JPH05261920A - インクジェットプリントヘッド及びその製造方法 - Google Patents
インクジェットプリントヘッド及びその製造方法Info
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- JPH05261920A JPH05261920A JP6172692A JP6172692A JPH05261920A JP H05261920 A JPH05261920 A JP H05261920A JP 6172692 A JP6172692 A JP 6172692A JP 6172692 A JP6172692 A JP 6172692A JP H05261920 A JPH05261920 A JP H05261920A
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- Japan
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- print head
- single crystal
- wafer
- ink
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- Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】シリコン等の単結晶基板を用いたプリントヘッ
ド及びその製造方法に関し、単結晶基板からの切断精度
を高め印字品質の安定を図ることを目的とする。 【構成】単結晶ウェハー（１）の表面に、インク滴を噴
出するノズル（６）、インク滴を噴出させる圧力を発生
させる圧力室（３）とインクを供給する供給路（２）を
連通してなる複数のインク経路溝を有する複数のプリン
トヘッドパターンをエッチングにより形成する。同時
に、裏面にプリントヘッドパターンの各々に対応して切
断溝（９）を形成する。振動板ウェハー（５）を単結晶
ウェハー（１）に張り合わせ、次いで、切断溝（９）に
沿って一のプリントヘッドパターンを有する単結晶基板
（１０）及び振動板（５０）を切り出す。
ド及びその製造方法に関し、単結晶基板からの切断精度
を高め印字品質の安定を図ることを目的とする。 【構成】単結晶ウェハー（１）の表面に、インク滴を噴
出するノズル（６）、インク滴を噴出させる圧力を発生
させる圧力室（３）とインクを供給する供給路（２）を
連通してなる複数のインク経路溝を有する複数のプリン
トヘッドパターンをエッチングにより形成する。同時
に、裏面にプリントヘッドパターンの各々に対応して切
断溝（９）を形成する。振動板ウェハー（５）を単結晶
ウェハー（１）に張り合わせ、次いで、切断溝（９）に
沿って一のプリントヘッドパターンを有する単結晶基板
（１０）及び振動板（５０）を切り出す。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プリンタやファクシミ
リ装置等に適用されるインクジェットプリントヘッド、
特にシリコン等の単結晶基板を用いたプリントヘッド及
びその製造方法に関する。
リ装置等に適用されるインクジェットプリントヘッド、
特にシリコン等の単結晶基板を用いたプリントヘッド及
びその製造方法に関する。
【０００２】かかるインクジェット方式により印字また
は画像記録を行うプリンタは、広く普及しつつあるが、
そこに用いられるプリントヘッドは、特に構造が簡単
で、装置の小型化を可能とし、且つ製造精度が高く従っ
て信頼性が高いことが要求される。
は画像記録を行うプリンタは、広く普及しつつあるが、
そこに用いられるプリントヘッドは、特に構造が簡単
で、装置の小型化を可能とし、且つ製造精度が高く従っ
て信頼性が高いことが要求される。
【０００３】
【従来の技術】図２は、本発明の対象とするプリントヘ
ッドの構造説明図である。図２（１）は、プリントヘッ
ドの平面図であり、図２（２）は、平面図の破線に沿う
部分の断面図である。
ッドの構造説明図である。図２（１）は、プリントヘッ
ドの平面図であり、図２（２）は、平面図の破線に沿う
部分の断面図である。
【０００４】１０は、プリントヘッド基板であり、これ
に、プリントヘッドを構成する複数のインク経路溝が形
成されている。各インク経路溝は、インク供給路２、圧
力室３及びインク滴を放出するノズル６を有する。
に、プリントヘッドを構成する複数のインク経路溝が形
成されている。各インク経路溝は、インク供給路２、圧
