JPH05241348A - パタン形成方法 - Google Patents
パタン形成方法Info
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- JPH05241348A JPH05241348A JP4042826A JP4282692A JPH05241348A JP H05241348 A JPH05241348 A JP H05241348A JP 4042826 A JP4042826 A JP 4042826A JP 4282692 A JP4282692 A JP 4282692A JP H05241348 A JPH05241348 A JP H05241348A
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- JP
- Japan
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- acid
- resist
- pattern
- irradiation
- resin
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】エネルギ線の照射により、酸を発生する酸発生
剤を含有したレジスト２でパタンを形成する。その上
に、酸の増感反応を利用してネガ型に反応する化学増幅
系レジスト４を被着する。この状態で熱処理を施す。こ
の工程により、レジスト２中の酸がレジスト４に一定深
さ拡散し、ネガ型に反応する。次に現像処理を行うこと
により、ネガ型に反応していない余分なレジストは除去
される。 【効果】溝パタンやホールパタンの寸法を実効的に微細
化することが可能であり、リソグラフィーの解像限界以
下の微細パタンが形成できる。
剤を含有したレジスト２でパタンを形成する。その上
に、酸の増感反応を利用してネガ型に反応する化学増幅
系レジスト４を被着する。この状態で熱処理を施す。こ
の工程により、レジスト２中の酸がレジスト４に一定深
さ拡散し、ネガ型に反応する。次に現像処理を行うこと
により、ネガ型に反応していない余分なレジストは除去
される。 【効果】溝パタンやホールパタンの寸法を実効的に微細
化することが可能であり、リソグラフィーの解像限界以
下の微細パタンが形成できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体素子，磁気バブル
素子，表面弾性波素子等の製造におけるリソグラフィー
技術に係り、特に、微細パタンの形成法に関する。
素子，表面弾性波素子等の製造におけるリソグラフィー
技術に係り、特に、微細パタンの形成法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＵＬＳＩの高集積・高密度化は３年に４
倍の勢いで進められており、既に４メガビットＤＲＡＭ
の量産化および１６メガビットＤＲＡＭの試作がなされ
ている。これに伴って微細加工に要求される寸法は０.
８μｍから０.５μｍ、さらに０.３μｍ 以下へと益々
微細化している。
倍の勢いで進められており、既に４メガビットＤＲＡＭ
の量産化および１６メガビットＤＲＡＭの試作がなされ
ている。これに伴って微細加工に要求される寸法は０.
８μｍから０.５μｍ、さらに０.３μｍ 以下へと益々
微細化している。
【０００３】リソグラフィー法の主流として用いられて
いる通常の光リソグラフィーでは、０.３μｍ 以下のパ
タンの形成は困難となってきている。しかし、近年、位
相シフト法の採用により、大幅に解像度が向上し、０.
３μｍ 以下のパタンの形成も可能となった。ところ
が、この方法はホトマスク内の隣りあったパタン間で透
過光に位相差を与えることにより解像度を向上する方法
であり、半導体素子の電極取り出しの為のコンタクトホ
ールのような孤立パタンでは、位相シフトの効果が十分
得られない。このように、従来技術では、孤立パタンの
微細化が不十分であり、バランスのとれた素子の設計が
困難であった。
いる通常の光リソグラフィーでは、０.３μｍ 以下のパ
タンの形成は困難となってきている。しかし、近年、位
相シフト法の採用により、大幅に解像度が向上し、０.
