JPH05336732A - Ｉｇｂｔゲート回路 - Google Patents
Ｉｇｂｔゲート回路Info
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- JPH05336732A JPH05336732A JP4141230A JP14123092A JPH05336732A JP H05336732 A JPH05336732 A JP H05336732A JP 4141230 A JP4141230 A JP 4141230A JP 14123092 A JP14123092 A JP 14123092A JP H05336732 A JPH05336732 A JP H05336732A
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- igbt
- transistor
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 ＩＧＢＴ１のゲート回路２は、ＩＧＢＴのゲ
ート−エミッタ端子間に接続されて構成される。ＩＧＢ
Ｔのゲート端子にはゲート抵抗部20ａが接続される。又
ゲート抵抗部と直列にＩＧＢＴをオンするゲートオン手
段として、ゲートオン用トランジスタ21、ゲートオン用
直流電源22が、ＩＧＢＴをオフするゲートオフ手段とし
て、ゲートオフ用トランジスタ23、ゲートオフ用直流電
源24が接続される。ゲート抵抗部はＩＧＢＴのオフ時に
ＩＧＢＴのコレクタ−エミッタ間電圧を検出し基準値と
比較する比較回路204 を有し、異常値の場合トランジス
タ202 のスイッチング動作により、ゲート抵抗値を可変
する。 【効果】 本発明では、通常時はゲート抵抗値を小さく
設定してスイッチングロスを低減し、過電圧時などには
ゲート抵抗値を大きく設定することにより、ＩＧＢＴに
かかるオーバーシュート電圧の最大値を抑制して、ＩＧ
ＢＴを電圧破壊から防止できる。
ート−エミッタ端子間に接続されて構成される。ＩＧＢ
Ｔのゲート端子にはゲート抵抗部20ａが接続される。又
ゲート抵抗部と直列にＩＧＢＴをオンするゲートオン手
段として、ゲートオン用トランジスタ21、ゲートオン用
直流電源22が、ＩＧＢＴをオフするゲートオフ手段とし
て、ゲートオフ用トランジスタ23、ゲートオフ用直流電
源24が接続される。ゲート抵抗部はＩＧＢＴのオフ時に
ＩＧＢＴのコレクタ−エミッタ間電圧を検出し基準値と
比較する比較回路204 を有し、異常値の場合トランジス
タ202 のスイッチング動作により、ゲート抵抗値を可変
する。 【効果】 本発明では、通常時はゲート抵抗値を小さく
設定してスイッチングロスを低減し、過電圧時などには
ゲート抵抗値を大きく設定することにより、ＩＧＢＴに
かかるオーバーシュート電圧の最大値を抑制して、ＩＧ
ＢＴを電圧破壊から防止できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＩＧＢＴを使用した装
置におけるＩＧＢＴゲート回路に関する。
置におけるＩＧＢＴゲート回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＧＢＴは近年インバータ回路、チョッ
パ回路等の電力変換装置に使用されてきている。ＩＧＢ
Ｔはゲートに信号が入力されるとスイッチング動作を行
う。ＩＧＢＴの動作について図５を用いて説明する。図
５はＩＧＢＴのゲート回路図である。ＩＧＢＴ１のゲー
ト回路10は、ＩＧＢＴ１のゲート−エミッタ端子間に接
続されて構成される。ＩＧＢＴ１のゲート端子にはゲー
ト抵抗11が接続される。ゲート抵抗11と直列にゲートオ
