JPH05218585A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
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- JPH05218585A JPH05218585A JP1799092A JP1799092A JPH05218585A JP H05218585 A JPH05218585 A JP H05218585A JP 1799092 A JP1799092 A JP 1799092A JP 1799092 A JP1799092 A JP 1799092A JP H05218585 A JPH05218585 A JP H05218585A
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- Semiconductor Lasers (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 埋込み構造のメサストライプ型半導体発光装
置に関し，埋込み層から活性層への不純物拡散を防止
し，発光効率を高めしきい値電流を低減することを目的
とする。 【構成】 第一導電型の基板１上に順次堆積された第一
導電型の下側クラッド層２，活性層３及び第二導電型の
上側クラッド層４をストライプ状に成形したメサ５と，
メサ５の外側を埋め込む第二導電型の埋込み層７と，メ
サ５上に堆積される第二導電型のコンタクト層９と，基
板１の裏面及びコンタクト層９の表面に形成される電極
１０，１１とを有してなる半導体発光装置において，メ
サ５の側壁と埋込み層７との間に，ｎ型導電型の又は不
純物を含まない半導体の何れかからなり，下側クラッド
層２又は上側クラッド層４の一つと同一の又は大きな禁
制帯幅を有する拡散障壁層６を設けたことを特徴として
構成する
置に関し，埋込み層から活性層への不純物拡散を防止
し，発光効率を高めしきい値電流を低減することを目的
とする。 【構成】 第一導電型の基板１上に順次堆積された第一
導電型の下側クラッド層２，活性層３及び第二導電型の
上側クラッド層４をストライプ状に成形したメサ５と，
メサ５の外側を埋め込む第二導電型の埋込み層７と，メ
サ５上に堆積される第二導電型のコンタクト層９と，基
板１の裏面及びコンタクト層９の表面に形成される電極
１０，１１とを有してなる半導体発光装置において，メ
サ５の側壁と埋込み層７との間に，ｎ型導電型の又は不
純物を含まない半導体の何れかからなり，下側クラッド
層２又は上側クラッド層４の一つと同一の又は大きな禁
制帯幅を有する拡散障壁層６を設けたことを特徴として
構成する
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は発光領域たる活性層が，
埋込み構造として構成されたメサストライプ中に形成さ
れる，埋込み構造のメサストライプ型半導体発光装置に
関する。
埋込み構造として構成されたメサストライプ中に形成さ
れる，埋込み構造のメサストライプ型半導体発光装置に
関する。
【０００２】埋込み構造のメサストライプ型半導体発光
装置は，電流狭窄及び光閉じ込めに優れ，低いしきい値
電流と高い光変換効率を有することから光通信装置や光
情報処理装置に広く使用されている。
装置は，電流狭窄及び光閉じ込めに優れ，低いしきい値
電流と高い光変換効率を有することから光通信装置や光
情報処理装置に広く使用されている。
【０００３】しかし，高速，小型化の進む光応用装置に
は，高出力かつ低消費電力の発光素子が強く求められて
いる。このため，埋込み構造のメサストライプ型半導体
発光装置における発光効率の向上としきい値電流の低減
が必要とされている。
は，高出力かつ低消費電力の発光素子が強く求められて
いる。このため，埋込み構造のメサストライプ型半導体
発光装置における発光効率の向上としきい値電流の低減
が必要とされている。
【０００４】
【従来の技術】図３は従来の半導体発光装置の構造図で
あり，埋込み構造のメサストライプ型半導体レーザのス
トライプに垂直な断面を表している。
あり，埋込み構造のメサストライプ型半導体レーザのス
トライプに垂直な断面を表している。
【０００５】従来のメサストライプ型半導体発光装置
