JPH0536863A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPH0536863A JPH0536863A JP3210222A JP21022291A JPH0536863A JP H0536863 A JPH0536863 A JP H0536863A JP 3210222 A JP3210222 A JP 3210222A JP 21022291 A JP21022291 A JP 21022291A JP H0536863 A JPH0536863 A JP H0536863A
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 樹脂封止型の半導体装置において、パッケー
ジのクラック発生を防止すると共に熱放散効率を高め
る。 【構成】 ステージ部２の片面に半導体チップ６を搭載
し、この半導体チップ６の周囲をモールド成形すること
により封止樹脂層７を形成してなる樹脂封止型の半導体
装置において、前記ステージ部２の半導体チップ搭載側
とは反対側の表面が露呈するように封止樹脂層７を形成
する。
ジのクラック発生を防止すると共に熱放散効率を高め
る。 【構成】 ステージ部２の片面に半導体チップ６を搭載
し、この半導体チップ６の周囲をモールド成形すること
により封止樹脂層７を形成してなる樹脂封止型の半導体
装置において、前記ステージ部２の半導体チップ搭載側
とは反対側の表面が露呈するように封止樹脂層７を形成
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂封止型の半導体装
置に係わり、実装時に生じる封止樹脂のクラックを防止
すると共に、熱放散効率を高め、電磁的ノイズを防止す
ることが可能な半導体装置に関する。
置に係わり、実装時に生じる封止樹脂のクラックを防止
すると共に、熱放散効率を高め、電磁的ノイズを防止す
ることが可能な半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】樹脂封止型の半導体装置にあっては、封
止樹脂の吸湿性等に起因して樹脂パッケージ内に水分が
溜り、この水分がハンダ付け等の際の加熱によって膨張
し、封止樹脂にクラックを生じさせるという問題が従来
指摘されている。樹脂パッケージ内に溜った水分はリー
ドフレームと封止樹脂との界面に存在することが多く、
特にチップを搭載するステージ部の裏面に溜った水分が
クラック発生に悪影響を及ぼすことが判明している。こ
のような樹脂パッケージ内に溜った水分による悪影響を
除去するための従来の方法としては、リードフレームに
封止樹脂との間の密着性を向上させる処理を施して水分
を内部に進入させないようにすると共にリードフレーム
と封止樹脂間で剥離が生じ難くする方法が知られてい
る。また、ステージサポートバーを介してステージ部に
水分が侵入することを防止するために、ステージサポー
トバーを直線状から屈曲した形状に変えたり、あるいは
ステージサポートバーを細くする方法が知られている。
しかしながら、いずれの方法も、樹脂パッケージ内に溜
る水分を皆無にするには至らなかった。
止樹脂の吸湿性等に起因して樹脂パッケージ内に水分が
溜り、この水分がハンダ付け等の際の加熱によって膨張
し、封止樹脂にクラックを生じさせるという問題が従来
指摘されている。樹脂パッケージ内に溜った水分はリー
ドフレームと封止樹脂との界面に存在することが多く、
特にチップを搭載するステージ部の裏面に溜った水分が
クラック発生に悪影響を及ぼすことが判明している。こ
のような樹脂パッケージ内に溜った水分による悪影響を
除去するための従来の方法としては、リードフレームに
封止樹脂との間の密着性を向上させる処理を施して水分
を内部に進入させないようにすると共にリードフレーム
と封止樹脂間で剥離が生じ難くする方法が知られてい
る。また、ステージサポートバーを介してステージ部に
水分が侵入することを防止するために、ステージサポー
トバーを直線状から屈曲した形状に変えたり、あるいは
ステージサポートバーを細くする方法が知られている。
しかしながら、いずれの方法も、樹脂パッケージ内に溜
る水分を皆無にするには至らなかった。
【０００３】そこで、ステージ部の裏面に溜った水分
が、半導体装置を基板等にハンダ付けする際の熱影響に
よって膨張した場合、ステージサポートバーと封止樹脂
との界面から積極的に外部に抜けるように作用させるた
めに、ステージサポートバーと封止樹脂間の密着性を低
下させておく方法が提案されている（例えば、特開平２
−２９２８４９号公報参照）。
が、半導体装置を基板等にハンダ付けする際の熱影響に
よって膨張した場合、ステージサポートバーと封止樹脂
との界面から積極的に外部に抜けるように作用させるた
めに、ステージサポートバーと封止樹脂間の密着性を低
下させておく方法が提案されている（例えば、特開平２
−２９２８４９号公報参照）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、最近の
半導体チップは益々大型化しており、これに対してパッ
ケージサイズは極力小型かつ薄型であることが要求され
ているため、半導体装置内でステージ部の占める面積が
大きくなればなるほどステージ部の中央付近の裏面に溜
った水分は十分に外部に抜けず、パッケージにクラック
が発生する虞れがある。特に、膨張時のステージ部の裏
面に作用する最大曲げ応力は、チップ長変化率（ステー
ジ部寸法）の２乗に比例し、ステージ部裏面のモールド
厚さの変化率の２乗に反比例することが知られている。
したがって、半導体チップを大型化するためにステージ
部面積を大きくする一方で、パッケージサイズを薄型化
するためにモールド厚さを薄くすれば、ステージ部の裏
面に作用する最大曲げ応力は益々増加することになる。
また、樹脂封止によるパッケージでは、熱抵抗が大きい
ため、パワー用ＩＣデバイスを搭載することができず、
従来ではセラミックパッケージを使用せざるを得ずコス
ト的に不利であった。
半導体チップは益々大型化しており、これに対してパッ
ケージサイズは極力小型かつ薄型であることが要求され
ているため、半導体装置内でステージ部の占める面積が
大きくなればなるほどステージ部の中央付近の裏面に溜
った水分は十分に外部に抜けず、パッケージにクラック
が発生する虞れがある。特に、膨張時のステージ部の裏
面に作用する最大曲げ応力は、チップ長変化率（ステー
ジ部寸法）の２乗に比例し、ステージ部裏面のモールド
厚さの変化率の２乗に反比例することが知られている。
したがって、半導体チップを大型化するためにステージ
部面積を大きくする一方で、パッケージサイズを薄型化
するためにモールド厚さを薄くすれば、ステージ部の裏
面に作用する最大曲げ応力は益々増加することになる。
また、樹脂封止によるパッケージでは、熱抵抗が大きい
ため、パワー用ＩＣデバイスを搭載することができず、
従来ではセラミックパッケージを使用せざるを得ずコス
ト的に不利であった。
【０００５】本発明は、このような従来技術の問題点に
鑑みてなされたものであり、樹脂封止型の半導体装置に
おいて、特に大型もしくは薄型の半導体チップのパッケ
ージを可能とし、パッケージのクラック発生を有効に防
止し得ると共に、熱放散効率を高めることが可能であ
り、さらに、電磁ノイズの影響を受けにくい半導体装置
を提供することを目的とする。
鑑みてなされたものであり、樹脂封止型の半導体装置に
おいて、特に大型もしくは薄型の半導体チップのパッケ
ージを可能とし、パッケージのクラック発生を有効に防
止し得ると共に、熱放散効率を高めることが可能であ
り、さらに、電磁ノイズの影響を受けにくい半導体装置
を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の半導体装置では、ステージ部の表面に半導
体チップを搭載し、この半導体チップの周囲をモールド
成形することにより封止樹脂層を形成してなる樹脂封止
型の半導体装置において、前記ステージ部の半導体チッ
プ搭載側とは反対側の表面の全部または一部が露呈する
ように上記封止樹脂層が半導体チップの周囲に形成して
ある。また、上記樹脂層に凹部を形成することにより、
ステージ部の半導体チップ搭載側とは反対側の表面の全
部または一部が露呈するように構成しても良い。
に、本発明の半導体装置では、ステージ部の表面に半導
体チップを搭載し、この半導体チップの周囲をモールド
成形することにより封止樹脂層を形成してなる樹脂封止
型の半導体装置において、前記ステージ部の半導体チッ
プ搭載側とは反対側の表面の全部または一部が露呈する
ように上記封止樹脂層が半導体チップの周囲に形成して
ある。また、上記樹脂層に凹部を形成することにより、
ステージ部の半導体チップ搭載側とは反対側の表面の全
部または一部が露呈するように構成しても良い。
【０００７】さらに、露呈したステージ部の表面に放熱
部材を取り付けることが好ましい。また、露呈したステ
ージ部の表面をマウント基板に対し上向きとし、このス
テージ部表面とマウント基板のアース部とを結線するこ
ともできる。さらにまた、露呈したステージ部の表面が
マウント基板のアース部に直接接触することによりアー
スされるように実装するようにしても良い。
部材を取り付けることが好ましい。また、露呈したステ
ージ部の表面をマウント基板に対し上向きとし、このス
テージ部表面とマウント基板のアース部とを結線するこ
ともできる。さらにまた、露呈したステージ部の表面が
マウント基板のアース部に直接接触することによりアー
スされるように実装するようにしても良い。
【０００８】
【作用】このように構成した本発明にあっては、ステー
ジ部の半導体チップ搭載側とは反対側の表面に、好まし
くは半導体チップの面積に相当する表面が外部に露呈し
ているため、ステージ部の裏面に水分が溜ることがなく
なる。そのため、半導体装置を、基板等にハンダ付けす
る際の加熱によって水分が膨張して樹脂層にクラックを
発生させることがなくなる。特に、ステージ部の表面積
が大きく、かつ薄型のパッケージであっても、樹脂パッ
ケージにクラックが発生することがない。また、ステー
