JPH05304226A - 半導体装置の製造方法および製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法および製造装置Info
- Publication number
- JPH05304226A JPH05304226A JP3205885A JP20588591A JPH05304226A JP H05304226 A JPH05304226 A JP H05304226A JP 3205885 A JP3205885 A JP 3205885A JP 20588591 A JP20588591 A JP 20588591A JP H05304226 A JPH05304226 A JP H05304226A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- frame
- die
- semiconductor element
- heat dissipation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 65
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 14
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims abstract description 31
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 27
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 27
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 21
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
- H01L23/433—Auxiliary members in containers characterised by their shape, e.g. pistons
- H01L23/4334—Auxiliary members in encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/565—Moulds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49121—Beam lead frame or beam lead device
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 この発明は、成形金型に放熱板を位置決めす
る際の作業効率および正確さを向上させた、放熱板を内
蔵した半導体装置の製造方法および製造装置を得ること
を目的とする。 【構成】 半導体素子を搭載したリードフレーム部を複
数連ねて設けたリードフレームと、複数の放熱板を連ね
て設けたフラットな放熱板用フレームを使用し、成形金
型の下金型上にリードフレームおよび放熱板用フレーム
が、各放熱板とこれに対応するリードフレーム部がそれ
ぞれ互いに間隔をあけて重なるように位置決めされて載
置され、成形金型を型締めした後、樹脂を注入して半導
体素子を搭載したリードフレーム部および対応する放熱
板をそれぞれ一体に樹脂封止する。
る際の作業効率および正確さを向上させた、放熱板を内
蔵した半導体装置の製造方法および製造装置を得ること
を目的とする。 【構成】 半導体素子を搭載したリードフレーム部を複
数連ねて設けたリードフレームと、複数の放熱板を連ね
て設けたフラットな放熱板用フレームを使用し、成形金
型の下金型上にリードフレームおよび放熱板用フレーム
が、各放熱板とこれに対応するリードフレーム部がそれ
ぞれ互いに間隔をあけて重なるように位置決めされて載
置され、成形金型を型締めした後、樹脂を注入して半導
体素子を搭載したリードフレーム部および対応する放熱
板をそれぞれ一体に樹脂封止する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、封止樹脂内に半導体
素子と共に放熱板が埋設された半導体装置の製造方法お
よび製造装置に関するものである。
素子と共に放熱板が埋設された半導体装置の製造方法お
よび製造装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図4は従来の放熱板を設けた半導体装置
の断面図である。リードフレーム(2)は半導体素子(1)
を搭載するダイパッド(2a)、封止樹脂(4)の内側に延
びるインナーリード(2b)および封止樹脂(4)の外側に
延びるアウターリード(2c)を有する。これらのインナ
ーリード(2b)とアウターリード(2c)は一続きになっ
て1本のリードを構成する。インナーリード(2b)は金
属細線(3)により半導体素子(1)の表面電極(図示せず)
に接続されている。そして封止樹脂(4)が半導体素子
(1)、金属細線(3)、ダイパッド(2a)、インナーリー
ド(2b)および放熱板(16)を一体に封止している。
の断面図である。リードフレーム(2)は半導体素子(1)
を搭載するダイパッド(2a)、封止樹脂(4)の内側に延
びるインナーリード(2b)および封止樹脂(4)の外側に
延びるアウターリード(2c)を有する。これらのインナ
ーリード(2b)とアウターリード(2c)は一続きになっ
て1本のリードを構成する。インナーリード(2b)は金
属細線(3)により半導体素子(1)の表面電極(図示せず)
に接続されている。そして封止樹脂(4)が半導体素子
(1)、金属細線(3)、ダイパッド(2a)、インナーリー
ド(2b)および放熱板(16)を一体に封止している。