ン用トランジスタ21のエミッタ端子が接続され、コレク
タ端子にゲートオン用直流電源22の＋側が接続される。
又、ゲート抵抗11と直列にゲートオフ用トランジスタ23
のコレクタ端子が接続され、エミッタ端子にゲートオフ
用直流電源24の−側が接続される。ゲートオン用直流電
源22の−側及びゲートオフ用直流電源24の＋側は、ＩＧ
ＢＴ１のエミッタ端子に接続される。
パ回路等の電力変換装置に使用されてきている。ＩＧＢ
Ｔはゲートに信号が入力されるとスイッチング動作を行
う。ＩＧＢＴの動作について図５を用いて説明する。図
５はＩＧＢＴのゲート回路図である。ＩＧＢＴ１のゲー
ト回路10は、ＩＧＢＴ１のゲート−エミッタ端子間に接
続されて構成される。ＩＧＢＴ１のゲート端子にはゲー
ト抵抗11が接続される。ゲート抵抗11と直列にゲートオ
ン用トランジスタ21のエミッタ端子が接続され、コレク
タ端子にゲートオン用直流電源22の＋側が接続される。
又、ゲート抵抗11と直列にゲートオフ用トランジスタ23
のコレクタ端子が接続され、エミッタ端子にゲートオフ
用直流電源24の−側が接続される。ゲートオン用直流電
源22の−側及びゲートオフ用直流電源24の＋側は、ＩＧ
ＢＴ１のエミッタ端子に接続される。
【０００３】ゲートオン用トランジスタ21にゲートオン
信号が入力されると、ゲートオン用トランジスタ21がオ
ン状態となる。するとゲートオン用直流電源22からＩＧ
ＢＴ１のゲート−エミッタ間にバイアス電圧がかかり、
ＩＧＢＴ１はオン状態となる。又、ゲートオフ用トラン
ジスタ23にゲートオフ信号が入力されるとゲートオフ用
トランジスタ23がオン状態となる。するとゲートオフ用
直流電源24から、ＩＧＢＴ１のゲート−エミッタ間に逆
バイアス電圧がかかりＩＧＢＴ１はオフ状態となる。
信号が入力されると、ゲートオン用トランジスタ21がオ
ン状態となる。するとゲートオン用直流電源22からＩＧ
ＢＴ１のゲート−エミッタ間にバイアス電圧がかかり、
ＩＧＢＴ１はオン状態となる。又、ゲートオフ用トラン
ジスタ23にゲートオフ信号が入力されるとゲートオフ用
トランジスタ23がオン状態となる。するとゲートオフ用
直流電源24から、ＩＧＢＴ１のゲート−エミッタ間に逆
バイアス電圧がかかりＩＧＢＴ１はオフ状態となる。
【０００４】図６はＩＧＢＴオフ時にＩＧＢＴに流れる
電流ＩとＩＧＢＴのコレクタ−エミッタ間電圧Ｖの様子
を示した図で、図６（ａ）はゲート抵抗値が小さい場
合、図６（ｂ）はゲート抵抗値が大きい場合の関係図で
ある。ゲート抵抗値を大きくする程、ＩＧＢＴオフ時の
電流Ｉの減衰率が緩やかになり、ＩＧＢＴのコレクタ−
エミッタ間電圧Ｖのオーバーシュートは低下することに
なるが、ＩＧＢＴオフ時のスイッチングロスは大きくな
っている。このオーバーシュート量、スイッチングロス
は、入力電圧、使用するＩＧＢＴによって異なるが、例
えば入力電圧が600 Ｖの時、ゲート抵抗が51Ωの場合と
10Ωの場合とでは、ゲート抵抗が51Ωの時の方が、オー
バーシュート量は約１／２以下となるが、スイッチング
ロスは逆に約2.5 倍程度となる。従って入力電圧が定格
あるいは通常レベルの変動程度では、ゲート抵抗は素子
電圧耐量の許す範囲で小さくし、スイッチングロスを小
さく抑えるように設定している。
電流ＩとＩＧＢＴのコレクタ−エミッタ間電圧Ｖの様子
を示した図で、図６（ａ）はゲート抵抗値が小さい場
合、図６（ｂ）はゲート抵抗値が大きい場合の関係図で
ある。ゲート抵抗値を大きくする程、ＩＧＢＴオフ時の
電流Ｉの減衰率が緩やかになり、ＩＧＢＴのコレクタ−
エミッタ間電圧Ｖのオーバーシュートは低下することに
なるが、ＩＧＢＴオフ時のスイッチングロスは大きくな
っている。このオーバーシュート量、スイッチングロス