ジ部が外部に露出するようにした構成であるため、放熱
性が良好であり、半導体装置の耐熱性を向上させる。特
に、露呈したステージ部の表面に直接放熱部材を取り付
けるように構成した半導体チップでは、さらに放熱性が
向上し、例えばパワーＩＣ等のような発熱量が大きい半
導体デバイスであっても樹脂パッケージが可能となる。
ジ部の半導体チップ搭載側とは反対側の表面に、好まし
くは半導体チップの面積に相当する表面が外部に露呈し
ているため、ステージ部の裏面に水分が溜ることがなく
なる。そのため、半導体装置を、基板等にハンダ付けす
る際の加熱によって水分が膨張して樹脂層にクラックを
発生させることがなくなる。特に、ステージ部の表面積
が大きく、かつ薄型のパッケージであっても、樹脂パッ
ケージにクラックが発生することがない。また、ステー
ジ部が外部に露出するようにした構成であるため、放熱
性が良好であり、半導体装置の耐熱性を向上させる。特
に、露呈したステージ部の表面に直接放熱部材を取り付
けるように構成した半導体チップでは、さらに放熱性が
向上し、例えばパワーＩＣ等のような発熱量が大きい半
導体デバイスであっても樹脂パッケージが可能となる。
【０００９】また、露呈したステージ部の表面をマウン
ト基板に対し上向きとし、このステージ部表面とマウン
ト基板のアース部とを結線するようにすれば、比較的大
面積の露呈したステージ部裏面を電磁的ノイズからのシ
ールドに利用することができ、また、このステージ部裏
面からアースをとることができるので電気的特性が安定
する。また、露呈したステージ部の表面がマウント基板
のアース部に直接接触するように実装すれば、アースの
ための特別な結線作業が不用となる。
ト基板に対し上向きとし、このステージ部表面とマウン
ト基板のアース部とを結線するようにすれば、比較的大
面積の露呈したステージ部裏面を電磁的ノイズからのシ
ールドに利用することができ、また、このステージ部裏
面からアースをとることができるので電気的特性が安定
する。また、露呈したステージ部の表面がマウント基板
のアース部に直接接触するように実装すれば、アースの
ための特別な結線作業が不用となる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例を、図面に基づいて説
明する。まず、本発明の第１の実施例について説明す
る。図１は本発明の第１の実施例に係る半導体装置を示
す断面図、図２は同実施例の製造工程を示す図であって
半導体チップを搭載する前のリードフレームを示す断面
図、図３は同実施例のダイボンディング工程を示す断面
図、図４は同実施例のワイヤボンディング工程を示す断
面図、図５は同実施例のパッケージング工程を示す断面
図、図６は同実施例のハンダメッキ工程を示す断面図、
図１９図は同実施例に係るリードフレームを示す平面図
である。まず、図１９に示すようなリードフレーム１を
準備する。本実施例に係るリードフレーム１は、０．１
５〜０．２ｍｍ程度の厚さの銅材あるいは導電性合金
（例えば４２alloy ）材などで形成され、半導体チップ
を搭載する（ダイボンディング）ステージ部２を有す
る。このステージ部２は、リードフレーム１の両側に位
置するレール部３に４本のステージサポートバー４を介
して保持してある。また、このステージ部２の周囲に
は、当該ステージ部２にダイボンディングされた半導体
チップとワイヤボンディングされる複数のインナリード
５が設けられている。半導体チップは、ダイボンディン
グ及びワイヤボンディングの後に樹脂封止（パッケージ
ング）される。その後、リードフレーム１の周囲が取り
除かれ、樹脂封止された半導体装置のアウタリードが形
成される。
明する。まず、本発明の第１の実施例について説明す
る。図１は本発明の第１の実施例に係る半導体装置を示
す断面図、図２は同実施例の製造工程を示す図であって
半導体チップを搭載する前のリードフレームを示す断面
図、図３は同実施例のダイボンディング工程を示す断面
図、図４は同実施例のワイヤボンディング工程を示す断
面図、図５は同実施例のパッケージング工程を示す断面
図、図６は同実施例のハンダメッキ工程を示す断面図、
図１９図は同実施例に係るリードフレームを示す平面図
である。まず、図１９に示すようなリードフレーム１を
準備する。本実施例に係るリードフレーム１は、０．１
５〜０．２ｍｍ程度の厚さの銅材あるいは導電性合金
（例えば４２alloy ）材などで形成され、半導体チップ
を搭載する（ダイボンディング）ステージ部２を有す
る。このステージ部２は、リードフレーム１の両側に位
置するレール部３に４本のステージサポートバー４を介
して保持してある。また、このステージ部２の周囲に
は、当該ステージ部２にダイボンディングされた半導体
チップとワイヤボンディングされる複数のインナリード
５が設けられている。半導体チップは、ダイボンディン
グ及びワイヤボンディングの後に樹脂封止（パッケージ
ング）される。その後、リードフレーム１の周囲が取り
除かれ、樹脂封止された半導体装置のアウタリードが形
成される。
【００１１】本実施例の半導体装置においては、図１に
示すように、ステージ部２に搭載された半導体チップ６
の裏面に相当するステージ部２の表面２a が封止樹脂層
７の外表面７a に面一に露呈するように、封止樹脂層７
が半導体チップの周囲を覆っている。なお、図中「８」
は半導体チップ６とインナーリード５とを結ぶ金線、
「９」はマウント基板であり、「１０」はインナーリー
ド５とマウント基板９の配線とを接続するためのハンダ
である。このような半導体装置を製造するには、まず、
図２に示すリードフレーム１のステージ部２の片面に、
Ａｇペースト材などを塗布し、その上から半導体チップ
６を搭載し、約１６０°Ｃの加熱下で約６０分保持して
固化させる（ダイボンディング、図３参照）。
示すように、ステージ部２に搭載された半導体チップ６
の裏面に相当するステージ部２の表面２a が封止樹脂層
７の外表面７a に面一に露呈するように、封止樹脂層７
が半導体チップの周囲を覆っている。なお、図中「８」
は半導体チップ６とインナーリード５とを結ぶ金線、
「９」はマウント基板であり、「１０」はインナーリー
ド５とマウント基板９の配線とを接続するためのハンダ
である。このような半導体装置を製造するには、まず、
図２に示すリードフレーム１のステージ部２の片面に、
Ａｇペースト材などを塗布し、その上から半導体チップ
６を搭載し、約１６０°Ｃの加熱下で約６０分保持して
固化させる（ダイボンディング、図３参照）。
【００１２】次に、図４に示すように、この半導体チッ
プ６とインナリード５とを、直径が約２３〜３０μｍ程
度の金線８によりワイヤボンディングして結線する。さ
らに、図５に示すように、ワイヤボンディングされた半
導体チップ６をモールド成形のためのキャビティを有す
る金型１１a,１１b 内の所定位置に設置する。この金型
の下型１１b には、ステージ部２を真空吸引するための
吸引孔１２が複数個穿設されている。そして、ワイヤボ
ンディングを終了したリードフレーム１を金型内に設置
して、真空吸引装置（不図示）によってステージ部２を
吸着しながら、注入口１３から溶融樹脂を射出してモー
ルド成形を行う（パッケージング）。このとき、下型１
１b のステージ部裏面２a に接触する部分は鏡面仕上げ
を施しておくことが好ましく、これによって封止樹脂の
バリを低減することができる。また、ステージ部裏面２
a に薄い封止樹脂膜が形成されることもあるが、これは
一般的な液体ホーニングと水圧バリ取りにて簡単に除去
することができる。このような真空吸着による製造方法
によれば、ステージ部２の位置決めを精度良く行うこと
ができると同時に、ステージ部裏面２a に溶融樹脂が侵
入するのを防止することができる。したがって、バリ取
りの作業がほとんど不用になるか、もしくは容易にな
る。なお、ステージ部２を真空吸着するための吸引孔は
下型１１b に限定されることなく、上型１１a に形成し
てリードフレーム１を逆に設置することも可能である。
プ６とインナリード５とを、直径が約２３〜３０μｍ程
度の金線８によりワイヤボンディングして結線する。さ
らに、図５に示すように、ワイヤボンディングされた半
導体チップ６をモールド成形のためのキャビティを有す
る金型１１a,１１b 内の所定位置に設置する。この金型
の下型１１b には、ステージ部２を真空吸引するための
吸引孔１２が複数個穿設されている。そして、ワイヤボ
ンディングを終了したリードフレーム１を金型内に設置
して、真空吸引装置（不図示）によってステージ部２を
吸着しながら、注入口１３から溶融樹脂を射出してモー
ルド成形を行う（パッケージング）。このとき、下型１
１b のステージ部裏面２a に接触する部分は鏡面仕上げ
を施しておくことが好ましく、これによって封止樹脂の
バリを低減することができる。また、ステージ部裏面２
a に薄い封止樹脂膜が形成されることもあるが、これは
一般的な液体ホーニングと水圧バリ取りにて簡単に除去
することができる。このような真空吸着による製造方法
によれば、ステージ部２の位置決めを精度良く行うこと
ができると同時に、ステージ部裏面２a に溶融樹脂が侵
入するのを防止することができる。したがって、バリ取
りの作業がほとんど不用になるか、もしくは容易にな
る。なお、ステージ部２を真空吸着するための吸引孔は
下型１１b に限定されることなく、上型１１a に形成し
てリードフレーム１を逆に設置することも可能である。
【００１３】ついで、図６に示すように、一般的な電気
メッキ法にて、膜厚５〜１８μｍ程度のハンダメッキ１
４を施す。最後にリードフレーム１の周囲を切断し、イ
ンナーリード５の外側に形成されるアウタリードを所定
形状に折り曲げることにより、図１に示す半導体装置が
完成する。なお、リードフレーム１の半導体チップ搭載
側のステージ部２およびステージサポートバー４の表面
に、封止樹脂とステージ部２あるいはステージサポート
バー４との密着性を高めるために、ブラスト処理などの
表面処理を施すこともできる。これにより、半導体チッ
プ搭載側の封止樹脂とステージ部２あるいはステージサ
ポートバー４との密着性が高まり、封止樹脂が吸湿した