【0003】また、図5は従来の半導体装置の製造方法
を説明するための斜視図である。成形金型(11)は下金
型(12)と上金型(13)からなる。下金型(12)には凹
部(12a)および3本の位置決めピン(12b)が設けら
れている。3方の角に設けられた位置決めピン(12b)
には放熱板(16)の各支持部(16a)の穴がそれぞれ挿
嵌されて、放熱板(16)の位置決めを行う。上金型(1
3)には凹部(13a)および3つの受け穴(13b)が設
けられている。上下の金型(12)(13)が型締めされた
時、それぞれの凹部(12a)(13a)は半導体素子(1)
をマウントしたリードフレーム(2)および放熱板(16)
を収納する空間を形成し、この空間に樹脂が注入され
る。上金型(13)の受け穴(13b)は、型締めの際に位
置決めピン(12b)をそれぞれ受けるものである。な
お、放熱板(16)にはリードフレーム(2)との間に隙間
を設けるように放熱板(16)を沈めるための曲げ加工が
予め施され、従って曲げ部(16b)を有する。
を説明するための斜視図である。成形金型(11)は下金
型(12)と上金型(13)からなる。下金型(12)には凹
部(12a)および3本の位置決めピン(12b)が設けら
れている。3方の角に設けられた位置決めピン(12b)
には放熱板(16)の各支持部(16a)の穴がそれぞれ挿
嵌されて、放熱板(16)の位置決めを行う。上金型(1
3)には凹部(13a)および3つの受け穴(13b)が設
けられている。上下の金型(12)(13)が型締めされた
時、それぞれの凹部(12a)(13a)は半導体素子(1)
をマウントしたリードフレーム(2)および放熱板(16)
を収納する空間を形成し、この空間に樹脂が注入され
る。上金型(13)の受け穴(13b)は、型締めの際に位
置決めピン(12b)をそれぞれ受けるものである。な
お、放熱板(16)にはリードフレーム(2)との間に隙間
を設けるように放熱板(16)を沈めるための曲げ加工が
予め施され、従って曲げ部(16b)を有する。
【0004】以下図に従って従来の製造方法を説明す
る。まず、リードフレーム(2)のダイパッド(2a)上に
半導体素子(1)を接合させる。次に、金属細線(3)によ
り半導体素子(1)の表面電極(図示せず)とリードフレー
ム(2)のインナーリード(2b)とを接続する。次に、支
持部(16a)の穴を位置決めピン(12b)に挿嵌させ
て、下金型(12)上に放熱板(16)を位置決めして固定
する。そして、リードフレーム(2)を放熱板(16)上に
載置して、上金型(13)と下金型(12)を型締めし、リ
ードフレーム(2)および放熱板(16)を収納した空間に
樹脂(図示せず)を注入し樹脂封止を行う。その後、リー
ドフレーム(2)および放熱板(16)の不要部分を切除
し、さらにアウターリード(2c)の整形を行うことによ
り図4に示す半導体装置が形成される。
る。まず、リードフレーム(2)のダイパッド(2a)上に
半導体素子(1)を接合させる。次に、金属細線(3)によ
り半導体素子(1)の表面電極(図示せず)とリードフレー
ム(2)のインナーリード(2b)とを接続する。次に、支
持部(16a)の穴を位置決めピン(12b)に挿嵌させ
て、下金型(12)上に放熱板(16)を位置決めして固定
する。そして、リードフレーム(2)を放熱板(16)上に
載置して、上金型(13)と下金型(12)を型締めし、リ
ードフレーム(2)および放熱板(16)を収納した空間に
樹脂(図示せず)を注入し樹脂封止を行う。その後、リー
ドフレーム(2)および放熱板(16)の不要部分を切除
し、さらにアウターリード(2c)の整形を行うことによ
り図4に示す半導体装置が形成される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体装置は以
上のように構成されているので放熱板を1つずつ下金型
に位置決めして載置しなければならず、このため作業効
率が悪かった。また、放熱板に曲げ加工を施していたの
で、曲げ部(16b)(図5参照)のハンドリング等により
曲げ部の先の位置決め部(16a)が曲がってしまい、こ
のため放熱板の位置決めに誤差が生じる等の問題点があ
った。
上のように構成されているので放熱板を1つずつ下金型
に位置決めして載置しなければならず、このため作業効
率が悪かった。また、放熱板に曲げ加工を施していたの
で、曲げ部(16b)(図5参照)のハンドリング等により
曲げ部の先の位置決め部(16a)が曲がってしまい、こ
のため放熱板の位置決めに誤差が生じる等の問題点があ
った。
【0006】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、放熱板を載置する際の作業効率
を向上させると共に、放熱板の位置決め精度を向上させ
た半導体装置の製造方法および製造装置を得ることを目
的とする。
ためになされたもので、放熱板を載置する際の作業効率
を向上させると共に、放熱板の位置決め精度を向上させ
た半導体装置の製造方法および製造装置を得ることを目
的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記の目的に鑑み、この
発明は、半導体素子を搭載した複数のリードフレーム部
を連ねて設けたフラットなリードフレームと、複数の放
熱板をレール部により連結させたフラットな放熱板用フ
レームを使用し、複数の金型部を連ねて設けた成形金型
の下金型に、それぞれ上記半導体素子を搭載した各リー
ドフレーム部と対応する放熱板がそれぞれ互いに間隔を
あけて重なるように段差を持たせて上記リードフレーム
および放熱板用フレームを位置決めし、次に上金型を下
金型に重ねて型締めし、その後、各半導体素子に対して
樹脂を注入して半導体素子と放熱板とをそれぞれ一体に
樹脂封止する半導体装置の製造方法にある。
発明は、半導体素子を搭載した複数のリードフレーム部
