second grid G2 has an elliptical electron of approximately the same size as the main hole of the first grid, as shown in FIG. 12 (a). A beam passage hole 40 is provided. Furthermore, the third
The fifth to fifth grids G3 to G5 are cylindrical electrodes, the sixth grid G6 is a cup-shaped electrode, and the third grid G3 has a second grid G2 side as shown in (b). A circular electron beam passage hole 41 is provided. The fourth grid G4 side of the third grid G3, the fourth grid G4
3rd grid G3 side, 4th grid G4 5th grid G5
On the side, on the side of the fourth grid G4 of the fifth grid G5 and on the side of the fifth grid G5 of the sixth grid G6, as shown in (c), a lateral (horizontal) long electron beam passage hole 42 is provided. There is. Further, on the sixth grid G6 side of the fifth grid G5, as shown in FIG.
43 is provided.

【0047】この電子銃では、カソードKに0〜200
Vの電圧に映像信号を重畳した電圧、第1グリッドG1に
0V、第2グリッドG2に500〜1000V、第3グリ
ッドG3に5〜10kV、第4グリッドG4に0〜5kV、第5
グリッドG5に15〜25kV、第6グリッドG6に25〜3
0kVの電圧が印加される。
In this electron gun, the cathode K has a value of 0-200.
A voltage obtained by superimposing a video signal on a voltage of V, 0 V for the first grid G1, 500-1000 V for the second grid G2, 5-10 kV for the third grid G3, 0-5 kV for the fourth grid G4, and the fifth.
15-25kV on grid G5, 25-3 on 6th grid G6
A voltage of 0 kV is applied.

【0048】これら電圧の印加によりこの電子銃では、
カソードKおよび第1ないし第3グリッドG1〜G3により
電子ビーム形成部GEA が形成され、第3および第6グリ
ッドG3,G6により主レンズ部MLAが形成され、図13
(b)および(c)に(a)の電極構成と対比して示す
ように、カソードKから放出される電子は、その第1お
よび第2グリッドG1,G2に形成されるカソードレンズに
よりクロスオーバCOを形成し、第2および第3グリッド
G2,G3により形成されるプリフォーカスレンズPLにより
わずかに集束されて発散しながら第3グリッドG3に入射
する。その後、水平方向には、第5および第6グリッド
G5,G6により形成される4極子レンズQLにより集束作用
を受けて蛍光体スクリーン23上に集束され、収差成分の
少ないビームスポットspが得られる。
By applying these voltages, this electron gun
The cathode K and the first to third grids G1 to G3 form an electron beam forming portion GEA, and the third and sixth grids G3 and G6 form a main lens portion MLA.
As shown in (b) and (c) in comparison with the electrode configuration of (a), the electrons emitted from the cathode K are crossed over by the cathode lenses formed in the first and second grids G1 and G2. Forming CO, 2nd and 3rd grid
The light is slightly converged by the prefocus lens PL formed by G2 and G3 and enters the third grid G3 while diverging. Then in the horizontal direction, 5th and 6th grids
The quadrupole lens QL formed by G5 and G6 is focused on the phosphor screen 23 by the focusing action, so that a beam spot sp with a small aberration component is obtained.

【0049】これに対し、垂直方向には、第3および第
4グリッドG3,G4により形成される電子レンズVLにより
集束され、さらに第5および第6グリッドG5,G6により
形成される4極子レンズQLにより発散作用を受けて、蛍
光体スクリーン23に集束される。したがって、垂直方向
には、主レンズ部MLA に垂直方向のみに作用する電子レ
ンズVLが形成されるだけ、水平方向にくらべて収差が多
くなる。しかし垂直方向には、第1グリッドG1に主孔28
M の上下に補助孔28S が位置する電子ビーム通過孔29が
設けられているため、電子ビーム形成部GEA で形成され
る電子ビームの収差がきわめて小さく、かつ電子ビーム
の発散角も小さくなるため、垂直方向についても、蛍光
体スクリーン23上のビームスポットspを小さくすること
ができる。
On the other hand, in the vertical direction, the quadrupole lens QL is focused by the electron lens VL formed by the third and fourth grids G3 and G4, and is further formed by the fifth and sixth grids G5 and G6. Is focused on the phosphor screen 23 by being diverged. Therefore, as the electron lens VL acting only in the vertical direction is formed in the main lens portion MLA in the vertical direction, the aberration increases compared to the horizontal direction. However, in the vertical direction, the main hole 28 is formed in the first grid G1.
Since the electron beam passage holes 29 in which the auxiliary holes 28S are located above and below M are provided, the aberration of the electron beam formed in the electron beam forming unit GEA is extremely small and the divergence angle of the electron beam is also small. Also in the vertical direction, the beam spot sp on the phosphor screen 23 can be reduced.