は，図３を参照して，以下の工程により製造される。先
ず，ｎ型ＩｎＰからなる半導体基板１上に，ｎ型ＩｎＰ
からなる下側クラッド層２，ＩｎＧａＡｓＰからなる活
性層３，及びｐ型ＩｎＰからなる上側クラッド層４を順
次堆積し，次いで上側クラッド層４上に設けられたスト
ライプ形状のマスクを用いたメサエッチングによりスト
ライプ状の活性層３を含むメサ５を形成する。
は，図３を参照して，以下の工程により製造される。先
ず，ｎ型ＩｎＰからなる半導体基板１上に，ｎ型ＩｎＰ
からなる下側クラッド層２，ＩｎＧａＡｓＰからなる活
性層３，及びｐ型ＩｎＰからなる上側クラッド層４を順
次堆積し，次いで上側クラッド層４上に設けられたスト
ライプ形状のマスクを用いたメサエッチングによりスト
ライプ状の活性層３を含むメサ５を形成する。
【０００６】次いで，メサ５の側面にｐ型ＩｎＰを埋込
み層７として堆積してメサ５を埋め込む。この工程完了
時には，メサ５頂上表面は露出されている。次いで，ｎ
型ＩｎＰからなる電流狭窄層８を形成し，さらにｐ型Ｉ
ｎＰを堆積してコンタクト層９を形成したのち，基板１
の裏面及びコンタクト層９の表面にそれぞれ裏面電極１
０及び表面電極１１を形成する。
み層７として堆積してメサ５を埋め込む。この工程完了
時には，メサ５頂上表面は露出されている。次いで，ｎ
型ＩｎＰからなる電流狭窄層８を形成し，さらにｐ型Ｉ
ｎＰを堆積してコンタクト層９を形成したのち，基板１
の裏面及びコンタクト層９の表面にそれぞれ裏面電極１
０及び表面電極１１を形成する。
【０００７】最後に，ダイシングと劈開を用いて個々の
素子に分割し，半導体レーザを製造する。かかる従来の
構造では，メサ５の側壁を埋めるｐ型半導体からなる埋
込み層７は，メサ５の側壁に表出する活性層３の端面に
直接にかつ密接して堆積される。
素子に分割し，半導体レーザを製造する。かかる従来の
構造では，メサ５の側壁を埋めるｐ型半導体からなる埋
込み層７は，メサ５の側壁に表出する活性層３の端面に
直接にかつ密接して堆積される。
【０００８】このため，拡散定数の大きなｐ型不純物
が，埋込み層７の堆積時に或いはその後の熱処理若しく
は堆積工程時に，メサ５側壁に表出した活性層３の端面
から活性層３中に拡散して，活性層３中に非発光の再結
合中心を形成する。また，かかるｐ型不純物の拡散に伴
い活性層３とクラッド層２，４との接合面におけるエネ
ルギーバンド構造の変化が緩慢になる。
が，埋込み層７の堆積時に或いはその後の熱処理若しく
は堆積工程時に，メサ５側壁に表出した活性層３の端面
から活性層３中に拡散して，活性層３中に非発光の再結
合中心を形成する。また，かかるｐ型不純物の拡散に伴
い活性層３とクラッド層２，４との接合面におけるエネ
ルギーバンド構造の変化が緩慢になる。
【０００９】その結果，半導体発光装置の発光効率は低
下し，またしきい値電流は大きくなるのである。
下し，またしきい値電流は大きくなるのである。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上述の様に，従来の半
導体発光装置のごとく，メサの側壁に直接に密接してｐ
型の埋込み層を設ける構造では，埋込み層の堆積時に又
はその後の工程時に埋込み層に含まれるｐ型不純物が活
性層中に拡散して非発光再結合中心を形成するため，及
び活性層とクラッド層との接合面でのエネルギーバンド
構造の変化を緩慢にするため，発光効率が低下しまたし
きい値電流が増加するという問題があった。
導体発光装置のごとく，メサの側壁に直接に密接してｐ
型の埋込み層を設ける構造では，埋込み層の堆積時に又
はその後の工程時に埋込み層に含まれるｐ型不純物が活
性層中に拡散して非発光再結合中心を形成するため，及
び活性層とクラッド層との接合面でのエネルギーバンド
構造の変化を緩慢にするため，発光効率が低下しまたし
きい値電流が増加するという問題があった。
【００１１】本発明は，メサを埋め込む前に予めメサの
側壁面に埋込み層からのｐ型不純物の拡散を阻止する拡
散障壁層を設けて，ｐ型埋込み層からメサ端面を通して
不純物が活性層内に拡散することを阻止することによ
り，高い発光効率と低いしきい値電流とを有する埋込み
構造のメサストライプ型の半導体発光装置を提供するこ
とを目的とする。