を連ねて設けたフラットなリードフレームと、複数の放
熱板をレール部により連結させたフラットな放熱板用フ
レームを使用し、複数の金型部を連ねて設けた成形金型
の下金型に、それぞれ上記半導体素子を搭載した各リー
ドフレーム部と対応する放熱板がそれぞれ互いに間隔を
あけて重なるように段差を持たせて上記リードフレーム
および放熱板用フレームを位置決めし、次に上金型を下
金型に重ねて型締めし、その後、各半導体素子に対して
樹脂を注入して半導体素子と放熱板とをそれぞれ一体に
樹脂封止する半導体装置の製造方法にある。
【0008】また、この発明の別の発明は、半導体素子
を搭載した各リードフレーム部と対応する放熱板とがそ
れぞれ間隔をあけて重なるように、段差を持たせてリー
ドフレームと放熱板用フレームを支持かつ位置決めする
下金型を有する成形金型にある。
を搭載した各リードフレーム部と対応する放熱板とがそ
れぞれ間隔をあけて重なるように、段差を持たせてリー
ドフレームと放熱板用フレームを支持かつ位置決めする
下金型を有する成形金型にある。
【0009】
【作用】この発明における半導体装置の製造方法では、
リードフレームのように複数の放熱板を連ねて設けた放
熱板用フレームを使用して、放熱板をリードフレームと
同様に下金型部上に位置決めするようにした。
リードフレームのように複数の放熱板を連ねて設けた放
熱板用フレームを使用して、放熱板をリードフレームと
同様に下金型部上に位置決めするようにした。
【0010】またこの発明の別の発明における成形金型
では、リードフレームおよび放熱板用フレームが、各リ
ードフレーム部と対応する放熱板とがそれぞれ互いに間
隔をあけて重なるように下金型に位置決めかつ載置され
る。
では、リードフレームおよび放熱板用フレームが、各リ
ードフレーム部と対応する放熱板とがそれぞれ互いに間
隔をあけて重なるように下金型に位置決めかつ載置され
る。
【0011】
【実施例】以下、この発明の実施例を添付図面に基づい
て説明する。図1はこの発明の一実施例による半導体装
置の製造方法で使用される成形金型の分解斜視図であ
る。図2は図1の下金型にリードフレームおよび放熱板
用フレームを位置決めして載置した状態を示す斜視図で
ある。図3はこの発明の製造方法によって製造された半
導体装置の断面図である。
て説明する。図1はこの発明の一実施例による半導体装
置の製造方法で使用される成形金型の分解斜視図であ
る。図2は図1の下金型にリードフレームおよび放熱板
用フレームを位置決めして載置した状態を示す斜視図で
ある。図3はこの発明の製造方法によって製造された半
導体装置の断面図である。
【0012】各図において、図4および図5に示す従来
のものと同一符号で示す部分は同一もしくは相当部分を
示しその説明は省略する。図1において、リードフレー
ム(20)はリードフレーム部(2)を両側のレール部(2
0a)によって複数個連結させたものである。放熱板用
フレーム(30)も複数の放熱板(31)を両側のレール部
(30a)によって連結させたものである。図1および図
2ではそれぞれ1個分のリードフレーム部(2)および放
熱板(31)が図示されている。
のものと同一符号で示す部分は同一もしくは相当部分を
示しその説明は省略する。図1において、リードフレー
ム(20)はリードフレーム部(2)を両側のレール部(2
0a)によって複数個連結させたものである。放熱板用
フレーム(30)も複数の放熱板(31)を両側のレール部
(30a)によって連結させたものである。図1および図
2ではそれぞれ1個分のリードフレーム部(2)および放
熱板(31)が図示されている。
【0013】成形金型(110)は下金型(120)および
上金型(130)からなる。実際には成形金型は、それぞ
れ図に示す上金型部(130)および下金型部(120)
を、連結された放熱板(31)およびリードフレーム部
(2)の数と同じ数だけ並べて備えている。上金型部(1
30)および下金型部(120)の間隔は、連結された放
熱板(31)およびリードフレーム部(2)の間隔と同じで
ある。従って、所定の数の半導体素子および放熱板の樹
脂封止が同時に行われる。以下、上金型部(130)およ
び下金型部(120)からなる1つの金型部について説明
する。
上金型(130)からなる。実際には成形金型は、それぞ
れ図に示す上金型部(130)および下金型部(120)
を、連結された放熱板(31)およびリードフレーム部
(2)の数と同じ数だけ並べて備えている。上金型部(1
30)および下金型部(120)の間隔は、連結された放
熱板(31)およびリードフレーム部(2)の間隔と同じで
ある。従って、所定の数の半導体素子および放熱板の樹
脂封止が同時に行われる。以下、上金型部(130)およ
び下金型部(120)からなる1つの金型部について説明
する。
【0014】下金型(120)において、凹部(121)は
下金型(120)と上金型(130)とが型締めされた時に
上金型(130)に設けられた凹部(131)と共に、リー
ドフレーム(2)のダイパッド(2a)の周辺部分および放
熱板(31)を収納する空間を形成する。溝(122)は放
熱板用フレーム(30)のレール部(30a)および吊り部
(30c)が嵌合されるように形成されている。支持面
(123)はリードフレーム部(2)を支持する(図2参
照)。これらの凹部(121)の底面(121a)、溝(12
2)、支持面(123)は3段階に上下に段差が付けられ
ており、これにより後述するように放熱板(31)がリー
ドフレーム部(2)との間に間隔があけられ、かつ外部に
露出しないように封止樹脂内に内蔵される。位置決めピ
ン(124)にはリードフレーム(20)のレール部(20
a)に形成された位置決め穴(20b)が挿嵌されて、リ
ードフレーム(20)の位置決めが行われる。また位置決