３μｍ 以下のパタンの形成も可能となった。ところ
が、この方法はホトマスク内の隣りあったパタン間で透
過光に位相差を与えることにより解像度を向上する方法
であり、半導体素子の電極取り出しの為のコンタクトホ
ールのような孤立パタンでは、位相シフトの効果が十分
得られない。このように、従来技術では、孤立パタンの
微細化が不十分であり、バランスのとれた素子の設計が
困難であった。
【０００４】この他に、微細パタンの形成法として、リ
ソグラフィーでレジストパタンを形成した後、レジスト
パタン側壁に寸法補正用の膜を選択的に形成する方法が
特開昭63−131522号公報に示されている。この方法を用
いることにより、レジストパタンでは大きく形成したホ
ールパタンも寸法補正用の膜を形成することにより、微
細化が可能であり、解像限界以下のパタン形成ができ
る。しかし、この方法は、工程が複雑であり、素子の生
産に適用することは困難である。
ソグラフィーでレジストパタンを形成した後、レジスト
パタン側壁に寸法補正用の膜を選択的に形成する方法が
特開昭63−131522号公報に示されている。この方法を用
いることにより、レジストパタンでは大きく形成したホ
ールパタンも寸法補正用の膜を形成することにより、微
細化が可能であり、解像限界以下のパタン形成ができ
る。しかし、この方法は、工程が複雑であり、素子の生
産に適用することは困難である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、リソ
グラフィーで形成したパタンを自己整合的に太らせ、溝
パタンやホールパタンの寸法を実効的に微細化すること
にあり、特に、工程が簡略である方法を提供することに
ある。
グラフィーで形成したパタンを自己整合的に太らせ、溝
パタンやホールパタンの寸法を実効的に微細化すること
にあり、特に、工程が簡略である方法を提供することに
ある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的は、化学増幅
(触媒)反応利用のレジスト材料の特徴を利用した、以下
の工程で達成できる。エネルギ線の照射により、酸を発
生する酸発生剤を含有した第１のレジストでパタンを形
成する。その上に、酸の増感反応を利用してネガ型に反
応する化学増幅系の第２のレジストを被着する。この状
態で熱処理を施す。この工程により、第１のレジスト中
の酸が第２のレジストに一定深さ拡散する。したがっ
て、第１のレジストと第２のレジスト界面付近の第２の
レジストが拡散してきた酸によってネガ型に反応する。
次に、現像処理を行うことにより、ネガ型に反応してい
ない余分なレジストは除去される。以上の工程により、
第１のレジストパタンの周りに、一定厚さの第２のレジ
ストが選択的に形成される。
(触媒)反応利用のレジスト材料の特徴を利用した、以下
の工程で達成できる。エネルギ線の照射により、酸を発
生する酸発生剤を含有した第１のレジストでパタンを形
成する。その上に、酸の増感反応を利用してネガ型に反
応する化学増幅系の第２のレジストを被着する。この状
態で熱処理を施す。この工程により、第１のレジスト中
の酸が第２のレジストに一定深さ拡散する。したがっ
て、第１のレジストと第２のレジスト界面付近の第２の
レジストが拡散してきた酸によってネガ型に反応する。
次に、現像処理を行うことにより、ネガ型に反応してい
ない余分なレジストは除去される。以上の工程により、
第１のレジストパタンの周りに、一定厚さの第２のレジ
ストが選択的に形成される。
【０００７】
【作用】第２のレジストを被着した後の熱処理の条件に
より、第１のレジストから第２のレジストへの酸の拡散
深さが決まる。すなわち、最終的に第１のレジストパタ
ンの周りに残る第２のレジストの膜厚が決まる。この第
２のレジストの膜厚がパタンの寸法を補正する膜とな
る。例えば、第１のレジストパタンで形成したホールパ
タンの寸法が０.５μｍで、パタンの周りに第２のレジ
ストが０.１μｍの膜厚で残存した場合、実効的なホー
ルパタンの寸法は０.３μｍ になり、大幅な微細化が達
成できる。
より、第１のレジストから第２のレジストへの酸の拡散
深さが決まる。すなわち、最終的に第１のレジストパタ
ンの周りに残る第２のレジストの膜厚が決まる。この第