【0050】なお、この例の電子銃については、第1グ
リッドの主孔および第2グリッドの電子ビーム通過孔を
それぞれ楕円状としたが、図3(a)に示したように、
円形状としても、十分にその効果は期待できる。
In the electron gun of this example, the main holes of the first grid and the electron beam passage holes of the second grid are each elliptical, but as shown in FIG.
Even with a circular shape, the effect can be expected sufficiently.

【0051】図14に示した電子銃は、特願平1−25
7091号および特願平1−275953号に示されて
いる電子銃と同じ電極配置のインライン型カラー受像管
用電子銃である。この電子銃は、水平方向に一列に配置
された3個のカソードKB,KG,KR、その各カソードKB,
KG,KRに各別に加熱する3個のヒータH(図示せず)、
カソードKB,KG,KRから順次隣接して蛍光体スクリーン
23方向配列された一体構造の第1乃至第10グリッドG1〜
G10 を有し、それらが一対の絶縁支持体(図示せず)に
より一体に固定されている。
The electron gun shown in FIG. 14 corresponds to Japanese Patent Application No. 1-25.
This is an in-line type color picture tube electron gun having the same electrode arrangement as the electron guns shown in Japanese Patent Application No. 7091 and Japanese Patent Application No. 1-275953. This electron gun consists of three cathodes KB, KG, KR arranged in a line in the horizontal direction, and their respective cathodes KB,
Three heaters H (not shown) for separately heating KG and KR,
Phosphor screens adjacent to the cathodes KB, KG, KR sequentially
1st to 10th grids G1 having a one-piece structure arranged in 23 directions
G10, which are fixed together by a pair of insulating supports (not shown).

【0052】その第1グリッドG1は、板状電極からな
り、各カソードKB,KG,KRと対向する部分に、図15に
示すように、円形状の主孔28M とこの主孔28M に近接し
て上下に位置する補助孔28S とからなる3個の電子ビー
ム通過孔29が設けられている。第2グリッドG2も板状電
極からなり、この第2グリッドG2には、3個のカソード
KB,KG,KRに対応して、第1グリッドG1の主孔28M とほ
ぼ同じ大きさの円形状の電子ビーム通過孔が設けられて
いる。また第3グリッドG3は2個のカップ状電極の突合
わせ構造からなり、その第2グリッドG2側には、3個の
カソードKB,KG,KRに対応して、上記第2グリッドG2の
電子ビーム通過孔よりも大きい3個の円形状の電子ビー
ム通過孔が形成されている。そして、カソードKB,KG,
KRからこの第3グリッドG3までの部分が、カソードKB,
KG,KRからの電子放出を制御しかつ集束して3電子ビー
ムを形成する電子ビーム形成部GEA を形成している。
The first grid G1 is composed of a plate-shaped electrode, and in the portion facing the cathodes KB, KG, KR, as shown in FIG. 15, a circular main hole 28M and a main hole 28M close to the main hole 28M. And three electron beam passage holes 29, each of which is composed of an auxiliary hole 28S which is located above and below, are provided. The second grid G2 also consists of plate-shaped electrodes, and there are three cathodes in this second grid G2.
Corresponding KB, KG, and KR are provided with circular electron beam passage holes of approximately the same size as the main holes 28M of the first grid G1. Further, the third grid G3 has a butt structure of two cup-shaped electrodes, and the second grid G2 has an electron beam of the second grid G2 corresponding to the three cathodes KB, KG, and KR. Three circular electron beam passage holes, which are larger than the passage holes, are formed. And the cathodes KB, KG,
The part from KR to this third grid G3 is the cathode KB,
An electron beam forming unit GEA is formed which controls and focuses electron emission from KG and KR to form a three electron beam.