力室３及びインク滴を放出するノズル６を有する。
【０００５】プリントヘッド基板１０のインク経路溝が
形成されている面上には振動板５０が張り合わされてい
る。この振動板の圧力室３に対応する位置にピエゾ等の
圧力素子４が設けられている。
形成されている面上には振動板５０が張り合わされてい
る。この振動板の圧力室３に対応する位置にピエゾ等の
圧力素子４が設けられている。
【０００６】ピエゾ素子４には図示しない制御回路か
ら、印字制御信号である電圧が印加される。従って、印
字制御信号が印加されるとピエゾ素子４に対応する振動
板５０の位置に圧力が加わる。
ら、印字制御信号である電圧が印加される。従って、印
字制御信号が印加されるとピエゾ素子４に対応する振動
板５０の位置に圧力が加わる。
【０００７】この結果、振動板５０に加わる圧力により
圧力室３の容積が小さくなり、圧力室３内のインクがノ
ズル６に押し出される。押し出されたインクは、ノズル
６からインク滴となり噴出される。
圧力室３の容積が小さくなり、圧力室３内のインクがノ
ズル６に押し出される。押し出されたインクは、ノズル
６からインク滴となり噴出される。
【０００８】図３は、かかる構成のプリントヘッドの一
製造方法を説明する図である。図において、１は単結晶
ウェハー例えば結晶方位（１００）のシリコンウェハー
である。
製造方法を説明する図である。図において、１は単結晶
ウェハー例えば結晶方位（１００）のシリコンウェハー
である。
【０００９】シリコンウェハー１の表面には、通常の半
導体製造に用いられる技術により二酸化シリコン（SiO
2）の酸化膜８により複数のプリントヘッドのマスクパ
ターン７が形成される（図３（２）断面図）。ここで図
３（２）断面図は、図３（１）の破線部分の断面の一部
を示している。
導体製造に用いられる技術により二酸化シリコン（SiO
2）の酸化膜８により複数のプリントヘッドのマスクパ
ターン７が形成される（図３（２）断面図）。ここで図
３（２）断面図は、図３（１）の破線部分の断面の一部
を示している。
【００１０】次いで、水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液
等の異方性エッチング液を用いて、酸化膜８に覆われて
いない部分をエッチングする。水酸化カリウム（ＫＯ
Ｈ）水溶液等の異方性エッチング液は、（１１１）面に
対しては、エッチング速度が他の面と比較して非常にお
そい。従って、結晶方位（１００）のシリコンウェハー
１の表面に対し、約５５°の傾斜角を持ったＶ字型の溝
３が作られる（図３（３）断面図）。
等の異方性エッチング液を用いて、酸化膜８に覆われて
いない部分をエッチングする。水酸化カリウム（ＫＯ
Ｈ）水溶液等の異方性エッチング液は、（１１１）面に
対しては、エッチング速度が他の面と比較して非常にお
そい。従って、結晶方位（１００）のシリコンウェハー
１の表面に対し、約５５°の傾斜角を持ったＶ字型の溝
３が作られる（図３（３）断面図）。
【００１１】次いで、シリコンウェハー１のエッチング
した面に振動板ウェハー５が張り合わされる。その後ダ
イシングソー等を使用して、機械的位置合わせにより、
各々のプリントヘッドに切り離される。
した面に振動板ウェハー５が張り合わされる。その後ダ
イシングソー等を使用して、機械的位置合わせにより、
各々のプリントヘッドに切り離される。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】かかる図３に示す方法
では、ダイシングソー等を使用して、各々のプリントヘ
ッドに切り離す際にシリコンウェハー１或いは振動板ウ
ェハー５のいずれにも、切断位置が示されていない。こ
の結果、切断精度が低くなる。
では、ダイシングソー等を使用して、各々のプリントヘ
ッドに切り離す際にシリコンウェハー１或いは振動板ウ
ェハー５のいずれにも、切断位置が示されていない。こ
の結果、切断精度が低くなる。
【００１３】特に、インク滴の噴出の状態は、ノズル６
の長さの精度に直接関係する。このため図３の製造方法
により得られるプリントヘッドを用いて、印字品質の安
定した高品位の印字を行うことが困難となる。
の長さの精度に直接関係する。このため図３の製造方法
により得られるプリントヘッドを用いて、印字品質の安
定した高品位の印字を行うことが困難となる。
【００１４】本発明は、かかる問題を解決するインクジ
ェットプリントヘッド及びその製造方法を提供すること
を目的とする。