めピン(125)には放熱板用フレーム(30)のレール部
(30a)に形成された位置決め穴(30b)が挿嵌され
て、フレーム(30)の位置決めが行われる。
下金型(120)と上金型(130)とが型締めされた時に
上金型(130)に設けられた凹部(131)と共に、リー
ドフレーム(2)のダイパッド(2a)の周辺部分および放
熱板(31)を収納する空間を形成する。溝(122)は放
熱板用フレーム(30)のレール部(30a)および吊り部
(30c)が嵌合されるように形成されている。支持面
(123)はリードフレーム部(2)を支持する(図2参
照)。これらの凹部(121)の底面(121a)、溝(12
2)、支持面(123)は3段階に上下に段差が付けられ
ており、これにより後述するように放熱板(31)がリー
ドフレーム部(2)との間に間隔があけられ、かつ外部に
露出しないように封止樹脂内に内蔵される。位置決めピ
ン(124)にはリードフレーム(20)のレール部(20
a)に形成された位置決め穴(20b)が挿嵌されて、リ
ードフレーム(20)の位置決めが行われる。また位置決
めピン(125)には放熱板用フレーム(30)のレール部
(30a)に形成された位置決め穴(30b)が挿嵌され
て、フレーム(30)の位置決めが行われる。
【0015】一方、上金型(130)には、この上金型
(130)と下金型(120)とが型締めされた時に下金型
(120)の位置決めピン(124)(125)を受けるそれ
ぞれ受け穴(134)(135)、凹部(121)(131)に
よって形成される空間に樹脂(図示せず)を注入する注入
溝(133)、下金型(120)の各溝(122)をそれぞれ
塞いで注入された樹脂が溝(122)に漏れ出ないように
する各突出部(132)が設けられている。
(130)と下金型(120)とが型締めされた時に下金型
(120)の位置決めピン(124)(125)を受けるそれ
ぞれ受け穴(134)(135)、凹部(121)(131)に
よって形成される空間に樹脂(図示せず)を注入する注入
溝(133)、下金型(120)の各溝(122)をそれぞれ
塞いで注入された樹脂が溝(122)に漏れ出ないように
する各突出部(132)が設けられている。
【0016】以下図に従ってこの発明の製造方法を説明
する。まず、リードフレーム(20)の各リードフレーム
部(2)に対して、ダイパッド(2a)上に半導体素子(1)
を接合し、次に金属細線(3)により半導体素子(1)の表
面電極(図示せず)とリードフレーム(2)のインナーリー
ド(2b)とを接続する。ここまではワイヤーボンディン
グ装置等の別の装置で行われ、かつ従来の製造方法と同
じである。
する。まず、リードフレーム(20)の各リードフレーム
部(2)に対して、ダイパッド(2a)上に半導体素子(1)
を接合し、次に金属細線(3)により半導体素子(1)の表
面電極(図示せず)とリードフレーム(2)のインナーリー
ド(2b)とを接続する。ここまではワイヤーボンディン
グ装置等の別の装置で行われ、かつ従来の製造方法と同
じである。
【0017】次に、溝(122)および位置決めピン(1
25)に嵌合するように、下金型(120)上に放熱板用
フレーム(30)が載置され、かつ位置決めされる。溝
(122)の底面と凹部(121)の底面(121a)には段
差があり、従ってこの状態で放熱板(31)は凹部(12
1)の底面(121a)から浮いた状態にあり、放熱板(3
1)の下には隙間が設けられている。放熱板用フレーム
(30)はフラットなものであり、かつ下金型(120)上
に載置された際に吊り部(30c)が溝(122)内に嵌合
している。このため、曲げ部がなくまた溝(122)に保
護されているので折れ曲がる可能性は殆どない。
25)に嵌合するように、下金型(120)上に放熱板用
フレーム(30)が載置され、かつ位置決めされる。溝
(122)の底面と凹部(121)の底面(121a)には段
差があり、従ってこの状態で放熱板(31)は凹部(12
1)の底面(121a)から浮いた状態にあり、放熱板(3
1)の下には隙間が設けられている。放熱板用フレーム
(30)はフラットなものであり、かつ下金型(120)上
に載置された際に吊り部(30c)が溝(122)内に嵌合
している。このため、曲げ部がなくまた溝(122)に保
護されているので折れ曲がる可能性は殆どない。
【0018】次に、リードフレーム(20)が支持面(1
23)上に載置され、かつ放熱板(31)のほぼ中央にダ
イパッド(2a)が位置するように位置決めピン(124)
により位置決めされる。支持面(123)と溝(122)の
底面には段差があり、従ってこの状態でダイパッド(2
a)は放熱板(31)から浮いた状態にあり、ダイパッド
(2a)と放熱板(31)との間には隙間が設けられてい
る。これにより、リードフレーム(20)と放熱板用フレ
ーム(30)とが接触することはない。
23)上に載置され、かつ放熱板(31)のほぼ中央にダ
イパッド(2a)が位置するように位置決めピン(124)
により位置決めされる。支持面(123)と溝(122)の
底面には段差があり、従ってこの状態でダイパッド(2
a)は放熱板(31)から浮いた状態にあり、ダイパッド
(2a)と放熱板(31)との間には隙間が設けられてい
る。これにより、リードフレーム(20)と放熱板用フレ
ーム(30)とが接触することはない。
【0019】次に、上金型(130)と下金型(120)を
重ね合わせて型締めする。この状態で放熱板(31)、半
導体素子(1)、ダイパッド(2a)、インナーリード(2
b)および金属細線(3)は、上金型(130)および下金
型(120)のそれぞれの凹部(131)(121)で形成さ
れる空間に収納される。次にこの空間に注入溝(133)
から樹脂(図示せず)を注入し、上記各部分を樹脂封止す
る。この際、樹脂は凹部(121)の底面(121a)と放