は、入力電圧、使用するＩＧＢＴによって異なるが、例
えば入力電圧が600 Ｖの時、ゲート抵抗が51Ωの場合と
10Ωの場合とでは、ゲート抵抗が51Ωの時の方が、オー
バーシュート量は約１／２以下となるが、スイッチング
ロスは逆に約2.5 倍程度となる。従って入力電圧が定格
あるいは通常レベルの変動程度では、ゲート抵抗は素子
電圧耐量の許す範囲で小さくし、スイッチングロスを小
さく抑えるように設定している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、入力電
圧が増大して過電圧となった場合、ＩＧＢＴオフ時のコ
レクタ−エミッタ間電圧のオーバーシュートの最大値
が、素子電圧耐量を越えＩＧＢＴを破壊してしまうとい
う問題があった。
圧が増大して過電圧となった場合、ＩＧＢＴオフ時のコ
レクタ−エミッタ間電圧のオーバーシュートの最大値
が、素子電圧耐量を越えＩＧＢＴを破壊してしまうとい
う問題があった。
【０００６】そこで本発明は上記問題点を除去し、入力
電圧の通常時はＩＧＢＴオフ時のスイッチングロスを低
減させ、入力電圧の過電圧時はＩＧＢＴのコレクタ−エ
ミッタ間電圧のオーバーシュートの最大値を素子電圧耐
量以内に抑制させることにより、ＩＧＢＴの破壊を防止
することのできるＩＧＢＴゲート回路を提供することを
目的とする。
電圧の通常時はＩＧＢＴオフ時のスイッチングロスを低
減させ、入力電圧の過電圧時はＩＧＢＴのコレクタ−エ
ミッタ間電圧のオーバーシュートの最大値を素子電圧耐
量以内に抑制させることにより、ＩＧＢＴの破壊を防止
することのできるＩＧＢＴゲート回路を提供することを
目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明では、ＩＧＢＴのゲートオン信号をうけて、Ｉ
ＧＢＴをオンするゲートオン手段と、ＩＧＢＴのゲート
オフ信号をうけて、ＩＧＢＴをオフするゲートオフ手段
と、ＩＧＢＴのゲートとゲートオン手段及びゲートオフ
手段との間に接続されたゲート抵抗と、ＩＧＢＴのオフ
時に、ＩＧＢＴのコレクタ−エミッタ間電圧を検出し、
所定の基準値と比較して、ＩＧＢＴのコレクタ−エミッ
タ間電圧が異常値として検出された場合に、ゲート抵抗
を可変するゲート抵抗可変手段とを具備してなる。
に本発明では、ＩＧＢＴのゲートオン信号をうけて、Ｉ
ＧＢＴをオンするゲートオン手段と、ＩＧＢＴのゲート
オフ信号をうけて、ＩＧＢＴをオフするゲートオフ手段
と、ＩＧＢＴのゲートとゲートオン手段及びゲートオフ
手段との間に接続されたゲート抵抗と、ＩＧＢＴのオフ
時に、ＩＧＢＴのコレクタ−エミッタ間電圧を検出し、
所定の基準値と比較して、ＩＧＢＴのコレクタ−エミッ
タ間電圧が異常値として検出された場合に、ゲート抵抗
を可変するゲート抵抗可変手段とを具備してなる。
【０００８】
【作用】上述した構成により、ゲートオン手段はゲート
オン信号をうけると、ＩＧＢＴをオンする。又ゲートオ
フ手段はゲートオフ信号をうけるとＩＧＢＴをオフす
る。この時ゲート抵抗可変手段により、ＩＧＢＴのコレ
クタ−エミッタ間電圧が所定の基準値と比較して異常値
と判断された場合、ゲート抵抗は可変される。従って、
ＩＧＢＴにかかる電圧が異常値の場合ゲート抵抗値を大
きく設定することで、ＩＧＢＴのコレクタ−エミッタ間
電圧のオーバーシュートの最大値を素子電圧耐量以内に
抑制させるように働くことができる。
オン信号をうけると、ＩＧＢＴをオンする。又ゲートオ
フ手段はゲートオフ信号をうけるとＩＧＢＴをオフす
る。この時ゲート抵抗可変手段により、ＩＧＢＴのコレ
クタ−エミッタ間電圧が所定の基準値と比較して異常値
と判断された場合、ゲート抵抗は可変される。従って、