ェットプリントヘッド及びその製造方法を提供すること
を目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】かかる本発明の目的を達
成するため、本発明に従うプリントヘッドは、インク滴
を噴出するノズル６、このノズル６よりインク滴を噴出
させる圧力を発生させる圧力室３とこの圧力室３にイン
クを供給する供給路２を連通してなる複数のインク経路
溝を有するプリントヘッドパターンが表面にエッチング
により形成された単結晶基板１０とその表面上に張り合
わされた振動板５０を有している。
成するため、本発明に従うプリントヘッドは、インク滴
を噴出するノズル６、このノズル６よりインク滴を噴出
させる圧力を発生させる圧力室３とこの圧力室３にイン
クを供給する供給路２を連通してなる複数のインク経路
溝を有するプリントヘッドパターンが表面にエッチング
により形成された単結晶基板１０とその表面上に張り合
わされた振動板５０を有している。
【００１６】この単結晶基板１０及び振動板５０は、そ
れぞれ単結晶ウェハー１及び振動板ウェハー５より切り
出されたものであり、単結晶基板１０の裏面に対応す
る、単結晶ウェハー１の裏面に形成された切断溝９に沿
って切り出される点に特徴を有する。
れぞれ単結晶ウェハー１及び振動板ウェハー５より切り
出されたものであり、単結晶基板１０の裏面に対応す
る、単結晶ウェハー１の裏面に形成された切断溝９に沿
って切り出される点に特徴を有する。
【００１７】更に、本発明のプリントヘッドの製造方法
に従うと、単結晶ウェハー１の表面に、インク滴を噴出
するノズル６、このノズル６よりインク滴を噴出させる
圧力を発生させる圧力室３と圧力室３にインクを供給す
る供給路２を連通してなる複数のインク経路溝を有する
複数のプリントヘッドパターンをエッチングにより形成
する。
に従うと、単結晶ウェハー１の表面に、インク滴を噴出
するノズル６、このノズル６よりインク滴を噴出させる
圧力を発生させる圧力室３と圧力室３にインクを供給す
る供給路２を連通してなる複数のインク経路溝を有する
複数のプリントヘッドパターンをエッチングにより形成
する。
【００１８】同時に、単結晶ウェハー１の裏面に複数の
プリントヘッドパターンの各々に対応して切断溝９を形
成する。
プリントヘッドパターンの各々に対応して切断溝９を形
成する。
【００１９】次いで、振動板ウェハー５を単結晶ウェハ
ー１の表面上に張り合わせ、切断溝９に沿って一のプリ
ントヘッドパターンを有する単結晶基板１０及び振動板
５０を切り出すことを特徴とする。
ー１の表面上に張り合わせ、切断溝９に沿って一のプリ
ントヘッドパターンを有する単結晶基板１０及び振動板
５０を切り出すことを特徴とする。
【００２０】
【作用】本発明では、表面に複数のプリントヘッドパタ
ーンが形成された単結晶ウェハー１の裏面にこのプリン
トヘッドパターンに対応して切断溝９が形成される。
ーンが形成された単結晶ウェハー１の裏面にこのプリン
トヘッドパターンに対応して切断溝９が形成される。
【００２１】各プリントヘッドを単結晶ウェハー１から
切りはなす際、その裏面に形成された切断溝９に沿って
切断される。従って、切断溝９により切断位置は明瞭で
あるので切断精度も高くすることが可能である。
切りはなす際、その裏面に形成された切断溝９に沿って
切断される。従って、切断溝９により切断位置は明瞭で
あるので切断精度も高くすることが可能である。
【００２２】
【実施例】図１は、本発明の一実施例である。図におい
て、図２、図３と同一または類似する部分には同一の番
号を付している。
て、図２、図３と同一または類似する部分には同一の番
号を付している。
【００２３】本発明の実施例では、単結晶ウェハーとし
てシリコンウェハーを用いる。１が、シリコンウェハー
で有り、その結晶方位は（１００）である。シリコンウ
ェハー１は、後に説明するマスクパターンの精度を高め
るために、その表裏両面とも鏡面研磨されていることが
望ましい。
てシリコンウェハーを用いる。１が、シリコンウェハー
で有り、その結晶方位は（１００）である。シリコンウ
ェハー１は、後に説明するマスクパターンの精度を高め
るために、その表裏両面とも鏡面研磨されていることが
望ましい。
【００２４】鏡面研磨されたシリコンウェハー１の表裏
両面は、ＳｉＯ2 膜が熱酸化或いはスパッタ法等を用い
て付けられる。次いで、ＳｉＯ2 膜表面にレジストをス
ピンコート等により塗布する。