熱板(31)との間の隙間、および放熱板(31)とダイパ
ッド(2a)との間の隙間を通ってスムーズに空間内に満
たされ、これにより封止樹脂(4)(図3参照)が形成され
る。
重ね合わせて型締めする。この状態で放熱板(31)、半
導体素子(1)、ダイパッド(2a)、インナーリード(2
b)および金属細線(3)は、上金型(130)および下金
型(120)のそれぞれの凹部(131)(121)で形成さ
れる空間に収納される。次にこの空間に注入溝(133)
から樹脂(図示せず)を注入し、上記各部分を樹脂封止す
る。この際、樹脂は凹部(121)の底面(121a)と放
熱板(31)との間の隙間、および放熱板(31)とダイパ
ッド(2a)との間の隙間を通ってスムーズに空間内に満
たされ、これにより封止樹脂(4)(図3参照)が形成され
る。
【0020】そして樹脂封止された各半導体装置はフレ
ームを切断することによりそれぞれ分離され、さらにア
ウターリード(2c)の整形を行うことにより、図3に示
すような半導体装置が複数個完成する。この半導体装置
ではダイパッド(2a)との間に間隔をあけてフラットで
面積の広い放熱板(31)が半導体装置の一面全体に渡っ
て広がっている。この放熱板(31)は曲げ部がないた
め、製造中に曲がる可能性は少なく、位置ずれ等がおこ
り難くい。また面積が広く放熱効果が高い。さらに、一
般にリードフレーム(20)は鉄(Fe)、放熱板用フレー
ム(30)は熱伝導の良好な銅(Cu)からなる。異種の金
属を接触させると錆び等の原因になるが、この発明では
リードフレーム(20)と放熱板用フレーム(30)とが製
造中および完成後においても接触することはなく、従っ
てより信頼性の高い半導体装置が得られる。
ームを切断することによりそれぞれ分離され、さらにア
ウターリード(2c)の整形を行うことにより、図3に示
すような半導体装置が複数個完成する。この半導体装置
ではダイパッド(2a)との間に間隔をあけてフラットで
面積の広い放熱板(31)が半導体装置の一面全体に渡っ
て広がっている。この放熱板(31)は曲げ部がないた
め、製造中に曲がる可能性は少なく、位置ずれ等がおこ
り難くい。また面積が広く放熱効果が高い。さらに、一
般にリードフレーム(20)は鉄(Fe)、放熱板用フレー
ム(30)は熱伝導の良好な銅(Cu)からなる。異種の金
属を接触させると錆び等の原因になるが、この発明では
リードフレーム(20)と放熱板用フレーム(30)とが製
造中および完成後においても接触することはなく、従っ
てより信頼性の高い半導体装置が得られる。
【0021】
【発明の効果】以上説明したように、この発明による半
導体装置の製造方法では、リードフレームの様に複数の
放熱板をレール部に連結させた放熱板用フレームを使用
したので、作業効率の向上が可能となる。また、従来の
ものに比べて面積の広い、冷却効果の高い放熱板を設け
た半導体装置が得られる等の効果がある。
導体装置の製造方法では、リードフレームの様に複数の
放熱板をレール部に連結させた放熱板用フレームを使用
したので、作業効率の向上が可能となる。また、従来の
ものに比べて面積の広い、冷却効果の高い放熱板を設け
た半導体装置が得られる等の効果がある。
【図1】図1はこの発明の一実施例による半導体装置の
製造方法で使用される成形金型の分解斜視図である。
製造方法で使用される成形金型の分解斜視図である。
【図2】図2は図1の下金型にリードフレームおよび放
熱板用フレームを位置決めして載置した状態を示す斜視
図である。
熱板用フレームを位置決めして載置した状態を示す斜視
図である。
【図3】図3はこの発明の製造方法によって製造された
放熱板を設けた半導体装置の断面図である。
放熱板を設けた半導体装置の断面図である。
【図4】図4は従来の放熱板を設けた半導体装置の断面
図である。
図である。
【図5】図5は従来の半導体装置の製造方法を説明する
ための斜視図である。
ための斜視図である。
1 半導体素子 2 リードフレーム部 20 リードフレーム 30 放熱板用フレーム 31 放熱板 110 成形金型(金型部) 120 下金型(下金型部) 130 上金型(上金型部)
【手続補正書】
【提出日】平成4年7月30日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項1
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項2
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0007
【補正方法】変更
【補正内容】
【0007】
【課題を解決するための手段】上記の目的に鑑み、この
発明は、半導体素子を搭載した複数のリードフレーム部
を連ねて設けたリードフレームと、複数の放熱板をレー
ル部により連結させたフラットな放熱板用フレームを使
用し、複数の金型部を連ねて設けた成形金型の下金型
に、それぞれ上記半導体素子を搭載した各リードフレー
ム部と対応する放熱板がそれぞれ互いに間隔をあけて重
なるように段差を持たせて上記リードフレームおよび放
熱板用フレームを位置決めし、次に上金型を下金型に重
ねて型締めし、その後、各半導体素子に対して樹脂を注
入して半導体素子と放熱板とをそれぞれ一体に樹脂封止
する半導体装置の製造方法にある。
発明は、半導体素子を搭載した複数のリードフレーム部
を連ねて設けたリードフレームと、複数の放熱板をレー
ル部により連結させたフラットな放熱板用フレームを使
用し、複数の金型部を連ねて設けた成形金型の下金型
に、それぞれ上記半導体素子を搭載した各リードフレー
ム部と対応する放熱板がそれぞれ互いに間隔をあけて重
なるように段差を持たせて上記リードフレームおよび放
熱板用フレームを位置決めし、次に上金型を下金型に重
ねて型締めし、その後、各半導体素子に対して樹脂を注
入して半導体素子と放熱板とをそれぞれ一体に樹脂封止
