JPH05273522A - 表示デバイスおよびそれを用いた表示装置 - Google Patents
表示デバイスおよびそれを用いた表示装置Info
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- JPH05273522A JPH05273522A JP4347976A JP34797692A JPH05273522A JP H05273522 A JPH05273522 A JP H05273522A JP 4347976 A JP4347976 A JP 4347976A JP 34797692 A JP34797692 A JP 34797692A JP H05273522 A JPH05273522 A JP H05273522A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高コントラスト表示を実現できる表示デバイ
スおよび表示装置を提供する。 【構成】 表示デバイスの表示領域にはマトリックス状
に画素電極Ｐおよび薄膜トランジスタＴｐ、Ｔｍが配置
され、電極基板の対向電極と画素電極間には高分子分散
液晶が狭持されている。対向電極の電位に対して正極性
の信号を出力するソースドライブＩＣ１１と負極性の信
号を出力するソースドライブＩＣ１２により画素電極に
信号が書き込まれる。正極性の信号と負極性の信号が同
時に画素電極に書き込まれないように、画素電極には２
つのトランジスタを形成するか、各ドライブＩＣの信号
出力端にアナログスイッチを配置する。 【効果】 ソースドライブＩＣとソースドライブＩＣに
より±１０（Ｖ）以上の高電圧駆動が容易に実現できる
ため、液晶膜厚を厚くしても駆動できる。したがって、
高輝度表示・高コントラスト表示を実現できる。
スおよび表示装置を提供する。 【構成】 表示デバイスの表示領域にはマトリックス状
に画素電極Ｐおよび薄膜トランジスタＴｐ、Ｔｍが配置
され、電極基板の対向電極と画素電極間には高分子分散
液晶が狭持されている。対向電極の電位に対して正極性
の信号を出力するソースドライブＩＣ１１と負極性の信
号を出力するソースドライブＩＣ１２により画素電極に
信号が書き込まれる。正極性の信号と負極性の信号が同
時に画素電極に書き込まれないように、画素電極には２
つのトランジスタを形成するか、各ドライブＩＣの信号
出力端にアナログスイッチを配置する。 【効果】 ソースドライブＩＣとソースドライブＩＣに
より±１０（Ｖ）以上の高電圧駆動が容易に実現できる
ため、液晶膜厚を厚くしても駆動できる。したがって、
高輝度表示・高コントラスト表示を実現できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は主として入射光を変調
し、光学像を形成する表示デバイスと、前記表示デバイ
スの表示画像をスクリーンに拡大投映する表示装置（以
後、液晶投写型テレビと呼ぶ）、およびビデオカメラ等
で録画中の映像を表示する表示装置（以後、ビューファ
インダ呼ぶ）に関するものである。
し、光学像を形成する表示デバイスと、前記表示デバイ
スの表示画像をスクリーンに拡大投映する表示装置（以
後、液晶投写型テレビと呼ぶ）、およびビデオカメラ等
で録画中の映像を表示する表示装置（以後、ビューファ
インダ呼ぶ）に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】液晶パネルを用いた表示デバイスは軽
量、薄型化が可能であることから研究開発が盛んであ
る。近年では液晶の旋光性を画像表示に応用したツイス
トネマチック（ＴＮ）モード液晶パネルを用いたポケッ
トテレビ装置が実用化されている。また、前記液晶パネ
ルを表示デバイスとして用いる液晶投写型テレビおよび
ビューファインダ等も実用化されている。
量、薄型化が可能であることから研究開発が盛んであ
る。近年では液晶の旋光性を画像表示に応用したツイス
トネマチック（ＴＮ）モード液晶パネルを用いたポケッ
トテレビ装置が実用化されている。また、前記液晶パネ
ルを表示デバイスとして用いる液晶投写型テレビおよび
ビューファインダ等も実用化されている。
【０００３】（図２３）はアクティブマトリックス型液
晶パネルを用いた従来の表示デバイスの等価回路図であ
る。（図２３）において、Ｇ1〜Ｇmはゲート信号線であ
り、その一端にはゲートドライブＩＣ２３１が接続され
ている。ゲートドライブＩＣ２３１はスイッチング素子
としての薄膜トランジスタ（以後、ＴＦＴと呼ぶ）を動
作状態にする電圧（以後、オン電圧と呼ぶ）または非動
作状態にする電圧（以後、オフ電圧と呼ぶ）を出力す
る。また、Ｓ1〜Ｓnはソース信号線であり、その一端は
ソースドライブＩＣ２３２に接続されている。
晶パネルを用いた従来の表示デバイスの等価回路図であ
る。（図２３）において、Ｇ1〜Ｇmはゲート信号線であ
り、その一端にはゲートドライブＩＣ２３１が接続され
ている。ゲートドライブＩＣ２３１はスイッチング素子
としての薄膜トランジスタ（以後、ＴＦＴと呼ぶ）を動
作状態にする電圧（以後、オン電圧と呼ぶ）または非動
作状態にする電圧（以後、オフ電圧と呼ぶ）を出力す
る。また、Ｓ1〜Ｓnはソース信号線であり、その一端は
ソースドライブＩＣ２３２に接続されている。
【０００４】ＴＦＴのＴij（ただし、ｉ、ｊは整数）は
画素電極Ｐijに接続されている。画素電極Ｐijと対向電
極（図示せず）間にＴＮ液晶（図示せず）を狭持してい
る。ＴＮ液晶は画素電極に入力された電圧により配向状
態が変化し、入射光を変調する。
画素電極Ｐijに接続されている。画素電極Ｐijと対向電
極（図示せず）間にＴＮ液晶（図示せず）を狭持してい
る。ＴＮ液晶は画素電極に入力された電圧により配向状
態が変化し、入射光を変調する。
【０００５】以下、従来の表示デバイスの駆動回路につ
いて説明する。（図２５）は従来の表示デバイスの駆動
回路のブロック図である。（図２５）において、２５１
はビデオ信号を所定値まで増幅するアンプ、２５２は正
極性と負極性のビデオ信号を作る位相分割回路である。
なお、正極性とは対向電極の電位（以後、コモン電圧と
呼ぶ）に対して高電位を、負極性とは低電位を言う。２
５３はフィールドもしくは１水平走査（１Ｈ）期間ごと
に極性が反転した交流ビデオ信号を出力する出力切り換
え回路、２５４は液晶パネル、２５５はソースドライブ
ＩＣ２３２およびゲートドライブＩＣ２３１の同期およ
び制御を行うためのドライブＩＣ制御回路である。
いて説明する。（図２５）は従来の表示デバイスの駆動
回路のブロック図である。（図２５）において、２５１
はビデオ信号を所定値まで増幅するアンプ、２５２は正
極性と負極性のビデオ信号を作る位相分割回路である。
なお、正極性とは対向電極の電位（以後、コモン電圧と
呼ぶ）に対して高電位を、負極性とは低電位を言う。２
５３はフィールドもしくは１水平走査（１Ｈ）期間ごと
に極性が反転した交流ビデオ信号を出力する出力切り換
え回路、２５４は液晶パネル、２５５はソースドライブ
ＩＣ２３２およびゲートドライブＩＣ２３１の同期およ
び制御を行うためのドライブＩＣ制御回路である。
【０００６】以下、従来の表示デバイスの駆動回路の動
作について説明する。まず、アンプ２５１では、ビデオ
信号の振幅が液晶の電気光学時性に対応するように利得
調整が行われる。次に利得調整されたビデオ信号は位相
分割回路２５２に入り、コモン電圧に対して正極性と負
極性の２つのビデオ信号が作られる。２つのビデオ信号
は出力切り換え回路２５３に入り、出力切り換え回路２
５３は１Ｈ期間ごとに極性を反転したビデオ信号を出力
する。このように信号の極性を反転させるのは、液晶に
交流電圧を印加するためである。液晶は直流電圧が印加
されると分解し、劣化する。次に出力切り換え回路２５
３からのビデオ信号はソースドライブＩＣ２３２に入力
され、ソースドライブＩＣ２３２はドライブＩＣ制御回
路２５５の制御信号によりゲートドライブＩＣ２３１と
同期をとって、液晶パネル２５４のソース信号線にサン
プリングされたビデオ信号を印加する。
作について説明する。まず、アンプ２５１では、ビデオ
信号の振幅が液晶の電気光学時性に対応するように利得
調整が行われる。次に利得調整されたビデオ信号は位相
分割回路２５２に入り、コモン電圧に対して正極性と負
極性の２つのビデオ信号が作られる。２つのビデオ信号
は出力切り換え回路２５３に入り、出力切り換え回路２
５３は１Ｈ期間ごとに極性を反転したビデオ信号を出力
する。このように信号の極性を反転させるのは、液晶に
交流電圧を印加するためである。液晶は直流電圧が印加
されると分解し、劣化する。次に出力切り換え回路２５
３からのビデオ信号はソースドライブＩＣ２３２に入力
され、ソースドライブＩＣ２３２はドライブＩＣ制御回
路２５５の制御信号によりゲートドライブＩＣ２３１と
同期をとって、液晶パネル２５４のソース信号線にサン
プリングされたビデオ信号を印加する。
【０００７】（図２６）は液晶への印加電圧Ｖと透過量
Ｔの関係を示すグラフである。なお、液晶への印加電圧
は交流である。したがって、（図２６）のグラフで示す
印加電圧Ｖは実効値を示している。液晶への印加電圧Ｖ
がＶr以上で光透過量が変化する。通常、電圧ＶrはＴＮ
液晶の場合、１．５〜１．８（Ｖ）、光透過率Ｔが飽和
する電圧Ｖmは５．０〜６．０（Ｖ）程度である。
Ｔの関係を示すグラフである。なお、液晶への印加電圧
は交流である。したがって、（図２６）のグラフで示す
印加電圧Ｖは実効値を示している。液晶への印加電圧Ｖ
がＶr以上で光透過量が変化する。通常、電圧ＶrはＴＮ
液晶の場合、１．５〜１．８（Ｖ）、光透過率Ｔが飽和
する電圧Ｖmは５．０〜６．０（Ｖ）程度である。
【０００８】以下、従来の表示デバイスの動作について
（図２３）を用いて説明する。説明を容易にするため、
ソースドライブＩＣ２３２からはすべてのソース信号線
Ｓnに対し、Ｖ+もしくはＶ-なる信号電圧が出力される
ものとする。基本的に本明細書では信号電圧Ｖに補助信
号＋を付加するときはコモン電圧に対し正極性の信号を
意味し、補助信号−を付加するときは負極性の信号を意
味するものとする。また、マトリックス状に配置された
任意の画素行をｉ、任意の画素列をｊの補助記号を付加
して示すものとする。
（図２３）を用いて説明する。説明を容易にするため、
ソースドライブＩＣ２３２からはすべてのソース信号線
Ｓnに対し、Ｖ+もしくはＶ-なる信号電圧が出力される
ものとする。基本的に本明細書では信号電圧Ｖに補助信
号＋を付加するときはコモン電圧に対し正極性の信号を
意味し、補助信号−を付加するときは負極性の信号を意
味するものとする。また、マトリックス状に配置された
任意の画素行をｉ、任意の画素列をｊの補助記号を付加
して示すものとする。
【０００９】まず、ゲートドライブＩＣ２３１からゲー
ト信号線Ｇ1にオン電圧が出力され、他のゲート信号線
にはオフ電圧が出力される。すると、ＴＦＴのＴ1jはオ
ン状態となり、ソース信号線Ｓjに出力されている信号
Ｖ+を取り込み、画素電極Ｐ1jに入力する。画素電極Ｐ
1j上の液晶は前記電圧により配向状態が変化し、入射光
を変調する。次にゲートドライブＩＣ２３１はオン電圧
をゲート信号線Ｇ2に印加する。他のゲート信号線には
オフ電圧を印加する。すると、ＴＦＴのＴ2jはソース信
号線Ｓjに出力されている信号Ｖ-を取り込み、画素電極
Ｐ2jに印加する。以上のように、ゲートドライブＩＣ２
３１はオン電圧出力位置をシフトしながら、画素電極Ｐ
ijに電圧を書きこんでいく。なお、以上のように１ゲー
ト信号線を走査するのに要する時間を１Ｈ期間と呼び、
ある画素電極に電圧が印加されてから次に前記画素に再
び電圧が印加されるまでの期間を１フィールド期間（以
後、１Ｆと呼ぶ）と呼ぶ。通常、１Ｆは１／６０秒であ
る。また、２フィールドで１フレームと呼び、テレビ信
号は１フレームで一画面が形成される。
ト信号線Ｇ1にオン電圧が出力され、他のゲート信号線
にはオフ電圧が出力される。すると、ＴＦＴのＴ1jはオ
ン状態となり、ソース信号線Ｓjに出力されている信号
Ｖ+を取り込み、画素電極Ｐ1jに入力する。画素電極Ｐ
1j上の液晶は前記電圧により配向状態が変化し、入射光
を変調する。次にゲートドライブＩＣ２３１はオン電圧
をゲート信号線Ｇ2に印加する。他のゲート信号線には
オフ電圧を印加する。すると、ＴＦＴのＴ2jはソース信
号線Ｓjに出力されている信号Ｖ-を取り込み、画素電極
Ｐ2jに印加する。以上のように、ゲートドライブＩＣ２
３１はオン電圧出力位置をシフトしながら、画素電極Ｐ
ijに電圧を書きこんでいく。なお、以上のように１ゲー
ト信号線を走査するのに要する時間を１Ｈ期間と呼び、
ある画素電極に電圧が印加されてから次に前記画素に再
び電圧が印加されるまでの期間を１フィールド期間（以
後、１Ｆと呼ぶ）と呼ぶ。通常、１Ｆは１／６０秒であ
る。また、２フィールドで１フレームと呼び、テレビ信
号は１フレームで一画面が形成される。
【００１０】（図２４）にソースドライブＩＣ２３２が
ソース信号線に出力する出力波形２４１を示す。１Ｈ期
間ごとに出力される信号の極性が異なる。このようにソ
ースドライブＩＣ２３２が１Ｈ期間ごとに異なる極性の
信号を出力し、表示デバイスを駆動する方法を１Ｈ反転
駆動と呼ぶ。（図２４）のような信号が表示デバイスに
印加されると液晶パネルには水平ストライプの画像が表
示される。
ソース信号線に出力する出力波形２４１を示す。１Ｈ期
間ごとに出力される信号の極性が異なる。このようにソ
ースドライブＩＣ２３２が１Ｈ期間ごとに異なる極性の
信号を出力し、表示デバイスを駆動する方法を１Ｈ反転
駆動と呼ぶ。（図２４）のような信号が表示デバイスに
印加されると液晶パネルには水平ストライプの画像が表
示される。
【００１１】ソースドライブＩＣ２３２にはプラス電圧
Ｖ（Ｐ）とマイナス電圧Ｖ（Ｍ）が供給され、前記電圧
の範囲内で＋Ｖmから−Ｖm内の信号を出力し、液晶パネ
ルを駆動する。なお、（図２４）において画素に印加す
る信号の中央値Ｖ0は理想的にはコモン電圧と同一電位
である。しかし、ＴＦＴアレイのゲート信号線と画素電
極間に生じる寄生容量あるいはゲート信号線からの対向
電極間に発生するの影響などにより、中央値Ｖ0はコモ
ン電圧よりもマイナス方向に電位がレベルシフトしてい
るのが通常である。ただし、本明細書では、説明を容易
にするために信号の中央値Ｖ0とコモン電圧とは同一と
し、画素電極にＶ0電圧を入力することは、画素電極に
コモン電圧と同一電圧を入力するを意味する。この時、
画素電極Ｐ ij上の液晶は全く電圧が印加されず、配向状
態が変化しない。
Ｖ（Ｐ）とマイナス電圧Ｖ（Ｍ）が供給され、前記電圧
の範囲内で＋Ｖmから−Ｖm内の信号を出力し、液晶パネ
ルを駆動する。なお、（図２４）において画素に印加す
る信号の中央値Ｖ0は理想的にはコモン電圧と同一電位
である。しかし、ＴＦＴアレイのゲート信号線と画素電
極間に生じる寄生容量あるいはゲート信号線からの対向
電極間に発生するの影響などにより、中央値Ｖ0はコモ
ン電圧よりもマイナス方向に電位がレベルシフトしてい
るのが通常である。ただし、本明細書では、説明を容易
にするために信号の中央値Ｖ0とコモン電圧とは同一と
し、画素電極にＶ0電圧を入力することは、画素電極に
コモン電圧と同一電圧を入力するを意味する。この時、
画素電極Ｐ ij上の液晶は全く電圧が印加されず、配向状
態が変化しない。
【００１２】従来の表示デバイスをライトバルブとして
用いた液晶投写型テレビの例として特開平２−２４４０
８９号公報がある。これらはライトバルブとして前述の
ＴＮ液晶を応用した表示デバイスを用いている。光源と
してメタルハライドランプもしくはハロゲンランプが用
いられる。
用いた液晶投写型テレビの例として特開平２−２４４０
８９号公報がある。これらはライトバルブとして前述の
ＴＮ液晶を応用した表示デバイスを用いている。光源と
してメタルハライドランプもしくはハロゲンランプが用
いられる。
【００１３】液晶投写型テレビの構成は以下の通りであ
る。ランプから出力された光はダイクロイックミラーに
より赤色光、青色光、緑色光（以後、Ｒ光、Ｂ光、Ｇ光
と呼ぶ）の三原色の光路に分離させる。これらの三原色
の光は３枚の透過型の表示デバイスを照射する。表示デ
バイスは各Ｒ光、Ｂ光、Ｇ光に対して配置されており、
映像信号に基づいて光の透過率を変化させ、各色光の強
度変調を行う。変調された光は表示デバイスの出射側に
配置されたダイクロイックミラーにより、画像合成さ
れ、投写レンズによりスクリーン上に投写される。
る。ランプから出力された光はダイクロイックミラーに
より赤色光、青色光、緑色光（以後、Ｒ光、Ｂ光、Ｇ光
と呼ぶ）の三原色の光路に分離させる。これらの三原色
の光は３枚の透過型の表示デバイスを照射する。表示デ
バイスは各Ｒ光、Ｂ光、Ｇ光に対して配置されており、
映像信号に基づいて光の透過率を変化させ、各色光の強
度変調を行う。変調された光は表示デバイスの出射側に
配置されたダイクロイックミラーにより、画像合成さ
れ、投写レンズによりスクリーン上に投写される。
【００１４】従来のビューファインダとして特開昭６２
−１１１２３３号公報が示される。なお、本明細書では
少なくとも発光素子などの光源と表示デバイスを具備
し、両者が一体となって構成されたものをビューファイ
ンダと呼ぶ。
−１１１２３３号公報が示される。なお、本明細書では
少なくとも発光素子などの光源と表示デバイスを具備
し、両者が一体となって構成されたものをビューファイ
ンダと呼ぶ。
【００１５】従来のビューファインダの光発生手段とし
ては棒状の蛍光管を用いる。蛍光管は表示デバイスとし
て用いるＴＮ液晶パネルの表示面積が１インチ程度と小
型の場合は直径が２〜５ｍｍのものを用いる。ＴＮ液晶
パネルの表示画面が１インチ以上の場合は前記蛍光管を
複数本用いる場合が多い。蛍光管からは前方及び後方に
光が放射される。蛍光管の後方に放射される光を利用す
るために、蛍光管の背後には凹状の反射板を配置する。
前記反射板により蛍光管から後方に放射した光は前方に
反射される。蛍光管とＴＮ液晶パネルの間には拡散板を
配置する。拡散板は蛍光管からの光を拡散させ、面光源
化するために用いられる。前記拡散板により面光源が形
成され、前記面光源からの光がＴＮ液晶パネルに入射す
る。面光源の面積はＴＮ液晶パネルの画像表示領域と同
一もしくはそれ以上である。ＴＮ液晶パネルの前後には
偏光板が配置される。拡散板とＴＮ液晶パネル間に配置
された偏光板（以後、偏光子と呼ぶ）は面光源からの光
を直線偏光にする機能を有する。ＴＮ液晶パネルと表示
画面の観察者の間に配置された偏光板（以後、検光子と
呼ぶ）はＴＮ液晶パネルに入射した光の変調度合いに応
じて、前記光を遮光する機能を持つ。通常、偏光子と検
光子は偏光方向が直交するように配置される。
ては棒状の蛍光管を用いる。蛍光管は表示デバイスとし
て用いるＴＮ液晶パネルの表示面積が１インチ程度と小
型の場合は直径が２〜５ｍｍのものを用いる。ＴＮ液晶
パネルの表示画面が１インチ以上の場合は前記蛍光管を
複数本用いる場合が多い。蛍光管からは前方及び後方に
光が放射される。蛍光管の後方に放射される光を利用す
るために、蛍光管の背後には凹状の反射板を配置する。
前記反射板により蛍光管から後方に放射した光は前方に
反射される。蛍光管とＴＮ液晶パネルの間には拡散板を
配置する。拡散板は蛍光管からの光を拡散させ、面光源
化するために用いられる。前記拡散板により面光源が形
成され、前記面光源からの光がＴＮ液晶パネルに入射す
る。面光源の面積はＴＮ液晶パネルの画像表示領域と同
一もしくはそれ以上である。ＴＮ液晶パネルの前後には
偏光板が配置される。拡散板とＴＮ液晶パネル間に配置
された偏光板（以後、偏光子と呼ぶ）は面光源からの光
を直線偏光にする機能を有する。ＴＮ液晶パネルと表示
画面の観察者の間に配置された偏光板（以後、検光子と
呼ぶ）はＴＮ液晶パネルに入射した光の変調度合いに応
じて、前記光を遮光する機能を持つ。通常、偏光子と検
光子は偏光方向が直交するように配置される。
【００１６】以上のようにして、面光源が形成され、前
記面光源からの光は偏光子により直線偏光に変換され
る。ＴＮ液晶パネルは前記直線偏光を、印加される映像
信号に基づき変調する。検光子は変調度合いに応じて光
を遮光もしくは透過させる。以上のようにして画像が表
示される。表示画像は検光子と観察者間に配置された拡
大レンズにより拡大してみることができる。
記面光源からの光は偏光子により直線偏光に変換され
る。ＴＮ液晶パネルは前記直線偏光を、印加される映像
信号に基づき変調する。検光子は変調度合いに応じて光
を遮光もしくは透過させる。以上のようにして画像が表
示される。表示画像は検光子と観察者間に配置された拡
大レンズにより拡大してみることができる。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】前述の説明でも明らか
なように、従来のＴＮ液晶パネルを用いた表示デバイス
では直線偏光の光を用いる必要がある。したがって、液
晶パネルの入射側と出射側には２枚偏光板を配置する必
要がある。偏光板は１／２以上の光を吸収するため、低
輝度画面しか得られないという課題がある。
なように、従来のＴＮ液晶パネルを用いた表示デバイス
では直線偏光の光を用いる必要がある。したがって、液
晶パネルの入射側と出射側には２枚偏光板を配置する必
要がある。偏光板は１／２以上の光を吸収するため、低
輝度画面しか得られないという課題がある。
【００１８】同様の理由で、従来の表示デバイスを用い
て液晶投写型テレビを構成しても高輝度画像表示を行う
ことができない。さらには、偏光板で光を吸収して、偏
光板が発熱し、液晶パネルに前記熱が伝導して液晶パネ
ルを劣化をさせる。偏光板自身も光吸収により劣化し偏
光度が悪化する。
て液晶投写型テレビを構成しても高輝度画像表示を行う
ことができない。さらには、偏光板で光を吸収して、偏
光板が発熱し、液晶パネルに前記熱が伝導して液晶パネ
ルを劣化をさせる。偏光板自身も光吸収により劣化し偏
光度が悪化する。
【００１９】ビデオカメラは携帯性、操作性の点からコ
ンパクト・軽量であることが要求される。そのため、ビ
ューファインダ用ディスプレイとして、液晶パネルの導
入されつつある。ところが、現状では液晶パネルを用い
たビューファインダの消費電力はかなり大きい。例え
ば、ＴＮ液晶パネルを用いたビューファインダの消費電
力は、液晶パネルが約０．１Ｗ、光源が約１．０Ｗを消