【0053】また、第4グリッドG4は2個のカップ状電
極の突合わせ構造から、第5グリッドG5は4個のカップ
状電極の突合わせ構造からなり、上記第3グリッドG3の
第4グリッドG4側、第4グリッドG4および第5グリッド
G5の第4グリッドG4側には、3個のカソードKB,KG,KR
に対応して、上記第3グリッドG3の第2グリッドG2側の
電子ビーム通過孔とほぼ同じ大きさの3個の円形状の電
子ビーム通過孔が形成されている。また、第6ないし第
8グリッドG6〜G8は2個のカップ状電極の突合わせ構造
から、第9グリッドG9は3個のカップ状電極の突合わせ
構造からなり、特にその第9グリッドG9の先端部側のカ
ップ状電極45は、他の2個のカップ状電極より径大なカ
ップ状電極からなる。そして、その第5グリッドG5の第
6グリッドG6側、第6グリッドG6、第7グリッドG7、第
8グリッドG8および第9グリッドG9の第8グリッドG8側
には、水平方向に細長い3電子ビーム共通の1個の横長
の電子ビーム通過孔が形成されている。また、特に第9
グリッドG9の先端部を構成する径大なカップ電極46の内
側には、、3個のカソードKB,KG,KRに対応して水平方
向に一列配置に3個の非円形電子ビーム通過孔が形成さ
れている。さらに、第10グリッドG10 は第9グリッドG9
の先端部側を包囲する筒状電極からなる。そして、この
第3ないし第10グリッドG3〜G10 により主レンズ部MLA
が形成され、特に第9グリッドG9の先端部と第10グリッ
ドG10 との間に実質的に3電子ビームに対する共通の大
口径レンズを形成するものとなっている。
The fourth grid G4 has a butt structure of two cup-shaped electrodes, and the fifth grid G5 has a butt structure of four cup-shaped electrodes. The fourth grid G4 of the third grid G3. Side, 4th grid G4 and 5th grid
Three cathodes KB, KG, KR on the fourth grid G4 side of G5
Corresponding to the above, three circular electron beam passage holes having substantially the same size as the electron beam passage holes on the second grid G2 side of the third grid G3 are formed. Further, the sixth to eighth grids G6 to G8 have a butted structure of two cup-shaped electrodes, and the ninth grid G9 has a butted structure of three cup-shaped electrodes, and particularly the tip of the ninth grid G9. The cup-shaped electrode 45 on the side of the portion is composed of a cup-shaped electrode having a larger diameter than the other two cup-shaped electrodes. Then, the 6th grid G6 side of the 5th grid G5, the 6th grid G6, the 7th grid G7, the 8th grid G8 and the 8th grid G8 side of the 9th grid G9 are common to the three elongated electron beams in the horizontal direction. , One horizontally elongated electron beam passage hole is formed. Also, especially the ninth
Inside the large-diameter cup electrode 46 forming the tip of the grid G9, three non-circular electron beam passage holes are formed in a line in the horizontal direction corresponding to the three cathodes KB, KG, KR. Has been done. Furthermore, the 10th grid G10 is the 9th grid G9
It is composed of a cylindrical electrode surrounding the tip end side of the. Then, the main lens unit MLA is formed by the third to tenth grids G3 to G10.
In particular, a common large-diameter lens for three electron beams is substantially formed between the tip of the ninth grid G9 and the tenth grid G10.