する半導体装置の製造方法にある。
【手続補正4】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0020
【補正方法】変更
【補正内容】
【0020】そして樹脂封止された各半導体装置はフレ
ームを切断することによりそれぞれ分離され、さらにア
ウターリード(2c)の整形を行うことにより、図3に示
すような半導体装置が複数個完成する。この半導体装置
ではダイパッド(2a)との間に間隔をあけてフラットで
面積の広い放熱板(31)が半導体装置の一面全体に渡っ
て広がっている。この放熱板(31)は曲げ部がないた
め、製造中に曲がる可能性は少なく、位置ずれ等がおこ
り難くい。また面積が広く放熱効果が高い。さらに、例
えばリードフレーム(20)を鉄系の金属、放熱板用フレ
ーム(30)を銅系の金属で構成しても、相互の金属は接
触しないため、熱膨張差による反り、歪み等が発生する
ことがなく、さらに異種の金属を接触させておくと発生
する錆び等の問題もなく、信頼性の高い半導体装置が得
られる。
ームを切断することによりそれぞれ分離され、さらにア
ウターリード(2c)の整形を行うことにより、図3に示
すような半導体装置が複数個完成する。この半導体装置
ではダイパッド(2a)との間に間隔をあけてフラットで
面積の広い放熱板(31)が半導体装置の一面全体に渡っ
て広がっている。この放熱板(31)は曲げ部がないた
め、製造中に曲がる可能性は少なく、位置ずれ等がおこ
り難くい。また面積が広く放熱効果が高い。さらに、例
えばリードフレーム(20)を鉄系の金属、放熱板用フレ
ーム(30)を銅系の金属で構成しても、相互の金属は接
触しないため、熱膨張差による反り、歪み等が発生する
ことがなく、さらに異種の金属を接触させておくと発生
する錆び等の問題もなく、信頼性の高い半導体装置が得
られる。
Claims (2)
- 【請求項1】 半導体素子が搭載されたリードフレーム
および放熱板に封止樹脂をモールド成形する半導体装置
の製造方法であって、 半導体素子を搭載したリードフレーム部を複数個連結さ
せて設けたフラットなリードフレーム、複数の放熱板を
連結させたフラットな放熱板用フレーム、および上金型
部を複数個連ねて設けた上金型と下金型部を複数個連ね
て設けた下金型からなる成形金型を使用し、 上記放熱板用フレームを上記各放熱板が上記各下金型部
にそれぞれ対応するように上記下金型に位置決めし、か
つ上記各放熱板の下側に隙間をあけるように載置する工
程と、 上記リードフレームを上記各リードフレーム部が対応す
る上記放熱板の上にそれぞれ位置するように位置決め
し、かつ上記各リードフレーム部が上記放熱板と間隔を
あけて重なるように載置する工程と、 上記上金型と下金型とを重ねて型締めする工程と、 型締めされた上記成形金型内の上記各半導体素子に対し
て樹脂を注入して、上記半導体素子、リードフレーム部
の一部および放熱板を一体に封止する封止樹脂をそれぞ
れ形成する工程と、 を備えた、上記放熱板を上記リードフレーム部との間に
間隔をおいて上記封止樹脂内に上記半導体素子と共に埋
設する半導体装置の製造方法。 - 【請求項2】 半導体素子を搭載したダイパッドを含む
リードフレーム部を複数連結したフラットなリードフレ
ーム、および複数の放熱板をレール部により連結したフ
ラットな放熱板用フレームを使用して、上記半導体素子
を搭載したダイパッドと放熱板とを互いに間隔をあけて
重なるように一体に樹脂封止した半導体装置を製造する
ための、下金型と上金型からなる成形金型であって、 上記放熱板用フレームを所定の高さで支持する、上記フ
レームの形に合わせて形成された溝と、上記ダイパッド
を含むリードフレーム部の一部、放熱板および半導体素
子を収納する、上記放熱板との間に間隔をあける程度に
上記所定の高さより低い底面を有する凹部と、上記放熱
板と上記ダイパッドの間に間隔をあける程度に上記所定
の高さより高い、上記リードフレームを支持する支持面
と、上記リードフレームおよび放熱板用フレームのそれ
ぞれの一部と嵌合して位置決めを行うためのそれぞれの
位置決めピンと、を含む下金型部を少なくとも1つ設け
た上記下金型と、 この下金型の凹部と重ね合わされて上記ダイパッドを含
むリードフレーム部の一部、放熱板および半導体素子を
収納する空間を形成する凹部と、上記空間に樹脂を注入
する注入溝と、上記下金型の溝に嵌合して上記樹脂が漏
れ出るのを防ぐ突出部と、上記各位置決めピンを受ける
それぞれの受け穴と、を含む上金型部を少なくとも1つ
設けた上記上金型と、 を備えた成形金型。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3205885A JPH05304226A (ja) | 1991-08-16 | 1991-08-16 | 半導体装置の製造方法および製造装置 |
US07/928,285 US5384286A (en) | 1991-08-16 | 1992-08-12 | Process for encapsulating a semiconductor chip, leadframe and heatsink |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3205885A JPH05304226A (ja) | 1991-08-16 | 1991-08-16 | 半導体装置の製造方法および製造装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05304226A true JPH05304226A (ja) | 1993-11-16 |
Family
ID=16514345