費し、計１．１Ｗという例がある。ビデオカメラは、コ
ンパクト性および軽量性を確保するために、バッテリー
の容量が限られている。ビューファインダの消費電力が
大きい場合には、連続使用時間が短くなるので大きな問
題となる。
ンパクト・軽量であることが要求される。そのため、ビ
ューファインダ用ディスプレイとして、液晶パネルの導
入されつつある。ところが、現状では液晶パネルを用い
たビューファインダの消費電力はかなり大きい。例え
ば、ＴＮ液晶パネルを用いたビューファインダの消費電
力は、液晶パネルが約０．１Ｗ、光源が約１．０Ｗを消
費し、計１．１Ｗという例がある。ビデオカメラは、コ
ンパクト性および軽量性を確保するために、バッテリー
の容量が限られている。ビューファインダの消費電力が
大きい場合には、連続使用時間が短くなるので大きな問
題となる。
【００２０】ビューファインダの消費電力が大きい原因
はＴＮ液晶パネルに用いる偏光板の総合透過率が約３０
％しかなく、光利用率が低いことである。また、蛍光管
および反射板からなるライトボックスは、輝度むらの少
ない面光源にする必要がある。そこで、ＴＮ液晶パネル
と蛍光管間に拡散板を配置する。光拡散度の低い拡散板
を用いると、蛍光間の発光パターンが現れ、それが液晶
パネルの表示画面を通して見え、表示品位を低下させ
る。そのため、拡散板は拡散度の高いものを用いるが、
一般に拡散度を高くすると拡散板の光透過率が低下し、
必要な輝度を得ようとすると光源からの光の出力量を多
くするしかない。これは光源の消費電力の増大を招く。
はＴＮ液晶パネルに用いる偏光板の総合透過率が約３０
％しかなく、光利用率が低いことである。また、蛍光管
および反射板からなるライトボックスは、輝度むらの少
ない面光源にする必要がある。そこで、ＴＮ液晶パネル
と蛍光管間に拡散板を配置する。光拡散度の低い拡散板
を用いると、蛍光間の発光パターンが現れ、それが液晶
パネルの表示画面を通して見え、表示品位を低下させ
る。そのため、拡散板は拡散度の高いものを用いるが、
一般に拡散度を高くすると拡散板の光透過率が低下し、
必要な輝度を得ようとすると光源からの光の出力量を多
くするしかない。これは光源の消費電力の増大を招く。
【００２１】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、高輝度
かつ高コントラスト表示が行える表示デバイス、および
前記表示デバイスをライトバルブとして用いた液晶投写
型テレビと、画像表示装置として用いたビューファイン
ダを提供することである。
かつ高コントラスト表示が行える表示デバイス、および
前記表示デバイスをライトバルブとして用いた液晶投写
型テレビと、画像表示装置として用いたビューファイン
ダを提供することである。
【００２２】第１の発明の表示デバイスは、対向電極に
印加するコモン電圧に対し、正極性の信号を出力する第
１の駆動回路と、前記電圧に対し負極性の信号を出力す
る第２の駆動回路と、マトリックス状に配置された画素
電極および前記電極に信号を入力する少なくとも第１と
第２のスイッチング素子が形成された基板とを具備した
ものである。スイッチング素子としてダイオード素子等
の２端子素子、トランジスタ素子等の３端子素子が例示
されるが、好ましくはトランジスタ素子等の３端子素子
を用いる。また、好ましくは一画素電極に２つのスイッ
チング素子を形成する。第１のスイッチング素子の一端
子と第１のドライブ回路の信号出力端子は第１の信号線
と接続され、正極性の信号を画素電極に入力できるよう
に構成されている。また、第２のスイッチング素子の一
端子と第２のドライブ回路の信号出力端子は第２の信号
線と接続され、負極性の信号を画素電極に入力できるよ
うに構成されている。かつ、第１と第２のスイッチング
素子は同時にオン状態とならないように制御されてる。
印加するコモン電圧に対し、正極性の信号を出力する第
１の駆動回路と、前記電圧に対し負極性の信号を出力す
る第２の駆動回路と、マトリックス状に配置された画素
電極および前記電極に信号を入力する少なくとも第１と
第２のスイッチング素子が形成された基板とを具備した
ものである。スイッチング素子としてダイオード素子等
の２端子素子、トランジスタ素子等の３端子素子が例示
されるが、好ましくはトランジスタ素子等の３端子素子
を用いる。また、好ましくは一画素電極に２つのスイッ
チング素子を形成する。第１のスイッチング素子の一端
子と第１のドライブ回路の信号出力端子は第１の信号線
と接続され、正極性の信号を画素電極に入力できるよう
に構成されている。また、第２のスイッチング素子の一
端子と第２のドライブ回路の信号出力端子は第２の信号
線と接続され、負極性の信号を画素電極に入力できるよ
うに構成されている。かつ、第１と第２のスイッチング
素子は同時にオン状態とならないように制御されてる。
【００２３】第２の発明の表示デバイスは、対向電極に
印加するコモン電圧に対し、正極性の信号を出力する第
１の駆動回路と、前記電圧に対し負極性の信号を出力す
る第２の駆動回路と、画素電極および前記電極に信号を
入力するスイッチング素子が形成された基板と、導通状
態と（ローインピーダンス状態）、（ハイインピーダン
ス状態）切断状態の２モードに変化できる第１および第
２の切り換えスイッチ回路を具備したものである。スイ
ッチング素子は好ましくはトランジスタ素子を用いる。
スイッチング素子の一端子は信号線に接続されている。
前記信号線の一端には第１の切り換えスイッチを介して
第１の駆動回路が接続され、他端には第２の切り換えス
イッチ回路を介して第２の駆動回路が接続されている。
第１の切り換えスイッチ回路と第２の切り換えスイッチ
回路は同時に導通状態とならにように制御されている。
つまり、信号線には第１のドライブ回路が出力する正極
性の信号と、第２のドライブ回路が出力する負極性の信
号が、同時に印加されないように、第１および第２の切
り換えスイッチ回路は制御される。スイッチング回路は
駆動回路の信号出力のタイミングと同期をとり、画素電
極に正極性または負極性の信号を入力する。
印加するコモン電圧に対し、正極性の信号を出力する第
１の駆動回路と、前記電圧に対し負極性の信号を出力す
る第２の駆動回路と、画素電極および前記電極に信号を
入力するスイッチング素子が形成された基板と、導通状
態と（ローインピーダンス状態）、（ハイインピーダン
ス状態）切断状態の２モードに変化できる第１および第
２の切り換えスイッチ回路を具備したものである。スイ
ッチング素子は好ましくはトランジスタ素子を用いる。
スイッチング素子の一端子は信号線に接続されている。
前記信号線の一端には第１の切り換えスイッチを介して
第１の駆動回路が接続され、他端には第２の切り換えス
イッチ回路を介して第２の駆動回路が接続されている。
第１の切り換えスイッチ回路と第２の切り換えスイッチ
回路は同時に導通状態とならにように制御されている。
つまり、信号線には第１のドライブ回路が出力する正極
性の信号と、第２のドライブ回路が出力する負極性の信
号が、同時に印加されないように、第１および第２の切
り換えスイッチ回路は制御される。スイッチング回路は
駆動回路の信号出力のタイミングと同期をとり、画素電
極に正極性または負極性の信号を入力する。
【００２４】本発明の液晶投写型テレビは前述の本発明
の表示デバイスのいずれかを用いて構成したものであ
る。高分子分散液晶を用いることにより投写される画像
のスクリーン輝度を向上させる。また、各画素へ容易に
高電圧を書き込めるように構成したことにより、高コン
トラストを実現する。Ｒ，Ｇ，Ｂ用の３枚の表示デバイ
スを用いる。また、それぞれの液晶パネルにＲ，Ｇ，Ｂ
の３色の光を入射させるためにダイクロイックミラーか
らなる色分離光学系を具備し、表示デバイスの表示画像
をスクリーンに投射するための投写光学系を有してい
る。
の表示デバイスのいずれかを用いて構成したものであ
る。高分子分散液晶を用いることにより投写される画像
のスクリーン輝度を向上させる。また、各画素へ容易に
高電圧を書き込めるように構成したことにより、高コン
トラストを実現する。Ｒ，Ｇ，Ｂ用の３枚の表示デバイ
スを用いる。また、それぞれの液晶パネルにＲ，Ｇ，Ｂ
の３色の光を入射させるためにダイクロイックミラーか
らなる色分離光学系を具備し、表示デバイスの表示画像
をスクリーンに投射するための投写光学系を有してい
る。
【００２５】本発明のビューファインダも、前述の本発
明の表示デバイスのいずれかを用いて構成したものであ
る。発光素子が放射する光を集光し、平行光に変換する
集光レンズと、集光レンズで集光された光を変調するた
めに本発明の表示デバイスを配置したものである。ま
た、接眼部には拡大レンズを配置し、前記表示デバイス
の表示画像を拡大して見やすくしている。
明の表示デバイスのいずれかを用いて構成したものであ
る。発光素子が放射する光を集光し、平行光に変換する
集光レンズと、集光レンズで集光された光を変調するた
めに本発明の表示デバイスを配置したものである。ま
た、接眼部には拡大レンズを配置し、前記表示デバイス
の表示画像を拡大して見やすくしている。
【００２６】
【作用】本発明の表示デバイスには高分子分散液晶を用
いる。高分子分散液晶は光の変調を行うのに偏光板を用
いる必要がない。そのため、従来のＴＮ液晶を用いた表
示デバイスに比較して、２倍以上の高輝度表示を行うこ
とができる。従来の表示デバイスでは、１つの駆動回路
で正極性と負極性の信号を出力していたが、表示デバイ
スの画素数が多くなると駆動回路（表示デバイスの信号
線に信号を出力する駆動ＩＣ）の動作周波数が高くな
り、出力信号の振幅を大きくできなくなる。現在の技術
レベルでは動作周波数が２０（ＭＨｚ）程度であれば、
信号の振幅は±６（Ｖ）以下、つまり、信号振幅が１２
（Ｖ）以下程度まで設計可能であるが、これ以上は耐電
圧および耐熱の点から駆動回路のＩＣを設計することは
困難である。信号振幅を大きくすることはＩＣの発熱を
増大させることになり、誤動作あるいはＩＣが破壊され
る。動作周波数を高くすることも発熱の原因となる。ま
た、信号振幅を大きくすることは、ＩＣの出力バッファ
素子を大きくする必要がありＩＣサイズも大きくなり、
コストの増大につながる。また、ＩＣの製造のために特
殊なプロセスの導入も必要となる。
いる。高分子分散液晶は光の変調を行うのに偏光板を用
いる必要がない。そのため、従来のＴＮ液晶を用いた表
示デバイスに比較して、２倍以上の高輝度表示を行うこ
とができる。従来の表示デバイスでは、１つの駆動回路
で正極性と負極性の信号を出力していたが、表示デバイ
スの画素数が多くなると駆動回路（表示デバイスの信号
線に信号を出力する駆動ＩＣ）の動作周波数が高くな
り、出力信号の振幅を大きくできなくなる。現在の技術
レベルでは動作周波数が２０（ＭＨｚ）程度であれば、
信号の振幅は±６（Ｖ）以下、つまり、信号振幅が１２
（Ｖ）以下程度まで設計可能であるが、これ以上は耐電
圧および耐熱の点から駆動回路のＩＣを設計することは
困難である。信号振幅を大きくすることはＩＣの発熱を
増大させることになり、誤動作あるいはＩＣが破壊され
る。動作周波数を高くすることも発熱の原因となる。ま
た、信号振幅を大きくすることは、ＩＣの出力バッファ
素子を大きくする必要がありＩＣサイズも大きくなり、
コストの増大につながる。また、ＩＣの製造のために特
殊なプロセスの導入も必要となる。
【００２７】駆動回路の動作周波数を低下させるため、
表示領域を分割し、各分割した表示領域ごとに駆動回路
を配置し、それらを並列に動作させる方法がある。しか
し、この方法ではそれぞれの分割した表示領域に入力す
る信号のレベルが異なってしまい、分割した箇所で表示
領域の継ぎ目が発生するという課題があり好ましくな
い。現在、表示デバイスは１００万画素以上の多画素数
化に向かっており、ますます、耐圧、耐熱性の問題から
駆動回路のＩＣ設計および開発は困難になりつつある。
表示領域を分割し、各分割した表示領域ごとに駆動回路
を配置し、それらを並列に動作させる方法がある。しか
し、この方法ではそれぞれの分割した表示領域に入力す
る信号のレベルが異なってしまい、分割した箇所で表示
領域の継ぎ目が発生するという課題があり好ましくな
い。現在、表示デバイスは１００万画素以上の多画素数
化に向かっており、ますます、耐圧、耐熱性の問題から
駆動回路のＩＣ設計および開発は困難になりつつある。
【００２８】高分子分散液晶を用いた表示デバイスは偏
光板を用いないため、高輝度表示を実現できるが、コン
トラストが低いという課題がある。コントラストを高く
するには、電圧無印加状態での光散乱性能を向上させる
必要がある。光散乱性能を向上させるのは、液晶の膜厚
を厚くすればよい。しかし、液晶の膜厚を厚くすれば、
液晶を透過状態にする駆動電圧が高くなる。
光板を用いないため、高輝度表示を実現できるが、コン
トラストが低いという課題がある。コントラストを高く
するには、電圧無印加状態での光散乱性能を向上させる
必要がある。光散乱性能を向上させるのは、液晶の膜厚
を厚くすればよい。しかし、液晶の膜厚を厚くすれば、
液晶を透過状態にする駆動電圧が高くなる。
【００２９】本発明の表示デバイスでは、正極性の信号
を出力する駆動回路と負極性の信号を出力する駆動回路
を用いる。したがって、駆動回路が出力する信号の振幅
は比較的小さくとも、２つの駆動回路を組み合わせた際
の信号振幅は２倍にすることができる。たとえば、負極
性および正極性の信号を出力する駆動回路の振幅がそれ
ぞれ１０（Ｖ）であれば、画素電極には１０＋１０＝２
０（Ｖ）電圧を印加できる。
を出力する駆動回路と負極性の信号を出力する駆動回路
を用いる。したがって、駆動回路が出力する信号の振幅
は比較的小さくとも、２つの駆動回路を組み合わせた際
の信号振幅は２倍にすることができる。たとえば、負極
性および正極性の信号を出力する駆動回路の振幅がそれ
ぞれ１０（Ｖ）であれば、画素電極には１０＋１０＝２
０（Ｖ）電圧を印加できる。
【００３０】正極性と負極性の駆動回路を用いることに
より、表示デバイスの画素電極に、充分な高電圧を印加
できる。したがって、高分子分散液晶を用いて、高コン
トラスト、かつ、高輝度表示を実現できる。また、一方
の駆動回路の信号振幅は従来の駆動回路に小さくてすむ
から、動作周波数が高くなっても充分対応できる。
より、表示デバイスの画素電極に、充分な高電圧を印加
できる。したがって、高分子分散液晶を用いて、高コン
トラスト、かつ、高輝度表示を実現できる。また、一方
の駆動回路の信号振幅は従来の駆動回路に小さくてすむ
から、動作周波数が高くなっても充分対応できる。
【００３１】本発明の液晶投写型テレビは、メタルハラ
イドランプなどの光源と、前記光源からの光をＲ光、Ｂ
光およびＧ光に分離する色分離光学系と、前記Ｒ光、Ｂ
光およびＧ各光路に本発明の表示デバイスを配置したも
のである。前記表示デバイスにより変調された光を投写
レンズにより、スクリーンに拡大投映し、大画面カラー
表示を実現する。
イドランプなどの光源と、前記光源からの光をＲ光、Ｂ
光およびＧ光に分離する色分離光学系と、前記Ｒ光、Ｂ
光およびＧ各光路に本発明の表示デバイスを配置したも
のである。前記表示デバイスにより変調された光を投写
レンズにより、スクリーンに拡大投映し、大画面カラー
表示を実現する。
【００３２】メタルハライドランプのアーク長は極力短
いものを用い、好ましくはアーク長は５ｍｍ以下であ
る。また、本発明の表示デバイスの対向電極を反射防止
構造をとり、不要反射を防止している。また、画素電極
を反射電極としてもよい。反射電極にすることにより画
素開口率が向上でき、より高輝度表示を実現できる。
いものを用い、好ましくはアーク長は５ｍｍ以下であ
る。また、本発明の表示デバイスの対向電極を反射防止
構造をとり、不要反射を防止している。また、画素電極
を反射電極としてもよい。反射電極にすることにより画
素開口率が向上でき、より高輝度表示を実現できる。
【００３３】本発明の液晶投写型テレビはライトバルブ
として本発明の表示デバイスを用いることにより、高輝
度かつ高コントラストの映像表示を実現している。
として本発明の表示デバイスを用いることにより、高輝
度かつ高コントラストの映像表示を実現している。
【００３４】本発明のビューファインダは以下の通りで
ある。発光素子の小領域発光部から広い立体角に放射さ
れた光は、集光レンズにより平行に近く、指向性の狭い
光に変換される。前記光は光変調手段である本発明の表
示デバイスに入射する。表示デバイスは映像信号に応じ
て入射光を変調して表示画像を表示する。表示画像は観
察者の眼と表示デバイス間に配置された拡大レンズで拡
大してみることができる。
ある。発光素子の小領域発光部から広い立体角に放射さ
れた光は、集光レンズにより平行に近く、指向性の狭い
光に変換される。前記光は光変調手段である本発明の表
示デバイスに入射する。表示デバイスは映像信号に応じ
て入射光を変調して表示画像を表示する。表示画像は観
察者の眼と表示デバイス間に配置された拡大レンズで拡
大してみることができる。
【００３５】本発明のビューファインダでは光源の大き
さが小さくてすむため、光源の消費電力が従来の蛍光管
を用いるライトボックスに比較して小さくなる。また、
ビューファインダ全体を小型にすることが可能である。
また、高分子分散液晶を用いると、偏光板が不要であ
り、光利用率が高いので、消費電力を低減できる。
さが小さくてすむため、光源の消費電力が従来の蛍光管
を用いるライトボックスに比較して小さくなる。また、
ビューファインダ全体を小型にすることが可能である。
また、高分子分散液晶を用いると、偏光板が不要であ
り、光利用率が高いので、消費電力を低減できる。
【００３６】本発明のビューファインダの発光素子に
は、発光管、蛍光発光素子、ＬＥＤ（Light Emitting D
iode）を用いる。それぞれ、遮光板などにより小領域の
発光部を実現する。
は、発光管、蛍光発光素子、ＬＥＤ（Light Emitting D
iode）を用いる。それぞれ、遮光板などにより小領域の
発光部を実現する。
【００３７】
【実施例】以下、図面を参照しながら、本発明の表示デ
バイスについて説明する。（図３）は本発明の表示デバ
イスの断面図である。（図３）において、３１はアレイ
基板であり、前記アレイ基板３１上にはＩＴＯからなる
画素電極３３、ＴＦＴ３４等が形成されている。３２は
対向電極基板であり、その片面には対向電極３５が形成
されている。対向電極３５と画素電極３３間には高分子
分散液晶が狭持されている。３６はＴＦＴに光が照射さ
れることを防止するためのブラックマトリックスであ
り、Ｃｒなどの金属薄膜で形成される。なお、本明細書
では液晶パネルなどのパネルに駆動用回路、たとえばド
ライブＩＣを接続したものを表示デバイスもしくは液晶
表示デバイスと呼ぶ。
バイスについて説明する。（図３）は本発明の表示デバ
イスの断面図である。（図３）において、３１はアレイ
基板であり、前記アレイ基板３１上にはＩＴＯからなる
画素電極３３、ＴＦＴ３４等が形成されている。３２は
対向電極基板であり、その片面には対向電極３５が形成
されている。対向電極３５と画素電極３３間には高分子
分散液晶が狭持されている。３６はＴＦＴに光が照射さ
れることを防止するためのブラックマトリックスであ
り、Ｃｒなどの金属薄膜で形成される。なお、本明細書
では液晶パネルなどのパネルに駆動用回路、たとえばド
ライブＩＣを接続したものを表示デバイスもしくは液晶
表示デバイスと呼ぶ。
【００３８】以下、簡単に本発明に用いる高分子分散液
晶について説明しておく。高分子分散液晶は、液晶と高
分子の分散状態によって大きく２つのタイプに分けられ
る。１つは、水滴状の液晶が高分子中に分散しているタ
イプである。液晶は、高分子中に不連続な状態で存在す
る。以後、このような液晶をＰＤＬＣと呼び、また、前
記液晶を用いた液晶パネルをＰＤ液晶パネルと呼ぶ。も
う１つは、液晶層に高分子のネットワークを張り巡らせ
たような構造をとるタイプである。ちょうどスポンジに
液晶を含ませたような格好になる。液晶は、水滴状とな
らず連続に存在する。以後、このような液晶をＰＮＬＣ
と呼ぶ。前記２種類の液晶パネルで画像を表示するため
には光の散乱・透過を制御することにより行う。
晶について説明しておく。高分子分散液晶は、液晶と高
分子の分散状態によって大きく２つのタイプに分けられ
る。１つは、水滴状の液晶が高分子中に分散しているタ
イプである。液晶は、高分子中に不連続な状態で存在す
る。以後、このような液晶をＰＤＬＣと呼び、また、前
記液晶を用いた液晶パネルをＰＤ液晶パネルと呼ぶ。も
う１つは、液晶層に高分子のネットワークを張り巡らせ
たような構造をとるタイプである。ちょうどスポンジに
液晶を含ませたような格好になる。液晶は、水滴状とな
らず連続に存在する。以後、このような液晶をＰＮＬＣ
と呼ぶ。前記２種類の液晶パネルで画像を表示するため
には光の散乱・透過を制御することにより行う。
【００３９】ＰＤＬＣは、液晶が配向している方向で屈
折率が異なる性質を利用する。電圧を印加していない状
態では、それぞれの水滴状液晶は不規則な方向に配向し
ている。この状態では、高分子と液晶に屈折率の差が生
じ、入射光は散乱する。電圧を印加すると液晶の配向方
向がそろう。液晶が一定方向に配向したときの屈折率を
あらかじめ高分子の屈折率と合わせておくと、入射光は
散乱せずに透過する。
折率が異なる性質を利用する。電圧を印加していない状
態では、それぞれの水滴状液晶は不規則な方向に配向し
ている。この状態では、高分子と液晶に屈折率の差が生
じ、入射光は散乱する。電圧を印加すると液晶の配向方
向がそろう。液晶が一定方向に配向したときの屈折率を
あらかじめ高分子の屈折率と合わせておくと、入射光は
散乱せずに透過する。
【００４０】これに対して、ＰＮＬＣは液晶分子の配向
の不規則さそのものを使う。不規則な配向状態、つまり
電圧を印加していない状態では入射した光は散乱する。
一方、電圧を印加し配列状態を規則的にすると光は透過
する。
の不規則さそのものを使う。不規則な配向状態、つまり
電圧を印加していない状態では入射した光は散乱する。
一方、電圧を印加し配列状態を規則的にすると光は透過
する。
【００４１】なお、前述のＰＤＬＣおよびＰＮＬＣの液
晶の動きの説明はあくまでもモデル的な考え方である。
本発明の表示デバイスに用いるパネルはＰＤ液晶パネル
とＰＮ液晶パネルのうち一方に限定するものではない