側壁面に埋込み層からのｐ型不純物の拡散を阻止する拡
散障壁層を設けて，ｐ型埋込み層からメサ端面を通して
不純物が活性層内に拡散することを阻止することによ
り，高い発光効率と低いしきい値電流とを有する埋込み
構造のメサストライプ型の半導体発光装置を提供するこ
とを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の実施例構
造図であり，埋込み構造のメサストライプ型半導体発光
装置のストライプに垂直な断面を表している。
造図であり，埋込み構造のメサストライプ型半導体発光
装置のストライプに垂直な断面を表している。
【００１３】上記の課題を解決するための本発明の構成
は，図１を参照して，第一導電型の半導体基板１表面上
に順次堆積された第一導電型の下側クラッド層２，活性
層３，及び第二導電型の上側クラッド層４からなるIII-
V 族化合物半導体堆積層をストライプ状に成形したメサ
５と，該メサ５の頂部表面を残して該メサ５の外側を埋
め込むｐ型の埋込み層７と，該メサ５の頂部表面に接し
て堆積される第二導電型のコンタクト層９と，該基板１
の裏面に形成される裏面電極１０と，該コンタクト層９
の表面に形成される表面電極１１とを有してなる半導体
発光装置において，該メサ５の側壁と該埋込み層７との
間に，ｎ型半導体或いは実質的に不純物を含有しない半
導体のうちの何れかの半導体からなり，該下側クラッド
層２及び上側クラッド層４の何れか一つと実質的に同一
の又はより大きな禁制帯幅を有する拡散障壁層６を設け
たことを特徴として構成する。
は，図１を参照して，第一導電型の半導体基板１表面上
に順次堆積された第一導電型の下側クラッド層２，活性
層３，及び第二導電型の上側クラッド層４からなるIII-
V 族化合物半導体堆積層をストライプ状に成形したメサ
５と，該メサ５の頂部表面を残して該メサ５の外側を埋
め込むｐ型の埋込み層７と，該メサ５の頂部表面に接し
て堆積される第二導電型のコンタクト層９と，該基板１
の裏面に形成される裏面電極１０と，該コンタクト層９
の表面に形成される表面電極１１とを有してなる半導体
発光装置において，該メサ５の側壁と該埋込み層７との
間に，ｎ型半導体或いは実質的に不純物を含有しない半
導体のうちの何れかの半導体からなり，該下側クラッド
層２及び上側クラッド層４の何れか一つと実質的に同一
の又はより大きな禁制帯幅を有する拡散障壁層６を設け
たことを特徴として構成する。
【００１４】
【作用】本発明の構成では，図１を参照して，メサ５の
側壁面に表出する活性層３の端面は拡散障壁層６で覆わ
れ，ｐ型の埋込み層７と直接に接することはない。
側壁面に表出する活性層３の端面は拡散障壁層６で覆わ
れ，ｐ型の埋込み層７と直接に接することはない。
【００１５】従って，埋込み層７のｐ型不純物が活性層
３の端面に到達するには，拡散障壁層６内を通過して拡
散しなければならず，ｐ型不純物の拡散距離よりも厚い
拡散障壁層６に阻まれ，埋込み層７の不純物は活性層３
まで拡散，到達しないのである。
３の端面に到達するには，拡散障壁層６内を通過して拡
散しなければならず，ｐ型不純物の拡散距離よりも厚い
拡散障壁層６に阻まれ，埋込み層７の不純物は活性層３
まで拡散，到達しないのである。
【００１６】このため，埋込み層７から活性層３への不
純物拡散に起因して生ずる非発光再結合中心の発生を阻
止することができるから，発光効率が高く，かつしきい
値電流が低い半導体発光素子を製造することができるの
である。
純物拡散に起因して生ずる非発光再結合中心の発生を阻
止することができるから，発光効率が高く，かつしきい
値電流が低い半導体発光素子を製造することができるの
である。
【００１７】かかる不純物拡散距離は，半導体材料と不
純物元素の種類により異なり，また埋込み層或いはその
後の半導体層の堆積若しくは熱処理により相違するが，
拡散を防止できる最小限の厚さは，実験により，或いは
温度，時間，及び拡散係数から公知の手法により適宜計
算することができる。
純物元素の種類により異なり，また埋込み層或いはその
後の半導体層の堆積若しくは熱処理により相違するが，
拡散を防止できる最小限の厚さは，実験により，或いは
温度，時間，及び拡散係数から公知の手法により適宜計
算することができる。