２のレジストの膜厚がパタンの寸法を補正する膜とな
る。例えば、第１のレジストパタンで形成したホールパ
タンの寸法が０.５μｍで、パタンの周りに第２のレジ
ストが０.１μｍの膜厚で残存した場合、実効的なホー
ルパタンの寸法は０.３μｍ になり、大幅な微細化が達
成できる。
【０００８】
【実施例】本発明の第１の実施例を図１を用いて説明す
る。図１（ａ）に示すように、エネルギ線の照射によ
り、酸を発生する酸発生剤を含有したポジ型レジスト２
を被着した。その後、通常の露光現像処理によりホール
パタン３を形成した。そして、次に塗布するレジスト４
の溶剤によりポジ型レジスト２が溶けださないように、
強力な遠紫外線を照射し、レジストパタンの表面を硬化
させる、表面ハードニング処理を施した。ただし、レジ
スト４の溶剤によりポジ型レジスト２が溶け出さない材
料の組合せの場合は、レジストパタン表面を硬化させる
工程は不要である。その後、紫外線を照射しポジ型レジ
スト２中の酸発生剤を分解し、酸を発生させた。この紫
外線照射はレジストハードニングの前に行ってもよい。
る。図１（ａ）に示すように、エネルギ線の照射によ
り、酸を発生する酸発生剤を含有したポジ型レジスト２
を被着した。その後、通常の露光現像処理によりホール
パタン３を形成した。そして、次に塗布するレジスト４
の溶剤によりポジ型レジスト２が溶けださないように、
強力な遠紫外線を照射し、レジストパタンの表面を硬化
させる、表面ハードニング処理を施した。ただし、レジ
スト４の溶剤によりポジ型レジスト２が溶け出さない材
料の組合せの場合は、レジストパタン表面を硬化させる
工程は不要である。その後、紫外線を照射しポジ型レジ
スト２中の酸発生剤を分解し、酸を発生させた。この紫
外線照射はレジストハードニングの前に行ってもよい。
【０００９】その後、図１（ｂ）に示すように全面に、
酸の増感反応を利用したネガ型化学増幅系レジスト４を
塗布した。このレジスト中へ酸発生剤が含まれる必要は
ないが、酸発生剤が含まれていても差し支えない。その
後、熱処理により、ポジ型レジスト２内の酸を、ネガ型
化学増幅系レジスト４に拡散した。これにより、ポジ型
レジスト２との界面付近の化学増幅系レジスト４はネガ
型に反応した。その後、ネガ型化学増幅系レジストの通
常の現像処理を行った。
酸の増感反応を利用したネガ型化学増幅系レジスト４を
塗布した。このレジスト中へ酸発生剤が含まれる必要は
ないが、酸発生剤が含まれていても差し支えない。その
後、熱処理により、ポジ型レジスト２内の酸を、ネガ型
化学増幅系レジスト４に拡散した。これにより、ポジ型
レジスト２との界面付近の化学増幅系レジスト４はネガ
型に反応した。その後、ネガ型化学増幅系レジストの通
常の現像処理を行った。
【００１０】これにより、図１（ｃ）に示すように、ポ
ジ型レジスト２パタンの周辺に、均一な膜厚でネガ型化
学増幅系レジスト４が残存した。この工程により、最初
に形成したホールパタン３の寸法５より小さな寸法６を
得ることができた。
ジ型レジスト２パタンの周辺に、均一な膜厚でネガ型化
学増幅系レジスト４が残存した。この工程により、最初
に形成したホールパタン３の寸法５より小さな寸法６を
得ることができた。
【００１１】本発明の第２の実施例を説明する。第１の
実施例との相違点は、最初のレジストパタン２をネガ型
レジストで形成した点であり、その後の工程での、酸発
生のための紫外線照射工程を省略することができる。最
初のレジストパタン２がネガ型レジストの場合、紫外線
照射部がパタンとして残るため、パタン形成用の紫外線
照射により酸が形成される。したがって、第１の実施例
における酸発生のための紫外線照射は不要である。しか
し、レジストの組合せによっては酸の発生を追加するた
めの紫外線照射工程を付加した方が良い場合がある。そ
の他の工程は第１の実施例と同様であり、得られた結果
も同等であった。
実施例との相違点は、最初のレジストパタン２をネガ型
レジストで形成した点であり、その後の工程での、酸発
生のための紫外線照射工程を省略することができる。最
初のレジストパタン２がネガ型レジストの場合、紫外線
照射部がパタンとして残るため、パタン形成用の紫外線
照射により酸が形成される。したがって、第１の実施例