が、説明を容易にするためＰＤ液晶パネルを例にあげて
説明する。また、ＰＤＬＣおよびＰＮＬＣを総称して高
分子分散液晶と呼び、ＰＤ液晶パネルおよびＰＮ液晶パ
ネルを総称して高分子分散液晶パネルと呼ぶ。液晶層の
樹脂成分を高分子と呼ぶ。
晶の動きの説明はあくまでもモデル的な考え方である。
本発明の表示デバイスに用いるパネルはＰＤ液晶パネル
とＰＮ液晶パネルのうち一方に限定するものではない
が、説明を容易にするためＰＤ液晶パネルを例にあげて
説明する。また、ＰＤＬＣおよびＰＮＬＣを総称して高
分子分散液晶と呼び、ＰＤ液晶パネルおよびＰＮ液晶パ
ネルを総称して高分子分散液晶パネルと呼ぶ。液晶層の
樹脂成分を高分子と呼ぶ。
【００４２】高分子分散液晶パネルの動作について（図
１４（ａ）（ｂ））を用いて簡単に述べる。（図１４
（ａ）（ｂ））は高分子分散液晶パネルの動作の説明図
である。（図１４（ａ）（ｂ））において、１４２は水
滴状液晶、１４１は高分子である。画素電極３３にはＴ
ＦＴ（図示せず）等が接続され、ＴＦＴのオン・オフに
より画素電極３３に電圧が印加される。電圧により画素
電極３３上の水滴上液晶１４２の液晶配向方向を可変さ
せて光を変調する。（図１４（ａ））に示すように電圧
を印加していない状態（ＯＦＦ）では、それぞれの水滴
状液晶は不規則な方向に配向している。この状態では高
分子１４１と液晶とに屈折率差が生じ、入射光は散乱す
る。（図１４（ｂ））に示すように画素電極３３に電圧
を印加すると液晶の方向がそろう。液晶が一定方向に配
向したときの屈折率をあらかじめ高分子１４１の屈折率
と合わせておくと、入射光は散乱せずにアレイ基板３１
側より出射する。なお、対向電極３５にはコモン電圧が
印加される。
１４（ａ）（ｂ））を用いて簡単に述べる。（図１４
（ａ）（ｂ））は高分子分散液晶パネルの動作の説明図
である。（図１４（ａ）（ｂ））において、１４２は水
滴状液晶、１４１は高分子である。画素電極３３にはＴ
ＦＴ（図示せず）等が接続され、ＴＦＴのオン・オフに
より画素電極３３に電圧が印加される。電圧により画素
電極３３上の水滴上液晶１４２の液晶配向方向を可変さ
せて光を変調する。（図１４（ａ））に示すように電圧
を印加していない状態（ＯＦＦ）では、それぞれの水滴
状液晶は不規則な方向に配向している。この状態では高
分子１４１と液晶とに屈折率差が生じ、入射光は散乱す
る。（図１４（ｂ））に示すように画素電極３３に電圧
を印加すると液晶の方向がそろう。液晶が一定方向に配
向したときの屈折率をあらかじめ高分子１４１の屈折率
と合わせておくと、入射光は散乱せずにアレイ基板３１
側より出射する。なお、対向電極３５にはコモン電圧が
印加される。
【００４３】本発明の液晶パネルに用いる液晶材料とし
てはネマティック液晶、スメクティック液晶、コレステ
リック液晶が好ましく、単一もしくは２種類以上の液晶
性化合物や液晶性化合物以外の物質も含んだ混合物であ
っても良い。なお、先に述べた液晶材料のうちシアノビ
フェニル系のネマティック液晶またはフッ素系のネマテ
ィック液晶が好ましい。中でもフッ素系のネマティック
液晶は光による分解等が少なく、安定である。また、液
晶層の電荷保持率も９０％以上と高く作製することがで
き、耐熱性も良好で好ましい。樹脂材料としては透明な
高分子が好ましく、熱可そ性樹脂、熱硬化性樹脂、光硬
化性樹脂のいずれかであっても良いが、製造工程の容易
さ、液晶との分離等の点より紫外線硬化タイプの樹脂を
用いるのが好ましい。具体的な例として紫外線硬化性ア
クリル系樹脂が例示され、特に紫外線照射によって重合
硬化するアクリルモノマー、アクリルオリゴマーを含有
するものが好ましい。これらは、紫外線を照射すること
によって樹脂のみ重合反応を起こして高分子となり、液
晶のみが相分離する。
てはネマティック液晶、スメクティック液晶、コレステ
リック液晶が好ましく、単一もしくは２種類以上の液晶
性化合物や液晶性化合物以外の物質も含んだ混合物であ
っても良い。なお、先に述べた液晶材料のうちシアノビ
フェニル系のネマティック液晶またはフッ素系のネマテ
ィック液晶が好ましい。中でもフッ素系のネマティック
液晶は光による分解等が少なく、安定である。また、液
晶層の電荷保持率も９０％以上と高く作製することがで
き、耐熱性も良好で好ましい。樹脂材料としては透明な
高分子が好ましく、熱可そ性樹脂、熱硬化性樹脂、光硬
化性樹脂のいずれかであっても良いが、製造工程の容易
さ、液晶との分離等の点より紫外線硬化タイプの樹脂を
用いるのが好ましい。具体的な例として紫外線硬化性ア
クリル系樹脂が例示され、特に紫外線照射によって重合
硬化するアクリルモノマー、アクリルオリゴマーを含有
するものが好ましい。これらは、紫外線を照射すること
によって樹脂のみ重合反応を起こして高分子となり、液
晶のみが相分離する。
【００４４】このような高分子形成モノマーとしては、
２−エチルヘキシルアクリレート、２−ヒドロキシエチ
ルアクリレート、ネオペンチルグリコールドアクリレー
ト、ヘキサンジオールジアクリレート、ジエチレングリ
コールジアクリレート、トリプロピレングリコールジア
クリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、
トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリ
スリトールアクリレート等々である。
２−エチルヘキシルアクリレート、２−ヒドロキシエチ
ルアクリレート、ネオペンチルグリコールドアクリレー
ト、ヘキサンジオールジアクリレート、ジエチレングリ
コールジアクリレート、トリプロピレングリコールジア
クリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、
トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリ
スリトールアクリレート等々である。
【００４５】オリゴマーもしくはプレポリマーとして
は、ポリエステルアクリレート、エポキシアクリレー
ト、ポリウレタンアクリレート等が挙げられる。
は、ポリエステルアクリレート、エポキシアクリレー
ト、ポリウレタンアクリレート等が挙げられる。
【００４６】また、重合を速やかに行う為に重合開始剤
を用いても良く、この例として、２−ヒドロキシ−２−
メチル−１−フェニルプロパン−１−オン−（メルク社
製「ダロキュア１１７３」）、１−（４−イソプロピル
フェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−１
−オン（メルク社製「ダロキュア１１１６」）、１−ビ
ドロキシシクロヘキシルフェニルケトン（チバガイキ−
社製「イルガキュア６５１」）等が該当する。その他に
任意成分として連鎖移動剤、光増感剤、染料、架橋剤等
を適宜併用してもよい。
を用いても良く、この例として、２−ヒドロキシ−２−
メチル−１−フェニルプロパン−１−オン−（メルク社
製「ダロキュア１１７３」）、１−（４−イソプロピル
フェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−１
−オン（メルク社製「ダロキュア１１１６」）、１−ビ
ドロキシシクロヘキシルフェニルケトン（チバガイキ−
社製「イルガキュア６５１」）等が該当する。その他に
任意成分として連鎖移動剤、光増感剤、染料、架橋剤等
を適宜併用してもよい。
【００４７】この際、高分子樹脂分と比較して液晶の量
が少ない場合には独立した粒子状の水滴状液晶が形成さ
れるし、一方、液晶の量が多い場合には、樹脂マトリク
スが液晶材料中に粒子状、または、ネットワーク状に存
在し、液晶が連続層を成すように形成される。この際に
水滴状液晶の粒子径、もしくはポリマーネットワークの
孔径がある程度均一で、かつ、大きさとしては０．５μ
ｍ〜数μｍの範囲でなければ入射光の散乱性能が悪くコ
ントラストが上がらない。なお、好ましくは水滴状液晶
の平均粒子径もしくはポリマーネットワークの平均孔径
は０．８μｍ〜３．０μｍの範囲がよい。この為にも紫
外線硬化樹脂のように短時間で硬化が終了しうる材料で
なければならない。また、液晶材料と高分子材料の配向
比は９０：１０〜３０：７０であり、中でも５０：５０
〜９０：１０の範囲が好ましい。また、液晶３６の薄膜
は１０μｍ〜３０μｍの範囲が望ましく、中でも１２μ
ｍ〜２０μｍの範囲が望ましい。液晶３７の膜厚は駆動
電圧と相関して定める。膜厚が２０μｍ以上で入射光を
完全に散乱させる状態（以後、完全拡散状態と呼ぶ）と
なり、高コントラストが得られる。しかし、駆動電圧は
１０（Ｖ）以上となる。駆動電圧は、液晶と高分子の配
向比、仕様材料等により大きく異なるが、フッ素系の液
晶を用い、液晶と高分子との配合比が８０：２０、液晶
膜厚が１５μｍの時、９０％の光透過率となる電圧は約
７Ｖであった。
が少ない場合には独立した粒子状の水滴状液晶が形成さ
れるし、一方、液晶の量が多い場合には、樹脂マトリク
スが液晶材料中に粒子状、または、ネットワーク状に存
在し、液晶が連続層を成すように形成される。この際に
水滴状液晶の粒子径、もしくはポリマーネットワークの
孔径がある程度均一で、かつ、大きさとしては０．５μ
ｍ〜数μｍの範囲でなければ入射光の散乱性能が悪くコ
ントラストが上がらない。なお、好ましくは水滴状液晶
の平均粒子径もしくはポリマーネットワークの平均孔径
は０．８μｍ〜３．０μｍの範囲がよい。この為にも紫
外線硬化樹脂のように短時間で硬化が終了しうる材料で
なければならない。また、液晶材料と高分子材料の配向
比は９０：１０〜３０：７０であり、中でも５０：５０
〜９０：１０の範囲が好ましい。また、液晶３６の薄膜
は１０μｍ〜３０μｍの範囲が望ましく、中でも１２μ
ｍ〜２０μｍの範囲が望ましい。液晶３７の膜厚は駆動
電圧と相関して定める。膜厚が２０μｍ以上で入射光を
完全に散乱させる状態（以後、完全拡散状態と呼ぶ）と
なり、高コントラストが得られる。しかし、駆動電圧は
１０（Ｖ）以上となる。駆動電圧は、液晶と高分子の配
向比、仕様材料等により大きく異なるが、フッ素系の液
晶を用い、液晶と高分子との配合比が８０：２０、液晶
膜厚が１５μｍの時、９０％の光透過率となる電圧は約
７Ｖであった。
【００４８】先の説明でも明らかなように高分子分散液
晶パネルは光の散乱と透過状態とを制御して画像を表示
する。コントラストが高い表示を得ようとすると散乱時
の光透過量（以後、散乱透過量と呼ぶ）を極力少なくす
る必要がある。理想的には完全拡散状態にする必要があ
る。完全拡散状態とは、パネルをどの方向からみても同
一輝度となる表示状態のことである。散乱透過量を少な
くするためには、液晶の膜厚を厚くすればよい。しか
し、厚くすれば（図２６）に示す飽和電圧Ｖmおよび立
ち上がり電圧Ｖrが高くなってしまう。（図２４）に示
すように画素を回路するソースドライブＩＣ２３２は＋
Ｖmと−Ｖmの信号を出力する必要がある。Ｖmが１０
（Ｖ）以上のＩＣの設計は耐熱、耐電圧の点から困難で
ある。実際に商品化されているＴＮ液晶パネルではＶm
は最大でも７（Ｖ）程度である。ドライブＩＣの信号出
力振幅は液晶パネルの画素数が多くなるほど大きな振り
幅値を得ることが困難とある。理由は多画素数となるほ
ど一画素あたりの信号書き込み時間を短くする必要があ
り、それにともないソースドライブＩＣの動作周波数を
高くする必要があるからである。高分子分散液晶を用い
た液晶パネルで十分なコントラストを得るためには、液
晶の膜厚を２０μｍもしくは２０μｍに近くにする必要
があり、その時の飽和電圧Ｖmは７（Ｖ）を越える。
晶パネルは光の散乱と透過状態とを制御して画像を表示
する。コントラストが高い表示を得ようとすると散乱時
の光透過量（以後、散乱透過量と呼ぶ）を極力少なくす
る必要がある。理想的には完全拡散状態にする必要があ
る。完全拡散状態とは、パネルをどの方向からみても同
一輝度となる表示状態のことである。散乱透過量を少な
くするためには、液晶の膜厚を厚くすればよい。しか
し、厚くすれば（図２６）に示す飽和電圧Ｖmおよび立
ち上がり電圧Ｖrが高くなってしまう。（図２４）に示
すように画素を回路するソースドライブＩＣ２３２は＋
Ｖmと−Ｖmの信号を出力する必要がある。Ｖmが１０
（Ｖ）以上のＩＣの設計は耐熱、耐電圧の点から困難で
ある。実際に商品化されているＴＮ液晶パネルではＶm
は最大でも７（Ｖ）程度である。ドライブＩＣの信号出
力振幅は液晶パネルの画素数が多くなるほど大きな振り
幅値を得ることが困難とある。理由は多画素数となるほ
ど一画素あたりの信号書き込み時間を短くする必要があ
り、それにともないソースドライブＩＣの動作周波数を
高くする必要があるからである。高分子分散液晶を用い
た液晶パネルで十分なコントラストを得るためには、液
晶の膜厚を２０μｍもしくは２０μｍに近くにする必要
があり、その時の飽和電圧Ｖmは７（Ｖ）を越える。
【００４９】（図３）は本発明の表示デバイスに用いる
液晶パネルに共通した基本構造である。しかし、液晶３
７は高分子分散液晶のみに限定するわけではない。たと
えば動的散乱モード液晶（以後、ＤＳＭと呼ぶ）なども
用いることができる。また、配向膜等が必要であるがＴ
Ｎ液晶を用いることができる。本発明の表示デバイスは
画素電極に高電圧を印加できる構成を特徴とするもので
ある。たとえば、ＴＮ液晶を本発明の液晶パネルに用い
た場合を考える。ＴＮ液晶パネルでは電圧を印加状態で
黒を表示するノーマリホワイトモード表示と電圧印加状
態で黒表示を得るノーマリブラック表示がある。ノーマ
リホワイトモード表示では高電圧を印加するほど良好な
黒表示が行える。本発明の表示デバイスでは容易に高電
圧を液晶に印加できるため、良好な黒表示が行える。し
たがって、高コントラスト表示を実現できる。もちろ
ん、高分子分散液晶を用いることにより、ＴＮ液晶パネ
ルを用いた表示デバイスに比較して２〜３倍以上の光利
用率向上を達成でき、高輝度表示を行えることは言うま
でもない。
液晶パネルに共通した基本構造である。しかし、液晶３
７は高分子分散液晶のみに限定するわけではない。たと
えば動的散乱モード液晶（以後、ＤＳＭと呼ぶ）なども
用いることができる。また、配向膜等が必要であるがＴ
Ｎ液晶を用いることができる。本発明の表示デバイスは
画素電極に高電圧を印加できる構成を特徴とするもので
ある。たとえば、ＴＮ液晶を本発明の液晶パネルに用い
た場合を考える。ＴＮ液晶パネルでは電圧を印加状態で
黒を表示するノーマリホワイトモード表示と電圧印加状
態で黒表示を得るノーマリブラック表示がある。ノーマ
リホワイトモード表示では高電圧を印加するほど良好な
黒表示が行える。本発明の表示デバイスでは容易に高電
圧を液晶に印加できるため、良好な黒表示が行える。し
たがって、高コントラスト表示を実現できる。もちろ
ん、高分子分散液晶を用いることにより、ＴＮ液晶パネ
ルを用いた表示デバイスに比較して２〜３倍以上の光利
用率向上を達成でき、高輝度表示を行えることは言うま
でもない。
【００５０】本発明の表示デバイスに用いる液晶パネル
は、画素電極の下層に共通電極を形成し、前記共通電極
と画素電極間に電荷をたくわえる。つまり、付加コンデ
ンサを形成する。この方式を共通電極方式と呼ぶ。共通
電極方式と異なる方式にゲート信号線と画素電極間に付
加コンデンサを形成する前段ゲート方式がある。一画素
に複数のＴＦＴを形成する場合、前記ゲート方式では寄
生容量が大きくなり、ＴＦＴの駆動能力が低下すること
があり好ましくない。また、隣接したソース信号線上、
たとえば（図１）のソース信号線Ｓｍ1とＳｐ2上には絶
縁膜を形成する。これは、隣接したソース信号線間で直
流電圧が印加され、前記電圧による信号線上の液晶の劣
化を防止するものである。以上の事項は本発明の表示デ
バイスの共通事項である。
は、画素電極の下層に共通電極を形成し、前記共通電極
と画素電極間に電荷をたくわえる。つまり、付加コンデ
ンサを形成する。この方式を共通電極方式と呼ぶ。共通
電極方式と異なる方式にゲート信号線と画素電極間に付
加コンデンサを形成する前段ゲート方式がある。一画素
に複数のＴＦＴを形成する場合、前記ゲート方式では寄
生容量が大きくなり、ＴＦＴの駆動能力が低下すること
があり好ましくない。また、隣接したソース信号線上、
たとえば（図１）のソース信号線Ｓｍ1とＳｐ2上には絶
縁膜を形成する。これは、隣接したソース信号線間で直
流電圧が印加され、前記電圧による信号線上の液晶の劣
化を防止するものである。以上の事項は本発明の表示デ
バイスの共通事項である。
【００５１】（図１）は本発明の表示デバイスの構成図
である。（図１）において１１、１２は駆動手段として
のソースドライブＩＣである。ソースドライブＩＣ１１
・１２およびゲートドライブＩＣは、ガラス基板上に直
接ＩＣチップを接続するガラスオンチップ技術で、液晶
パネルに実装しても良く、半導体プロセス技術によりガ
ラス基板上に直接ドライブＩＣを形成しても良い。ま
た、プリント基板上にソースドライブＩＣを実装してお
き、前記基板と液晶パネルの信号線とをフレキシブルな
フィルム基板を用いて接続しても良い。
である。（図１）において１１、１２は駆動手段として
のソースドライブＩＣである。ソースドライブＩＣ１１
・１２およびゲートドライブＩＣは、ガラス基板上に直
接ＩＣチップを接続するガラスオンチップ技術で、液晶
パネルに実装しても良く、半導体プロセス技術によりガ
ラス基板上に直接ドライブＩＣを形成しても良い。ま
た、プリント基板上にソースドライブＩＣを実装してお
き、前記基板と液晶パネルの信号線とをフレキシブルな
フィルム基板を用いて接続しても良い。
【００５２】ソースドライブＩＣ１１はプラスＶ（Ｐ）
が供給され、正極性の映像信号を出力する。ソースドラ
イブＩＣ１２にはマイナスＶ（Ｍ）が供給され、負極性
の映像信号を出力するものとする。以後、ソースドライ
ブＩＣ（Ｐ）１１をＳＩＣ（Ｐ）１１、ソースドライフ
ＩＣ（Ｍ）１２をＳＩＣ（Ｍ）１２と呼ぶ。また、ゲー
トドライブＩＣ（Ｐ）１３をＧＩＣ（Ｐ）１３、ゲート
ドライブＩＣ（Ｍ）１４をＧＩＣ（Ｍ）１４と呼ぶ。ま
た、Ｔp11〜ＴpmnおよびＴm11〜ＴmmnはＴＦＴ、Ｐ11〜
Ｐmnは画素電極、Ｓp1〜ＳpnおよびＳm1〜Ｓmnはソース
信号線、Ｇp1〜ＧpmおよびＧm1〜Ｇmnはゲート信号線で
ある。また、本発明では一般的に正極性の映像信号に関
連する要素部品は補助記号ｐを付加し、負極性の映像信
号に関係する要素は補助記号ｍを付加する。なお、ＳＩ
Ｃ（Ｐ）はコモン電圧Ｖ0から＋Ｖmの振幅の信号電圧
を、ＳＩＣ（Ｍ）はコモン電圧Ｖ0から−Ｖmの振幅の信
号電圧を出力できるように構成されている。
が供給され、正極性の映像信号を出力する。ソースドラ
イブＩＣ１２にはマイナスＶ（Ｍ）が供給され、負極性
の映像信号を出力するものとする。以後、ソースドライ
ブＩＣ（Ｐ）１１をＳＩＣ（Ｐ）１１、ソースドライフ
ＩＣ（Ｍ）１２をＳＩＣ（Ｍ）１２と呼ぶ。また、ゲー
トドライブＩＣ（Ｐ）１３をＧＩＣ（Ｐ）１３、ゲート
ドライブＩＣ（Ｍ）１４をＧＩＣ（Ｍ）１４と呼ぶ。ま
た、Ｔp11〜ＴpmnおよびＴm11〜ＴmmnはＴＦＴ、Ｐ11〜
Ｐmnは画素電極、Ｓp1〜ＳpnおよびＳm1〜Ｓmnはソース
信号線、Ｇp1〜ＧpmおよびＧm1〜Ｇmnはゲート信号線で
ある。また、本発明では一般的に正極性の映像信号に関
連する要素部品は補助記号ｐを付加し、負極性の映像信
号に関係する要素は補助記号ｍを付加する。なお、ＳＩ
Ｃ（Ｐ）はコモン電圧Ｖ0から＋Ｖmの振幅の信号電圧
を、ＳＩＣ（Ｍ）はコモン電圧Ｖ0から−Ｖmの振幅の信
号電圧を出力できるように構成されている。
【００５３】（図１）で明らかなように、第１の本発明
の表示デバイスは１つの画素電極に２つのＴＦＴが形成
され、前記２つのＴＦＴはそれぞれ異なるゲート信号線
およびソース信号線に接続されている。このように一画
素に２つのＴＦＴを形成した例は特開昭６３−１８３４
８号公報にもみられる。前記公報は画素構成に冗長性を
もたせ、画素の表示欠陥を防止するものである。本発明
は複数のＴＦＴを画素電極に信号を入力するため用いる
ものである。さらには、前記ＴＦＴの接続されたゲート
信号線とソース信号線は、隣接画素電極のＴＦＴと接続
されたソース信号線とも異なる。たとえば、画素電極Ｐ
33にはＴp33およびＴm33の２つのＴＦＴが形成され、前
記画素に隣接した画素電極Ｐ32にはＴp32およびＴm32の
２つのＴＦＴが形成されている。ＴＦＴのＴp33はゲー
ト信号線Ｇp3およびソース信号線Ｓp3に接続され、同様
にＴm33はゲート信号線Ｇm3およびソース信号線Ｓm3、
Ｔp 32はゲート信号線Ｇp3およびソース信号線Ｓp2に、
Ｔm32はゲート信号線Ｇm3およびソース信号線Ｓm2に接
続されている。前述の各ＴＦＴは異なるゲート信号線お
よびソース信号線に接続されている。つまり、各画素は
それぞれ２つのＴＦＴと２本のゲート信号線および２本
のソース信号線を具備していることになる。
の表示デバイスは１つの画素電極に２つのＴＦＴが形成
され、前記２つのＴＦＴはそれぞれ異なるゲート信号線
およびソース信号線に接続されている。このように一画
素に２つのＴＦＴを形成した例は特開昭６３−１８３４
８号公報にもみられる。前記公報は画素構成に冗長性を
もたせ、画素の表示欠陥を防止するものである。本発明
は複数のＴＦＴを画素電極に信号を入力するため用いる
ものである。さらには、前記ＴＦＴの接続されたゲート
信号線とソース信号線は、隣接画素電極のＴＦＴと接続
されたソース信号線とも異なる。たとえば、画素電極Ｐ
33にはＴp33およびＴm33の２つのＴＦＴが形成され、前
記画素に隣接した画素電極Ｐ32にはＴp32およびＴm32の
２つのＴＦＴが形成されている。ＴＦＴのＴp33はゲー
ト信号線Ｇp3およびソース信号線Ｓp3に接続され、同様
にＴm33はゲート信号線Ｇm3およびソース信号線Ｓm3、
Ｔp 32はゲート信号線Ｇp3およびソース信号線Ｓp2に、
Ｔm32はゲート信号線Ｇm3およびソース信号線Ｓm2に接
続されている。前述の各ＴＦＴは異なるゲート信号線お
よびソース信号線に接続されている。つまり、各画素は
それぞれ２つのＴＦＴと２本のゲート信号線および２本
のソース信号線を具備していることになる。
【００５４】以下、第１の本発明の表示デバイスの動作
について説明する。第１のフィールドではＧＩＣ（Ｐ）
１３が動作し、ゲート信号線Ｇp1から順次オン電圧を印