両面は、ＳｉＯ2 膜が熱酸化或いはスパッタ法等を用い
て付けられる。次いで、ＳｉＯ2 膜表面にレジストをス
ピンコート等により塗布する。
【００２５】レジストの塗布されたシリコンウェハー１
の一表面からノズル６、圧力室３及び供給路２を描いた
マスクパターン７を複数有するマスクを通して露光する
（図１（１））。本発明の実施例では、シリコンウェハ
ー１は、４〜６インチ径を用いると１０〜９０個のマス
クパターン７が露光できる。
の一表面からノズル６、圧力室３及び供給路２を描いた
マスクパターン７を複数有するマスクを通して露光する
（図１（１））。本発明の実施例では、シリコンウェハ
ー１は、４〜６インチ径を用いると１０〜９０個のマス
クパターン７が露光できる。
【００２６】一方、レジストの塗布されたシリコンウェ
ハー１の裏面からは、切断位置を示すマスクパターン９
を描いたマスクを通して露光される。
ハー１の裏面からは、切断位置を示すマスクパターン９
を描いたマスクを通して露光される。
【００２７】マスクパターン７とマスクパターン９の露
光は、市販されている両面露光機を用いると、両面同時
に露光が可能である。
光は、市販されている両面露光機を用いると、両面同時
に露光が可能である。
【００２８】この際、マスクパターン７とマスクパター
ン９はマーク（図１（２）のｘ）を基準として位置合わ
せを行う。即ち、マスクパターン９の切断位置は、シリ
コンウェハー１の＜１１０＞方向に沿って格子状に形成
されるようにする。
ン９はマーク（図１（２）のｘ）を基準として位置合わ
せを行う。即ち、マスクパターン９の切断位置は、シリ
コンウェハー１の＜１１０＞方向に沿って格子状に形成
されるようにする。
【００２９】更に、マスクパターン７は、ノズル６がマ
スクパターン９の切断位置に垂直に交差するように位置
される。図１（３）は、この関係を示したものであり、
マスクパターン９で形成される格子区切内のシリコン基
板１０にマスクパターン７がそのノズル６が格子に垂直
となるように位置づけられている。
スクパターン９の切断位置に垂直に交差するように位置
される。図１（３）は、この関係を示したものであり、
マスクパターン９で形成される格子区切内のシリコン基
板１０にマスクパターン７がそのノズル６が格子に垂直
となるように位置づけられている。
【００３０】次いで、露光されたＳｉＯ2 膜部分は、フ
ッ酸等の現像液により除去される。これによりマスクパ
ターン７及び９に対応してシリコンウェハー１が露出す
る。
ッ酸等の現像液により除去される。これによりマスクパ
ターン７及び９に対応してシリコンウェハー１が露出す
る。
【００３１】この後、水酸化カリウム（ＫＯＨ）等の異
方性エッチング液を用いてシリコンウェハー１のエッチ
ングを行う。異方性エッチング液は、（１１１）面に対
しては、エッチング速度が他の面より非常におそい。
方性エッチング液を用いてシリコンウェハー１のエッチ
ングを行う。異方性エッチング液は、（１１１）面に対
しては、エッチング速度が他の面より非常におそい。
【００３２】従って、シリコンウェハー１の面に対し約
５５°の傾斜角を持ったＶ字型の溝（図１（１）の破線
に沿う断面の一部を示す図１（４）の３及び９）がシリ
コンウェハー１の表裏両面に生じる。
５５°の傾斜角を持ったＶ字型の溝（図１（１）の破線
に沿う断面の一部を示す図１（４）の３及び９）がシリ
コンウェハー１の表裏両面に生じる。
【００３３】シリコンウェハー１の裏面の処理は、露光
されたＳｉＯ2 膜をフッ酸等のエッチング液により除去
するだけとすることも可能である。何故ならば、シリコ
ンウェハー１とＳｉＯ2 膜の色が異なるので、切断位置
を示すマスクパターン９を区別することが可能である。
されたＳｉＯ2 膜をフッ酸等のエッチング液により除去
するだけとすることも可能である。何故ならば、シリコ
ンウェハー１とＳｉＯ2 膜の色が異なるので、切断位置
を示すマスクパターン９を区別することが可能である。
【００３４】尚、異方性エッチング液の代わりに等方性
エッチング液を用いて、エッチングを行い溝を形成する
ことも、本発明の本質を離れるものではない。この場合
は、溝はＶ型ではなくＵ型に近い形状になる。
エッチング液を用いて、エッチングを行い溝を形成する
ことも、本発明の本質を離れるものではない。この場合
は、溝はＶ型ではなくＵ型に近い形状になる。
【００３５】Ｖ型溝の形成の後、振動板となる振動板ウ
ェハー５がシリコンウェハー１の表面、即ち、マスクパ
ターン７が形成される側に張り合わされる（図１