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3205885A Pending JPH05304226A (ja) | 1991-08-16 | 1991-08-16 | 半導体装置の製造方法および製造装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5384286A (ja) |
JP (1) | JPH05304226A (ja) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5886396A (en) * | 1995-06-05 | 1999-03-23 | Motorola, Inc. | Leadframe assembly for conducting thermal energy from a semiconductor die disposed in a package |
US5787569A (en) * | 1996-02-21 | 1998-08-04 | Lucent Technologies Inc. | Encapsulated package for power magnetic devices and method of manufacture therefor |
JPH09260550A (ja) * | 1996-03-22 | 1997-10-03 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
US5604160A (en) * | 1996-07-29 | 1997-02-18 | Motorola, Inc. | Method for packaging semiconductor devices |
US5939781A (en) * | 1996-09-26 | 1999-08-17 | Texas Instruments Incorporated | Thermally enhanced integrated circuit packaging system |
US5939775A (en) * | 1996-11-05 | 1999-08-17 | Gcb Technologies, Llc | Leadframe structure and process for packaging intergrated circuits |
JP2936062B2 (ja) * | 1996-11-11 | 1999-08-23 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US6049972A (en) * | 1997-03-04 | 2000-04-18 | Tessera, Inc. | Universal unit strip/carrier frame assembly and methods |
US6687980B1 (en) | 1997-03-04 | 2004-02-10 | Tessera, Inc. | Apparatus for processing flexible tape for microelectronic assemblies |
US6214273B1 (en) * | 1997-09-30 | 2001-04-10 | Texas Instruments Incorporated | Molding method with the use of modified runners |
US5904504A (en) * | 1998-02-19 | 1999-05-18 | Fairchild Semiconductor Corp. | Die attach method and integrated circuit device |
US6114190A (en) * | 1998-04-14 | 2000-09-05 | Micron Technology, Inc. | Method of forming heat sink and semiconductor chip assemblies |
US6258630B1 (en) * | 1999-02-04 | 2001-07-10 | Nec Corporation | Resin-sealed semiconductor device having island for mounting semiconductor element coupled to heat spreader |
US6818963B1 (en) * | 2000-09-07 | 2004-11-16 | Stmicroelectronics, Inc. | Surface mount package for linear array sensors |
KR100395673B1 (ko) * | 2001-01-03 | 2003-08-25 | 에쓰에쓰아이 주식회사 | 반도체 조립 프레임의 제조 방법 및 그 조립체 |
JP4969113B2 (ja) * | 2006-02-22 | 2012-07-04 | オンセミコンダクター・トレーディング・リミテッド | 回路装置の製造方法 |
US7989931B2 (en) | 2007-09-26 | 2011-08-02 | Stats Chippac Ltd. | Integrated circuit package system with under paddle leadfingers |
JP5385886B2 (ja) * | 2010-11-02 | 2014-01-08 | Towa株式会社 | 電気回路部品の樹脂封止成形方法及び装置 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4043027A (en) * | 1963-12-16 | 1977-08-23 | Texas Instruments Incorporated | Process for encapsulating electronic components in plastic |