加していく。それと同期してＳＩＣ（Ｐ）１１は正極性
の信号をソース信号線に出力する。この信号をＶ+とす
る。ゲート信号線Ｇp1が選択されると、ＴＦＴのＴp1j
（ただし、ｊは整数）がオンし、正極性の信号Ｖ+を画
素電極Ｐ1jに書き込む。同様にゲート信号線Ｇp2が選択
されると、ＴＦＴのＴp2jがオンし、正極性の信号Ｖ+を
画素電極Ｐ2j書き込む。以上の動作をゲート信号線Ｇpm
までくりかえすことにより第１フィールドが終了する。
第２フィールドではＧＩＣ（Ｍ）１４とＳＩＣ（Ｍ）１
２が動作する。まず、ゲート信号線Ｇp1が選択されると
ＴＦＴのＴm1jがオンし、ＳＩＣ（Ｍ）１２から出力さ
れた負極性の信号Ｖ-を画素電極Ｐ 1jに書き込む。同様
にゲート信号線Ｇmmまで繰り返すことにより第２フィー
ルドが終了する。前述の動作を１つの画素に着目して見
れば、各画素電極に書き込まれる信号の極性は１フィー
ルドごとに書きかわり、１フレーム周期の交流信号が書
き込まれて駆動されていることがわかる。このような駆
動方法を１Ｆ反転駆動と呼ぶ。
について説明する。第１のフィールドではＧＩＣ（Ｐ）
１３が動作し、ゲート信号線Ｇp1から順次オン電圧を印
加していく。それと同期してＳＩＣ（Ｐ）１１は正極性
の信号をソース信号線に出力する。この信号をＶ+とす
る。ゲート信号線Ｇp1が選択されると、ＴＦＴのＴp1j
（ただし、ｊは整数）がオンし、正極性の信号Ｖ+を画
素電極Ｐ1jに書き込む。同様にゲート信号線Ｇp2が選択
されると、ＴＦＴのＴp2jがオンし、正極性の信号Ｖ+を
画素電極Ｐ2j書き込む。以上の動作をゲート信号線Ｇpm
までくりかえすことにより第１フィールドが終了する。
第２フィールドではＧＩＣ（Ｍ）１４とＳＩＣ（Ｍ）１
２が動作する。まず、ゲート信号線Ｇp1が選択されると
ＴＦＴのＴm1jがオンし、ＳＩＣ（Ｍ）１２から出力さ
れた負極性の信号Ｖ-を画素電極Ｐ 1jに書き込む。同様
にゲート信号線Ｇmmまで繰り返すことにより第２フィー
ルドが終了する。前述の動作を１つの画素に着目して見
れば、各画素電極に書き込まれる信号の極性は１フィー
ルドごとに書きかわり、１フレーム周期の交流信号が書
き込まれて駆動されていることがわかる。このような駆
動方法を１Ｆ反転駆動と呼ぶ。
【００５５】（図６）は表示デバイスに水平ストライプ
画像を表示するときのＳＩＣの出力波形である。（図
６）において６１はＳＩＣ（Ｐ）１１の出力波形、６２
はＳＩＣ（Ｍ）１２の出力波形である。以上のように、
ＳＩＣ（Ｐ）１１は正極性のビデオ信号の出力を、ＳＩ
Ｃ（Ｍ）１２は負極性のビデオ信号の出力を担当する。
したがって、各ＳＩＣに注目すれば各ＳＩＣは正または
負の一方の極性のビデオ信号しか出力していない。つま
り、信号の振幅は従来のＳＩＣと比較して１／２にでき
る。たとえば、従来のＳＩＣが±７（Ｖ）の振幅の信号
を出力していれば正極性のビデオ信号のピークと負極性
の信号のピーク間では７＋７＝１４（Ｖ）となるが、Ｓ
ＩＣ（Ｐ）１１およびＳＩＣ（Ｍ）１２は各７（Ｖ）の
出力ですむ。出力振幅の余裕は高振幅出力を出せるよう
に設計する。つまり、従来のソースドライブＩＣの設計
技術を用いれば０Ｖから１４Ｖの信号出力を行うことが
できる。本発明の表示デバイスのように正極性と負極性
のＳ１１とＳＩＣ１２を組み合わせば±１４Ｖの振幅の
信号を出力できる。なお、Ｓへ補給する映像信号電位レ
ベルはあらかじめレベルシフトさせてＳＩＣ（Ｐ）１１
およびＳＩＣ（Ｍ）１２に適合するように電位レベルを
合わせて入力することは言うまでもない。
画像を表示するときのＳＩＣの出力波形である。（図
６）において６１はＳＩＣ（Ｐ）１１の出力波形、６２
はＳＩＣ（Ｍ）１２の出力波形である。以上のように、
ＳＩＣ（Ｐ）１１は正極性のビデオ信号の出力を、ＳＩ
Ｃ（Ｍ）１２は負極性のビデオ信号の出力を担当する。
したがって、各ＳＩＣに注目すれば各ＳＩＣは正または
負の一方の極性のビデオ信号しか出力していない。つま
り、信号の振幅は従来のＳＩＣと比較して１／２にでき
る。たとえば、従来のＳＩＣが±７（Ｖ）の振幅の信号
を出力していれば正極性のビデオ信号のピークと負極性
の信号のピーク間では７＋７＝１４（Ｖ）となるが、Ｓ
ＩＣ（Ｐ）１１およびＳＩＣ（Ｍ）１２は各７（Ｖ）の
出力ですむ。出力振幅の余裕は高振幅出力を出せるよう
に設計する。つまり、従来のソースドライブＩＣの設計
技術を用いれば０Ｖから１４Ｖの信号出力を行うことが
できる。本発明の表示デバイスのように正極性と負極性
のＳ１１とＳＩＣ１２を組み合わせば±１４Ｖの振幅の
信号を出力できる。なお、Ｓへ補給する映像信号電位レ
ベルはあらかじめレベルシフトさせてＳＩＣ（Ｐ）１１
およびＳＩＣ（Ｍ）１２に適合するように電位レベルを
合わせて入力することは言うまでもない。
【００５６】（図２）は第１の本発明の表示デバイスで
１Ｈ反転駆動を行う時の説明図である。ＧＩＣ（Ｐ）１
３とＧＩＣ（Ｍ）１４は交互にオン電圧をゲート信号線
を印加し、かつ、オン電圧を印加するゲート信号線は１
本とばしに選択する。ＳＩＣ（Ｐ）１１およびＳＩＣ
（Ｍ）１２の動作は先の説明と同様である。ＧＩＣ
（Ｐ）１３がゲート信号線Ｇp1を選択するのと同期し
て、ＳＩＣ（Ｐ）１１はＶ+信号を各ソース信号線に出
力する。すると、ＴＦＴのＴp1jはオン状態となり、前
記Ｖ+信号を画素電極Ｐ1jに書き込む。同時にＧＩＣ
（Ｍ）１４はゲート信号線Ｇm2を選択し、ＴＦＴのＴ
m2jをオン状態にして、Ｓ１Ｃ（Ｍ）１２からの出力信
号Ｖ-を画素電極Ｐ2jに書き込む。なお、ＧＩＣ（Ｐ）
１３がゲート信号線Ｇp 1を選択し、１Ｈ期間後にＧＩＣ
（Ｍ）１４がＧm2を選択するという順次駆動を行うこと
も可能である。次にＧＩＣ（Ｐ）１３はゲート信号線Ｇ
p3を選択し、ＴＦＴのＴp3jをオンさせ、Ｖ+電圧を画素
電極Ｐ3jに書き込む。同時にＧＩＣ（Ｍ）１４はゲート
信号線Ｇm4を選択し、ＴＦＴのＴm4jをオンさせ、Ｖ-電
圧を画素電極Ｐ4jに書き込む。以上の動作をゲート信号
線ＧpmおよびＧmmまで繰り返す。第２フィールドではＧ
ＩＣ（Ｍ）１４はゲート信号線Ｇm1を選択し、画素電極
Ｐ 1jにＶ-電圧を書き込む。同時にＧＩＣ（Ｐ）１３は
ゲート信号線Ｇm3を選択し、画素電極Ｐ1jにＶ+電圧を
書き込む。以下、第１フィールドと同様に、ＧＩＣ
（Ｐ）１３およびＧＩＣ（Ｍ）１４は１本とばしごとに
ゲート信号線を選択し、画素電極に信号を書き込んでい
く。以上のようにして１Ｈ反転駆動が行える。
１Ｈ反転駆動を行う時の説明図である。ＧＩＣ（Ｐ）１
３とＧＩＣ（Ｍ）１４は交互にオン電圧をゲート信号線
を印加し、かつ、オン電圧を印加するゲート信号線は１
本とばしに選択する。ＳＩＣ（Ｐ）１１およびＳＩＣ
（Ｍ）１２の動作は先の説明と同様である。ＧＩＣ
（Ｐ）１３がゲート信号線Ｇp1を選択するのと同期し
て、ＳＩＣ（Ｐ）１１はＶ+信号を各ソース信号線に出
力する。すると、ＴＦＴのＴp1jはオン状態となり、前
記Ｖ+信号を画素電極Ｐ1jに書き込む。同時にＧＩＣ
（Ｍ）１４はゲート信号線Ｇm2を選択し、ＴＦＴのＴ
m2jをオン状態にして、Ｓ１Ｃ（Ｍ）１２からの出力信
号Ｖ-を画素電極Ｐ2jに書き込む。なお、ＧＩＣ（Ｐ）
１３がゲート信号線Ｇp 1を選択し、１Ｈ期間後にＧＩＣ
（Ｍ）１４がＧm2を選択するという順次駆動を行うこと
も可能である。次にＧＩＣ（Ｐ）１３はゲート信号線Ｇ
p3を選択し、ＴＦＴのＴp3jをオンさせ、Ｖ+電圧を画素
電極Ｐ3jに書き込む。同時にＧＩＣ（Ｍ）１４はゲート
信号線Ｇm4を選択し、ＴＦＴのＴm4jをオンさせ、Ｖ-電
圧を画素電極Ｐ4jに書き込む。以上の動作をゲート信号
線ＧpmおよびＧmmまで繰り返す。第２フィールドではＧ
ＩＣ（Ｍ）１４はゲート信号線Ｇm1を選択し、画素電極
Ｐ 1jにＶ-電圧を書き込む。同時にＧＩＣ（Ｐ）１３は
ゲート信号線Ｇm3を選択し、画素電極Ｐ1jにＶ+電圧を
書き込む。以下、第１フィールドと同様に、ＧＩＣ
（Ｐ）１３およびＧＩＣ（Ｍ）１４は１本とばしごとに
ゲート信号線を選択し、画素電極に信号を書き込んでい
く。以上のようにして１Ｈ反転駆動が行える。
【００５７】（図４）は本発明表示デバイスの駆動回路
のブロック図である。ビデオ信号はアンプ４１によりビ
デオ出力振幅が液晶の電気光学特性に対応するように利
得調整が行われる。次に利得調整されたビデオ信号は位
相分割回路４２に入り、正極性と負極性のビデオ信号が
作られる。正極性の信号はＳＩＣ（Ｐ）１１に、負極性
の信号はＳＩＣ（Ｍ）１２に印加される。
のブロック図である。ビデオ信号はアンプ４１によりビ
デオ出力振幅が液晶の電気光学特性に対応するように利
得調整が行われる。次に利得調整されたビデオ信号は位
相分割回路４２に入り、正極性と負極性のビデオ信号が
作られる。正極性の信号はＳＩＣ（Ｐ）１１に、負極性
の信号はＳＩＣ（Ｍ）１２に印加される。
【００５８】位相分割回路４２は、より具体的には（図
５）に示すようにトランジスタ等を用いて構成すること
ができる。トランジスタのベース端子にビデオ信号が加
えられ、トランジスタのエミッタ端子およびコレクタ端
子からは正極性および負極性のビデオ信号が出力され
る。それぞれのビデオ信号はコンデンサにより直流成分
がカットされる。前記信号は１Ｈ周期の同期信号ＨＤに
よりＳＷのスイッチがオンオフし、ペデスタルレベルが
固定されるようにクランプ電圧ＶcあるいはＶdが加えら
れる。クランプ電圧は液晶の立ち上がり電圧Ｖrにあわ
せて調整される。次に電位レベルが固定された信号は、
その振幅が適正となるように調整されて負極性の信号は
ソースドライブＩＣ１２に、正極性の信号はソースドラ
イブＩＣ１１に加えられる。なお、前述の表示デバイス
の駆動回路は本発明の他の表示デバイスにおいても共通
である。もしくは少しの設計変更を行うことにより用い
ることができる。
５）に示すようにトランジスタ等を用いて構成すること
ができる。トランジスタのベース端子にビデオ信号が加
えられ、トランジスタのエミッタ端子およびコレクタ端
子からは正極性および負極性のビデオ信号が出力され
る。それぞれのビデオ信号はコンデンサにより直流成分
がカットされる。前記信号は１Ｈ周期の同期信号ＨＤに
よりＳＷのスイッチがオンオフし、ペデスタルレベルが
固定されるようにクランプ電圧ＶcあるいはＶdが加えら
れる。クランプ電圧は液晶の立ち上がり電圧Ｖrにあわ
せて調整される。次に電位レベルが固定された信号は、
その振幅が適正となるように調整されて負極性の信号は
ソースドライブＩＣ１２に、正極性の信号はソースドラ
イブＩＣ１１に加えられる。なお、前述の表示デバイス
の駆動回路は本発明の他の表示デバイスにおいても共通
である。もしくは少しの設計変更を行うことにより用い
ることができる。
【００５９】また、対向電極３５に印加されるコモン電
圧Ｖcmは抵抗ＲcとＲdを用い、電圧Ｖの分圧により適正
値に調整される。コモン電圧が適正値からずれるとフリ
ッカが発生する。また、液晶の透過率の変化する。しか
し、高分子分散液晶の場合はＴＮ液晶に比較して前記フ
リッカおよび透過率の変化はあまり大きくないため、コ
モン電圧の調整はラフでもよい場合が多い。
圧Ｖcmは抵抗ＲcとＲdを用い、電圧Ｖの分圧により適正
値に調整される。コモン電圧が適正値からずれるとフリ
ッカが発生する。また、液晶の透過率の変化する。しか
し、高分子分散液晶の場合はＴＮ液晶に比較して前記フ
リッカおよび透過率の変化はあまり大きくないため、コ
モン電圧の調整はラフでもよい場合が多い。
【００６０】以下、本発明の他の実施例における表示デ
バイスについて説明する。（図７）は第２の本発明の液
晶パネルの構成図である。第１の本発明の表示デバイス
との差異はゲート信号線Ｇpi（ただし、ｉは整数）とＧ
miを共通にし、１つのゲートドライブＩＣ７１（以後、
ＧＩＣ７１と呼ぶ）に接続した点である。当然のことな
がらＴＦＴのＴmijとＴpi+1 jは共通のゲート信号線Ｇi
に接続される構成となる。他の点は第１の本発明の表示
デバイスとほぼ同様の構成であるので説明を省略する。
バイスについて説明する。（図７）は第２の本発明の液
晶パネルの構成図である。第１の本発明の表示デバイス
との差異はゲート信号線Ｇpi（ただし、ｉは整数）とＧ
miを共通にし、１つのゲートドライブＩＣ７１（以後、
ＧＩＣ７１と呼ぶ）に接続した点である。当然のことな
がらＴＦＴのＴmijとＴpi+1 jは共通のゲート信号線Ｇi
に接続される構成となる。他の点は第１の本発明の表示
デバイスとほぼ同様の構成であるので説明を省略する。
【００６１】以下、第２の本発明の表示デバイスの動作
について説明する。第１のフィールドではＧＩＣ７１は
ゲート信号線Ｇ2にオン電圧を出力する。ＴＦＴのＴm1j
およびＴp2jはオン状態となり、それに同期してＳＩＣ
（Ｐ）１１から正極性の信号Ｖ+が、ＳＩＣ（Ｍ）１２
から負極性の信号Ｖ-が出力される。各々の信号はＴＦ
ＴのＴm1jにより画素電極Ｐ1jにＶ-が、Ｔp2jにより画
素電極Ｐ2jにＶ+電圧が書き込まれる。次にＧＩＣ７１
はゲート信号線Ｇ4にオン電圧を出力し、ＴＦＴのＴm3j
およびＴp4jをオン状態にする。先と同様にＧＩＣ７１
の動作クロックに同期してＳＩＣ（Ｐ）１１からＶ+信
号が、ＳＩＣ（Ｍ）１１からＶ-信号が出力され、ＴＦ
ＴのＴm3jにより画素電極Ｐ3jにＶ-信号が、Ｔp4jによ
り画素電極Ｐ4jにＶ+信号が書き込まれる。以上のよう
に第１フィールドではＧＩＣは偶数番目の信号線に順次
オン電圧を印加していき、２行の画素行にＶ-信号とＶ+
信号を書き込んでいく。なお、ＳＩＣ（Ｐ）１１とＳＩ
Ｃ（Ｍ）１２の出力信号は画像表示が水平ストライプ画
像の場合は（図６）と同様である。
について説明する。第１のフィールドではＧＩＣ７１は
ゲート信号線Ｇ2にオン電圧を出力する。ＴＦＴのＴm1j
およびＴp2jはオン状態となり、それに同期してＳＩＣ
（Ｐ）１１から正極性の信号Ｖ+が、ＳＩＣ（Ｍ）１２
から負極性の信号Ｖ-が出力される。各々の信号はＴＦ
ＴのＴm1jにより画素電極Ｐ1jにＶ-が、Ｔp2jにより画
素電極Ｐ2jにＶ+電圧が書き込まれる。次にＧＩＣ７１
はゲート信号線Ｇ4にオン電圧を出力し、ＴＦＴのＴm3j
およびＴp4jをオン状態にする。先と同様にＧＩＣ７１
の動作クロックに同期してＳＩＣ（Ｐ）１１からＶ+信
号が、ＳＩＣ（Ｍ）１１からＶ-信号が出力され、ＴＦ
ＴのＴm3jにより画素電極Ｐ3jにＶ-信号が、Ｔp4jによ
り画素電極Ｐ4jにＶ+信号が書き込まれる。以上のよう
に第１フィールドではＧＩＣは偶数番目の信号線に順次
オン電圧を印加していき、２行の画素行にＶ-信号とＶ+
信号を書き込んでいく。なお、ＳＩＣ（Ｐ）１１とＳＩ
Ｃ（Ｍ）１２の出力信号は画像表示が水平ストライプ画
像の場合は（図６）と同様である。
【００６２】第２のフィールドの動作状態の説明図を
（図８）に示す。今度は、ＧＩＣ６１は奇数番目のゲー
ト信号線に順次オン電圧を印加していく。ゲート信号線
Ｇ1にオン電圧を印加すると、ＴＦＴのＴp1jがオンとな
り、ＳＩＣ（Ｐ）１１の出力信号Ｖ+を画素電極Ｐ1jに
書き込む。同様にゲート信号線Ｇ3にオン電圧を印加す
ると、ＴＦＴのＴm2jおよびＴp3jがオンとなりＳＩＣ
（Ｐ）１１の出力信号Ｖ+が画素電極Ｐ3jに、ＳＩＣ
（Ｍ）１２の出力信号Ｖ-が画素電極Ｐ2jに書き込まれ
る。以上の動作をゲート信号線Ｇm-1まで繰り返す。以
上のことから液晶パネルは１Ｈ反転駆動が行われ、か
つ、各画素は１フレーム同期で交流駆動されてることが
わかる。第２の本発明では第１の本発明の液晶パネルに
比較して、ゲート信号線本数が１／２になっているた
め、画素閉口率が向上し、また、ゲート信号線間の電気
的短絡などの不良欠陥の発生をも減少させることができ
る。ＳＩＣ（Ｐ）１１およびＳＩＣ（Ｍ）１２からの出
力信号設計は（図６）に示すように従来の表示デバイス
のソースドライブＩＣの１Ｈ反転駆動の出力信号はな
い。つまり、（図１４）に示すように１つのソースドラ
イブＩＣが正極性と負極性の信号を出力することはな
く、一方の極性に固定されている。以上のように＋Ｖm
から−Ｖmまで振幅信号にもないにもかかわらず、１Ｈ
反転駆動が行えることは第１の本発明と同様である。
（図８）に示す。今度は、ＧＩＣ６１は奇数番目のゲー
ト信号線に順次オン電圧を印加していく。ゲート信号線
Ｇ1にオン電圧を印加すると、ＴＦＴのＴp1jがオンとな
り、ＳＩＣ（Ｐ）１１の出力信号Ｖ+を画素電極Ｐ1jに
書き込む。同様にゲート信号線Ｇ3にオン電圧を印加す
ると、ＴＦＴのＴm2jおよびＴp3jがオンとなりＳＩＣ
（Ｐ）１１の出力信号Ｖ+が画素電極Ｐ3jに、ＳＩＣ
（Ｍ）１２の出力信号Ｖ-が画素電極Ｐ2jに書き込まれ
る。以上の動作をゲート信号線Ｇm-1まで繰り返す。以
上のことから液晶パネルは１Ｈ反転駆動が行われ、か
つ、各画素は１フレーム同期で交流駆動されてることが
わかる。第２の本発明では第１の本発明の液晶パネルに
比較して、ゲート信号線本数が１／２になっているた
め、画素閉口率が向上し、また、ゲート信号線間の電気
的短絡などの不良欠陥の発生をも減少させることができ
る。ＳＩＣ（Ｐ）１１およびＳＩＣ（Ｍ）１２からの出
力信号設計は（図６）に示すように従来の表示デバイス
のソースドライブＩＣの１Ｈ反転駆動の出力信号はな
い。つまり、（図１４）に示すように１つのソースドラ
イブＩＣが正極性と負極性の信号を出力することはな
く、一方の極性に固定されている。以上のように＋Ｖm
から−Ｖmまで振幅信号にもないにもかかわらず、１Ｈ
反転駆動が行えることは第１の本発明と同様である。
【００６３】なお、（図７）においてＧＩＣ６１に偶数
番目のゲート信号線Ｇ2mを接続し、奇数番目のゲート信
号線Ｇ2m-1を接続する新たな第２のＧＩＣを配置すれ
ば、それぞれのＧＩＣは順次走査を行える。第１のフィ
ールドではＧＩＣ７１が偶数番目のゲート信号線に順次
オン電圧を印加し、画素電極にＶ+またはＶ-電圧を書き
込む。第２フィールドでは新たに付加した第２のＧＩＣ
が奇数番目のゲート信号線に順次オン電圧を印加し、画
素電極にＶ+またはＶ-電圧を書き込む。つまり、ＧＩＣ
７１は第１フィールドのみ動作し、新たに付加した第２
のＧＩＣは第２フィールドのみを動作する。
番目のゲート信号線Ｇ2mを接続し、奇数番目のゲート信
号線Ｇ2m-1を接続する新たな第２のＧＩＣを配置すれ
ば、それぞれのＧＩＣは順次走査を行える。第１のフィ
ールドではＧＩＣ７１が偶数番目のゲート信号線に順次
オン電圧を印加し、画素電極にＶ+またはＶ-電圧を書き
込む。第２フィールドでは新たに付加した第２のＧＩＣ
が奇数番目のゲート信号線に順次オン電圧を印加し、画
素電極にＶ+またはＶ-電圧を書き込む。つまり、ＧＩＣ
７１は第１フィールドのみ動作し、新たに付加した第２
のＧＩＣは第２フィールドのみを動作する。
【００６４】以下、第３の本発明の表示デバイスについ
て説明する。（図９）は第３の本発明の表示デバイスの
構成図である。第１の本発明との差異は、各ＴＦＴの配
置位置が異なっている点と、ソース信号線本数が１／２
となり、交互に上下方向に引き出されて、ＳＩＣ（Ｐ）
１１、ＳＩＣ（Ｍ）１２と接続されたことにある。ま
た、一画素に２つのＴＦＴのＴpijとＴmijが形成されて
いることは同様であるが、Ｔmijのソース端子は偶数番
目のソース信号線Ｓ2nに、Ｔpijのソース端子は奇数番
目のソース信号線Ｓ2n-1に接続されている。
て説明する。（図９）は第３の本発明の表示デバイスの
構成図である。第１の本発明との差異は、各ＴＦＴの配
置位置が異なっている点と、ソース信号線本数が１／２
となり、交互に上下方向に引き出されて、ＳＩＣ（Ｐ）
１１、ＳＩＣ（Ｍ）１２と接続されたことにある。ま
た、一画素に２つのＴＦＴのＴpijとＴmijが形成されて
いることは同様であるが、Ｔmijのソース端子は偶数番
目のソース信号線Ｓ2nに、Ｔpijのソース端子は奇数番
目のソース信号線Ｓ2n-1に接続されている。
【００６５】以下、図面を参照しながら第３の本発明の
表示デバイスの動作について説明する。なお、ＳＩＣ
（Ｐ）１１はソース信号線Ｓjに正極性のＶj+なる信号
を出力するものとする。また、ＳＩＣ（Ｍ）１２はソー
ス信号線Ｓjに負極性のＶj-なる信号を出力するものと
する。まず、第１のフィールドではＧＩＣ（Ｐ）１３が
動作する。ゲート信号線Ｇp1にオン電圧が印加されると
ＴＦＴのＴp1jがオン状態となり、ＳＩＣ（Ｐ）１１か
ら出力されている信号Ｖj+を画素電極Ｐijに書き込む。
たとえば、画素電極Ｐ11にはＶ1+が、画素電極Ｐ12とＰ
13にはＶ3+が書き込まれる。次にＧＩＣ（Ｐ）１３はオ
ン電圧出力位置をシフトさせ、ゲート信号線Ｇp2にオン
電圧を印加する。するとＴＦＴのＴp2jがオン状態とな
り、ＳＩＣ（Ｐ）１１の出力電圧をそれぞれの画素電極
に書き込む。以上の動作をゲート信号線Ｇpmまで行い、
第１のフィールドは終了する。第２のフィールドの動作
の説明図を（図１０）に示す。第２フィールドではＳＩ
Ｃ（Ｍ）１２とＧＩＣ（Ｍ）１４が動作する。まず、Ｇ
ＩＣ（Ｍ）１４はゲート信号線Ｇm1にオン電圧を出力す
る。すると、ＴＦＴのＴm1jがオン状態となり、ＳＩＣ
（Ｍ）８２から出力された信号Ｖ2-を画素電極Ｐ1jに書
き込む。１Ｈ期間後、ゲート信号線Ｇm2にオン電圧が印
加され、ＴＦＴのＴm2jがオン状態となる。したがっ
て、画素電極Ｐ2jにはＶ2+が書き込まれる。以上の動作
をゲート信号線Ｇmmまで行い、第２フィールドは終了す
る。以上のことから、たとえば、画素電極Ｐ11には第１
フィールドで信号Ｖ1+が、第２フィールドで信号Ｖ2-が
書き込まれる。したがって、表示状態はＶ1+とＶ2-が重
なりあった表示となる。同様に前記画素に隣接した画素
電極Ｐ12には第１フィールドで信号Ｖ3+が、第２フィー
ルドで信号Ｖ2が書き込まれ、表示状態はＶ3+とＶ2-が
重なり合った表示となる。一般的に、隣接した画素に書
き込まれる電圧は非常ににかよっている。したがって、
前述のように第１フィールドと第２フィールドで画素電
極に異なった電圧を書き込むといっても、その差はほと
んどない。したがって、（図９）の構成でも実用上十分
である。たとえば、ゲート信号線Ｇp1およびＧm2にオン
電圧を印加し、画素電極Ｐ1jはＶj+電圧を、画素電極Ｐ
2jにＶj-電圧を書き込む。１Ｈ期間後、ゲート信号線Ｇ
p3およびＧm4にオン電圧を印加し、画素電極Ｐ3jにＶj+
電圧を、画素電極Ｐ4jにＶj-電圧を書き込むというよう
に順次駆動を行えばよい。
表示デバイスの動作について説明する。なお、ＳＩＣ