ＩＧＢＴにかかる電圧が異常値の場合ゲート抵抗値を大
きく設定することで、ＩＧＢＴのコレクタ−エミッタ間
電圧のオーバーシュートの最大値を素子電圧耐量以内に
抑制させるように働くことができる。
【０００９】
【実施例】本発明の実施例を図面を参照し詳細に説明す
る。
る。
【００１０】図２はＩＧＢＴを使用したチョッパ回路を
示す図である。直流電源３から与えられる直流電力はフ
ィルタコンデンサ４により安定化されＩＧＢＴ１を通じ
て負荷６に供給される。フィルタコンデンサ４には並列
に直流電圧検出器（ＤＣＰＴ）５が接続される。ＩＧＢ
Ｔ１のコレクタ−エミッタ端子間には逆並列にフライホ
イールダイオード１ａがゲート−エミッタ端子間にはＩ
ＧＢＴゲート回路（以下ゲート回路で示す）２が接続さ
れる。負荷６には逆並列にＩＧＢＴ１のオフ時の負荷電
流還流用フライホイールダイオード７が接続される。図
１は本発明の一実施例を示すＩＧＢＴのゲート回路図で
ある。
示す図である。直流電源３から与えられる直流電力はフ
ィルタコンデンサ４により安定化されＩＧＢＴ１を通じ
て負荷６に供給される。フィルタコンデンサ４には並列
に直流電圧検出器（ＤＣＰＴ）５が接続される。ＩＧＢ
Ｔ１のコレクタ−エミッタ端子間には逆並列にフライホ
イールダイオード１ａがゲート−エミッタ端子間にはＩ
ＧＢＴゲート回路（以下ゲート回路で示す）２が接続さ
れる。負荷６には逆並列にＩＧＢＴ１のオフ時の負荷電
流還流用フライホイールダイオード７が接続される。図
１は本発明の一実施例を示すＩＧＢＴのゲート回路図で
ある。
【００１１】ＩＧＢＴ１のゲート回路２は、ＩＧＢＴ１
のゲート−エミッタ端子間に接続されて構成される。Ｉ
ＧＢＴ１のゲート端子にはゲート抵抗部20ａが直列に接
続される。ゲート抵抗部20ａはゲート抵抗200, 201の直
列回路と、ゲート抵抗200 と並列にトランジスタ202 が
接続され、更にトランジスタ202 のコレクタ−エミッタ
端子間には逆並列にフライホイールダイオード203 が、
ベース端子には比較回路204 が接続されて構成される。
ゲート抵抗部20ａと直列にＩＧＢＴ１のゲートオン手段
として、ゲートオン用トランジスタ21のエミッタ端子が
接続され、コレクタ端子にゲートオン用直流電源22の＋
側が接続される。又ゲート抵抗部20ａと直列にゲートオ
フ手段としてゲートオフ用トランジスタ23のコレクタ端
子が接続され、エミッタ端子にゲートオフ用直流電源24
の−側が接続される。ゲートオン用直流電源22の−側及
びゲートオフ用直流電源24の＋側はＩＧＢＴ１のエミッ
タ端子に接続される。
のゲート−エミッタ端子間に接続されて構成される。Ｉ
ＧＢＴ１のゲート端子にはゲート抵抗部20ａが直列に接
続される。ゲート抵抗部20ａはゲート抵抗200, 201の直
列回路と、ゲート抵抗200 と並列にトランジスタ202 が
接続され、更にトランジスタ202 のコレクタ−エミッタ
端子間には逆並列にフライホイールダイオード203 が、
ベース端子には比較回路204 が接続されて構成される。
ゲート抵抗部20ａと直列にＩＧＢＴ１のゲートオン手段
として、ゲートオン用トランジスタ21のエミッタ端子が
接続され、コレクタ端子にゲートオン用直流電源22の＋
側が接続される。又ゲート抵抗部20ａと直列にゲートオ
フ手段としてゲートオフ用トランジスタ23のコレクタ端
子が接続され、エミッタ端子にゲートオフ用直流電源24
の−側が接続される。ゲートオン用直流電源22の−側及
びゲートオフ用直流電源24の＋側はＩＧＢＴ１のエミッ
タ端子に接続される。
【００１２】ゲートオン用トランジスタ21にゲートオン
信号が入力されると、ゲートオン用トランジスタ21がオ