水分を全てステージ部２の裏面２a に集めることにより
半導体装置全体の水分を容易に外部に排出することが可
能となる。なお、この表面処理はブラスト処理にのみ限
定されるものではなく、銀メッキを廃止する方法（銀メ
ッキレス）を採用しても良い。
メッキ法にて、膜厚５〜１８μｍ程度のハンダメッキ１
４を施す。最後にリードフレーム１の周囲を切断し、イ
ンナーリード５の外側に形成されるアウタリードを所定
形状に折り曲げることにより、図１に示す半導体装置が
完成する。なお、リードフレーム１の半導体チップ搭載
側のステージ部２およびステージサポートバー４の表面
に、封止樹脂とステージ部２あるいはステージサポート
バー４との密着性を高めるために、ブラスト処理などの
表面処理を施すこともできる。これにより、半導体チッ
プ搭載側の封止樹脂とステージ部２あるいはステージサ
ポートバー４との密着性が高まり、封止樹脂が吸湿した
水分を全てステージ部２の裏面２a に集めることにより
半導体装置全体の水分を容易に外部に排出することが可
能となる。なお、この表面処理はブラスト処理にのみ限
定されるものではなく、銀メッキを廃止する方法（銀メ
ッキレス）を採用しても良い。
【００１４】このように構成した本実施例に係る半導体
装置あっては、ステージ部の半導体チップ搭載側とは反
対側の表面であって、少なくとも半導体チップに相当す
る表面が外部に露呈しているため、ステージ部の裏面に
水分が溜ることがなく、半導体装置をマウント基板など
にハンダ付けする際の加熱によって樹脂層にクラックが
発生することがなくなる。特に、ステージ部の表面積が
大きく、かつ薄型のパッケージであっても、クラックが
発生することがない。また、この実施例では、ステージ
部の表面が樹脂層の外表面と面一になるように露呈して
いるので、その分だけ、半導体装置の肉厚を低減するこ
とができる。例えば約０．７〜０．８mm程度薄くするこ
とができる。
装置あっては、ステージ部の半導体チップ搭載側とは反
対側の表面であって、少なくとも半導体チップに相当す
る表面が外部に露呈しているため、ステージ部の裏面に
水分が溜ることがなく、半導体装置をマウント基板など
にハンダ付けする際の加熱によって樹脂層にクラックが
発生することがなくなる。特に、ステージ部の表面積が
大きく、かつ薄型のパッケージであっても、クラックが
発生することがない。また、この実施例では、ステージ
部の表面が樹脂層の外表面と面一になるように露呈して
いるので、その分だけ、半導体装置の肉厚を低減するこ
とができる。例えば約０．７〜０．８mm程度薄くするこ
とができる。
【００１５】また、このような半導体装置を、図９に示
すように、ステージ部２がマウント基板９に対して近接
するように、マウント基板９上に装着する場合には、こ
れらの間に隙間ｓを約０．１mm程度設けるので、半導体
装置のアウタリードの基板９に対する接続時に用いるハ
ンダの浸責ないしリフローに際し、ハンダがステージ部
２の表面に付着することもない。また、この隙間ｓによ
り、十分な熱拡散が可能になり、半導体装置の特性が向
上する。
すように、ステージ部２がマウント基板９に対して近接
するように、マウント基板９上に装着する場合には、こ
れらの間に隙間ｓを約０．１mm程度設けるので、半導体
装置のアウタリードの基板９に対する接続時に用いるハ
ンダの浸責ないしリフローに際し、ハンダがステージ部
２の表面に付着することもない。また、この隙間ｓによ
り、十分な熱拡散が可能になり、半導体装置の特性が向
上する。
【００１６】次に、本発明の他の実施例を説明する。図
７は本発明の他の実施例に係る半導体装置を示す断面
図、図８は同実施例の製造工程を示す図であって半導体
チップを搭載する前のリードフレームを示す断面図、図
９は同実施例のダイボンディング工程を示す断面図、図
１０は同実施例のワイヤボンディング工程を示す断面
図、図１１は同実施例のパッケージング工程を示す断面
図、図１２は同実施例のハンダメッキ工程を示す断面
図、図１３は本発明のさらに他の実施例に係る半導体装
置を示す断面図である。本実施例で用いるリードフレー
ムは、図１９に示す上述した実施例のリードフレーム１
と同様であり、ステージ部２の周囲には、当該ステージ
部２にダイボンディングされた半導体チップとワイヤボ
ンディングされる複数のインナリード５が設けられてい
る。ただし、上述した実施例のリードフレーム１と異な
り、本実施例に係るステージ部２の周縁には、複数の通
孔１６が穿設されており、封止樹脂がこの通孔１６に入
り込んで固化することによって、ステージ部２が封止樹
脂層７に強固に固定されることになる。
７は本発明の他の実施例に係る半導体装置を示す断面
図、図８は同実施例の製造工程を示す図であって半導体
チップを搭載する前のリードフレームを示す断面図、図
９は同実施例のダイボンディング工程を示す断面図、図
１０は同実施例のワイヤボンディング工程を示す断面
図、図１１は同実施例のパッケージング工程を示す断面
図、図１２は同実施例のハンダメッキ工程を示す断面
図、図１３は本発明のさらに他の実施例に係る半導体装
置を示す断面図である。本実施例で用いるリードフレー
ムは、図１９に示す上述した実施例のリードフレーム１
と同様であり、ステージ部２の周囲には、当該ステージ
部２にダイボンディングされた半導体チップとワイヤボ
ンディングされる複数のインナリード５が設けられてい
る。ただし、上述した実施例のリードフレーム１と異な
り、本実施例に係るステージ部２の周縁には、複数の通
孔１６が穿設されており、封止樹脂がこの通孔１６に入
り込んで固化することによって、ステージ部２が封止樹
脂層７に強固に固定されることになる。
【００１７】本実施例の半導体装置においては、図７に
示すように、ステージ部２に搭載された半導体チップ６
の裏面に相当するステージ部２の表面２a が封止樹脂層
から露呈するように当該封止樹脂層７に凹部１５を形成
している。なお、図中「８」は半導体チップ６とインナ
ーリード５とを結ぶ金線、「９」はマウント基板であ
り、「１０」はインナーリード５をマウント基板９に固
定するためのハンダである。凹部１５の開口形状は特に
限定されず、円形、四角形等の形状が考えられる。四角
形である場合には、四隅にＲ（丸み）を設けておくこと
が好ましい。応力集中を防止するためである。また、凹
部１５の開口面積は、少なくとも半導体チップの面積と
同等以上であることが好ましい。放熱性を向上させるな
どの理由による。このような半導体装置を製造するに
は、まず、図８に示すリードフレーム１のステージ部２
の片面にＡｇペースト材などを塗布し、半導体チップ６
を搭載し、約１６０°Ｃの加熱下で約６０分保持して固
化させる（ダイボンディング、図９参照）。
示すように、ステージ部２に搭載された半導体チップ６
の裏面に相当するステージ部２の表面２a が封止樹脂層
から露呈するように当該封止樹脂層７に凹部１５を形成
している。なお、図中「８」は半導体チップ６とインナ
ーリード５とを結ぶ金線、「９」はマウント基板であ
り、「１０」はインナーリード５をマウント基板９に固
定するためのハンダである。凹部１５の開口形状は特に
限定されず、円形、四角形等の形状が考えられる。四角
形である場合には、四隅にＲ（丸み）を設けておくこと
が好ましい。応力集中を防止するためである。また、凹
部１５の開口面積は、少なくとも半導体チップの面積と
同等以上であることが好ましい。放熱性を向上させるな
どの理由による。このような半導体装置を製造するに
は、まず、図８に示すリードフレーム１のステージ部２
の片面にＡｇペースト材などを塗布し、半導体チップ６
を搭載し、約１６０°Ｃの加熱下で約６０分保持して固
化させる（ダイボンディング、図９参照）。
【００１８】次に、図１０に示すように、この半導体チ
ップ６とインナリード５とを、直径が２３〜３０μｍ程
度の金線８によりワイヤボンディングして結線する。さ
らに、図１１に示すように、ワイヤボンディングされた
半導体チップ６を、モールド成形のためのキャビティを
有する金型１１a,１１b の所定位置に設置する。この金
型の下型１１b には、凸部１１ｃが形成してあり、この
凸部１１ｃには、ステージ部２を真空吸引するための吸
引孔１２が複数個穿設されている。そして、ワイヤボン
ディングを終了したリードフレーム１を金型内に設置し
て、真空吸引装置（不図示）によってステージ部２を吸
着しながら、注入口１３から溶融樹脂を射出してモール
ド成形を行う（パッケージング）。このとき、下型１１
b のステージ部裏面２a に接触する部分は鏡面仕上げを
施しておくことが好ましく、これによって封止樹脂のバ
リを低減することができる。また、ステージ部裏面２a
に薄い封止樹脂膜が形成されることもあるが、これは一
般的な液体ホーニングと水圧バリ取りにて簡単に除去す
ることができる。このような真空吸着による製造方法に
よれば、ステージ部２の位置決めを精度良く行うことが
できると同時に、ステージ部裏面２a に溶融樹脂が侵入
するのを防止することができる。特に、本実施例に係る
ステージ部２の周縁には複数の通孔１６が穿設されてい
るため、モールド成形時に溶融樹脂がこの通孔１６に入
り込んで固化することにより、ステージ部２が封止樹脂
層７に強固に固定されることになる。
ップ６とインナリード５とを、直径が２３〜３０μｍ程
度の金線８によりワイヤボンディングして結線する。さ
らに、図１１に示すように、ワイヤボンディングされた
半導体チップ６を、モールド成形のためのキャビティを
有する金型１１a,１１b の所定位置に設置する。この金
型の下型１１b には、凸部１１ｃが形成してあり、この
凸部１１ｃには、ステージ部２を真空吸引するための吸
引孔１２が複数個穿設されている。そして、ワイヤボン
ディングを終了したリードフレーム１を金型内に設置し
て、真空吸引装置（不図示）によってステージ部２を吸
着しながら、注入口１３から溶融樹脂を射出してモール
ド成形を行う（パッケージング）。このとき、下型１１
b のステージ部裏面２a に接触する部分は鏡面仕上げを
施しておくことが好ましく、これによって封止樹脂のバ
リを低減することができる。また、ステージ部裏面２a