における酸発生のための紫外線照射は不要である。しか
し、レジストの組合せによっては酸の発生を追加するた
めの紫外線照射工程を付加した方が良い場合がある。そ
の他の工程は第１の実施例と同様であり、得られた結果
も同等であった。
【００１２】本発明の第３の実施例を図２を用いて説明
する。図２（ａ）に示すように、被加工基板１上に２層
レジストの下層材料である有機膜７を被着した。その
後、エネルギ線の照射により、酸を発生する酸発生剤を
含有したレジスト８を被着した。しかる後、通常の露光
現像処理によりホールパタン９を形成した。しかる後、
次に塗布するレジスト１０の溶剤によりレジスト８が溶
けださないように、強力な遠紫外線を照射し、レジスト
パタン表面を硬化させる、表面ハードニング処理を施し
た。ただし、レジスト８の溶剤によりレジスト８が溶け
出さない材料の組合せの場合は、レジスト８パタン表面
を硬化させる工程は不要である。しかる後、紫外線を照
射しレジスト８中の酸発生剤を分解し、酸を発生させ
た。この紫外線照射はレジストハードニングの前に行っ
てもよい。
する。図２（ａ）に示すように、被加工基板１上に２層
レジストの下層材料である有機膜７を被着した。その
後、エネルギ線の照射により、酸を発生する酸発生剤を
含有したレジスト８を被着した。しかる後、通常の露光
現像処理によりホールパタン９を形成した。しかる後、
次に塗布するレジスト１０の溶剤によりレジスト８が溶
けださないように、強力な遠紫外線を照射し、レジスト
パタン表面を硬化させる、表面ハードニング処理を施し
た。ただし、レジスト８の溶剤によりレジスト８が溶け
出さない材料の組合せの場合は、レジスト８パタン表面
を硬化させる工程は不要である。しかる後、紫外線を照
射しレジスト８中の酸発生剤を分解し、酸を発生させ
た。この紫外線照射はレジストハードニングの前に行っ
てもよい。
【００１３】その後図２（ｂ）に示すように、全面に酸
の増感反応を利用したネガ型化学増幅系のシリコン含有
レジスト１０を塗布した。このレジスト中へ酸発生剤が
含まれる必要はないが、酸発生剤が含まれていても差し
支えない。その後、熱処理により、レジスト８内の酸
を、レジスト１０に拡散した。これにより、レジスト８
との界面付近のレジスト１０はネガ型に反応した。その
後、現像処理を行った。
の増感反応を利用したネガ型化学増幅系のシリコン含有
レジスト１０を塗布した。このレジスト中へ酸発生剤が
含まれる必要はないが、酸発生剤が含まれていても差し
支えない。その後、熱処理により、レジスト８内の酸
を、レジスト１０に拡散した。これにより、レジスト８
との界面付近のレジスト１０はネガ型に反応した。その
後、現像処理を行った。
【００１４】これにより、図２（ｃ）に示すように、レ
ジスト８パタンの周辺に、均一な膜厚でレジスト１０が
残存した。この工程により、最初に形成したホールパタ
ン９の寸法１１より小さな寸法１２を得ることができ
た。
ジスト８パタンの周辺に、均一な膜厚でレジスト１０が
残存した。この工程により、最初に形成したホールパタ
ン９の寸法１１より小さな寸法１２を得ることができ
た。
【００１５】その後、図２（ｄ）に示すように、酸素を
含む反応ガスを用いた反応性ドライエッチングにより有
機膜７を加工した。この工程により、微細な寸法１２を
有機膜７に転写できた。
含む反応ガスを用いた反応性ドライエッチングにより有
機膜７を加工した。この工程により、微細な寸法１２を
有機膜７に転写できた。
【００１６】本発明の第４の実施例を図３を用いて説明
する。図３（ａ）に示すように、被加工基板１上に３層
レジストの下層材料として、エネルギ線の照射により、
酸を発生する酸発生剤を含有したレジスト、あるいは、
酸を含有したレジスト１３を被着した。その上に、無機
膜１４を被着し、その上にレジスト１５を被着し、通常
の方法でパタン１６を形成した。
する。図３（ａ）に示すように、被加工基板１上に３層
レジストの下層材料として、エネルギ線の照射により、
酸を発生する酸発生剤を含有したレジスト、あるいは、
酸を含有したレジスト１３を被着した。その上に、無機
膜１４を被着し、その上にレジスト１５を被着し、通常
の方法でパタン１６を形成した。