GB1271833A (en) * | 1968-07-10 | 1972-04-26 | Hitachi Ltd | Improvements in or relating to encapsulation processes |
US3778887A (en) * | 1970-12-23 | 1973-12-18 | Hitachi Ltd | Electronic devices and method for manufacturing the same |
US4680617A (en) * | 1984-05-23 | 1987-07-14 | Ross Milton I | Encapsulated electronic circuit device, and method and apparatus for making same |
JPH02137249A (ja) * | 1988-11-17 | 1990-05-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JP2585771B2 (ja) * | 1988-12-16 | 1997-02-26 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2604054B2 (ja) * | 1990-06-13 | 1997-04-23 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
1991
- 1991-08-16 JP JP3205885A patent/JPH05304226A/ja active Pending
-
1992
- 1992-08-12 US US07/928,285 patent/US5384286A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5384286A (en) | 1995-01-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH05304226A (ja) | 半導体装置の製造方法および製造装置 | |
US7405107B2 (en) | Semiconductor device, method and apparatus for fabricating the same | |
US5091341A (en) | Method of sealing semiconductor device with resin by pressing a lead frame to a heat sink using an upper mold pressure member | |
KR100396130B1 (ko) | 반도체 장치 | |
US5334872A (en) | Encapsulated semiconductor device having a hanging heat spreading plate electrically insulated from the die pad | |
US5767527A (en) | Semiconductor device suitable for testing | |
US20070132073A1 (en) | Device and method for assembling a top and bottom exposed packaged semiconductor | |
EP2577726B1 (en) | Stacked interposer leadframes | |
JP6743916B2 (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
US8351217B2 (en) | Wiring board | |
WO2018179981A1 (ja) | 半導体装置 | |
KR20000057831A (ko) | 반도체 패키지 및 그 제조 방법 | |
JP2020188152A (ja) | 半導体モジュール、半導体モジュールの製造方法および段差冶具 | |
US20020113305A1 (en) | Dual-die integrated circuit package | |
JP2020178026A (ja) | 組立冶具セットおよび半導体モジュールの製造方法 | |
US4865193A (en) | Tape carrier for tape automated bonding process and a method of producing the same | |
WO2021140586A1 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
KR20070003514A (ko) | 반도체 발광 장치를 위한 기판 제조 방법 | |
JPH10125705A (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
EP3859774A1 (en) | Power semiconductor module | |
JPH06104295A (ja) | ハイブリッドicのはんだ付け方法 | |
JP3688760B2 (ja) | 樹脂パッケージ型半導体装置およびその製造方法 | |
JP3442911B2 (ja) | 樹脂パッケージ型半導体装置およびその製造方法 | |
JPH02163954A (ja) | 半導体装置 | |
JPH10209194A (ja) | 半導体装置、その製造方法およびそれに用いる樹脂モールド工程装置 |