に薄い封止樹脂膜が形成されることもあるが、これは一
般的な液体ホーニングと水圧バリ取りにて簡単に除去す
ることができる。このような真空吸着による製造方法に
よれば、ステージ部２の位置決めを精度良く行うことが
できると同時に、ステージ部裏面２a に溶融樹脂が侵入
するのを防止することができる。特に、本実施例に係る
ステージ部２の周縁には複数の通孔１６が穿設されてい
るため、モールド成形時に溶融樹脂がこの通孔１６に入
り込んで固化することにより、ステージ部２が封止樹脂
層７に強固に固定されることになる。
【００１９】ついで、図１２に示すように一般的な電気
メッキ法にて、膜厚５〜１８μｍ程度のハンダメッキ１
４を施す。最後にリードフレーム１の周囲を切断し、イ
ンナーリード５の外側に形成されるアウタリードを所定
形状に折り曲げることにより、図７に示す半導体装置が
完成する。
メッキ法にて、膜厚５〜１８μｍ程度のハンダメッキ１
４を施す。最後にリードフレーム１の周囲を切断し、イ
ンナーリード５の外側に形成されるアウタリードを所定
形状に折り曲げることにより、図７に示す半導体装置が
完成する。
【００２０】なお、本実施例にあってもリードフレーム
１の半導体チップ搭載側のステージ部２およびステージ
サポートバー４の表面に、封止樹脂とステージ部２ある
いはステージサポートバー４との密着性を高めるため
に、ブラスト処理などの表面処理を施すこともできる。
これにより、半導体チップ搭載側の封止樹脂とステージ
部２あるいはステージサポートバー４との密着性が高ま
り、封止樹脂が吸湿した水分を全てステージ部２の裏面
２a に集めることにより半導体装置全体の水分を外部に
排出することが可能となる。この表面処理はブラスト処
理にのみ限定されるものではなく、銀メッキを廃止する
方法（銀メッキレス）を採用しても良い。
１の半導体チップ搭載側のステージ部２およびステージ
サポートバー４の表面に、封止樹脂とステージ部２ある
いはステージサポートバー４との密着性を高めるため
に、ブラスト処理などの表面処理を施すこともできる。
これにより、半導体チップ搭載側の封止樹脂とステージ
部２あるいはステージサポートバー４との密着性が高ま
り、封止樹脂が吸湿した水分を全てステージ部２の裏面
２a に集めることにより半導体装置全体の水分を外部に
排出することが可能となる。この表面処理はブラスト処
理にのみ限定されるものではなく、銀メッキを廃止する
方法（銀メッキレス）を採用しても良い。
【００２１】このように構成した本実施例に係る半導体
装置あっては、ステージ部の半導体チップ搭載側とは反
対側の表面であって、少なくとも半導体チップに相当す
る表面２a が外部に露呈しているため、ステージ部の裏
面２a に水分が溜ることがなく、半導体装置を基板など
にハンダ付けする際の加熱によって膨張する水分によっ
てクラックが発生することがなくなる。特に、ステージ
部の表面積が大きく、かつ薄型のパッケージであって
も、クラックが発生することがない。本実施例に係る凹
部１５の形成位置は、少なくとも半導体チップ６の裏面
に相当する位置であるが、図１３に示すように、ステー
ジ部２の裏面全体２a が露呈するように封止樹脂層７に
凹部１５を形成しても良い。
装置あっては、ステージ部の半導体チップ搭載側とは反
対側の表面であって、少なくとも半導体チップに相当す
る表面２a が外部に露呈しているため、ステージ部の裏
面２a に水分が溜ることがなく、半導体装置を基板など
にハンダ付けする際の加熱によって膨張する水分によっ
てクラックが発生することがなくなる。特に、ステージ
部の表面積が大きく、かつ薄型のパッケージであって
も、クラックが発生することがない。本実施例に係る凹
部１５の形成位置は、少なくとも半導体チップ６の裏面
に相当する位置であるが、図１３に示すように、ステー
ジ部２の裏面全体２a が露呈するように封止樹脂層７に
凹部１５を形成しても良い。
【００２２】次に、本発明に係る半導体装置の熱放散効
率を高めるために放熱部材を取り付けた実施例について
説明する。図１４は、上述した第１実施例の半導体装置
（図１参照）に放熱部材を取り付けた実施例を示す断面
図であり、この半導体装置は、図２〜図６に示す製造方
法と同様な手段で製造される。この半導体装置のステー
ジ部裏面の露呈した表面には、アルミニウム等の熱良導
電材料で構成されたヒートシンク（放熱部材）１８を接
着剤１７を用いて固定している。接着剤の種類として
は、特に限定されないが、熱導電性に優れた接着剤であ
ることが好ましく、耐熱性の観点からは、熱硬化性の接
着剤が好ましい。このようなヒートシンク付き半導体装
置によれば、発熱部分である半導体チップの裏面がステ
ージ部を介して外部に露呈しているため、放熱性がさら
に良好になる。しかも、ヒートシンク１８の取り付けも
極めて容易である。ヒートシンク１８は、半導体装置を
マウント基板に取り付ける前に取り付けても良いが、基
板取り付け後であっても良い。
率を高めるために放熱部材を取り付けた実施例について
説明する。図１４は、上述した第１実施例の半導体装置
（図１参照）に放熱部材を取り付けた実施例を示す断面
図であり、この半導体装置は、図２〜図６に示す製造方
法と同様な手段で製造される。この半導体装置のステー
ジ部裏面の露呈した表面には、アルミニウム等の熱良導
電材料で構成されたヒートシンク（放熱部材）１８を接
着剤１７を用いて固定している。接着剤の種類として
は、特に限定されないが、熱導電性に優れた接着剤であ
ることが好ましく、耐熱性の観点からは、熱硬化性の接
着剤が好ましい。このようなヒートシンク付き半導体装
置によれば、発熱部分である半導体チップの裏面がステ
ージ部を介して外部に露呈しているため、放熱性がさら
に良好になる。しかも、ヒートシンク１８の取り付けも
極めて容易である。ヒートシンク１８は、半導体装置を
マウント基板に取り付ける前に取り付けても良いが、基
板取り付け後であっても良い。
【００２３】また、図１５は、上述した第２実施例の半
導体装置（図７参照）に放熱部材を取り付けた場合の実
施例を示す断面図であり、この半導体装置は、図８〜図
１２に示す製造方法と同様な手段で製造される。この半
導体装置においても、ステージ部裏面の露呈した表面に
アルミニウム製のヒートシンク（放熱部材）を、熱伝導
性に富む接着剤を用いて固定している。この場合、ヒー
トシンクを封止樹脂層に形成した凹部に嵌入して取り付
けても良い。その場合には、取り付け作業性がさらに向
上する。このようなヒートシンク付き半導体装置によっ
ても、発熱部分である半導体チップの裏面がステージ部
を介して外部に露呈しているため、放熱性が良好とな
る。
導体装置（図７参照）に放熱部材を取り付けた場合の実
施例を示す断面図であり、この半導体装置は、図８〜図
１２に示す製造方法と同様な手段で製造される。この半
導体装置においても、ステージ部裏面の露呈した表面に
アルミニウム製のヒートシンク（放熱部材）を、熱伝導
性に富む接着剤を用いて固定している。この場合、ヒー
トシンクを封止樹脂層に形成した凹部に嵌入して取り付
けても良い。その場合には、取り付け作業性がさらに向
上する。このようなヒートシンク付き半導体装置によっ
ても、発熱部分である半導体チップの裏面がステージ部
を介して外部に露呈しているため、放熱性が良好とな
る。
【００２４】さらに、本発明に係る半導体装置に対する
電磁的ノイズをシールドすることにより、半導体装置の
電気的特性を安定化させる実施例について説明する。図
１６は本発明の半導体装置にアース線を取り付けた実施
例を示す断面図、図１７は本発明の半導体装置にアース
線を取り付けた他の実施例を示す断面図、図１８は本発
明の半導体装置のその他の取り付け例を示す断面図であ
る。図１６に示す半導体装置は、図２〜図６に示す製造
方法により製造してあり、インナーリード５を、図１に
示す半導体装置とは反対側に折り曲げてあり、マウント
基板９に半導体装置を取り付けた場合に、ステージ部２
の露呈面が上を向くようになっている。本実施例では、
ステージ部裏面２a の露呈した表面に、ハンダ付け２０
（あるいは導電性を有する接着剤）を施し、アース線１
９を取り付け、このアース線１９の他端をマウント基板
９のアース側リード５a に結線している。
電磁的ノイズをシールドすることにより、半導体装置の
電気的特性を安定化させる実施例について説明する。図
１６は本発明の半導体装置にアース線を取り付けた実施
例を示す断面図、図１７は本発明の半導体装置にアース
線を取り付けた他の実施例を示す断面図、図１８は本発
明の半導体装置のその他の取り付け例を示す断面図であ
る。図１６に示す半導体装置は、図２〜図６に示す製造
方法により製造してあり、インナーリード５を、図１に
示す半導体装置とは反対側に折り曲げてあり、マウント
基板９に半導体装置を取り付けた場合に、ステージ部２
の露呈面が上を向くようになっている。本実施例では、
ステージ部裏面２a の露呈した表面に、ハンダ付け２０
（あるいは導電性を有する接着剤）を施し、アース線１
９を取り付け、このアース線１９の他端をマウント基板
９のアース側リード５a に結線している。
【００２５】また、図１７に示す半導体装置は、アース
線を封止樹脂層内に形成した実施例であって、半導体チ
ップ６のアース部６a とステージ部２とをアース線２１
により結線すると共に、このステージ部２とアースリー
ド５a とを他のアース線２２により結線している。な
お、これらのアース線２１，２２の結線は、モールド成
形を行う前、すなわち、ワイヤボンディング工程時に同
時に行うことができるので、作業工程が増大することは
ない。このように構成した半導体装置にあっては、比較
的大面積の露呈したステージ部裏面を電磁的ノイズから
のシールドに利用することができ、また、このステージ
部裏面からアースをとることができるので電気的特性が
安定する。また、露呈するステージ部２が上向きなの
で、熱放散が特に向上し、半導体装置の特性が向上す
る。
線を封止樹脂層内に形成した実施例であって、半導体チ
ップ６のアース部６a とステージ部２とをアース線２１
により結線すると共に、このステージ部２とアースリー