【0054】この電子銃では、各カソードKB,KG,KRに
約150Vの電圧に映像信号を加えた電圧、第1グリッドG1
に0V、第2グリッドG2に500V〜1kV、第3、第5、第
7および第9グリッドG3,G5,G7,G9に5〜10kV、第4
グリッドG4に500 〜1kV、第6グリッドG6に0〜3kV、
第8グリッドG8に15〜20kV、第10グリッドG10 に25〜30
kVの電圧が印加される。
In this electron gun, each cathode KB, KG, KR has a voltage of about 150 V plus a video signal, the first grid G1.
0V to 500V to 1kV to the second grid G2, 5 to 10kV to the third, fifth, seventh and ninth grids G3, G5, G7, G9, and 4th
500 to 1 kV on the grid G4, 0 to 3 kV on the sixth grid G6,
15-20kV on 8th grid G8, 25-30k on 10th grid G10
A voltage of kV is applied.

【0055】これら電圧の印加により、図16(b)お
よび(c)に(a)の電極構成と対比して示すように、
各カソードKB,KG,KRから放出された電子ビームは、第
1、第2グリッドG1,G2により形成されるカソードレン
ズにより、第1のクロスオーバCO1 を形成し、さらに第
2、第3グリッドG2,G3により形成されるプリフォーカ
スレンズPLにより、わずかに集束されて、発散しながら
第3グリッドG3に入射する。この第3グリッドG3に入射
した3電子ビームは、第3ないし第10グリッドG3〜G10
により形成される主電子レンズ部MLAにより集束かつ集
中作用を受けて蛍光体スクリーン23上に集束しかつ集中
する。
By applying these voltages, as shown in FIGS. 16B and 16C in comparison with the electrode configuration of FIG.
The electron beam emitted from each cathode KB, KG, KR forms a first crossover CO1 by the cathode lens formed by the first and second grids G1, G2, and further the second and third grids G2. , G3, the light is slightly focused by the prefocus lens PL, and is incident on the third grid G3 while diverging. The three electron beams incident on the third grid G3 are transmitted to the third to tenth grids G3 to G10.
The main electron lens portion MLA formed by the above is subjected to the focusing and concentrating action to focus and concentrate on the phosphor screen 23.

【0056】すなわち、第1のクロスオーバCO1 を形成
して第3グリッドG3に入射する3電子ビームは、第3な
いし第5グリッドG3〜G5により形成される比較的弱い3
個のユニポテンシャル形電子レンズELSにより、水平、
垂直方向にそれぞれ少し集束される。ついで、第5グリ
ッドないし第7グリッドG5〜G7により形成される電子レ
ンズVL1 (第1電子レンズ)により、主として垂直方向
に強く集束される。その結果、3電子ビームは、垂直方
向には、第7グリッドG7の中間部に第2のクロスオーバ
CO2 を形成し、その後、発散しながら第8グリッドG8に
入射する。そして、第7ないし第9グリッドG7〜G9によ
り形成される電子レンズVL2 (第2電子レンズ)によ
り、それぞれ少し集束され、その後、第9、第10グリッ
ドG9,G10により形成される3電子ビーム共通の大口径
電子レンズLEL により、水平、垂直方向にそれぞれ集束
され、かつ一対のサイドビームついては、集中作用を受
け、蛍光体スクリーン23上に集束される。
That is, the three electron beams that form the first crossover CO1 and enter the third grid G3 are relatively weak three formed by the third to fifth grids G3 to G5.
With the unipotential type electron lens ELS,
It is slightly focused vertically. Then, it is strongly focused mainly in the vertical direction by the electron lens VL1 (first electron lens) formed by the fifth to seventh grids G5 to G7. As a result, the three electron beams vertically cross the second crossover in the middle part of the seventh grid G7.
CO2 is formed and then enters the eighth grid G8 while diverging. Then, the electron lenses VL2 (second electron lenses) formed by the seventh to ninth grids G7 to G9 are slightly focused respectively, and then the three electron beams common to the ninth and tenth grids G9 and G10 are common. With the large-diameter electron lens LEL, the light beams are horizontally and vertically focused, and the pair of side beams are subjected to a concentrating action and focused on the phosphor screen 23.

【0057】なお、図16において、47は偏向中心であ
る。
In FIG. 16, 47 is the deflection center.