（４））。本発明の実施例では、振動板ウェハー５も同
様にシリコンウェハーを用いている。
ェハー５がシリコンウェハー１の表面、即ち、マスクパ
ターン７が形成される側に張り合わされる（図１
（４））。本発明の実施例では、振動板ウェハー５も同
様にシリコンウェハーを用いている。
【００３６】図１（５）及び（６）は、振動板ウェハー
５がシリコンウェハー１に張り合わされた状態の表面と
裏面である。図１（５）に示す振動板ウェハー５の表面
には、図３の場合と同様にマスクパターン７の位置は示
されない。
５がシリコンウェハー１に張り合わされた状態の表面と
裏面である。図１（５）に示す振動板ウェハー５の表面
には、図３の場合と同様にマスクパターン７の位置は示
されない。
【００３７】一方、図１（６）に示されるように、本発
明により、シリコンウェハー１の裏面には切断位置を示
すマスクパターン９に対応する格子状の溝が形成されて
いる。前記したように、シリコンウェハー１の裏面のエ
ッチングを行わない場合であっても、マスクパターン９
は、シリコンウェハー１とＳｉＯ2 膜との色の違いによ
り識別が可能である。
明により、シリコンウェハー１の裏面には切断位置を示
すマスクパターン９に対応する格子状の溝が形成されて
いる。前記したように、シリコンウェハー１の裏面のエ
ッチングを行わない場合であっても、マスクパターン９
は、シリコンウェハー１とＳｉＯ2 膜との色の違いによ
り識別が可能である。
【００３８】従って、このマスクパターン９に沿ってシ
リコンウェハー１及び振動板ウェハー５を切断すること
により、個々のマスクパターン７を精度良く切り出すこ
とが可能である。これにより、図２に示す本発明の対象
とするプリントヘッドが完成される。
リコンウェハー１及び振動板ウェハー５を切断すること
により、個々のマスクパターン７を精度良く切り出すこ
とが可能である。これにより、図２に示す本発明の対象
とするプリントヘッドが完成される。
【００３９】特に、マスクパターン９は、シリコンウェ
ハー１の＜１１０＞方向に沿って形成され、シリコンウ
ェハー１の劈開方向と一致するので、ナイフ等により切
り傷を入れるだけで容易に切断が可能である。
ハー１の＜１１０＞方向に沿って形成され、シリコンウ
ェハー１の劈開方向と一致するので、ナイフ等により切
り傷を入れるだけで容易に切断が可能である。
【００４０】他の実施例としてシリコンウェハー１の＜
１１０＞方向に沿ってマスクパターン９の溝が形成され
ていない場合は、図３に示す方法に於いて説明したよう
にダイシングソーを用いて切断を行えばよい。
１１０＞方向に沿ってマスクパターン９の溝が形成され
ていない場合は、図３に示す方法に於いて説明したよう
にダイシングソーを用いて切断を行えばよい。
【００４１】
【発明の効果】以上の詳細な説明により明らかな如く、
本発明は、シリコンウェハー１の切断位置が明瞭であ
り、且つプリントヘッドのノズル６の端面は、切断位置
と垂直の関係になるのでノズルの長さの精度が保たれ
る。従って、精度の高いプリントヘッドを得ることが可
能となる。
本発明は、シリコンウェハー１の切断位置が明瞭であ
り、且つプリントヘッドのノズル６の端面は、切断位置
と垂直の関係になるのでノズルの長さの精度が保たれ
る。従って、精度の高いプリントヘッドを得ることが可
能となる。
【００４２】同時に、本発明のプリントヘッドは、シリ
コンウェハー等の単結晶ウェハーを用いて小型、大量に
製造することが可能である。
コンウェハー等の単結晶ウェハーを用いて小型、大量に
製造することが可能である。
【図１】本発明の一実施例を示す図である。
【図２】本発明の対象とするインクジェットプリントヘ
ッドの説明図である。
ッドの説明図である。
【図３】単結晶基板（シリコンウェハー）を用いたイン
クジェットプリントヘッドの製造方法の一例を示す図で
ある。
クジェットプリントヘッドの製造方法の一例を示す図で
ある。
１ 単結晶ウェハー ２ インク供給路 ３ 圧力室 ５ 振動板ウェハー ６ ノズル ７ プリントヘッドのマスクパターン ８ ＳｉＯ2 膜 ９ シリコンウェハーの切断位置を示すマスクパターン １０ 単結晶基板 ５０ 振動板
Claims (7)
- 【請求項１】 インク滴を噴出するノズル（６）、該ノ
ズル（６）よりインク滴を噴出させる圧力を発生させる
圧力室（３）と該圧力室（３）にインクを供給する供給
路（２）を連通してなる複数のインク経路溝を有するプ
リントヘッドパターンが表面にエッチングにより形成さ