ド５a とを他のアース線２２により結線している。な
お、これらのアース線２１，２２の結線は、モールド成
形を行う前、すなわち、ワイヤボンディング工程時に同
時に行うことができるので、作業工程が増大することは
ない。このように構成した半導体装置にあっては、比較
的大面積の露呈したステージ部裏面を電磁的ノイズから
のシールドに利用することができ、また、このステージ
部裏面からアースをとることができるので電気的特性が
安定する。また、露呈するステージ部２が上向きなの
で、熱放散が特に向上し、半導体装置の特性が向上す
る。
【００２６】さらに、図１８に示すように、半導体の種
類によっては、上述したアース線を省略してステージ部
の裏面を直接マウント基板のアース部と電気的に接続す
るように構成しても良い。ステージ部裏面２a に相当す
るマウント基板９にはアース部９a が形成されている。
そして、ステージ部の裏面２a 、あるいはこの裏面に形
成されたハンダメッキ層がマウント基板９のアース部９
a に接触するように半導体装置をマウント基板９に取り
付けている。このように構成した半導体装置にあって
は、アースのための作業がさらに容易になる。なお、本
発明は上述した実施例のみに限定されるものではなく、
本発明の要旨を越えない限りにおいて種々に改変するこ
とができる。たとえば、本発明の半導体装置は、上述し
た製造例以外の方法で製造するようにしても良い。本発
明の半導体装置は、吸引孔１２を有さない金属型１１
ａ，１１ｂを用いて樹脂パッケージされても良い。
類によっては、上述したアース線を省略してステージ部
の裏面を直接マウント基板のアース部と電気的に接続す
るように構成しても良い。ステージ部裏面２a に相当す
るマウント基板９にはアース部９a が形成されている。
そして、ステージ部の裏面２a 、あるいはこの裏面に形
成されたハンダメッキ層がマウント基板９のアース部９
a に接触するように半導体装置をマウント基板９に取り
付けている。このように構成した半導体装置にあって
は、アースのための作業がさらに容易になる。なお、本
発明は上述した実施例のみに限定されるものではなく、
本発明の要旨を越えない限りにおいて種々に改変するこ
とができる。たとえば、本発明の半導体装置は、上述し
た製造例以外の方法で製造するようにしても良い。本発
明の半導体装置は、吸引孔１２を有さない金属型１１
ａ，１１ｂを用いて樹脂パッケージされても良い。
【００２７】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、ステージ部の半導体チップ搭載側とは反対側の表面
に、好ましくは半導体チップの面積に相当する表面が外
部に露呈しているため、ステージ部の裏面に水分が溜る
ことがなくなる。そのため、半導体装置を、基板等にハ
ンダ付けする際の加熱によって水分が膨張して樹脂層に
クラックを発生させることがなくなる。特に、ステージ
部の表面積が大きく、かつ薄型のパッケージであって
も、樹脂パッケージにクラックが発生することがない。
また、ステージ部が外部に露出するようにした構成であ
るため、放熱性が良好であり、半導体装置の耐熱性を向
上させると共に、半導体の特性向上にも寄与する。特
に、露呈したステージ部の表面に直接放熱部材を取り付
けるように構成した半導体チップでは、さらに放熱性が
向上し、例えばパワーＩＣ等のような発熱量が大きい半
導体デバイスであっても樹脂パッケージが可能となる。
樹脂パッケージとした場合には、従来のセラミックパッ
ケージに比較し、小型化、軽量化及びコストの低減が図
れる。
ば、ステージ部の半導体チップ搭載側とは反対側の表面
に、好ましくは半導体チップの面積に相当する表面が外
部に露呈しているため、ステージ部の裏面に水分が溜る
ことがなくなる。そのため、半導体装置を、基板等にハ
ンダ付けする際の加熱によって水分が膨張して樹脂層に
クラックを発生させることがなくなる。特に、ステージ
部の表面積が大きく、かつ薄型のパッケージであって
も、樹脂パッケージにクラックが発生することがない。
また、ステージ部が外部に露出するようにした構成であ
るため、放熱性が良好であり、半導体装置の耐熱性を向
上させると共に、半導体の特性向上にも寄与する。特
に、露呈したステージ部の表面に直接放熱部材を取り付
けるように構成した半導体チップでは、さらに放熱性が
向上し、例えばパワーＩＣ等のような発熱量が大きい半
導体デバイスであっても樹脂パッケージが可能となる。
樹脂パッケージとした場合には、従来のセラミックパッ
ケージに比較し、小型化、軽量化及びコストの低減が図
れる。
【００２８】また、露呈したステージ部の表面をマウン
ト基板に対し上向きとし、このステージ部表面とマウン
ト基板のアース部とを結線するようにすれば、比較的大
面積の露呈したステージ部裏面を電磁的ノイズからのシ
ールドに利用することができ、また、このステージ部裏
面からアースをとることができるので電気的特性が安定
する。また、露呈したステージ部の表面がマウント基板
のアース部に直接接触するように実装すれば、アースの
ための特別な結線作業が不用となる。結果として、半導
体装置の品質が向上すると共に、製造時の歩留まりが向
上する。
ト基板に対し上向きとし、このステージ部表面とマウン
ト基板のアース部とを結線するようにすれば、比較的大
面積の露呈したステージ部裏面を電磁的ノイズからのシ
ールドに利用することができ、また、このステージ部裏
面からアースをとることができるので電気的特性が安定
する。また、露呈したステージ部の表面がマウント基板
のアース部に直接接触するように実装すれば、アースの
ための特別な結線作業が不用となる。結果として、半導
体装置の品質が向上すると共に、製造時の歩留まりが向
上する。
【図１】本発明の一実施例に係る半導体装置を示す断面
図である。
図である。
【図２】同実施例の製造工程を示す図であって半導体チ
ップを搭載する前のリードフレームを示す断面図であ
る。
ップを搭載する前のリードフレームを示す断面図であ
る。
【図３】同実施例のダイボンディング工程を示す断面図
である。
である。
【図４】同実施例のワイヤボンディング工程を示す断面
図である。
図である。
【図５】同実施例のパッケージング工程を示す断面図で
ある。
ある。
【図６】同実施例のハンダメッキ工程を示す断面図であ
る。
る。
【図７】本発明の他の実施例に係る半導体装置を示す断
面図である。
面図である。
【図８】同実施例の製造工程を示す図であって半導体チ
ップを搭載する前のリードフレームを示す断面図であ
る。
ップを搭載する前のリードフレームを示す断面図であ
る。
【図９】同実施例のダイボンディング工程を示す断面図
である。
である。
【図１０】同実施例のワイヤボンディング工程を示す断
面図である。
面図である。
【図１１】同実施例のパッケージング工程を示す断面図
である。
である。
【図１２】同実施例のハンダメッキ工程を示す断面図で
ある。
ある。
【図１３】本発明のさらに他の実施例に係る半導体装置
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図１４】本発明の半導体装置に放熱部材を取り付けた
実施例を示す断面図である。
実施例を示す断面図である。
【図１５】本発明の半導体装置に放熱部材を取り付けた
他の実施例を示す断面図である。
他の実施例を示す断面図である。
【図１６】本発明の半導体装置にアース線を取り付けた
実施例を示す断面図である。
実施例を示す断面図である。
【図１７】本発明の半導体装置にアース線を取り付けた
他の実施例を示す断面図である。
他の実施例を示す断面図である。
【図１８】本発明の半導体装置のその他の取り付け例を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図１９】本発明に係るリードフレームを示す平面図で
ある。
ある。
１…リードフレーム ２…ステージ部
３…レール部 ４…ステージサ
ポートバー ５…インナーリード ６…半導体チッ
プ ７…封止樹脂層 ８…金線 ９…マウント基板
ポートバー ５…インナーリード ６…半導体チッ
プ ７…封止樹脂層 ８…金線 ９…マウント基板
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年４月１３日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００２】
【従来の技術】樹脂封止型の半導体装置にあっては、封
止樹脂の吸湿性等に起因して樹脂パッケージ内に水分が
溜り、この水分がハンダ付け等の際の加熱によって膨張
し、封止樹脂にクラックを生じさせるという問題が従来
指摘されている。樹脂パッケージ内に溜った水分はリー
ドフレームと封止樹脂との界面に存在することが多く、
特にチップを搭載するステージ部の裏面に溜った水分が
クラック発生に悪影響を及ぼすことが判明している。こ
のような樹脂パッケージ内に溜った水分による悪影響を
除去するための従来の方法としては、リードフレームに
封止樹脂との間の密着性を向上させる処理を施して水分
を内部に進入させないようにすると共にリードフレーム
と封止樹脂間で剥離が生じ難くする方法が知られてい
る。また、ステージサポートバーを介してステージ部に
水分が侵入することを低減するために、ステージサポー
トバーを直線状から屈曲した形状に変えたり、あるいは
ステージサポートバーを細くする方法が知られている。
しかしながら、いずれの方法も、樹脂パッケージ内に溜
る水分を皆無にするには至らなかった。
止樹脂の吸湿性等に起因して樹脂パッケージ内に水分が
溜り、この水分がハンダ付け等の際の加熱によって膨張
し、封止樹脂にクラックを生じさせるという問題が従来
指摘されている。樹脂パッケージ内に溜った水分はリー
ドフレームと封止樹脂との界面に存在することが多く、
特にチップを搭載するステージ部の裏面に溜った水分が
クラック発生に悪影響を及ぼすことが判明している。こ
のような樹脂パッケージ内に溜った水分による悪影響を
除去するための従来の方法としては、リードフレームに
封止樹脂との間の密着性を向上させる処理を施して水分
を内部に進入させないようにすると共にリードフレーム