【0058】この電子銃においても、垂直方向には、水
平方向にくらべて強く作用する電子レンズVL1 が形成さ
れるため、収差が多くなるが、第1グリッドG1に主孔28
M の上下に補助孔28S 位置する電子ビーム通過孔29が設
けられているため、電子ビーム形成部GEA で形成される
電子ビームの収差を小さくでき、かつ電子ビームの発散
角も小さくなるため、蛍光体スクリーン23上のビースポ
ットSPを小さくすることができる。
Also in this electron gun, since the electron lens VL1 that acts more strongly in the vertical direction than in the horizontal direction is formed, the aberration increases, but the main hole 28 is formed in the first grid G1.
Since the electron beam passage holes 29 located at the auxiliary holes 28S above and below M are provided, the aberration of the electron beam formed in the electron beam forming unit GEA can be reduced, and the divergence angle of the electron beam is also reduced. The bee spot SP on the body screen 23 can be reduced.

【0059】[0059]

【発明の効果】カソードに隣接して位置する第1グリッ
ドに円形状または非円形状の主孔と、この主孔の周囲に
近接または径小部を介して繋がった補助孔とからなる電
子ビーム通過孔を形成すると、第1グリッドの電子ビー
ム通過孔を介してカソード側に浸透する電位を大幅に緩
和でき、離軸ビームに対するカソードレンズの集束力を
弱め、近軸ビームに対する集束力と同等あるいは逆に近
軸ビームに対する集束力よりも弱めることができる。そ
の結果、第1グリッドの主孔に対して補助孔を所定方向
に形成することにより、その所定方向のクロスオーバ点
での収差をなくすか、あるいは逆収差をもつようにする
ことができ、クロスオーバ通過後に電子レンズの収差が
加算されても、ターゲット上でのビームスポットをきわ
めて小さくすることができ、解像度の良好な陰極線管と
することができる。
EFFECT OF THE INVENTION An electron beam having a circular or non-circular main hole in the first grid located adjacent to the cathode, and an auxiliary hole connected to the periphery of the main hole in the vicinity of the main hole or through a small diameter portion. By forming the passage hole, the potential penetrating to the cathode side through the electron beam passage hole of the first grid can be greatly relaxed, the focusing power of the cathode lens for the off-axis beam can be weakened, and the focusing force for the paraxial beam can be equalized or On the contrary, it can be made weaker than the focusing force for the paraxial beam. As a result, by forming the auxiliary hole in the predetermined direction with respect to the main hole of the first grid, it is possible to eliminate the aberration at the crossover point in the predetermined direction or to have the reverse aberration. Even if the aberration of the electron lens is added after passing over, the beam spot on the target can be made extremely small, and a cathode ray tube with good resolution can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明の一実施例であるモノクロ受像管の構
成を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a monochrome picture tube which is an embodiment of the present invention.

【図2】その電子銃の構成を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a configuration of the electron gun.

【図3】図3(a)はその第1クリッドの電子ビーム通
過孔の形状を示す図、図3(b)は第2クリッドの電子
ビーム通過孔の形状を示す図、図3(c)は第3クリッ
ドの第2クリッド側の電子ビーム通過孔の形状を示す
図、図3(d)は第3クリッドの第4クリッド側の電子
ビーム通過孔の形状を示す図、図3(e)は第4クリッ
ドの電子ビーム通過孔の形状を示す図である。
FIG. 3 (a) is a view showing the shape of an electron beam passage hole of the first clit, FIG. 3 (b) is a view showing a shape of an electron beam passage hole of the second clide, and FIG. 3 (c). FIG. 3D is a view showing the shape of an electron beam passage hole on the second clad side of the third clit, FIG. 3D is a view showing the shape of an electron beam passage hole on the fourth clide side of the third clide, and FIG. FIG. 7 is a diagram showing a shape of an electron beam passage hole of a fourth crid.

【図4】3次元コンピュータシュミレーションによる上
記一実施例の電子銃の電子ビーム形成部の状態を示す図
である。
FIG. 4 is a diagram showing a state of an electron beam forming unit of the electron gun of the above-described one embodiment by three-dimensional computer simulation.

【図5】上記一実施例の電子銃のクロスオーバの特性を
説明するための図である。
FIG. 5 is a diagram for explaining crossover characteristics of the electron gun of the above-described embodiment.