【００１８】なお，拡散障壁層６の厚さが不純物拡散距
離より薄い場合でも，活性層３中に拡散する不純物を低
減するという本発明の効果を奏することは当然である。
また，本構成では，活性層３の端面と直接に接する拡散
障壁層６は，ｎ型不純物を含むか，または意図的に添加
される不純物は含まれていない。ところで，III-V 族化
合物半導体中のｎ型不純物は，一般に拡散速度がｐ型不
純物より遅いことが知られている。
離より薄い場合でも，活性層３中に拡散する不純物を低
減するという本発明の効果を奏することは当然である。
また，本構成では，活性層３の端面と直接に接する拡散
障壁層６は，ｎ型不純物を含むか，または意図的に添加
される不純物は含まれていない。ところで，III-V 族化
合物半導体中のｎ型不純物は，一般に拡散速度がｐ型不
純物より遅いことが知られている。
【００１９】このため，拡散障壁層６中のｎ型不純物は
活性層３内に余り拡散しないのである。もちろん，不純
物を含まない拡散障壁層６では拡散障壁層６自体からの
不純物拡散は無視できる。
活性層３内に余り拡散しないのである。もちろん，不純
物を含まない拡散障壁層６では拡散障壁層６自体からの
不純物拡散は無視できる。
【００２０】従って発光効率を高く，しきい値電流を少
なくすることができる。さらに，拡散障壁層６はクラッ
ド層２，４と実質同一の或いはそれ以上の禁制帯幅，即
ち活性層３よりも大きな禁制帯幅を有するから，上部ク
ラッド４と拡散障壁層６との接合面に形成されるｐｎ接
合に流れる順方向電流は活性層３と拡散障壁層６との接
合に形成されるｐｎ接合に流れる電流に較べて小さい。
なくすることができる。さらに，拡散障壁層６はクラッ
ド層２，４と実質同一の或いはそれ以上の禁制帯幅，即
ち活性層３よりも大きな禁制帯幅を有するから，上部ク
ラッド４と拡散障壁層６との接合面に形成されるｐｎ接
合に流れる順方向電流は活性層３と拡散障壁層６との接
合に形成されるｐｎ接合に流れる電流に較べて小さい。
【００２１】このため，下部クラッド層２から拡散障壁
層６を通り上部クラッド層４に至る活性層３を迂回して
流れる電流は小さく，半導体発光装置の発光効率，又は
しきい値電流に大きな影響を及ぼさないのである。
層６を通り上部クラッド層４に至る活性層３を迂回して
流れる電流は小さく，半導体発光装置の発光効率，又は
しきい値電流に大きな影響を及ぼさないのである。
【００２２】本発明は，III-V 族化合物半導体からなる
埋込み層が，拡散速度の大きなｐ型半導体からなり，II
I-V 族化合物半導体からなる発光層と接する構成の半導
体発光装置に適用できる。
埋込み層が，拡散速度の大きなｐ型半導体からなり，II
I-V 族化合物半導体からなる発光層と接する構成の半導
体発光装置に適用できる。
【００２３】かかる構造を構成する半導体には，例え
ば，ＩｎＰにｐ型不純物としてＺｎ又はＣｄを添加し，
ｎ型不純物としてＴｅ，Ｓｎ，Ｓ，Ｓｅ，Ｓｉを添加し
たもの，またＧａＡｓにｐ型不純物としてＢｅ，Ｚｎ又
はＣｄを添加し，ｎ型不純物としてＳｅ，Ｓｎ，Ｓｉ又
はＴｅを添加したものがある。なお，この例に限られな
いことは当然である。
ば，ＩｎＰにｐ型不純物としてＺｎ又はＣｄを添加し，
ｎ型不純物としてＴｅ，Ｓｎ，Ｓ，Ｓｅ，Ｓｉを添加し
たもの，またＧａＡｓにｐ型不純物としてＢｅ，Ｚｎ又
はＣｄを添加し，ｎ型不純物としてＳｅ，Ｓｎ，Ｓｉ又
はＴｅを添加したものがある。なお，この例に限られな
いことは当然である。
【００２４】
【実施例】本発明を実施例の製造工程を参照して説明す
る。図２は本発明の実施例製造一部工程図であり，図１
に示された本発明の実施例の製造工程の主要な一部を半
導体発光装置のストライプに垂直な断面で表したもので
ある。
る。図２は本発明の実施例製造一部工程図であり，図１
に示された本発明の実施例の製造工程の主要な一部を半
導体発光装置のストライプに垂直な断面で表したもので
ある。
【００２５】先ず，本発明の実施例の製造には，図２
（ａ）を参照して，面方位（１００）のｎ型ＩｎＰ基板
１表面上にｎ型不純物，例えばＳｎを添加したＩｎＰ
を，下側クラッド層２として例えば液相エピタキシャル
成長法により堆積する。
（ａ）を参照して，面方位（１００）のｎ型ＩｎＰ基板
１表面上にｎ型不純物，例えばＳｎを添加したＩｎＰ