ン状態となる。するとゲートオン用直流電源22から、Ｉ
ＧＢＴ１のゲート−エミッタ間にバイアス電圧がかかり
ＩＧＢＴ１はオン状態となる。通常トランジスタ202 を
オン状態にさせておくことで、ＩＧＢＴ１オン時のゲー
ト抵抗はゲート抵抗201 となる。又、オフゲート用トラ
ンジスタ23にゲートオフ信号が入力されると、ゲートオ
フ用トランジスタ23がオン状態となる。するとゲートオ
フ用直流電源24からＩＧＢＴ１のゲート−エミッタ間に
逆バイアス電圧がかかりＩＧＢＴ１はオフ状態となる。
この場合も通常トランジスタ202 をオン状態にさせてお
くことでＩＧＢＴ１オフ時のゲート抵抗はゲート抵抗20
2 となる。
信号が入力されると、ゲートオン用トランジスタ21がオ
ン状態となる。するとゲートオン用直流電源22から、Ｉ
ＧＢＴ１のゲート−エミッタ間にバイアス電圧がかかり
ＩＧＢＴ１はオン状態となる。通常トランジスタ202 を
オン状態にさせておくことで、ＩＧＢＴ１オン時のゲー
ト抵抗はゲート抵抗201 となる。又、オフゲート用トラ
ンジスタ23にゲートオフ信号が入力されると、ゲートオ
フ用トランジスタ23がオン状態となる。するとゲートオ
フ用直流電源24からＩＧＢＴ１のゲート−エミッタ間に
逆バイアス電圧がかかりＩＧＢＴ１はオフ状態となる。
この場合も通常トランジスタ202 をオン状態にさせてお
くことでＩＧＢＴ１オフ時のゲート抵抗はゲート抵抗20
2 となる。
【００１３】ＩＧＢＴ１オフ時にＩＧＢＴ１にかかる電
圧は、フィルタコンデンサ４に並列に接続されたＤＣＰ
Ｔ５で検出される電圧値である。このＤＣＰＴ５で検出
される電圧値は比較回路204 に入力され、所定の基準値
と比較される。図３に比較回路の制御ブロック図を示
す。ＤＣＰＴ５より検出された電圧値ＶFCと所定の基準
値Ｃ１とが比較回路204 に入力されると、ＶFCとＣ１の
大きさが比較される。通常時はＶFC≦Ｃ１であるので、
トランジスタ202 にオン信号が入力され、トランジスタ
202 はオン状態に保たれる。入力電圧が過電圧となる
と、ＶFC＞Ｃ１となりトランジスタ202 にオフ信号が入
力され、トランジスタ202 はオフ状態となる。この時ゲ
ート抵抗としては、ゲート抵抗200 とゲート抵抗201 の
直列抵抗となり、通常時のゲート抵抗よりも大きな値の
抵抗を設定できる。従って通常時ゲート抵抗を10Ωに設
定し、異常時は51Ωに設定したい場合などはゲート抵抗
201 を10Ω、ゲート抵抗200 を41Ωとすることで、通常
（ＶFC≦Ｃ１）の時は10Ωという小さなゲート抵抗201
を設定することでスイッチングロスを小さく抑えること
ができる。又、入力過電圧時などの異常時（ＶFC＞Ｃ
１）は41Ωのゲート抵抗200 と10Ωのゲート抵抗201 と
の直列抵抗51Ωに設定できるので、オーバーシュートを
抑制し、素子破壊を防ぐことができる。
圧は、フィルタコンデンサ４に並列に接続されたＤＣＰ
Ｔ５で検出される電圧値である。このＤＣＰＴ５で検出
される電圧値は比較回路204 に入力され、所定の基準値
と比較される。図３に比較回路の制御ブロック図を示
す。ＤＣＰＴ５より検出された電圧値ＶFCと所定の基準
値Ｃ１とが比較回路204 に入力されると、ＶFCとＣ１の
大きさが比較される。通常時はＶFC≦Ｃ１であるので、
トランジスタ202 にオン信号が入力され、トランジスタ
202 はオン状態に保たれる。入力電圧が過電圧となる
と、ＶFC＞Ｃ１となりトランジスタ202 にオフ信号が入
力され、トランジスタ202 はオフ状態となる。この時ゲ
ート抵抗としては、ゲート抵抗200 とゲート抵抗201 の
直列抵抗となり、通常時のゲート抵抗よりも大きな値の
抵抗を設定できる。従って通常時ゲート抵抗を10Ωに設