（Ｐ）１１はソース信号線Ｓjに正極性のＶj+なる信号
を出力するものとする。また、ＳＩＣ（Ｍ）１２はソー
ス信号線Ｓjに負極性のＶj-なる信号を出力するものと
する。まず、第１のフィールドではＧＩＣ（Ｐ）１３が
動作する。ゲート信号線Ｇp1にオン電圧が印加されると
ＴＦＴのＴp1jがオン状態となり、ＳＩＣ（Ｐ）１１か
ら出力されている信号Ｖj+を画素電極Ｐijに書き込む。
たとえば、画素電極Ｐ11にはＶ1+が、画素電極Ｐ12とＰ
13にはＶ3+が書き込まれる。次にＧＩＣ（Ｐ）１３はオ
ン電圧出力位置をシフトさせ、ゲート信号線Ｇp2にオン
電圧を印加する。するとＴＦＴのＴp2jがオン状態とな
り、ＳＩＣ（Ｐ）１１の出力電圧をそれぞれの画素電極
に書き込む。以上の動作をゲート信号線Ｇpmまで行い、
第１のフィールドは終了する。第２のフィールドの動作
の説明図を（図１０）に示す。第２フィールドではＳＩ
Ｃ（Ｍ）１２とＧＩＣ（Ｍ）１４が動作する。まず、Ｇ
ＩＣ（Ｍ）１４はゲート信号線Ｇm1にオン電圧を出力す
る。すると、ＴＦＴのＴm1jがオン状態となり、ＳＩＣ
（Ｍ）８２から出力された信号Ｖ2-を画素電極Ｐ1jに書
き込む。１Ｈ期間後、ゲート信号線Ｇm2にオン電圧が印
加され、ＴＦＴのＴm2jがオン状態となる。したがっ
て、画素電極Ｐ2jにはＶ2+が書き込まれる。以上の動作
をゲート信号線Ｇmmまで行い、第２フィールドは終了す
る。以上のことから、たとえば、画素電極Ｐ11には第１
フィールドで信号Ｖ1+が、第２フィールドで信号Ｖ2-が
書き込まれる。したがって、表示状態はＶ1+とＶ2-が重
なりあった表示となる。同様に前記画素に隣接した画素
電極Ｐ12には第１フィールドで信号Ｖ3+が、第２フィー
ルドで信号Ｖ2が書き込まれ、表示状態はＶ3+とＶ2-が
重なり合った表示となる。一般的に、隣接した画素に書
き込まれる電圧は非常ににかよっている。したがって、
前述のように第１フィールドと第２フィールドで画素電
極に異なった電圧を書き込むといっても、その差はほと
んどない。したがって、（図９）の構成でも実用上十分
である。たとえば、ゲート信号線Ｇp1およびＧm2にオン
電圧を印加し、画素電極Ｐ1jはＶj+電圧を、画素電極Ｐ
2jにＶj-電圧を書き込む。１Ｈ期間後、ゲート信号線Ｇ
p3およびＧm4にオン電圧を印加し、画素電極Ｐ3jにＶj+
電圧を、画素電極Ｐ4jにＶj-電圧を書き込むというよう
に順次駆動を行えばよい。
【００６６】以上の駆動方法は１フィールドごとに画素
に印加する信号極性を反転させる駆動方法（以後、１Ｖ
反転駆動と呼ぶ）である。ＧＩＣ（Ｐ）１３とＧＩＣ
（Ｍ）１４を同時に、かつ、げーと信号線にオン電圧印
加する位置を１本とばしに行うことにより、第２の本発
明の表示デバイスの駆動方法で説明したように、１Ｈ反
転駆動をも行えることは明らかである。
に印加する信号極性を反転させる駆動方法（以後、１Ｖ
反転駆動と呼ぶ）である。ＧＩＣ（Ｐ）１３とＧＩＣ
（Ｍ）１４を同時に、かつ、げーと信号線にオン電圧印
加する位置を１本とばしに行うことにより、第２の本発
明の表示デバイスの駆動方法で説明したように、１Ｈ反
転駆動をも行えることは明らかである。
【００６７】以下、第４の本発明の表示デバイスについ
て説明する。（図１１）は第４の本発明の表示デバイス
の構成図である。第３の本発明との差異はゲート信号線
Ｇpi +1とＧmiを共通にしていることにある。ゲート信号
線ＧiはＧＩＣ７１に接続されている。他の点は第３の
本発明の表示デバイスと同様であるので省略する。
て説明する。（図１１）は第４の本発明の表示デバイス
の構成図である。第３の本発明との差異はゲート信号線
Ｇpi +1とＧmiを共通にしていることにある。ゲート信号
線ＧiはＧＩＣ７１に接続されている。他の点は第３の
本発明の表示デバイスと同様であるので省略する。
【００６８】以下、第４の本発明の表示デバイスの動作
について図面を参照しながら説明する。第１フィールド
ではまずＧＩＣ７１はゲート信号線Ｇ2にオン電圧を印
加する。すると、ＴＦＴのＴm1jおよびＴp2jがオン状態
となり、ソース信号線に印加された信号を画素電極Ｐ1j
およびＰ2jに書き込む。その時の状態を（図１１）に示
している。たとえば、画素電極Ｐ11およびＰ12にはＶ2-
が、画素電極Ｐ21およびＰ22にはＶ3+が書き込まれる。
１Ｈ期間後、ＧＩＣ７１はゲート信号線Ｇ4にオン電圧
を印加する。すると先と同様にＴＦＴのＴm3jおよびＴ
p4jがオン状態となり、たとえば、画素電極Ｐ32にＶ2-
が、Ｐ42にＶ3+が書き込まれる。以上のように、ＧＩＣ
７１は偶数番目のゲート信号線に順次オン電圧を印加し
ていき、第１フィールドが終了する。
について図面を参照しながら説明する。第１フィールド
ではまずＧＩＣ７１はゲート信号線Ｇ2にオン電圧を印
加する。すると、ＴＦＴのＴm1jおよびＴp2jがオン状態
となり、ソース信号線に印加された信号を画素電極Ｐ1j
およびＰ2jに書き込む。その時の状態を（図１１）に示
している。たとえば、画素電極Ｐ11およびＰ12にはＶ2-
が、画素電極Ｐ21およびＰ22にはＶ3+が書き込まれる。
１Ｈ期間後、ＧＩＣ７１はゲート信号線Ｇ4にオン電圧
を印加する。すると先と同様にＴＦＴのＴm3jおよびＴ
p4jがオン状態となり、たとえば、画素電極Ｐ32にＶ2-
が、Ｐ42にＶ3+が書き込まれる。以上のように、ＧＩＣ
７１は偶数番目のゲート信号線に順次オン電圧を印加し
ていき、第１フィールドが終了する。
【００６９】第２フィールドではＧＩＣ７１はゲート信
号線Ｇ1にオン電圧を印加する。するとＴＦＴのＴp1jが
オン状態となり、画素電極Ｐ1jにはソース信号線に印加
されている信号が書き込まれる。次にゲート信号線Ｇ3
にオン電圧が印加され、ＴＦＴのＴm2jおよびＴp3jがオ
ン状態となる。すると画素電極Ｐ2jにはＴＦＴのＴ m2j
ソース端子が接続されたソース信号線に印加されている
信号が、Ｐ3jにはＴＦＴのＴp3jのソース端子が接続さ
れたソース信号線に印加されている信号が書き込まれ
る。以上の動作をゲート信号線Ｇm-1まで行い第２フィ
ールドは終了する。以上のように、１本のゲート信号線
の選択により、２行の画素行に信号が書き込まれる。各
画素は２フィールドで正極性と負極性の信号が書き込ま
れ、交流駆動がなされる。また、駆動は１Ｈ反転駆動と
なっている。この場合は、先の実施例と同時に、１つの
画素電極に注目してみれば、第１フィールドと第２フィ
ールドで異なった電圧が書き込まれる。しかし、先に説
明したように実用上は十分である。
号線Ｇ1にオン電圧を印加する。するとＴＦＴのＴp1jが
オン状態となり、画素電極Ｐ1jにはソース信号線に印加
されている信号が書き込まれる。次にゲート信号線Ｇ3
にオン電圧が印加され、ＴＦＴのＴm2jおよびＴp3jがオ
ン状態となる。すると画素電極Ｐ2jにはＴＦＴのＴ m2j
ソース端子が接続されたソース信号線に印加されている
信号が、Ｐ3jにはＴＦＴのＴp3jのソース端子が接続さ
れたソース信号線に印加されている信号が書き込まれ
る。以上の動作をゲート信号線Ｇm-1まで行い第２フィ
ールドは終了する。以上のように、１本のゲート信号線
の選択により、２行の画素行に信号が書き込まれる。各
画素は２フィールドで正極性と負極性の信号が書き込ま
れ、交流駆動がなされる。また、駆動は１Ｈ反転駆動と
なっている。この場合は、先の実施例と同時に、１つの
画素電極に注目してみれば、第１フィールドと第２フィ
ールドで異なった電圧が書き込まれる。しかし、先に説
明したように実用上は十分である。
【００７０】（図１１）のように構成することにより、
第３の本発明の液晶パネルと比較して、ゲート信号線本
数が１／２となっているため、画素開口率が向上し、ま
た、ゲート信号線間の短絡欠陥などの欠陥も発生しにく
い。１Ｈ反転駆動を行うことにより、輝度傾斜およびフ
リッカ等の問題も発生せず、高品位の画像表示が行え
る。
第３の本発明の液晶パネルと比較して、ゲート信号線本
数が１／２となっているため、画素開口率が向上し、ま
た、ゲート信号線間の短絡欠陥などの欠陥も発生しにく
い。１Ｈ反転駆動を行うことにより、輝度傾斜およびフ
リッカ等の問題も発生せず、高品位の画像表示が行え
る。
【００７１】第５の本発明の表示デバイスについて説明
する。（図１２）は第５の本発明の表示デバイスの構成
図である。各ＴＦＴは画素電極にそれぞれ１個ずつ形成
されており、画素構成は従来の液晶パネルと変化がな
い。各ソース信号線Ｓjの両端にはＳＩＣ（Ｐ）１１と
ＳＩＣ（Ｍ）１２が配置され、前記両ＳＩＣの出力端子
には切り換えスイッチ回路１２１および１２２が配置さ
れている。具体的には前記切り換えスイッチ回路はアナ
ログスイッチ素子から構成される。アナログスイッチは
最大±１５Ｖ程度の耐圧のものが半導体部品メーカーか
ら多くの種類が販売されている。１２３はインバータ素
子であり、前記インバータ素子は入力端子ａに印加され
る水平同期信号ＨＤあるいは垂直同期信号に同期してロ
ジック信号出力がログル動作をする。たとえば、水平同
期信号ＨＤに同期する構成であれば、ある時点でａ点が
ハイレベル（以後、Ｈレベルと呼ぶ）ならば次の水平同
期信号ＨＤが入力された時点でローレベル（以後、Ｌレ
ベルと呼ぶ）となる。以後、同期信号ＨＤが入るごとに
Ｈレベル、Ｌレベルとトグル動作を繰り返す。なお、ａ
点とｂ点ではロジックレベルは反対となっている。切り
換えスイッチ回路１０１および１０２内のアナログスイ
ッチＳＷpjはａ点がＬレベルの時ローインピーダンス状
態となり、アナログスイッチＳＷmjがハイインピーダン
ス状態となるものとする。また、ａ点がＨレベルの時ア
ナログスイッチＳＷpjはハイインピーダンス状態に、ア
ナログスイッチＳＷmjはローインピーダンス状態となる
ものとする。以上のように、切り換え回路１２１と１２
２はａ点のロジックレベルによりアナログスイッチＳＷ
pjおよびＳＷmjをオンオフさせる。この際、ＳＩＣ
（Ｐ）１１の出力信号とＳＩＣ（Ｍ）１２の出力信号が
同時にソース信号線Ｓjに印加されないように制御され
ている。以上のように構成することによりソース信号線
ＳjにはＳＩＣ１１もしくはＳＩＣ１２の一方のＳＩＣ
しか接続されていない状態にすることができる。
する。（図１２）は第５の本発明の表示デバイスの構成
図である。各ＴＦＴは画素電極にそれぞれ１個ずつ形成
されており、画素構成は従来の液晶パネルと変化がな
い。各ソース信号線Ｓjの両端にはＳＩＣ（Ｐ）１１と
ＳＩＣ（Ｍ）１２が配置され、前記両ＳＩＣの出力端子
には切り換えスイッチ回路１２１および１２２が配置さ
れている。具体的には前記切り換えスイッチ回路はアナ
ログスイッチ素子から構成される。アナログスイッチは
最大±１５Ｖ程度の耐圧のものが半導体部品メーカーか
ら多くの種類が販売されている。１２３はインバータ素
子であり、前記インバータ素子は入力端子ａに印加され
る水平同期信号ＨＤあるいは垂直同期信号に同期してロ
ジック信号出力がログル動作をする。たとえば、水平同
期信号ＨＤに同期する構成であれば、ある時点でａ点が
ハイレベル（以後、Ｈレベルと呼ぶ）ならば次の水平同
期信号ＨＤが入力された時点でローレベル（以後、Ｌレ
ベルと呼ぶ）となる。以後、同期信号ＨＤが入るごとに
Ｈレベル、Ｌレベルとトグル動作を繰り返す。なお、ａ
点とｂ点ではロジックレベルは反対となっている。切り
換えスイッチ回路１０１および１０２内のアナログスイ
ッチＳＷpjはａ点がＬレベルの時ローインピーダンス状
態となり、アナログスイッチＳＷmjがハイインピーダン
ス状態となるものとする。また、ａ点がＨレベルの時ア
ナログスイッチＳＷpjはハイインピーダンス状態に、ア
ナログスイッチＳＷmjはローインピーダンス状態となる
ものとする。以上のように、切り換え回路１２１と１２
２はａ点のロジックレベルによりアナログスイッチＳＷ
pjおよびＳＷmjをオンオフさせる。この際、ＳＩＣ
（Ｐ）１１の出力信号とＳＩＣ（Ｍ）１２の出力信号が
同時にソース信号線Ｓjに印加されないように制御され
ている。以上のように構成することによりソース信号線
ＳjにはＳＩＣ１１もしくはＳＩＣ１２の一方のＳＩＣ
しか接続されていない状態にすることができる。
【００７２】以下、第５の本発明の表示デバイスの動作
について説明する。まず、ＧＩＣ７１がゲート信号線Ｇ
1にオン電圧を印加すると、ＴＦＴのＴ1jがオン状態と
なる。その際、切り換えスイッチ回路１２１内のアナロ
グスイッチＳＷpjは閉じ、ＳＩＣ（Ｐ）１１の出力信号
Ｖ+がソース信号線に印加される。したがって、信号Ｖ+
が画素電極Ｐ1jに印加される。次にＧＩＣ７１はゲート
信号線Ｇ2にオン電圧を印加する。するとＴＦＴのＴ2j
がオン状態となる。この際、切り換えスイッチ回路１２
１内のアナログスイッチＳＷPjは開き、切り換えスイッ
チ回路１２２内のアナログスイッチＳＷmjが閉じる。し
たがって、ＳＩＣ（Ｍ）１２が出力している信号Ｖ-が
画素電極Ｐ2jに書き込まれる。以上のように各画素行ご
とにＳＩＣ（Ｐ）１１の出力する信号とＳＩＣ（Ｍ）１
２の出力する信号が交互に書き込まれていく。第２フィ
ールドでは画素電極Ｐ1jにＶ-信号が、Ｐ2jにＶ+信号が
書き込まれる。以上のようにして、１Ｈ反転駆動が実現
される。
について説明する。まず、ＧＩＣ７１がゲート信号線Ｇ
1にオン電圧を印加すると、ＴＦＴのＴ1jがオン状態と
なる。その際、切り換えスイッチ回路１２１内のアナロ
グスイッチＳＷpjは閉じ、ＳＩＣ（Ｐ）１１の出力信号
Ｖ+がソース信号線に印加される。したがって、信号Ｖ+
が画素電極Ｐ1jに印加される。次にＧＩＣ７１はゲート
信号線Ｇ2にオン電圧を印加する。するとＴＦＴのＴ2j
がオン状態となる。この際、切り換えスイッチ回路１２
１内のアナログスイッチＳＷPjは開き、切り換えスイッ
チ回路１２２内のアナログスイッチＳＷmjが閉じる。し
たがって、ＳＩＣ（Ｍ）１２が出力している信号Ｖ-が
画素電極Ｐ2jに書き込まれる。以上のように各画素行ご
とにＳＩＣ（Ｐ）１１の出力する信号とＳＩＣ（Ｍ）１
２の出力する信号が交互に書き込まれていく。第２フィ
ールドでは画素電極Ｐ1jにＶ-信号が、Ｐ2jにＶ+信号が
書き込まれる。以上のようにして、１Ｈ反転駆動が実現
される。
【００７３】第５の本発明の表示デバイスは、アレイ構
成は従来の液晶パネルと変化がないにもかかわらず、切
り換えスイッチ回路１２１、１２２を付加すること、正
極性の信号を出力するＳＩＣ（Ｐ）１１および負極性の
信号を出力するＳＩＣ（Ｍ）１２を配置することによ
り、容易に各画素電極に高電圧を印加することができ
る。
成は従来の液晶パネルと変化がないにもかかわらず、切
り換えスイッチ回路１２１、１２２を付加すること、正
極性の信号を出力するＳＩＣ（Ｐ）１１および負極性の
信号を出力するＳＩＣ（Ｍ）１２を配置することによ
り、容易に各画素電極に高電圧を印加することができ
る。
【００７４】なお、１Ｈ反転駆動は画素行ごとに極性の
反転した信号を印加する駆動方式であるが、画素列ごと
に極性の反転した信号を印加する駆動方式（以後、１Ｖ
反転駆動と呼ぶ）も容易である。その説明図を（図１
３）に示す。（図１３）では切り換えスイッチ１２１、
１２２内のアナログスイッチが初期状態で交互にローイ
ンピーダンス状態とハイインピーダンス状態となってい
る。たとえば、奇数番目のアナログスイッチＳＷpおよ
びＳＷmはハイインタービンスに、偶数番目のアナログ
スイッチＳＷpおよびＳＷmはローインピーダンスとなっ
ている。当然のことながら、ＳＩＣ（Ｐ）１１の出力と
ＳＩＣ（Ｍ）１２の出力が同時にソース信号線Ｓjに印
加されないように構成されている。第１フィールドでは
Ｐj1列にＶ-信号がＰj2列にＶ+信号が印加され第２フィ
ールドでは各画素には先と逆の信号が印加される。
反転した信号を印加する駆動方式であるが、画素列ごと
に極性の反転した信号を印加する駆動方式（以後、１Ｖ
反転駆動と呼ぶ）も容易である。その説明図を（図１
３）に示す。（図１３）では切り換えスイッチ１２１、
１２２内のアナログスイッチが初期状態で交互にローイ
ンピーダンス状態とハイインピーダンス状態となってい
る。たとえば、奇数番目のアナログスイッチＳＷpおよ
びＳＷmはハイインタービンスに、偶数番目のアナログ
スイッチＳＷpおよびＳＷmはローインピーダンスとなっ
ている。当然のことながら、ＳＩＣ（Ｐ）１１の出力と
ＳＩＣ（Ｍ）１２の出力が同時にソース信号線Ｓjに印
加されないように構成されている。第１フィールドでは
Ｐj1列にＶ-信号がＰj2列にＶ+信号が印加され第２フィ
ールドでは各画素には先と逆の信号が印加される。
【００７５】以下、図面を参照しながら本発明の液晶投
写型テレビについて説明する。（図１５）は本発明の液
晶投写型テレビの構成図である。ただし、説明に不要な
構成要素は省略している。（図１５）において、１５１
は集光光学系であり、内部に凹面鏡および光発生手段と
してのメタルハライドランプあるいはキセノンランプを
配置している。前記ランプはアーク長ができるだけ短い
ものを使用することが望ましい。一般的にキセノンラン
プのアーク長は２ｍｍ以下であり、本発明の液晶投写型
テレビの用途として十分である。しかし、寿命が短いと
いう欠点がある。メタルハライドランプは２５０Ｗクラ
スのもので、アーク長は６ｍｍ程度である。これはアー
ク長が長すぎ、好ましくない。アーク長は５ｍｍ以下が
好ましく、さらには４ｍｍ以下がさらに好ましい。メタ
ルハライドランプは消費電力が小さいものであれば短ア
ークのものが販売されている。一例として岩崎電気株式
会社より１２０Ｗでアーク長３ｍｍ強のものが販売され
ている。これは、本発明の液晶投写型テレビではメタル
ハライドランプを用い、そのランプのアーク長はを４ｍ
ｍ以下のものを用いるた。凹面鏡はランプのアーク長に
あわせて適正値に設計する。また、投写レンズのＦ値も
同様である。一例としてアーク長が４ｍｍであれば投写
レンズのＦ値はＦ８程度にし、３ｍｍであればＦ値はＦ
１０程度に設定する。本発明で用いたランプはアーク長
が３ｍｍのメタルハライドランプであり、凹面鏡は球面
状のものを用い、また、投写レンズのＦ値はＦ１０であ
る。１５２は赤外線および紫外線を反射させて有視光の
みを透過させるＵＶＩＲカットフィルタである。また、
１５３ａはＢ光を反射させるダイクロイックミラー（以
後、ＢＤＭと呼ぶ）、１５３ｂはＧ光を反射させるダイ
クロイックミラー（以後、ＧＤＭと呼ぶ）、１５３ｃは
Ｒ光を反射させるダイクロイックミラー（以後、ＲＤＭ
と呼ぶ）である。なお、ＢＤＭ１５３ａからＲＤＭ１５
３ｃの配置は同図の順序に限定するものではない。ま
た、最後のＲＤＭ１５３ｃは全反射ミラーにおきかえて
もよいことは言うまでもない。
写型テレビについて説明する。（図１５）は本発明の液
晶投写型テレビの構成図である。ただし、説明に不要な
構成要素は省略している。（図１５）において、１５１
は集光光学系であり、内部に凹面鏡および光発生手段と
してのメタルハライドランプあるいはキセノンランプを
配置している。前記ランプはアーク長ができるだけ短い
ものを使用することが望ましい。一般的にキセノンラン
プのアーク長は２ｍｍ以下であり、本発明の液晶投写型
テレビの用途として十分である。しかし、寿命が短いと
いう欠点がある。メタルハライドランプは２５０Ｗクラ
スのもので、アーク長は６ｍｍ程度である。これはアー
ク長が長すぎ、好ましくない。アーク長は５ｍｍ以下が
好ましく、さらには４ｍｍ以下がさらに好ましい。メタ
ルハライドランプは消費電力が小さいものであれば短ア
ークのものが販売されている。一例として岩崎電気株式
会社より１２０Ｗでアーク長３ｍｍ強のものが販売され
ている。これは、本発明の液晶投写型テレビではメタル
ハライドランプを用い、そのランプのアーク長はを４ｍ
ｍ以下のものを用いるた。凹面鏡はランプのアーク長に
あわせて適正値に設計する。また、投写レンズのＦ値も
同様である。一例としてアーク長が４ｍｍであれば投写
レンズのＦ値はＦ８程度にし、３ｍｍであればＦ値はＦ
１０程度に設定する。本発明で用いたランプはアーク長
が３ｍｍのメタルハライドランプであり、凹面鏡は球面
状のものを用い、また、投写レンズのＦ値はＦ１０であ
る。１５２は赤外線および紫外線を反射させて有視光の
みを透過させるＵＶＩＲカットフィルタである。また、
１５３ａはＢ光を反射させるダイクロイックミラー（以
後、ＢＤＭと呼ぶ）、１５３ｂはＧ光を反射させるダイ
クロイックミラー（以後、ＧＤＭと呼ぶ）、１５３ｃは
Ｒ光を反射させるダイクロイックミラー（以後、ＲＤＭ
と呼ぶ）である。なお、ＢＤＭ１５３ａからＲＤＭ１５
３ｃの配置は同図の順序に限定するものではない。ま
た、最後のＲＤＭ１５３ｃは全反射ミラーにおきかえて
もよいことは言うまでもない。
【００７６】１５４ａ、１５４ｂおよび１５４ｃは本発
明の表示デバイスである。本発明の液晶投写型テレビで
は本発明の表示デバイスをライトバルブとして用いる。
なお、液晶として高分子分散液晶を用いる場合は、Ｒ光
を変調する液晶パネルを他の液晶パネルに比較して水滴
状液晶粒子径を大きく、もしくは液晶膜厚を厚めにして
構成する。これは光が長波長になるほど散乱特性が低下
しコントラストが低くなってしまうためである。水滴状
液晶の粒子径は、重合させるときの紫外線光を制御する
こと、あるいは使用材料を変化させることにより制御で
きる。液晶膜厚は液晶層のビーズ径を変化することによ
り調整できる。１５５ａ、１５５ｂおよび１５５ｃはレ
ンズ、１５７ａ、１５７ｂおよび１５７ｃは投写レン
ズ、１５６ａ、１５６ｂおよび１５６ｃはしぼりとして
のアパーチャである。なお、１５５、１５６および１５
７で投写光学系を構成している。なお、アパーチャは、
液晶投写型テレビの動作の説明上図示したものである。
アパーチャは投写レンズの集光角を規定するものである
から、投写レンズの機能に含まれるものとして考えれば
よい。つまり、Ｆ値が大きければアパーチャの穴径は小
さいと考えることができる。高コントラスト表示を得る
ためには投写レンズのＦ値は大きいほどよい。しかし、
大きくなると白表示の輝度は低下する。
明の表示デバイスである。本発明の液晶投写型テレビで
は本発明の表示デバイスをライトバルブとして用いる。
なお、液晶として高分子分散液晶を用いる場合は、Ｒ光
を変調する液晶パネルを他の液晶パネルに比較して水滴
状液晶粒子径を大きく、もしくは液晶膜厚を厚めにして
構成する。これは光が長波長になるほど散乱特性が低下
しコントラストが低くなってしまうためである。水滴状