れた単結晶基板（１０）と該単結晶基板（１０）の該表
面上に張り合わされた振動板（５０）を有し、 該単結晶基板（１０）及び該振動板（５０）は、それぞ
れ単結晶ウェハー（１）及び振動板ウェハー（５）より
切り出されたものであり、 該単結晶基板（１０）の裏面に対応する、該単結晶ウェ
ハー（１）の面に形成された切断溝（９）に沿って切り
出されたことを特徴とするインクジェットプリントヘッ
ド。 - 【請求項２】 単結晶ウェハー（１）の表面に、インク
滴を噴出するノズル（６）、該ノズル（６）よりインク
滴を噴出させる圧力を発生させる圧力室（３）と該圧力
室（３）にインクを供給する供給路（２）を連通してな
る複数のインク経路溝を有する複数のプリントヘッドパ
ターンをエッチングにより形成し、 同時に、該単結晶ウェハー（１）の裏面に該複数のプリ
ントヘッドパターンの各々に対応して切断溝（９）を形
成し、 振動板ウェハー（５）を単結晶ウェハー（１）の該表面
上に張り合わせ、 次いで、該切断溝（９）に沿って一のプリントヘッドパ
ターンを有する単結晶基板（１０）及び振動板（５０）
を切り出すことを特徴とするインクジェットプリントヘ
ッドの製造方法。 - 【請求項３】 請求項１又は２において、該単結晶ウェ
ハー（１）及び振動板ウェハー（５）は、シリコンウェ
ハーであることを特徴とするインクジェットプリントヘ
ッド及びその製造方法。 - 【請求項４】 請求項３において、該単結晶ウェハー
（１）は、両面研磨されたシリコンウェハーであること
を特徴とするインクジェットプリントヘッド及びその製
造方法。 - 【請求項５】 請求項１又は２において、プリントヘッ
ドパターンのエッチングは、異方性エッチングを用いる
ことを特徴とするインクジェットプリントヘッド及びそ
の製造方法。 - 【請求項６】 請求項２において、該切断溝（９）は、
劈開可能の方位に沿って形成されることを特徴とするイ
ンクジェットプリントヘッドの製造方法。 - 【請求項７】 請求項２において、該ノズル（６）は、
該切断溝（９）と垂直に交差するように形成されること
を特徴とするインクジェットプリントヘッドの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6172692A JPH05261920A (ja) | 1992-03-18 | 1992-03-18 | インクジェットプリントヘッド及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6172692A JPH05261920A (ja) | 1992-03-18 | 1992-03-18 | インクジェットプリントヘッド及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05261920A true JPH05261920A (ja) | 1993-10-12 |
Family
ID=13179515
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6172692A Pending JPH05261920A (ja) | 1992-03-18 | 1992-03-18 | インクジェットプリントヘッド及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05261920A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6341851B1 (en) | 1996-10-29 | 2002-01-29 | Matsushita Electric Industrial Company, Ltd. | Ink jet recording apparatus including a pressure chamber and pressure applying means |
| KR100474836B1 (ko) * | 2000-08-05 | 2005-03-08 | 삼성전자주식회사 | 액적 분사 장치의 제조 방법 |
-
1992
- 1992-03-18 JP JP6172692A patent/JPH05261920A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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