定し、異常時は51Ωに設定したい場合などはゲート抵抗
201 を10Ω、ゲート抵抗200 を41Ωとすることで、通常
（ＶFC≦Ｃ１）の時は10Ωという小さなゲート抵抗201
を設定することでスイッチングロスを小さく抑えること
ができる。又、入力過電圧時などの異常時（ＶFC＞Ｃ
１）は41Ωのゲート抵抗200 と10Ωのゲート抵抗201 と
の直列抵抗51Ωに設定できるので、オーバーシュートを
抑制し、素子破壊を防ぐことができる。
【００１４】図４は他の実施例を示すＩＧＢＴのゲート
回路図である。ＩＧＢＴ１のゲート端子にはゲート抵抗
部20ｂが直列に接続される。ゲート抵抗部20ｂはゲート
抵抗205 と並列にゲート抵抗206 、ダイオード207 の直
列回路、及びゲート抵抗208、ダイオード209 、トラン
ジスタ202 の直列回路が接続され、トランジスタ202の
ベース端子には比較回路204 が接続されて構成される。
ゲートオン手段及びゲートオフ手段の回路構成は、図１
の実施例と同様で、それぞれゲート抵抗部20ｂと直列に
接続されている。
回路図である。ＩＧＢＴ１のゲート端子にはゲート抵抗
部20ｂが直列に接続される。ゲート抵抗部20ｂはゲート
抵抗205 と並列にゲート抵抗206 、ダイオード207 の直
列回路、及びゲート抵抗208、ダイオード209 、トラン
ジスタ202 の直列回路が接続され、トランジスタ202の
ベース端子には比較回路204 が接続されて構成される。
ゲートオン手段及びゲートオフ手段の回路構成は、図１
の実施例と同様で、それぞれゲート抵抗部20ｂと直列に
接続されている。
【００１５】ゲートオン用トランジスタ21にゲートオン
信号が入力されると、ＩＧＢＴ１はオン状態となる。通
常トランジスタ202 をオン状態にさせておくことで、Ｉ
ＧＢＴ１オン時のゲート抵抗はゲート抵抗205 とゲート
抵抗206 との並列抵抗値となる。又、ゲートオフ用トラ
ンジスタ23にゲートオフ信号が入力されると、ＩＧＢＴ
１はオフ状態となる。この場合も通常トランジスタ202
をオン状態にさせておくことで、ＩＧＢＴ１オフ時のゲ
ート抵抗はゲート抵抗205 とゲート抵抗208 との並列抵
抗値となる。
信号が入力されると、ＩＧＢＴ１はオン状態となる。通
常トランジスタ202 をオン状態にさせておくことで、Ｉ
ＧＢＴ１オン時のゲート抵抗はゲート抵抗205 とゲート
抵抗206 との並列抵抗値となる。又、ゲートオフ用トラ
ンジスタ23にゲートオフ信号が入力されると、ＩＧＢＴ
１はオフ状態となる。この場合も通常トランジスタ202
をオン状態にさせておくことで、ＩＧＢＴ１オフ時のゲ
ート抵抗はゲート抵抗205 とゲート抵抗208 との並列抵
抗値となる。
【００１６】本実施例でも同様にＤＣＰＴ５の出力電圧
値ＶFCと所定の基準値Ｃ１とを比較回路204 で比較する
ことにより、トランジスタ202 をオン状態又はオフ状態
に動作させる。ＶFC＞Ｃ１状態になる入力過電圧時など
は、比較回路204 によりトランジスタ202 にオフ信号を
入力することで、ゲート抵抗はゲート抵抗205 に設定で
きる。従って通常時ゲート抵抗を10Ωに設定し異常時は
51Ωに設定したい場合などは、ゲート抵抗205 を51Ω、
ゲート抵抗206 ，208 をそれぞれ約12Ωとすればよい。
値ＶFCと所定の基準値Ｃ１とを比較回路204 で比較する
ことにより、トランジスタ202 をオン状態又はオフ状態
に動作させる。ＶFC＞Ｃ１状態になる入力過電圧時など
は、比較回路204 によりトランジスタ202 にオフ信号を
入力することで、ゲート抵抗はゲート抵抗205 に設定で
きる。従って通常時ゲート抵抗を10Ωに設定し異常時は