液晶の粒子径は、重合させるときの紫外線光を制御する
こと、あるいは使用材料を変化させることにより制御で
きる。液晶膜厚は液晶層のビーズ径を変化することによ
り調整できる。１５５ａ、１５５ｂおよび１５５ｃはレ
ンズ、１５７ａ、１５７ｂおよび１５７ｃは投写レン
ズ、１５６ａ、１５６ｂおよび１５６ｃはしぼりとして
のアパーチャである。なお、１５５、１５６および１５
７で投写光学系を構成している。なお、アパーチャは、
液晶投写型テレビの動作の説明上図示したものである。
アパーチャは投写レンズの集光角を規定するものである
から、投写レンズの機能に含まれるものとして考えれば
よい。つまり、Ｆ値が大きければアパーチャの穴径は小
さいと考えることができる。高コントラスト表示を得る
ためには投写レンズのＦ値は大きいほどよい。しかし、
大きくなると白表示の輝度は低下する。
【００７７】以下、本発明の液晶投写型テレビの動作に
ついて説明する。なお、Ｒ、Ｇ、Ｂ光のそれぞれの変調
系については、ほぼ同一動作であるのでＢ光の変調系に
ついて例にあげて説明する。まず、集光光学系１５１か
ら白色光が照射され、この白色光のＢ光成分はＢＤＭ１
５３ａにより反射される。このＢ光は表示デバイス１５
４ａに入射する。表示デバイス１５４ｂは、（図１４
（ａ）（ｂ））に示すように画素電極に印加された信号
により入射した光の散乱と透過状態とを制御し光を変調
する。
ついて説明する。なお、Ｒ、Ｇ、Ｂ光のそれぞれの変調
系については、ほぼ同一動作であるのでＢ光の変調系に
ついて例にあげて説明する。まず、集光光学系１５１か
ら白色光が照射され、この白色光のＢ光成分はＢＤＭ１
５３ａにより反射される。このＢ光は表示デバイス１５
４ａに入射する。表示デバイス１５４ｂは、（図１４
（ａ）（ｂ））に示すように画素電極に印加された信号
により入射した光の散乱と透過状態とを制御し光を変調
する。
【００７８】散乱した光はアパーチャ１５６ａで遮光さ
れ、逆に平行光または所定角度内の光はアパーチャ１５
６ａを通過する。変調された光は投写レンズ１５７ａに
よりスクリーン（図示せず）に拡大投映される。以上の
ようにして、スクリーンには画像のＢ光成分が表示され
る。同様に表示デバイス１５４ｂはＧ光成分の光を変調
し、また、表示デバイス１５４ｃはＲ光成分の光を変調
して、スクリーン上にはカラー画像が表示される。
れ、逆に平行光または所定角度内の光はアパーチャ１５
６ａを通過する。変調された光は投写レンズ１５７ａに
よりスクリーン（図示せず）に拡大投映される。以上の
ようにして、スクリーンには画像のＢ光成分が表示され
る。同様に表示デバイス１５４ｂはＧ光成分の光を変調
し、また、表示デバイス１５４ｃはＲ光成分の光を変調
して、スクリーン上にはカラー画像が表示される。
【００７９】（図１５）は３つの投射レンズ１５７によ
りスクリーンに拡大投映画する方式であるが、一つの投
写レンズで拡大投映する方式もある。その構成図を（図
１９）に示す。なお、表示デバイスは（図１５）で用い
たものと同様のものを用いる。
りスクリーンに拡大投映画する方式であるが、一つの投
写レンズで拡大投映する方式もある。その構成図を（図
１９）に示す。なお、表示デバイスは（図１５）で用い
たものと同様のものを用いる。
【００８０】ここでは説明を容易にするため、１９５Ｇ
をＧ光の映像を表示する表示デバイス、１９７ＲをＲ光
の映像を表示する表示デバイス、１９７ＢをＢ光の映像
を表示する表示デバイスとする。したがって、各ダイク
ロイックミラーを透過および反射する波長は、ダイクロ
イックミラー１９５ａはＲ光を反射し、Ｇ光とＢ光を透
過する。また、ダイクロイックミラー１９５ｂはＧ光を
反射し、Ｒ光を透過させる。また、ダイクロイックミラ
ー１９５ｄはＢ光を反射させ、Ｇ光およびＲ光を透過す
る。
をＧ光の映像を表示する表示デバイス、１９７ＲをＲ光
の映像を表示する表示デバイス、１９７ＢをＢ光の映像
を表示する表示デバイスとする。したがって、各ダイク
ロイックミラーを透過および反射する波長は、ダイクロ
イックミラー１９５ａはＲ光を反射し、Ｇ光とＢ光を透
過する。また、ダイクロイックミラー１９５ｂはＧ光を
反射し、Ｒ光を透過させる。また、ダイクロイックミラ
ー１９５ｄはＢ光を反射させ、Ｇ光およびＲ光を透過す
る。
【００８１】メタルハライドランプ１９２から出射され
た光は全反射ミラー１９３ａにより反射され、光の方向
を変化させられる。次に前記光はＵＶＩＲカットフィル
タ１９４により紫外線領域および赤外線領域の波長の光
がカットされる。紫外線および赤外線をカットされた光
はダイクロイックミラー１９５ａ、１９５ｂによりＲ・
Ｇ・Ｂ光の３つの波長領域の分離され、Ｒ光はフィール
ドレンズ１９６Ｒに、Ｇ光はフィールドレンズ１９６Ｇ
に、Ｂ光はフィールドレンズ１９６Ｂに入射する。各フ
ィールドレンズ１９６は各光を集光し、表示デバイス１
９７はそれぞれ映像信号に対応して液晶の配向を変化さ
せ、光を変調する。このように変調されたＲ・Ｇ・Ｂ光
はダイクロイックミラー１９７ｃ、１９７ｄにより合成
され、投映レンズ１９８によりスクリーンに拡大投映さ
れる。
た光は全反射ミラー１９３ａにより反射され、光の方向
を変化させられる。次に前記光はＵＶＩＲカットフィル
タ１９４により紫外線領域および赤外線領域の波長の光
がカットされる。紫外線および赤外線をカットされた光
はダイクロイックミラー１９５ａ、１９５ｂによりＲ・
Ｇ・Ｂ光の３つの波長領域の分離され、Ｒ光はフィール
ドレンズ１９６Ｒに、Ｇ光はフィールドレンズ１９６Ｇ
に、Ｂ光はフィールドレンズ１９６Ｂに入射する。各フ
ィールドレンズ１９６は各光を集光し、表示デバイス１
９７はそれぞれ映像信号に対応して液晶の配向を変化さ
せ、光を変調する。このように変調されたＲ・Ｇ・Ｂ光
はダイクロイックミラー１９７ｃ、１９７ｄにより合成
され、投映レンズ１９８によりスクリーンに拡大投映さ
れる。
【００８２】一方、液晶投写型テレビを反射方式で構成
した例が（図１８）である。また、（図１６）は（図１
８）に示す反射型の液晶投写型テレビに用いる表示デバ
イスの断面図である。（図１６）に示す表示デバイスに
おいても等価回路図および動作は先に説明した実施例と
同様である。
した例が（図１８）である。また、（図１６）は（図１
８）に示す反射型の液晶投写型テレビに用いる表示デバ
イスの断面図である。（図１６）に示す表示デバイスに
おいても等価回路図および動作は先に説明した実施例と
同様である。
【００８３】まず、（図１６）に示す反射型の表示デバ
イスについて説明する。アレイ基板１６１上にはアルミ
ニウムからなる反射電極１６６に印加する信号を制御す
るためのＴＦＴ１６３等が形成されている。ＴＦＴ１６
３の一端子と反射電極１６６とはコンタクト部１６４に
より電気的に接続されている。コンタクト１６４部以外
の部分は絶縁膜１６５により分離されている。前記絶縁
膜１６５の材料としてはポリイミド等の有機材料、Ｓi
Ｏ2，ＳiＮx等の無機材料が用いられる。反射電極１６
６は鏡面性を良好にし、反射率を高めるため反射電極１
６６を形成後、研磨により反射電極表面の平滑化処理を
行っている。
イスについて説明する。アレイ基板１６１上にはアルミ
ニウムからなる反射電極１６６に印加する信号を制御す
るためのＴＦＴ１６３等が形成されている。ＴＦＴ１６
３の一端子と反射電極１６６とはコンタクト部１６４に
より電気的に接続されている。コンタクト１６４部以外
の部分は絶縁膜１６５により分離されている。前記絶縁
膜１６５の材料としてはポリイミド等の有機材料、Ｓi
Ｏ2，ＳiＮx等の無機材料が用いられる。反射電極１６
６は鏡面性を良好にし、反射率を高めるため反射電極１
６６を形成後、研磨により反射電極表面の平滑化処理を
行っている。
【００８４】対向基板１６２はガラス基板であり、光変
調層である液晶層と接する面には反射防止構造をかねた
対向電極１６７が形成されている。また、対向電極１６
７と反射電極１６６間はスペーサ（図示せず）等により
所定間隔あけて保持され、前記間隔には光変調を行う高
分子分散液晶３７が狭持されている。対向基板１６２は
例えば厚さ１ｍｍのガラス基板で構成しており、屈折率
は１．５２である。
調層である液晶層と接する面には反射防止構造をかねた
対向電極１６７が形成されている。また、対向電極１６
７と反射電極１６６間はスペーサ（図示せず）等により
所定間隔あけて保持され、前記間隔には光変調を行う高
分子分散液晶３７が狭持されている。対向基板１６２は
例えば厚さ１ｍｍのガラス基板で構成しており、屈折率
は１．５２である。
【００８５】１６８は空気と対向基板１６２間の光の反
射を防止するための反射防止膜である。反射防止膜１６
８として比較的広い可視光の波長帯域で反射率を低減さ
せるマルチコート方式、特定の波長帯域で反射率を低減
させるＶコート方式がある。Ｒ光、Ｇ光およびＢ光を変
調する３枚の表示デバイスを用いる場合はＶコート方式
を採用する。各表示デバイスがうけもつ波長帯域は狭
い。狭い光の帯域で極力反射光を防止するのにはＶコー
トが適する。したがって、Ｒ，Ｇ，Ｂ光のそれぞれの光
を変調する表示デバイスはそれぞれに入射光のピーク波
長λに対応して最適なＶコートを施すことが好ましい。
射を防止するための反射防止膜である。反射防止膜１６
８として比較的広い可視光の波長帯域で反射率を低減さ
せるマルチコート方式、特定の波長帯域で反射率を低減
させるＶコート方式がある。Ｒ光、Ｇ光およびＢ光を変
調する３枚の表示デバイスを用いる場合はＶコート方式
を採用する。各表示デバイスがうけもつ波長帯域は狭
い。狭い光の帯域で極力反射光を防止するのにはＶコー
トが適する。したがって、Ｒ，Ｇ，Ｂ光のそれぞれの光
を変調する表示デバイスはそれぞれに入射光のピーク波
長λに対応して最適なＶコートを施すことが好ましい。
【００８６】マルチコート方式ではＡｌ2Ｏ3を光学的膜
厚がλ／４、ＺｒＯ2を光学的膜厚がλ／２、ＭｇＦ2を
光学的膜厚がλ／４の３層の薄膜を蒸着して形成する。
Ｖコート方式の場合は（図１６）の小円内に示すように
Ｙ2Ｏ3１６８ｂを光学的膜厚がλ／４、ＭｇＦ2１６８
ａを光学的膜厚がλ／４の２層の薄膜を蒸着して形成す
る。なお、Ｙ2Ｏ2のかわりにＳiＯを用いてもよいがＳi
Ｏは青色光で吸収帯域があるため、Ｂ光を変調する表示
デバイスにはＹ2Ｏ3を用いた方がよい。なお、一般的に
はＹ2Ｏ3の方が安定で良好な膜質が得られる。
厚がλ／４、ＺｒＯ2を光学的膜厚がλ／２、ＭｇＦ2を
光学的膜厚がλ／４の３層の薄膜を蒸着して形成する。
Ｖコート方式の場合は（図１６）の小円内に示すように
Ｙ2Ｏ3１６８ｂを光学的膜厚がλ／４、ＭｇＦ2１６８
ａを光学的膜厚がλ／４の２層の薄膜を蒸着して形成す
る。なお、Ｙ2Ｏ2のかわりにＳiＯを用いてもよいがＳi
Ｏは青色光で吸収帯域があるため、Ｂ光を変調する表示
デバイスにはＹ2Ｏ3を用いた方がよい。なお、一般的に
はＹ2Ｏ3の方が安定で良好な膜質が得られる。
【００８７】対向基板１４１の片面には、対向電極と反
射防止膜が形成される。正確には対向電極とする透明導
電性薄膜の上下に薄膜を形成して反射防止膜が形成され
る。以後、この反射防止構造の対向電極を反射防止電極
と呼ぶ。１６７ｂは対向電極となるＩＴＯ膜である。前
記ＩＴＯ膜の膜厚は光学的膜厚がλ／２となるようにす
る。入射する光のピーク波長λが５５０ｎｍであればｄ
＝１３７５Å前後である。前記ＩＴＯ膜の膜厚は波長λ
に対応して形成される。１６７ａおよび１６７ｃは対向
基板１６２の屈折率とＩＴＯ膜１６７ｂの屈折率との間
の屈折率ｎの物質からなる薄膜である。薄膜１６７ａと
１６７ｃは同一の物質で同一の膜厚に形成することが好
ましい。前記薄膜の膜厚は光学的膜厚はｎｄ＝λ／４と
する。なお、ｄは物理的膜厚である。
射防止膜が形成される。正確には対向電極とする透明導
電性薄膜の上下に薄膜を形成して反射防止膜が形成され
る。以後、この反射防止構造の対向電極を反射防止電極
と呼ぶ。１６７ｂは対向電極となるＩＴＯ膜である。前
記ＩＴＯ膜の膜厚は光学的膜厚がλ／２となるようにす
る。入射する光のピーク波長λが５５０ｎｍであればｄ
＝１３７５Å前後である。前記ＩＴＯ膜の膜厚は波長λ
に対応して形成される。１６７ａおよび１６７ｃは対向
基板１６２の屈折率とＩＴＯ膜１６７ｂの屈折率との間
の屈折率ｎの物質からなる薄膜である。薄膜１６７ａと
１６７ｃは同一の物質で同一の膜厚に形成することが好
ましい。前記薄膜の膜厚は光学的膜厚はｎｄ＝λ／４と
する。なお、ｄは物理的膜厚である。
【００８８】薄膜１６７ａ、１６７ｃの材料としては酸
化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、酸化イットリウム（Ｙ2
Ｏ3）、一酸化シリコン（ＳｉＯ）、酸化マグネシウム
（ＭｇＯ）、酸化タングステン（ＷＯ3）弗化セリウム
（ＣｅＦ3）、フッ化鉛（ＰｂＦ 2）が例示される。中で
も、Ａｌ2Ｏ3、Ｙ2Ｏ3、ＣｅＦ3物質の安定性、光透過
性、膜の均一性等の点から好ましい。また、ＳｉＯ（ｎ
≒１．７）は広い可視光の範囲で反射率を極めて小さく
できる。
化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、酸化イットリウム（Ｙ2
Ｏ3）、一酸化シリコン（ＳｉＯ）、酸化マグネシウム
（ＭｇＯ）、酸化タングステン（ＷＯ3）弗化セリウム
（ＣｅＦ3）、フッ化鉛（ＰｂＦ 2）が例示される。中で
も、Ａｌ2Ｏ3、Ｙ2Ｏ3、ＣｅＦ3物質の安定性、光透過
性、膜の均一性等の点から好ましい。また、ＳｉＯ（ｎ
≒１．７）は広い可視光の範囲で反射率を極めて小さく
できる。
【００８９】λを５５０ｎｍとすると、薄膜１６７ａ、
１６７ｃにＡｌ2Ｏ3（ｎ＝１．６３）を用いて形成する
膜厚はｄ＝７００Å〜１０００Åの範囲、ＩＴＯ膜（ｎ
≒２．０）１６７ｂの膜厚は１１５０Å〜１６００Åの
範囲とすればよい。薄膜１６７ｃはＩＴＯ膜１６７ｂに
印加した電圧を電圧降下させることになるが薄膜１６７
ｃの膜厚ｄ＝１０００Å以下であればほとんど影響しな
い。逆に対向基板１６２から不要な物質が溶出すること
を防止し液晶層３７の保持率を増す効果もでる。また、
ＩＴＯ膜は１０００Å以上であれば２００度以上で蒸着
もしくはスパッタで形成することにより必要十分な抵抗
値が得られる。なお、薄膜１６７ａがＹ 2Ｏ3（ｎ＝１．
７８）の場合は膜厚ｄ＝６５０Å〜９００Åとすればよ
い。
１６７ｃにＡｌ2Ｏ3（ｎ＝１．６３）を用いて形成する
膜厚はｄ＝７００Å〜１０００Åの範囲、ＩＴＯ膜（ｎ
≒２．０）１６７ｂの膜厚は１１５０Å〜１６００Åの
範囲とすればよい。薄膜１６７ｃはＩＴＯ膜１６７ｂに
印加した電圧を電圧降下させることになるが薄膜１６７
ｃの膜厚ｄ＝１０００Å以下であればほとんど影響しな
い。逆に対向基板１６２から不要な物質が溶出すること
を防止し液晶層３７の保持率を増す効果もでる。また、
ＩＴＯ膜は１０００Å以上であれば２００度以上で蒸着
もしくはスパッタで形成することにより必要十分な抵抗
値が得られる。なお、薄膜１６７ａがＹ 2Ｏ3（ｎ＝１．
７８）の場合は膜厚ｄ＝６５０Å〜９００Åとすればよ
い。
【００９０】検討した結果では、ＩＴＯ膜の屈折率ｎが
２．０前後の場合は１６７ａ、１６７ｃとしてＹ2Ｏ3を
用いる方が可視光のほぼ全域にわたり反射率を極めて小
さくできる。ＩＴＯ膜の屈折率ｎが１．９よりも小さい
ときは、Ａｌ2Ｏ3を用いる方が可視光の範囲で反射率を
極めて小さくできる。ただし、高分子分散液晶３７の散
乱時に示す屈折率が対向基板１６２の屈折率よりも大き
い場合である。ＩＴＯの屈折率は液晶層に入射した光が
高分子分散液晶層３７で散乱し、前記光が再びＩＴＯを
透過させるときにも影響を与える。屈折率が高いと反射
され再び液晶層３７に戻り２次散乱をひきおこす割合が
増加する。したがって、ＩＴＯの屈折率は極力低く形成
できることが好ましい。以上のことから、本発明の反射
型の表示デバイスではＩＴＯ１６７ｂの屈折率を１．８
強に形成し、薄膜１６７ａ、１６７ｃはＡｌ2Ｏ3（ｎ≒
１．６３）を用いて形成した。
２．０前後の場合は１６７ａ、１６７ｃとしてＹ2Ｏ3を
用いる方が可視光のほぼ全域にわたり反射率を極めて小
さくできる。ＩＴＯ膜の屈折率ｎが１．９よりも小さい
ときは、Ａｌ2Ｏ3を用いる方が可視光の範囲で反射率を
極めて小さくできる。ただし、高分子分散液晶３７の散
乱時に示す屈折率が対向基板１６２の屈折率よりも大き
い場合である。ＩＴＯの屈折率は液晶層に入射した光が
高分子分散液晶層３７で散乱し、前記光が再びＩＴＯを
透過させるときにも影響を与える。屈折率が高いと反射
され再び液晶層３７に戻り２次散乱をひきおこす割合が
増加する。したがって、ＩＴＯの屈折率は極力低く形成
できることが好ましい。以上のことから、本発明の反射
型の表示デバイスではＩＴＯ１６７ｂの屈折率を１．８
強に形成し、薄膜１６７ａ、１６７ｃはＡｌ2Ｏ3（ｎ≒
１．６３）を用いて形成した。
【００９１】以上のように反射防止電極１６７を形成す
ることにより光の反射率を大幅に低減でき、変調する光
の帯域が比較的狭い場合は反射率はピーク波長λで０．
１％以下を実現できる。当然のことながらＩＴＯ膜１６
７ｂはコモン電圧が印加できるように構成もしくは形成
する。
ることにより光の反射率を大幅に低減でき、変調する光
の帯域が比較的狭い場合は反射率はピーク波長λで０．
１％以下を実現できる。当然のことながらＩＴＯ膜１６
７ｂはコモン電圧が印加できるように構成もしくは形成
する。
【００９２】表示デバイスの入射光波長に対する反射率
を（図１７）のグラフに示す。設計時のピーク波長はλ
＝５３５ｍｍにしている。反射防止膜１６８はＶコー
ト、反射防止電極１６７はＡｌ2Ｏ3、ＩＴＯ、Ａｌ2Ｏ3
の３層の構造である。グラフでわかるとおり５３０ｍｍ
付近では極めて低い反射率を実現している。
を（図１７）のグラフに示す。設計時のピーク波長はλ
＝５３５ｍｍにしている。反射防止膜１６８はＶコー
ト、反射防止電極１６７はＡｌ2Ｏ3、ＩＴＯ、Ａｌ2Ｏ3
の３層の構造である。グラフでわかるとおり５３０ｍｍ
付近では極めて低い反射率を実現している。
【００９３】ピーク波長からずれると反射率は大きくな
るが、表示デバイスを液晶投写型テレビに用いる場合は
問題がない。液晶投写型テレビでは３つの表示デバイス
を用い、各表示デバイスが変調する光の帯域が狭いため
である。表示デバイスに入射する光の帯域はＧ光、Ｂ光
用では入射光の半値幅はほぼ５０ｎｍ、Ｒ光用では９０
ｎｍである。（図１７）から明らかなように、ピーク波
長を中心として帯域±２５ｎｍの範囲では極めて反射率
が低い。
るが、表示デバイスを液晶投写型テレビに用いる場合は
問題がない。液晶投写型テレビでは３つの表示デバイス
を用い、各表示デバイスが変調する光の帯域が狭いため
である。表示デバイスに入射する光の帯域はＧ光、Ｂ光
用では入射光の半値幅はほぼ５０ｎｍ、Ｒ光用では９０
ｎｍである。（図１７）から明らかなように、ピーク波
長を中心として帯域±２５ｎｍの範囲では極めて反射率
が低い。
【００９４】（図１８）は反射型の液晶投写型テレビの
構成図である。１８５ａ、１８５ｂ、１８５ｃは前述の
（図１６）に示す反射型の表示デバイスである。光源１
８２はランプ１８２ａ、凹面鏡１８２ｂ、フィルタ１８
２で構成される。ランプ１８２ａはメタルハライドラン
プであり、（図１５）および（図１９）と同様にアーク
長が４ｍｍ以下のものを用いる。凹面鏡１８２ｂはガラ
ス製で、反射面に可視光を反射し赤外光を反射する多層
膜を蒸着したものである。ランプ１８２ａからの放射光
に含まれる可視光は、凹面鏡１８２ｂの反射面により反
射する。凹面鏡１８２ｂから出射する反射光は、フィル
タ１８２ｃにより赤外線と紫外線とが除去されて出射す
る。
構成図である。１８５ａ、１８５ｂ、１８５ｃは前述の
（図１６）に示す反射型の表示デバイスである。光源１
８２はランプ１８２ａ、凹面鏡１８２ｂ、フィルタ１８
２で構成される。ランプ１８２ａはメタルハライドラン
プであり、（図１５）および（図１９）と同様にアーク
長が４ｍｍ以下のものを用いる。凹面鏡１８２ｂはガラ
ス製で、反射面に可視光を反射し赤外光を反射する多層
膜を蒸着したものである。ランプ１８２ａからの放射光
に含まれる可視光は、凹面鏡１８２ｂの反射面により反
射する。凹面鏡１８２ｂから出射する反射光は、フィル
タ１８２ｃにより赤外線と紫外線とが除去されて出射す
る。
【００９５】投写レンズ１８１は表示デバイス１８５側
の第１レンズ群１８１ｂとスクリーン側の第２レンズ群
１８１ａとで構成され、第１レンズ群１８１ｂと第２レ
ンズ群１８１ａとの間には平面ミラー１８３が配置され
ている。表示デバイス１８５の画面中心にある画素から
出射する散乱光は、第１レンズ群１８１ｂを透過した
後、約半分が平面ミラー１８３に入射し、残りが平面ミ
ラー１８３に入射せずに第２レンズ群１８１ａに入射す
る。平面ミラー１８３の反射面の放線は投写レンズ１８
１の光軸１８６に対して４５゜傾いている。
の第１レンズ群１８１ｂとスクリーン側の第２レンズ群
１８１ａとで構成され、第１レンズ群１８１ｂと第２レ
ンズ群１８１ａとの間には平面ミラー１８３が配置され
ている。表示デバイス１８５の画面中心にある画素から
出射する散乱光は、第１レンズ群１８１ｂを透過した
後、約半分が平面ミラー１８３に入射し、残りが平面ミ
ラー１８３に入射せずに第２レンズ群１８１ａに入射す
る。平面ミラー１８３の反射面の放線は投写レンズ１８
１の光軸１８６に対して４５゜傾いている。
【００９６】光源１８２からの光は平面ミラー１８３で
反射されて第１レンズ群１８１ｂを透過し、表示デバイ
ス１８５に入射する。表示デバイス１８５からの反射光
は、第１レンズ群１８１ｂ、第２レンズ群１８１ａの順
に透過してスクリーン１８７に到達する。投写レンズ１
８１の絞りの中心から出て表示デバイス１８５に向かう
光線は、液晶層３７にほぼ垂直に入射するように、つま
りテレセントリックとしている。
反射されて第１レンズ群１８１ｂを透過し、表示デバイ
ス１８５に入射する。表示デバイス１８５からの反射光
は、第１レンズ群１８１ｂ、第２レンズ群１８１ａの順
に透過してスクリーン１８７に到達する。投写レンズ１
８１の絞りの中心から出て表示デバイス１８５に向かう
光線は、液晶層３７にほぼ垂直に入射するように、つま
りテレセントリックとしている。
【００９７】ここでは説明を容易にするために１８５ｂ
をＧ光を変調する表示デバイス、１８５ｃをＢ光を変調