と封止樹脂間で剥離が生じ難くする方法が知られてい
る。また、ステージサポートバーを介してステージ部に
水分が侵入することを低減するために、ステージサポー
トバーを直線状から屈曲した形状に変えたり、あるいは
ステージサポートバーを細くする方法が知られている。
しかしながら、いずれの方法も、樹脂パッケージ内に溜
る水分を皆無にするには至らなかった。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００８】
【作用】このように構成した本発明にあっては、ステー
ジ部の半導体チップ搭載側とは反対側の表面に、好まし
くは半導体チップの面積に相当する表面が外部に露呈し
ているため、ステージ部の裏面に水分が溜ることがなく
なる。そのため、半導体装置を、基板等にハンダ付けす
る際の加熱によって水分が膨張して樹脂層にクラックを
発生させることがなくなる。特に、ステージ部の面積が
大きく、かつ薄型のパッケージであっても、樹脂パッケ
ージにクラックが発生することがない。また、ステージ
部が外部に露出するようにした構成であるため、放熱性
が良好であり、半導体装置の耐熱性を向上させる。特
に、露呈したステージ部の表面に直接放熱部材を取り付
けるように構成した半導体チップでは、さらに放熱性が
向上し、例えばパワーＩＣ等のような発熱量が大きい半
導体デバイスであっても樹脂パッケージが可能となる。
ジ部の半導体チップ搭載側とは反対側の表面に、好まし
くは半導体チップの面積に相当する表面が外部に露呈し
ているため、ステージ部の裏面に水分が溜ることがなく
なる。そのため、半導体装置を、基板等にハンダ付けす
る際の加熱によって水分が膨張して樹脂層にクラックを
発生させることがなくなる。特に、ステージ部の面積が
大きく、かつ薄型のパッケージであっても、樹脂パッケ
ージにクラックが発生することがない。また、ステージ
部が外部に露出するようにした構成であるため、放熱性
が良好であり、半導体装置の耐熱性を向上させる。特
に、露呈したステージ部の表面に直接放熱部材を取り付
けるように構成した半導体チップでは、さらに放熱性が
向上し、例えばパワーＩＣ等のような発熱量が大きい半
導体デバイスであっても樹脂パッケージが可能となる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１２】次に、図４に示すように、この半導体チッ
プ６とインナリード５とを、直径が約２３〜３０μｍ程
度の金線８によりワイヤボンディングして結線する。さ
らに、図５に示すように、ワイヤボンディングされた半
導体チップ６をモールド成形のためのキャビティを有す
る金型１１ａ，１１ｂ内の所定位置に設置する。この金
型の下型１１ｂには、ステージ部２を真空吸引するため
の吸引孔１２が複数個穿設されている。そして、ワイヤ
ボンディングを終了したリードフレーム１を金型内に設
置して、真空吸引装置（不図示）によってステージ部２
を吸着しながら、注入口１３から溶融樹脂を射出してモ
ールド成形を行う（パッケージング）。このとき、下型
１１ｂのステージ部裏面２ａに接触する部分は鏡面仕上
げを施しておくことが好ましく、これによって封止樹脂
のバリを低減することができる。また、さらに封止樹脂
のバリ低減のためにステージ部裏面２ａに接触する部分
に、耐熱性の高い（金型温度１７５°Ｃ以上）樹脂膜
（たとえば、ポリイミド、テフロン樹脂）を１０〜２０
μｍ程度の厚さで形成してステージ部裏面２ａと密着性
を向上させても良い。それでも、ステージ部裏面２ａに
薄い封止樹脂膜が形成されることもあるが、これは一般
的な液体ホーニングと水圧バリ取りにて簡単に除去する
ことができる。このような真空吸着による製造方法によ
れば、ステージ部２の位置決めを精度良く行うことがで
きると同時に、ステージ部裏面２ａに溶融樹脂が侵入す
るのを防止することができる。したがって、バリ取りの
作業がほとんど不用になるか、もしくは容易になる。な
お、ステージ部２を真空吸着するための吸引孔は下型１
１ｂに限定されることなく、上型１１ａに形成してリー
ドフレーム１を逆に設置することも可能である。
プ６とインナリード５とを、直径が約２３〜３０μｍ程
度の金線８によりワイヤボンディングして結線する。さ
らに、図５に示すように、ワイヤボンディングされた半
導体チップ６をモールド成形のためのキャビティを有す
る金型１１ａ，１１ｂ内の所定位置に設置する。この金
型の下型１１ｂには、ステージ部２を真空吸引するため
の吸引孔１２が複数個穿設されている。そして、ワイヤ
ボンディングを終了したリードフレーム１を金型内に設
置して、真空吸引装置（不図示）によってステージ部２
を吸着しながら、注入口１３から溶融樹脂を射出してモ
ールド成形を行う（パッケージング）。このとき、下型
１１ｂのステージ部裏面２ａに接触する部分は鏡面仕上
げを施しておくことが好ましく、これによって封止樹脂
のバリを低減することができる。また、さらに封止樹脂
のバリ低減のためにステージ部裏面２ａに接触する部分
に、耐熱性の高い（金型温度１７５°Ｃ以上）樹脂膜
（たとえば、ポリイミド、テフロン樹脂）を１０〜２０
μｍ程度の厚さで形成してステージ部裏面２ａと密着性
を向上させても良い。それでも、ステージ部裏面２ａに
薄い封止樹脂膜が形成されることもあるが、これは一般
的な液体ホーニングと水圧バリ取りにて簡単に除去する
ことができる。このような真空吸着による製造方法によ
れば、ステージ部２の位置決めを精度良く行うことがで
きると同時に、ステージ部裏面２ａに溶融樹脂が侵入す
るのを防止することができる。したがって、バリ取りの
作業がほとんど不用になるか、もしくは容易になる。な
お、ステージ部２を真空吸着するための吸引孔は下型１
１ｂに限定されることなく、上型１１ａに形成してリー
ドフレーム１を逆に設置することも可能である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１３】ついで、図６に示すように、一般的な電気
メッキ法にて、膜厚５〜１８μｍ程度のハンダメッキ１
４を施す。最後にリードフレーム１の周囲を切断し、イ
ンナーリード５の外側に形成されるアウタリードを所定
形状に折り曲げることにより、図１に示す半導体装置が
完成する。なお、リードフレーム１の半導体チップ搭載
側のステージ部２およびステージサポートバー４の表面
に、封止樹脂とステージ部２あるいはステージサポート
バー４との密着性を高めるために、ブラスト処理などの
表面処理を施すこともできる。これにより、半導体チッ
プ搭載側の封止樹脂とステージ部２あるいはステージサ
ポートバー４との密着性が高まる。なお、この表面処理
はブラスト処理にのみ限定されるものではなく、銀メッ
キを廃止する方法（銀メッキレス）を採用しても良い。
メッキ法にて、膜厚５〜１８μｍ程度のハンダメッキ１
４を施す。最後にリードフレーム１の周囲を切断し、イ
ンナーリード５の外側に形成されるアウタリードを所定
形状に折り曲げることにより、図１に示す半導体装置が
完成する。なお、リードフレーム１の半導体チップ搭載
側のステージ部２およびステージサポートバー４の表面
に、封止樹脂とステージ部２あるいはステージサポート
バー４との密着性を高めるために、ブラスト処理などの
表面処理を施すこともできる。これにより、半導体チッ
プ搭載側の封止樹脂とステージ部２あるいはステージサ
ポートバー４との密着性が高まる。なお、この表面処理
はブラスト処理にのみ限定されるものではなく、銀メッ
キを廃止する方法（銀メッキレス）を採用しても良い。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１４】このように構成した本実施例に係る半導体
装置では、ステージ部の半導体チップ搭載側とは反対側
の表面であって、少なくとも半導体チップに相当する表
面が外部に露呈しているため、ステージ部の裏面に水分
が溜ることがなく、半導体装置をマウント基板などにハ
ンダ付けする際の加熱によって樹脂層にクラックが発生
することがなくなる。特に、ステージ部の面積が大き
く、かつ薄型のパッケージであっても、クラックが発生
することがない。また、この実施例では、ステージ部の
表面が樹脂層の外表面と面一になるように露呈している
ので、その分だけ、半導体装置の肉厚を低減することが
できる。例えば約０．７〜０．８ｍｍ程度に薄くするこ
とができる。
装置では、ステージ部の半導体チップ搭載側とは反対側
の表面であって、少なくとも半導体チップに相当する表
面が外部に露呈しているため、ステージ部の裏面に水分
が溜ることがなく、半導体装置をマウント基板などにハ
ンダ付けする際の加熱によって樹脂層にクラックが発生
することがなくなる。特に、ステージ部の面積が大き
く、かつ薄型のパッケージであっても、クラックが発生
することがない。また、この実施例では、ステージ部の
表面が樹脂層の外表面と面一になるように露呈している
ので、その分だけ、半導体装置の肉厚を低減することが
できる。例えば約０．７〜０．８ｍｍ程度に薄くするこ
とができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１５】また、このような半導体装置を、図１に示
すように、ステージ部２がマウント基板９に対して近接
するように、マウント基板９上に装着する場合には、こ
れらの間に隙間ｓを約０．１ｍｍ程度設けるので、半導
体装置のアウタリードの基板９に対する接続時に用いる
ハンダの浸責ないしリフローに際し、ハンダがステージ
部２の表面に付着することもない。また、この隙間ｓに
より、十分な熱放散が可能になり、半導体装置の特性が
向上する。
すように、ステージ部２がマウント基板９に対して近接
するように、マウント基板９上に装着する場合には、こ
れらの間に隙間ｓを約０．１ｍｍ程度設けるので、半導
体装置のアウタリードの基板９に対する接続時に用いる
ハンダの浸責ないしリフローに際し、ハンダがステージ
部２の表面に付着することもない。また、この隙間ｓに
より、十分な熱放散が可能になり、半導体装置の特性が