を，下側クラッド層２として例えば液相エピタキシャル
成長法により堆積する。
【００２６】次いで，ＩｎＧａＡｓＰを活性層３として
堆積する。次いで，ｐ型不純物，例えばＣｄを添加した
ＩｎＰを上側クラッド層４として，液相エピタキシャル
成長法により堆積する。
堆積する。次いで，ｐ型不純物，例えばＣｄを添加した
ＩｎＰを上側クラッド層４として，液相エピタキシャル
成長法により堆積する。
【００２７】次いで，上側クラッド層４上に＜０１１＞
方位に伸長するストライプパターンを有するＳｉＯ2 膜
マスクを形成し，このマスクを用いたメサエッチングに
より，上側クラッド層４及び活性層３をストライプ状に
残し，ストライプの両側の下側クラッド層５の表層を除
去して内層を表出して，幅が略１μｍのストライプ状の
活性層３を含むストライプ状のメサ３を形成する。
方位に伸長するストライプパターンを有するＳｉＯ2 膜
マスクを形成し，このマスクを用いたメサエッチングに
より，上側クラッド層４及び活性層３をストライプ状に
残し，ストライプの両側の下側クラッド層５の表層を除
去して内層を表出して，幅が略１μｍのストライプ状の
活性層３を含むストライプ状のメサ３を形成する。
【００２８】かかるメサ形成の工程は従来の方法と変わ
るところはない。次いで，図２（ｂ）を参照して，例え
ば液相エピタキシャル成長法をもちいてｎ型不純物，例
えばＴｅを添加したＩｎＰを，拡散障壁層６としてメサ
３の側壁及び上記表出された下側クラッド層２上に，活
性層３の端面が表出するメサ３側壁面上において例えば
厚さ０．２〜０．４μｍに堆積する。この厚さの拡散障
壁層６により，その後の６００℃，２時間の埋込み層の
堆積工程での拡散を阻止することができる。
るところはない。次いで，図２（ｂ）を参照して，例え
ば液相エピタキシャル成長法をもちいてｎ型不純物，例
えばＴｅを添加したＩｎＰを，拡散障壁層６としてメサ
３の側壁及び上記表出された下側クラッド層２上に，活
性層３の端面が表出するメサ３側壁面上において例えば
厚さ０．２〜０．４μｍに堆積する。この厚さの拡散障
壁層６により，その後の６００℃，２時間の埋込み層の
堆積工程での拡散を阻止することができる。
【００２９】かかる成長では，公知の様に，メサ頂上５
ａ（メサ頂部表面をいう。）には拡散障壁層６を堆積さ
せず，メサ３側壁とメサ３の両外側の領域上に堆積する
ことができる。
ａ（メサ頂部表面をいう。）には拡散障壁層６を堆積さ
せず，メサ３側壁とメサ３の両外側の領域上に堆積する
ことができる。
【００３０】拡散障壁層６を形成する他の実施例は，図
２（ｃ）を参照して，メサ頂上を含めて基板上全面にＴ
ｅを添加したＩｎＰを拡散障壁材６ｂとして堆積する。
次いで，拡散障壁材６ｂをメサ３頂上が表出する迄エッ
チングして除去する。この拡散障壁材６ｂからエッチン
グ層６ａを除去した残りの層を拡散障壁層とする。
２（ｃ）を参照して，メサ頂上を含めて基板上全面にＴ
ｅを添加したＩｎＰを拡散障壁材６ｂとして堆積する。
次いで，拡散障壁材６ｂをメサ３頂上が表出する迄エッ
チングして除去する。この拡散障壁材６ｂからエッチン
グ層６ａを除去した残りの層を拡散障壁層とする。
【００３１】本実施例では，堆積の条件の自由度が大き
く，堆積が容易である。上記方法によりメサ３と拡散障
壁層６を形成した後，従来の通常用いられる方法によ
り，埋込み層７，電流狭窄層８，コンタクト層９，及び
電極１０，１１を形成する。
く，堆積が容易である。上記方法によりメサ３と拡散障
壁層６を形成した後，従来の通常用いられる方法によ
り，埋込み層７，電流狭窄層８，コンタクト層９，及び
電極１０，１１を形成する。
【００３２】埋込み層７として，例えばＺｎ添加のｐ型
ＩｎＰを液相エピタキシャル成長法により堆積すること
ができる。また，電流狭窄層８として，例えばＴｅを添
加したｎ型ＩｎＰを，コンタクト層９として，例えばＺ
ｎを添加したｐ型ＩｎＰを堆積することができる。
ＩｎＰを液相エピタキシャル成長法により堆積すること
ができる。また，電流狭窄層８として，例えばＴｅを添
加したｎ型ＩｎＰを，コンタクト層９として，例えばＺ
ｎを添加したｐ型ＩｎＰを堆積することができる。
【００３３】本実施例によれば，メサ形成後の半導体層
の成長によっても活性層中への埋込み層からの不純物拡