する表示デバイス、１８５ａをＲ光を変調する表示デバ
イスであるとして説明する。
をＧ光を変調する表示デバイス、１８５ｃをＢ光を変調
する表示デバイス、１８５ａをＲ光を変調する表示デバ
イスであるとして説明する。
【００９８】（図１８）において１８４ａ、１８４ｂ、
１８４ｃはダイクロイックミラーであるが、これは色合
成系と色分離系を兼用している。光源からの出射された
白色光は平面ミラー１８３によりおりまげられ、投写レ
ンズ１８１の第１群に入射する。この際フィルタ１８２
ｃにより不要なＢ光およびＲ光はカットされる。フィル
タ１８２ｃの帯域は半値幅の値で４３０ｎｍ〜６９０ｎ
ｍである。以後、光の帯域を記述する際は半値幅で表現
する。ダイクロイックミラー１８４ａはＧ光を反射し、
Ｒ光およびＢ光を透過させる。Ｇ光はダイクロイックミ
ラー１８４ｃで帯域制限され、表示デバイス１８４ｂに
入射する。Ｇ光の帯域は５１０〜５７０ｎｍにする。一
方ダイクロイックミラー１８４ｂはＢ光を反射し、Ｒ光
を透過させる。Ｂ光は表示デバイス１８５ｃに、Ｒ光は
表示デバイス１８５ａに入射する。入射するＢ光の帯域
は４３０ｎｍ〜４９０ｎｍ、Ｒ光の帯域は６００ｎｍ〜
６９０ｎｍである。表示デバイスはそれぞれの映像信号
に応じて散乱状態の変化として光学像が形成する。表示
デバイスで形成された光学像はダイクロイックミラー１
８４ａ、１８４ｂで色合成され、投写レンズ１８１に入
射し、スクリーン１８７上に拡大投写される。なお、こ
れらのＲ、Ｇ、Ｂ光の帯域は本発明の液晶投写型テレビ
でほぼ共通の値である。
１８４ｃはダイクロイックミラーであるが、これは色合
成系と色分離系を兼用している。光源からの出射された
白色光は平面ミラー１８３によりおりまげられ、投写レ
ンズ１８１の第１群に入射する。この際フィルタ１８２
ｃにより不要なＢ光およびＲ光はカットされる。フィル
タ１８２ｃの帯域は半値幅の値で４３０ｎｍ〜６９０ｎ
ｍである。以後、光の帯域を記述する際は半値幅で表現
する。ダイクロイックミラー１８４ａはＧ光を反射し、
Ｒ光およびＢ光を透過させる。Ｇ光はダイクロイックミ
ラー１８４ｃで帯域制限され、表示デバイス１８４ｂに
入射する。Ｇ光の帯域は５１０〜５７０ｎｍにする。一
方ダイクロイックミラー１８４ｂはＢ光を反射し、Ｒ光
を透過させる。Ｂ光は表示デバイス１８５ｃに、Ｒ光は
表示デバイス１８５ａに入射する。入射するＢ光の帯域
は４３０ｎｍ〜４９０ｎｍ、Ｒ光の帯域は６００ｎｍ〜
６９０ｎｍである。表示デバイスはそれぞれの映像信号
に応じて散乱状態の変化として光学像が形成する。表示
デバイスで形成された光学像はダイクロイックミラー１
８４ａ、１８４ｂで色合成され、投写レンズ１８１に入
射し、スクリーン１８７上に拡大投写される。なお、こ
れらのＲ、Ｇ、Ｂ光の帯域は本発明の液晶投写型テレビ
でほぼ共通の値である。
【００９９】反射型の表示デバイスを用いることによ
り、投写型に比較して、コントラストも良好であり、画
素開口率も高いので高輝度表示を行うことができる。そ
の上、表示デバイスの裏面には障害物がないのでパネル
冷却が容易である。たとえば、裏面からの強制空冷冷を
容易に行え、また、裏面にヒートシンク等も容易に取り
付けることができる。
り、投写型に比較して、コントラストも良好であり、画
素開口率も高いので高輝度表示を行うことができる。そ
の上、表示デバイスの裏面には障害物がないのでパネル
冷却が容易である。たとえば、裏面からの強制空冷冷を
容易に行え、また、裏面にヒートシンク等も容易に取り
付けることができる。
【０１００】以下、本発明のビューファインダについて
説明する。（図２０）はビューファンダの外観図であ
る。（図２１）は、（図２０）に示すボデー２０１の断
面図である。２１１は発光素子、２１３は集光レンズ、
２１４は前述の本発明の表示デバイスである。
説明する。（図２０）はビューファンダの外観図であ
る。（図２１）は、（図２０）に示すボデー２０１の断
面図である。２１１は発光素子、２１３は集光レンズ、
２１４は前述の本発明の表示デバイスである。
【０１０１】一例として、表示デバイス２１４の表示領
域の対角長は２８ｍｍであり、集光レンズ２１３は有効
直径が３０ｍｍ、焦点距離が１５ｍｍである。集光レン
ズ２１３の焦点の近傍に発光素子２１１が配置されてい
る。集光レンズ２１３は平凸レンズであり、平面を発光
素子２１１側に向けている。ボデー２０１の端部に接眼
リング２１５が装着されている。また、接眼リング２１
５には、拡大レンズ２１６が装着されている。ボデー２
０１の内面は不要光を吸収するため黒色あるいは暗色に
している。
域の対角長は２８ｍｍであり、集光レンズ２１３は有効
直径が３０ｍｍ、焦点距離が１５ｍｍである。集光レン
ズ２１３の焦点の近傍に発光素子２１１が配置されてい
る。集光レンズ２１３は平凸レンズであり、平面を発光
素子２１１側に向けている。ボデー２０１の端部に接眼
リング２１５が装着されている。また、接眼リング２１
５には、拡大レンズ２１６が装着されている。ボデー２
０１の内面は不要光を吸収するため黒色あるいは暗色に
している。
【０１０２】２１２は中央部に円形の穴のあいた遮光板
である。より具体的にはピンホール板である。発光素子
２１１から光が放射される領域を小領域にする機能を有
している。穴の面積が大きくなると表示デバイスの表示
画像は大きくなるが、コントラストは低下する。これは
集光レンズ２１３に入射する光量は多くなるが、入射光
の指向性が悪くなるためである。前述のような表示デバ
イスの表示領域の対角長が２８ｍｍの場合、光を放射す
る領域はおよそ１５ｍｍ2以下にすべきである。これは
直径がほぼ４ｍｍのピンホールの穴径に相当する。好ま
しくは１０ｍｍ 2以下とすべきである。しかし、穴の直
径を小さくしすぎると、光の指向性が必要以上に狭くな
り、ビューファインダを見る際に、視点を少しずらした
だけで極端に表示画面が暗くなる。したがって、穴の面
積は少なくとも２ｍｍ2以上の領域を確保すべきであ
る。一例として、直線３ｍｍの穴径の時、従来の面光源
を用いるビューファインダと同等以上の表示画面の輝度
が得られた。穴系は直径０．５ｍｍから５ｍｍ以下の範
囲と考えられるべきである。ただし、これは表示画面の
対角長が２８ｍｍの場合であって、対角長が長くなれ
ば、対角長に比例して穴径も大きくする。表示面積と光
を放射する穴の面積比で規定すれば２０：１以下にしな
ければならない。好ましくは４０：１以下である。しか
し、視野角の問題から２００：１以上にすることが好ま
しい。
である。より具体的にはピンホール板である。発光素子
２１１から光が放射される領域を小領域にする機能を有
している。穴の面積が大きくなると表示デバイスの表示
画像は大きくなるが、コントラストは低下する。これは
集光レンズ２１３に入射する光量は多くなるが、入射光
の指向性が悪くなるためである。前述のような表示デバ
イスの表示領域の対角長が２８ｍｍの場合、光を放射す
る領域はおよそ１５ｍｍ2以下にすべきである。これは
直径がほぼ４ｍｍのピンホールの穴径に相当する。好ま
しくは１０ｍｍ 2以下とすべきである。しかし、穴の直
径を小さくしすぎると、光の指向性が必要以上に狭くな
り、ビューファインダを見る際に、視点を少しずらした
だけで極端に表示画面が暗くなる。したがって、穴の面
積は少なくとも２ｍｍ2以上の領域を確保すべきであ
る。一例として、直線３ｍｍの穴径の時、従来の面光源
を用いるビューファインダと同等以上の表示画面の輝度
が得られた。穴系は直径０．５ｍｍから５ｍｍ以下の範
囲と考えられるべきである。ただし、これは表示画面の
対角長が２８ｍｍの場合であって、対角長が長くなれ
ば、対角長に比例して穴径も大きくする。表示面積と光
を放射する穴の面積比で規定すれば２０：１以下にしな
ければならない。好ましくは４０：１以下である。しか
し、視野角の問題から２００：１以上にすることが好ま
しい。
【０１０３】発光素子２１から広い立体角に放射された
光は、集光レンズ２１３により平行に近く指向性の狭い
光に変化され、表示デバイス２１４の対向電極（図示せ
ず）側から入射する。表示デバイス２１４は印加される
映像信号に応じて液晶の光の透過量もしくは散乱度合い
が変化して、画像を形成する。観察者は、接眼リング２
１５に目を密着させて、あるいは接眼カバー２０２に密
着させて、表示デバイス２１４の表示画像を見ることに
なる。つまり、観察者の瞳の位置はほぼ固定されてい
る。表示デバイス２１４の全画素が光を直進させる場合
を仮定した時、集光レンズ２１３は発光素子２１１から
放射され、前記集光レンズ２３の有効領域に入射する光
が拡大レンズ２１６を透過した後にすべて観察者の瞳に
入射するようにしている。観察者は表示デバイス２１４
の小さな表示画像を拡大レンズ２１６で拡大して見るこ
とができる。
光は、集光レンズ２１３により平行に近く指向性の狭い
光に変化され、表示デバイス２１４の対向電極（図示せ
ず）側から入射する。表示デバイス２１４は印加される
映像信号に応じて液晶の光の透過量もしくは散乱度合い
が変化して、画像を形成する。観察者は、接眼リング２
１５に目を密着させて、あるいは接眼カバー２０２に密
着させて、表示デバイス２１４の表示画像を見ることに
なる。つまり、観察者の瞳の位置はほぼ固定されてい
る。表示デバイス２１４の全画素が光を直進させる場合
を仮定した時、集光レンズ２１３は発光素子２１１から
放射され、前記集光レンズ２３の有効領域に入射する光
が拡大レンズ２１６を透過した後にすべて観察者の瞳に
入射するようにしている。観察者は表示デバイス２１４
の小さな表示画像を拡大レンズ２１６で拡大して見るこ
とができる。
【０１０４】ビューファインダは観察者の瞳の位置が接
眼カバー２０２によりほぼ固定されるため、その背後に
配置する光源は指向性が狭くても良い。光源として蛍光
管を用いたライトボックスを用いる従来のビューファイ
ンダでは、表示デバイスの表示領域とほぼ同じ大きさの
領域からある方向の微小立体角内に進む光だけが利用さ
れ、他の方向に進む光は利用されない。つまり、光利用
効率が非常に悪い。
眼カバー２０２によりほぼ固定されるため、その背後に
配置する光源は指向性が狭くても良い。光源として蛍光
管を用いたライトボックスを用いる従来のビューファイ
ンダでは、表示デバイスの表示領域とほぼ同じ大きさの
領域からある方向の微小立体角内に進む光だけが利用さ
れ、他の方向に進む光は利用されない。つまり、光利用
効率が非常に悪い。
【０１０５】本発明では、発光体の小さな光源を用い、
その発光体から広い立体角に放射される光を集光レンズ
２１３により平行に近い光に変換する。こうすると、集
光レンズ２１３からの出射光は指向性が狭くなる。観察
者の視点が固定されておれば前述の狭い指向性の光でも
ビューファインダの用途に十分となる。発光体の大きさ
が小さければ、当然、消費電力も少ない。以上のよう
に、本発明のビューファインダは観察者が視点を固定し
て表示画像を見ることを利用している。通常の直視液晶
表示デバイスでは一定の視野角が必要であるが、ビュー
ファインダは所定方向から表示画像を良好に観察できれ
ば用途として十分である。
その発光体から広い立体角に放射される光を集光レンズ
２１３により平行に近い光に変換する。こうすると、集
光レンズ２１３からの出射光は指向性が狭くなる。観察
者の視点が固定されておれば前述の狭い指向性の光でも
ビューファインダの用途に十分となる。発光体の大きさ
が小さければ、当然、消費電力も少ない。以上のよう
に、本発明のビューファインダは観察者が視点を固定し
て表示画像を見ることを利用している。通常の直視液晶
表示デバイスでは一定の視野角が必要であるが、ビュー
ファインダは所定方向から表示画像を良好に観察できれ
ば用途として十分である。
【０１０６】集光レンズ２１３が無収差で、透過率が１
００％の場合、集光レンズを通して見た発光体の輝度は
発光体自身の輝度と等しい。カラーフィルタ、偏光板、
画像の開口率等を含めた液晶表示デバイスの最大透過率
を３％、集光レンズ２１３の透過率を９０％、ビューフ
ァインダとして必要な輝度を１５〔ｆｔ−Ｌ〕とする
と、光源に必要な輝度は約５６０〔ｆｔ−Ｌ〕となる。
これらを満足する発光素子としては陰極線管、蛍光管等
の発光原理を用いた発光管、蛍光発光素子、タングステ
ンランプ、ＬＥＤ、ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎ
ｅｓｃｅｎｃｅ）などの電子の動作により発光する素
子、ＰＤＰ（Ｐｌａｓｍａ ＤｉｓｐｌａｙＰａｎｅ
ｌ）などの放電により発光するもの等の自己発光を行う
ものが例示される。これらのどの発光素子でも光発生手
段として用いてもよいが、中でも低消費電力、小型、白
色発光を行える等の点から、発光管、ＬＥＤが最適であ
る。
００％の場合、集光レンズを通して見た発光体の輝度は
発光体自身の輝度と等しい。カラーフィルタ、偏光板、
画像の開口率等を含めた液晶表示デバイスの最大透過率
を３％、集光レンズ２１３の透過率を９０％、ビューフ
ァインダとして必要な輝度を１５〔ｆｔ−Ｌ〕とする
と、光源に必要な輝度は約５６０〔ｆｔ−Ｌ〕となる。
これらを満足する発光素子としては陰極線管、蛍光管等
の発光原理を用いた発光管、蛍光発光素子、タングステ
ンランプ、ＬＥＤ、ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎ
ｅｓｃｅｎｃｅ）などの電子の動作により発光する素
子、ＰＤＰ（Ｐｌａｓｍａ ＤｉｓｐｌａｙＰａｎｅ
ｌ）などの放電により発光するもの等の自己発光を行う
ものが例示される。これらのどの発光素子でも光発生手
段として用いてもよいが、中でも低消費電力、小型、白
色発光を行える等の点から、発光管、ＬＥＤが最適であ
る。
【０１０７】表示デバイス２１４にはモザイク状のカラ
ーフィルタ（図示せず）が取り付けられている。画素配
置はデルタ配置であり、画素数は５５０００画素であ
る。カラーフィルタは赤、緑、青のいずれかの色を透過
させる。カラーフィルタの構成物により各色の膜厚を制
御しても良い。カラーフィルタの膜厚はカラーフィルタ
の作製時に調整して形成する。つまりカラーフィルタの
膜厚を赤、緑、青で変化させる。カラーフィルタの膜厚
により各画素上の液晶の膜厚はそれぞれのカラーフィル
タ色に応じて調整することができる。特に高分子分散液
晶を用いた表示デバイスは、長波長の光（赤色光）に対
する散乱特性が悪い。そこで、赤の画素の液晶層厚を他
の青、緑の画素よりも液晶層厚を暑くすれば、散乱性能
を向上させることができ、赤、緑、青の諧調性を揃える
ことができる。
ーフィルタ（図示せず）が取り付けられている。画素配
置はデルタ配置であり、画素数は５５０００画素であ
る。カラーフィルタは赤、緑、青のいずれかの色を透過
させる。カラーフィルタの構成物により各色の膜厚を制
御しても良い。カラーフィルタの膜厚はカラーフィルタ
の作製時に調整して形成する。つまりカラーフィルタの
膜厚を赤、緑、青で変化させる。カラーフィルタの膜厚
により各画素上の液晶の膜厚はそれぞれのカラーフィル
タ色に応じて調整することができる。特に高分子分散液
晶を用いた表示デバイスは、長波長の光（赤色光）に対
する散乱特性が悪い。そこで、赤の画素の液晶層厚を他
の青、緑の画素よりも液晶層厚を暑くすれば、散乱性能
を向上させることができ、赤、緑、青の諧調性を揃える
ことができる。
【０１０８】集光レンズ２１３は平面、つまり曲率半径
の大きい面を発光体２１１側に向けている。これは、正
弦条件を満足しやすくして、表示デバイス２１４の表示
画像の輝度均一性を良好にするためである。ただし集光
レンズ２１３は前述の平凸レンズに限定するものではな
く、通常の正レンズでもよいことは言うまでもない。
の大きい面を発光体２１１側に向けている。これは、正
弦条件を満足しやすくして、表示デバイス２１４の表示
画像の輝度均一性を良好にするためである。ただし集光
レンズ２１３は前述の平凸レンズに限定するものではな
く、通常の正レンズでもよいことは言うまでもない。
【０１０９】接眼リング２１５のボデー２０１への挿入
度合を調整することにより、観察者の視力に合わせてピ
ント調整を行うことができる。なお、接眼カバー２１５
により観察者の眼の位置が固定されるので、ビューファ
インダの使用中に視点位置がずれることはほとんどな
い。視点が固定されておれば表示デバイス２１４への光
の指向性が狭くても観察者は良好に表示画像を見ること
ができる。さらに良好に見えるようにするには発光素子
２１１からの光の放射方向を最適な放射方向に移動させ
ればよい。そのため、発光素子２１１は、前後あるいは
左右に多少移動できるように位置調整機構が付加してお
くことが好ましい。
度合を調整することにより、観察者の視力に合わせてピ
ント調整を行うことができる。なお、接眼カバー２１５
により観察者の眼の位置が固定されるので、ビューファ
インダの使用中に視点位置がずれることはほとんどな
い。視点が固定されておれば表示デバイス２１４への光
の指向性が狭くても観察者は良好に表示画像を見ること
ができる。さらに良好に見えるようにするには発光素子
２１１からの光の放射方向を最適な放射方向に移動させ
ればよい。そのため、発光素子２１１は、前後あるいは
左右に多少移動できるように位置調整機構が付加してお
くことが好ましい。
【０１１０】発光素子として豆電球形状の発光管を用い
る場合は、ミニパイロ電機（株）より販売されているル
ナライトシリーズ（直径７ｍｍ、１０ｍｍ）の白色発光
タイプを用いるとよい。棒状の冷陰極蛍光灯を用いる場
合は松下電器産業社製の品番５−Ｃ２１Ｔ２６Ｅ８５Ｈ
がある。前述の発光管および冷陰極蛍光灯は遮光板など
を用い、微小領域から光を放射されるように構成し、本
発明のビューファインダの発光素子２１１として用い
る。
る場合は、ミニパイロ電機（株）より販売されているル
ナライトシリーズ（直径７ｍｍ、１０ｍｍ）の白色発光
タイプを用いるとよい。棒状の冷陰極蛍光灯を用いる場
合は松下電器産業社製の品番５−Ｃ２１Ｔ２６Ｅ８５Ｈ
がある。前述の発光管および冷陰極蛍光灯は遮光板など
を用い、微小領域から光を放射されるように構成し、本
発明のビューファインダの発光素子２１１として用い
る。
【０１１１】（図２２）は本発明のビューファインダを
ビデオカメラにとりつけた状態の説明図である。ビュー
ファインダのボデー２０１は取り付け金具２０３により
ビデオ本体にとりつけられている。２１４は本発明の表
示デバイスであり、表示画面の対角長は約２８ｍｍ
（１．１インチ）である。２２４は主として（図４）に
示す駆動回路である。発光素子２１１としてミニパイロ
電機社製の発光管（ルナライト−０７シリーズ）を用い
た。発光管の直径は７ｍｍである。発光色は三波長タイ
プであり白色である。発光管へは発光管電源回路２２３
から電圧の供給を行う。発光管電源回路２２３は発光管
２１１へヒーター電圧２．５Ｖおよびアノード電圧１８
Ｖを供給する。両電圧は直流電圧である。発光管電源供
給回路はアノード電圧をパルス変調する回路を有してい
る。パルス周期は６０ヘルツにしている。アノードに印
加する電圧をパルス信号とすることにより、パルス幅に
比例して発光管２１１から放射される光量を可変でき
る。パルス幅はビデオ本体に取り付けられたボリウムを
回転させることにより０（０％）から１／１（１００
％）まで連続に変化させることができる。一実施例にお
いて、パルス幅が１／２（５０％）のとき、発光管の輝
度は約８００〔ｆｔ−ｌ〕である。１／１つまり、アノ
ード電圧の連続印加状態では２倍の約１６００〔ｆｔ−
Ｌ〕になる。発光管の輝度が８００〔ｆｔ−Ｌ〕のとき
光源部の消費電力は約０．２５（Ｗ）であった。一方、
ＣＣＤセンサ２２１からは映像信号が出力され、表示デ
バイス駆動回路２２４のビデオアンプ４１に印加され、
表示デバイス２１４に画像が表示される。また、ビデオ
テープに記録された映像信号は再生回路２２５により再
生され、ビデオアンプ４１に印加される。２２２はビデ
オカメラ本体に取り付けられたバッテリーであり、発光
管電源回路２２３、表示デバイス駆動回路２２４および
再生回路２２５に電力を供給する。ＴＮ液晶表示パネル
を用いた従来のビューファインダで消費される電力は
１．０Ｗ強であったが、本発明のビューファインダで消
費される電力は０．３Ｗ強であり、消費電力は１／３に
低減した。
ビデオカメラにとりつけた状態の説明図である。ビュー
ファインダのボデー２０１は取り付け金具２０３により
ビデオ本体にとりつけられている。２１４は本発明の表
示デバイスであり、表示画面の対角長は約２８ｍｍ
（１．１インチ）である。２２４は主として（図４）に
示す駆動回路である。発光素子２１１としてミニパイロ
電機社製の発光管（ルナライト−０７シリーズ）を用い
た。発光管の直径は７ｍｍである。発光色は三波長タイ
プであり白色である。発光管へは発光管電源回路２２３
から電圧の供給を行う。発光管電源回路２２３は発光管
２１１へヒーター電圧２．５Ｖおよびアノード電圧１８
Ｖを供給する。両電圧は直流電圧である。発光管電源供
給回路はアノード電圧をパルス変調する回路を有してい
る。パルス周期は６０ヘルツにしている。アノードに印
加する電圧をパルス信号とすることにより、パルス幅に
比例して発光管２１１から放射される光量を可変でき
る。パルス幅はビデオ本体に取り付けられたボリウムを
回転させることにより０（０％）から１／１（１００
％）まで連続に変化させることができる。一実施例にお
いて、パルス幅が１／２（５０％）のとき、発光管の輝
度は約８００〔ｆｔ−ｌ〕である。１／１つまり、アノ
ード電圧の連続印加状態では２倍の約１６００〔ｆｔ−
Ｌ〕になる。発光管の輝度が８００〔ｆｔ−Ｌ〕のとき
光源部の消費電力は約０．２５（Ｗ）であった。一方、
ＣＣＤセンサ２２１からは映像信号が出力され、表示デ
バイス駆動回路２２４のビデオアンプ４１に印加され、
表示デバイス２１４に画像が表示される。また、ビデオ
テープに記録された映像信号は再生回路２２５により再
生され、ビデオアンプ４１に印加される。２２２はビデ
オカメラ本体に取り付けられたバッテリーであり、発光
管電源回路２２３、表示デバイス駆動回路２２４および
再生回路２２５に電力を供給する。ＴＮ液晶表示パネル
を用いた従来のビューファインダで消費される電力は
１．０Ｗ強であったが、本発明のビューファインダで消
費される電力は０．３Ｗ強であり、消費電力は１／３に
低減した。
【０１１２】なお、（図１５）においては投写レンズ系