向上する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１７】本実施例の半導体装置においては、図７に
示すように、ステージ部２に搭載された少なくとも半導
体チップ６の裏面に相当するステージ部２の表面２ａが
封止樹脂層から露呈するように当該封止樹脂層７に凹部
１５を形成している。なお、図中「８」は半導体チップ
６とインナーリード５とを結ぶ金線、「９」はマウント
基板であり、「１０」はインナーリード５をマウント基
板９に固定するためのハンダである。凹部１５の開口形
状は特に限定されず、円形、四角形等の形状が考えられ
る。四角形である場合には、四隅にＲ（丸み）を設けて
おくことが好ましい。応力集中を防止するためである。
また、凹部１５の開口面積は、少なくとも半導体チップ
の面積と同等以上であることが好ましい。放熱性を向上
させるなどの理由による。このような半導体装置を製造
するには、まず、図８に示すリードフレーム１のステー
ジ部２の片面にＡｇペースト材などを塗布し、半導体チ
ップ６を搭載し、約１６０゜Ｃの加熱下で約６０分保持
して固化させる（ダイボンディング、図９参照）。
示すように、ステージ部２に搭載された少なくとも半導
体チップ６の裏面に相当するステージ部２の表面２ａが
封止樹脂層から露呈するように当該封止樹脂層７に凹部
１５を形成している。なお、図中「８」は半導体チップ
６とインナーリード５とを結ぶ金線、「９」はマウント
基板であり、「１０」はインナーリード５をマウント基
板９に固定するためのハンダである。凹部１５の開口形
状は特に限定されず、円形、四角形等の形状が考えられ
る。四角形である場合には、四隅にＲ（丸み）を設けて
おくことが好ましい。応力集中を防止するためである。
また、凹部１５の開口面積は、少なくとも半導体チップ
の面積と同等以上であることが好ましい。放熱性を向上
させるなどの理由による。このような半導体装置を製造
するには、まず、図８に示すリードフレーム１のステー
ジ部２の片面にＡｇペースト材などを塗布し、半導体チ
ップ６を搭載し、約１６０゜Ｃの加熱下で約６０分保持
して固化させる（ダイボンディング、図９参照）。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１８】次に、図１０に示すように、この半導体チ
ップ６とインナリード５とを、直径が２３〜３０μｍ程
度の金線８によりワイヤボンディングして結線する。さ
らに、図１１に示すように、ワイヤボンディングされた
半導体チップ６を、モールド成形のためのキャビティを
有する金型１１ａ，１１ｂの所定位置に設置する。この
金型の下型１１ｂには、凸部１１ｃが形成してあり、こ
の凸部１１ｃには、ステージ部２を真空吸引するための
吸引孔１２が複数個穿設されている。そして、ワイヤボ
ンディングを終了したリードフレーム１を金型内に設置
して、真空吸引装置（不図示）によってステージ部２を
吸着しながら、注入口１３から溶融樹脂を射出してモー
ルド成形を行う（パッケージング）。このとき、下型１
１ｂのステージ部裏面２ａに接触する部分は鏡面仕上げ
を施しておくことが好ましく、これによって封止樹脂の
バリを低減することができる。さらに封止樹脂のバリ低
減のためにステージ部裏面２ａに接触する部分に、耐熱
性の高い（金型温度１７５°Ｃ以上）樹脂膜（たとえ
ば、ポリイミドやテフロン樹脂）を１０〜２０μｍ程度
の厚さで形成してステージ部裏面２ａとの密着性を向上
させても良い。それでも、ステージ部裏面２ａに薄い封
止樹脂膜が形成されることもあるが、これは一般的な液
体ホーニングと水圧バリ取りにて簡単に除去することが
できる。このような真空吸着による製造方法によれば、
ステージ部２の位置決めを精度良く行うことができると
同時に、ステージ部裏面２ａに溶融樹脂が侵入するのを
防止することができる。特に、本実施例に係るステージ
部２の周縁には複数の通孔１６が穿設されているため、
モールド成形時に溶融樹脂がこの通孔１６に入り込んで
固化することにより、ステージ部２が封止樹脂層７に強
固に固定されることになる。
ップ６とインナリード５とを、直径が２３〜３０μｍ程
度の金線８によりワイヤボンディングして結線する。さ
らに、図１１に示すように、ワイヤボンディングされた
半導体チップ６を、モールド成形のためのキャビティを
有する金型１１ａ，１１ｂの所定位置に設置する。この
金型の下型１１ｂには、凸部１１ｃが形成してあり、こ
の凸部１１ｃには、ステージ部２を真空吸引するための
吸引孔１２が複数個穿設されている。そして、ワイヤボ
ンディングを終了したリードフレーム１を金型内に設置
して、真空吸引装置（不図示）によってステージ部２を
吸着しながら、注入口１３から溶融樹脂を射出してモー
ルド成形を行う（パッケージング）。このとき、下型１
１ｂのステージ部裏面２ａに接触する部分は鏡面仕上げ
を施しておくことが好ましく、これによって封止樹脂の
バリを低減することができる。さらに封止樹脂のバリ低
減のためにステージ部裏面２ａに接触する部分に、耐熱
性の高い（金型温度１７５°Ｃ以上）樹脂膜（たとえ
ば、ポリイミドやテフロン樹脂）を１０〜２０μｍ程度
の厚さで形成してステージ部裏面２ａとの密着性を向上
させても良い。それでも、ステージ部裏面２ａに薄い封
止樹脂膜が形成されることもあるが、これは一般的な液
体ホーニングと水圧バリ取りにて簡単に除去することが
できる。このような真空吸着による製造方法によれば、
ステージ部２の位置決めを精度良く行うことができると
同時に、ステージ部裏面２ａに溶融樹脂が侵入するのを
防止することができる。特に、本実施例に係るステージ
部２の周縁には複数の通孔１６が穿設されているため、
モールド成形時に溶融樹脂がこの通孔１６に入り込んで
固化することにより、ステージ部２が封止樹脂層７に強
固に固定されることになる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２０】なお、本実施例にあってもリードフレーム
１の半導体チップ搭載側のステージ部２およびステージ
サポートバー４の表面に、封止樹脂とステージ部２ある
いはステージサポートバー４との密着性を高めるため
に、ブラスト処理などの表面処理を施すこともできる。
これにより、半導体チップ搭載側の封止樹脂とステージ
部２あるいはステージサポートバー４との密着性が高ま
る。この表面処理はブラスト処理にのみ限定されるもの
ではなく、銀メッキを廃止する方法（銀メッキレス）を
採用しても良い。
１の半導体チップ搭載側のステージ部２およびステージ
サポートバー４の表面に、封止樹脂とステージ部２ある
いはステージサポートバー４との密着性を高めるため
に、ブラスト処理などの表面処理を施すこともできる。
これにより、半導体チップ搭載側の封止樹脂とステージ
部２あるいはステージサポートバー４との密着性が高ま
る。この表面処理はブラスト処理にのみ限定されるもの
ではなく、銀メッキを廃止する方法（銀メッキレス）を
採用しても良い。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２１】このように構成した本実施例に係る半導体
装置では、ステージ部の半導体チップ搭載側とは反対側
の表面であって、少なくとも半導体チップに相当する表
面２ａが外部に露呈しているため、ステージ部の裏面２
ａに水分が溜ることがなく、半導体装置を基板などにハ
ンダ付けする際の加熱によって膨張する水分によってク
ラックが発生することがなくなる。特に、ステージ部の
面積が大きく、かつ薄型のパッケージであっても、クラ
ックが発生することがない。本実施例に係る凹部１５の
形成位置は、少なくとも半導体チップ６の裏面に相当す
る位置であるが、図１３に示すように、ステージ部２の
裏面全体２ａが露呈するように封止樹脂層７に凹部１５
を形成しても良い。
装置では、ステージ部の半導体チップ搭載側とは反対側
の表面であって、少なくとも半導体チップに相当する表
面２ａが外部に露呈しているため、ステージ部の裏面２
ａに水分が溜ることがなく、半導体装置を基板などにハ
ンダ付けする際の加熱によって膨張する水分によってク
ラックが発生することがなくなる。特に、ステージ部の
面積が大きく、かつ薄型のパッケージであっても、クラ
ックが発生することがない。本実施例に係る凹部１５の
形成位置は、少なくとも半導体チップ６の裏面に相当す
る位置であるが、図１３に示すように、ステージ部２の
裏面全体２ａが露呈するように封止樹脂層７に凹部１５
を形成しても良い。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２４】さらに、本発明に係る半導体装置に対する
電磁的ノイズをシールドすることにより、半導体装置の
電気的特性を安定化させる実施例について説明する。図
１６は本発明の半導体装置にアース線を取り付けた実施
例を示す断面図、図１７は本発明の半導体装置にアース
線を取り付けた他の実施例を示す断面図、図１８は本発
明の半導体装置のその他の取り付け例を示す断面図であ
る。図１６に示す半導体装置は、図２〜図６に示す製造
方法により製造してあり、インナーリード５を、図１に
示す半導体装置とは反対側に折り曲げてあり、マウント
基板９に半導体装置を取り付けた場合に、ステージ部２
の露呈面が上を向くようになっている。本実施例では、
ステージ部裏面２ａの露呈した表面に、ハンダ付け２０
（あるいは導電性を有する接着剤）を施し、アース線１
９を取り付け、このアース線１９の他端をマウント基板
９のアース側リード５ａに結線している。本実施例で
は、ステージ部裏面２ａの露呈した表面にハンダメッキ
層が形成されているのでアース線１９の取りつけが容易
である。
電磁的ノイズをシールドすることにより、半導体装置の
電気的特性を安定化させる実施例について説明する。図
１６は本発明の半導体装置にアース線を取り付けた実施
例を示す断面図、図１７は本発明の半導体装置にアース
線を取り付けた他の実施例を示す断面図、図１８は本発
明の半導体装置のその他の取り付け例を示す断面図であ
る。図１６に示す半導体装置は、図２〜図６に示す製造
方法により製造してあり、インナーリード５を、図１に
示す半導体装置とは反対側に折り曲げてあり、マウント