【００１７】その後、図３（ｂ）に示すように、通常の
３層レジスト法と同様に、反応性イオンエッチングによ
り、順次、下層にパタンを転写し、寸法１７のパタンを
形成した。
３層レジスト法と同様に、反応性イオンエッチングによ
り、順次、下層にパタンを転写し、寸法１７のパタンを
形成した。
【００１８】その後、図３（ｃ）に示すように、ネガ型
化学増幅系レジスト１８を塗布した。このレジスト中へ
酸発生剤が含まれる必要はないが、酸発生剤が含まれて
いても差し支えない。その後、熱処理により、レジスト
１３内の酸を、レジスト１０に拡散した。この時、レジ
スト１３内の酸発生剤は反応性イオンエッチング工程な
どでのエネルギ線の照射により、反応し酸は発生してい
るが、不十分な場合は、熱処理前にエネルギ線の照射工
程を追加する必要がある。その後、現像処理を行った。
化学増幅系レジスト１８を塗布した。このレジスト中へ
酸発生剤が含まれる必要はないが、酸発生剤が含まれて
いても差し支えない。その後、熱処理により、レジスト
１３内の酸を、レジスト１０に拡散した。この時、レジ
スト１３内の酸発生剤は反応性イオンエッチング工程な
どでのエネルギ線の照射により、反応し酸は発生してい
るが、不十分な場合は、熱処理前にエネルギ線の照射工
程を追加する必要がある。その後、現像処理を行った。
【００１９】これにより、図３（ｄ）に示すように、レ
ジスト１３パタンの側壁に、レジスト１８が残存した。
この工程により、最初に形成したホールパタン１６の寸
法１７より小さな寸法１９を得ることができた。実施例
では、レジスト１３とレジスト１８は同じ材料を用い
た。レジスト材料は化学増幅系レジストＳＡＬ６０１
(シップレイ・ファー・イースト社製)や化学増幅系ネガ
型ホトレジストＴＨＭＲ−ｉ１００（東京応化製）など
を用いることができる。
ジスト１３パタンの側壁に、レジスト１８が残存した。
この工程により、最初に形成したホールパタン１６の寸
法１７より小さな寸法１９を得ることができた。実施例
では、レジスト１３とレジスト１８は同じ材料を用い
た。レジスト材料は化学増幅系レジストＳＡＬ６０１
(シップレイ・ファー・イースト社製)や化学増幅系ネガ
型ホトレジストＴＨＭＲ−ｉ１００（東京応化製）など
を用いることができる。
【００２０】
【発明の効果】本発明によれば、リソグラフィーでレジ
ストパタンを形成した後、レジストパタンを自己整合的
に太らせ、溝パタンやホールパタンの寸法を実効的に微
細化することが可能であり、リソグラフィーの解像限界
以下の微細パタンが形成できる。
ストパタンを形成した後、レジストパタンを自己整合的
に太らせ、溝パタンやホールパタンの寸法を実効的に微
細化することが可能であり、リソグラフィーの解像限界
以下の微細パタンが形成できる。
【図１】本発明の第１および第２の実施例を示す各主要
工程での断面図。
工程での断面図。
【図２】本発明の第３の実施例を示す各主要工程での断
面図。
面図。
【図３】本発明の第４の実施例を示す各主要工程での断
面図。
面図。
１…被加工基板、２，３…酸を発生する酸発生剤を含有
したレジスト、４…化学増幅系ネガ型レジスト。
したレジスト、４…化学増幅系ネガ型レジスト。
Claims (7)
- 【請求項１】被加工基板上に、エネルギ線の照射により
酸を発生する酸発生剤を含有したレジストパタンを形成
する工程、前記酸の存在下で不溶化する樹脂を被着する
工程、熱処理により前記酸発生剤を含有した前記レジス
トパタンから前記酸の存在下で不溶化する前記樹脂に前
記酸を拡散する工程、現像により前記酸の拡散していな
い前記酸の存在下で不溶化する前記樹脂を除去する工程
を少なくとも含むことを特徴とするパタン形成方法。 - 【請求項２】請求項１において、前記エネルギ線の照射
により前記酸を発生する前記酸発生剤を含有した前記レ
ジストパタンを形成する工程と、前記酸の存在下で不溶
化する前記樹脂を被着する工程の間に、双方のレジスト
の混合を防止する工程を設けたパタン形成方法。 - 【請求項３】請求項１において、前記エネルギ線の照射
により前記酸を発生する前記酸発生剤を含有した前記レ
ジストと、前記酸の存在下で不溶化する前記樹脂が互い
に溶け合わない材料で構成されているパタン形成方法。 - 【請求項４】請求項１において、前記エネルギ線の照射