をアパーチャを用いた光学系としたがこれに限定するも
のではなく、平行光を集光し遮光体で遮光し、散乱光を
スクリーンに投映する中心遮へい型の光学系を用いても
よいことは言うまでもない。
をアパーチャを用いた光学系としたがこれに限定するも
のではなく、平行光を集光し遮光体で遮光し、散乱光を
スクリーンに投映する中心遮へい型の光学系を用いても
よいことは言うまでもない。
【０１１３】また、本発明の表示デバイスにおいてスイ
ッチング素子としてはＴＦＴに限定するものではなく、
ダイオードなどの２端子素子をスイッチング素子として
用いてもよいことは明らかである。
ッチング素子としてはＴＦＴに限定するものではなく、
ダイオードなどの２端子素子をスイッチング素子として
用いてもよいことは明らかである。
【０１１４】また、（図１８）において１８５は反射型
の液晶パネルとしたが、これに限定するものではなく、
たとえば、光書き込み型の表示デバイスであってもよ
い。光書き込み型の表示デバイスとは光変調層と、入射
光を反射する誘電体ミラーおよびデバイスの裏面からの
書き込み光により抵抗率が変化する光伝導層を具備する
ものである。
の液晶パネルとしたが、これに限定するものではなく、
たとえば、光書き込み型の表示デバイスであってもよ
い。光書き込み型の表示デバイスとは光変調層と、入射
光を反射する誘電体ミラーおよびデバイスの裏面からの
書き込み光により抵抗率が変化する光伝導層を具備する
ものである。
【０１１５】また、本発明のビューファインダは、多く
の変形が考えられる。たとえば、集光レンズ２１３をフ
レネルレンズにしたもの、拡大レンズ２１６を２枚有す
るもの、表示デバイス２１４と拡大レンズ２１６間に回
折格子を配置したものなどが該当する。
の変形が考えられる。たとえば、集光レンズ２１３をフ
レネルレンズにしたもの、拡大レンズ２１６を２枚有す
るもの、表示デバイス２１４と拡大レンズ２１６間に回
折格子を配置したものなどが該当する。
【０１１６】また、本発明の表示デバイスは正極性を出
力するソースドライブＩＣと負極性を出力するソースド
ライブＩＣを用いて画素に高電圧を印加できるところに
特徴がある。本発明の実施例のように液晶パネルのみに
応用されることに限定するものではなくい。たとえば、
ＥＬ（Electro Luminescence）パネル、ＰＤＰ（Plasma
Display Panel）にも応用できることができることは言
うまでもない。
力するソースドライブＩＣと負極性を出力するソースド
ライブＩＣを用いて画素に高電圧を印加できるところに
特徴がある。本発明の実施例のように液晶パネルのみに
応用されることに限定するものではなくい。たとえば、
ＥＬ（Electro Luminescence）パネル、ＰＤＰ（Plasma
Display Panel）にも応用できることができることは言
うまでもない。
【０１１７】
【発明の効果】以上のように本発明の表示デバイスは、
正極性の信号を出力する第１のドライブ手段（ソースド
ライブＩＣ（Ｐ））と負極性の信号を出力する第２のド
ライブ手段（ソースドライブＩＣ（Ｍ））を具備するこ
とにより、容易に±１０（Ｖ）以上の光電圧を各画素に
印加することができる。したがって、表示画素数が３０
万画素以上と多くなり、ソースドライブＩＣの動作クロ
ックを高くする場合でも容易に本発明の表示デバイスの
ドライブＩＣ設計を行うことができる。
正極性の信号を出力する第１のドライブ手段（ソースド
ライブＩＣ（Ｐ））と負極性の信号を出力する第２のド
ライブ手段（ソースドライブＩＣ（Ｍ））を具備するこ
とにより、容易に±１０（Ｖ）以上の光電圧を各画素に
印加することができる。したがって、表示画素数が３０
万画素以上と多くなり、ソースドライブＩＣの動作クロ
ックを高くする場合でも容易に本発明の表示デバイスの
ドライブＩＣ設計を行うことができる。
【０１１８】液晶パネルに高分子分散液晶を用いる場
合、散乱透過光を少なくし、コントラストを高くするた
めには、液晶膜厚を厚くする必要があり、その際、１０
Ｖ以上の比較的高い電圧を液晶に印加しなければ透過状
態とならない。本発明の液晶パネルでは容易に高電圧駆
動を行えるから、高輝度表示かつ高コントラスト表示を
実現することができる。
合、散乱透過光を少なくし、コントラストを高くするた
めには、液晶膜厚を厚くする必要があり、その際、１０
Ｖ以上の比較的高い電圧を液晶に印加しなければ透過状
態とならない。本発明の液晶パネルでは容易に高電圧駆
動を行えるから、高輝度表示かつ高コントラスト表示を
実現することができる。
【０１１９】また、本発明の表示デバイスでは、１ゲー
ト信号線にオン電圧を印加することにより２行の画素列
に信号を書き込むことができる。したがって、ソースド
ライブＩＣ等の動作クロックを従来の１／２にすること
ができる。その上、前記２行のうち、１行の画素列に正
極性信号を、他の１行の画素列に負極性信号を書き込む
が、これは１Ｈ反転反転駆動を実現していることにな
る。１Ｈ反転駆動は、表示領域の輝度傾斜およびフリッ
カ等が発生せず、高品位表示を実現できる。ゆえに、従
来と比較して動作クロックが１／２でかつ容易に１Ｈ反
転駆動の高品位表示が実現できる。
ト信号線にオン電圧を印加することにより２行の画素列
に信号を書き込むことができる。したがって、ソースド
ライブＩＣ等の動作クロックを従来の１／２にすること
ができる。その上、前記２行のうち、１行の画素列に正
極性信号を、他の１行の画素列に負極性信号を書き込む
が、これは１Ｈ反転反転駆動を実現していることにな
る。１Ｈ反転駆動は、表示領域の輝度傾斜およびフリッ
カ等が発生せず、高品位表示を実現できる。ゆえに、従
来と比較して動作クロックが１／２でかつ容易に１Ｈ反
転駆動の高品位表示が実現できる。
【０１２０】本発明の液晶投写型テレビは、本発明の高
分子分散液晶を光変調層とする表示デバイスを用いるこ
とにより、光利用効率を２倍以上に向上されている。コ
ントラストも２００：１以上を実現できる。したがっ
て、表示デバイス等での光吸収による劣化もなく、高輝
度、高コントラストの画像表示を実現している。当然の
ことながら偏光板も用いないから偏光板の劣化等偏光板
に関する問題点は発生しない。
分子分散液晶を光変調層とする表示デバイスを用いるこ
とにより、光利用効率を２倍以上に向上されている。コ
ントラストも２００：１以上を実現できる。したがっ
て、表示デバイス等での光吸収による劣化もなく、高輝
度、高コントラストの画像表示を実現している。当然の
ことながら偏光板も用いないから偏光板の劣化等偏光板
に関する問題点は発生しない。
【０１２１】本発明のビューファインダは、発光素子の
小さな発光体から広い立体角に放射される光を集光レン
ズで平行に近く指向性の狭い光に変換し、表示デバイス
で変調して画像を表示するため、消費電力が少なく、輝
度むらも少なくなる。表示デバイスの光変調層として高
分子分散液晶を用いれば、ＴＮ液晶を用いた表示デバイ
スに比較して消費電力をさらに低減できる。本発明のビ
ューファインダをビデオカメラに装着して用いれば、消
費電力が少なく、連続使用時間を大幅に長くすることが
できる。
小さな発光体から広い立体角に放射される光を集光レン
ズで平行に近く指向性の狭い光に変換し、表示デバイス
で変調して画像を表示するため、消費電力が少なく、輝
度むらも少なくなる。表示デバイスの光変調層として高
分子分散液晶を用いれば、ＴＮ液晶を用いた表示デバイ
スに比較して消費電力をさらに低減できる。本発明のビ
ューファインダをビデオカメラに装着して用いれば、消
費電力が少なく、連続使用時間を大幅に長くすることが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の表示デバイスの一実施例に係る構成図
【図２】本発明の表示デバイスの一実施例に係る構成図
【図３】本発明の表示デバイスの断面図
【図４】本発明の表示デバイスの駆動回路のブロック図
【図５】本発明の表示デバイスの駆動回路の一部回路図
【図６】本発明の表示デバイスのソースドライブＩＣの
出力波形図
出力波形図
【図７】本発明の表示デバイスの一実施例に係る構成図
【図８】本発明の表示デバイスの一実施例に係る構成図
【図９】本発明の表示デバイスの一実施例に係る構成図
【図１０】本発明の表示デバイスの一実施例に係る構成
図
図
【図１１】本発明の表示デバイスの一実施例に係る構成
図
図
【図１２】本発明の表示デバイスの一実施例に係る構成
図
図
【図１３】本発明の表示デバイスの一実施例に係る構成
図
図
【図１４】高分子分散液晶パネルの動作の説明図
【図１５】本発明の液晶投写型テレビの一実施例に係る
構成図
構成図
【図１６】本発明の表示デバイスの他の実施例における
断面図
断面図
【図１７】本発明の表示デバイスの入射波長と反射率と
の特性図
の特性図
【図１８】本発明の他の実施例における液晶投写型テレ
ビの構成図
ビの構成図
【図１９】本発明の他の実施例における液晶投写型テレ
ビの構成図
ビの構成図
【図２０】本発明のビューファインダの外観図
【図２１】本発明のビューファインダの断面図
【図２２】本発明のビューファインダを取り付けたビデ
オカメラの構成図
オカメラの構成図
【図２３】従来の表示デバイスの一実施例に係る構成図
【図２４】従来の表示デバイスのソースドライブＩＣの
出力波形図
出力波形図
【図２５】従来の表示デバイスの駆動回路のブロック図
【図２６】液晶パネルの印加電圧−光透過量の関係図
１１、１２ ソースドライブＩＣ １３、１４、７１ ゲートドライブＩＣ ３１、１６１ アレイ基板 ３２、１６２ 対向基板 ３３ 画素電極 ３４ ＴＦＴ ３５、１６７ 対向電極 ３７ 高分子分散液晶 ３６ ブラックマトリックス ４２ 位相分割回路 ４３ 液晶パネル ６１、６２ ソースドライブＩＣの出力波形 １２１、１２２ 切り換えスイッチ回路 １２３ インバータ素子 １４１ ポリマー １４２ 水滴状液晶 １５１ 集光光学系 １５２、１８２ｃ，１９４ ＵＶＩＲカットフィルタ １５３ａ、１５３ｂ、１５３ｃ、１８４ａ、１８４ｂ、
１８４ｃ、１９５ａ、１９５ｂ、１９５ｃ ダイクロイ
ックミラー １５４ａ、１５４ｂ、１５４ｃ 高分子分散液晶パネル １５５ａ、１５５ｂ、１５５ｃ、１５７ａ、１５７ｂ、
１５７ｃ レンズ １５６ａ、１５６ｂ、１５６ｃ アパーチャ １６５ 絶縁層 １６６ 反射電極 １６４ コンタクト部 １８５ａ、１８５ｂ、１８５ｃ、１９７Ｒ、１９７Ｇ、
１９７Ｂ、２１４ 表示デバイス １８３、１９３ａ、１９３ｂ、１９３ｃ ミラー １８２ａ ランプ １８２ｂ 凹面鏡 １８１ 投写レンズ ２０１ ボデー ２０２ 接眼カバー ２０３ 取り付け金具 ２１１ 発光素子 ２１２ アパーチャ ２１３ 集光レンズ ２１６ 拡大レンズ
１８４ｃ、１９５ａ、１９５ｂ、１９５ｃ ダイクロイ
ックミラー １５４ａ、１５４ｂ、１５４ｃ 高分子分散液晶パネル １５５ａ、１５５ｂ、１５５ｃ、１５７ａ、１５７ｂ、
１５７ｃ レンズ １５６ａ、１５６ｂ、１５６ｃ アパーチャ １６５ 絶縁層 １６６ 反射電極 １６４ コンタクト部 １８５ａ、１８５ｂ、１８５ｃ、１９７Ｒ、１９７Ｇ、
１９７Ｂ、２１４ 表示デバイス １８３、１９３ａ、１９３ｂ、１９３ｃ ミラー １８２ａ ランプ １８２ｂ 凹面鏡 １８１ 投写レンズ ２０１ ボデー ２０２ 接眼カバー ２０３ 取り付け金具 ２１１ 発光素子 ２１２ アパーチャ ２１３ 集光レンズ ２１６ 拡大レンズ
Claims (21)
- 【請求項１】所定電位に対し正極性の信号を出力する第
１の駆動手段と、前記所定電位に対し負極性の信号を出
力する第２の駆動手段と、画素電極がマトリックス状に
配置された基板とを具備し、前記第１の駆動手段の出力
信号と前記第２の駆動手段の出力信号のうち一方を選択
して、前記画素電極に入力できるように構成されている
ことを特徴とする表示デバイス。 - 【請求項２】１つの画素電極に少なくとも第１と第２の
スイッチング素子が配置され、前記第１のスイッチング
素子の一端子と第１の駆動手段の出力信号の出力端子が
第１の信号線により電気的に接続され、かつ、前記第１
の駆動手段の出力信号が前記画素電極に入力できるよう
に構成され、前記第２のスイッチング素子の一端子と第
２の駆動手段の信号出力端子が第２の信号線により電気
的に接続され、かつ、前記第２の駆動手段の出力信号が
前記画素電極に入力できるように構成されていることを
特徴とする請求項１記載の表示デバイス。 - 【請求項３】画素電極に信号を入力するスイッチング素
子が入力され、第１および第２の駆動手段の第１の信号
出力端子列、第１の信号入力端子と出力端子間をローイ
ンピーダンス状態とハイインピーダンス状態にできる第
１の切り換え手段と、第２の駆動手段の第３の信号の出
力端子側に、第２の信号出力端子間をローインピーダン
ス状態とハイインピーダンス状態にできる第２の切り換
え手段とを具備し、前記第１の駆動手段の第１の信号出
力端子と前記第１の切り換え出段の第１の信号の入力端
子が電気的に接続され、前記第２の駆動手段の第３の信
号出力端子と前記第２の切り換え手段の第２の信号の入
力端子が電気的に接続され、かつ、前記第１の切り換え
手段の第２の信号出力端子と前記第２の切り換え手段の
第４の信号出力端子間が信号線により電気的に接続され
ており、かつ、第１の切り換え手段の第１の信号入力端
子と第２の信号の出力端子間と、第２の切り換え手段の
第２の信号入力端子と第４の信号出力端子間が同時にロ
ーインピーダンス状態にならないように制御されてお
り、かつ、前記スイッチング素子の一端子が前記信号線
と電気的に接続されていることを特徴とする請求項１記
載の表示デバイス。 - 【請求項４】対向電極が形成された第１の基板と、マト
リックス状に配置された画素電極と前記画素電極に信号
を入力するトランジスタ素子が形成された第２の基板間
に、液晶を狭持させたアクティブマトリックス型液晶パ
ネルと、前記対向電極の電位に対し、正極性の信号を出
力する第１の駆動手段と、前記対向電極の電位に対し、
負極性の信号を出力する第２の駆動手段とを具備し、前
記画素電極に、少なくとも第１と第２のトランジスタ素
子が形成され、かつ、前記第１のトランジスタ素子の第
１の端子が第１の信号線に接続され、かつ、前記第１の
信号線の一端が第１の駆動手段の信号の出力端子と電気
的に接続され、前記第２のトランジスタ素子の第１の端
子が第２の信号線に接続され、かつ前記第２の信号線の
一端が第２の駆動手段の信号の出力端子と電気的に接続
され、かつ、第１と第２のトランジスタ素子の第２の端
子が相異なるゲート信号線に接続され、第１と第２のト
ランジスタ素子の第３の端子が同一の画素電極に接続さ
れていることを特徴とする表示デバイス。 - 【請求項５】対向電極が形成された第１の基板と、マト
リックス状に配置された画素電極と前記画素電極に信号
を入力するトランジスタ素子が形成された第２の基板間
に、液晶を狭持させたアクティブマトリックス型液晶パ
ネルと、前記対向電極の電位に対し、正極性の信号を出
力する第１の駆動手段と、前記対向電極の電位に対し、
負極性の信号を出力する第２の駆動手段と、第１の駆動
手段の第１の信号出力端子側に、第１の信号出力端子と
第２の信号出力端子間をローインピーダンス状態とハイ
インピーダンス状態にできる第１の切り換え手段と、第
２の駆動手段の第３の信号出力端子側に、第２の信号入
力端子と第４の信号出力端子間をローインピーダンス状
態とハイインピーダンス状態にできる第２の切り換え手
段とを具備し、前記第１の駆動手段の第１の信号出力端
子と前記第１の切り換え手段の第１の信号入力端子が電
気的に接続され、前記第２の駆動手段の第３の信号出力
端子と前記第２の切り換え手段の第２の信号入力端子が
電気的に接続され、かつ、前記第１の切り換え手段の第
２の信号出力端子と、前記第２の切り換え手段の第４の
信号出力端子間が信号線により電気的に接続されてお
り、かつ、第１の切り換え手段の第１の信号入力端子と
第２の信号出力端子間と、第２の切り換え手段の第２の
信号入力端子と第４の信号出力端子間が、同時にローイ
ンピーダンス状態にならないように制御されており、前
記トランジスタ素子の−端子が前記信号線と電気的に接
続されていることを特徴とする表示デバイス。 - 【請求項６】画素電極Ｐi j（ただし、ｉ、ｊは整数で
あり、ｉは行を、ｊは列を示す）に信号を入力するトラ
ンジスタ素子が接続された第２の信号線と、画素電極Ｐ
i j+1に信号を入力するトランジスタ素子が接続された
第２の信号線とが異なり、かつ、画素電極Ｐi jに信号
を入力するトランジスタ素子が接続された第１の信号線
と、画素電極Ｐi+1jに信号を入力するトランジスタ素子
が接続された第１の信号線と異なっていることを特徴と
する請求項４記載の表示デバイス。 - 【請求項７】画素電極Ｐi j（ただし、ｉ、ｊは整数で
あり、ｉは行を、ｊは列を示す）に信号を入力するトラ
ンジスタ素子が接続された第１および第２の信号線と、
画素電極Ｐi j+1に信号を入力するトランジスタ素子が
接続された第１および第２のの信号線とが異なる信号線
であり、かつ、画素電極Ｐi jに信号を入力する複数の
トランジスタ素子のうち少なくとも１つのトランジスタ
素子が、画素電極Ｐi j+1に信号を入力する複数のトラ
ンジスタ素子のうち少なくとも１つのトランジスタ素子
とが同一のゲート信号線に接続されていることを特徴と
する請求項４記載の表示デバイス。 - 【請求項８】画素電極Ｐi j（ただし、ｉ、ｊは整数で
あり、ｉは行を、ｊは列を示す）に信号を入力する第１
のトランジスタ素子の第１の端子と、画素電極Ｐi j+1
に信号を入力する第１のトランジスタ素子の第１の端子
とが、第１の信号線と電気的に接続され、画素電極Ｐ
i jに画素を入力する第２のトランジスタ素子の第１の
端子と、画素電極Pi j-1に信号を入力する第２のトラン
ジスタ素子の第１の端子とが、第２の信号線と電気的に
接続されていることを特徴とする請求項４記載の表示デ
バイス。 - 【請求項９】液晶は高分子分散液晶であることを特徴と
する請求項４または請求項５記載の表示デバイス。 - 【請求項１０】画素電極と、画素電極と絶縁体膜を介し
て配置されている共通電極により付加コンデンサが形成
されていることを特徴とする請求項４記載の表示デバイ
ス。 - 【請求項１１】対向電極は、透明導電性薄膜と、前記薄
膜と接する第１の薄膜から構成され、前記透明導電性薄
膜の光学的膜厚が略λ／２（λは液晶に入射する光のピ
ーク波長）であり、前記第１の薄膜の光学的膜厚が略λ
／４であり、前記透明導電性薄膜の屈折率をｎ1、第１
の薄膜の屈折率をｎ2としたとき、ｎ1＞ｎ2なる関係が
あることを特徴とする請求項４または請求項５記載の表
示デバイス。 - 【請求項１２】液晶パネルにモザイク状のカラーフィル
タが取り付けられていることを特徴とする請求項４また
は請求項５記載の表示デバイス。 - 【請求項１３】第１の薄膜は、酸化アルミニウム、酸化
イットリウム、一酸化シリコン、酸化マグネシウム、酸
化タングステン、弗化セリウム、弗化鉛のうちいずれか
であることを特徴とする請求項１１記載の表示デバイ
ス。 - 【請求項１４】高分子分散液晶の水滴状液晶の平均粒子
径もしくはポリマーネットワークの平均孔径が０．８μ
ｍ以上３．０μｍ以下であることを特徴とする請求項９
記載の表示デバイス。 - 【請求項１５】高分子分散液晶の膜厚は５μｍ以上であ
ることを特徴とする請求項９記載の表示デバイス。 - 【請求項１６】発光素子と、前記発光素子から放射され
る光を略平行光に変換する集光手段と、前記集光手段か
らの出射光を変調する表示デバイスと、前記表示デバイ
スの表示画像を拡大する拡大表示手段とを具備し、前記
表示デバイスとして請求項１、請求項４、請求項５のい
ずれかに記載の表示デバイスを用い、前記発光素子から
出て集光手段の有効領域に入射し、前記表示デバイスを
直進する光が観察者の瞳に到達するようにしたことを特
徴とする表示装置。 - 【請求項１７】集光レンズは平凸レンズであり、レンズ
の平面部を発光素子側に向けて配置されていることを特
徴とする請求項１６記載の表示装置。 - 【請求項１８】観察者の視点位置を略固定できる接眼カ
バーが拡大表示手段と観察者間に配置されていることを
特徴とする請求項１６記載の表示装置。 - 【請求項１９】光源と、前記光源からの出射光を複数色
の光に分離する色分離光学系と、前記色分離光学系で分
離された光ごとに配置された表示デバイスと、前記表示
デバイスで変調された光を拡大投映する投写レンズとを
具備じ、前記表示デバイスとして請求項１、請求項４、
請求項５のいずれかに記載の表示デバイスを用いること
を特徴とする表示装置。 - 【請求項２０】表示デバイスの光の出力側に複数色の光
を同一光路に合成する色合成光学系が配置されているこ
とを特徴とする請求項１９記載の表示装置。 - 【請求項２１】光源と、表示デバイスと、前記光源から
の出射光を複数色の光に分離する機能と前記表示デバイ
スで変調された光を同一光路に合成する機能を有する色
分離色合成光学系と、前記同一光路に合成した光を拡大
投映する投写レンズとを具備し、前記表示デバイスとし
て請求項１、請求項４、請求項５のいずれかに記載の表
示デバイスを用い、前記投写レンズ内にミラーが配置さ
れ、かつ前記ミラーに光源からの出射光が集光され前記
表示デバイスに導かれていることを特徴とする表示装
置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JPH05273522A true JPH05273522A (ja) | 1993-10-22 |
Family
ID=11496177
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP4347976A Pending JPH05273522A (ja) | 1992-01-08 | 1992-12-28 | 表示デバイスおよびそれを用いた表示装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
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| US (1) | US5436635A (ja) |
| JP (1) | JPH05273522A (ja) |
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