散を阻止でき，発光効率及びしきい値電流特性を劣化す
ることがない。
の成長によっても活性層中への埋込み層からの不純物拡
散を阻止でき，発光効率及びしきい値電流特性を劣化す
ることがない。
【００３４】本発明の第二の実施例は，基板及び下側ク
ラッド層がｐ型であり，上側クラッド層及びコンタクト
層がｎ型の埋込み構造のメサストライプ型半導体発光装
置，即ち図１におけるダイオードのｐｎを反転したもの
である。
ラッド層がｐ型であり，上側クラッド層及びコンタクト
層がｎ型の埋込み構造のメサストライプ型半導体発光装
置，即ち図１におけるダイオードのｐｎを反転したもの
である。
【００３５】本第二の実施例では，図１における埋込み
層７は，メサの側壁上に不純物を添加しない拡散障壁層
を形成したのち，その上にｐ型半導体が堆積されて形成
され，図１における電流狭窄層８はｎ型半導体に続けて
ｐ型半導体が堆積され，埋込み層と合わせてｐｎｐ構造
をなすように形成される。
層７は，メサの側壁上に不純物を添加しない拡散障壁層
を形成したのち，その上にｐ型半導体が堆積されて形成
され，図１における電流狭窄層８はｎ型半導体に続けて
ｐ型半導体が堆積され，埋込み層と合わせてｐｎｐ構造
をなすように形成される。
【００３６】従って，本第二の実施例においても，拡散
障壁層が埋込み層のｐ型不純物が活性層へ拡散すること
を防止するという本発明の効果を奏し，高い発光効率と
低いしきい値電流を有する半導体発光装置を製造するこ
とができる。
障壁層が埋込み層のｐ型不純物が活性層へ拡散すること
を防止するという本発明の効果を奏し，高い発光効率と
低いしきい値電流を有する半導体発光装置を製造するこ
とができる。
【００３７】なお，本第二の実施例では，拡散障壁層を
ｎ型とするとリーク電流が多いので，不純物が含まれな
いものとすることが好ましい。
ｎ型とするとリーク電流が多いので，不純物が含まれな
いものとすることが好ましい。
【００３８】
【発明の効果】本発明によれば，メサ側壁に設けた拡散
障壁により埋込み層と活性層とを遮蔽して拡散障壁とす
ることにより，埋込み層の堆積以後の工程において埋込
み層からメサ端面を通して不純物が活性層内に拡散する
ことを阻止することができるから，高い発光効率と低い
しきい値電流とを有する埋込み構造のメサストライプ型
の半導体発光装置を提供することができ，光通信装置や
光情報処理装置の性能向上に寄与するところが大きい。
障壁により埋込み層と活性層とを遮蔽して拡散障壁とす
ることにより，埋込み層の堆積以後の工程において埋込
み層からメサ端面を通して不純物が活性層内に拡散する
ことを阻止することができるから，高い発光効率と低い
しきい値電流とを有する埋込み構造のメサストライプ型
の半導体発光装置を提供することができ，光通信装置や
光情報処理装置の性能向上に寄与するところが大きい。
【図１】 本発明の実施例構造図
【図２】 本発明の実施例製造一部工程図
【図３】 従来の半導体発光装置の構造図
１ 基板 ２ 下側クラッド層 ３ 活性層 ４ 上側クラッド層 ５ メサ ５ａ メサ頂上 ６ 拡散障壁層 ６ａ エッチング層 ６ｂ 拡散障壁材 ７ 埋込み層 ８ 電流狭窄層 ９ コンタクト層 １０ 裏面電極 １１ 表面電極
Claims (1)
- 【請求項１】 第一導電型の半導体基板（１）表面上に
順次堆積された第一導電型の下側クラッド層（２），活
性層（３），及び第二導電型の上側クラッド層（４）か
らなるIII-V 族化合物半導体堆積層をストライプ状に成
形したメサ（５）と，該メサ（５）の頂部表面を残して
該メサ（５）の外側を埋め込むｐ型の埋込み層（７）
と，該メサ（５）の頂部表面に接して堆積される第二導
電型のコンタクト層（９）と，該基板（１）の裏面に形
成される裏面電極（１０）と，該コンタクト層（９）の
表面に形成される表面電極（１１）とを有してなる半導
体発光装置において， 該メサ（５）の側壁と該埋込み層（７）との間に，ｎ型
半導体或いは実質的に不純物を含有しない半導体のうち
の何れかの半導体からなり，該下側クラッド層（２）及
び上側クラッド層（４）の何れか一つと実質的に同一の
又はより大きな禁制帯幅を有する拡散障壁層（６）を設