基板９に半導体装置を取り付けた場合に、ステージ部２
の露呈面が上を向くようになっている。本実施例では、
ステージ部裏面２ａの露呈した表面に、ハンダ付け２０
（あるいは導電性を有する接着剤）を施し、アース線１
９を取り付け、このアース線１９の他端をマウント基板
９のアース側リード５ａに結線している。本実施例で
は、ステージ部裏面２ａの露呈した表面にハンダメッキ
層が形成されているのでアース線１９の取りつけが容易
である。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２６】さらに、図１８に示すように、半導体の種
類によっては、上述したアース線を省略してステージ部
の裏面を直接マウント基板のアース部と電気的に接続す
るように構成しても良い。ステージ部裏面２ａに相当す
るマウント基板９にはアース部９ａが形成されている。
そして、ステージ部の裏面２ａ、あるいはこの裏面に形
成されたハンダメッキ層がマウント基板９のアース部９
ａに接触または導電性の接着剤でコンタクトするように
半導体装置をマウント基板９に取り付けている。このよ
うに構成した半導体装置にあっては、アースのための作
業がさらに容易になる。なお、本発明は上述した実施例
のみに限定されるものではなく、本発明の要旨を越えな
い限りにおいて種々に改変することができる。たとえ
ば、本発明の半導体装置は、上述した製造例以外の方法
で製造するようにしても良い。本発明の半導体装置は、
吸引孔１２を有さない金型１１ａ，１１ｂを用いて樹脂
パッケージされても良い。
類によっては、上述したアース線を省略してステージ部
の裏面を直接マウント基板のアース部と電気的に接続す
るように構成しても良い。ステージ部裏面２ａに相当す
るマウント基板９にはアース部９ａが形成されている。
そして、ステージ部の裏面２ａ、あるいはこの裏面に形
成されたハンダメッキ層がマウント基板９のアース部９
ａに接触または導電性の接着剤でコンタクトするように
半導体装置をマウント基板９に取り付けている。このよ
うに構成した半導体装置にあっては、アースのための作
業がさらに容易になる。なお、本発明は上述した実施例
のみに限定されるものではなく、本発明の要旨を越えな
い限りにおいて種々に改変することができる。たとえ
ば、本発明の半導体装置は、上述した製造例以外の方法
で製造するようにしても良い。本発明の半導体装置は、
吸引孔１２を有さない金型１１ａ，１１ｂを用いて樹脂
パッケージされても良い。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２７】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、ステージ部の半導体チップ搭載側とは反対側の表面
に、好ましくは半導体チップの面積に相当する表面が外
部に露呈しているため、ステージ部の裏面に水分が溜る
ことがなくなる。そのため、半導体装置を、基板等にハ
ンダ付けする際の加熱によって水分が膨張して樹脂層に
クラックを発生させることがなくなる。特に、ステージ
部の面積が大きく、かつ薄型のパッケージであっても、
樹脂パッケージにクラックが発生することがない。ま
た、ステージ部が外部に露出するようにした構成である
ため、放熱性が良好であり、半導体装置の耐熱性を向上
させると共に、半導体の特性向上にも寄与する。特に、
露呈したステージ部の表面に直接放熱部材を取り付ける
ように構成した半導体チップでは、さらに放熱姓が向上
し、例えばパワーＩＣ等のような発熱量が大きい半導体
デバイスであっても樹脂パッケージが可能となる。樹脂
パッケージとした場合には、従来のセラミックパッケー
ジに比較し、小型化、軽量化及びコストの低減が図れ
る。
ば、ステージ部の半導体チップ搭載側とは反対側の表面
に、好ましくは半導体チップの面積に相当する表面が外
部に露呈しているため、ステージ部の裏面に水分が溜る
ことがなくなる。そのため、半導体装置を、基板等にハ
ンダ付けする際の加熱によって水分が膨張して樹脂層に
クラックを発生させることがなくなる。特に、ステージ
部の面積が大きく、かつ薄型のパッケージであっても、
樹脂パッケージにクラックが発生することがない。ま
た、ステージ部が外部に露出するようにした構成である
ため、放熱性が良好であり、半導体装置の耐熱性を向上
させると共に、半導体の特性向上にも寄与する。特に、
露呈したステージ部の表面に直接放熱部材を取り付ける
ように構成した半導体チップでは、さらに放熱姓が向上
し、例えばパワーＩＣ等のような発熱量が大きい半導体
デバイスであっても樹脂パッケージが可能となる。樹脂
パッケージとした場合には、従来のセラミックパッケー
ジに比較し、小型化、軽量化及びコストの低減が図れ
る。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１１
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１１】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１２
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１２】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１３
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１３】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１４
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１４】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１５
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１５】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１７
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１７】
【手続補正２０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１８
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１８】
Claims (3)
- 【請求項１】 ステージ部の表面に半導体チップを搭載
し、この半導体チップの周囲をモールド成形することに
より封止樹脂層を形成してなる樹脂封止型の半導体装置
において、 前記ステージ部の半導体チップ搭載側とは反対側の表面
の全部または一部が露呈するように上記封止樹脂層が半
導体チップの周囲に形成してあることを特徴とする半導
体装置。 - 【請求項２】 前記露呈したステージ部の表面に放熱部
材が取り付けてあることを特徴とする請求項１に記載の
半導体装置。 - 【請求項３】 前記露呈したステージ部の表面からアー
スをとるように構成してある請求項１または２に記載の
半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3210222A JPH0536863A (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3210222A JPH0536863A (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0536863A true JPH0536863A (ja) | 1993-02-12 |
Family
ID=16585812
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3210222A Pending JPH0536863A (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0536863A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06334113A (ja) * | 1993-05-21 | 1994-12-02 | Sony Corp | マルチチップモジュール |
| JP2006222121A (ja) * | 2005-02-08 | 2006-08-24 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
| EP3001453A1 (en) | 2014-09-29 | 2016-03-30 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device |
-
1991
- 1991-07-26 JP JP3210222A patent/JPH0536863A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06334113A (ja) * | 1993-05-21 | 1994-12-02 | Sony Corp | マルチチップモジュール |
| JP2006222121A (ja) * | 2005-02-08 | 2006-08-24 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP4547279B2 (ja) * | 2005-02-08 | 2010-09-22 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| EP3001453A1 (en) | 2014-09-29 | 2016-03-30 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device |
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