51Ωに設定したい場合などは、ゲート抵抗205 を51Ω、
ゲート抵抗206 ，208 をそれぞれ約12Ωとすればよい。
【００１７】従って、入力過電圧時などの時のみゲート
抵抗値を大きく設定することにより、通常時は低スイッ
チングロスとなるため素子冷却のためのフィンなどを大
きくする必要がなくなり、小型軽量、高効率でかつ過電
圧に強いＩＧＢＴゲート回路を提供することができる。
抵抗値を大きく設定することにより、通常時は低スイッ
チングロスとなるため素子冷却のためのフィンなどを大
きくする必要がなくなり、小型軽量、高効率でかつ過電
圧に強いＩＧＢＴゲート回路を提供することができる。
【００１８】なお、本実施例では、チョッパ回路に使用
した場合を示したが、インバータ回路などの電力変換装
置に使用されるＩＧＢＴ素子に対しても使用することが
できる。
した場合を示したが、インバータ回路などの電力変換装
置に使用されるＩＧＢＴ素子に対しても使用することが
できる。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
通常時はゲート抵抗値を小さく設定してスイッチングロ
スを低減し、一時的におこる過電圧時などにはゲート抵
抗値を大きく設定することにより、ＩＧＢＴにかかるオ
ーバーシュート電圧の最大値を抑制してＩＧＢＴを電圧
破壊から防止するという効果を得ることができる。
通常時はゲート抵抗値を小さく設定してスイッチングロ
スを低減し、一時的におこる過電圧時などにはゲート抵
抗値を大きく設定することにより、ＩＧＢＴにかかるオ
ーバーシュート電圧の最大値を抑制してＩＧＢＴを電圧
破壊から防止するという効果を得ることができる。
【図１】本発明の一実施例を示すＩＧＢＴのゲート回路
図である。
図である。
【図２】ＩＧＢＴを使用したチョッパ回路を示す図であ
る。
る。
【図３】比較回路の抑制ブロック図である。
【図４】本発明の他の実施例を示すＩＧＢＴのゲート回
路図である。
路図である。
【図５】従来のＩＧＢＴのゲート回路図である。
【図６】ＩＧＢＴオフ時の素子に流れる電流と素子間電
圧の関係を示す図である。
圧の関係を示す図である。
１…ＩＧＢＴ ２…ＩＧＢＴゲート回路 20ａ，20ｂ…ゲート抵抗部 202 …トランジスタ 204 …比較回路 ５…ＤＣＰＴ
Claims (1)
- 【請求項１】 ＩＧＢＴのゲートオン信号をうけて、前
記ＩＧＢＴをオンするゲートオン手段と、 前記ＩＧＢＴのゲートオフ信号をうけて、前記ＩＧＢＴ
をオフするゲートオフ手段と、 前記ＩＧＢＴのゲートと前記ゲートオン手段及び前記ゲ
ートオフ手段との間に接続されたゲート抵抗と、 前記ＩＧＢＴのオフ時に、前記ＩＧＢＴのコレクタ−エ
ミッタ間電圧を検出し、所定の基準値と比較して、前記
ＩＧＢＴのコレクタ−エミッタ間電圧が異常値として検
出された場合に、前記ゲート抵抗を可変するゲート抵抗
可変手段とを備えてなることを特徴するＩＧＢＴゲート
回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4141230A JPH05336732A (ja) | 1992-06-02 | 1992-06-02 | Ｉｇｂｔゲート回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4141230A JPH05336732A (ja) | 1992-06-02 | 1992-06-02 | Ｉｇｂｔゲート回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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