けたことを特徴とする半導体発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1799092A JPH05218585A (ja) | 1992-02-04 | 1992-02-04 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1799092A JPH05218585A (ja) | 1992-02-04 | 1992-02-04 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05218585A true JPH05218585A (ja) | 1993-08-27 |
Family
ID=11959163
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1799092A Withdrawn JPH05218585A (ja) | 1992-02-04 | 1992-02-04 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05218585A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0851255A (ja) * | 1993-11-01 | 1996-02-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| US5856207A (en) * | 1993-11-01 | 1999-01-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for producing a semiconductor laser |
| JP2008270614A (ja) * | 2007-04-23 | 2008-11-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体光素子及びその製造方法 |
| JP2010206082A (ja) * | 2009-03-05 | 2010-09-16 | Fujitsu Ltd | 半導体素子及びその製造方法 |
| WO2019220514A1 (ja) * | 2018-05-14 | 2019-11-21 | 三菱電機株式会社 | 光半導体装置及びその製造方法 |
-
1992
- 1992-02-04 JP JP1799092A patent/JPH05218585A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0851255A (ja) * | 1993-11-01 | 1996-02-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| US5856207A (en) * | 1993-11-01 | 1999-01-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for producing a semiconductor laser |
| US6110756A (en) * | 1993-11-01 | 2000-08-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for producing semiconductor laser |
| JP2008270614A (ja) * | 2007-04-23 | 2008-11-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体光素子及びその製造方法 |
| JP2010206082A (ja) * | 2009-03-05 | 2010-09-16 | Fujitsu Ltd | 半導体素子及びその製造方法 |
| WO2019220514A1 (ja) * | 2018-05-14 | 2019-11-21 | 三菱電機株式会社 | 光半導体装置及びその製造方法 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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