により前記酸を発生する前記酸発生剤を含有した前記レ
ジストパタンを形成する工程の後に、前記エネルギ線の
照射工程を設けたパタン形成方法。 - 【請求項５】被加工基板上に多層レジスト下層膜を形成
する工程、エネルギ線の照射により、酸を発生する酸発
生剤を含有したレジストパタンを形成する工程、前記酸
の存在下で不溶化するシリコン含有などの耐酸素プラズ
マエッチング特性を有する樹脂を被着する工程、熱処理
により前記酸発生剤を含有した前記レジストパタンから
前記樹脂に酸を拡散する工程、現像により酸の拡散して
いない前記樹脂を除去する工程、酸素を含むエッチング
ガスを用いた反応性イオンエッチングにより、下層膜に
パタンを転写する工程を少なくとも含むパタン形成方
法。 - 【請求項６】請求項１において、前記酸発生剤が、例え
ばオニウム塩，スルホン酸エステル，ハロゲン化合物な
どの酸発生剤のうち少なくとも一つを用いるパタン形成
方法。 - 【請求項７】請求項１において、前記被加工基板上に前
記エネルギ線の照射により、前記酸を発生する前記酸発
生剤を含有した前記レジストパタンが多層レジストの下
層レジストで形成されるパタン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4042826A JP3057879B2 (ja) | 1992-02-28 | 1992-02-28 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4042826A JP3057879B2 (ja) | 1992-02-28 | 1992-02-28 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05241348A true JPH05241348A (ja) | 1993-09-21 |
| JP3057879B2 JP3057879B2 (ja) | 2000-07-04 |
Family
ID=12646769
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4042826A Expired - Lifetime JP3057879B2 (ja) | 1992-02-28 | 1992-02-28 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3057879B2 (ja) |
Cited By (40)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5858620A (en) * | 1996-07-05 | 1999-01-12 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US6127098A (en) * | 1994-02-24 | 2000-10-03 | Fujitsu Limited | Method of making resist patterns |
| WO2001025854A1 (en) * | 1999-10-05 | 2001-04-12 | Clariant International Ltd. | Method for forming pattern |
| EP1117008A2 (en) * | 1999-12-02 | 2001-07-18 | Axcelis Technologies, Inc. | UV-assisted chemical modification of photoresist images |
| US6319853B1 (en) | 1998-01-09 | 2001-11-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing a semiconductor device using a minute resist pattern, and a semiconductor device manufactured thereby |
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