【図6】上記一実施例の電子銃から放出される電子ビー
ムをピンクッション形偏向磁界により偏向した場合のビ
ームスポットの形状を示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing the shape of a beam spot when an electron beam emitted from the electron gun of the above-described embodiment is deflected by a pincushion type deflection magnetic field.

【図7】上記一実施例の電子銃の第1クリッドの電子ビ
ーム通過孔のうち、補助孔を大きくしたり、あるいは主
孔と補助孔との間隔を広くした場合の3次元コンピュー
タシュミレーションによる上記電子銃の電子ビーム形成
部の状態を示すである。
FIG. 7 is a three-dimensional computer simulation of a case where the auxiliary hole of the electron beam passage hole of the first grid of the electron gun of the one embodiment is enlarged or the distance between the main hole and the auxiliary hole is increased. It is a state of an electron beam forming unit of the electron gun.

【図8】第1クリッドの異なる電子ビーム通過孔の形状
を示す図である。
FIG. 8 is a diagram showing the shapes of electron beam passage holes having different first crids.

【図9】図9(a)ないし(e)はそれぞれさらに異な
る第1クリッドの電子ビーム通過孔の形状を示す図であ
る。
9 (a) to 9 (e) are views showing the shapes of electron beam passage holes of the first clit which are different from each other.

【図10】さらに異なる第1クリッドの電子ビーム通過
孔の形状を示す図である。
FIG. 10 is a diagram showing the shape of an electron beam passage hole of a different first crid.

【図11】この発明の他の実施例の電子銃の構成を示す
図である。
FIG. 11 is a diagram showing a configuration of an electron gun according to another embodiment of the present invention.

【図12】図12(a)はその第2クリッドの電子ビー
ム通過孔の形状を示す図、図12(b)は第3クリッド
の第2クリッド側の電子ビーム通過孔の形状を示す図、
図12(c)は第3クリッドの第4クリッド側、第4ク
リッド、第5クリッドの第4クリッド側および第6クリ
ッドの第5クリッド側の電子ビーム通過孔の形状を示す
図、図12(d)は第5クリッドの第6クリッド側の電
子ビーム通過孔の形状を示す図である。
FIG. 12 (a) is a view showing the shape of an electron beam passage hole of the second clit, and FIG. 12 (b) is a view showing a shape of an electron beam passage hole of the third clyd on the second clide side;
FIG. 12C is a diagram showing the shapes of the electron beam passage holes on the fourth clad side of the third clyde, the fourth clyde side, the fourth clyde side of the fifth clyde, and the fifth clyde side of the sixth clide. FIG. 6D is a view showing the shape of the electron beam passage hole on the side of the sixth grid of the fifth grid.

【図13】上記他の実施例の電子銃の動作を説明するた
めの図で、図13(a)はその電子銃の電極構成図、図
13(b)および(c)はその動作説明図である。
13A and 13B are views for explaining the operation of the electron gun of the other embodiment, FIG. 13A is an electrode configuration diagram of the electron gun, and FIGS. 13B and 13C are operation explanatory diagrams thereof. Is.

【図14】この発明の異なる他の実施例の電子銃の構成
を示す図である。
FIG. 14 is a diagram showing the structure of an electron gun of another embodiment of the present invention.

【図15】その第1クリッドの電子ビーム通過孔の形状
を示す図である。
FIG. 15 is a view showing the shape of an electron beam passage hole of the first crid.

【図16】上記異なる他の実施例の電子銃の動作を説明
するための図で、図16(a)はその電子銃の電極構成
図、図16(b)および(c)はその動作説明図であ
る。
16A and 16B are views for explaining the operation of the electron gun according to the other different embodiment. FIG. 16A is an electrode configuration diagram of the electron gun, and FIGS. 16B and 16C are explanations of the operation. It is a figure.

【図17】従来のカラー受像管の電子銃の構成を示す図
である。
FIG. 17 is a diagram showing a configuration of a conventional electron gun of a color picture tube.

【図18】図18(a)はその電子ビーム形成部の構成
を示す図、図18(b)は3次元コンピュータシュミレ
ーションによるその電子ビーム形成部の状態を示す図で
ある。
18A is a diagram showing a configuration of the electron beam forming unit, and FIG. 18B is a diagram showing a state of the electron beam forming unit by three-dimensional computer simulation.

【図19】図19(a)は電子ビームに対するピンクッ
ション形水平偏向磁界の影響を示す図、図19(b)は
その場合のビームスポットの形状を示す図である。
19A is a diagram showing the effect of a pincushion type horizontal deflection magnetic field on an electron beam, and FIG. 19B is a diagram showing the shape of a beam spot in that case.

【図20】従来の異なる電子銃の3次元コンピュータシ
ュミレーションによるその電子ビーム形成部の状態を示
す図である。
FIG. 20 is a diagram showing a state of an electron beam forming unit of a conventional different electron gun by three-dimensional computer simulation.

【図21】上記従来の異なる電子銃のクロスオーバの特
性を説明するための図である。
FIG. 21 is a diagram for explaining the crossover characteristics of the above-mentioned different conventional electron guns.

【図22】図22(a)ないし(c)はそれぞれ異なる
クロスオーバの特性を示す図である。
22A to 22C are diagrams showing different crossover characteristics.

【図23】従来のさらに異なる電子銃の電極構造を示す
図である。
FIG. 23 is a diagram showing an electrode structure of still another conventional electron gun.

【図24】同じく従来のさらに異なる電子銃の電極構造
を示す図である。
FIG. 24 is a view showing an electrode structure of a different electron gun of the related art.

【図25】同じく従来のさらに異なる電子銃の電極構造
を示す図である。
FIG. 25 is a view showing an electrode structure of a different electron gun of the related art.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

23…蛍光体スクリーン 24…電子銃 25…電子ビーム 26…偏向ヨーク 28M …主孔 28S …補助孔 29…電子ビーム通過孔 34a …近軸ビーム 34b …離軸ビーム CO…クロスオーバ G1…第1グリッド G2…第2グリッド G3…第3グリッド G4…第4グリッド G5…第5グリッド G6…第6グリッド G7…第7グリッド G8…第8グリッド G9…第9グリッド G10 …第10グリッド GEA …電子ビーム形成部 K…カソード MLA …主レンズ部 SP…ビームスポット 23 ... Phosphor screen 24 ... Electron gun 25 ... Electron beam 26 ... Deflection yoke 28M ... Main hole 28S ... Auxiliary hole 29 ... Electron beam passage hole 34a ... Paraxial beam 34b ... Off axis beam CO ... Crossover G1 ... First grid G2 ... 2nd grid G3 ... 3rd grid G4 ... 4th grid G5 ... 5th grid G6 ... 6th grid G7 ... 7th grid G8 ... 8th grid G9 ... 9th grid G10 ... 10th grid GEA ... Electron beam forming Part K ... Cathode MLA ... Main lens part SP ... Beam spot

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 少なくともカソード、第1および第2グ
リッドを有し、上記カソードからの電子放出を制御しか
つ放出された電子を集束して電子ビームを形成する電子
ビーム形成部と、上記電子ビームをターゲット上に集束
する主レンズとを有する電子銃を備える陰極線管におい
て、 上記第1グリッドに円形状または非円形状の主孔と、こ
の主孔の周囲に近接または径小部を介して繋がった補助
孔とからなる電子ビーム通過孔が形成されていることを
特徴とする陰極線管。
1. An electron beam forming unit having at least a cathode, first and second grids, for controlling electron emission from the cathode and focusing the emitted electrons to form an electron beam, and the electron beam. In a cathode ray tube including an electron gun having a main lens for focusing on a target, a circular or non-circular main hole is formed in the first grid, and the main hole is connected to the periphery of the main hole through a proximity or a small diameter portion. A cathode ray tube, characterized in that an electron beam passage hole including an auxiliary hole is formed.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11608832B2 (en) 2017-10-23 2023-03-21 Lg Electronics Inc. Rotary drive for an impeller and motor assembly with gas and rolling bearings arranged in housing structure

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